JP7091993B2 - 半導体スイッチング素子駆動回路 - Google Patents
半導体スイッチング素子駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7091993B2 JP7091993B2 JP2018200875A JP2018200875A JP7091993B2 JP 7091993 B2 JP7091993 B2 JP 7091993B2 JP 2018200875 A JP2018200875 A JP 2018200875A JP 2018200875 A JP2018200875 A JP 2018200875A JP 7091993 B2 JP7091993 B2 JP 7091993B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- gate
- semiconductor switching
- drive circuit
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
以下、本発明の第1実施形態について、図1および図2を参照して説明する。
この実施形態では、並列接続された複数個の半導体スイッチング素子として、並列接続した2個のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)1、2を駆動する半導体スイッチング素子駆動回路3について説明する。
この実施形態では、上記構成で説明したように、2個のIGBT1および2を同時に駆動するため、ゲート駆動回路5で共振状態が発生しないように、共振防止用のダイオード53および54をそれぞれに設ける構成としている。各ダイオード53および54は、順方向電圧Vf分だけ電圧降下が発生するので、IGBT1および2のゲート電圧Vg1、Vg2は、端子MP1およびMP2の電圧よりも順方向電圧Vfの分だけ低い電圧となる。電圧調整回路4においては、IGBT1および2のゲート電圧Vg1およびVg2として、後述するようにしてダイオード53および54により低下する順方向電圧Vfを補正するように出力電圧を調整する。
図3および図4は第2実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、半導体スイッチング素子駆動回路3aは、ゲート駆動回路5に代えてゲート駆動回路5aを設ける構成としている。
したがって、このような第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
図5および図6は第3実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、半導体スイッチング素子駆動回路3bは、電圧調整回路4およびゲート駆動回路5に代えて、電圧調整回路4bおよびゲート駆動回路5bを備える構成としている。また、ゲート駆動回路5bは、電圧調整回路4bと組み合わせた構成とされている。半導体スイッチング素子駆動回路3bは、直流電源の電源端子VCCから端子PMPに給電され、内部電源回路により所定電圧を内部に供給する。
この実施形態においても、前述同様に2個のIGBT1および2を同時に駆動するため、ゲート駆動回路5bで共振状態が発生しないように、共振防止用のダイオード53および54をそれぞれに設ける構成としている。各ダイオード53および54は、順方向電圧Vf分だけ電圧降下があるので、IGBT1および2のゲート電圧Vg1、Vg2は、端子MP1およびMP2の電圧よりも順方向電圧Vfの分だけ低い電圧となる。電圧調整回路4bにおいては、IGBT1および2のゲート電圧Vg1およびVg2として、ダイオード53および54により低下する順方向電圧Vfを補正するようにゲート駆動回路5bの各MOSトランジスタ51、52にゲート電圧を与える。
図7および図8は第4実施形態を示すもので、以下、第3実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、半導体スイッチング素子駆動回路3cのゲート駆動回路5cとして、定電流駆動機能も付加した構成としている。電圧調整回路4cもこれに対応した構成を採用している。
上記構成の作用について図8も参照して説明する。
図9および図10は第5実施形態を示すもので、以下、第1実施形態と異なる部分について説明する。
この実施形態では、図9に示すように、半導体スイッチング素子駆動回路3dの電圧調整回路4dにおいて、ダイオード45に代えて、抵抗45aを設ける構成としている。抵抗45aは、図10(a)に示すように、ダイオード45の順方向電圧Vfに相当する電圧VRを分担するように抵抗値が設定されている。
なお、本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能であり、例えば、以下のように変形または拡張することができる。
また、半導体スイッチング素子はIGBTに限らず、MOSトランジスタを用いる構成の場合にも適用することができる。
Claims (9)
- 並列接続された複数の半導体スイッチング素子(1、2)を駆動するゲート駆動回路(5、5a、5b、5c、5d)と、
電源電圧から前記複数の半導体スイッチング素子に対するゲート電圧を設定する電圧調整回路(4、4a、4b、4c、4d)とを備え、
前記電圧調整回路は、前記半導体スイッチング素子に対して設定するゲート電圧が、前記複数の半導体スイッチング素子の各ゲートと前記ゲート駆動回路との間のそれぞれに直接的もしくは間接的に接続された整流素子(53、54)による低下分を補正するように構成された半導体スイッチング素子駆動回路。 - 前記電圧調整回路(4、4a、4b、4c)は、前記電源電圧から生成する出力電圧の帰還経路にゲート電圧補正用の整流素子(45、49)を設けた請求項1記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
- 前記電圧調整回路は、シリーズレギュレータである請求項1または2に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
- 前記電圧調整回路は、前記電源電圧から生成する出力電圧を帰還経路に戻して調整するように構成された請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路(5c)は、定電流で前記半導体スイッチング素子のゲートを充電する駆動制御が可能な駆動電流調整部(57、58)を有する請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、並列接続された複数の半導体スイッチング素子に対して1または複数個の駆動素子(51、52)を備える請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路、前記電圧調整回路および前記整流素子の一部またはすべてが半導体集積回路で構成された請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
- 前記半導体スイッチング素子の駆動信号は外部から与えられ、
前記ゲート駆動回路、前記電圧調整回路は、半導体集積回路で構成された請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。 - 前記ゲート駆動回路および前記電圧調整回路のゲート電圧を補正するための素子を除いた構成は、半導体集積回路で構成された請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体スイッチング素子駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018200875A JP7091993B2 (ja) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 半導体スイッチング素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018200875A JP7091993B2 (ja) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 半導体スイッチング素子駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020068479A JP2020068479A (ja) | 2020-04-30 |
JP7091993B2 true JP7091993B2 (ja) | 2022-06-28 |
Family
ID=70388724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018200875A Active JP7091993B2 (ja) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | 半導体スイッチング素子駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7091993B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7381725B2 (ja) | 2020-04-06 | 2023-11-15 | 旭化成株式会社 | 水添共役ジエン系重合体、水添共役ジエン系重合体組成物、及びゴム組成物並びに水添共役ジエン系重合体の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012249509A (ja) | 2011-05-02 | 2012-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2014150696A (ja) | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2016174454A (ja) | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動装置 |
-
2018
- 2018-10-25 JP JP2018200875A patent/JP7091993B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012249509A (ja) | 2011-05-02 | 2012-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2014150696A (ja) | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2016174454A (ja) | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020068479A (ja) | 2020-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9831852B2 (en) | Methods and apparatus for a configurable high-side NMOS gate control with improved gate to source voltage regulation | |
US9608622B2 (en) | Drive device for insulated-gate semiconductor element, and power converter | |
JP4008459B2 (ja) | 制御信号供給回路及び信号出力回路 | |
CN109119418B (zh) | 半导体集成装置及其栅极筛查试验方法 | |
KR20070015791A (ko) | 내부 전원전압 발생 회로 | |
JP5434891B2 (ja) | 負荷駆動装置の製造方法 | |
JP7091993B2 (ja) | 半導体スイッチング素子駆動回路 | |
JP6119674B2 (ja) | 駆動回路及び半導体装置 | |
JP6514946B2 (ja) | 電流ドライバ回路 | |
JP6478826B2 (ja) | ハイサイドドライバ回路及び半導体装置 | |
US6850100B2 (en) | Output buffer circuit | |
US20160294193A1 (en) | Voltage generator | |
JP6160545B2 (ja) | 過電流保護回路 | |
JP3269676B2 (ja) | 回路装置 | |
US8013582B2 (en) | Voltage control circuit | |
JP6601372B2 (ja) | ゲート駆動装置 | |
US9915964B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
JP7203478B2 (ja) | 電流センス回路 | |
KR102544166B1 (ko) | 펄스 폭 보상 회로 및 이를 이용하는 반도체 장치 | |
US12028078B2 (en) | Load dependent discharge for voltage controlled oscillator-based charge pump regulator | |
US20240072783A1 (en) | Load Dependent Discharge For Voltage Controlled Oscillator-Based Charge Pump Regulator | |
JP7240075B2 (ja) | 定電圧回路 | |
JP2647208B2 (ja) | A級プッシュプル出力回路 | |
JP3045023B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH01192573A (ja) | 駆動回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220530 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7091993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |