JP7084932B2 - 磁石構造体、磁石ユニット及びこれを含むマグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
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Description
本発明のマグネトロンスパッタリング装置の磁石構造体は、永久磁石と、前記永久磁石を取り巻くように設けられたワイヤーを含む。
以下では上述した磁石構造体をヨーク上に複数含むように形成される磁石ユニットについて説明する。以下の磁石ユニットは一種の磁石単位体であって、形成された磁石ユニットがバラとしてマグネトロンスパッタリング装置の磁石部で用いることができるが、複数設けられ、様々に配置された形態にマグネトロンスパッタリング装置の磁石部を形成してもよい。
本発明で説明するマグネトロンスパッタリング装置は磁石部を1つ以上含み、磁石部には上述した磁石ユニットが1つ以上設けられる。以下、マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング装置を構成する各部分について説明する。
バッキングプレート650は、磁石ユニット630と基板載置部620との間に設けられる。また、バッキングプレートの一面にはターゲット640が固定される。すなわち、ターゲットは基板610と対面するバッキングプレートの一面に固定される。一方、バッキングプレートを設けることなく、磁石ユニットの上側にターゲットを設けることも可能である。
ターゲット640は、バッキングプレート650に固定され、基板610に蒸着される物質から構成される。このようなターゲット640は、金属物質又は金属物質を含む合金であり得る。また、ターゲット640は、金属酸化物、金属窒化物、又は誘電体であり得る。
基板載置部620は、蒸着物質が基板610に均一に蒸着されるように基板を固定する。基板載置部は基板が載置されれば、固定手段などを用いて基板の縁部を固定したり、基板の裏面で基板を固定してもよい。基板載置部は、基板の裏面を全て支持して固定するために、基板の形状を有する略四角形又は円状に設けられることができる。また、基板載置部は、基板の縁部を固定するために、所定長さを有する4つのバーが上下左右に所定間隔離隔して設けられ、バーの縁部が互いに接触することによって中央部が空いている四角の枠組み形状に設けられる。一方、基板載置部は、基板が載置した状態で一方向に移動してもよい。例えば、一方向に進みながら基板上に薄膜を蒸着し得る。したがって、基板載置部の基板が載置されていない面には、基板載置部を移動させる移動手段(図示せず)が設けられ得る。移動手段は、基板載置部と接触して移動させるローラ、基板載置部と離隔して磁気力に移動させる磁気移送手段などを含んでもよい。もちろん、基板載置部の一部が移動手段として機能してもよい。
図10は、図1(a)に示すようなT状の永久磁石を含む磁石構造体が複数形成された磁石ユニットの断面をy軸方向から見た構造に該当する。
Claims (12)
- 永久磁石と、
前記永久磁石を巻くように設けられたワイヤーと、
を含み、
前記永久磁石は、垂直方向に延長形成されて前記ワイヤーが取り巻かれる第1部分と、前記第1部分の上端部及び下端部のうち1つ以上から水平方向に延長形成され、前記ワイヤーが取り巻かれない第2部分と、を含み、
前記第2部分の水平方向の長さは、前記第1部分の断面の水平方向の長さ及び前記ワイヤー断面の総厚さの合計よりも大きい、マグネトロンスパッタリング装置の磁石構造体。 - 前記ワイヤーに加えられる電圧及び電流のうちの1つ以上を調整して磁石構造体の磁場の強度制御できる、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング装置の磁石構造体。
- 前記第2部分は垂直方向に延長形成される1つ以上のブランチ部を含む、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング装置の磁石構造体。
- 前記永久磁石は、T型構造体、I型構造体、E型構造体、及びF型構造体からなる群より選択されるいずれか1つである、請求項1に記載のマグネトロンスパッタリング装置の磁石構造体。
- ヨークと、
前記ヨーク上に設けられた複数の請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の磁石構造体と、
を含み、
前記複数の磁石構造体は、互いに直列構造、並列構造、又は両方を含む構造に接続配置される、マグネトロンスパッタリング装置の磁石ユニット。 - 前記磁石構造体それぞれのワイヤーに加えられる電圧及び電流のうちの1つ以上を調整し、前記磁石ユニットの少なくとも一領域が他領域と異なる磁場強度を有するように制御できる、請求項5に記載のマグネトロンスパッタリング装置の磁石ユニット。
- 前記複数の磁石構造体は、
N極又はS極のうち選択された1つの磁極を有する第1磁石群と、
N極又はS極のうち前記第1磁石群と異なる磁極を有する第2磁石群と、
を含む、請求項5に記載のマグネトロンスパッタリング装置の磁石ユニット。 - 前記第2磁石群は、前記第1磁石群の外側に配置される、請求項7に記載のマグネトロンスパッタリング装置の磁石ユニット。
- 基板が載置される基板載置部と、
前記基板載置部と対向して所定間隔離隔して設けられる1つ以上の磁石部と、
前記基板載置部と磁石部との間に設けられる1つ以上のターゲット部と、
を含み、
前記磁石部は、請求項5ないし請求項8のいずれか一項に記載の磁石ユニットを1つ以上含む、マグネトロンスパッタリング装置。 - 前記磁石ユニットの永久磁石の上面と前記ターゲット部の上面との間の距離は30mm~90mmである、請求項9に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記磁石部は、前記磁石構造体の少なくとも一側に設けられた冷却手段をさらに含む、請求項9に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記磁石部は、前記ヨーク、前記磁石構造体、及び前記冷却手段を単位モジュール化するモールディング部をさらに含む、請求項11に記載のマグネトロンスパッタリング装置。
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