JP3847866B2

JP3847866B2 - スパッタリング装置

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Publication number: JP3847866B2
Application number: JP32617196A
Authority: JP
Inventors: 久三中村; 智池田; 寿弘鈴木; 靖樋口; 孝小松; 賢三長野; 久和田; 水沢　　寧; 信博茂木; 智保近藤
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1996-11-21
Filing date: 1996-11-21
Publication date: 2006-11-22
Anticipated expiration: 2016-11-21
Also published as: JPH10152774A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスパッタリング技術にかかり、特に、スパッタリング粒子の飛行方向を制御できるスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の技術分野では、ＤＲＡＭの記憶容量が６４Ｍから２５６Ｍビットに増加する等、半導体内に形成される電気素子は増々高密度化しており、それに伴って、半導体基板表面上の薄膜に設けられた微細なホールも高アスペクト比化している。
【０００３】
半導体基板表面に薄膜を形成するためには、従来より、図１１の符号１００で示したスパッタリング装置が用いられており、チタン薄膜やアルミ合金薄膜等の薄膜によって、微細なホール内を導電性材料で埋め込むことが行われている。
【０００４】
このスパッタリング装置１００は、真空排気可能に構成された真空槽１１７を有しており、その真空槽１１７内の底壁側にはバッキングプレート１１６が配置され、バッキングプレート１１６上には、薄膜材料から成るターゲット１０６が固定されている。
【０００５】
真空槽１１７の天井付近には、成膜対象である基板１０５を、ターゲット１０６と平行に対向配置できるように構成されており、他方、真空槽１１７外には、直流電源１２１と高周波電源１２２が配置され、バッキングプレート１１６は、ローパスフィルター１２５とマッチングボックス１２５とを介して直流電源１２１と高周波電源１２２とにそれぞれ接続されており、接地電位に置かれた真空槽１１７とバッキングプレート１１６上のターゲット１０６との間に電圧を印加できるように構成されている。
【０００６】
バッキングプレート１１６の裏面には、ヨーク１０９に固定されたマグネトロン磁石１０７が配置されている。マグネトロン磁石１０７は、図１２(ｂ)に示すような、１０×２０×２０ｍｍの大きさの単位磁石１０８を複数配置して構成されており、バッキングプレート１１６上でリング状に設けられた第１の磁石部１０７₁では、単位磁石１０８が４２個用いられており、その第１の磁石部１０７₁の内側に、リング状に設けられた第２の磁石部１０７₂では、単位磁石１０８は２４個用いられている(図１２(ａ))。
【０００７】
第１の磁石部１０７₁を構成する単位磁石１０８は、同一極性の磁極(Ｎ極)がバッキングプレート１０９に向けられており、第２の磁石部１０７₂を構成する単位磁石１０８は、第１の磁石部１０７₁とは異なる極性の磁極(Ｓ極)がバッキングプレート１０９に向けられており、第１の磁極部１０７₁のＮ極から出た磁力線はターゲット１０６表面に磁力線１１２のトンネルを形成した後、第２の磁極部１０７₂のＳ極に入るように構成されている。
【０００８】
このようなスパッタリング装置１００の真空槽１１７内に基板１０５を搬入し、内部を真空雰囲気した後、ガス導入バルブ１１０を開けてスパッタリングガスを導入し、直流電源１２１と高周波電源１２２とを起動すると、ターゲット１０６表面のトンネル状の磁力線１１２に電子ｅ^-が絡まり、ターゲット１０６表面に高密度のスパッタリングガスプラズマが閉じ込められ、ターゲット１０６のスパッタリングが行われる。
【０００９】
前述したマグネトロン磁石１０７では、トンネル状の磁力線１１２の強度を強めるため、第１の磁石部１０７₁の磁気強度と第２の磁石部１０７₂の磁気強度の比は近接していることが望ましいとされており、上述の第１の磁石部１０７₁と第２の磁石部１０７₂とでは、その磁気強度の比は、単位磁石１０８の個数比の４２：２４(１．７５：１)と、１：１に近接した値にされている。
【００１０】
しかしながら従来技術のスパッタリング装置１００では、ターゲット１０６表面から飛び出したスパッタリング粒子の飛行方向は、矢印で示すように広範囲に散らばっており、基板１０５表面には、種々の方向から飛来したスパッタリング粒子が入射してしまう。
【００１１】
ところが、基板１０５全面に高アスペクト比のホールが形成されている場合には、基板中央付近に位置するホール１３１では、図１３に示すように、様々な方向からのスパッタリング粒子が均等に入射するが、基板の周辺に位置するホール１３２では、ターゲット１０６の存在しない方向からはスパッタリング粒子は入射せず、入射方向が偏ってしまう。
【００１２】
そのため、中央位置のホール１３１底面に形成される薄膜の膜厚は均一であっても、周辺位置のホール１３２の底面に形成される薄膜１３５の膜厚は、外周方向が厚く、内周方向が薄くなってしまい、接続不良を招くため、問題視されるに到っている。
【００１３】
他方、いずれの位置のホール１３１、１３２についても、入射角が大きく、垂直方向から入射するスパッタリング粒子ばかりでなく、入射角が小さいスパッタリング粒子も飛来してくるため、各ホール１３１、１３２の開口部分に入射角が小さいスパッタリング粒子が付着し、オーバーハングが形成され易く、ホール１３１、１３２内を薄膜によって充填できない場合も生じるという問題があった。
【００１４】
今後、基板は増々大口径化し、ホールは増々高アスペクト比化すると考えられるので、ホール底面の膜厚の偏りや、開口部のオーバーハングは深刻な問題となっている。
【００１５】
このような、入射角が小さいスパッタリング粒子については、従来技術でもコリメーターと呼ばれるメッシュフィルターを用いたり、基板にバイアスを印加し、なるべく垂直なスパッタリング粒子だけが基板に入射するような対策が試みられている。
【００１６】
コリメーター法は、ターゲットと基板の間にコリメーターを配置し、ターゲットから斜め方向に飛び出したスパッタリング粒子をコリメーター内メッシュに付着させ、ターゲットから垂直方向に飛び出したスパッタリング粒子だけをメッシュ内を通過させて基板に入射させるようにする技術であるが、コリメーターに付着したスパッタリング粒子が剥離するとダストになり、不良品が増加するという欠点がある。
【００１７】
他方、基板バイアス法は、基板に直流又は交流バイアスを印加し、イオン化したスパッタリング粒子を電界で基板方向に加速させて、基板に入射する角度を大きくさせるものであるが、基板が受けるダメージが大きいため、実際の製品に適用することは疑問視されている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたもので、その目的は、オーバーハングが生じず、高アスペクト比のホール底面に偏りのない薄膜を形成できる技術を提供することにある。
また、基板面内の膜厚分布を制御できる技術を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空槽と、該真空槽内に配置されたターゲットと、該ターゲットの裏面に配置されたマグネトロン磁石とを有し、前記ターゲットに対して基板を対向配置して前記ターゲットをスパッタリングすると前記基板表面に薄膜を形成できるように構成されたスパッタリング装置であって、前記マグネトロン磁石は、リング状にされた第１の磁石部と、前記第１の磁石部の中央付近に配置された第２の磁石部とを有し、前記第１の磁石部と前記第２の磁石部とは、互いに異なる極性の磁極が前記ターゲットに向けられ、前記基板の裏面には、リング状にされ、前記第１の磁石部の前記ターゲットに向けられた磁極とは異なる極性の磁極が前記基板側に向けられた第３の磁石部が配置され、前記第３の磁石部の内側には磁石は配置されず、前記ターゲットと前記基板とを貫通し、前記ターゲットと前記基板とを結ぶ磁力線の密度は、基板の中央よりも周辺が密にされたスパッタリング装置である。
【００２０】
請求項２記載の発明は、前記第１の磁石部の磁力の方が、前記第２の磁石部の磁力よりも２倍以上強くなるようにされた請求項１記載のスパッタリング装置である。
請求項３記載の発明は、前記ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子が前記基板に到達する経路の周囲にコイルが巻き回わされ、該コイルに直流電流を流せるように構成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタリング装置である。
請求項４記載の発明は、前記ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子をイオン化するイオン化手段が設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のスパッタリング装置である。
請求項５記載の発明は、前記ターゲットと前記基板との距離は１００ｍｍ以上にされたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のスパッタリング装置である。
【００２１】
第１の磁石部が形成する磁力線が基板まで到達すると、ターゲット表面近傍で生成された電子がその磁力線に巻き付きながら基板方向に移動し、電子流を形成するので、スパッタリング粒子のうち、正電荷を有するものが、電子流に引きつけられて基板方向に加速されるので、基板への入射角度が大きくなる。従って、基板に設けられた微細なホールの開口部にはオーバーハングが形成されにくくなり、ホール底面に形成される薄膜の膜厚は均一になる。
【００２２】
本発明のスパッタリング装置では、第１の磁石部と第３の磁石部とが磁力線で結ばれ、基板の周辺の磁力線密度が高くなり、電子流の流れも強くなるので、基板周辺部には、より垂直に近い角度でスパッタリング粒子が入射するようになる。
【００２３】
なお、第１の磁石部と第２の磁石部との磁力の強度比は、２倍以上であれば効果があるが、３倍以上にすることが望ましい。
【００２４】
また、ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子が基板に到達する経路の周囲にコイルを巻き回し、そのコイルに直流電流を流せるように構成しておくと、第１の磁石部が形成する方向の磁力線強度をコイルに通電することで強めることができるので、ターゲットと基板とを貫通する磁力線密度が高くなり、より多くのスパッタリング粒子の基板への入射角度を大きくすることができる。この場合、磁力線強度はコイルへの通電量を制御することで、変えることができるので、ターゲット材料の種類や微細ホールのアスペクト比の大きさに従い、基板へ入射するスパッタリング粒子の入射角度を変え、最適な条件で薄膜を形成することが可能となる。
【００２５】
本発明では、入射角を大きくできるスパッタリング粒子は電荷を有するものに限るので、ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子をイオン化するイオン化手段を設けておくと、一層効果的である。
【００２６】
なお、スパッタリング粒子の基板への入射角を大きくするためには、基板とターゲットが近接していない方が効果的である。具体的には、ターゲットと基板との距離を１００ｍｍ以上にしておくことが望ましい。但し、余り遠すぎると、薄膜形成速度が低下するので、実用上は、３００ｍｍ程度の距離が限界と考えられる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１の符号１は、本発明の動作原理を説明するためのスパッタリング装置であり、図示しない真空ポンプによって真空排気可能に構成された真空槽１７を有している。
【００２８】
真空槽１７はグラウンド電位に置かれており、その内部の底壁上には、真空槽１７とは電気的に絶縁した状態でバッキングプレート１６が配置されている。バッキングプレート１６の表面には、金属チタン(Ｔｉ)から成るターゲット６が固定されており、裏面にはヨーク９に固定されたマグネトロン磁石７が配置されている。
【００２９】
真空槽１７の天井側には、ターゲット６に対向して平行に基板５(シリコンウェハー)が保持されており、真空槽１７内を真空状態にした後、ガス導入バルブ１０を開けてスパッタリングガスを導入し、真空槽１７外に配置された直流電源２１と高周波電源２２とを起動すると、ローパスフィルター２４とマッチングボックス２５とを介して、バッキングプレート１６に直流バイアス電圧(負電圧)に高周波電圧が重畳された電圧が印加され、ターゲット６表面にスパッタリングガスプラズマが発生し、ターゲット６表面がスパッタリングされる。
【００３０】
このマグネトロン磁石７は、１０×２０×２０ｍｍの大きさの単位磁石８(図１２(ｂ)に示した符号１０８の単位磁石と同じもの)が４２個リング状に配置されて構成された第１の磁石部７₁と、その第１の磁石部７₁の内側中央付近に、単位磁石８が７個配置されて構成された第２の磁石部７₂とを有しており(図２)、第１の磁石部７₁内の単位磁石８と第２の磁石部７₂内の単位磁石８とでは異なる極性の磁極がバッキングプレート９側に向けられている。
【００３１】
外周に位置する第１の磁石部１０７₁とその内側に位置する第２の磁石部１０７₂との磁力強度の比は、単位磁石８の個数比の４２：７(６：１)になっており、第１の磁石部７₁の方の磁力強度が大きくされている。
【００３２】
ここでは、第１の磁石部７₁ではＮ極が、第２の磁石部７₂ではＳ極がバッキングプレート１６側に向けられており、第１の磁石部７₁のＮ極から出た磁力線のうち、一部の磁力線１２は、ターゲット６表面でトンネルを作り、第２の磁石部７₂のＳ極に入るが、残る殆どの磁力線１１は第２の磁石部７₂のＳ極に入ることができず、広がって基板５側まで到達して基板５を貫通し、大きなループを描いて第１の磁石部７₁自身のＳ極に入る。
【００３３】
従って、ターゲット６表面で発生した電子ｅ^-のうち、トンネルを形成する磁力線１２に巻き付いたものは、ターゲット６表面近傍に高密度プラズマを発生させるが、基板５方向に向かう磁力線１１に巻き付いたものは、負電位に直流バイアスされているターゲット６と反発し、静電反力によって基板５側へ押しやられ、ターゲット６から基板５へ流れる電子流となる。
【００３４】
このような状況の下、ターゲット６表面から飛び出したスパッタリング粒子のうち、正電荷を有するスパッタリング粒子(Ｔｉ⁺)は、基板５へ向かう電子流に引き寄せられ、基板５方向に加速される。中性のスパッタリング粒子(Ｔｉ)のうちには、バッキングプレート１６を介してターゲット６に印加された高周波電圧によって、スパッタリングガスイオン(Ａｒ⁺等の正電荷の不活性ガスイオン)から正電荷を受け取るものがあり、正電荷を受け取ると基板５方向に加速される。
【００３５】
第１の磁石部７₁から基板５方向に伸びた磁力線１１は、基板５を略垂直に貫通しており、正電荷のスパッタリング粒子は、そのような磁力線１１に沿った方向に加速されるので、基板５へ入射するスパッタリング粒子(Ｔｉ⁺やＴｉ)の入射角度は大きくなるので、基板５に設けられた微細なホールにオーバーハングが生じにくくなり、また、ホール底面に形成される膜厚の膜厚には偏りが少なくなる。
【００３６】
次に、本発明の第１例のスパッタリング装置を説明する。
図３の符号２は、そのスパッタリング装置であり、上述のスパッタリング装置１に対し、基板５の裏面位置に、ヨーク３６上に固定した第３の磁石部３７を取り付けたものである。このスパッタリング装置２については、スパッタリング装置１と同じ部材には同じ符号を付して説明を省略する。
【００３７】
その第３の磁石部３７は、２０個の単位磁石８が用いられており、各単位磁石８は、第１の磁石部７₁とは引き合う極性の磁極(Ｓ極)を基板側に向け、反発する極性の磁極(Ｎ極)をヨーク３８側に向けて配置されている。本例では、第３の磁石部３７の中心部には単位磁石８は配置されておらず、ヨーク３６中央のＮ極化した部分から出た磁力線１３が、基板５の表面に漏洩した後、第３の磁石部３７のＳ極に入るように構成されている。
【００３８】
このような第３の磁石部３７が基板５の裏面に配置されている場合には、ターゲット６の裏面に配置された第１の磁石部７₁から出て基板５方向に向かった磁力線１１は、基板５を貫通し、第３の磁石部３７のＳ極に入るようになる。従って、ターゲット６と基板５とを結ぶ磁力線１１の密度は、基板５の中央付近は疎となり、周辺付近は密となる。
【００３９】
このスパッタリング装置２と、図１に示したスパッタリング装置１とで、チタン薄膜を形成し、薄膜形成速度の基板面内分布を測定した。基板・ターゲット間距離は１７０ｍｍにした。
【００４０】
その結果を、従来技術のスパッタリング装置１００の場合と併せて図７のグラフに示す。このグラフの横軸は基板の中心位置をゼロとした基板面内での位置を示しており、縦軸は投入電力１ｋＷ当たりのチタン薄膜の形成速度(Å／sec・ｋＷ)を示している。
【００４１】
△のプロットを結んだグラフは従来技術のスパッタリング装置１００、●のプロットを結んだグラフはスパッタリング装置１、○のプロットを結んだグラフは、スパッタリング装置２の結果である。
【００４２】
従来技術のスパッタリング装置１００では、様々な方向から基板表面にスパッタリング粒子が入射するため、基板面内の形成速度分布は中央が速く、周辺が遅い山型になる。このような速度分布では、微細なホール開口部にオーバーハングを生じ易く、また、周辺部のホールでは底面のチタン薄膜に偏りが生じ易い。
【００４３】
スパッタリング装置１の場合は、基板面内の速度分布はＭ字型となり、スパッタリング装置２ではＷ字型となる。いずれの場合でも、スパッタリング粒子の基板表面への入射角度は大きくなっており、オーバーハングは生じにくく、底面の膜厚の偏りも生じにくくなっている。
【００４４】
次に、ターゲット６裏面に配置されたマグネトロン磁石７の第１の磁石部７₁と第２の磁石部７₂との磁力の強度比を従来のスパッタリング装置１００と同程度(１．７５：１程度)にし、前述のスパッタリング装置２に用いた第３の磁石部３７(直径１５０ｍｍ)を基板裏面に配置してスパッタリング装置を構成し(図示せず)、基板面内のチタン薄膜の膜厚分布を測定した。
【００４５】
このときの薄膜形成条件は、チタンターゲットは直径４００ｍｍ(厚さ１２ｍｍ)、ターゲット・基板間距離は１６５ｍｍ、ターゲット裏面に配置された磁石からターゲット表面までの距離は３８ｍｍ、第１、第２の磁石部７₁、７₂の回転速度は４０ｒｐｍ、スパッタリングガス(アルゴンガス)流量は１４ｓｃｃｍ、スパッタリングの際の圧力は１．１×１０^-1Ｐａ、投入電力は８ｋＷであった。
【００４６】
その結果を図８の○のプロットを結んだグラフで示す。従来技術のスパッタリング装置１００についても、上述の条件でチタン薄膜を形成し、面内膜厚分布を測定した。従来技術の結果は、●のプロットを結んだグラフで示す。
【００４７】
基板裏面に第３の磁石部３７を配置した場合には膜厚分布はＭ型になり、スパッタリング粒子の入射方向が制御できているが、従来のスパッタリング装置１００では、膜厚分布は山型になっており、入射角の小さいスパッタリング粒子があることが分かる。
【００４８】
なお、第３の磁石部３７を基板裏面に配置した場合には、析出速度は１０４．３ｎｍ／ｍｉｎであったのに対し、従来技術のスパッタリング装置１００では、析出速度は８８．４ｎｍ／ｍｉｎであり、第３の磁石部３７を用いた場合の方が優れている。
【００４９】
同様に、第３の磁石部３７を基板裏面に配置したスパッタリング装置と、従来技術のスパッタリング装置１００とを用い、チタン薄膜の形成条件を変えてスパッタリングを行った。前述の形成条件のうち、ターゲット・基板間距離を１７０ｍｍ、スパッタリングガス(アルゴンガス)流量を４０〜５０ｓｃｃｍ、スパッタリング圧力を約３．０×１０^-1Ｐａに変えた。チタン薄膜の形成時間は１８０秒にした。第３の磁石部３７の配置は、図４に示す。単位マグネット８が円形のヨーク３６の縁付近に３７個配置されて構成されている。
【００５０】
膜厚分布を測定した結果を図９のグラフに示す。第３の磁石部３７を用いた場合(○のプロット)の析出速度は１６０．５ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚分布は１７．３％であり、従来技術のスパッタリング装置１００の場合(●のプロット)は、析出速度は１６２．２ｎｍ／ｍｉｎ、膜厚分布は３５．９％であった。第３の磁石部３７を用いる場合には、基板・ターゲット間距離を大きくすると、膜厚分布をより一層改善できることが分かる。
【００５１】
図５は、コイルを使用したスパッタリング装置３である。
このスパッタリング装置３は、図３に示したスパッタリング装置２の真空槽１７内にコイル４０を設けたものである。そのコイル４０は、真空槽１７内で、スパッタリング粒子がターゲット６から基板５へ到達する経路の周囲に巻回された導線で構成されており、その両端が真空槽１７外に配置された直流電源４１に接続され、所望の通電量で直流電流を流せるように構成されている。
【００５２】
このスパッタリング装置３は、ターゲット６の裏面に配置されたマグネトロン磁石７の第１の磁石部７₁と、第２の磁石部７₂との磁力強度比は６：１にしてある。また、第１の磁石部７₁のＮ極と第２の磁石部７₂のＳ極がターゲット６側に向けられ、第３の磁石部３７のＳ極が基板５側に向けられており、第１の磁石部７₁から出た磁力線は、ターゲット６と基板５を貫通して第３の磁石部３７のＳ極に入るように構成されている。
【００５３】
このような構成のスパッタリング装置３において、コイル４０に直流電流を流し、第１の磁石部７₁から出て第３の磁石部３７に入る磁力線の向きと同じ向きの磁力線を発生させた場合、ターゲット６と基板５とを結ぶ磁力線の密度を高めることができる。
【００５４】
このスパッタリング装置３を用い、ターゲット・基板間距離を１７０ｍｍ、ターゲット６裏面のマグネトロン磁石７からターゲット６表面までの距離を２０ｍｍ、投入電力を６ｋＷ、スパッタリングガス(アルゴンガス)圧力を０．４Ｐａに設定し、コイル４０への通電量を制御して磁場強度を種々の値に異ならせてチタン薄膜を形成した。
【００５５】
異なる磁場強度でチタン薄膜を形成した場合の形成速度と基板面内位置との関係を図１０のグラフに示す。●のプロットを結んだグラフはコイル４０に電流を流さなかった場合(０Ｇａｕｓｓ)、□のプロットを結んだグラフは４４Ｇａｕｓｓの磁力線を発生させた場合、△のプロットを結んだグラフは１１０Ｇａｕｓｓの磁力線を発生させた場合である。磁場強度を制御することで基板面内のチタン薄膜の形成速度分布を制御できることが分かる。
【００５６】
なお、コイル４０は、ターゲット６裏面に配置されたマグネトロン磁石７の第１の磁石部７₁と、基板５裏面に配置された第３の磁石部３７との間で形成される磁力線と同じ方向の磁力線を発生させればよく、必ずしも真空槽１７内に配置されている必要はなく、真空槽１７に巻回されているものも含む。
【００５７】
また、図６の符号４に示した本発明の第２例のスパッタリング装置のように、コイル４０と第３の磁石部３７とを併用し、膜厚制御性を更に高めることができる。
【００５８】
以上説明したように、本発明のスパッタリング装置１〜４では、スパッタリング粒子のうち、正電荷を有するものの基板への入射角を大きくするので、スパッタリング粒子のイオン化率が高い程効果的である。上述のスパッタリング装置１〜４では、高周波電源２２を用い、ターゲット６に高周波電圧を印加することでスパッタリング粒子のイオン化を促進していたが、他のイオン化促進手段を用いてもよい。例えば、ターゲット６表面に平行に形成される磁力線の強度を４００Ｇａｕｓｓ以上の強磁界にしても効果的である。また、高周波コイルを配置する等、種々のイオン化促進手段を用いることができる。
【００５９】
上述の例は、チタン薄膜を形成する場合であったが、本発明は、銅薄膜やタングステン薄膜等の金属薄膜の他、窒化チタン薄膜等の種々の薄膜に広く適用することができる。
【００６０】
【発明の効果】
基板状の微細孔の開口部にオーバーハングが生じず、また、高アスペクト比のホール底面に偏りのない薄膜を形成できる。
基板面内の膜厚分布や成膜速度分布を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の動作原理を説明するためのスパッタリング装置
【図２】そのスパッタリング装置のターゲット裏面に配置する磁石の例を説明するための図
【図３】本発明の第１例のスパッタリング装置を説明するための図
【図４】そのスパッタリング装置の基板裏面に配置する磁石の例を説明するための図
【図５】コイルを使用したスパッタリング装置を説明するための図
【図６】本発明の第２例のスパッタリング装置を説明するための図
【図７】図１のスパッタリング装置、又は本発明の第１例スパッタリング装置を用いた場合のチタン薄膜の形成速度の面内分布を示すグラフ
【図８】基板裏面に磁石を配置した場合のチタン薄膜の膜厚分布の一例を示すグラフ
【図９】基板裏面に磁石を配置した場合のチタン薄膜の膜厚分布の他の例を示すグラフ
【図１０】異なる磁場強度でチタン薄膜を形成した場合の形成速度と基板面内位置との関係を説明するためのグラフ
【図１１】従来技術のスパッタリング装置を説明するための図
【図１２】(ａ)：従来技術のスパッタリング装置のターゲット裏面に配置されていた磁石を説明するための図 (ｂ)：その磁石の単位磁石を説明するための図
【図１３】従来技術のスパッタリング装置のホール内の薄膜の偏りを説明するための図
【符号の説明】
１、４……スパッタリング装置５……基板６……ターゲット７……マグネトロン磁石７₁……第１の磁石部７₂……第２の磁石部１７……真空槽３７……第３の磁石部４０……コイル

Claims

真空槽と、該真空槽内に配置されたターゲットと、該ターゲットの裏面に配置されたマグネトロン磁石とを有し、
前記ターゲットに対して基板を対向配置して前記ターゲットをスパッタリングすると前記基板表面に薄膜を形成できるように構成されたスパッタリング装置であって、
前記マグネトロン磁石は、リング状にされた第１の磁石部と、前記第１の磁石部の中央付近に配置された第２の磁石部とを有し、
前記第１の磁石部と前記第２の磁石部とは、互いに異なる極性の磁極が前記ターゲットに向けられ、
前記基板の裏面には、リング状にされ、前記第１の磁石部の前記ターゲットに向けられた磁極とは異なる極性の磁極が前記基板側に向けられた第３の磁石部が配置され、
前記第３の磁石部の内側には磁石は配置されず、
前記ターゲットと前記基板とを貫通し、前記ターゲットと前記基板とを結ぶ磁力線の密度は、基板の中央よりも周辺が密にされたスパッタリング装置。
前記第１の磁石部の磁力の方が、前記第２の磁石部の磁力よりも２倍以上強くなるようにされた請求項１記載のスパッタリング装置。
前記ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子が前記基板に到達する経路の周囲にコイルが巻き回わされ、該コイルに直流電流を流せるように構成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のスパッタリング装置。
前記ターゲットから飛び出したスパッタリング粒子をイオン化するイオン化手段が設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のスパッタリング装置。
前記ターゲットと前記基板との距離は１００ｍｍ以上にされたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のスパッタリング装置。