JP7113882B2 - SiCエピタキシャルウェハ、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
上記の試験工程S1を複数回繰り返し、成膜及び熱処理の最適条件を決定した。そして本工程S2として、直径150mmの4H-SiC基板上に、厚さ16μmのSiCエピタキシャル層を積層した。図4に示す非破壊の方式で、SiCエピタキシャル層のドーピング濃度及びZ1/2センター密度を求めた。測定点は、SiC基板の中心から半径50mmの範囲とし、10mmピッチで十字状に測定した。Z1/2センター密度は、各測定点におけるドーピング濃度の測定値から求めた。図6は、実施例1の各測定点におけるZ1/2センター密度及びドーピング濃度を示す。図6において、Ndはドナー濃度であり、Naはアクセプタ濃度である。
Claims (12)
- SiC基板と、前記SiC基板の第1面に形成されたSiCエピタキシャル層と、を備えたSiCエピタキシャルウェハであって、
前記SiCエピタキシャル層のZ1/2センター密度の面内均一性が5%以下であり、
前記SiCエピタキシャルウェハの直径は、149mm以上であり、
前記Z 1/2 センター密度の面内均一性は、10点以上の測定点における前記Z 1/2 センター密度の標準偏差を平均値で割って求められるものであり、
前記測定点は、前記SiCエピタキシャルウェハの中心から半径50mmの範囲内において、前記中心を通る十字状に10mmピッチで配列された点である、SiCエピタキシャルウェハ。 - 前記SiCエピタキシャルウェハの直径が199mm以上である、請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記SiCエピタキシャル層に含まれる格子間炭素起因の点欠陥密度が1×1011cm-3以下である、請求項1又は2に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記SiCエピタキシャル層に含まれるEH1センター、EH3センター、RD3センターのそれぞれの密度が1×1011cm-3以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記SiCエピタキシャル層に含まれるON1センター、ON2センターのそれぞれの密度が1×1011cm-3以下である、請求項1~4のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記SiCエピタキシャル層の中心におけるZ1/2センター密度と、前記SiCエピタキシャル層の中心から50mm以上離れた位置におけるZ1/2センター密度との差が、前記SiCエピタキシャル層の中心におけるZ1/2センター密度の値の20%以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- SiCエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記SiCエピタキシャルウェハの製造方法は、試験工程と、本工程と、を有し、
前記試験工程は、
試験用のSiC基板の第1面にSiCエピタキシャル層を積層する第1成膜工程と、
前記SiCエピタキシャル層のZ1/2センター密度の面内均一性を測定する第1測定工程と、
前記第1測定工程で測定された結果に基づき、前記第1成膜工程における加熱条件と、前記第1成膜工程における降温条件とのうちの少なくとも一方を変更する第1フィードバックを行うフィードバック工程と、を有し、
前記試験工程は、前記第1成膜工程、前記第1測定工程、前記フィードバック工程を複数回繰り返し、
前記本工程は、前記試験工程の結果に基づいて、
SiC基板の第1面にSiCエピタキシャル層を積層する第2成膜工程を有し、
前記Z 1/2 センター密度の面内均一性は、10点以上の測定点のそれぞれにおける前記Z 1/2 センター密度の標準偏差を平均値で割って求められるものであり、
前記測定点は、前記SiCエピタキシャルウェハの中心から半径50mmの範囲内において、前記中心を通る十字状に10mmピッチで配列された点である、SiCエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記試験工程は、
前記第1成膜工程と前記第1測定工程との間に、前記第1成膜工程で成膜された前記SiCエピタキシャル層を熱処理する第1熱処理工程をさらに有し、
前記フィードバック工程は、前記第1測定工程で測定された結果に基づき、前記第1熱処理工程における加熱条件と、前記第1熱処理工程における降温条件とのうちの少なくとも一方を変更する第2フィードバックをさらに行う、請求項7に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記本工程は、前記試験工程の結果に基づいて、前記第2成膜工程で成膜された前記SiCエピタキシャル層を熱処理する第2熱処理工程をさらに備える、請求項8に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第1測定工程を非破壊検査方法で行う、請求項7~9のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記本工程は、前記第2成膜工程で成膜された前記SiCエピタキシャル層のZ1/2センター密度の面内均一性を測定する第2測定工程をさらに備える、請求項7~10のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第2測定工程を非破壊検査方法で行う、請求項11に記載のSiCエピタキシャルウェハの製造方法。
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