JP7065717B2 - 基板エッチング方法 - Google Patents
基板エッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7065717B2 JP7065717B2 JP2018133223A JP2018133223A JP7065717B2 JP 7065717 B2 JP7065717 B2 JP 7065717B2 JP 2018133223 A JP2018133223 A JP 2018133223A JP 2018133223 A JP2018133223 A JP 2018133223A JP 7065717 B2 JP7065717 B2 JP 7065717B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous carbon
- carbon film
- substrate
- etching method
- electrolytic solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
すなわち、従来の手法は、OHラジカルの生成量が非常に小さいので、エッチングレートが非常に低速となっており、所望されているエッチングレートとの乖離が大きいという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、金属を含むアモルファスカーボン膜が被着された基板をエッチングする基板エッチング方法において、前記アモルファスカーボン膜をアノード電極に接触させる工程と、前記アノード電極に対向する位置にカソード電極を配置する工程と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に過酸化水素水を含む電解液を供給して、前記アモルファスカーボン膜を前記電解液に浸漬させる工程と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加して、所定時間にわたって前記アモルファスカーボン膜のエッチングを行う工程と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板エッチング方法を実施する基板処理装置の概略構成を示す全体図である。
1 … 載置台
3 … アノード電極ユニット
5 … 排液回収カップ
7 … カソード電極ユニット
9 … 回転駆動ユニット
11 … 供給系
13 … 電源
15 … 制御部
17 … アノード電極
19 … 保持部
21 … カバー
23 … カソード電極
25 … メッシュ積層体
35 … 電動モータ
L1 … 窒化膜
L2 … 酸化膜
aL … アモルファスカーボン膜
M1 … マスク
M2 … マスク
Claims (6)
- 金属を含むアモルファスカーボン膜が被着された基板をエッチングする基板エッチング方法において、
前記アモルファスカーボン膜をアノード電極に接触させる工程と、
前記アノード電極に対向する位置にカソード電極を配置する工程と、
前記アノード電極と前記カソード電極との間に過酸化水素水を含む電解液を供給して、前記アモルファスカーボン膜を前記電解液に浸漬させる工程と、
前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印加して、所定時間にわたって前記アモルファスカーボン膜のエッチングを行う工程と、
を備えていることを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1に記載の基板エッチング方法において、
前記電解液は、アンモニア、塩酸、水酸化カリウム、硝酸のいずれか一つをさらに含むことを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1または2に記載の基板エッチング方法において、
前記金属は、タングステン、シリコン、アルミニウム、ニッケル、チタン、コバルトのいずれか一つであることを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板エッチング方法において、
前記電解液は、20~200℃に温調されていることを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板エッチング方法において、
前記電圧を印加する工程は、パルス電圧を連続して発生させる連続パルスによって電圧を印加することを特徴とする基板エッチング方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板エッチング方法において、
前記基板は、前記アモルファスカーボン膜を上方に向けた姿勢で前記各工程を実施されることを特徴とする基板エッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018133223A JP7065717B2 (ja) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 基板エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018133223A JP7065717B2 (ja) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 基板エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020013815A JP2020013815A (ja) | 2020-01-23 |
JP7065717B2 true JP7065717B2 (ja) | 2022-05-12 |
Family
ID=69170007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018133223A Active JP7065717B2 (ja) | 2018-07-13 | 2018-07-13 | 基板エッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7065717B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195835A (ja) | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2001358111A (ja) | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | ウェーハ洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003068698A (ja) | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびこれに用いる半導体装置の製造装置 |
JP2003213500A (ja) | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Ebara Corp | 基板処理装置および方法 |
JP2004342841A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Sharp Corp | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2010222605A (ja) | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 耐腐食性、耐エロージョン性および耐高温酸化性を有する部材の製造方法およびその部材を用いた発電機器 |
JP2016507157A (ja) | 2013-01-22 | 2016-03-07 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 基板からカーボン材料を除去する方法 |
JP2017516289A (ja) | 2014-02-10 | 2017-06-15 | レンセラール ポリテクニック インスティチュート | 半導体の選択的な電気化学エッチング |
-
2018
- 2018-07-13 JP JP2018133223A patent/JP7065717B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195835A (ja) | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2001358111A (ja) | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | ウェーハ洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003068698A (ja) | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびこれに用いる半導体装置の製造装置 |
JP2003213500A (ja) | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Ebara Corp | 基板処理装置および方法 |
JP2004342841A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Sharp Corp | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2010222605A (ja) | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 耐腐食性、耐エロージョン性および耐高温酸化性を有する部材の製造方法およびその部材を用いた発電機器 |
JP2016507157A (ja) | 2013-01-22 | 2016-03-07 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | 基板からカーボン材料を除去する方法 |
JP2017516289A (ja) | 2014-02-10 | 2017-06-15 | レンセラール ポリテクニック インスティチュート | 半導体の選択的な電気化学エッチング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020013815A (ja) | 2020-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10916455B2 (en) | Flattening method and flattening apparatus | |
CN208352256U (zh) | 用于等离子体处理装置的腔室部件及用于在设置有腔室部件的等离子体处理腔室中使用的装置 | |
TWI555121B (zh) | 填充互連結構的方法及裝置 | |
US20040226654A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US9752248B2 (en) | Methods and apparatuses for dynamically tunable wafer-edge electroplating | |
KR20220100826A (ko) | 반도체 프로세싱을 위한 대기압 플라즈마 장치 | |
JP7202230B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20190034080A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2016540369A (ja) | 多孔性のシリコン層を連続的に製造する装置および方法 | |
KR20160084449A (ko) | 자외선 처리를 이용하여 금속 하드마스크의 제거를 강화시키는 시스템 및 방법 | |
CN113134784B (zh) | 一种半导体晶圆无线光电化学机械抛光的方法及装置 | |
JP7084824B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7065717B2 (ja) | 基板エッチング方法 | |
KR20210122099A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US20060091005A1 (en) | Electolytic processing apparatus | |
US8268721B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
CN113614889A (zh) | 衬底处理方法及衬底处理装置 | |
JP2005213610A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
JP2021014599A (ja) | 半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
EP1508385B1 (en) | System for ultraviolet cleaning | |
JP2010165757A (ja) | ウエット処理装置 | |
JP2007113082A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
WO2020255772A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4409807B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2006066728A (ja) | 基板処理装置及びその方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7065717 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |