JP4409807B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板（以下、適宜基板）の表面に形成された膜を所定の厚さ除去する処理を施す基板処理装置、基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造において、製造時における不純物汚染は、半導体デバイスの信頼性に大きな影響を与える。したがって、例えば半導体配線やコンタクト形成のために、めっき等の成膜方法により全面に成膜された基板は、成膜成分と基板搬送部との接触に起因する他のプロセス装置の汚染を防止するために、基板周辺部の膜の除去が施されている。この膜の除去は、通常エッチング液を除去対象領域にのみ供給し、除去対象領域のみに除去処理が施されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この膜の除去処理では、エッチング幅や端部形状の制御が容易ではなく、また配線の多層化が進むにつれて工程数の増加に繋がるといった問題点がある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板周縁部の膜の除去を簡略化し、確実に除去することができる基板処理装置、基板処理方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の態様の基板処理装置１は、例えば図１、図２に示すように、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜された基板Ｗについて、基板表面ＷＡの膜３１、３４を全面にわたって同時に所定の厚さ除去する処理を施すことが可能な膜除去装置１１を備える。所定の厚さは、基板周縁部３２において、基板周縁部３２の膜３１の厚さ以上とするとよい。
【０００６】
このように構成すると、膜除去装置１１を備えるので、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜された基板Ｗについて、基板表面ＷＡの膜３１、３４を同時に全面にわたって所定の厚さｔ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部３２の膜３１を完全に除去するまで処理を行い、基板デバイス有効部３３に膜３４を残存させる処理を簡易に施すことができる。また、本発明の基板処理装置１は、基板表面ＷＡの膜３１、３４を全面にわたって同時に所定の均一な厚さ除去する処理を施すことが可能であるように構成するとよい。
【０００７】
第２の態様の基板処理装置１は、例えば図１に示すように、第１の態様の基板処理装置において、基板処理装置１が電解加工装置１とするとよい。
【０００８】
このように構成すると、基板処理装置１が電解加工装置１であるので、基板表面ＷＡに塑性変形による加工変質層や転移等の欠陥が発生せず、表面ＷＡの平坦度の高い品質のよい基板を製作することができる。
【０００９】
上記目的を達成するために、第３の態様の基板処理装置２０１は、第２の態様の基板処理装置において、例えば図４に示すように、電解加工装置２０１は、被加工物Ｗに近接自在な加工電極２１８と；被加工物Ｗに給電する給電電極２３６と；被加工物Ｗと加工電極２１８との間または被加工物Ｗと給電電極２３６との間の少なくとも一方に配置したイオン交換体２３５と；被加工物Ｗとイオン交換体２３５との間に流体２０２を供給する第１流体供給部２２９、２１７、２１９、２２０、２２８と；加工電極２１８と給電電極２３６との間に電圧を印加する電源２２３を有するようにするとよい。
【００１０】
このように構成すると、加工電極２１８と、給電電極２３６と、イオン交換体２３５と、電源２２３を備えるので、例えば流体２０２が液体であり純水である場合は、イオン交換体２３５によって水酸化物イオンと水素イオンに解離し、解離により生成された水酸化物イオンを、被加工物Ｗと加工電極２１８との間の電界により、さらに被加工物Ｗとイオン交換体２３５との間に供給された純水２０２の流れにより、被加工物Ｗの加工電極２１８と対面する表面ＷＡに供給して、当該表面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、被加工物Ｗの原子と水酸化物イオンの反応を起こさせる。この反応によって生成された反応物質は、純水２０２中に溶解し、いくらかはイオン交換体２３５中に蓄積し、被加工物Ｗから除去される。これにより、被加工物Ｗの表面層の除去加工が行われる。この方法では、被加工物Ｗの加工電極２１８と対面する表面ＷＡが加工されるので、イオン交換体２３５が被加工物Ｗの表面層に沿って移動するように加工電極２１８を移動させることで、被加工物Ｗの表面ＷＡを所望の厚さだけ除去し、あるいは所望の表面形状に加工することができる。
【００１１】
イオン交換体は１層または積層構造で配置するものとしてもよい。このように構成すると、イオン交換体として薄膜を用い、かつイオン交換体の容量を増やすことができる。またイオン交換体の性質を層毎に変えてもよい。例えば層毎に硬さを変える。そのようにするときは電解加工装置の特性を自在に変化させることができる。
【００１２】
なお、電源は異なる一定の電圧を印加し、または異なる一定の電流が流れるように所定の電圧を印加することが可能な電源としてもよい。このようにすると、加工量（加工厚さ）もしくは加工終点の制御が容易となる。典型的には、被加工物は、基板表面ＷＡに形成された膜である。
【００１３】
上記目的を達成するために、第４の態様の基板処理装置１は、第２の態様の基板処理装置において、例えば図１に示すように、電解加工装置１は、被加工物Ｗに近接自在な加工電極１８と；被加工物Ｗに給電する給電電極Ｗ（２３６（図４参照））と；被加工物Ｗと加工電極１８との間、または被加工物Ｗと給電電極２３６との間の少なくとも一方に流体２を供給する第２流体供給部２９、１７、１９、２０、２８と；加工電極１８と給電電極Ｗ（２３６）との間に電圧を印加する電源２３を有するようにするとよい。
【００１４】
このように構成すると、加工電極１８と、給電電極Ｗ（２３６（図４参照））と、電源２３を備えるので、例えば流体２が液体であり純水である場合は、加工電極１８と、給電電極Ｗ（２３６）とによって水酸化物イオンと水素イオンに解離し、解離により生成された水酸化物イオンを、被加工物Ｗと加工電極１８との間の電界により、さらに被加工物Ｗと加工電極１８との間、被加工物Ｗと給電電極Ｗ（２３６（図４参照））との間に供給された純水２の流れにより、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する表面ＷＡ、あるいは被加工物Ｗの給電電極２３６と対面する表面ＷＡに供給して、当該表面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、被加工物Ｗの原子と水酸化物イオンの反応を起こさせる。この反応によって生成された反応物質は、純水２中に溶解し、被加工物Ｗから除去される。これにより、被加工物Ｗの表面層の除去加工が行われる。この方法では、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する表面ＷＡが加工されるので、被加工物Ｗの表面層に沿って移動するように加工電極１８、あるいは加工電極１８と給電電極Ｗ（２３６）とを移動させることで、被加工物Ｗの表面ＷＡを所望の厚さだけ除去し、あるいは所望の表面形状に加工することができる。
【００１５】
第５の態様の基板処理装置は、第３の態様または第４の態様の基板処理装置において、例えば図４に示すように、流体２０２は、超純水、純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体２０２または電解液２０２とするとよい。なお、本発明で述べる電気伝導度は、１ａｔｍ、２５℃の換算値である。
【００１６】
このように構成すると、被加工面ＷＡに不純物を残さない清浄な加工を行うことができ、これにより、電解加工後の洗浄を簡素化することができる。
【００１７】
流体２０２を電解液２０２とすれば加工レートを高く取ることができる。流体２０２を電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体２０２とすれば、加工レートが電解液２０２の場合より落ちるものの不純物の少ない液体２０２での加工が可能となり、純水２０２とすればさらに清浄度の高い処理が可能となる。なお、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体２０２、純水２０２の場合でも、イオン交換体２３５を備えるので、加工レートを維持することができる。
【００１８】
なお、第２の態様の基板処理装置１では、例えば図１に示すように、電解加工装置１が、被加工物Ｗに近接自在な加工電極１８と、被加工物Ｗに給電する給電電極Ｗと、純水２、または電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体２を供給する流体供給部２９、１７、１９、２０、２８と、加工電極１８と給電電極Ｗとの間に電圧を印加する電源２３とを有する電解加工装置１を用いて行うものとしてもよい。
【００１９】
このように構成すると、加工電極１８と、給電電極Ｗと、電源２３を備えるので、供給された純水２、または電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体２中の水酸化物イオンを、被加工物Ｗと加工電極１８との間の電界により、さらに供給された純水２、または流体２の流れにより、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する表面ＷＡに供給して、当該表面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、被加工物Ｗの原子と水酸化物イオンの反応を起こさせる。この反応によって生成された反応物質は、純水２、または流体２中に溶解し、いくらかはイオン交換体２３５中に蓄積し、被加工物Ｗから除去される。これにより、被加工物Ｗの表面層の除去加工が行われる。この方法では、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する部位が加工されるので、加工電極１８を移動させることで、被加工物Ｗの表面ＷＡを所望の厚さだけ除去し、あるいは所望の表面形状に加工することができる。
【００２０】
第６の態様の基板処理装置は、第１の態様の基板処理装置において、例えば図６に示すように、基板処理装置３０１が、化学的エッチング装置３０１とするとよい。
【００２１】
このように構成すると、基板処理装置３０１が化学的エッチング装置３０１であるので、基板表面ＷＡに塑性変形による加工変質層や転移等の欠陥が発生せず、表面ＷＡの平坦度の高い品質のよい基板Ｗを製作することができる。
【００２２】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明による基板処理方法は、例えば、図１、図２に示すように、半導体基板Ｗの表面ＷＡの全面にシード層３１を形成し、基板周縁部３２を除いた部分である基板デバイス有効部３３にシード層３１より厚くめっき層３４を形成することによって基板周縁部３２と基板デバイス有効部３２との間に段差を持つように成膜し、半導体基板Ｗの基板周縁部３２のシード層３１を除去する基板処理方法であって；基板周縁部３２のシード層３１及びめっき層３４の全体に加工液２を供給し、基板周縁部３２のシード層３１及びめっき層３４の全体を、同時に所定の厚さ、基板周縁部３２のシード層３１が除去され残存しなくなるまで除去することで、基板周縁部３２のシード層３１を選択的に剥離する。
【００２３】
基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜する工程は、典型的には、基板表面ＷＡの全面に第１の膜３１を成膜する工程と、基板表面ＷＡの基板デバイス有効部３３に第２の膜３４を成膜する工程からなる。基板表面ＷＡの膜３４、３１を全面にわたって同時に所定の厚さ除去する基板処理工程は、例えば、基板表面ＷＡの膜３４、３１を全面にわたって一様処理加工速度で加工し、基板周縁部３２の第１の膜３１を除去したら基板処理を終了することにより行なってもよい。基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜されているので、基板周縁部３２の第１の膜３１を除去しても、基板デバイス有効部３３に第２の膜３４の一部は残存している。よって、基板周縁部３２の第１の膜３１を選択的に除去することができる。処理加工は、電解加工であってもよいし、化学的エッチング加工であってもよい。
【００２４】
請求項２に係る発明による基板処理方法は、請求項１記載の基板処理方法において、例えば図４に示すように、前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する工程が電解加工工程である。
【００２５】
請求項３に係る発明による基板処理方法は、請求項２記載の基板処理方法において、例えば図４に示すように、前記電解加工工程は、半導体基板Ｗに加工電極２１８を近接させる工程と；半導体基板Ｗに給電する給電電極２３６を提供する工程とを備え；半導体基板Ｗと加工電極２１８との間または半導体基板Ｗと給電電極２３６との間の少なくとも一方にはイオン交換体２３５が配置されており；半導体基板Ｗとイオン交換体２３５との間に加工液１０２を供給する供給工程と；加工電極２１８と給電電極２３６との間に電圧を印加する工程をさらに備え；加工液２０２が、水、純水、超純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の電解液のいずれかである。
請求項４に係る発明による基板処理方法は、請求項２記載の基板処理方法において、例えば図１に示すように、前記電解加工工程は、半導体基板Ｗに加工電極１８を近接させる工程と；半導体基板Ｗに給電する給電電極Ｗを提供する工程と；半導体基板Ｗと加工電極１８との間、または半導体基板Ｗと給電電極Ｗとの間の少なくとも一方に加工液２を供給する供給工程と；加工電極１８と給電電極Ｗとの間に電圧を印加する工程とを備え；加工液２が、水、純水、超純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の電解液のいずれかである。
請求項５に係る発明による基板処理方法は、請求項１記載の基板処理方法において、例えば図６に示すように、前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する工程が化学的エッチング工程である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００２７】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置としての電解加工装置１の概略構成を示す断面ブロック図である。電解加工装置１は、膜除去装置１１を備える。膜除去装置１１は、加工電極１８を保持する電極保持部１２と、電極保持部１２に取り付けた電極回転軸１３と、被加工物としての基板Ｗ（例えば、Ｃｕ膜をめっき処理されたウェハ）を吸着保持し、電極保持部１２の下方に配置された基板保持部１４と、基板保持部１４に取り付けた基板回転軸１５とを含んで構成される。本実施の形態では、後述のように基板Ｗが給電電極の働きをなす。電解加工装置１は、さらに加工電極１８と基板Ｗとの間に電圧を印加する電源２３を備える。電極保持部１２は、後述のように基板保持部１４に対して相対的に運動している。
【００２８】
電解加工装置１は、さらに基板保持部１４を、基板回転軸１５を介して回転（基板回転軸１５の中心線回りの回転）（回転Ｌ）させる基板回転手段としての中空モータ４１と、電極保持部１２を電極回転軸１３を介して垂直線回りに偏心回転（回転Ｕ）させる電極回転手段としての中空モータ４２と、電極保持部１２を基板保持部１４の真上の位置に向け揺動させ、または電極保持部１２を基板保持部１４の真上の位置から水平に揺動させる電極揺動手段としての揺動アーム４３および揺動軸４４および揺動用モータ４５と、電極保持部１２を基板保持部１４から上方に離れる方向に上昇させ、あるいは基板保持部１４の方向に下方に近づくように下降させる上昇下降手段としての、ボールネジ４６および上下動用モータ４７と、流体としての加工液２を供給する流体供給手段としての加工液供給手段（不図示）とを備える。揺動アーム４３は、揺動軸４４を中心として揺動用モータ４５に駆動されて電極保持部１２を揺動する。ボールネジ４６は上下動用モータ４７に駆動され揺動軸４４、揺動アーム４３、電極保持部１２を上昇、下降させる。
【００２９】
電極保持部１２は、略円板形状を有し、水平に配置されている。電極保持部１２の下面１２Ｂの外周部には、外周壁１６が形成されている。電極保持部１２の下面１２Ｂには、外周壁１６によって凹部１７が形成されている。外周壁１６の先端部には、円板形状の加工電極１８が水平に取り付けられている。電極保持部１２の中心には貫通孔１９が形成されている。加工電極１８には、加工液２を基板Ｗに供給する貫通孔２９が多数形成されている。加工電極１８の半径は、基板Ｗの半径より大きく形成されている。
【００３０】
電極保持部１２の上面１２Ａには、中空円柱形状の電極回転軸１３が垂直に取り付けられている。電極回転軸１３には、中空路２０が形成され、中空路２０は電極保持部１２の貫通孔１９に連通している。電極回転軸１３の上端１３Ａには中空モータ４２が接続され、中空モータ４２の中空部４２Ｃは、中空路２０に連通している。揺動アーム４３の中空モータ４２との接続部には中空部４８（図中破線にて表示）が加工され、中空部４８は中空部４２Ｃに連通している。中空モータ４２は、揺動アーム４３の下面４３Ａの自由端４３Ｃ近傍に接続されている。
【００３１】
加工電極１８の上面１８Ａに接続された配線２４は、凹部１７と貫通孔１９と中空路２０と中空部４２Ｃと中空部４８とを通り、揺動アーム４３の上面４３Ｂに設けられたスリップリング２６を通り、さらに揺動アーム４３と揺動軸４４に形成された中空部３９（図中破線にて表示）とを通り、電源２３に接続される。電極回転軸１３には、第２流体供給部としての（あるいは流体供給部としての）加工液供給口２８が形成され、加工液供給手段（不図示）が、電極回転軸１３の加工液供給口２８に加工液２を供給する。
【００３２】
基板保持部１４は、円板形状を有し、水平に配置されている。基板保持部１４は、被加工物である基板Ｗを上面１４Ａに吸着保持する。基板保持部１４の中心には、貫通孔２１が形成されている。
【００３３】
基板保持部１４の下面１４Ｂには、中空円柱形状の基板回転軸１５が垂直に取り付けられている。基板回転軸１５には、中空路２２が形成され、中空路２２は基板保持部１４の貫通孔２１に連通している。基板回転軸１５の下端１５Ｂには中空モータ４１が接続されている。中空モータ４１の中空部４１Ｃは、中空路２２に連通している。
【００３４】
基板Ｗ４の下面ＷＢに接続された配線２５は、貫通孔２１と中空路２２と中空部４１Ｃとを通り、中空モータ４１の下面４１Ｂに取り付けられたスリップリング２７を通り、通り電源２３に接続される。本実施の形態の電解加工装置１は、基板Ｗに直接給電を行う直接給電型である。なお、基板Ｗは、加工電極１８に平行に配置されている。
【００３５】
図２（Ａ）に示すように、基板保持部１４の上面１４Ａ（図１参照）に吸着保持される基板Ｗは、厚さの薄い略円板形状をし、上面ＷＡの全体にわたり、膜としての、あるいは第１の膜としてのシード層３１（例えば、銅シード）が形成され、基板表面ＷＡの基板周縁部３２を除いた基板デバイス有効部３３に膜としての、あるいは第２の膜としてのめっき層３４（例えば、銅めっき）が形成されている。典型的には、めっき層３４はシード層３１よりも厚く形成されている。また、基板Ｗは、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜されている。なお、図２において、シード層３１とめっき層３４の厚さは実際よりも厚く描かれている。
【００３６】
次に、図１を参照し、本実施の形態の電解加工装置１の作用について説明する。
基板Ｗが基板保持部１４の上面１４Ａに載置され、吸着保持される。揺動用モータ４５が揺動軸４４を介して揺動軸４４を中心に揺動アーム４３を揺動し、電極保持部１２が、揺動アーム４３によって水平に揺動され、基板保持部１４の真上に位置する。そして上下動用モータ４７がボールネジ４６を回転させ、揺動軸４４を下降させ、揺動軸４４が揺動アーム４３を介して電極保持部１２を基板保持部１４に向けて下降させ、基板Ｗの上面ＷＡが加工電極１８の下面１８Ｂに接近する。
【００３７】
加工液供給手段（不図示）によって、加工液供給口２８に加工液２が供給され、加工液２は、中空部２０、貫通孔１９、凹部１７、貫通孔２９を通り、基板Ｗの上面ＷＡに全体にわたり供給される。また、加工液２は、加工電極１８の基板Ｗとの対抗面１８Ｂ全体から供給される。そして、電源２３によって加工電極１８と基板Ｗとの間に電圧が印加される。本実施の形態では、加工電極１８側が陰極に、基板Ｗ側が陽極になるように電圧が印加される。そして、中空モータ４２によって電極回転軸１３を介して電極保持部１２が一定の角速度で偏心回転（回転Ｕ）し、中空モータ４１によって基板回転軸１５を介して基板保持部１４が一定の角速度で回転（回転Ｌ）する。中空モータ４１、中空モータ４２は、電極保持部１２、基板Ｗを、加工電極１８が一定の周期で基板Ｗの上面ＷＡ全体を加工するようにそれぞれ偏心回転、回転させ、一様な加工速度でシード層３１、めっき層３４の除去加工が行われるようにするとよい。なお、加工電極１８が偏心回転し、基板Ｗが回転するので、加工電極１８は基板Ｗに対して相対運動する。
【００３８】
次に、上下動用モータ４７がボールネジ４６をさらに回転させることにより、電極保持部１２がさらに下降し、加工電極１８と基板Ｗの上面ＷＡとが僅かに離れて対向し、基板Ｗの処理、すなわち基板Ｗのめっき層３４、シード層３１の電解加工が行われる。
【００３９】
加工電極１８の下面１８Ｂと、被加工物としての、あるいは給電電極としての基板Ｗの、上面ＷＡとが対向して近接して配置されているので、加工液２として、例えば水、純水、超純水のいずれかである液体を使用した場合は、水分子が水酸化物イオン（ＯＨ−）と水素イオン（Ｈ＋）に解離し、生成された水酸化物イオンは、液体の流れによって、基板Ｗと加工電極１８との間の電界により、基板Ｗ上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度が高まり、めっき層３４の原子と水酸化物イオンの反応、およびシード層３１の原子と水酸化物イオンの反応を起こすことができる。これらの反応によって生成された反応物質は、基板Ｗから除去される。これにより、めっき層３４とシード層３１の除去加工が行われる。
【００４０】
図２（Ｂ）に示すように、基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で、基板Ｗの処理加工を終了する。図中、破線で描かれた線が、処理を行う前の基板の表面を示している。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される処理加工が施されている。よって、基板周縁部３２のシード層３１が除去され、一方、基板デバイス有効部３３上のめっき層３４は残存している。したがって、基板周縁部３２のシード層３１の選択的剥離を行うことができる。
【００４１】
よって、本実施の形態では、基板表面ＷＡ上の成膜除去端は、基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との境界部となるため、成膜除去幅はおのずと確定する。いわゆるベベル電解加工を基板デバイス有効部３３の加工と同時に行えるため、プロセス数の低減を図ることができる。基板周縁部３２のシード層３１の剥離を行う除去工程を簡略化すると共に、電界加工領域の制御を行うことなく基板周縁部３２の加工を行うことができる。
【００４２】
次に、上下動用モータ４７がボールネジ４６を逆転させることにより電極保持部１２を上昇させ、中空モータ４２による電極保持部１２の回転（回転Ｕ）、および中空モータ４１による基板保持部１４の回転（回転Ｌ）を終了する。また、電源２３により電圧の印加を終了し、揺動用モータ４５が揺動軸４４を介して揺動アーム４３を揺動させることにより電極保持部１２を基板保持部１４の上方の位置から水平に揺動させ、基板Ｗを基板保持部１４から取り外す。
【００４３】
加工液２として、水、純水、超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは５０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは１０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは０．１μＳ／ｃｍ以下にした液体を使用することで、基板表面ＷＡに不純物あるいは加工表面への吸着性の強い双極分子を残さない清浄な加工さらに加工面の粗れの低減を行うことができ、これにより電解加工後の基板Ｗの洗浄工程を簡素化することができる。本明細書に示す液体の電気伝導度は、２５℃、１ａｔｍでの数値である。
【００４４】
さらに、加工液２としてＮａＣｌやＮａ２ＳＯ４等の中性塩、ＨＣｌやＨ２ＳＯ４等の酸、さらにはアンモニア等のアルカリ等の電解液も使用でき、被加工物の特性によって、適宜選択して使用するとよい。
【００４５】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置としての電解加工装置１０１の概略構成を示す断面ブロック図である。本実施の形態の電解加工装置１０１は、第１の実施の形態の電解加工装置１（図１参照）と較べて、加工電極１１８の下面１１８Ｂの全体を覆ってイオン交換体１３５が取り付けられている点が相違するが、その他の点は構造上同一である。なお、本実施の形態の電解加工装置１０１も、基板Ｗに直接給電を行う直接給電型である。また、第１の実施の形態と同様に、膜除去装置１１を備える。さらに、第１の実施の形態と同様に、第１流体供給部としての（あるいは流体供給部としての）加工液供給口１２８から加工液１０２が供給され、電源１２３によって加工電極１１８と基板Ｗとの間に電圧が印加され、図２に示す基板Ｗが加工処理される。
【００４６】
なお、図３中、電極回転軸１１３に接続され、電極保持部１１２を回転させる中空モータ、揺動アーム、揺動軸、揺動用モータ、揺動アームに取り付けられるスリップリング、基板回転軸１１５に接続され、基板保持部を回転させる中空モータ、この中空モータに取り付けられるスリップリング、ボールネジ、上下動用モータの記載を省略している。
【００４７】
本実施の形態の電解加工装置１０１は、イオン交換体１３５を備えるので、上昇下降手段（不図示）が基板Ｗの処理加工に際し、電極保持部１１２がイオン交換体１３５を基板Ｗの上面ＷＡに接触するまで下降させる。
【００４８】
電解加工装置１０１の作用は、さらに第１の実施の形態の電解加工装置１（図１参照）と較べて、イオン交換体１３５を備えることによる以下の作用が相違する。
本実施の形態の電解加工装置１０１は、加工液１０２として、例えば水、純水、超純水のいずれかである液体を供給した場合は、供給された液体は基板Ｗとイオン交換体１３５との間を流れ、イオン交換体１３５が液体を効率よく解離させ、多量の水酸化物イオン、水素イオンを発生させる。そして、加工液１０２の流れによって、基板Ｗと加工電極１１８との間の電界により、基板Ｗ上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、めっき層３４の原子と水酸化物イオンの反応、およびシード層３１の原子と水酸化物イオンの反応を起こすことができる。イオン交換体１３５により多量の水酸化物イオンを発生させるので、基板上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度をより高めることができ、基板Ｗの上面ＷＡの全面にわたって、シード層３１とめっき層３４から同時に所定の均一な厚さを除去する処理を施す効率のよい電解加工をすることができ、加工時間を短縮することができる。所定の厚さとは少なくとも基板周縁部３２のシード層３１を除去する厚さである。
【００４９】
イオン交換体１３５は１層構造であってもよいし多層の積層構造であってもよい。電解反応により加工生成物（水酸化物やイオン）のいくらかは、部材表面および部材の内部に蓄積されるが、その蓄積量は部材の蓄積容量（イオン交換体ではイオン交換容量）に依存する。蓄積される加工生成物の量が、部材の蓄積容量を超える場合、蓄積された加工生成物の形態が変化することがあり、それが加工速度およびその分布に影響を与える可能性がある。したがって、加工生成物の部材内に、蓄積容量以上に蓄積させない、もしくは蓄積した加工生成物を部材外に除去する必要がある。部材の蓄積は部材の蓄積容量を増加させるものである。
【００５０】
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置としての電解加工装置２０１の概略構成を示す断面ブロック図である。
【００５１】
本実施の形態の電解加工装置２０１は、電解加工装置１０１と同様に、電極保持部２１２、基板保持部２１４、加工電極２１８、イオン交換体２３５を含んで構成され、加工電極２１８の下面２１８Ｂの全体を覆ってイオン交換体２３５が取り付けられている。電極保持部２１２の下面２１２Ｂには、外周壁２１６によって凹部２１７が形成されている。電極保持部２１２の中心には貫通孔２１９が形成されている。
【００５２】
さらに、加工電極２１８には、流体としての加工液２０２を基板Ｗに供給する貫通孔２２９が多数形成されている。電極保持部２１２の上面２１２Ａには、中空円柱形状の電極回転軸２１３が垂直に取り付けられている。電極回転軸２１３には、中空路２２０が形成され、中空路２２０は電極保持部２１２の貫通孔２１９に連通している。電極回転軸２１３には、加工液供給口２２８が形成され、加工液供給口２２８は中空路２２０に連通している。加工液供給口２２８に供給された加工液２０２は、中空路２２０、貫通孔２１９、凹部２１７、貫通孔２２９を通り、加工電極２１８の基板Ｗに対抗する面２１８Ｂの全体から供給される。なお、本実施の形態では、第２の実施の形態と同様に、図２に示す基板Ｗが加工処理される。
【００５３】
なお、図４中、電極回転軸２１３に接続され、電極保持部２１２を回転させる中空モータ、揺動アーム、揺動軸、揺動用モータ、揺動アームに取り付けられるスリップリング、基板回転軸２１５に接続され、基板保持部２１４を回転させるモータ、ボールネジ、上下動用モータの記載を省略している。
【００５４】
本実施の形態の電解加工装置２０１の構成は、第２の実施の形態の電解加工装置１０１（図３参照）の構成と、以下の相違点以外は同一である。
【００５５】
本実施の形態の電解加工装置２０１では、基板回転軸２１５に、中空路は形成されておらず、基板回転軸２１５は、中実構造である。基板回転軸２１５に接続される基板保持部２１４を回転させるためのモータ（図４に不図示）には、中空部が形成されておらず、スリップリングは取り付けられていない。揺動アーム（図４に不図示）、および揺動軸（図４に不図示）には、配線が通る中空部は形成されていない。
【００５６】
電解加工装置１０１では、前述のように加工電極１１８が電極保持部１１２に取り付けられ、基板保持部１１４に吸着保持された基板Ｗが給電電極として作用している（図３参照）。しかし、電解加工装置２０１では、加工電極２１８と給電電極２３６が共に電極保持部２１２に取り付けられ、電極保持部２１２上の加工電極２１８と給電電極２３６との間には絶縁部２３７が設けられている。本実施の形態の電解加工装置２０１は、いわゆる片側給電型である。
【００５７】
給電電極２３６に接続された配線２２５は、加工電極２１８に接続された配線２２４と共に、凹部２１７と、貫通孔２１９と、中空路２２０と、電極保持部２１２回転用の中空モータ（不図示）に形成された中空部（不図示）と、揺動アーム（不図示）に形成された中空部（不図示）とを通り、さらに揺動アームの上面に設けられたスリップリング（不図示）を通り、そのまま電源２２３に接続される。
【００５８】
図５に示すように、加工電極２１８は、一例として略扇型の３個の加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅからなり、給電電極２３６は、略扇型の３個の給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅからなるようにし、加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅとを、円周方向交互に配置するとよい。絶縁部２３７は、電極保持部２１２の中心部に配置された部分２３７Ａと、さらに加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅとの間に放射状に配置された部分２３７Ｂを有するようにするとよい。加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極２３６Ｃ〜Ｅには、加工液２０２が流れる貫通孔２２９をそれぞれ形成するとよい。図中、加工電極部品２１８Ｃに形成された貫通孔２２９のみを示す。他の加工電極部品２１８Ｄ、Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅには、図示しないが加工電極部品２１８Ｃと同じように貫通孔２２９が形成されている。
【００５９】
図４、図５に示すように、加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅとには、それぞれ配線が接続され、加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅ用の３本の配線（１本のみ図示）は１本の配線２２４にまとまり、給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅ用の３本の配線（１本のみ図示）は１本の配線２２５にまとまり、配線２２４、２２５は、凹部２１７から貫通孔２１９、中空路２２０を経て、スリップリング（不図示）を介して電源２２３に接続される。
【００６０】
本実施の形態の電解加工装置２０１は、電解加工装置１０１（図３参照）とほぼ同様に作用するが、基板保持部２１４上に保持する基板Ｗは、給電電極として働いてはいない点が異なる。
【００６１】
本実施の形態の電解加工装置２０１は、イオン交換体２３５を備えるので効率のよい電解加工を行うことでき、さらに基板Ｗを給電電極として使用していないので、導電性の基板Ｗだけでなく、非導電性の基板Ｗの上に導電性膜が形成された基板Ｗの処理加工をすることができる。
【００６２】
なお、図１を参照し前述した第１の実施の形態の電解加工装置１において、電極保持部１２に円板形状の加工電極１８を取り付ける代わりに、図５に示すように、例えば、加工電極部品と給電電極部品を円周方向交互に並べた円板形状の電極（加工電極および給電電極）を取り付け、直接給電型とする代わりに片側給電型としてもよい。
【００６３】
この場合、各加工電極部品に接続された配線２４と、各給電電極部品に接続された配線２５とは、共に、凹部１７と貫通孔１９と中空路２０と中空部４２Ｃと中空部４８とを通り、揺動アーム４３の上面４３Ｂに設けられたスリップリング２６を通り、電源２３に接続される。したがって、配線２５は、基板Ｗ４の下面ＷＢに接続されない。
【００６４】
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置としての化学的エッチング装置３０１の概略構成を示す断面ブロック図である。本実施の形態の化学的エッチング装置３０１は、化学的エッチング装置であり、加工液の代わりにエッチング液３０２を使用し、第１の実施の形態の電解加工装置１（図１参照）と較べて、以下の構成上の相違点を有する。また、第１の実施の形態と同様に、図２に示す基板Ｗがエッチング加工処理される。
【００６５】
化学的エッチング装置３０１は膜除去装置３１１を備え、膜除去装置３１１は、加工ヘッド保持部３１２を有し、加工ヘッド保持部３１２は、円板形状の加工ヘッド３１８を保持する。加工ヘッド保持部３１２には、加工ヘッド３１８を回転させる加工ヘッド回転軸３１３が取り付けられている。加工ヘッド保持部３１２、加工ヘッド回転軸３１３、加工ヘッド３１８は、それぞれ電極保持部１２、電極回転軸１３、加工電極１８（図１参照）と同様の形状に形成されている。加工ヘッド回転軸３１３は、電極回転軸１３（図１参照）と同様に加工ヘッド３１８を回転させる。加工ヘッド３１８には、エッチング液３０２を通し基板Ｗの上面ＷＡ全体に供給する多数の貫通孔３２９が形成されている。
【００６６】
化学的エッチング装置３０１は、電源を備えず、加工ヘッド３１８と基板Ｗとの間に電圧は印加されていない。したがって、配線を有せず、スリップリングは設けられておらず、基板Ｗを保持する基板保持部３１４に取り付けられた基板回転軸３１５には配線を通すための中空路は形成されていない。
【００６７】
化学的エッチング装置３０１は、さらに基板回転軸３１５に取り付けられた基板保持部３１４を、基板回転軸３１５を介して回転（基板回転軸３１５の中心線回りの回転）（回転Ｌ）させる基板回転手段としてのモータ３４１と、加工ヘッド回転軸３１３に取り付けられた加工ヘッド保持部３１２を垂直線回りに偏心回転（回転Ｕ）させる加工ヘッド回転手段としてのモータ３４２と、加工ヘッド保持部３１２を基板保持部３１４の真上の位置に向け揺動させ、または加工ヘッド保持部３１２を基板保持部３１４の真上の位置から水平に揺動させる加工ヘッド揺動手段としての揺動アーム３４３、揺動軸３４４、揺動用モータ３４５と、加工ヘッド保持部３１２を基板保持部３１４から上方に離れる方向に上昇させ、あるいは基板保持部３１４の方向に下方に近づくように下降させる上昇下降手段としてのボールネジ３４６、上下動用モータ３４７と、基板回転軸３１５に流体としてのエッチング液３０２を供給する流体供給手段としてのエッチング液供給手段（不図示）とを備える。揺動アーム３４３は、揺動軸３４４を中心として揺動用モータ３に駆動されて電極保持部３１２を揺動する。ボールネジ３４６は上下動用モータ３４７に駆動され揺動軸３４４、揺動アーム３４３、電極保持部３１２を上昇、下降させる。
【００６８】
本実施の形態の化学的エッチング装置３０１の作用は、電解加工装置１の作用と以下の点で相違する。すなわち、加工液の代わりにエッチング液３０２が供給されること、加工ヘッド３１８と基板Ｗの間に電圧が印加されないことが相違する。
【００６９】
さらに、本実施の形態の化学的エッチング装置３０１は、例えば銅めっき基板においては、図２に示す、シード層３１（銅シード）とめっき層３４（銅めっき）の形成された基板をエッチング処理する。エッチング液３０２としては、銅を溶解させる働きにある、酸化性のある酸（例えば、ＨＮＯ３溶液）、酸化剤と酸を組み合わせたもの（例えば、Ｈ２Ｏ２とＨＦ溶液）、アルカリ液（例えば、濃ＮＨ４ＯＨ）、有機酸溶液、有機アルカリ溶液を用いるとよい。
【００７０】
本実施の形態では、エッチング液３０２により、基板Ｗのシード層３１とめっき層３４を一様なエッチング加工速度でエッチング処理される。また、図２（Ｂ）に示すように、基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で基板Ｗのエッチング処理加工を終了する。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される。よって、基板周縁部３２のシード層３１が除去され、一方、基板デバイス有効部３３上のめっき層３４は残存している。
【００７１】
よって、本実施の形態の化学的エッチング装置３０１によれば、基板Ｗの基板周縁部３２のシード層３１の除去を簡略化し、確実に除去することができる。また、基板表面ＷＡ上の成膜除去端は、基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との境界部となるため、成膜除去幅はおのずと確定する。いわゆるベベルエッチングを基板デバイス有効部３３の加工と同時に行えるため、プロセス数の低減を図ることができる。
【００７２】
なお、上記の第１から第４に実施の形態では、下方に配置した基板保持部により基板を吸着保持し、上方に配置した電極保持部あるいは加工ヘッド保持部により加工電極あるいは加工ヘッドを保持し、基板の上面を加工電極あるいは加工ヘッドの下面で加工するいわゆるフェイスアップ型であるとして説明した。しかし、上方に配置した基板保持部により基板を吸着保持し、下方に配置した電極保持部あるいは加工ヘッド保持部により加工電極あるいは加工ヘッドを保持し、基板の下面を加工電極あるいは加工ヘッドの上面で加工するいわゆるフェイスダウン型であってもよい。
【００７３】
上記の第１から第４に実施の形態では、電極保持部あるいは加工ヘッド保持部が、垂直線回りに偏心回転（回転Ｕ）するものとして説明したが、電極保持部あるいは加工ヘッド保持部は、スクロール運動、往復運動するものであってもよい。スクロール運動、往復運動により加工電極あるいは加工ヘッドは、基板の対向する表面全体を周期的に加工するようにする。
【００７４】
次に、第５の実施の実施の形態に係る電解加工方法を適宜図２、図３を参照して説明する。
【００７５】
本実施の形態の電解加工方法では、一例として銅めっき基板の場合は、基板表面ＷＡの全面にシード層３１を形成する。次に、基板表面ＷＡの基板デバイス有効部３３にめっき層３４を形成する。よって、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜される。基板Ｗを加工電極１１８に近接させ、基板Ｗと加工電極１１８との間にイオン交換体１３５が位置するようにする。基板Ｗとイオン交換体１３５とが接触するように、基板Ｗ、イオン交換体１３５、加工電極１１８を配置するとよい。基板Ｗとイオン交換体１３５との間に加工液１０２を供給する。加工液１０２は基板Ｗとイオン交換体１３５の間の全面に広がるように供給するとよい。次に、電源１２３により加工電極１１８と基板Ｗとの間に電圧を印加する。このようにすると基板Ｗが給電電極として作用し、給電電極が提供されたことになる。そして、加工電極１１８を基板Ｗに対して相対的に移動させる。このときイオン交換体１３５を加工電極１１８と一体に移動するとよい。また、加工電極１１８とイオン交換体１３５とを基板Ｗの被加工面ＷＡ全体にわたり周期的に移動させるとよい。
【００７６】
基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で基板Ｗの処理加工を終了する。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される処理加工が施されている。
【００７７】
水分子が水酸化物イオン（ＯＨ−）と水素イオン（Ｈ＋）に解離し、生成された水酸化物イオンは、加工液１０２の流れによって、基板Ｗと加工電極１１８との間の電界により、基板Ｗ上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、めっき層３４の原子と水酸化物イオンの反応、およびシード層３１の原子と水酸化物イオンの反応を起こすことができる。反応によって生成された反応物質は、加工液１０２中に溶解し基板Ｗの被加工面に沿った加工液１０２の流れによって基板Ｗから除去される。これにより、めっき層３４とシード層３１の除去加工が行われる。
【００７８】
加工液として、水、純水、超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは５０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは１０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは０．１μＳ／ｃｍ以下にした液体を使用することで、基板表面ＷＡに不純物を残さない清浄な加工を行うことができ、これにより電解加工後の基板Ｗの洗浄工程を簡素化することができる。ここに示す液体の電気伝導度は、２５℃、１ａｔｍでの数値である。
【００７９】
次に、第６の実施の形態に係る電解加工方法を適宜図２、図４を参照して説明する。
【００８０】
本実施の形態の電解加工方法では、一例として銅めっき基板の場合は、基板表面ＷＡの全面にシード層３１を形成する。次に、基板表面ＷＡの基板デバイス有効部３３にめっき層３４を形成する。よって、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜される。基板Ｗを加工電極２１８と給電電極２３６とに近接させ、基板Ｗと加工電極２１８の間、基板Ｗと給電電極２３６の間にイオン交換体２３５が位置するようにする。基板Ｗとイオン交換体２３５との間に流体としての加工液２０２を供給する。電源２２３により加工電極２１８と給電電極２３６との間に電圧を印加する。加工電極２１８、給電電極２３６、イオン交換体２３５を基板Ｗに対して相対的に移動させる。また、加工電極２１８、給電電極２３６、イオン交換体２３５を基板Ｗの被加工面ＷＡ全体にわたり周期的に移動させるとよい。
【００８１】
基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で基板Ｗの処理加工を終了する。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される処理加工が施されている。
【００８２】
本実施の形態の電解加工方法は、基板Ｗと加工電極２１８の間、基板Ｗと給電電極２３６の間にイオン交換体２３５を位置させるので効率のよい電解加工を行うことでき、さらに基板Ｗを給電電極として使用していないので、導電性の基板Ｗだけでなく、非導電性の基板Ｗの処理加工をすることができる。
【００８３】
図７を参照して、膜除去装置１１１（図３参照）を具備した電解加工装置１０１（図３参照）を備えた基板処理装置４０１を説明する。電解加工装置１、２０１、３０１（図１、４、６参照）のいずれかを採用してもよいが、以下電解加工装置１０１を採用した場合を例に挙げ、適宜図３を参照して説明する。図７に示すように、この基板処理装置４０１では、基板Ｗ（図２参照）を搬出入する搬出入部としての一対のロード・アンロード部４３０と、基板Ｗを反転させる反転機４３２と、および電解加工装置１０１とが直列に配置され、搬送装置としての搬送ロボッ４３３８ａがこれらの各機器と平行に走行して基板Ｗの搬送と受渡しを行うようになっている。
【００８４】
さらに、電解加工装置１０１による電解加工の際に、加工電極１１８（図３参照）と基板（給電電極）Ｗ（図３参照）との間に印加する電圧、またはこの間を流れる電流をモニタし、加工電極１１８と基板（給電電極）Ｗとの間の電圧と電流のうち少なくとも一方を独立に制御する制御部３４２が備えられている。本基板処理装置４０１によれば、膜除去装置を具備する電解加工装置１０１を備えるので、基板表面ＷＡの基板周縁部３２（図２参照）と基板デバイス有効部３３（図２参照）との間に段差を持つように成膜された基板Ｗについて、基板表面ＷＡの膜を同時に全面にわたって所定の厚さ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部３２の膜を確実に除去し、基板デバイス有効部３３に膜を残存させる除去処理を簡易に施すことができる。
【００８５】
なお、前述の処理加工における被加工物の材料と電極の極性の関係を述べると、被加工物である基板の材料が、例えば銅、またはモリブデン、または鉄、またはタングステンにあっては、陰極側に電解加工作用が生じるため、加工電極側が陰極に、基板側あるいは給電電極側が陽極になるように電圧が印加される。一方、基板の材料が、例えばアルムニウム、またはシリコンにあっては、陽極側に電解加工作用が生じるため、加工電極側が陽極に、基板側あるいは給電電極側が陰極になるように電圧が印加される。
【００８６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、膜除去装置を設けたので、基板表面の基板周縁部と基板デバイス有効部との間に段差を持つように成膜された基板について、基板表面の膜を同時に全面にわたって所定の厚さ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部の膜を確実に除去し、基板デバイス有効部に膜を残存させる除去処理を簡易に施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電解加工装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図２】図１の電解加工装置によって加工される基板の形状を示す断面ブロック図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る電解加工装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る電解加工装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図５】図４の電解加工装置の加工電極、給電電極の配置を説明する底面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る化学的エッチング装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図７】本発明の電解加工装置を備えた基板処理装置の平面図である。
【符号の説明】
１、１０１、２０１ 電解加工装置
２、２０２ 加工液
１１ 膜除去装置
１２ 電極保持部
１３ 電極回転軸
１４ 基板保持部
１５ 基板回転軸
１６ 外周壁
１７、２１７ 凹部
１８、２１８ 加工電極
１９、２１９ 貫通孔
２０、２２０ 中空路
２１ 貫通孔
２２ 中空路
２３、２２３ 電源
２４、２５ 配線
２６、２７ スリップリング
２８、２２８ 加工液供給口
２９ 貫通孔
３１ シード層
３２ 基板周縁部
３３ 基板デバイス有効部
３４ めっき層
１３５、２３５ イオン交換体
２３６ 給電電極
２３７ 絶縁部
３０１ 化学的エッチング装置
Ｗ 基板
ＷＡ 上面
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板（以下、適宜基板）の表面に形成された膜を所定の厚さ除去する処理を施す基板処理装置、基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造において、製造時における不純物汚染は、半導体デバイスの信頼性に大きな影響を与える。したがって、例えば半導体配線やコンタクト形成のために、めっき等の成膜方法により全面に成膜された基板は、成膜成分と基板搬送部との接触に起因する他のプロセス装置の汚染を防止するために、基板周辺部の膜の除去が施されている。この膜の除去は、通常エッチング液を除去対象領域にのみ供給し、除去対象領域のみに除去処理が施されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この膜の除去処理では、エッチング幅や端部形状の制御が容易ではなく、また配線の多層化が進むにつれて工程数の増加に繋がるといった問題点がある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板周縁部の膜の除去を簡略化し、確実に除去することができる基板処理装置、基板処理方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の態様の基板処理装置１は、例えば図１、図２に示すように、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜された基板Ｗについて、基板表面ＷＡの膜３１、３４を全面にわたって同時に所定の厚さ除去する処理を施すことが可能な膜除去装置１１を備える。所定の厚さは、基板周縁部３２において、基板周縁部３２の膜３１の厚さ以上とするとよい。
【０００６】
このように構成すると、膜除去装置１１を備えるので、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜された基板Ｗについて、基板表面ＷＡの膜３１、３４を同時に全面にわたって所定の厚さｔ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部３２の膜３１を完全に除去するまで処理を行い、基板デバイス有効部３３に膜３４を残存させる処理を簡易に施すことができる。また、本発明の基板処理装置１は、基板表面ＷＡの膜３１、３４を全面にわたって同時に所定の均一な厚さ除去する処理を施すことが可能であるように構成するとよい。
【０００７】
第２の態様の基板処理装置１は、例えば図１に示すように、第１の態様の基板処理装置において、基板処理装置１が電解加工装置１とするとよい。
【０００８】
このように構成すると、基板処理装置１が電解加工装置１であるので、基板表面ＷＡに塑性変形による加工変質層や転移等の欠陥が発生せず、表面ＷＡの平坦度の高い品質のよい基板を製作することができる。
【０００９】
上記目的を達成するために、第３の態様の基板処理装置２０１は、第２の態様の基板処理装置において、例えば図４に示すように、電解加工装置２０１は、被加工物Ｗに近接自在な加工電極２１８と；被加工物Ｗに給電する給電電極２３６と；被加工物Ｗと加工電極２１８との間または被加工物Ｗと給電電極２３６との間の少なくとも一方に配置したイオン交換体２３５と；被加工物Ｗとイオン交換体２３５との間に流体２０２を供給する第１流体供給部２２９、２１７、２１９、２２０、２２８と；加工電極２１８と給電電極２３６との間に電圧を印加する電源２２３を有するようにするとよい。
【００１０】
このように構成すると、加工電極２１８と、給電電極２３６と、イオン交換体２３５と、電源２２３を備えるので、例えば流体２０２が液体であり純水である場合は、イオン交換体２３５によって水酸化物イオンと水素イオンに解離し、解離により生成された水酸化物イオンを、被加工物Ｗと加工電極２１８との間の電界により、さらに被加工物Ｗとイオン交換体２３５との間に供給された純水２０２の流れにより、被加工物Ｗの加工電極２１８と対面する表面ＷＡに供給して、当該表面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、被加工物Ｗの原子と水酸化物イオンの反応を起こさせる。この反応によって生成された反応物質は、純水２０２中に溶解し、いくらかはイオン交換体２３５中に蓄積し、被加工物Ｗから除去される。これにより、被加工物Ｗの表面層の除去加工が行われる。この方法では、被加工物Ｗの加工電極２１８と対面する表面ＷＡが加工されるので、イオン交換体２３５が被加工物Ｗの表面層に沿って移動するように加工電極２１８を移動させることで、被加工物Ｗの表面ＷＡを所望の厚さだけ除去し、あるいは所望の表面形状に加工することができる。
【００１１】
イオン交換体は１層または積層構造で配置するものとしてもよい。このように構成すると、イオン交換体として薄膜を用い、かつイオン交換体の容量を増やすことができる。またイオン交換体の性質を層毎に変えてもよい。例えば層毎に硬さを変える。そのようにするときは電解加工装置の特性を自在に変化させることができる。
【００１２】
なお、電源は異なる一定の電圧を印加し、または異なる一定の電流が流れるように所定の電圧を印加することが可能な電源としてもよい。このようにすると、加工量（加工厚さ）もしくは加工終点の制御が容易となる。典型的には、被加工物は、基板表面ＷＡに形成された膜である。
【００１３】
上記目的を達成するために、第４の態様の基板処理装置１は、第２の態様の基板処理装置において、例えば図１に示すように、電解加工装置１は、被加工物Ｗに近接自在な加工電極１８と；被加工物Ｗに給電する給電電極Ｗ（２３６（図４参照））と；被加工物Ｗと加工電極１８との間、または被加工物Ｗと給電電極２３６との間の少なくとも一方に流体２を供給する第２流体供給部２９、１７、１９、２０、２８と；加工電極１８と給電電極Ｗ（２３６）との間に電圧を印加する電源２３を有するようにするとよい。
【００１４】
このように構成すると、加工電極１８と、給電電極Ｗ（２３６（図４参照））と、電源２３を備えるので、例えば流体２が液体であり純水である場合は、加工電極１８と、給電電極Ｗ（２３６）とによって水酸化物イオンと水素イオンに解離し、解離により生成された水酸化物イオンを、被加工物Ｗと加工電極１８との間の電界により、さらに被加工物Ｗと加工電極１８との間、被加工物Ｗと給電電極Ｗ（２３６（図４参照））との間に供給された純水２の流れにより、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する表面ＷＡ、あるいは被加工物Ｗの給電電極２３６と対面する表面ＷＡに供給して、当該表面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、被加工物Ｗの原子と水酸化物イオンの反応を起こさせる。この反応によって生成された反応物質は、純水２中に溶解し、被加工物Ｗから除去される。これにより、被加工物Ｗの表面層の除去加工が行われる。この方法では、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する表面ＷＡが加工されるので、被加工物Ｗの表面層に沿って移動するように加工電極１８、あるいは加工電極１８と給電電極Ｗ（２３６）とを移動させることで、被加工物Ｗの表面ＷＡを所望の厚さだけ除去し、あるいは所望の表面形状に加工することができる。
【００１５】
第５の態様の基板処理装置は、第３の態様または第４の態様の基板処理装置において、例えば図４に示すように、流体２０２は、超純水、純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体２０２または電解液２０２とするとよい。なお、本発明で述べる電気伝導度は、１ａｔｍ、２５℃の換算値である。
【００１６】
このように構成すると、被加工面ＷＡに不純物を残さない清浄な加工を行うことができ、これにより、電解加工後の洗浄を簡素化することができる。
【００１７】
流体２０２を電解液２０２とすれば加工レートを高く取ることができる。流体２０２を電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体２０２とすれば、加工レートが電解液２０２の場合より落ちるものの不純物の少ない液体２０２での加工が可能となり、純水２０２とすればさらに清浄度の高い処理が可能となる。なお、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体２０２、純水２０２の場合でも、イオン交換体２３５を備えるので、加工レートを維持することができる。
【００１８】
なお、第２の態様の基板処理装置１では、例えば図１に示すように、電解加工装置１が、被加工物Ｗに近接自在な加工電極１８と、被加工物Ｗに給電する給電電極Ｗと、純水２、または電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体２を供給する流体供給部２９、１７、１９、２０、２８と、加工電極１８と給電電極Ｗとの間に電圧を印加する電源２３とを有する電解加工装置１を用いて行うものとしてもよい。
【００１９】
このように構成すると、加工電極１８と、給電電極Ｗと、電源２３を備えるので、供給された純水２、または電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の流体２中の水酸化物イオンを、被加工物Ｗと加工電極１８との間の電界により、さらに供給された純水２、または流体２の流れにより、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する表面ＷＡに供給して、当該表面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、被加工物Ｗの原子と水酸化物イオンの反応を起こさせる。この反応によって生成された反応物質は、純水２、または流体２中に溶解し、いくらかはイオン交換体２３５中に蓄積し、被加工物Ｗから除去される。これにより、被加工物Ｗの表面層の除去加工が行われる。この方法では、被加工物Ｗの加工電極１８と対面する部位が加工されるので、加工電極１８を移動させることで、被加工物Ｗの表面ＷＡを所望の厚さだけ除去し、あるいは所望の表面形状に加工することができる。
【００２０】
第６の態様の基板処理装置は、第１の態様の基板処理装置において、例えば図６に示すように、基板処理装置３０１が、化学的エッチング装置３０１とするとよい。
【００２１】
このように構成すると、基板処理装置３０１が化学的エッチング装置３０１であるので、基板表面ＷＡに塑性変形による加工変質層や転移等の欠陥が発生せず、表面ＷＡの平坦度の高い品質のよい基板Ｗを製作することができる。
【００２２】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明による基板処理方法は、例えば、図１、図２に示すように、半導体基板Ｗの表面ＷＡの全面にシード層３１を形成し、基板周縁部３２を除いた部分である基板デバイス有効部３３にシード層３１より厚くめっき層３４を形成することによって基板周縁部３２と基板デバイス有効部３２との間に段差を持つように成膜し、半導体基板Ｗの基板周縁部３２のシード層３１を除去する基板処理方法であって；基板周縁部３２のシード層３１及びめっき層３４の全体に加工液２を供給し、基板周縁部３２のシード層３１及びめっき層３４の全体を、同時に所定の厚さ、基板周縁部３２のシード層３１が除去され残存しなくなるまで除去することで、基板周縁部３２のシード層３１を選択的に剥離する。
【００２３】
基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜する工程は、典型的には、基板表面ＷＡの全面に第１の膜３１を成膜する工程と、基板表面ＷＡの基板デバイス有効部３３に第２の膜３４を成膜する工程からなる。基板表面ＷＡの膜３４、３１を全面にわたって同時に所定の厚さ除去する基板処理工程は、例えば、基板表面ＷＡの膜３４、３１を全面にわたって一様処理加工速度で加工し、基板周縁部３２の第１の膜３１を除去したら基板処理を終了することにより行なってもよい。基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜されているので、基板周縁部３２の第１の膜３１を除去しても、基板デバイス有効部３３に第２の膜３４の一部は残存している。よって、基板周縁部３２の第１の膜３１を選択的に除去することができる。処理加工は、電解加工であってもよいし、化学的エッチング加工であってもよい。
【００２４】
請求項２に係る発明による基板処理方法は、請求項１記載の基板処理方法において、例えば図４に示すように、前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する工程が電解加工工程である。
【００２５】
請求項３に係る発明による基板処理方法は、請求項２記載の基板処理方法において、例えば図４に示すように、前記電解加工工程は、半導体基板Ｗに加工電極２１８を近接させる工程と；半導体基板Ｗに給電する給電電極２３６を提供する工程とを備え；半導体基板Ｗと加工電極２１８との間または半導体基板Ｗと給電電極２３６との間の少なくとも一方にはイオン交換体２３５が配置されており；半導体基板Ｗとイオン交換体２３５との間に加工液１０２を供給する供給工程と；加工電極２１８と給電電極２３６との間に電圧を印加する工程をさらに備え；加工液２０２が、水、純水、超純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の電解液のいずれかである。
請求項４に係る発明による基板処理方法は、請求項２記載の基板処理方法において、例えば図１に示すように、前記電解加工工程は、半導体基板Ｗに加工電極１８を近接させる工程と；半導体基板Ｗに給電する給電電極Ｗを提供する工程と；半導体基板Ｗと加工電極１８との間、または半導体基板Ｗと給電電極Ｗとの間の少なくとも一方に加工液２を供給する供給工程と；加工電極１８と給電電極Ｗとの間に電圧を印加する工程とを備え；加工液２が、水、純水、超純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の電解液のいずれかである。
請求項５に係る発明による基板処理方法は、請求項１記載の基板処理方法において、例えば図６に示すように、前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する工程が化学的エッチング工程である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００２７】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置としての電解加工装置１の概略構成を示す断面ブロック図である。電解加工装置１は、膜除去装置１１を備える。膜除去装置１１は、加工電極１８を保持する電極保持部１２と、電極保持部１２に取り付けた電極回転軸１３と、被加工物としての基板Ｗ（例えば、Ｃｕ膜をめっき処理されたウェハ）を吸着保持し、電極保持部１２の下方に配置された基板保持部１４と、基板保持部１４に取り付けた基板回転軸１５とを含んで構成される。本実施の形態では、後述のように基板Ｗが給電電極の働きをなす。電解加工装置１は、さらに加工電極１８と基板Ｗとの間に電圧を印加する電源２３を備える。電極保持部１２は、後述のように基板保持部１４に対して相対的に運動している。
【００２８】
電解加工装置１は、さらに基板保持部１４を、基板回転軸１５を介して回転（基板回転軸１５の中心線回りの回転）（回転Ｌ）させる基板回転手段としての中空モータ４１と、電極保持部１２を電極回転軸１３を介して垂直線回りに偏心回転（回転Ｕ）させる電極回転手段としての中空モータ４２と、電極保持部１２を基板保持部１４の真上の位置に向け揺動させ、または電極保持部１２を基板保持部１４の真上の位置から水平に揺動させる電極揺動手段としての揺動アーム４３および揺動軸４４および揺動用モータ４５と、電極保持部１２を基板保持部１４から上方に離れる方向に上昇させ、あるいは基板保持部１４の方向に下方に近づくように下降させる上昇下降手段としての、ボールネジ４６および上下動用モータ４７と、流体としての加工液２を供給する流体供給手段としての加工液供給手段（不図示）とを備える。揺動アーム４３は、揺動軸４４を中心として揺動用モータ４５に駆動されて電極保持部１２を揺動する。ボールネジ４６は上下動用モータ４７に駆動され揺動軸４４、揺動アーム４３、電極保持部１２を上昇、下降させる。
【００２９】
電極保持部１２は、略円板形状を有し、水平に配置されている。電極保持部１２の下面１２Ｂの外周部には、外周壁１６が形成されている。電極保持部１２の下面１２Ｂには、外周壁１６によって凹部１７が形成されている。外周壁１６の先端部には、円板形状の加工電極１８が水平に取り付けられている。電極保持部１２の中心には貫通孔１９が形成されている。加工電極１８には、加工液２を基板Ｗに供給する貫通孔２９が多数形成されている。加工電極１８の半径は、基板Ｗの半径より大きく形成されている。
【００３０】
電極保持部１２の上面１２Ａには、中空円柱形状の電極回転軸１３が垂直に取り付けられている。電極回転軸１３には、中空路２０が形成され、中空路２０は電極保持部１２の貫通孔１９に連通している。電極回転軸１３の上端１３Ａには中空モータ４２が接続され、中空モータ４２の中空部４２Ｃは、中空路２０に連通している。揺動アーム４３の中空モータ４２との接続部には中空部４８（図中破線にて表示）が加工され、中空部４８は中空部４２Ｃに連通している。中空モータ４２は、揺動アーム４３の下面４３Ａの自由端４３Ｃ近傍に接続されている。
【００３１】
加工電極１８の上面１８Ａに接続された配線２４は、凹部１７と貫通孔１９と中空路２０と中空部４２Ｃと中空部４８とを通り、揺動アーム４３の上面４３Ｂに設けられたスリップリング２６を通り、さらに揺動アーム４３と揺動軸４４に形成された中空部３９（図中破線にて表示）とを通り、電源２３に接続される。電極回転軸１３には、第２流体供給部としての（あるいは流体供給部としての）加工液供給口２８が形成され、加工液供給手段（不図示）が、電極回転軸１３の加工液供給口２８に加工液２を供給する。
【００３２】
基板保持部１４は、円板形状を有し、水平に配置されている。基板保持部１４は、被加工物である基板Ｗを上面１４Ａに吸着保持する。基板保持部１４の中心には、貫通孔２１が形成されている。
【００３３】
基板保持部１４の下面１４Ｂには、中空円柱形状の基板回転軸１５が垂直に取り付けられている。基板回転軸１５には、中空路２２が形成され、中空路２２は基板保持部１４の貫通孔２１に連通している。基板回転軸１５の下端１５Ｂには中空モータ４１が接続されている。中空モータ４１の中空部４１Ｃは、中空路２２に連通している。
【００３４】
基板Ｗ４の下面ＷＢに接続された配線２５は、貫通孔２１と中空路２２と中空部４１Ｃとを通り、中空モータ４１の下面４１Ｂに取り付けられたスリップリング２７を通り、通り電源２３に接続される。本実施の形態の電解加工装置１は、基板Ｗに直接給電を行う直接給電型である。なお、基板Ｗは、加工電極１８に平行に配置されている。
【００３５】
図２（Ａ）に示すように、基板保持部１４の上面１４Ａ（図１参照）に吸着保持される基板Ｗは、厚さの薄い略円板形状をし、上面ＷＡの全体にわたり、膜としての、あるいは第１の膜としてのシード層３１（例えば、銅シード）が形成され、基板表面ＷＡの基板周縁部３２を除いた基板デバイス有効部３３に膜としての、あるいは第２の膜としてのめっき層３４（例えば、銅めっき）が形成されている。典型的には、めっき層３４はシード層３１よりも厚く形成されている。また、基板Ｗは、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜されている。なお、図２において、シード層３１とめっき層３４の厚さは実際よりも厚く描かれている。
【００３６】
次に、図１を参照し、本実施の形態の電解加工装置１の作用について説明する。
基板Ｗが基板保持部１４の上面１４Ａに載置され、吸着保持される。揺動用モータ４５が揺動軸４４を介して揺動軸４４を中心に揺動アーム４３を揺動し、電極保持部１２が、揺動アーム４３によって水平に揺動され、基板保持部１４の真上に位置する。そして上下動用モータ４７がボールネジ４６を回転させ、揺動軸４４を下降させ、揺動軸４４が揺動アーム４３を介して電極保持部１２を基板保持部１４に向けて下降させ、基板Ｗの上面ＷＡが加工電極１８の下面１８Ｂに接近する。
【００３７】
加工液供給手段（不図示）によって、加工液供給口２８に加工液２が供給され、加工液２は、中空部２０、貫通孔１９、凹部１７、貫通孔２９を通り、基板Ｗの上面ＷＡに全体にわたり供給される。また、加工液２は、加工電極１８の基板Ｗとの対抗面１８Ｂ全体から供給される。そして、電源２３によって加工電極１８と基板Ｗとの間に電圧が印加される。本実施の形態では、加工電極１８側が陰極に、基板Ｗ側が陽極になるように電圧が印加される。そして、中空モータ４２によって電極回転軸１３を介して電極保持部１２が一定の角速度で偏心回転（回転Ｕ）し、中空モータ４１によって基板回転軸１５を介して基板保持部１４が一定の角速度で回転（回転Ｌ）する。中空モータ４１、中空モータ４２は、電極保持部１２、基板Ｗを、加工電極１８が一定の周期で基板Ｗの上面ＷＡ全体を加工するようにそれぞれ偏心回転、回転させ、一様な加工速度でシード層３１、めっき層３４の除去加工が行われるようにするとよい。なお、加工電極１８が偏心回転し、基板Ｗが回転するので、加工電極１８は基板Ｗに対して相対運動する。
【００３８】
次に、上下動用モータ４７がボールネジ４６をさらに回転させることにより、電極保持部１２がさらに下降し、加工電極１８と基板Ｗの上面ＷＡとが僅かに離れて対向し、基板Ｗの処理、すなわち基板Ｗのめっき層３４、シード層３１の電解加工が行われる。
【００３９】
加工電極１８の下面１８Ｂと、被加工物としての、あるいは給電電極としての基板Ｗの、上面ＷＡとが対向して近接して配置されているので、加工液２として、例えば水、純水、超純水のいずれかである液体を使用した場合は、水分子が水酸化物イオン（ＯＨ−）と水素イオン（Ｈ＋）に解離し、生成された水酸化物イオンは、液体の流れによって、基板Ｗと加工電極１８との間の電界により、基板Ｗ上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度が高まり、めっき層３４の原子と水酸化物イオンの反応、およびシード層３１の原子と水酸化物イオンの反応を起こすことができる。これらの反応によって生成された反応物質は、基板Ｗから除去される。これにより、めっき層３４とシード層３１の除去加工が行われる。
【００４０】
図２（Ｂ）に示すように、基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で、基板Ｗの処理加工を終了する。図中、破線で描かれた線が、処理を行う前の基板の表面を示している。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される処理加工が施されている。よって、基板周縁部３２のシード層３１が除去され、一方、基板デバイス有効部３３上のめっき層３４は残存している。したがって、基板周縁部３２のシード層３１の選択的剥離を行うことができる。
【００４１】
よって、本実施の形態では、基板表面ＷＡ上の成膜除去端は、基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との境界部となるため、成膜除去幅はおのずと確定する。いわゆるベベル電解加工を基板デバイス有効部３３の加工と同時に行えるため、プロセス数の低減を図ることができる。基板周縁部３２のシード層３１の剥離を行う除去工程を簡略化すると共に、電界加工領域の制御を行うことなく基板周縁部３２の加工を行うことができる。
【００４２】
次に、上下動用モータ４７がボールネジ４６を逆転させることにより電極保持部１２を上昇させ、中空モータ４２による電極保持部１２の回転（回転Ｕ）、および中空モータ４１による基板保持部１４の回転（回転Ｌ）を終了する。また、電源２３により電圧の印加を終了し、揺動用モータ４５が揺動軸４４を介して揺動アーム４３を揺動させることにより電極保持部１２を基板保持部１４の上方の位置から水平に揺動させ、基板Ｗを基板保持部１４から取り外す。
【００４３】
加工液２として、水、純水、超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは５０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは１０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは０．１μＳ／ｃｍ以下にした液体を使用することで、基板表面ＷＡに不純物あるいは加工表面への吸着性の強い双極分子を残さない清浄な加工さらに加工面の粗れの低減を行うことができ、これにより電解加工後の基板Ｗの洗浄工程を簡素化することができる。本明細書に示す液体の電気伝導度は、２５℃、１ａｔｍでの数値である。
【００４４】
さらに、加工液２としてＮａＣｌやＮａ２ＳＯ４等の中性塩、ＨＣｌやＨ２ＳＯ４等の酸、さらにはアンモニア等のアルカリ等の電解液も使用でき、被加工物の特性によって、適宜選択して使用するとよい。
【００４５】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置としての電解加工装置１０１の概略構成を示す断面ブロック図である。本実施の形態の電解加工装置１０１は、第１の実施の形態の電解加工装置１（図１参照）と較べて、加工電極１１８の下面１１８Ｂの全体を覆ってイオン交換体１３５が取り付けられている点が相違するが、その他の点は構造上同一である。なお、本実施の形態の電解加工装置１０１も、基板Ｗに直接給電を行う直接給電型である。また、第１の実施の形態と同様に、膜除去装置１１を備える。さらに、第１の実施の形態と同様に、第１流体供給部としての（あるいは流体供給部としての）加工液供給口１２８から加工液１０２が供給され、電源１２３によって加工電極１１８と基板Ｗとの間に電圧が印加され、図２に示す基板Ｗが加工処理される。
【００４６】
なお、図３中、電極回転軸１１３に接続され、電極保持部１１２を回転させる中空モータ、揺動アーム、揺動軸、揺動用モータ、揺動アームに取り付けられるスリップリング、基板回転軸１１５に接続され、基板保持部を回転させる中空モータ、この中空モータに取り付けられるスリップリング、ボールネジ、上下動用モータの記載を省略している。
【００４７】
本実施の形態の電解加工装置１０１は、イオン交換体１３５を備えるので、上昇下降手段（不図示）が基板Ｗの処理加工に際し、電極保持部１１２がイオン交換体１３５を基板Ｗの上面ＷＡに接触するまで下降させる。
【００４８】
電解加工装置１０１の作用は、さらに第１の実施の形態の電解加工装置１（図１参照）と較べて、イオン交換体１３５を備えることによる以下の作用が相違する。
本実施の形態の電解加工装置１０１は、加工液１０２として、例えば水、純水、超純水のいずれかである液体を供給した場合は、供給された液体は基板Ｗとイオン交換体１３５との間を流れ、イオン交換体１３５が液体を効率よく解離させ、多量の水酸化物イオン、水素イオンを発生させる。そして、加工液１０２の流れによって、基板Ｗと加工電極１１８との間の電界により、基板Ｗ上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、めっき層３４の原子と水酸化物イオンの反応、およびシード層３１の原子と水酸化物イオンの反応を起こすことができる。イオン交換体１３５により多量の水酸化物イオンを発生させるので、基板上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度をより高めることができ、基板Ｗの上面ＷＡの全面にわたって、シード層３１とめっき層３４から同時に所定の均一な厚さを除去する処理を施す効率のよい電解加工をすることができ、加工時間を短縮することができる。所定の厚さとは少なくとも基板周縁部３２のシード層３１を除去する厚さである。
【００４９】
イオン交換体１３５は１層構造であってもよいし多層の積層構造であってもよい。電解反応により加工生成物（水酸化物やイオン）のいくらかは、部材表面および部材の内部に蓄積されるが、その蓄積量は部材の蓄積容量（イオン交換体ではイオン交換容量）に依存する。蓄積される加工生成物の量が、部材の蓄積容量を超える場合、蓄積された加工生成物の形態が変化することがあり、それが加工速度およびその分布に影響を与える可能性がある。したがって、加工生成物の部材内に、蓄積容量以上に蓄積させない、もしくは蓄積した加工生成物を部材外に除去する必要がある。部材の蓄積は部材の蓄積容量を増加させるものである。
【００５０】
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置としての電解加工装置２０１の概略構成を示す断面ブロック図である。
【００５１】
本実施の形態の電解加工装置２０１は、電解加工装置１０１と同様に、電極保持部２１２、基板保持部２１４、加工電極２１８、イオン交換体２３５を含んで構成され、加工電極２１８の下面２１８Ｂの全体を覆ってイオン交換体２３５が取り付けられている。電極保持部２１２の下面２１２Ｂには、外周壁２１６によって凹部２１７が形成されている。電極保持部２１２の中心には貫通孔２１９が形成されている。
【００５２】
さらに、加工電極２１８には、流体としての加工液２０２を基板Ｗに供給する貫通孔２２９が多数形成されている。電極保持部２１２の上面２１２Ａには、中空円柱形状の電極回転軸２１３が垂直に取り付けられている。電極回転軸２１３には、中空路２２０が形成され、中空路２２０は電極保持部２１２の貫通孔２１９に連通している。電極回転軸２１３には、加工液供給口２２８が形成され、加工液供給口２２８は中空路２２０に連通している。加工液供給口２２８に供給された加工液２０２は、中空路２２０、貫通孔２１９、凹部２１７、貫通孔２２９を通り、加工電極２１８の基板Ｗに対抗する面２１８Ｂの全体から供給される。なお、本実施の形態では、第２の実施の形態と同様に、図２に示す基板Ｗが加工処理される。
【００５３】
なお、図４中、電極回転軸２１３に接続され、電極保持部２１２を回転させる中空モータ、揺動アーム、揺動軸、揺動用モータ、揺動アームに取り付けられるスリップリング、基板回転軸２１５に接続され、基板保持部２１４を回転させるモータ、ボールネジ、上下動用モータの記載を省略している。
【００５４】
本実施の形態の電解加工装置２０１の構成は、第２の実施の形態の電解加工装置１０１（図３参照）の構成と、以下の相違点以外は同一である。
【００５５】
本実施の形態の電解加工装置２０１では、基板回転軸２１５に、中空路は形成されておらず、基板回転軸２１５は、中実構造である。基板回転軸２１５に接続される基板保持部２１４を回転させるためのモータ（図４に不図示）には、中空部が形成されておらず、スリップリングは取り付けられていない。揺動アーム（図４に不図示）、および揺動軸（図４に不図示）には、配線が通る中空部は形成されていない。
【００５６】
電解加工装置１０１では、前述のように加工電極１１８が電極保持部１１２に取り付けられ、基板保持部１１４に吸着保持された基板Ｗが給電電極として作用している（図３参照）。しかし、電解加工装置２０１では、加工電極２１８と給電電極２３６が共に電極保持部２１２に取り付けられ、電極保持部２１２上の加工電極２１８と給電電極２３６との間には絶縁部２３７が設けられている。本実施の形態の電解加工装置２０１は、いわゆる片側給電型である。
【００５７】
給電電極２３６に接続された配線２２５は、加工電極２１８に接続された配線２２４と共に、凹部２１７と、貫通孔２１９と、中空路２２０と、電極保持部２１２回転用の中空モータ（不図示）に形成された中空部（不図示）と、揺動アーム（不図示）に形成された中空部（不図示）とを通り、さらに揺動アームの上面に設けられたスリップリング（不図示）を通り、そのまま電源２２３に接続される。
【００５８】
図５に示すように、加工電極２１８は、一例として略扇型の３個の加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅからなり、給電電極２３６は、略扇型の３個の給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅからなるようにし、加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅとを、円周方向交互に配置するとよい。絶縁部２３７は、電極保持部２１２の中心部に配置された部分２３７Ａと、さらに加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅとの間に放射状に配置された部分２３７Ｂを有するようにするとよい。加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極２３６Ｃ〜Ｅには、加工液２０２が流れる貫通孔２２９をそれぞれ形成するとよい。図中、加工電極部品２１８Ｃに形成された貫通孔２２９のみを示す。他の加工電極部品２１８Ｄ、Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅには、図示しないが加工電極部品２１８Ｃと同じように貫通孔２２９が形成されている。
【００５９】
図４、図５に示すように、加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅと給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅとには、それぞれ配線が接続され、加工電極部品２１８Ｃ〜Ｅ用の３本の配線（１本のみ図示）は１本の配線２２４にまとまり、給電電極部品２３６Ｃ〜Ｅ用の３本の配線（１本のみ図示）は１本の配線２２５にまとまり、配線２２４、２２５は、凹部２１７から貫通孔２１９、中空路２２０を経て、スリップリング（不図示）を介して電源２２３に接続される。
【００６０】
本実施の形態の電解加工装置２０１は、電解加工装置１０１（図３参照）とほぼ同様に作用するが、基板保持部２１４上に保持する基板Ｗは、給電電極として働いてはいない点が異なる。
【００６１】
本実施の形態の電解加工装置２０１は、イオン交換体２３５を備えるので効率のよい電解加工を行うことでき、さらに基板Ｗを給電電極として使用していないので、導電性の基板Ｗだけでなく、非導電性の基板Ｗの上に導電性膜が形成された基板Ｗの処理加工をすることができる。
【００６２】
なお、図１を参照し前述した第１の実施の形態の電解加工装置１において、電極保持部１２に円板形状の加工電極１８を取り付ける代わりに、図５に示すように、例えば、加工電極部品と給電電極部品を円周方向交互に並べた円板形状の電極（加工電極および給電電極）を取り付け、直接給電型とする代わりに片側給電型としてもよい。
【００６３】
この場合、各加工電極部品に接続された配線２４と、各給電電極部品に接続された配線２５とは、共に、凹部１７と貫通孔１９と中空路２０と中空部４２Ｃと中空部４８とを通り、揺動アーム４３の上面４３Ｂに設けられたスリップリング２６を通り、電源２３に接続される。したがって、配線２５は、基板Ｗ４の下面ＷＢに接続されない。
【００６４】
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置としての化学的エッチング装置３０１の概略構成を示す断面ブロック図である。本実施の形態の化学的エッチング装置３０１は、化学的エッチング装置であり、加工液の代わりにエッチング液３０２を使用し、第１の実施の形態の電解加工装置１（図１参照）と較べて、以下の構成上の相違点を有する。また、第１の実施の形態と同様に、図２に示す基板Ｗがエッチング加工処理される。
【００６５】
化学的エッチング装置３０１は膜除去装置３１１を備え、膜除去装置３１１は、加工ヘッド保持部３１２を有し、加工ヘッド保持部３１２は、円板形状の加工ヘッド３１８を保持する。加工ヘッド保持部３１２には、加工ヘッド３１８を回転させる加工ヘッド回転軸３１３が取り付けられている。加工ヘッド保持部３１２、加工ヘッド回転軸３１３、加工ヘッド３１８は、それぞれ電極保持部１２、電極回転軸１３、加工電極１８（図１参照）と同様の形状に形成されている。加工ヘッド回転軸３１３は、電極回転軸１３（図１参照）と同様に加工ヘッド３１８を回転させる。加工ヘッド３１８には、エッチング液３０２を通し基板Ｗの上面ＷＡ全体に供給する多数の貫通孔３２９が形成されている。
【００６６】
化学的エッチング装置３０１は、電源を備えず、加工ヘッド３１８と基板Ｗとの間に電圧は印加されていない。したがって、配線を有せず、スリップリングは設けられておらず、基板Ｗを保持する基板保持部３１４に取り付けられた基板回転軸３１５には配線を通すための中空路は形成されていない。
【００６７】
化学的エッチング装置３０１は、さらに基板回転軸３１５に取り付けられた基板保持部３１４を、基板回転軸３１５を介して回転（基板回転軸３１５の中心線回りの回転）（回転Ｌ）させる基板回転手段としてのモータ３４１と、加工ヘッド回転軸３１３に取り付けられた加工ヘッド保持部３１２を垂直線回りに偏心回転（回転Ｕ）させる加工ヘッド回転手段としてのモータ３４２と、加工ヘッド保持部３１２を基板保持部３１４の真上の位置に向け揺動させ、または加工ヘッド保持部３１２を基板保持部３１４の真上の位置から水平に揺動させる加工ヘッド揺動手段としての揺動アーム３４３、揺動軸３４４、揺動用モータ３４５と、加工ヘッド保持部３１２を基板保持部３１４から上方に離れる方向に上昇させ、あるいは基板保持部３１４の方向に下方に近づくように下降させる上昇下降手段としてのボールネジ３４６、上下動用モータ３４７と、基板回転軸３１５に流体としてのエッチング液３０２を供給する流体供給手段としてのエッチング液供給手段（不図示）とを備える。揺動アーム３４３は、揺動軸３４４を中心として揺動用モータ３に駆動されて電極保持部３１２を揺動する。ボールネジ３４６は上下動用モータ３４７に駆動され揺動軸３４４、揺動アーム３４３、電極保持部３１２を上昇、下降させる。
【００６８】
本実施の形態の化学的エッチング装置３０１の作用は、電解加工装置１の作用と以下の点で相違する。すなわち、加工液の代わりにエッチング液３０２が供給されること、加工ヘッド３１８と基板Ｗの間に電圧が印加されないことが相違する。
【００６９】
さらに、本実施の形態の化学的エッチング装置３０１は、例えば銅めっき基板においては、図２に示す、シード層３１（銅シード）とめっき層３４（銅めっき）の形成された基板をエッチング処理する。エッチング液３０２としては、銅を溶解させる働きにある、酸化性のある酸（例えば、ＨＮＯ３溶液）、酸化剤と酸を組み合わせたもの（例えば、Ｈ２Ｏ２とＨＦ溶液）、アルカリ液（例えば、濃ＮＨ４ＯＨ）、有機酸溶液、有機アルカリ溶液を用いるとよい。
【００７０】
本実施の形態では、エッチング液３０２により、基板Ｗのシード層３１とめっき層３４を一様なエッチング加工速度でエッチング処理される。また、図２（Ｂ）に示すように、基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で基板Ｗのエッチング処理加工を終了する。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される。よって、基板周縁部３２のシード層３１が除去され、一方、基板デバイス有効部３３上のめっき層３４は残存している。
【００７１】
よって、本実施の形態の化学的エッチング装置３０１によれば、基板Ｗの基板周縁部３２のシード層３１の除去を簡略化し、確実に除去することができる。また、基板表面ＷＡ上の成膜除去端は、基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との境界部となるため、成膜除去幅はおのずと確定する。いわゆるベベルエッチングを基板デバイス有効部３３の加工と同時に行えるため、プロセス数の低減を図ることができる。
【００７２】
なお、上記の第１から第４に実施の形態では、下方に配置した基板保持部により基板を吸着保持し、上方に配置した電極保持部あるいは加工ヘッド保持部により加工電極あるいは加工ヘッドを保持し、基板の上面を加工電極あるいは加工ヘッドの下面で加工するいわゆるフェイスアップ型であるとして説明した。しかし、上方に配置した基板保持部により基板を吸着保持し、下方に配置した電極保持部あるいは加工ヘッド保持部により加工電極あるいは加工ヘッドを保持し、基板の下面を加工電極あるいは加工ヘッドの上面で加工するいわゆるフェイスダウン型であってもよい。
【００７３】
上記の第１から第４に実施の形態では、電極保持部あるいは加工ヘッド保持部が、垂直線回りに偏心回転（回転Ｕ）するものとして説明したが、電極保持部あるいは加工ヘッド保持部は、スクロール運動、往復運動するものであってもよい。スクロール運動、往復運動により加工電極あるいは加工ヘッドは、基板の対向する表面全体を周期的に加工するようにする。
【００７４】
次に、第５の実施の実施の形態に係る電解加工方法を適宜図２、図３を参照して説明する。
【００７５】
本実施の形態の電解加工方法では、一例として銅めっき基板の場合は、基板表面ＷＡの全面にシード層３１を形成する。次に、基板表面ＷＡの基板デバイス有効部３３にめっき層３４を形成する。よって、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜される。基板Ｗを加工電極１１８に近接させ、基板Ｗと加工電極１１８との間にイオン交換体１３５が位置するようにする。基板Ｗとイオン交換体１３５とが接触するように、基板Ｗ、イオン交換体１３５、加工電極１１８を配置するとよい。基板Ｗとイオン交換体１３５との間に加工液１０２を供給する。加工液１０２は基板Ｗとイオン交換体１３５の間の全面に広がるように供給するとよい。次に、電源１２３により加工電極１１８と基板Ｗとの間に電圧を印加する。このようにすると基板Ｗが給電電極として作用し、給電電極が提供されたことになる。そして、加工電極１１８を基板Ｗに対して相対的に移動させる。このときイオン交換体１３５を加工電極１１８と一体に移動するとよい。また、加工電極１１８とイオン交換体１３５とを基板Ｗの被加工面ＷＡ全体にわたり周期的に移動させるとよい。
【００７６】
基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で基板Ｗの処理加工を終了する。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される処理加工が施されている。
【００７７】
水分子が水酸化物イオン（ＯＨ−）と水素イオン（Ｈ＋）に解離し、生成された水酸化物イオンは、加工液１０２の流れによって、基板Ｗと加工電極１１８との間の電界により、基板Ｗ上面ＷＡ近傍での水酸化物イオンの密度を高め、めっき層３４の原子と水酸化物イオンの反応、およびシード層３１の原子と水酸化物イオンの反応を起こすことができる。反応によって生成された反応物質は、加工液１０２中に溶解し基板Ｗの被加工面に沿った加工液１０２の流れによって基板Ｗから除去される。これにより、めっき層３４とシード層３１の除去加工が行われる。
【００７８】
加工液として、水、純水、超純水に界面活性剤等の添加剤を添加して、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下、好ましくは５０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは１０μＳ／ｃｍ以下、さらに好ましくは０．１μＳ／ｃｍ以下にした液体を使用することで、基板表面ＷＡに不純物を残さない清浄な加工を行うことができ、これにより電解加工後の基板Ｗの洗浄工程を簡素化することができる。ここに示す液体の電気伝導度は、２５℃、１ａｔｍでの数値である。
【００７９】
次に、第６の実施の形態に係る電解加工方法を適宜図２、図４を参照して説明する。
【００８０】
本実施の形態の電解加工方法では、一例として銅めっき基板の場合は、基板表面ＷＡの全面にシード層３１を形成する。次に、基板表面ＷＡの基板デバイス有効部３３にめっき層３４を形成する。よって、基板表面ＷＡの基板周縁部３２と基板デバイス有効部３３との間に段差を持つように成膜される。基板Ｗを加工電極２１８と給電電極２３６とに近接させ、基板Ｗと加工電極２１８の間、基板Ｗと給電電極２３６の間にイオン交換体２３５が位置するようにする。基板Ｗとイオン交換体２３５との間に流体としての加工液２０２を供給する。電源２２３により加工電極２１８と給電電極２３６との間に電圧を印加する。加工電極２１８、給電電極２３６、イオン交換体２３５を基板Ｗに対して相対的に移動させる。また、加工電極２１８、給電電極２３６、イオン交換体２３５を基板Ｗの被加工面ＷＡ全体にわたり周期的に移動させるとよい。
【００８１】
基板周縁部３２のシード層３１が除去された時点で基板Ｗの処理加工を終了する。処理加工によって基板Ｗの上面ＷＡの成膜が、基板Ｗの上面ＷＡの全体にわたり均一の厚さｔで同時に除去される処理加工が施されている。
【００８２】
本実施の形態の電解加工方法は、基板Ｗと加工電極２１８の間、基板Ｗと給電電極２３６の間にイオン交換体２３５を位置させるので効率のよい電解加工を行うことでき、さらに基板Ｗを給電電極として使用していないので、導電性の基板Ｗだけでなく、非導電性の基板Ｗの処理加工をすることができる。
【００８３】
図７を参照して、膜除去装置１１１（図３参照）を具備した電解加工装置１０１（図３参照）を備えた基板処理装置４０１を説明する。電解加工装置１、２０１、３０１（図１、４、６参照）のいずれかを採用してもよいが、以下電解加工装置１０１を採用した場合を例に挙げ、適宜図３を参照して説明する。図７に示すように、この基板処理装置４０１では、基板Ｗ（図２参照）を搬出入する搬出入部としての一対のロード・アンロード部４３０と、基板Ｗを反転させる反転機４３２と、および電解加工装置１０１とが直列に配置され、搬送装置としての搬送ロボッ４３３８ａがこれらの各機器と平行に走行して基板Ｗの搬送と受渡しを行うようになっている。
【００８４】
さらに、電解加工装置１０１による電解加工の際に、加工電極１１８（図３参照）と基板（給電電極）Ｗ（図３参照）との間に印加する電圧、またはこの間を流れる電流をモニタし、加工電極１１８と基板（給電電極）Ｗとの間の電圧と電流のうち少なくとも一方を独立に制御する制御部３４２が備えられている。本基板処理装置４０１によれば、膜除去装置を具備する電解加工装置１０１を備えるので、基板表面ＷＡの基板周縁部３２（図２参照）と基板デバイス有効部３３（図２参照）との間に段差を持つように成膜された基板Ｗについて、基板表面ＷＡの膜を同時に全面にわたって所定の厚さ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部３２の膜を確実に除去し、基板デバイス有効部３３に膜を残存させる除去処理を簡易に施すことができる。
【００８５】
なお、前述の処理加工における被加工物の材料と電極の極性の関係を述べると、被加工物である基板の材料が、例えば銅、またはモリブデン、または鉄、またはタングステンにあっては、陰極側に電解加工作用が生じるため、加工電極側が陰極に、基板側あるいは給電電極側が陽極になるように電圧が印加される。一方、基板の材料が、例えばアルムニウム、またはシリコンにあっては、陽極側に電解加工作用が生じるため、加工電極側が陽極に、基板側あるいは給電電極側が陰極になるように電圧が印加される。
【００８６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、膜除去装置を設けたので、基板表面の基板周縁部と基板デバイス有効部との間に段差を持つように成膜された基板について、基板表面の膜を同時に全面にわたって所定の厚さ除去する処理を施すことが可能であり、基板周縁部の膜を確実に除去し、基板デバイス有効部に膜を残存させる除去処理を簡易に施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電解加工装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図２】図１の電解加工装置によって加工される基板の形状を示す断面ブロック図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る電解加工装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る電解加工装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図５】図４の電解加工装置の加工電極、給電電極の配置を説明する底面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る化学的エッチング装置の概略構成を示す断面ブロック図である。
【図７】本発明の電解加工装置を備えた基板処理装置の平面図である。
【符号の説明】
１、１０１、２０１ 電解加工装置
２、２０２ 加工液
１１ 膜除去装置
１２ 電極保持部
１３ 電極回転軸
１４ 基板保持部
１５ 基板回転軸
１６ 外周壁
１７、２１７ 凹部
１８、２１８ 加工電極
１９、２１９ 貫通孔
２０、２２０ 中空路
２１ 貫通孔
２２ 中空路
２３、２２３ 電源
２４、２５ 配線
２６、２７ スリップリング
２８、２２８ 加工液供給口
２９ 貫通孔
３１ シード層
３２ 基板周縁部
３３ 基板デバイス有効部
３４ めっき層
１３５、２３５ イオン交換体
２３６ 給電電極
２３７ 絶縁部
３０１ 化学的エッチング装置
Ｗ 基板
ＷＡ 上面
Claims (5)
- 半導体基板の表面の全面にシード層を形成し、基板周縁部を除いた部分である基板デバイス有効部に前記シード層より厚くめっき層を形成することによって前記基板周縁部と前記基板デバイス有効部との間に段差を持つように成膜された半導体基板の基板周縁部のシード層を除去する基板処理方法であって；
前記基板周縁部の前記シード層及び前記めっき層の全体に加工液を供給し、前記基板周縁部の前記シード層及び前記めっき層の全体を、同時に所定の厚さ、前記基板周縁部の前記シード層が除去され残存しなくなるまで除去することで、前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する；
基板処理方法。 - 前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する工程が電解加工工程である；
請求項１に記載の基板処理方法。 - 前記電解加工工程は、前記半導体基板に加工電極を近接させる工程と；
前記半導体基板に給電する給電電極を提供する工程とを備え；
前記半導体基板と前記加工電極との間または前記半導体基板と前記給電電極との間の少なくとも一方にはイオン交換体が配置されており；
前記半導体基板と前記イオン交換体との間に前記加工液を供給する供給工程と；
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する工程をさらに備え；
前記加工液が、水、純水、超純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の電解液のいずれかである；
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記電解加工工程は、前記半導体基板に加工電極を近接させる工程と；
前記半導体基板に給電する給電電極を提供する工程と；
前記半導体基板と前記加工電極との間、または前記半導体基板と前記給電電極との間の少なくとも一方に前記加工液を供給する供給工程と；
前記加工電極と前記給電電極との間に電圧を印加する工程とを備え；
前記加工液が、水、純水、超純水、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の液体、電気伝導度が５００μＳ／ｃｍ以下の電解液のいずれかである；
請求項２に記載の基板処理方法。 - 前記基板周縁部のシード層を選択的に剥離する工程が化学的エッチング工程である；
請求項１に記載の基板処理方法。
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