JP2015021974A - 半導体光素子を製造する方法、および半導体光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に、本発明の第1の実施形態に係る半導体光素子10の上面図を示す。この半導体光素子は、基板11上に設けられた変調導波路12a、12bと受動導波路13と電極配線14を備える。変調導波路12a、12bは、上部電極12c、12dを備える。変調導波路12aは上部電極12cと電気的に接続している。変調導波路12bは上部電極12dと電気的に接続している。受動導波路13は、光入力導波路13a、光分岐導波路13b、光合波導波路13c、光出力導波路13dを備える。電極配線14は、入力配線14a、14b、出力配線14c、14dおよび下部電極14eを備える。入力配線14aと出力配線14cとは上部電極12cと接続している。入力配線14bと出力配線14dとは上部電極12dと接続している。下部電極14eは、変調導波路12a、12bの中間を延伸し、変調導波路12a、12bと電気的に接続している。
第1の実施形態と共通の構造および製造方法に係る部分については、同じ符号を用い説明を省略する。図9に本発明の第2の実施形態に係る半導体光素子10の断面図を示す。第2の実施形態の半導体光素子10の上面図は図1と同じである。図9は図1におけるII−II線に沿ってとられた断面図である。変調導波路12a、12bは第1の実施形態と同じく、基板11の主面11a上に設けられた下部コンタクト層21、下部クラッド層22、コア層23、上部クラッド層24および上部コンタクト層25を有している。第1樹脂層52の上面と変調導波路12a、12bの上面の間の距離h1と、変調導波路12a、12bの高さh0との関係は、第1の実施形態と同様である。また、第2樹脂層54の上面と受動導波路13の上面の間の距離h2と、受動導波路の高さh0との関係も、第1の実施形態と同様である。
Claims (12)
- 基板の主面上に下部クラッド層とコア層と上部クラッド層とを含む半導体光導波路を形成する工程と、
前記基板の前記主面および前記半導体光導波路を埋め込むように第1の樹脂層を形成する工程と、
前記第1の樹脂層に開口を形成して前記半導体光導波路の上面を露出させる工程と、
前記開口内の前記半導体光導波路の上面に第1の電極層を形成する工程と、
前記開口および前記第1の電極層を埋め込むように第2の樹脂層を形成する工程と、
前記第2の樹脂層を貫通し前記第1の電極層の上面の一部を露出させるように溝を形成する工程と、
前記溝の内壁および前記第1の電極層の露出した表面に第2の電極層を形成する工程と、
前記第2の電極層を介して前記溝を充填するように第3の電極層を形成する工程とを備える、半導体光素子の製造方法。 - 前記第2の樹脂層を形成する工程において、前記第2の樹脂層は、
前記第2の樹脂層の上面と前記半導体光導波路の上面との距離が前記半導体光導波路の高さよりも大きくなるように形成される、請求項1に記載された半導体光素子の製造方法。 - 前記第1の樹脂層を形成する工程において、前記第1の樹脂層は、
前記第1の樹脂層の上面が前記半導体光導波路の上面よりも高く、かつ、前記第1の樹脂層の上面と前記半導体光導波路の上面との距離が前記半導体光導波路の高さの1/2よりも小さくなるように形成される、請求項1または請求項2に記載された半導体光素子の製造方法。 - 前記溝を形成する工程において、前記溝の幅がその底面において前記第1の電極層の幅よりも小さくなるように形成される、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された半導体光素子の製造方法。
- 前記溝を形成する工程において、前記溝は前記基板の前記主面に対してほぼ垂直な内壁を有するように形成される、請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載された半導体光素子の製造方法。
- 前記第2の樹脂層を形成する工程の前に、
前記開口および前記第1の電極層を絶縁膜で覆う工程を備え、
前記絶縁膜は、前記溝を形成する工程において前記第1の電極層の上面の一部を露出させるように除去される、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された半導体光素子の製造方法。 - 前記開口を形成する工程において、前記開口の幅がその底面において前記半導体光導波路の幅よりも大きくなるように形成され、
前記第1の電極層を形成する工程において、前記第1の電極層の幅が前記半導体光導波路の幅よりも大きくなるように形成される、請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載された半導体光素子の製造方法。 - 基板の主面上に設けられた変調導波路と受動導波路と電極配線と、
前記変調導波路の上面に接する第1の電極層と、
前記変調導波路および前記受動導波路を埋め込むように設けられた第1の樹脂層と、
前記変調導波路および前記受動導波路の上部に設けられた第2の樹脂層と、
前記第2の樹脂層を貫通するように設けられた溝と、
前記溝の内壁を覆うように設けられた第2の電極層と、
前記第2の電極層の内側を充填するように設けられた第3の電極層とを備え、
前記電極配線が前記受動導波路の上部に設けられた箇所において、
前記第2の樹脂層は、前記第2の樹脂層の上面と前記受動導波路の上面との距離が前記受動導波路の高さよりも大きくなるように設けられている、半導体光素子。 - 前記第1の樹脂層の上面が前記変調導波路の上面よりも高く、かつ、
前記第1の樹脂層の上面と前記変調導波路の上面との距離が前記変調導波路の高さの1/2よりも小さくなるように設けられている、請求項8に記載された半導体光素子。 - 前記溝の下部における幅が、前記第1の電極層の幅よりも小さい幅であるように設けられている、請求項8または請求項9に記載された半導体光素子。
- 前記溝の内壁が、前記基板の前記主面に対してほぼ垂直になるように設けられている、
請求項8〜請求項10のいずれか一項に記載された半導体光素子。 - 前記第1の電極層の上面と前記第2の樹脂層の間に絶縁膜を備える、
請求項8〜請求項11のいずれか一項に記載された半導体光素子。
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