JP7097169B2 - 光素子モジュール及び光素子モジュールの評価方法 - Google Patents

Description

本発明は、光素子モジュール及び光素子モジュールの評価方法に関するものである。

光通信などの用途において、光素子が筐体に収容された光素子モジュールが開示されている。この種の光素子モジュールでは、筐体の外部にリードピンが設けられており、光素子は、リードピンを通じて筐体外部に導通している。そして、光素子は、リードピンから駆動電流や制御のための電気信号を供給されることによって、所定の動作を行う(例えば、特許文献１参照)。また、光素子は、筐体内でサブマウントに搭載されている場合がある。光素子と光素子を搭載するサブマウントとを合わせて、チップオンサブマウント（Chip On Submount：ＣＯＳ)という場合がある。

特開２００３－１４２７６３号公報 国際公開第２０１０／１１０１５２号

光通信などに用いられる光素子は、絶えず高機能化が要求されているが、それと同時に、小型化への要求も強い。サブマウントには、光素子を駆動および制御するための配線電極が設けられるが、小型化のためには配線電極のレイアウトに制約が生じる場合がある。例えば、筐体が略直方体であった場合に、一側面のみにリードピンを配置したいという要求がある。

リードピンを筐体の一側面のみに配置するためには、サブマウントの表面において配線電極を光素子の片側に１列に配列することが望ましい。ところが、高機能化のために、光素子を駆動および制御するための配線電極の数は増える傾向にある。そのため、多数の配線電極を１列に並べると、配線電極が非常に密になり、作製が困難になる。また、そのような過密な配線電極では、光素子モジュールの作製工程中の検査におけるプロービングも難しくなる場合がある。ここで、プロ－ビングとは、光素子モジュールの特性評価等のために、プローブ針を配線電極に突き当て、光素子に駆動電流を流すことを意味する。しかしながら、配線電極の過密を解消するために配線電極の幅を単に大きくしたり、配線電極間の間隔を単に大きくしたりすると、ＣＯＳのサイズが大きくなり、小型化の要求を満たせなくなる。

一方、サブマウントを多層構造として、内部の層に配線(地中配線と呼ぶ)を設ける方法もある。このようなサブマウントであれば、サブマウントの表面において配線を光素子の両側に配列し、一方の側の配線は地中配線を介して他方側に引き回すことが可能になり、レイアウトの自由度が高い。従って、配線を片側に１列に配列することができる。しかしながら、多層構造のサブマウントは作製工程が複雑になるために高価であり、また地中配線は電極抵抗が高くなりやすいという難点がある。

また、配線電極が少数であっても、サブマウントの小型化や、形状の自由度や、サブマウントに搭載される部品の数や大きさや形状などによって、配線電極のレイアウトに制約が生じる場合がある。

このように、レイアウトが制約された条件でも所望の配線を実現するために好適であり、評価も容易であり、かつ簡易な構造の光素子モジュールが必要とされている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レイアウトが制約された条件でも所望の配線を実現するために好適であり、評価も容易であり、かつ簡易な構造の光素子モジュール及び光素子モジュールの評価方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る光素子モジュールは、第１素子電極が形成された光素子と、前記光素子を搭載し、互いに独立した第１配線電極及び第２配線電極が形成されたサブマウントと、前記第１素子電極と前記第１配線電極とを接続する第１ボンディングワイヤと、前記第１素子電極と前記第２配線電極とを接続する第２ボンディングワイヤと、前記光素子、前記サブマウント、前記第１ボンディングワイヤ及び前記第２ボンディングワイヤを収容する筐体と、を備え、前記第１配線電極及び前記第２配線電極のうち前記第１配線電極のみが前記筐体の外部と導通するように構成されていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記筐体の外側にはリードピンが設けられており、前記第１配線電極は前記リードピンと接続されていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記光素子は前記第１配線電極と前記第２配線電極との間に配置されていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記第１素子電極には幅が広い広幅部が少なくとも２箇所存在し、前記第１ボンディングワイヤの端部と前記第２ボンディングワイヤの端部とはそれぞれ異なる広幅部に接触していることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記光素子には前記第１素子電極を含む複数の素子電極が形成されており、前記サブマウントには前記第１配線電極及び前記第２配線電極を含む複数の配線電極が形成されていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記筐体の外側には複数のリードピンが設けられており、前記複数の配線電極のうち前記第２配線電極以外は前記複数のリードピンのいずれかと接続されていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記筐体は略直方体の形状であって、前記複数のリードピンは前記筐体の一側面側にのみ設けられていることを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールは、前記複数の配線電極のうち、前記第１配線電極以外の配線電極は、所定値以上の面積の領域を有することを特徴とする。

本発明の一態様に係る光素子モジュールの評価方法は、前記第１配線電極以外の配線電極における前記領域にプローブ針を突き当てて前記光素子に電流を流して前記光素子の特性を評価することを特徴とする。

本発明によれば、レイアウトが制約された条件でも所望の配線を実現するために好適であり、評価も容易であり、かつ簡易な構造の光素子モジュールを提供できるという効果を奏する。

図１は、実施形態に係る光素子モジュールの構成を示す模式図である。 図２は、サブマウント及び半導体レーザ素子の構成を示す模式図である。

以下に、図面を参照して実施形態について説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一又は対応する要素には適宜同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

（実施形態）
図１は、実施形態に係る光素子モジュールの構成を示す模式図である。図１に示すように、光素子モジュール１００は、筐体１０と、サブマウント２０と、光素子である半導体レーザ素子３０と、コリメータレンズ４０と、集光レンズ５０と、基板６０と、リードピン７０と、光ファイバ８０と、ボンディングワイヤ９１と、を少なくとも備えている。また、リードピン７０は制御器に電気的に接続している。

略直方体の形状である筐体１０は、サブマウント２０と、半導体レーザ素子３０と、コリメータレンズ４０と、集光レンズ５０と、基板６０と、ボンディングワイヤ９１と、を少なくとも収容し、光ファイバ８０が取り付けられている。

略直方体の形状であるサブマウント２０は、筐体１０内で不図示の温度調節素子に載置されている。サブマウント２０は、半導体レーザ素子３０を搭載している。温度調節素子は、例えばペルチェ素子である。温度調節素子は、制御器から駆動電流が供給されることによって半導体レーザ素子３０を冷却、場合によっては加熱してその温度を調節することができる。

サブマウント２０は、例えば熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋと高い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるが、ＡｌＮに限らず、ＣｕＷ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ダイヤモンドなどの熱伝導率が高い材料でもよい。

略直方体の形状である半導体レーザ素子３０は、例えば特許文献２に示すような集積型の半導体レーザ素子であり、波長可変レーザ素子として動作可能である。半導体レーザ素子３０は、アレイ状に配列され、互いに異なる波長のレーザ光を出力する１６個の半導体レーザと、光合流器と、半導体光増幅器と、曲げ導波路とを備えている。半導体レーザ素子３０を操作させる際は、例えば１６個の半導体レーザのうちのいずれか１個に、制御器から駆動電流を供給してレーザ光を出力させる。光合流器は、レーザ光を半導体光増幅器に入力させる。半導体光増幅器は、制御器から駆動電流を供給されて、レーザ光を光増幅して曲げ導波路に出力する。曲げ導波路は、光増幅されたレーザ光をレーザ光Ｌとして外部に出力する。曲げ導波路からレーザ光Ｌが出力されるために、レーザ光Ｌの光軸は半導体レーザ素子３０の長手方向に対して傾斜している。また、半導体レーザ素子３０はサブマウント２０に対して傾斜して搭載されている。

コリメータレンズ４０は、半導体レーザ素子３０から出力されたレーザ光Ｌを平行光に変換する。集光レンズ５０は、平行光に変換されたレーザ光Ｌを集光して光ファイバ８０に入力させる。光ファイバ８０はレーザ光Ｌを所定の装置等まで伝送する。

なお、コリメータレンズ４０と集光レンズ５０の間のレーザ光Ｌの光路又は光路の周辺には、公知の光アイソレータや、制御器による公知の波長ロック制御（レーザ光Ｌを所望の波長及び強度にするための制御）を行うためのビームスプリッタ、フォトダイオード、エタロンフィルタ等が適宜配置されていてもよい。

基板６０は、筐体１０の一側面側の内部に設けられた、例えばセラミック製の基板である。基板６０の表面には少なくとも１７本の配線電極６１が形成されている。また、リードピン７０は、少なくとも１７本有り、筐体１０の、基板６０が設けられた一側面側の外部に設けられている。各リードピン７０は基板６０の各配線電極６１にそれぞれ接続されている。また、ボンディングワイヤ９１は、少なくとも１７本有り、基板６０の配線電極６１にそれぞれ接続されている。その他、温度調節素子やフォトダイオードのための図示しない配線が基板６０に形成されており、図示しないリードピンに接続されている。

図２は、サブマウント２０及び半導体レーザ素子３０の構成を示す模式図である。なお、図中に示したｘｙｚ直交軸にて適宜方向を説明する。

半導体レーザ素子３０には、サブマウント２０と接触する裏面とは反対側の表面に、１６個の素子電極３１が形成されている。素子電極３１は、直線電極部３２と、直線電極部３２の一端に接続した電極パッド部３３とを備えている。

１６個の直線電極部３２は、半導体レーザ素子３０に含まれる１６個の半導体レーザに対応してアレイ状に配列されており、各半導体レーザに電流を注入するためのアノード電極である。なお、半導体レーザ素子３０の裏面には１６個の半導体レーザに共通の電極であって、各半導体レーザに電流を注入するためのカソード電極が設けられている。

電極パッド部３３は、素子電極３１にボンディングワイヤを接続する箇所として設けられている。

サブマウント２０の半導体レーザ素子３０を搭載する搭載面（ｘｚ平面と平行な面）には、配線電極２１が形成されている。配線電極２１は半導体レーザ素子３０のカソード電極に電気的に接続されるものである。また、サブマウント２０の搭載面には、１６個の配線電極２２ａ～２２ｐと、３個の配線電極２３ａ～２３ｃが形成されている。

サブマウント２０は、ｙｚ平面に平行な側面２４ａ、２４ｂと、ｘｙ平面に平行な側面２５ａ、２５ｂとを有している。半導体レーザ素子３０に対して、配線電極２２ａ～２２ｐはサブマウント２０の側面２４ａ側（＋ｘ側）に位置し、配線電極２３ａ～２３ｃはサブマウント２０の側面２４ｂ側（－ｘ側）に位置する。

また、配線電極２１は、半導体レーザ素子３０の形状に対応して形成されている部分と、サブマウント２０の側面２５ａ側（－ｚ側）においてｘ軸方向に沿って側面２４ａに向かって延びている部分とを有する。配線電極２２ａ～２２ｐは、半導体レーザ素子３０の近傍からｘ軸方向に沿って側面２４ａに向かって延びている。配線電極２２ａは、配線電極２１のｘ軸方向に沿って延びている部分と隣接している。

また、半導体レーザ素子３０は長手方向がサブマウント２０の側面２５ｂに対して角度θだけ傾斜している。θは例えば２０°程度である。これにより、配線電極２２ａ～２２ｐについては、ｘ軸方向において配線電極２２ａが最も長く、配線電極２２ｐが最も短くなっている。なお、図１からも解るように、半導体レーザ素子３０は側面２５ｂ側にある端面からレーザ光Ｌを出力する。

配線電極２２ａ～２２ｐと素子電極３１の電極パッド部３３のそれぞれとは１６本のボンディングワイヤ９２でワイヤボンディングされている。特に、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋと素子電極３１の電極パッド部３３のうち電極パッド部３３ａ、３３ｂ、３３ｃとは、それぞれボンディングワイヤ９２のうちのボンディングワイヤ９２ａ、９２ｂ、９２ｃでワイヤボンディングされている。また、配線電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃと素子電極３１の電極パッド部３３のうち電極パッド部３３ａ、３３ｂ、３３ｃとは、それぞれボンディングワイヤ９３ａ、９３ｂ、９３ｃでワイヤボンディングされている。

配線電極２１、配線電極２２ａ～２２ｐは、図１に示すように、ボンディングワイヤ９１及び基板６０の配線電極６１を介してリードピン７０と接続されることによって、筐体１０の外部と導通する。

ここで、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋは第１配線電極として機能し、配線電極２３ａ～２３ｃは第２配線電極として機能する。配線電極２２ｏと配線電極２３ａとは互いに離間した位置にあってそれ自体では電気的に接続しておらず、互いに独立している。また、配線電極２２ｍと配線電極２３ｂとは互いに独立しており、配線電極２２ｋと配線電極２３ｃとは互いに独立している。また、半導体レーザ素子３０は配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋと配線電極２３ａ～２３ｃとの間に配置されている。

また、素子電極３１のうち電極パッド部３３ａ、３３ｂ、３３ｃを備える素子電極は第１素子電極として機能する。そして、ボンディングワイヤ９２ａ、９２ｂ、９２ｃは第１ボンディングワイヤとして、素子電極３１のうち電極パッド部３３ａを備える第１素子電極と配線電極２２ｏ、電極パッド部３３ｂを備える第１素子電極と配線電極２２ｍ、電極パッド部３３ｃを備える第１素子電極と配線電極２２ｋをそれぞれ接続する。

また、ボンディングワイヤ９３ａ、９３ｂ、９３ｃは第２ボンディングワイヤとして、素子電極３１のうち電極パッド部３３ａを備える第１素子電極と配線電極２３ａ、電極パッド部３３ｂを備える第１素子電極と配線電極２３ｂ、電極パッド部３３ｃを備える第１素子電極と配線電極２３ｃをそれぞれ接続する。なお、電極パッド部３３ａには幅が広い広幅部が少なくとも２箇所存在し、ボンディングワイヤ９２ａの端部とボンディングワイヤ９３ａの端部とはそれぞれ異なる広幅部に接触している。同様に、電極パッド部３３ｂ、３３ｃにはそれぞれ幅が広い広幅部が少なくとも２箇所存在し、ボンディングワイヤ９２ｂ、９２ｃの端部とボンディングワイヤ９３ｂ、９３ｃの端部とはそれぞれ異なる広幅部に接触している。これにより、同じ広幅部に接触している場合よりも、ボンディングワイヤ９２ａとボンディングワイヤ９３ａとの長さの総和、ボンディングワイヤ９２ｂとボンディングワイヤ９３ｂとの長さの総和、ボンディングワイヤ９２ｃとボンディングワイヤ９３ｃとの長さの総和、がそれぞれ短くなる。

また、第１配線電極である配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋと第２配線電極である配線電極２３ａ～２３ｃとのうち、第１配線電極である配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋのみがリードピン７０と接続されることによって、筐体１０の外部と導通している。

ここで、図２に示すように、配線電極２２ｐには、ｘ軸方向で延びている途中に、ｚ軸方向における幅がＷｐでｘ軸方向における長さがＬｐの所定値以上の面積を有する領域２２ｐａが形成されている。配線電極２２ｎにも、ｘ軸方向で延びている途中に、ｚ軸方向における幅がＷｎでｘ軸方向における長さがＬｎの所定値以上の面積を有する領域２２ｎａが形成されている。同様に、配線電極２２ａ～２２ｊ、２２ｌにも、所定値以上の面積を有する領域２２ａａ～２２ｊａ、２２ｌａ、がそれぞれ形成されている。この領域２２ａａ～２２ｊａ、２２ｌａ、２２ｎａ、２２ｐａは、光素子モジュール１００の作製工程における中間検査(特性検査やスクリーニングのためのバーンインなど)で半導体レーザ素子３０に通電する際にプローブ針を突き当てるための領域であり、プローブ針を突き当てるために十分な面積を有している。領域２２ａａ～２２ｊａ、２２ｌａ、２２ｎａ、２２ｐａは、２００μｍ角以上、面積としては４００００μｍ^２以上であることが好ましい。

半導体レーザ素子３０のように１０を超えるような多数の配線電極（配線電極２１、２２ａ～２２ｐ）を有していると、配線電極に突き当てるプローブ針の配置設計は必ずしも容易ではない。検査工程を自動化し、プローブ針を自動突き当てするためには、プローブ針の突き当て位置のずれを許容するために十分な広さの突き当て用領域が必要であり、例えば２００μｍ角以上の領域を設けることが好ましい。また、プローブ針同士の間隔はある程度以上広いことが必要である。また、サブマウント２０上の配線電極は厚さが限られるので、長すぎると過剰な抵抗となる。このような条件を考慮して配線電極のパターンを設計すると、全ての配線電極について、配線電極の途中に幅が広く十分な面積の領域を用意することが困難である。

そこで本実施形態では、半導体レーザ素子３０の１６個の素子電極３１にワイヤボンディングするサブマウント２０の１６個の配線電極２２ａ～２２ｐのうち、配線電極２２ａ～２２ｊ、２２ｌ、２２ｎ、２２ｐの１３個には、プローブ針を突き当てるための領域２２ａａ～２２ｊａ、２２ｌａ、２２ｎａ、２２ｐａを設けた。一方、第１配線電極としての配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋにはこのような領域を設けない。従って、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋのｚ軸方向における幅の最大値は、配線電極２２ａ～２２ｊ、２２ｌ、２２ｎ、２２ｐのｚ軸方向における幅の最大値よりも小さい。その代わりに、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋについては、第２配線電極としての配線電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃを、配線電極２２ａ～２２ｐとは半導体レーザ素子３０を挟んで反対側に設けている。そして、電極パッド部３３ａ、３３ｂ、３３ｃが、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋとはボンディングワイヤ９２ａ～９２ｃによってそれぞれ接続し、配線電極２３ａ～２３ｃとはボンディングワイヤ９３ａ～９３ｃによってそれぞれ接続するようにしている。そして、配線電極２３ａ～２３ｃは自動突き当てに十分な面積としている。従って、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋのｚ軸方向における幅の最大値は、配線電極２３ａ～２３ｃのｚ軸方向における幅の最大値よりも小さい。このような配線電極２３ａ～２３ｃは、半導体レーザ素子３０がサブマウント２０に対して傾斜して配置されているために図中右上側に形成された空き領域に好適に設けられている。その結果、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋにはプローブ針の突き当てのための領域を設けなくもよいので、配線電極２２ａ～２２ｐを半導体レーザ素子３０の＋ｘ側に設けるようなレイアウトが制約された条件でも、所望の高密度な配線を実現することができる。

また、中間検査の際には、配線電極２２ｏ、２２ｍ、２２ｋ以外の配線電極２２ａ～２２ｊ、２２ｌ、２２ｎ、２２ｐにおける領域２２ａａ～２２ｊａ、２２ｌａ、２２ｎａ、２２ｐａ及び配線電極２３ａ～２３ｃにプローブ針を突き当てて半導体レーザ素子３０に電流を流して半導体レーザ素子３０の特性を評価することが容易にできる。従って、サブマウントの多層化などの複雑な構造を必要とせず、簡易な構造とできる。

以上説明したように、本実施形態によれば、レイアウトが制約された条件でも所望の配線を実現でき、評価も容易であり、かつ簡易な構造の光素子モジュール１００が実現される。

なお、上記実施形態において、光素子は半導体レーザ素子であるが、本発明は素子電極を有する他の種類の光素子にも適用できる。また、上記実施形態では、リードピンが筐体の一側面側に設けられているが、リードピンの配置はこれに限定されない。また、上記実施形態では、筐体は略直方体の形状であるが、他の形状でもよく、他の形状の場合にリードピンが筐体の一側面側に設けられていてもよい。さらに、上記実施形態では半導体レーザ素子に複数の第１素子電極を含む素子電極が複数設けられ、サブマウントに複数の第１配線電極及び第２配線電極を含む配線電極が複数設けられているが、素子電極は１個又は複数の第１素子電極のみが設けられていてもよいし、サブマウントに１個又は複数の第１配線電極及び第２配線電極のみが設けられていてもよい。

また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

１０ 筐体
２０ サブマウント
２１、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇ、２２ｈ、２２ｉ、２２ｊ、２２ｋ、２２ｌ、２２ｍ、２２ｎ、２２ｏ、２２ｐ、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、６１ 配線電極
２２ａａ、２２ｂａ、２２ｃａ、２２ｄａ、２２ｅａ、２２ｆａ、２２ｇａ、２２ｈａ、２２ｉａ、２２ｊａ、２２ｌａ、２２ｎａ、２２ｐａ 領域
２４ａ、２４ｂ、２５ａ、２５ｂ 側面
３０ 半導体レーザ素子
３１ 素子電極
３２ 直線電極部
３３、３３ａ、３３ｂ、３３ｃ 電極パッド部
４０ コリメータレンズ
５０ 集光レンズ
６０ 基板
７０ リードピン
８０ 光ファイバ
９１、９２、９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９３ａ、９３ｂ、９３ｃ ボンディングワイヤ
１００ 光素子モジュール
Ｌ レーザ光

Claims (8)

1. 第１素子電極が形成された光素子と、
   前記光素子を搭載し、互いに独立した第１配線電極及び第２配線電極が形成されたサブマウントと、
   前記第１素子電極と前記第１配線電極とを接続する第１ボンディングワイヤと、
   前記第１素子電極と前記第２配線電極とを接続する第２ボンディングワイヤと、
   前記光素子、前記サブマウント、前記第１ボンディングワイヤ及び前記第２ボンディングワイヤを収容する筐体と、を備え、
   前記第１配線電極及び前記第２配線電極が前記筐体の外部と導通するように構成され、
   前記サブマウントには前記第１配線電極及び前記第２配線電極を含む複数の配線電極が形成され、前記複数の配線電極のうちの前記第１配線電極以外の配線電極に、プローブ針を突き当てるための領域が設けられ、
   前記プローブ針を突き当てるための領域は、前記配線電極の幅よりも幅が大きくなるように構成され、前記プローブ針を突き当てるための面積が確保され、
   前記筐体の外側にはリードピンが設けられており、前記第１配線電極は前記リードピンと接続され、
   前記筐体が略直方体であって、前記筐体の一側面のみに前記リードピンが配置されている
   ことを特徴とする光素子モジュール。
2. 前記光素子は前記第１配線電極と前記第２配線電極との間に配置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の光素子モジュール。
3. 前記第１素子電極には幅が広い広幅部が少なくとも２箇所存在し、前記第１ボンディングワイヤの端部と前記第２ボンディングワイヤの端部とはそれぞれ異なる広幅部に接触している
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の光素子モジュール。
4. 前記光素子には前記第１素子電極を含む複数の素子電極が形成されている
   ことを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載の光素子モジュール。
5. 前記筐体の外側には複数のリードピンが設けられており、前記複数の配線電極のうち前記第２配線電極以外は前記複数のリードピンのいずれかと接続されている
   ことを特徴とする請求項４に記載の光素子モジュール。
6. 前記複数のリードピンは前記筐体の一側面側にのみ設けられている
   ことを特徴とする請求項５に記載の光素子モジュール。
7. 前記複数の配線電極のうち、前記第１配線電極以外の配線電極は、所定値以上の面積の領域を有する
   ことを特徴とする請求項４～６のいずれか一つに記載の光素子モジュール。
8. 請求項７に記載の光素子モジュールの評価方法であって、
   前記第１配線電極以外の配線電極における前記プローブ針を突き当てるための領域にプローブ針を突き当てて前記光素子に電流を流して前記光素子の特性を評価する
   ことを特徴とする光素子モジュールの評価方法。

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