JP7067258B2 - マッハツェンダ変調器 - Google Patents
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Description
接地下層51の上面51aから第1信号上層41の下層41c又は第2信号上層42の下層42cまでの距離H1:0.5~5マイクロメートル。
光導波路構造20の上面20aから接地下層51の下面51bまでの距離H2:0.2~2マイクロメートル。
第1信号上層41、第2信号上層42:金。
第1接地上層43:金。
接地下層51;金。
第1導電上層63:金。
支持体21:半絶縁性InP。
埋込領域90:BCB及びシリコン系無機絶縁膜。
第1アーム導波路構造61、第2アーム導波路構造62及び光導波路構造20。
第1導電型半導体層67:n型InP層。
コア層68:i型AlGaInAs層。
第2導電型半導体層69:p型InP層。
導電性半導体層66:n型InP層。
図6の(a)部は、接地下層を含まないシミュレーションのための第1モデルにおける金属層及び光導波路構造を概略的に示す平面図である。光導波路構造WG20は、埋込領域で覆われた6つの導波路メサを含み、第1信号上層M1S及び第2信号上層M2Sが光導波路構造WG20上を延在する。
第1信号上層M1Sの幅DM1S:58マイクロメートル。
第1導電上層MGの幅DMG:5マイクロメートル。
第2信号上層M2Sの幅DM2S:58マイクロメートル。
第1信号上層M1Sと第1導電上層MGとの間隔S1P:8マイクロメートル。
第2信号上層M2Sと第1導電上層MGとの間隔S2P:8マイクロメートル。
第1信号上層M1S、第1導電上層MG、及び第2信号上層M2Sの下面と光導波路構造WG20の上面との間隔:1マイクロメートル。
シミュレーションのための第2モデルは、第1導電上層MGに替えて接地下層を含む。
第1信号上層M1Sから第2信号上層M2Sまでの距離:10マイクロメートル。
第1導電上層MGの幅DMG:0マイクロメートル。
接地下層の幅:50マイクロメートル。
接地下層の上面から上部埋込領域の上面までの距離:0.5~5マイクロメートル。
第1導電型半導体層67のための半導体層:n型InP層。
コア層68のための半導体層:AlGaInAs層。
第2導電型半導体層69のための半導体層:p型InP層。
Claims (5)
- マッハツェンダ変調器であって、
光導波路構造と、
第1アーム導波路構造と、
第2アーム導波路構造と、
埋込領域と、
前記第1アーム導波路構造及び前記第2アーム導波路構造を搭載しており前記第1アーム導波路構造及び前記第2アーム導波路構造に接続された導電性半導体層と、
前記埋込領域上を延在すると共に前記第1アーム導波路構造に接続された第1信号上層と、
前記埋込領域上を延在すると共に前記第2アーム導波路構造に接続された第2信号上層と、
前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在する第1接地上層と、
前記第1接地上層に接続されると共に前記第1信号上層及び前記第2信号上層に沿って前記埋込領域内を延在する接地下層と、
前記接地下層に接続されると共に前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在する第1導電上層と、
を備え、
前記第1導電上層は、前記第1アーム導波路構造及び前記第2アーム導波路構造に沿って延在し、
前記接地下層と前記光導波路構造とは、前記光導波路構造の長手方向に交差する断面において、前記埋込領域表面に向かって、前記光導波路構造、前記接地下層の順に埋め込まれ、前記接地下層は、前記光導波路構造と、前記第1信号上層及び前記第2信号上層との間を延在する、マッハツェンダ変調器。 - 前記接地下層は、前記第1信号上層と前記第2信号上層との間隔より大きな幅を有する、請求項1に記載のマッハツェンダ変調器。
- 第2接地上層を更に備え、
前記第2接地上層は、前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在し、
前記第2接地上層は、前記第1接地上層と共に、前記接地下層に接続され、
前記第1接地上層、前記第1信号上層、前記第2信号上層、及び前記第2接地上層は、この順に前記埋込領域上に配列され、
前記第1信号上層及び前記第2信号上層は、前記埋込領域上に配列され、また、前記接地下層は、前記埋込領域内を延在し、
前記第1信号上層、前記第1導電上層、及び前記第2信号上層は、この順に前記埋込領域上に配列される、請求項1又は請求項2に記載のマッハツェンダ変調器。 - 第2接地上層及び第2導電上層を更に備え、
前記第2接地上層は、前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在し、
前記第2接地上層は、前記第1接地上層と共に、前記接地下層に接続され、
前記第2導電上層は、前記第1導電上層と共に、前記接地下層に接続され、また、前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在し、
前記第2導電上層は、前記第1導電上層と共に、前記第1アーム導波路構造及び前記第2アーム導波路構造に沿って延在し、
前記第1接地上層、前記第1信号上層、前記第2信号上層、及び前記第2接地上層は、この順に前記埋込領域上に配列され、
前記第1信号上層及び前記第2信号上層は、前記埋込領域上に配列され、また、前記接地下層は、前記埋込領域内を延在し、
前記第1導電上層、前記第1信号上層、前記第2信号上層、及び前記第2導電上層は、この順に前記埋込領域上に配列される、請求項1又は請求項2に記載のマッハツェンダ変調器。 - 第2接地上層、第2導電上層、及び第3導電上層を更に備え、
前記第2接地上層は、前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在し、
前記第2接地上層は、前記第1接地上層と共に、前記接地下層に接続され、
前記第2導電上層及び第3導電上層は、前記第1導電上層と共に、前記接地下層に接続され、また、前記第1信号上層及び前記第2信号上層の少なくともいずれか一方に沿って前記埋込領域上を延在し、
前記第2導電上層及び前記第3導電上層は、前記第1導電上層と共に、前記第1アーム導波路構造及び前記第2アーム導波路構造に沿って延在し、
前記第1接地上層、前記第1信号上層、前記第2信号上層、及び前記第2接地上層は、この順に前記埋込領域上に配列され、
前記第1信号上層及び前記第2信号上層は、前記埋込領域上に配列され、また、前記接地下層は、前記埋込領域内を延在し、
前記第1導電上層、前記第1信号上層、前記第2導電上層、前記第2信号上層、及び前記第3導電上層は、この順に前記埋込領域上に配列される、請求項1又は請求項2に記載のマッハツェンダ変調器。
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