JP7103532B2 - 回路モジュール及びｒｆｉｄタグ - Google Patents

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Description

本発明は、回路モジュール及びそれを備えるＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentifier）タグに関する。
特許文献１には、アンテナとして作用させる導体に結合するＲＦＩＣモジュールが示されている。このＲＦＩＣモジュールは、基板と、この基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、このＲＦＩＣチップに接続されて構成される複数のコイルによる整合回路とを備える。
国際公開第２０１６／０８４６５８号
特許文献１に記載の構造のＲＦＩＣモジュールでは、それを薄型化、小型化しようとすると、ＲＦＩＣモジュールが備える複数のコイル間が近接することによる、不要輻射や不要結合等の電気的特性の変化が生じるが、それ以外にも、ＲＦＩＣモジュールの基板の平坦性が損なわれる傾向があることを発明者は見出した。これは、基板の小型化に伴い、基板の互いに対向する主面に形成される導体パターンのバランスがとり難くなるからである。つまり、基板に対する導体パターンの形成工程で、基板及び導体パターンの収縮等の挙動が、基板の第１面と第２面とで不均衡となって、基板が一方に反る傾向が顕著になる。また、面方向において導体の疎密の分布の偏りが大きくなると、基板の部分的な変形が顕著になる。
このようにＲＦＩＣモジュールの基板が反ったり変形したりすると、アンテナ導体パターンが形成されたフレキシブル基板に対するＲＦＩＣモジュールの実装が困難になったり、接続不良を招いたりするおそれがある。
上述の基板の反りや変形はＲＦＩＣモジュールに限らず、基板に導体パターンによる回路が形成され、ＩＣが搭載された、回路モジュール一般に生じる。
そこで、本発明の目的は、基板の反りや変形を抑制した回路モジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグを提供することにある。
本発明の回路モジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基板と、前記基板の第１面に搭載されたＩＣと、前記基板の第１面及び第２面に、導体ペーストの加熱硬化による導体パターンで形成され、前記ＩＣと外部回路との間に接続される回路と、前記基板の第１面及び第２面の少なくとも一方に形成され、前記基板の第１面及び第２面における前記導体ペーストの平衡性を保つ、導体ペーストの加熱硬化によるダミー導体パターンと、を備える。
また、本発明のＲＦＩＤタグは、フレキシブルな絶縁体フィルムに形成された２つの導体パターンを備えるアンテナと、前記絶縁体フィルムに搭載され、前記アンテナに接続又は結合する回路モジュールとを備え、その回路モジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基板と、前記基板の第１面に搭載されたＲＦＩＣと、前記基板の第１面及び第２面に、導体ペーストの加熱硬化による導体パターンで形成され、前記ＲＦＩＣと外部回路との間に接続されるインピーダンス整合回路と、前記基板の第１面及び第２面の少なくとも一方に形成され、前記基板の第１面及び第２面における前記導体ペーストの平衡性を保つ、導体ペーストの加熱硬化によるダミー導体パターンと、を備える。
本発明によれば、基板の反りや変形を抑制した回路モジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグが得られる。
図１は、第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図２は、図１におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０１の断面図である。 図３の上部は、ＲＦＩＣモジュール１０１の製造段階での平面図であり、図３の下部は上部のＸ－Ｘラインでの断面図である。 図４は、図３に示した工程より後の工程での断面図である。 図５はリフローソルダリングの工程を示す概略図である。 図６（Ａ）は本実施形態によるＲＦＩＣモジュールのリフローソルダリングを行った後における断面図である。図６（Ｂ）はその比較例としての従来のＲＦＩＣモジュールのリフローソルダリングを行った後における断面図である。 図７は第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図８は、図７におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０２の断面図である。 図９は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図１０は、図９におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０３の断面図である。 図１１は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。 図１２は、図１１におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０４の断面図である。 図１３（Ａ）は第５の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。図１３（Ｂ）はＲＦＩＤタグ２０１が備えるＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部分の拡大平面図である。
《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図１において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図１の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。
基板１の上面には、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１、及び第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１が形成されている。ＲＦＩＣ側第１端子電極３１は上記導体パターンＬ１１の一方端に繋がっていて、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２は上記導体パターンＬ２１の一方端に繋がっている。さらに、基板１の上面には複数のダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２が形成されている。これら導体パターンは、導体ペーストの加熱硬化によるパターンである。
基板１の下面には、別の基板に形成されたアンテナの導体パターンに容量結合されるアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が形成されている。また、基板１の下面には、第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２、第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２、第３インダクタＬ３の導体パターン、第４インダクタＬ４の導体パターン及び第５インダクタＬ５の導体パターン（二点鎖線で囲む導体パターン）が形成されている。これら導体パターンも導体ペーストの加熱硬化によるパターンである。
上記第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２の一方端及び第３インダクタＬ３の導体パターンの一方端は上記アンテナ側第１端子電極１１に繋がっている。同様に、上記第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２の一方端及び第４インダクタＬ４の導体パターンの一方端は上記アンテナ側第２端子電極１２に繋がっている。第３インダクタＬ３の導体パターンの他方端と、第４インダクタＬ４の導体パターンの他方端との間には第５インダクタＬ５の導体パターンが繋がっている。
第１インダクタＬ１の導体パターンＬ１２の他方端と第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１の他方端とは層間接続導体Ｖ１を介して接続されている。同様に、第２インダクタＬ２の導体パターンＬ２２の他方端と第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１の他方端とは層間接続導体Ｖ２を介して接続されている。さらに、ダミー導体パターンＤＰ１とアンテナ側第１端子電極１１とは層間接続導体Ｖ０を介して接続されていて、ダミー導体パターンＤＰ２とアンテナ側第２端子電極１２とは層間接続導体Ｖ０を介して接続されている。
上記ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２にＲＦＩＣ２が実装されている。つまり、ＲＦＩＣ２の端子２１がＲＦＩＣ側第１端子電極３１に接続されていて、ＲＦＩＣ２の端子２２がＲＦＩＣ側第２端子電極３２に接続されている。
第１インダクタＬ１の導体パターンＬ１１と第３インダクタＬ３とは基板１の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置されている。同様に、第２インダクタＬ２の導体パターンＬ２１と第４インダクタＬ４とは基板１の異なる層にそれぞれ形成され、且つコイル開口が重なる関係に配置されている。そして、第２インダクタＬ２及び第４インダクタＬ４と、第１インダクタＬ１及び第３インダクタＬ３とは、ＲＦＩＣ２の搭載位置を基板１の面に沿って挟む位置関係に配置されている。
図２は、図１におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０１の断面図である。このＲＦＩＣモジュール１０１は、基板１と、この基板１に実装されるＲＦＩＣ２とを備える。基板１は例えばポリイミド等のフレキシブル基板である。ＲＦＩＣ２が実装された基板１の上面（第１面Ｓ１）には保護膜３が被覆されている。この保護膜３は例えばポリウレタン等のエラストマーやエチレン酢酸ビニル（EVA）のようなホットメルト剤又は熱硬化性樹脂である。基板１の下面（第２面Ｓ２）にはカバーレイフィルム４が設けられている。このカバーレイフィルム４は例えばポリイミドフィルムである。したがって、基板１、保護膜３、カバーレイフィルム４のいずれもが柔らかく、このＲＦＩＣモジュール１０１全体が柔らかい。
基板１の第１面Ｓ１のダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２は、基板１の第２面Ｓ２のアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２に対して基板１を挟んで対向する位置に形成されている。
図３の上部は、ＲＦＩＣモジュール１０１の製造段階での平面図であり、図３の下部は上部のＸ－Ｘラインでの断面図である。図４は、図３に示した工程より後の工程での断面図である。
ＲＦＩＣモジュール１０１は次の工程で製造する。
（１）図３に示すように、幅広且つ長尺状の基板１に、アンテナ側第１端子電極１１、アンテナ側第２端子電極１２、ダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２等の導体パターンを形成する。これら導体パターンは、基板１に銅ペーストをスクリーン印刷し、加熱することで硬化させて形成する。
（２）ＲＦＩＣ２の実装位置にはんだペーストをスクリーン印刷する。
（３）ＲＦＩＣ２を搭載し、リフローソルダリングを行う。
（４）図４に示すように、カバーレイフィルム４を貼付する。
（５）図４に示すように、保護膜３を被覆する。
（６）各ＲＦＩＣモジュール単位に分割する。
従来、上記（３）の工程のリフローソルダリングの際、基板１の第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２における収縮率が異なると、基板１が反ってしまう場合があった。
図５は上記リフローソルダリングの工程を示す概略図である。支持板９に載せられた基板１にＲＦＩＣ２が搭載され、リフロー炉を通過させることにより、リフローソルダリングがなされる。
図６（Ａ）は本実施形態によるＲＦＩＣモジュールの上記リフローソルダリングを行った後における断面図である。図６（Ｂ）はその比較例としての従来のＲＦＩＣモジュールのリフローソルダリングを行った後における断面図である。
図６（Ｂ）に示す例では、基板１の第２面Ｓ２に形成されている導体パターンの形成率が、基板１の第１面Ｓ１に形成されている導体パターンの形成率に比べて高いので、リフローソルダリングの段階で、図６（Ｂ）に示すように、基板１の第１面Ｓ１が凹、第２面Ｓ２が凸となる状態に反ってしまう。そのため、ＲＦＩＣ２の一方の端子が浮き上がった状態で実装される。
本実施形態によれば、図６（Ａ）に示すように、基板１の第１面Ｓ１にダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２が形成されていることで、基板１の第２面Ｓ２に形成されている導体パターンの形成率と、基板１の第１面Ｓ１に形成されている導体パターンの形成率とはほぼ等しい。そのため、図６（Ａ）に示すように、基板１が反ることなく平坦性を保つ。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とはダミー導体パターンの構成が異なるＲＦＩＣモジュールについて示す。
図７は第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図７において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図７の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。
基板１の上面には、ＲＦＩＣ側第１端子電極３１、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２、第１インダクタＬ１の主要部の導体パターンＬ１１、及び第２インダクタＬ２の主要部の導体パターンＬ２１が形成されている。ＲＦＩＣ側第１端子電極３１は上記導体パターンＬ１１の一方端に繋がっていて、ＲＦＩＣ側第２端子電極３２は上記導体パターンＬ２１の一方端に繋がっている。さらに、基板１の第１面Ｓ１には複数のダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２が形成されている。これら導体パターンは、導体ペーストの加熱硬化によるパターンである。
基板１の下面には、別の基板に形成されたアンテナの導体パターンに容量結合されるアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２が形成されている。また、基板１の下面には、第１インダクタＬ１の一部の導体パターンＬ１２、第２インダクタＬ２の一部の導体パターンＬ２２、第３インダクタＬ３の導体パターン、第４インダクタＬ４の導体パターン及び第５インダクタＬ５の導体パターンが形成されている。これら導体パターンも導体ペーストの加熱硬化によるパターンである。
上記ＲＦＩＣ側第１端子電極３１及びＲＦＩＣ側第２端子電極３２にＲＦＩＣ２が実装されている。
図８は、図７におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０２の断面図である。基板１は例えばポリイミド等のフレキシブル基板である。ＲＦＩＣ２が実装された基板１の上面（第１面Ｓ１）には保護膜３が被覆されている。基板１の下面（第２面Ｓ２）にはカバーレイフィルム４が設けられている。
基板１の第１面Ｓ１のダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２は、基板１の第２面Ｓ２のアンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２に対して基板１を挟んで対向する位置に形成されている。第１の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０１とは異なり、ダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２は基板１の第１面Ｓ１に形成されていて、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２には接続されていない。つまり、他の導体パターンから独立している。
本実施形態に示したように、ダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２に層間接続導体が接続されてなくても、基板１の第１面Ｓ１にダミー導体パターンＤＰ１，ＤＰ２が形成されていることで、基板１の第２面Ｓ２に形成されている導体パターンの形成率と、基板１の第１面Ｓ１に形成されている導体パターンの形成率とをほぼ等しくでき、そのことで、リフローソルダリング後も、基板１が反ることなく平坦性を保つことができる。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１、第２の実施形態とはダミー導体パターンの構成が異なるＲＦＩＣモジュールについて示す。
図９は第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図９において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図９の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。また、図１０は、図９におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０３の断面図である。
基板１の第１面Ｓ１には複数のダミー導体パターンＤＰ２１，ＤＰ２２が形成されている。基板１の第２面Ｓ２にはダミー導体パターンＤＰ１１，ＤＰ１２が形成されている。ダミー導体パターンＤＰ２１とダミー導体パターンＤＰ１１とは層間接続導体Ｖ０を介して接続されていて、ダミー導体パターンＤＰ２２とダミー導体パターンＤＰ１２とは層間接続導体Ｖ０を介して接続されている。その他の構成は第２の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０２と同様である。
上記ダミー導体パターンＤＰ１１，ＤＰ２１及び層間接続導体Ｖ０による導体は他の導体から独立したダミーの導体である。同様に、ダミー導体パターンＤＰ１２，ＤＰ２２及び層間接続導体Ｖ０による導体は他の導体から独立したダミーの導体である。
本実施形態に示したように、ダミー導体パターンＤＰ１１，ＤＰ１２，ＤＰ２１，ＤＰ２２が基板１の両面に形成されていても、層間接続導体Ｖ０と共に形成されていることにより、基板１の剛性が高まる。このことにより、リフローソルダリングによる基板１の変改が抑制される。
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、方向性識別マークを兼ねるダミー導体パターンを有するＲＦＩＣモジュールについて例示する。
図１１は第４の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０４の基板１に形成されている導体パターンを示す平面図である。図１１において上部は基板１の上面に形成されている導体パターンの平面図であり、図１１の下部は基板１の下面に形成されている導体パターンの平面図である。また、図１２は、図１１におけるＸ－Ｘラインでの、ＲＦＩＣモジュール１０４の断面図である。
基板１の第１面Ｓ１には複数のダミー導体パターンＤＰ２１が形成されている。基板１の第２面Ｓ２にはダミー導体パターンＤＰ１１が形成されている。ダミー導体パターンＤＰ２１とダミー導体パターンＤＰ１１とは層間接続導体Ｖ０を介して接続されている。第３の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０３と異なり、ダミー導体パターンＤＰ２１，ＤＰ１１及び層間接続導体Ｖ０による導体は１セットのみ形成されている。このダミー導体パターンＤＰ２１，ＤＰ１１及び層間接続導体Ｖ０による導体のセットは、その他の本来の導体パターンの形成領域から離れた位置に形成されている。つまり、基板１に形成されている導体パターンには疎密があり、「疎」の領域にダミー導体パターンＤＰ２１，ＤＰ１１及び層間接続導体Ｖ０による導体のセットが配置されている。その他の構成は第３の実施形態で示したＲＦＩＣモジュール１０３と同様である。
本実施形態によれば、ダミー導体パターンＤＰ１１，ＤＰ２１及び層間接続導体Ｖ０の形成によって、基板１における導体の分布の面方向の偏りが緩和される。そのことで、リフローソルダリング後も、基板１が局所的に変形することがなく、平坦性を保つことができる。
また、本実施形態によれば、保護膜３は透光性であり、外部からダミー導体パターンＤＰ２１を撮影できるので、このダミー導体パターンＤＰ２１をＲＦＩＣモジュール１０４の方向性を識別するマークとして利用できる。
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、ＲＦＩＣモジュールを備えるＲＦＩＤタグについて例示する。
図１３（Ａ）は第５の実施形態に係るＲＦＩＤタグ２０１の平面図である。図１３（Ｂ）はＲＦＩＤタグ２０１が備えるＲＦＩＣモジュール１０１の搭載部分の拡大平面図である。
ＲＦＩＤタグ２０１は、アンテナ６と、このアンテナ６に結合するＲＦＩＣモジュール１０１とで構成される。アンテナ６は絶縁体フィルム６０と、この絶縁体フィルム６０に形成された導体パターン６１，６２とで構成される。絶縁体フィルム６０は例えばポリエチレンテレフタレート（PET）のフィルムであり、導体パターン６１，６２は例えばアルミニウム箔のパターンである。ＲＦＩＣモジュール１０１の構成は第１の実施形態で示したとおりである。
導体パターン６１は導体パターン６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃで構成され、導体パターン６２は導体パターン６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃで構成される。導体パターン６１，６２はダイポールアンテナを構成する。
ＲＦＩＣモジュール１０１は、アンテナ６の絶縁体フィルム６０に接着剤層を介して絶縁性接着剤によって接着されている。アンテナ側第１端子電極１１は接着剤層を介してアンテナ６の導体パターン６１Ｐに対向し、アンテナ側第２端子電極１２は接着剤層を介してアンテナ６の導体パターン６２Ｐに対向する。この構造により、アンテナ側第１端子電極１１及びアンテナ側第２端子電極１２はアンテナ６の導体パターン６１Ｐ，６２Ｐにそれぞれ容量結合する。
本実施形態によれば、ＲＦＩＣモジュール１０１の基板に対するＲＦＩＣ２の実装状態が安定していることと、ＲＦＩＣモジュール１０１の平坦性が高いこととで、安定した特性のＲＦＩＤタグ２０１が得られる。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
例えば、以上に示した各実施形態では回路モジュールとしてＲＦＩＣモジュールを例示したが、本発明に係る回路モジュールはＲＦＩＣモジュールに限らず、所定の回路機能を有するモジュールに同様に適用できる。
ＤＰ１，ＤＰ２…ダミー導体パターン
ＤＰ１１，ＤＰ１２，ＤＰ２１，ＤＰ２２…ダミー導体パターン
Ｌ１…第１インダクタ
Ｌ２…第２インダクタ
Ｌ３…第３インダクタ
Ｌ４…第４インダクタ
Ｌ５…第５インダクタ
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２…導体パターン
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
Ｖ０，Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
１…基板
２…ＲＦＩＣ
３…保護膜
４…カバーレイフィルム
６…アンテナ
９…支持板
１１…アンテナ側第１端子電極
１２…アンテナ側第２端子電極
２１，２２…端子
３１…ＲＦＩＣ側第１端子電極
３２…ＲＦＩＣ側第２端子電極
６０…絶縁体フィルム
６１，６２…導体パターン
６１Ｐ，６１Ｌ，６１Ｃ…導体パターン
６２Ｐ，６２Ｌ，６２Ｃ…導体パターン
１０１，１０２，１０３，１０４…ＲＦＩＣモジュール
２０１…ＲＦＩＤタグ

Claims (4)

  1. 互いに対向する第１面及び第２面を有する基板と、
    前記基板の第１面に搭載されたＩＣと、前記基板の第１面及び第２面に、導体ペーストの加熱硬化による導体パターンで形成され、前記ＩＣと外部回路との間に接続される回路と、
    前記基板の第１面及び第２面の少なくとも一方に形成され、前記基板の第１面及び第２面における前記導体パターンの平衡性を保つ、導体ペーストの加熱硬化によるダミー導体パターンと、
    前記ダミー導体パターンに導通する層間接続導体と、
    端子電極と、
    を備え、
    前記第１面の平面視で、前記ダミー導体パターンは、前記端子電極に重なり、
    前記ダミー導体パターンと前記端子電極とは、前記層間接続導体を介して接続されている、
    回路モジュール。
  2. 前記ダミー導体パターンは方向性識別マークである、
    請求項１に記載の回路モジュール。
  3. 前記第１面の平面視で、前記ダミー導体パターンの面積は前記端子電極の面積よりも小さい、
    請求項１又は請求項２に記載の回路モジュール
  4. フレキシブルな絶縁体フィルムに形成された２つの導体パターンを備えるアンテナと、前記絶縁体フィルムに搭載され、前記アンテナに接続又は結合する回路モジュールとを備えるＲＦＩＤタグであって、
    前記回路モジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基板と、
    前記基板の第１面に搭載されたＲＦＩＣと、
    前記基板の第１面及び第２面に、導体ペーストの加熱硬化による導体パターンで形成され、前記ＲＦＩＣと外部回路との間に接続されるインピーダンス整合回路と、
    前記基板の第１面及び第２面の少なくとも一方に形成され、前記基板の第１面及び第２面における前記導体パターンの平衡性を保つ、導体ペーストの加熱硬化によるダミー導体パターンと、
    前記ダミー導体パターンに導通する層間接続導体と、
    端子電極と、
    を備え、
    前記第１面の平面視で、前記ダミー導体パターンは、前記端子電極に重なり、
    前記ダミー導体パターンと前記端子電極とは、前記層間接続導体を介して接続されている、
    ＲＦＩＤタグ。
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