JP7087196B2 - 拡大した開口面積を有するソーラーモジュール - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 24
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 claims description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 139
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 46
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N diselenium Chemical compound [Se]=[Se] XIMIGUBYDJDCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
- 基板の孔(貫通孔)
- 基板の第二の側の接続箱、
- 導体トラック上のタッピング点と、接続箱の接続点との間の電気的接続部。
例えば、縁部シール16の幅は、現在の12.5mmから6mmに狭くすることができる。これは、開口面積を2×6.5mm×1560mm(=202cm2)増加させる。内側領域13のくぼみ33、33’は、この増加分を再び減少させる。孔の直径が4mmで、平坦な接触要素24、24’の幅が4mm+2×3mm=10mm(機械的/電気的接触のために+3mm)である場合、くぼみ33、33’において電池面積は、約2×10mm×10mm=2cm2減少すると仮定することができる。したがって、約200cm2の正味の増加分が残る。9600cm2の開口面積では、これは、150Wのモジュールに対して、モジュール出力が2%又は3ワット増加することに相当する。この場合、材料コストは、わずかに増加するだけであるが、層構造3をパターニングするための追加の工程、及び任意に、平坦な接触ト要素24、24’を適用するための追加の工程が必要である。
2 キャリア基板
3 層構造
4 背面電極層
5 吸収体層
6 バッファー層
7 前面電極層
8 接着剤層
9 カバー
10 裏面
11 前面
12 太陽電池
12-1、12-2 サブ太陽電池(サブセル)
13 内側領域
14 縁領域
15、15’ 導体トラック
16 縁シール
17、17’ 孔
18、18’ 接続箱
19 ダイオードケーブル
20、20’ 接続ケーブル
21、21’ 電気的接続部
22 縁の除去ゾーン
23、23’ 接触スタンプ
24、24’ 平坦な接触要素
25、25’ タッピング点
26、26’ 接続点
27、27’ 分離線
28、28’ 第一の層部分
29、29’ 第二の層部分
30、30’ 除去ゾーン
31 モジュールの縁
32、32’ 領域境界
33、33’ くぼみ
34、34’ 接触部分
35 接続要素
36、36’ 端部
37、37’ 中間部
Claims (14)
- 平坦な基板(2)と、2つの導体トラック(15、15’)の間で直列に接続し、かつ前記基板(2)の第一の側に配置した複数の太陽電池(12)とを備えるソーラーモジュール(1)であって、
前記太陽電池(12)が、光学的に不活性な縁領域(14)に囲まれた光学的に活性な内側領域(13)を形成し;
以下が2つの前記導体トラック(15、15’)のそれぞれに関連し:
- 前記基板(2)の孔(17、17’)、
- 前記基板(2)の第二の側にある接続箱(18、18’)、
- 前記導体トラック(15、15’)上の接続点(25、25’)と、前記接続箱(18、18’)のタッピング点(26、26’)との間の電気的接続部(21、21’);
前記孔(17、17’)が少なくとも部分的に前記内側領域(13)に位置しており、それによって、前記導体トラック(15、15’)上の前記接続点(25、25’)が、前記孔(17、17’)に一致する延在部分の外側にあり、かつ少なくとも一つの太陽電池(12)が、二つのサブ太陽電池(12-1、12-2)に分割されているか、又は短くなった長さを有し、
前記ソーラーモジュール(1)が、基板(2)上に堆積した層構造(3)を有し、この層構造が、背面電極層(4)、前面電極層(7)、及び前記背面電極層と前記前面電極層との間に配置した吸収体層(5)を含み、前記孔(17、17’)が、前記層構造(3)のゾーン(30、30’)に配置されており、このゾーンにおいて、すべての層が除去されているか、又は少なくとも前記背面電極層(4)までずっと層が堆積されていない、ソーラーモジュール(1)。 - 前記ゾーン(30、30’)は、前記内側領域(13)のくぼみ(33、33’)を含む、請求項1に記載のソーラーモジュール(1)。
- 前記基板(2)の前記第一の側の前記電気的接続部(21、21’)が、前記導体トラック(15、15’)に電気的に接続した平坦な接触要素(24、24’)を有し、この接触要素が、前記孔(17、17’)を少なくとも部分的に覆っている、請求項1または2に記載のソーラーモジュール(1)。
- 平坦な前記接触要素(24、24’)が、前記孔(17、17’)を貫通している前記接続箱(18、18’)の接触スタンプ(23、23’)に電気的に接触している、請求項3に記載のソーラーモジュール(1)。
- 前記平坦な接触要素(24、24’)が、前記導体トラック(15、15’)に電気的に接続した前記背面電極層(4)の層部分(28、28’)に接触しており、前記層部分(28、28’)が、少なくとも前記内側領域(13)において前記太陽電池(12)から電気的に絶縁されている、請求項3又は4に記載のソーラーモジュール(1)。
- 少なくとも前記内側領域(13)において、前記背面電極層(4)の前記層部分(28,28’)が、前記背面電極層(4)を切断している分離線(27,27’)によって、前記背面電極層(4)の残りの層部分(29,29’)から電気的に絶縁されている、請求項5に記載のソーラーモジュール(1)。
- 平坦な前記接触要素(24、24’)が、前記導体トラック(15、15’)から物理的に離れている、請求項5又は6に記載のソーラーモジュール(1)。
- 平坦な前記接触要素(24、24’)が、前記導体トラック(15、15’)と物理的に接触している、請求項3又は4に記載のソーラーモジュール(1)。
- 前記基板(2)は、長手方向の寸法が(L)で短手方向の寸法が(B)の矩形状を有し、
前記導体トラック(15、15’)が、前記基板(2)の前記長手方向に沿って延在し、前記電気的接続部(21、21’)が、前記基板(2)の前記長手方向に対して斜めに若しくは直角に延在する前記導体トラック(15、15’)端部(36、36’)、又は前記導体トラック(15、15’)の中間部(37、37’)を含み、この端部又は中間部は、前記基板(2)の前記第二の側の前記孔(17、17’)を通して経路を定められている、請求項1又は2に記載のソーラーモジュール(1)。 - 前記導体トラック(15、15’)の前記端部(36、36’)又は前記中間部(37、37’)が、前記導体トラック(15、15’)に電気的に接続した前記背面電極層(4)の層部分(28、28’)に直接接触し、ここで、少なくとも前記内側領域(13)において、前記層部分(28、28’)が、前記太陽電池(12)から電気的に絶縁されている、請求項9に記載のソーラーモジュール(1)。
- 前記層構造(3)のすべての層が、前記導体トラック(15、15’)の端部(36、36’)又は中間部(37、37’)の領域において除去されているか、又は堆積されていない、請求項9に記載のソーラーモジュール(1)。
- 前記接続点(25、25’)が、前記導体トラック(15、15’)の端部から、前記導体トラック(15、15’)の長さの20%~50%に相当する距離離れている、請求項1~11のいずれか一項に記載のソーラーモジュール(1)。
- 前記基板(2)における前記孔(17、17’)が、関連する前記導体トラック(15、15’)から、2つの前記導体トラック(15、15’)間の距離の1%~10%に相当する距離離れている、請求項1~12のいずれか一項に記載のソーラーモジュール(1)。
- すべての太陽電池(12)が、同じ大きさの光学活性領域を有する、請求項1~13のいずれか一項に記載のソーラーモジュール(1)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18174444.2A EP3573110A1 (de) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | Solarmodul mit vergrösserter aperturfläche |
EP18174444.2 | 2018-05-25 | ||
PCT/CN2019/087360 WO2019223609A1 (en) | 2018-05-25 | 2019-05-17 | Solar modul with an enlarged aperture area |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021526740A JP2021526740A (ja) | 2021-10-07 |
JP7087196B2 true JP7087196B2 (ja) | 2022-06-20 |
Family
ID=62386177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021515263A Active JP7087196B2 (ja) | 2018-05-25 | 2019-05-17 | 拡大した開口面積を有するソーラーモジュール |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11646386B2 (ja) |
EP (2) | EP3573110A1 (ja) |
JP (1) | JP7087196B2 (ja) |
KR (1) | KR102532346B1 (ja) |
CN (1) | CN112424954B (ja) |
ES (1) | ES2947450T3 (ja) |
WO (1) | WO2019223609A1 (ja) |
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- 2018-05-25 EP EP18174444.2A patent/EP3573110A1/de not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-05-17 ES ES19806584T patent/ES2947450T3/es active Active
- 2019-05-17 KR KR1020207036898A patent/KR102532346B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-17 CN CN201980049380.9A patent/CN112424954B/zh active Active
- 2019-05-17 JP JP2021515263A patent/JP7087196B2/ja active Active
- 2019-05-17 WO PCT/CN2019/087360 patent/WO2019223609A1/en unknown
- 2019-05-17 EP EP19806584.9A patent/EP3803985B1/en active Active
- 2019-05-17 US US17/058,510 patent/US11646386B2/en active Active
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CN112424954A (zh) | 2021-02-26 |
EP3803985A1 (en) | 2021-04-14 |
US20210202773A1 (en) | 2021-07-01 |
KR102532346B1 (ko) | 2023-05-16 |
EP3803985A4 (en) | 2022-04-20 |
KR20210013612A (ko) | 2021-02-04 |
JP2021526740A (ja) | 2021-10-07 |
ES2947450T3 (es) | 2023-08-09 |
CN112424954B (zh) | 2024-01-19 |
US11646386B2 (en) | 2023-05-09 |
EP3803985B1 (en) | 2023-05-31 |
EP3573110A1 (de) | 2019-11-27 |
WO2019223609A1 (en) | 2019-11-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
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