JP7102728B2 - レーザ駆動制御装置、乾燥装置、画像形成装置、レーザ駆動制御プログラム及び乾燥プログラム - Google Patents
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Description
本発明は、定電圧で駆動されるレーザ光源を、パルス幅制御により目標光量に比例したデューティで駆動する場合と比べて、目標光量に対する照射光量の誤差を抑制することを目的とする。
レーザ光を射出するレーザ光源を、各々パルス幅が変更可能な複数のパルスが予め定めた周期で発生するパルス信号を供給して定電圧駆動する駆動部と、
現在のパルス幅から安定して目標光量が得られるパルス幅に到達する前の到達前パルス幅へ変更する際のパルス幅の第1の変更量を、前記現在のパルス幅から、前記目標光量が安定して得られる定常状態での前記レーザ光源のオン時の駆動電流に対応する目標パルス幅へ変更する際のパルス幅の第2の変更量より大きくなるように、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記目標パルス幅になるまで徐々に、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う。
前記制御部は、前記第1の変更量で変更されるパルス幅に応じて生じる前記レーザ光源の光量が、前記第2の変更量で変更されたパルス幅に応じて生じる前記レーザ光の光量より大きくなるように前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う。
前記制御部は、パルス幅を増減する変更を行うことで、前記第1の変更量を、前記第2の変更量より大きくなるように、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う。
前記制御部は、前記目標光量が得られるまで、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う。
前記制御部は、
前記現在の前記レーザ光源のオン時の第1駆動電流と、現在のパルス幅により駆動された熱時定数で定まる時間より短い所定時間後の前記レーザ光源のオン時の第2駆動電流とを導出する導出部と、を備え、
前記導出部で導出された前記第1駆動電流と、前記第2駆動電流と、に基づいて、前記レーザ光源から射出される光量が前記目標光量となるように、所定時間後の前記パルス信号のパルス幅を変更する制御を行ってもよい。
前記制御部は、
前記レーザ光源の光量が前記目標光量に収束するように、前記第2の変更量より大きくされた前記第1の変更量から前記第2の変更量になるまで徐々にパルス幅を変更する制御を行う。
前記レーザ光源は、照射されたレーザ光の一部が互いに重複する複数のレーザ素子を有し、
前記制御部は、前記複数のレーザ素子各々から照射されたレーザ光の光量分布における前記レーザ光源をオンオフする1周期での平均光量と前記目標光量との誤差が抑制されるように、前記予め定めた周期を設定する制御を行う。
前記予め定めた周期は、前記平均光量と前記目標光量との誤差が予め定めた閾値以下となる周波数である。
前記レーザ駆動制御装置と、
画像情報に応じて吐出された液滴により形成された画像領域の少なくとも一部が、前記レーザ光源から照射されたレーザ光の照射領域内に含まれる場合、前記液滴を乾燥させる光量として設定された乾燥光量に対応する光量になる、前記レーザ光源をオンオフするデューティに制御されるように前記制御部の制御を行う乾燥制御部と、
を備える。
前記乾燥制御部は、前記レーザ光の照射領域内に含まれる前記画像領域の端部の液滴を乾燥させる光量として設定された乾燥光量に対応する光量以上の光量になるように前記デューティを制御する。
前記乾燥制御部は、前記画像領域と前記レーザ光源とを相対的に移動させながら前記液滴を乾燥させるように制御する。
前記乾燥制御部は、前記画像領域に含まれる液滴を乾燥させる光量として複数の乾燥光量が設定された場合に、前記複数の乾燥光量に基づいて導出された共通の乾燥光量に対応する光量になるように、前記画像領域の前記複数の乾燥光量が設定された各液滴を照射するレーザ光の前記デューティを制御する。
画像情報に応じて液滴を記録媒体に吐出する吐出手段と、
前記記録媒体を搬送する搬送手段と、
前記乾燥装置と、
前記吐出手段、前記搬送手段、及び前記乾燥装置を制御する制御手段と、
を備える。
コンピュータを、前記レーザ駆動制御装置の各部として機能させる。
コンピュータを、前記乾燥装置の各部として機能させる。
まず、レーザ光源71の駆動電流とPWM制御によるデューティとの関係を説明する。
図7に、レーザ光源71の駆動電流とPWM制御によるデューティとの関係の一例を示す。図7は、デューティを変化させた場合におけるレーザ光源71のオン時の電流と照射される光量との関係を示している。
図8では、図7に示すように、定電圧駆動でPWM制御するデューティに対して光量は比例でなく非直線である。これは定電流でPWM制御する場合と異なり、デューティの増大によりレーザ光源71におけるレーザ素子の活性層温度が上昇して電圧特性及び電流特性が変化し、電流が増大するためであり、比例よりも増加の割合が大きくなる。一方、図8の電流とデューティとの乗算結果に対する光量では、デューティの途中までは略一致する。従って、光量を高精度に制御するにはPWM制御におけるレーザ光源71のオン時の電流を把握することが重要であることが理解される。
動作点近傍でオン時の電流が温度と比例すると考えると、
In=Io+ΔI/ΔT×(Tn-To)
ただし、Toは室温、Tnはレーザ光源の駆動時のレーザ活性層温度である。
図9に示すように、レーザ光源71に含まれるレーザ素子を複数駆動すると、各々ケーブル及び共通配線における電圧降下が大きくなり、結果としてレーザ光源71への印加電圧が低下してオン時の電流が減少する。従って、駆動するレーザ素子の総駆動電流と共通配線による電圧降下を考慮することが好ましい。
In=In-1 + ((Io-In-1)×(ΔT/ΔI)/Rth
+(In×(Vps-IcRc)-η×(In-Ith))×Duty)×Δt/Cth×ΔI/ΔT ・・・(1)
なお、ηは、微分効率である。
In-1+((Io-In-1)×(ΔT/ΔI)/Rth
であり、レーザ素子からの放熱を示す。
(In×(Vps-IcRc)-η×(In-Ith))×Duty
であり、レーザ素子の発熱を示す。
In=(In-1+((Io-In-1)/Rth×Δt/Cth+η×Ith×ΔT/Cth×ΔI/ΔT×Duty)/((1-(Vd-IcRc-η)×Duty×Δt/Cth×(ΔI/ΔT))+Δt/Rth/Cth)
・・・(2)
また、ΔI/ΔTは、使用領域における電流と温度の比、Vpsは電源電圧、Rcはケーブル含めた電源からレーザ光源71までの配線抵抗、Icは電源ケーブルを流れる電流、DutyはPWM制御のデューティを示す0~1であり、Δtは差分の時間を示す。
ここで、目標光量をPd、発光効率をη(ΔP/ΔI)とすると、デューティは、
Pd=(In-Ith)×η×Duty
Duty=Pd/(In-Ith)/η
として補正されたデューティとして算出することができる。
熱平衡状態ではIn=In-1であるため、(1)式は次の(3)式で表される。
((Io-In)/(ΔI/ΔT/Rth)×((Vps-IcRc)×In-η×(In-Ith)×Duty)×Δt/(Cth×ΔT/ΔI)=0
・・・(3)
In=(Io+Duty×η×Ith×Rth×ΔI/ΔT)/(1-(ΔI/ΔT×Rth)×(Vps-IcRc-η)×Duty) ・・・(4)
Rth×ΔT/ΔI=(In-Io)/(Duty×(In×(Vps-IcRc-η)+η×Ith))))
として算出することができる。
ここでRth×ΔT/ΔIはDutyで変化するが、式を簡単にするためDuty=1近傍の値で代表して算出することでデューティDuty0~1までで式を簡略化しつつ誤差を抑えるようにする。
さらに、Ioは駆動電圧で変化するので、これを線形近似すると、
Io=Vd×α1+β1
と表すことができる。
ΔI/ΔT×RthをVd×α2+β2として(4)式に代入すると、次の(5)式に簡略化できる。
In=(((Vps-IcRc)×α1+β1)+Duty×η×Ith×((Vps-IcRc)×α2+β2)))/(1-((Vps-IcRc)×α2+β2)×(Vps-IcRc-η)×Duty)
・・・(5)
ここで、Ioを算出する際はレーザ光源71の接続ケーブルでの電圧降下を無視できる程度に短く、また1個のレーザ素子のみを駆動して電圧降下を無視できるようにする。また、印加電圧を直接モニターできるように各レーザ素子のアノード、カソード間を測定しても良い。
デューティを変化させて、PWM制御におけるレーザ素子のオン時の電流をプロットし、デューティゼロまで外挿した点がIoとなる。この場合、デューティを変化させても印加電圧の変動が無視できる状態で測定する。
上記の(4)式を変形すると、パラメータ(Rth×ΔI/ΔT)は、次の式で表すことができる。
Rth×ΔI/ΔT
=(In-Io)/((In×(Vps-IcRc―η)+η×Ith)×Duty)
Rth×ΔI/ΔT
=(In-Io)/((In ×(Vps-η)+η×Ith)×Duty)
となる。
Rth×ΔI/ΔT= α2×Vd+β2
のα2、β2を算出する。
過渡応答含めた(1)式の第1項を用いて、時定数を求める。すなわち、第1項は、次に示すように、変数分離型で表すことができる。
In-In-1=((Io-In-1)/Rth×Δt/Cth
ΔI/((Io-In-1)=Δt/(Rth×Cth)
時定数τ=Rth×Cthを求めることができる。
時定数τはデューティDutyを変化させたときのレーザ駆動電流Inを観察すると初期のInから熱平衡状態でのInへと収束する様子が観察されるので容易に求めることができる。このため、実際に求めることが難しいRthを求めずとも熱的時定数情報Rth×ΔI/ΔTとRth×Cthが以上の説明により求めることができるので、もう一つの熱的時定数情報Cth×ΔT/ΔIも求めることができる。この結果過渡的な状態を表す式(2)が算出できるため、実際の温度Tを明示的に求めることなしにレーザ素子の電流が求められ、さらに目標光量が設定されると、デューティDutyの算出ができる。
Cth×ΔT/ΔI=τ/(Rth×ΔI/ΔT)
から時定数Cth×ΔT/ΔIを算出する。なお所定時間Δtはこの時定数よりも十分短く設定する。時定数近くに設定すると繰り返し演算した場合の誤差が大きくなる。
搬送される連続紙P上に画像情報に対応して形成されたインク滴による画像を、レーザ光源71のオンオフ1周期のデューティを制御して乾燥させる場合、PWM制御によりレーザ光源71のオンオフする周波数が連続氏の搬送速度に対して低い周波数である場合、光量制御の精度に影響する場合がある。
図13では、所定周波数でレーザ素子をオンオフするスイッチング素子としてFET等のトランジスタTrを用いている。
図14に示すように、制御部20は、駆動電源制御部21及び光量設定部22を含んでいる。レーザ駆動部60は、デューティ演算部61、PWM信号発生部62、バッファ63、及びスイッチング回路64を含んでいる。スイッチング回路64は電流検出部65を介してデューティ演算部61に接続されている。レーザ乾燥装置70は、駆動電源部72及びレーザ光源71を含んでおり、レーザ光源71は電圧検出部73を介してデューティ演算部61に接続されている。駆動電源部72は電圧検出部74を介してデューティ演算部61に接続されている。また、駆動電源部72は駆動電源制御部21にも接続されている。
図16に、目標光量を得るためのデューティを導出するために用いるパラメータを導出する処理の流れの一例を示す。
図17に、目標光量を得るためのデューティを導出する処理の流れの一例を示す。
図19に示す例では、用紙幅方向の画像形成領域Rxに対して、複数のレーザ素子ブロックLBからのレーザ光が重複して照射されるようにレーザ素子ブロックLBを設けている。すなわち、レーザ素子LDのレーザ光の広がり(放射角度)を考慮して、連続紙Pに対してレーザ光が重複して照射されるようにレーザ素子LDと連続紙Pとの距離を定める。このようにすることで、連続紙Pに照射されるレーザ光を、レーザ素子ブロックLB単位のレーザ光から複数のレーザ素子ブロックLBによるレーザ光に分散させることができる。これにより、インク滴の乾燥ムラを抑制することができる。
本実施形態では、各レーザ素子LDから照射される各レーザ光は広がりを有する。この広がりを有する各レーザ光を考慮するため、複数のレーザ素子LDによるレーザ照射面に対応する領域Roと、領域Roの周囲に広がりを有するレーザ光を考慮するために定めた領域Rmとを含むレーザ照射領域Rを設定する。なお、領域Roは、画像形成領域に対応する。
図21は、インクジェット記録装置10における電気系の要部構成の一例を示す図である。制御部20は、例えば、コンピュータで実現可能である。以下、制御部20として実現可能なコンピュータを、コンピュータ20と表記して説明する。
すなわち、図25(B)に示すように、エネルギプロファイルEP0が目標値によるプロファイルの何れかの位置で接するまで、全てのレーザ素子ブロックLB01~LB16について各レーザ素子LDの照射光量を予め定めた照射光量だけ徐々に低下させる。図25(B)に示す例では、最大照射光量から予め定めた照射光量だけ低下された照射光量のレーザ光によるエネルギが累積された累積エネルギE1による用紙幅方向のエネルギプロファイルEP1で、目標値によるプロファイルと接している。
すなわち、図25(C)に示すように、目標値によるプロファイルに接したエネルギプロファイルEP1による累積エネルギE1を維持しつつ、照射光量が低下された他のレーザ素子ブロックLBによる累積エネルギが目標値によるプロファイルに接するまで繰り返し、累積エネルギE2が導出される。さらにその他のレーザ素子ブロックLBによる累積エネルギが目標値によるプロファイルに接するまで繰り返す。図25(C)に示す例では、照射光量を低下させている途中の累積エネルギE3が示されている。この場合には、用紙幅方向のエネルギプロファイルEP2が得られる。
20 コンピュータ
30 記憶部
40 ヘッド駆動部
50 印字ヘッド
60 レーザ駆動部
70 レーザ乾燥装置
201 CPU
202 ROM
203 RAM
LB レーザ素子ブロック
LD レーザ素子
P 連続紙
Claims (14)
- レーザ光を射出するレーザ光源を、各々パルス幅が変更可能な複数のパルスが予め定めた周期で発生するパルス信号を供給して定電圧駆動する駆動部と、
現在のパルス幅から安定して目標光量が得られるパルス幅に到達する前の到達前パルス幅へ変更する際のパルス幅の第1の変更量を、前記現在のパルス幅から、前記目標光量が安定して得られる定常状態での前記レーザ光源のオン時の駆動電流に対応する目標パルス幅へ変更する際のパルス幅の第2の変更量より大きくなるように、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記現在のパルス幅から前記目標パルス幅になるまで徐々に、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う
レーザ駆動制御装置。 - 前記制御部は、前記第1の変更量で変更されるパルス幅に応じて生じる前記レーザ光源の光量が、前記第2の変更量で変更されたパルス幅に応じて生じる前記レーザ光の光量より大きくなるように前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う
請求項1記載のレーザ駆動制御装置。 - 前記制御部は、パルス幅を増減する変更を行うことで、前記第1の変更量を、前記第2の変更量より大きくなるように、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う
請求項1又は請求項2に記載のレーザ駆動制御装置。 - 前記制御部は、前記目標光量が得られるまで、前記パルス信号の複数のパルス各々のパルス幅を変更する制御を行う
請求項1から請求項3の何れか1項に記載のレーザ駆動制御装置。 - 前記制御部は、
前記レーザ光源の光量が前記目標光量に収束するように、前記第2の変更量より大きくされた前記第1の変更量から前記第2の変更量になるまで徐々にパルス幅を変更する制御を行う
請求項1に記載のレーザ駆動制御装置。 - 前記レーザ光源は、照射されたレーザ光の一部が互いに重複する複数のレーザ素子を有し、
前記制御部は、前記複数のレーザ素子各々から照射されたレーザ光の光量分布における前記レーザ光源をオンオフする1周期での平均光量と前記目標光量との誤差が抑制されるように、前記予め定めた周期を設定する制御を行う
請求項1記載のレーザ駆動制御装置。 - 前記予め定めた周期は、前記平均光量と前記目標光量との誤差が予め定めた閾値以下となる周波数である
請求項6記載のレーザ駆動制御装置。 - 請求項1から請求項7の何れか1項に記載のレーザ駆動制御装置と、
画像情報に応じて吐出された液滴により形成された画像領域の少なくとも一部が、前記レーザ光源から照射されたレーザ光の照射領域内に含まれる場合、前記液滴を乾燥させる光量として設定された乾燥光量に対応する光量になる、前記レーザ光源をオンオフするデューティに制御されるように前記制御部の制御を行う乾燥制御部と、
を備えた乾燥装置。 - 前記乾燥制御部は、前記レーザ光の照射領域内に含まれる前記画像領域の端部の液滴を乾燥させる光量として設定された乾燥光量に対応する光量以上の光量になるように前記デューティを制御する
請求項8記載の乾燥装置。 - 前記乾燥制御部は、前記画像領域と前記レーザ光源とを相対的に移動させながら前記液滴を乾燥させるように制御する
請求項8又は請求項9に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥制御部は、前記画像領域に含まれる液滴を乾燥させる光量として複数の乾燥光量が設定された場合に、前記複数の乾燥光量に基づいて導出された共通の乾燥光量に対応する光量になるように、前記画像領域の前記複数の乾燥光量が設定された各液滴を照射するレーザ光の前記デューティを制御する
請求項8から請求項10の何れか1項に記載の乾燥装置。 - 画像情報に応じて液滴を記録媒体に吐出する吐出手段と、
前記記録媒体を搬送する搬送手段と、
請求項8から請求項11の何れか1項に記載の乾燥装置と、
前記吐出手段、前記搬送手段、及び前記乾燥装置を制御する制御手段と、
を備えた画像形成装置。 - コンピュータを、請求項1から請求項7の何れか1項に記載のレーザ駆動制御装置の各部として機能させるためのレーザ駆動制御プログラム。
- コンピュータを、請求項8から請求項11の何れか1項に記載の乾燥装置の各部として機能させるための乾燥プログラム。
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