JP7063950B2 - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7063950B2 JP7063950B2 JP2020121308A JP2020121308A JP7063950B2 JP 7063950 B2 JP7063950 B2 JP 7063950B2 JP 2020121308 A JP2020121308 A JP 2020121308A JP 2020121308 A JP2020121308 A JP 2020121308A JP 7063950 B2 JP7063950 B2 JP 7063950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- perovskite
- layer
- insulating
- luminescent
- nanoparticles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 86
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 65
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 34
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 30
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 30
- -1 halide anion Chemical group 0.000 claims description 24
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 15
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 6
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920006112 polar polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 170
- 239000000463 material Substances 0.000 description 75
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 43
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 11
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 10
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 4
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002370 liquid polymer infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N methanamine;hydrobromide Chemical compound [Br-].[NH3+]C ISWNAMNOYHCTSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
前記の半導体性ペロブスカイト層は、半導体性ペロブスカイト物質又はそのための前駆体の溶液を、半導体性ペロブスカイトナノ粒子又はそのための前駆体よりも広いバンドギャップを有する材料の溶液と混合し、そうして形成された混合物を第一の導電層の上に堆積させ、次にそうして形成された混合物から溶媒を除去することによって、半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンドに埋め込まれた所望する半導体性ペロブスカイトナノ粒子を得る工程によって得られる、半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンドに埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子を含む。
本発明は、例の目的で、添付した図面において、図によって説明されている。
本発明の第一の側面の方法は、半導体性ペロブスカイト膜中のピンホールの形成の問題に対する解決法を提供する。本発明の第一の側面の方法は、半導体性ペロブスカイトナノ粒子よりも広いバンドギャップを有する材料のマトリクス又はブレンド中に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の薄層の、溶液堆積法による調製を可能にする。半導体性ペロブスカイトナノ粒子より広いバンドギャップを有する材料は、ピンホールのない電荷阻止層(電荷ブロッキング層)を形成する一方で、さらに、例えば、その埋め込まれたペロブスカイト結晶が、発光ダイオードの一つの形態において電子及び正孔注入層との電気的接点を形成することを可能にしている。この修飾された構造が、非放射性の電流損失を低減し、量子効率を改善する。この簡単な技術が、半導体性ペロブスカイトオプトエレクトロニクスにおけるフィルム形成問題を回避するための代替経路をもたらし、かつ可撓性及び高性能の発光ディスプレイの可能性を提供する。
(i)Mは二価金属カチオンである;
(ii)その二価金属カチオンMは、スズ(Sn2+)又は鉛(Pb2+)である;
(iii)一価カチオンは、一級、二級、又は三級のアンモニウムカチオン[HNR1R2R3]+であり、式中、R1、R2、R3のそれぞれは同じであるか異なり、水素、非置換又は置換C1~C20アルキル基、及び非置換又は置換C5~C18アリール基から選択される。アルキル基のための好適な置換基の例は、1~20の炭素原子を有するアルコキシ基、ヒドロキシル基、各アルキル基が同じであるか又は異なりかつ1~20の炭素原子を有するモノ及びジアルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、チオール基、スルフィニル基、スルホニル基、及び5~18の炭素原子を有するアリール基である。アルキル基のための適切な置換基の例は、1~20の炭素原子を有するアルキル基、2~20の炭素原子を有するアルケニル及びアルキニル基、1~20の炭素原子を有するアルコキシ基、1~20の炭素原子を有するハロアルキル基、ヒドロキシル基、各アルキル基が同じであるか又は異なりかつ1~20の炭素原子を有していることができるモノ及びジアルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、チオール基、スルフィニル基、及びスルホニル基である;
(iv)[R1R2N-CH=NR3R4]+:
(v)(R1R2N)(R3R4N)C=NR5R6:
(vi)一価カチオンがアルカリ金属カチオンである;
(vii)一価カチオンがセシウム(Cs+)又はルビジウム(Rb+)である;
(viii)Xが、クロライド、ブロマイド、アイオダイド、及びフルオライドから選択されるハライドアニオンであり、AMX3構造中、各ハライドは同じであるか異なっていることができる。
A及びBはそれぞれ上で規定した一価カチオンであって、A及びBは異なり;
Mは上で規定した二価金属カチオンであり;
Xは上で規定したハライドアニオンであり;
iは0と1の間である。
Aは上で定義した一価カチオンであり;
Mは上で定義した二価金属カチオンであり;
X及びYはそれぞれ上で定義したハライドアニオンであって、X及びYは異なり;
kは0と3の間である。
Aは上で定義した一価カチオンであり;
M及びNはそれぞれ上で定義した二価金属カチオンであり;
Xは上で定義したハライドアニオンであり;
jは0と1の間である。
A及びBはそれぞれ上で定義した一価カチオンであり、A及びBは異なり;
M及びNはそれぞれ上で定義した二価金属カチオンであり;
X及びYはそれぞれ上で定義したハライドアニオンであって、X及びYは異なり;
iは0と1の間であり、jは0と1の間であり、kは0と3の間である。
透明導電性電極と半導体性ペロブスカイト層の間、
電荷注入層と導電性電極の間、
透明導電性電極と電荷注入層の間、
半導体性ペロブスカイト層と電荷注入層の間、又は
半導体性ペロブスカイト層と導電性電極の間
に堆積される。
態様では、有機マトリクス中で形成されるナノ結晶の大きさを変えることによって、発光ダイオード中のペロブスカイト層又は発光性リン光体の特性を調節することができる。例えば、発光性リン光体の発光波長(色)を調節することが望まれる。
我々は、ぺロブスカイトナノ粒子膜の性質をどのようにして調節して発光波長を変えるか、及びどのようにしてその調節手法を用いて、調節可能な発光性リン光体を提供するかについて上で説明している。発光性リン光体としてアルミナナノ粒子/ぺロブスカイトを用いることの可能性を調べてきた。態様のなかでは、ぺロブスカイト前駆体をアルミナとブレンドして、ペロブスカイトの発光効率を高める膜へと堆積させる。アルミナは透明(可視スペクトルにおいて)であり、ペロブスカイトの発光を吸収しない。アルミナは、ペロブスカイトと同様、溶液から加工することができ、このことは発光性リン光体の作製を簡素化しうる。
上述したペロブスカイト物質を有機光電子素子の作製にもちいる場合、ペロブスカイト物質は溶かされて溶液を形成することが好ましい。その溶液は、そのような素子の活性/発光層を形成させるための溶液加工法において用いることができる。PeLEDの電極は、熱蒸着によって堆積させることができる。発光層、正孔注入層、及び/又は中間層(1又は複数)は、溶液加工法、例えばスピンコーティング法によって堆積させることができる。本発明の好ましい素子はまた、湿気及び酸素の侵入を避けるためにカプセル化される。慣用のカプセル化法を用いることができる。
臭化メチルアンモニウム(CH3NH3Br)を、エタノール中の33質量%のメチルアミン溶液(24mL)及び水中の48質量%臭化水素酸を、100mLの無水エタノールに添加することによって調製した。その反応混合物を室温で撹拌した。溶媒を、ロータリーエバポレーターによる蒸発によって除去した。得られた白色結晶を無水ジエチルエーテルで洗い、エタノール中で再結晶した。無水N,N-ジメチルホルムアミド中でCH3NH3BrとPbBr3を3:2のモル比で混合して5質量%の濃度にすることによって、ペロブスカイト前駆体溶液を調製した。
様々な質量比になるように、5質量%のCH3NH3PbBr3溶液と希釈されたPIP溶液を混合することによってブレンド溶液を調整した。これらのブレンド溶液を、使用前に室温下で2時間撹拌した。
Keithlay 2400 Source Measure Unit(SMU)を使用して、電流対電圧特性を測定した。発光画素(ピクセル)の上で中心を合わせた校正済みシリコンフォトダイオードを使用して、光子束を同時に測定した。cdm-2単位の輝度を、PeLEDの発光スペクトルとそのシリコンフォトダイオードの既知のスペクトル応答に基づいて計算した。ランベール発光プロファイルと仮定して、外部量子効率を計算した。Labsphere CDS-610分光計を使用してエレクトロルミネッセンススペクトルを測定した。
発光性ペロブスカイトナノ結晶を、誘電性ポリマーのピンホールのないマトリクス中に埋め込んで、優れた発光ダイオード性能を得ることができることが示されている。この技術は完全に溶液加工で行われ、かなり簡単であり、かつペロブスカイト太陽電池へと拡張して、漏洩電流の問題を解決することができる可能性がある。ポリマーマトリクスのこの組み込みは、そうでなければ脆いペロブスカイト物質に対して、柔軟性という追加の利点を素子にさらに付与する。
Claims (14)
- 絶縁材料のマトリクス又はブレンド中に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の層を含み、絶縁材料が、絶縁性ポリマー又は絶縁性有機分子を含み、前記半導体性ペロブスカイトナノ粒子が、AMX3構造を有し、Aが一価カチオンであり、Mが二価カチオンであり、かつ、Xがハライドアニオンである、有機金属ハロゲン化物ペロブスカイトを含み、
前記一価カチオンAが、
・一級、二級、又は三級のアンモニウムカチオン[HNR 1 R 2 R 3 ] + (式中、R 1 、R 2 、及びR 3 のそれぞれが同じであるか異なり、水素、非置換又は置換C 1 ~C 20 アルキル基、及び非置換又は置換C 5 ~C 18 アリール基から選択される)であり、且つ/または
・式:[R 1 R 2 N-CH=NR 3 R 4 ] + :
・式:(R 1 R 2 N)(R 3 R 4 N)C=NR 5 R 6 :
・セシウム(Cs + )又はルビジウム(Rb + )を含むアルカリ金属カチオンである、発光リン光体。 - 絶縁材料が、絶縁性ポリマーである、請求項1に記載の発光リン光体。
- 絶縁性ポリマーが、極性ポリマーである、請求項2に記載の発光リン光体。
- 絶縁材料が、絶縁性有機分子である、請求項1に記載の発光リン光体。
- 絶縁性有機分子が、極性有機分子である、請求項4に記載の発光リン光体。
- 絶縁材料のマトリクス又はブレンド中に埋め込まれた半導体性ペロブスカイトナノ粒子の層の厚さが、500nm以下である、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光リン光体。
- Xが、クロライド、ブロマイド、アイオダイド、及びフルオライドから選択されるハライドアニオンであり、AMX3構造中、各ハライドは同じであっても異なっていてもよい、請求項1から7のいずれか一項に記載の発光リン光体。
- ペロブスカイト物質が、
A1-iBiMX3構造を有し、式中、
・A及びBはそれぞれ請求項1において一価カチオンAとして規定される一価カチオンであって、A及びBは異なり;
・Mは請求項8に規定される二価金属カチオンであり;
・Xは請求項8に規定されるハライドアニオンであり;且つ
・iは0と1の間であり、あるいは、
AMX3-kYk構造を有し、式中、
・Aは請求項1に規定される一価カチオンであり;
・Mは請求項8に規定される二価金属カチオンであり;
・X及びYはそれぞれ請求項8においてハライドアニオンXとして規定されるハライドアニオンであって、X及びYは異なり;且つ
・kは0と3の間であり、あるいは、
AM1-jNjX3構造を有し、式中、
・Aは請求項1に規定される一価カチオンであり;
・M及びNはそれぞれ請求項8において二価金属カチオンMとして規定される二価金属カチオンであり;
・Xは請求項8に規定されるハライドアニオンであり;且つ
・jは0と1の間であり、あるいは、
A1-iBiM1-jNjX3-kYk構造を有し、式中、
・A及びBはそれぞれ請求項1において一価カチオンAとして規定される一価カチオンであり、A及びBは異なり;
・M及びNはそれぞれ請求項8において二価金属カチオンMとして規定される二価金属カチオンであり;
・X及びYはそれぞれ請求項8においてハライドアニオンXとして規定されるハライドアニオンであって、X及びYは異なり;且つ
・iは0と1の間であり、jは0と1の間であり、kは0と3の間である、請求項8に記載の発光リン光体。 - 半導体性ペロブスカイトナノ粒子が、半導体性ペロブスカイトナノ結晶である、請求項1から9のいずれか一項に記載の発光リン光体。
- 半導体性ペロブスカイトナノ粒子:絶縁材料の質量比が、0.01:1~2:1、0.1:1~10:1、1:1~5:1、及び1:1~2:1を含む0.01:1~20:1である、請求項1に記載の発光リン光体。
- 請求項1から11のいずれか一項に規定される発光リン光体により放射される波長を選択する方法であって、半導体性ペロブスカイトナノ粒子の絶縁材料に対する質量比を選択することによって前記波長の前記選択を達成する工程を含む、方法。
- 請求項1から11のいずれか一項に規定される発光リン光体により放射される波長を選択する方法であって、絶縁材料のマトリクス又はブレンド中に埋め込まれたペロブスカイトナノ粒子の大きさを変えることによって前記波長の前記選択を達成する工程を含む、方法。
- 請求項1から11のいずれか一項に規定される発光リン光体により放射される波長を選択する方法であって、半導体性ペロブスカイトナノ粒子物質またはその前駆体を選択し、且つ/または絶縁材料を選択することによって前記波長の前記選択を達成する工程を含む、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB1421133.8A GB201421133D0 (en) | 2014-11-28 | 2014-11-28 | Electroluminescent device |
GB1421133.8 | 2014-11-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017547082A Division JP6736575B2 (ja) | 2014-11-28 | 2015-11-20 | 電界発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020191287A JP2020191287A (ja) | 2020-11-26 |
JP7063950B2 true JP7063950B2 (ja) | 2022-05-09 |
Family
ID=52349592
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017547082A Active JP6736575B2 (ja) | 2014-11-28 | 2015-11-20 | 電界発光素子 |
JP2020121308A Active JP7063950B2 (ja) | 2014-11-28 | 2020-07-15 | 電界発光素子 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017547082A Active JP6736575B2 (ja) | 2014-11-28 | 2015-11-20 | 電界発光素子 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10636993B2 (ja) |
EP (1) | EP3224877A1 (ja) |
JP (2) | JP6736575B2 (ja) |
KR (1) | KR102465407B1 (ja) |
CN (1) | CN107438907B (ja) |
AU (1) | AU2015352254A1 (ja) |
CA (1) | CA2969050A1 (ja) |
GB (1) | GB201421133D0 (ja) |
WO (1) | WO2016083783A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11257630B2 (en) | 2013-07-06 | 2022-02-22 | Blue Horizons Innovations, Llc | Primary nanoparticle fabrication |
US11205757B2 (en) | 2014-11-06 | 2021-12-21 | Sn Display Co., Ltd. | Core-shell structured perovskite particle light-emitter, method of preparing the same and light emitting device using the same |
WO2016072810A1 (ko) | 2014-11-06 | 2016-05-12 | 포항공과대학교 산학협력단 | 엑시톤 버퍼층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR101724210B1 (ko) | 2014-11-06 | 2017-04-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 페로브스카이트 발광소자용 발광층 및 이의 제조방법과 이를 이용한 페로브스카이트 발광소자 |
KR101643052B1 (ko) | 2014-11-06 | 2016-07-27 | 포항공과대학교 산학협력단 | 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자 |
GB201421133D0 (en) | 2014-11-28 | 2015-01-14 | Cambridge Entpr Ltd | Electroluminescent device |
US10181538B2 (en) | 2015-01-05 | 2019-01-15 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Quantum-dot-in-perovskite solids |
JP6501303B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-04-17 | 国立大学法人金沢大学 | 微粒子化ペロブスカイト膜及びそれを用いた機能性素子 |
US10908318B2 (en) | 2015-06-30 | 2021-02-02 | Cambridge Enterprise Limited | Luminescent device |
WO2017121984A1 (en) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | Sheffield Hallam University | Photoactive polymer-perovskite composite materials |
GB2549938A (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-08 | Sumitomo Chemical Co | Electroluminescence device |
WO2018007586A1 (en) | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Technische Universiteit Eindhoven | Perovskite contacting passivating barrier layer for solar cells |
US11482672B2 (en) | 2016-08-02 | 2022-10-25 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Solid junction-type photoelectric conversion element, perovskite film, and photoelectric conversion module |
EP3282000A1 (en) * | 2016-08-11 | 2018-02-14 | Avantama AG | Solid polymer composition |
KR102146212B1 (ko) * | 2016-08-11 | 2020-08-20 | 아반타마 아게 | 발광 결정 및 그의 제조 |
JP2018107084A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造方法 |
EP3676886A1 (en) * | 2017-08-30 | 2020-07-08 | The Florida State University Research Foundation, Inc. | Bandgap-tunable perovskite materials and methods of making the same |
KR101928353B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2019-03-12 | 한국광기술원 | 질화물을 이용한 광전소자 및 그 제조방법 |
CN109980095B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-06-09 | 南京工业大学 | 一种有效提升发光器件效率的钙钛矿膜层、器件和制备方法 |
KR102469982B1 (ko) * | 2018-01-09 | 2022-11-23 | 광주과학기술원 | 페로브스카이트가 내장된 광결정 및 그 제조 방법 |
KR102528301B1 (ko) | 2018-02-26 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 및 조명 장치 |
TWI812682B (zh) | 2018-03-13 | 2023-08-21 | 新加坡國立大學 | 鈣鈦礦 - 聚合物複合材料 |
GB201808439D0 (en) * | 2018-05-23 | 2018-07-11 | Savvy Science Ltd | Stacked perovskite light emitting device |
KR102144090B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2020-08-13 | 서울대학교산학협력단 | 페로브스카이트-유기 저분자 호스트 혼합 발광층을 포함하는 발광 소자 및 이의 제조방법 |
CN110707220B (zh) * | 2018-07-09 | 2021-10-29 | 上海交通大学 | 一种通过黑磷提高钙钛矿电池稳定性的方法 |
WO2020081696A1 (en) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | Wake Forest University | Perovskite lighting systems |
KR20210089685A (ko) * | 2018-11-09 | 2021-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 디바이스, 발광 기기, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
CA3131275A1 (en) * | 2019-02-25 | 2020-09-03 | Vivek Maheshwari | Method and system for generating a polymer-perovskite hybrid |
US11139442B2 (en) * | 2019-03-12 | 2021-10-05 | Universal Display Corporation | Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs |
US11637261B2 (en) | 2019-03-12 | 2023-04-25 | Universal Display Corporation | Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs |
US11569480B2 (en) | 2019-03-12 | 2023-01-31 | Universal Display Corporation | Plasmonic OLEDs and vertical dipole emitters |
US11901133B2 (en) | 2019-03-20 | 2024-02-13 | Blue Horizons Innovations, Llc | Dense energy storage element with multilayer electrodes |
US20220332656A1 (en) | 2019-03-20 | 2022-10-20 | Blue Horizons Innovations,LLC | Nano particle agglomerate reduction to primary particle |
WO2020197032A1 (ko) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 동국대학교 산학협력단 | 신틸레이터 조성물 및 이를 이용하는 신틸레이터 |
KR102288775B1 (ko) * | 2019-03-26 | 2021-08-12 | 동국대학교 산학협력단 | 신틸레이터 조성물 및 이를 이용하는 신틸레이터 |
CN110010770A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-07-12 | 济南大学 | 一种金双棱锥等离子增强的钙钛矿太阳能电池的制备 |
JP7254591B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-04-10 | シャープ株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
CN111830616B (zh) * | 2019-04-16 | 2021-11-09 | 致晶科技(北京)有限公司 | 利用晶体制成的消色差相位延迟器和制作方法 |
US20220263042A1 (en) * | 2019-07-15 | 2022-08-18 | National University Of Singapore | Near infra-red light emitting diodes |
GB201913835D0 (en) | 2019-09-25 | 2019-11-06 | Cambridge Entpr Ltd | Perovskite Semiconductor Devices |
CN110690355B (zh) * | 2019-09-26 | 2020-12-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件 |
CN112646570B (zh) * | 2019-10-10 | 2023-04-07 | 致晶科技(北京)有限公司 | 一种基于钙钛矿量子点的防蓝光材料以及防蓝光复合膜及含有其的显示器件 |
KR20210115255A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-27 | 삼성전자주식회사 | 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자 |
KR20210117617A (ko) | 2020-03-19 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
WO2021188162A1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-09-23 | Frank David L | Primary nanoparticle fabrication |
KR102480363B1 (ko) * | 2020-08-11 | 2022-12-23 | 연세대학교 산학협력단 | 압전성과 발광성이 동기화된 소재 및 이를 포함하는 소자 |
CN112646213B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-09-27 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种电荷存储聚合物基复合材料的制备方法 |
CN112919404B (zh) * | 2021-03-15 | 2023-09-29 | 华中科技大学 | 单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用 |
ES2933002B2 (es) * | 2021-07-23 | 2023-09-25 | Univ Valencia | Metodo de preparacion de capas de nanocristales de perovskitas de haluro metalico, nanocompuesto en forma de pelicula nanometrica formado por nanocristales de perovskitas, capas de nanocristales de perovskitas de haluros metalicos y usos de las capas |
WO2023117835A1 (en) * | 2021-12-21 | 2023-06-29 | Merck Patent Gmbh | Electronic devices |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227330A (ja) | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子 |
WO2014045021A1 (en) | 2012-09-18 | 2014-03-27 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device |
JP2014078392A (ja) | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Peccell Technologies Inc | ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子 |
JP2017536450A (ja) | 2014-11-06 | 2017-12-07 | ポステック アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 波長変換粒子、波長変換粒子の製造方法、及び波長変換粒子を含む発光素子 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6344662B1 (en) | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
US5882548A (en) * | 1997-05-08 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Luminescent organic-inorganic perovskites with a divalent rare earth metal halide framework |
US6420056B1 (en) * | 1999-07-08 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Electroluminescent device with dye-containing organic-inorganic hybrid materials as an emitting layer |
JP2002299063A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Japan Science & Technology Corp | 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子 |
US7105360B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-09-12 | International Business Machines Corporation | Low temperature melt-processing of organic-inorganic hybrid |
DE102005061828B4 (de) * | 2005-06-23 | 2017-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonvertierendes Konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20110180757A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-07-28 | Nemanja Vockic | Luminescent materials that emit light in the visible range or the near infrared range and methods of forming thereof |
JP2009530488A (ja) * | 2006-03-21 | 2009-08-27 | ウルトラドッツ・インコーポレイテッド | 可視域又は近赤外域の光を放出する発光材料 |
GB0909818D0 (en) * | 2009-06-08 | 2009-07-22 | Isis Innovation | Device |
US9196482B2 (en) * | 2011-06-01 | 2015-11-24 | Kai Shum | Solution-based synthesis of CsSnI3 |
US9181475B2 (en) * | 2012-02-21 | 2015-11-10 | Northwestern University | Photoluminescent compounds |
GB201208793D0 (en) * | 2012-05-18 | 2012-07-04 | Isis Innovation | Optoelectronic device |
JP6143047B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2017-06-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 波長変換デバイス及びその製造方法 |
JP6099036B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-03-22 | ペクセル・テクノロジーズ株式会社 | ペロブスカイト化合物を用いた有機el素子 |
CN105210204A (zh) * | 2012-12-20 | 2015-12-30 | 耶路撒冷希伯来大学伊森姆研究发展有限公司 | 钙钛矿肖特基型太阳能电池 |
JP6097084B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-03-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US9761768B2 (en) * | 2013-07-08 | 2017-09-12 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
US9136408B2 (en) * | 2013-11-26 | 2015-09-15 | Hunt Energy Enterprises, Llc | Perovskite and other solar cell materials |
WO2015164731A1 (en) * | 2014-04-24 | 2015-10-29 | Northwestern University | Solar cells with perovskite-based light sensitization layers |
GB201421133D0 (en) | 2014-11-28 | 2015-01-14 | Cambridge Entpr Ltd | Electroluminescent device |
US9908906B2 (en) * | 2015-12-15 | 2018-03-06 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Luminescent metal halide perovskites and methods |
JP7014718B2 (ja) | 2015-12-23 | 2022-02-01 | アファンタマ アクチェンゲゼルシャフト | ディスプレイデバイス |
US10585228B2 (en) | 2015-12-29 | 2020-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots, production methods thereof, and electronic devices including the same |
-
2014
- 2014-11-28 GB GBGB1421133.8A patent/GB201421133D0/en not_active Ceased
-
2015
- 2015-11-20 US US15/531,404 patent/US10636993B2/en active Active
- 2015-11-20 AU AU2015352254A patent/AU2015352254A1/en not_active Abandoned
- 2015-11-20 JP JP2017547082A patent/JP6736575B2/ja active Active
- 2015-11-20 CN CN201580074603.9A patent/CN107438907B/zh active Active
- 2015-11-20 CA CA2969050A patent/CA2969050A1/en not_active Abandoned
- 2015-11-20 EP EP15800931.6A patent/EP3224877A1/en active Pending
- 2015-11-20 KR KR1020177017724A patent/KR102465407B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-20 WO PCT/GB2015/053557 patent/WO2016083783A1/en active Application Filing
-
2020
- 2020-03-25 US US16/829,899 patent/US11362298B2/en active Active
- 2020-07-15 JP JP2020121308A patent/JP7063950B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227330A (ja) | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子 |
WO2014045021A1 (en) | 2012-09-18 | 2014-03-27 | Isis Innovation Limited | Optoelectronic device |
JP2014078392A (ja) | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Peccell Technologies Inc | ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子 |
JP2017536450A (ja) | 2014-11-06 | 2017-12-07 | ポステック アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 波長変換粒子、波長変換粒子の製造方法、及び波長変換粒子を含む発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016083783A1 (en) | 2016-06-02 |
US10636993B2 (en) | 2020-04-28 |
CA2969050A1 (en) | 2016-06-02 |
JP2018504787A (ja) | 2018-02-15 |
CN107438907A (zh) | 2017-12-05 |
US20170324057A1 (en) | 2017-11-09 |
US11362298B2 (en) | 2022-06-14 |
CN107438907B (zh) | 2020-07-17 |
GB201421133D0 (en) | 2015-01-14 |
US20200227667A1 (en) | 2020-07-16 |
KR20170126856A (ko) | 2017-11-20 |
JP2020191287A (ja) | 2020-11-26 |
JP6736575B2 (ja) | 2020-08-05 |
AU2015352254A1 (en) | 2017-07-20 |
EP3224877A1 (en) | 2017-10-04 |
KR102465407B1 (ko) | 2022-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7063950B2 (ja) | 電界発光素子 | |
EP3138138B1 (en) | Electroluminescent device | |
Shi et al. | High-performance planar green light-emitting diodes based on a PEDOT: PSS/CH 3 NH 3 PbBr 3/ZnO sandwich structure | |
CN107210366B (zh) | 包含激子缓冲层的钙钛矿发光器件以及制造其的方法 | |
DE112006000495B4 (de) | Mehrschichtige Licht emittierende Polymer-Diode für Festkörper Beleuchtungs-Anwendungen | |
Tang et al. | On the selection of a host compound for efficient host–guest light-emitting electrochemical cells | |
US10985322B2 (en) | Polymer and organic light-emitting device | |
US20100096978A1 (en) | Light Emissive Device | |
KR102471967B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
TW201712922A (zh) | 摻雜有機半導體之方法及摻雜組合物 | |
Hwang et al. | Highly efficient inverted phosphorescent organic light-emitting devices with ZnO nanoparticles electron injection layer | |
WO2017144863A1 (en) | Compound, composition and organic light-emitting device | |
US20180138414A1 (en) | Organic light-emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200804 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210322 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220421 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7063950 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |