JP7077460B1 - アルミニウム材及びアルミニウム材用静電気放電特性調整皮膜 - Google Patents
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Abstract
Description
1.アルミニウム材
本発明に係るアルミニウム材は、アルミニウム製基材と、前記アルミニウム製基材の表面に設けられた厚みが1μm以上100μm以下であり、表面抵抗値が1×108Ω/sq以上1×1013Ω/sq未満の多孔質酸化アルミニウム層と、前記多孔質酸化アルミニウム層上に設けられ、表面抵抗値が3×104Ω/sq以上1×1012Ω/sq以下の硬質炭素膜層とを有することを特徴とする。
アルミニウム製基材は、アルミニウム金属又はアルミニウム合金製の基材であり、その大きさや形状が特に限定されるものではなく板状、或いは、所定形状等であってもよい。当該アルミニウム製基材は、半導体製造工程において半導体部品(半導体デバイス)と接触又は近接して使用されるアルミニウム製部品であることも好ましい。このようなアルミニウム製品として、例えば、アルミニウム製又はアルミニウム合金製の治具や部品を挙げることができ、例えば、洗浄工程等で使用されるウエハカセット、パターン形成工程やダイボンディング工程等においてウエハやチップを所定の位置で保持固定するピックアップノズル、所定の位置に搬送する際に用いられる搬送アーム等の種々のアルミニウム製品に適用することができる。
次に、硬質炭素膜層について説明する。硬質炭素膜層は表面抵抗値が3×104Ω/sq以上1×1012Ω/sq以下の炭素系硬質膜からなる層である。後述する多孔質酸化アルミニウム層上に当該硬質炭素膜層を設けることで、上述のとおり、当該アルミニウム材表面において、静電気を発生させにくくしつつ、静電気を帯びたときに静電気を緩やかに放電させることができる。硬質炭素膜層は上記範囲内の表面抵抗値を示す点に加え、以下の電気的特性(表面電荷の帯電圧、半減期時間、絶縁耐圧等)を備えると共に、以下の機械特性(硬度、摩擦係数等)を有することが好ましい。なお、以下に示す値はいずれもアルミニウム製基材上に多孔質酸化アルミニウム層(及び中間層を備える場合は中間層)を介して硬質炭素膜層を設けた上で測定した値を示す。
a)表面抵抗値
硬質炭素膜層膜の表面抵抗値は上記のとおりである。本発明においては抵抗値を体積固有抵抗値ではなく、表面抵抗値で規定する。その理由は上述のとおりである。なお、表面抵抗値が3×104Ω/sqより大きい場合、その材料の体積固有抵抗値は概ね1×105Ω・mより大きくなる。当該硬質炭素膜層の表面抵抗値は1×1012Ω/sq以下であり、プラスチックやゴム等の絶縁体と比較すると表面抵抗値が低い。そのため、当該硬質炭素膜層が他の物体に対して摺動したときに静電気が発生するのを抑制することができ、スローチャージ特性を得ることができる。
多孔質酸化アルミニウム層を介してアルミニウム製基材の表面に当該硬質炭素膜層を設けたとき、その表面電荷の半減期は、概ね1ミリ秒以上60秒以下の値を示すことが好ましい。ここで、表面電荷の半減期は、基材の表面に当該静電気放電特性調整皮膜を設けた試験片を作製し、この試験片にコロナ放電場(10kV)で帯電させた後、表面電圧或いはサージ電圧(又はサージ電流)の最大値(ピーク値)が1/2に減衰するまでの時間をいう。
硬質炭素膜層の絶縁耐圧は高い方が好ましい。アルミニウム製基材の表面に多孔質酸化アルミニウム層を介して硬質炭素膜層を設けるが、この硬質炭素膜層の絶縁耐圧以上の電圧が加わると、硬質炭素膜層が絶縁破壊してしまう。一度硬質炭素膜層の絶縁破壊が生じた場合、その箇所は不可逆的に良導電体域になってしまうため、帯電物と絶縁破壊領域間で静電気放電しやすくなる。そのため硬質炭素膜層の絶縁耐圧は高ければ高いほど好ましい。具体的には、30kV/mm以上であることが好ましく、50kV/mm以上であることが好ましく、70kV/mm以上であることがより好ましい。
a)摩擦係数
硬質炭素膜層の摩擦係数は低い方が好ましい。摩擦係数が大きいと相手材と摺動中接触面での発熱温度が高くなる。発熱は無駄なエネルギー消費である。また、発熱によって材料の軟化等によって、摩耗量が増加し、発塵性が高くなり、摺動領域の寿命が短くなる。摩擦係数が低い硬質炭素膜層を用いて静電気放電特性調整皮膜を構成することにより、例えば、半導体製造装置等のクリーンルーム内に設置され、他の物品と摺動する部位に用いられるアルミニウム材に好適であり、ESD対策された省エネルギーであり、且つ、低発塵で長寿命なアルミニウム材とすることができる。具体的には、摩擦係数は0.50以下であることが好ましく、0.30以下であることがより好ましく、0.25以下であることがさらに好ましく、0.20以下であることが一層好ましい。
硬質炭素膜層の硬度は高い方が好ましい。通常硬度は高い方が耐摩耗性は良く、他の物体と接触、摺動、剥離等したときに摩耗しにくく、摩耗粉の発生を抑制できる。そのため、例えば、半導体製造装置等のクリーンルーム内に設置され、他の物品と摺動する部位に用いられるアルミニウム材の静電気放電特性調整皮膜として好適である。
当該硬質炭素膜層の表面抵抗値が上記範囲内である限り、当該硬質炭素膜層における炭素原子の格子構造は特に限定されるものではない。また、当該硬質炭素膜層は、炭素をベースにする皮膜であるが、炭素以外の元素を添加物として含んでいてもよい。表面抵抗値が上記範囲内である硬質炭素膜層として、例えば、炭素原子の格子構造に、グラファイトに代表されるsp2構造の炭素とダイヤモンドに代表されるsp3構造の炭素とを含む非晶質構造の炭素皮膜が挙げられる。当該静電気放電特性調整皮膜を構成する硬質炭素膜層は、この非晶質構造の炭素皮膜からなることが好ましい。特に、水素を含み、sp2構造の炭素とsp3構造の炭素とを含む非晶質構造の炭素皮膜であることが好ましい。
上記電気特性を発現させる上で、硬質炭素膜層は、sp3構造の炭素の含有割合が20(%)以上90(%)以下であることが好ましく、30(%)以上80(%)以下であることがより好ましく、35(%)以上75(%)以下であることがさらに好ましい。なお、上記電気特性とは、表面抵抗が3×104Ωより大きく1×1012Ω以下であることを意味する。また、表面電荷の半減期が60秒以下であることがより好ましい。
当該硬質炭素膜層は、水素を0atm%以上50atm%以下含むことが好ましい。バンドギャップ間の電荷伝導挙動は、バンドギャップ内に生じた局在準位(不純物準位)における電子のホッピング現象によって決まる。局在準位は、炭素のダングリングボンド或いは添加元素(水素等)等の不純物の存在によって生じる。従って、当該硬質炭素膜層の電気特性は、上記sp2構造の炭素含有量とsp3構造の炭素含有量との含有割合だけでなく、当該硬質炭素膜層における水素含有量等の炭素以外の元素の含有量によっても変化する。水素は炭素のダングリングボンドと結合する。そのため、水素含有量を上記範囲内で調整することにより、バンドギャップ内の局在準位を変化させ、当該硬質炭素膜層の電気特性を上述の範囲内で調整することができる。
当該硬質炭素膜層は、水素に加えて、N、F、Al、Si、Cr、Ag、Ti、Cu、Ni、W、Ta、Mo、Zr、B、Fe、Pt、P、S、I、Mg、Zn及びGeからなる群から選択される一以上の元素を添加元素として含むことができる。
当該硬質炭素膜層の膜厚は1nm以上10μm以下であることが好ましい。上記電気特性及び機械特性を有すれば、当該硬質炭素膜層の膜厚が薄くとも、静電気の発生を抑制すると共に、静電気放電時に電荷を緩やかに逸散させて、静電気放電に伴う半導体デバイスの損傷や誤動作を抑制することができる。当該硬質炭素膜層の膜厚は用途に応じて適宜調整することができる。例えば、静電気対策だけではなく、耐摩耗性等が要求される用途については、当該硬質炭素膜層の膜厚が厚い方が好ましい。また、より高い絶縁耐圧が要求される場合にも膜厚が厚い方が好ましい。絶縁耐圧特性(kV/mm)が同じ場合、膜厚が厚い方が使用時における絶縁耐圧(kV)が高くなるためである。従って、耐摩耗性や高い絶縁耐圧等が要求される用途については、当該炭素皮膜の膜厚は10nm以上であることがより好ましく、50nm以上であることがさらに好ましい。一方、電気特性、機械特性、膜厚等の均一な炭素皮膜を得る上での生産効率やコスト的な観点から、当該硬質炭素膜層の膜厚は5μm以下であることが好ましく、3μm以下であることがより好ましい。但し、上記耐摩耗性等が要求される用途等において、コスト的な制限がなければ当該硬質炭素膜層の膜厚は特に限定されるものではない。
本発明において多孔質酸化アルミニウム層は、厚みが1μm以上100μm以下であり、表面抵抗値が1×108Ω/sq以上1×1013Ω/sq未満の酸化アルミニウムを主成分とする層をいい、アルミニウム製基材を陽極とする陽極酸化法によって生成される陽極酸化皮膜をいう。多孔質酸化アルミニウム層(陽極酸化皮膜)は、アルミニウム製基材と多孔質酸化アルミニウム層との界面に存在するnmオーダーの膜厚のバリア膜と、バリア膜の上に成長した多孔質皮膜とを備えている。多孔質皮膜の微細孔は後述する封孔処理が施されていることが好ましい。
本件発明に係るアルミニウム材において、多孔質酸化アルミニウム層と硬質炭素膜層との間に非導電性皮膜からなる中間層を備えることも好ましい。中間層は主に多孔質酸化アルミニウム層と硬質炭素膜層との密着力を向上するための層であるものとする。中間層の材質によっても当該アルミニウム材の耐静電特性も変化する。中間層が金属層等の導通性皮膜であっても、硬質炭素膜層と多孔質酸化アルミニウム層との密着性を向上させることができる。しかしながら、中間層が金属層等の導通性皮膜である場合、導通性皮膜上に硬質炭素膜層を設けても上記スローチャージ特性及びスローディスチャージ特性が発現されず、静電気の電荷がすぐに逸散する。つまり、アルミニウム製基材上に多孔質酸化アルミニウム層を介して硬質炭素膜層を設ける意義が没却する。一方、多孔質酸化アルミニウム層と硬質炭素膜層との間に非導電性皮膜からなる中間層を介在させることで、膜の深さ方向における電荷の流れを阻害することができ、多孔質酸化アルミニウム層と硬質炭素膜層との密着を良好にしつつ、より良好なスローディスチャージ特性を得ることができる。
上記説明した本発明に係るアルミニウム材は以下のようにして製造することができる。但し、以下説明する製造方法は、本発明に係るアルミニウム材を製造するための一例であって、本発明に係るアルミニウム材を製造するための方法は以下の方法に限定されるものではない。
表面にスローチャージ特性及びスローディスチャージ特性を付与すべき表面処理対象物としてのアルミニウム製基材を準備する。アルミニウム製基材は上述した各種のアルミニウム製品とすることができる。
まず、アルミニウム製基材の表面を脱脂、アルカリエッチングなどの前処理を施し、表面処理を施す面を清浄化することが好ましい。前処理として、脱脂やアルカリエッチングなどの化学的前処理を行うことが好ましい。化学的前処理の前に必要に応じて表面研磨などの機械的前処理を行い、平坦な表面を得ることも好ましい。アルミニウム製基材の表面に脱脂処理を施す際には、有機溶剤法、界面活性剤法、酸性脱脂法、電界脱脂法、アルカリ脱脂法、乳剤脱脂法等の従来公知の方法を適宜用いることができる。また、アルカリエッチングを行えば、アルミニウム製基材の表面に自然に生じた自然酸化皮膜等の他、脱脂処理では除去できない表面の汚れを除去することができる。このようにアルミニウム製基材の表面の平坦化、清浄化を図ることでアルマイト製基板上に多孔質酸化アルミニウム層を良好に生成することができる。
当該多孔質酸化アルミニウム層は、酸性浴(硫酸浴、シュウ酸浴、クロム酸浴、ホウ酸浴、リン酸浴等)、アルカリ浴(アンモニア-フッ化物系、アルカリ-過酸化物系、リン酸ナトリウム系等)、混酸浴(スルホサリチル酸-硫酸系、スルホサリチル酸-マレイン酸系等)等の電解液(陽極酸化皮膜用電解液)中で、アルミニウム製基材を陽極とし、炭素板等を陰極とし、上述のとおり陽極酸化法によりアルミニウム製基材の表面に陽極酸化皮膜を成膜することにより成膜することができる。アルミニウム製基材の表面から溶出したアルミニウム(Al3+)と、電解により生じた酸素(O2-)とが結合することで、酸化アルミニウム(Al2O3)からなる陽極酸化皮膜が生成される。
硬質炭素膜層の成膜方法は、上記電気特性等を有する炭素系硬質膜が得られる限り、特に限定されるものではないが、例えば、次に説明する方法で成膜することが好ましい。なお、下記方法で成膜する前に、多孔質酸化アルミニウム層の表面をドライ洗浄等して清浄化することが好ましい。
水素を含む硬質炭素膜層は、CVD法(化学気相堆積法)、PVD法(物理気相堆積法)により成膜することができる。当該硬質炭素膜層を成膜する際に、炭化水素ガスをチャンバー内に導入することで、水素を含む硬質炭素膜層を成膜することができる。炭化水素ガスとして、鎖状型炭化水素であるメタン、プロパン、エチレン、アセチレン、芳香型炭化水素であるベンゼン、トルエン、スチレン等を用いることができる。特に、メタン、アセチレン等を用いることが好ましい。また、黒鉛等からなる炭素固体ターゲットを用いる場合は、チャンバー内に水素ガスを導入すればよい。
水素を含まない硬質炭素膜層は、炭素固体ターゲットを用いたPVD法により成膜される。具体的には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ホロカソード法、カソードアーク法、レーザーアブレーション法等により、イオン化されたアルゴン原子を炭素固体ターゲットに衝突させて炭素イオンをたたき出し(スパッタ)、或いはアーク放電、レーザー照射により炭素を昇華、イオン化し、負に印加された基材上に成膜する。水素を添加したい場合は上記のように黒鉛等の炭素固体ターゲットを用い、真空容器内に水素を導入して水素プラズマを発生させ、カーボンイオン及び水素イオンを共に基材の表面に堆積させることにより基材上に水素を含む硬質炭素膜層を成膜することができる。
水素以外の添加元素を含有する硬質炭素膜層を成膜するには、上記各種CVD法、PVD法のいずれの方法も採用することができる。真空容器内に、N、F、Al、Si、Cr、Ag、Ti、Cu、Ni、W、Ta、Mo、Zr、B、Fe、Pt、P、S、I、Mg、Zn及びGeからなる群から選択される一以上の元素を含むガス、或いはターゲット材を用いることにより、これらの添加元素を含む、硬質炭素膜層或いは炭化水素皮膜を得ることができる。
中間層を設ける場合、上述のとおり、スパッタリング法、ガスを導入してのプラスマCVD法等により成膜することができる。中間層を設ける場合は、多孔質酸化アルミニウム層を成膜した後、表面をドライ洗浄等した後に、中間層を成膜し、その後、上記いずれかの方法等により硬質炭素膜層を中間層上に成膜すればよい。
次に、本件発明に係るアルミニウム材用静電気放電特性調整皮膜について説明する。当該アルミニウム材用静電気放電特性調整皮膜は、アルミニウム性基材の表面の静電気放電特性を調整するために設けられる皮膜であって、上記の多孔質酸化アルミニウム層と硬質炭素膜層とを備える。多孔質酸化アルミニウム層と、硬質炭化膜層との間には、上記の中間層を備えることも好ましい。多孔質酸化アルミニウム層、硬質炭素膜層及び中間層はいずれも本発明に係るアルミニウム材が備える上記各層と同じものとすることができる。
実施例1では、アルミニウム製基材(アルミニウム合金製基材A5052)上に陽極酸化用電解液として硫酸浴を用い陽極酸化皮膜を15μm成長させた後、酢酸ニッケル溶液で封孔処理を行うことで、多孔質酸化アルミニウム層を設けた。この多孔質酸化アルミニウム層上に硬質炭素膜層をRF・高電圧パルス重畳型PBIID法により成膜した。
ラマン分光法(Reinshaw inVia Reflex)によりレーザー波長532nmで、当該硬質炭素膜層におけるsp2構造の炭素を示すGバンド(Ig)と、格子欠陥等に由来するDバンド(Id)の比(Id/Ig)比を測定した。その測定結果(Id/Ig)比は約1.4であった。
ERDA(Elastic Recoil Detection Analysis:弾性反跳粒子検出SSDH-2(加速器),RBS-400(測定器))により測定したところ、水素含有量は約22.6at%であった。
i)電気特性
上記のようにしてアルミニウム製基材の表面に静電気放電特性調整皮膜処理が施された実施例1のアルミニウム材の表面抵抗値を絶縁抵抗計(Trek社製の絶縁抵抗計MODEL 152-1)を用いて測定したところ約2×109Ωであった。
実施例1のアルミニウム材の摩擦係数を高炭素鋼製ボール(SUJ2)及びアルミナボールを相手材とし、ボールオンディスク法により荷重10N、線速度100mm/secで測定したところ、静電気放電特性調整皮膜の表面の摩擦係数はどちらもほぼ0.17であった(図6参照)。
実施例2では、実施例1で用いたアルミニウム製基材と同じアルミニウム基材A5052上に陽極酸化用電解液としてシュウ酸浴を用い陽極酸化皮膜を15μm成長させた後、重クロム酸カリウム溶液で封孔処理を行うことで、多孔質酸化アルミニウム層を設けた。この多孔質酸化アルミニウム層上に硬質炭素膜層をプラズマCVD法により成膜した。
実施例1と同様にして、ラマン分光法により、当該硬質炭素膜層におけるsp2構造の炭素を示すGバンド(Ig)と、格子欠陥等に由来するDバンド(Id)の比(Id/Ig)を測定した。その測定結果(Id/Ig)比は約1.3であった。
実施例1と同様にして水素量を測定したところ、水素含有量は約26atm%であった。
i)電気特性
上記のようにしてアルミニウム製基材の表面に静電気放電特性調整皮膜処理が施された実施例2のアルミニウム材の表面抵抗を実施例1と同様にして測定したところ約4×109Ωであった。
実施例2のアルミニウム材の摩擦係数を高炭素鋼製ボール(SUJ2)及びアルミナボールを相手材とし、実施例1と同様にして測定したところ、静電気放電特性調整皮膜の表面の摩擦係数はそれぞれ約0.19、0.14であった(図5参照)。
実施例1で用いたアルミニウム製基材と同じアルミニウム基材A5052上に陽極酸化用電解液として硫酸浴及びシュウ酸浴を用い、それぞれ陽極酸化皮膜を15μm成長させた後、酢酸ニッケル溶液で封孔処理を行い多孔質酸化アルミニウム層としたものをそれぞれ比較例1及び比較例2のアルミニウム材とした。
i)電気特性
アルミニウム製基材上に硫酸浴を用いて多孔質酸化アルミニウム層を設けた比較例1のアルミニウム材と、アルミニウム製基材上にシュウ酸浴を用いて多孔質酸化アルミニウム層を設けた比較例2のアルミニウム材の表面抵抗値を絶縁抵抗計(Trek社製の絶縁抵抗計MODEL 152-1)を用いて測定したところそれぞれ約2×1010Ω及び3×1010Ωであった。
比較例1及び比較例2のアルミニウム材を、高炭素鋼製ボール(SUJ2)を相手材とし、実施例1と同様にして多孔質酸化アルミニウム層表面の摩擦係数を測定したところ、それぞれ約0.8,0.93であった。次にアルミナボールを相手材とし、同条件でボールオンディスク法で摩擦係数を測定したところ、摩擦係数はどちらも約0.8であった(図5参照)。
アルミニウム製基材上に多孔質酸化アルミニウム層を介して硬質炭素膜層を積層する静電気放電特性調整皮膜処理を施すことで、実施例1、実施例2のアルミニウム材の最大表面電位をそれぞれ100V、160Vにすることができ、絶縁体において通常想定される電位(3kV程度)よりも最大表面電位よりも大きく低減されておりスローチャージ特性を有することが確認された。また、実施例1、実施例2のアルミニウム材における静電気放電特性調整皮膜の半減期が0.7秒、0.5秒であり(図1及び図2参照)、導電体において通常想定される半減期(ナノ秒オーダー)を1ミリ秒以上にすることができ、スローディスチャージ特性を有することも確認された。
一方、硬質炭素膜層を備えていない比較例1及び比較例2のアルミニウム材では多孔質酸化アルミニウム層が最表面となる。この場合、多孔質アルミニウム層の表面に電荷が蓄積せず(図3及び図4参照)、静電気を発生させない一方、電圧が印加されたときに直ちに電荷を逸散することが確認される。つまり比較例1及び比較例2のアルミニウム材に対して静電気が帯電した半導体デバイスが接触した場合には、多孔質アルミニウム層において急峻に静電気放電が生じ、サージ電流、サージ電圧が発生するおそれがある。
Claims (4)
- アルミニウム製基材と、
前記アルミニウム製基材の表面に設けられた静電気放電特性調整被膜と、を備え、
前記静電気放電特性調整被膜は、
厚みが1μm以上100μm以下であり、封孔されたアルミニウム陽極酸化皮膜により構成された、表面抵抗値が1×108Ω/sq以上1×1013Ω未満であり、静電気の電荷を逸散する多孔質酸化アルミニウム層と、
前記多孔質酸化アルミニウム層上に設けられ、表面抵抗値が3×104Ω/sq以上1×1012Ω/sq以下の硬質炭素膜層と、
前記多孔質酸化アルミニウム層と前記硬質炭素膜層との間に設けられた非導電性皮膜からなる中間層と、
を有し、
前記中間層は、酸化物系膜、炭化物系膜、ホウ化物材料系膜又はケイ素化合物膜であり、
前記アルミニウム製基材は、半導体製造工程において半導体部品と接触又は摺動して使用されるアルミニウム製部品であること、
を特徴とするアルミニウム材。 - 前記硬質炭素膜層の表面抵抗値は1×1012Ω/sq未満であり、当該硬質炭素膜層はsp2構造の炭素とsp3構造の炭素とを含む非晶質構造を有する炭素被膜からなる請求項1に記載のアルミニウム材。
- 前記静電気放電特性調整皮膜は、前記中間層として有機ケイ素化合物膜を有する請求項1又は請求項2に記載のアルミニウム材。
- アルミニウム製基材の表面に設けられて、アルミニウム性基材の表面の静電気放電特性を調整するためのアルミニウム材用静電気放電特性調整皮膜であって、
アルミニウム製基材の表面に設けられる厚みが1μm以上100μm以下であり、封孔されたアルミニウム陽極酸化皮膜により構成された、表面抵抗値が1×108Ω/sq以上1×1013Ω未満であり、静電気の電荷を逸散する多孔質酸化アルミニウム層と、
前記多孔質酸化アルミニウム層上に設けられ、表面抵抗値が3×104Ω/sq以上1×1012Ω/sq以下の硬質炭素膜層と、
前記多孔質酸化アルミニウム層と前記硬質炭素膜層との間に設けられた非導電性皮膜からなる中間層と、
を有し、
前記中間層は、酸化物系膜、炭化物系膜、ホウ化物材料系膜又はケイ素化合物膜であり、
前記アルミニウム製基材は、半導体製造工程において半導体部品と接触又は摺動して使用されるアルミニウム製部品であること、
を特徴とするアルミニウム材用静電気放電特性調整皮膜。
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