JP7057228B2 - 炎検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、有炎燃焼時のＣＯ₂共鳴により発生する赤外線放射を検出して、炎の有無を判定する炎検出装置に関する。

従来、有炎燃焼により発生する放射線エネルギーを検出して、炎の有無を検出する炎検出装置にあっては、有炎燃焼時に発生する放射線のうち、ＣＯ₂の共鳴放射波長帯域における赤外線強度を検出して、炎の有無を検出する炎検出装置や炎検出方法がよく知られている。

ここで、従来技術における炎検出装置について、簡単に説明する。図１４は、燃焼炎と、その他の代表的な放射体の赤外波長域における赤外線スペクトルを示す概念図であり、横軸は赤外線の波長、縦軸は赤外線の相対強度を示す。

図１４に示すように、燃焼炎のスペクトル特性１００においては、４．５μｍ付近の波長帯域に、ＣＯ₂の共鳴放射に伴う赤外線相対強度のピークがある。

なお、以下では、特に断らない限り、ＣＯ₂共鳴放射帯とは、４．５μｍ帯を指すものとする。また、赤外線エネルギーを検出する検出センサとしては例えば焦電センサが利用されている。

このように、従来の炎検出装置は、燃焼炎のＣＯ₂共鳴に伴って放射される４．５μｍ帯の赤外線を焦電体等のセンサで電気信号に変換し、この電気信号から炎特有のちらつき周波数成分を抽出して炎の有無を判定するようにしている。

また、従来の２波長式の炎検出装置にあっては例えば、４．５μｍ付近の波長帯域と、５．０μｍ付近の波長帯域における各々の放射線エネルギーを狭帯域の光学波長バンドパスフィルタにより選択透過（通過）させて、各々について検出センサにより該放射線エネルギーを検出し、これを光電変換したうえで増幅等所定の処理を施してエネルギー量に対応する電気信号（以下、「受光信号」という）とし、上記各々の波長帯域の受光信号レベルの相対比をとり、所定の閾値と比較することにより炎の有無を判定する。

このような炎検出装置を高天井のアトリウム等の天井面や壁面に設置して火災による炎を監視する。

また、炎検出装置は透光性窓を介して有炎燃焼により発生する赤外線エネルギーを検出して炎の有無を監視しており、炎の監視機能を維持するために、透光性窓の汚れを監視するための自己試験として、汚れ試験を行っている。

汚れ試験は、火災受信盤から定期的に送信される試験信号を受信した場合に、炎検出装置の外側に設けられた試験ランプから炎模擬光となる試験光を透光性窓に入射し、検出センサで受光して、このときの受光信号を汚れていない初期状態と比較演算して減光率を求め、減光率が所定の汚れ閾値を超えた場合に汚れ警報信号を火災受信盤に送信して汚れ警報を出力させている。

このような汚れ試験に使用する試験ランプは、基板に配置されたランプホルダに取付けられ、基板の筐体に対する取付け固定により、透光性窓の内側に配置された検出センサに試験光が照射されるように、試験窓の内側の所定位置に位置決めされた状態で取付けられている。

このようなランプホルダを使用することで、試験ランプを安定的に保持し、また組立や部品交換等を容易にしている。また従来、ランプホルダは回路基板上に固定され、この回路基板が筐体に取り付けられることで筐体内の所定位置に試験ランプが配置される。

特開昭５５－０８８１２５号公報 特許第４０１４１８８号公報 特許第４４０４３２９号公報 特許第３３５７３３０号公報 特開２００２－４２２６３号公報

しかしながら、このような従来の炎検出装置にあっては、筐体に対する基板の取付け固定により試験窓に対する試験ランプの取付位置が決められており、ランプホルダに試験ランプを取付ける際の寸法誤差に、基板を筐体に取り付ける際の寸法誤差が加わり、試験ランプの取付位置とセンサ位置の相対的なずれが大きくなる傾向があった。

試験ランプとセンサ位置の相対的なずれが大きくなるが大きくなると、試験ランプからセンサに照射されて検出される光量のばらつきが大きくなる。このため、試験窓から照射した試験光が透光性窓の内側に配置された受光素子に十分に届かずに受光量が不足するといった問題が生じる恐れがある。

本発明は、試験窓に対する試験ランプとセンサ位置の相対的なずれ寸法のばらつきを低減して、透光性窓に対する試験光の照射を確実に行うことを可能とする炎検出装置を提供することを目的とする。

（炎検出装置）
本発明は、燃焼炎から放射される放射線エネルギーを、透光性窓を介して検出センサにより観測して燃焼炎の有無を判断し検出する２組の炎検出部が設けられた炎検出装置であって、
筐体の前面に配置された前記透光性窓の間に、内部を収納部として筐体の前面から張出し形成された凸部と、
凸部の両側壁面に配置された一対の試験窓と、
一対の試験窓を介して透光性窓に試験光を照射する一対の試験ランプと、
一対の試験ランプを一対の試験窓の間に配置した凸部の収納部に組込んで筐体側に固定するランプホルダと、
が設けられたことを特徴とする。

（対称構造の分割ランプホルダ）
ランプホルダは、組み合わせ状態で収納部に収納可能な対称構造の分割ランプホルダであり、
分割ランプホルダを組み合わせた状態で収納部に収納して筐体側に個別に固定する。

（分割ランプホルダの突合せ構造）
分割ランプホルダは、突合せ構造を備える。

（矩形面又はテーパ面の段付き突合せ構造）
分割ランプホルダの突合せ構造を、矩形面又はテーパ面の段付き突合せ構造とする。

（一体型ランプホルダ）
ランプホルダは、少なくとも一対の試験ランプを組込み固定する一対のランプ固定部を一体に形成し、当該一体に形成したランプ固定部を直接前記筐体側に固定する。

（基本的な効果）
本発明は、燃焼炎から放射される放射線エネルギーを、透光性窓を介して検出センサにより観測して燃焼炎の有無を判断し検出する２組の炎検出部が設けられた炎検出装置であって、筐体の前面に配置された前記透光性窓の間に、内部を収納部として筐体の前面から張出し形成された凸部と、凸部の両側壁面に配置された一対の試験窓と、一対の試験窓を介して透光性窓に試験光を照射する一対の試験ランプと、一対の試験ランプを一対の試験窓の間に配置した凸部の収納部に組込んで筐体側に固定するランプホルダとが設けられたため、試験ランプを装着したランプホルダは筐体側に直接固定されており、従来のようにランプホルダを取り付けた基板を筐体に取り付ける際の取付寸法誤差が発生せず、試験窓や検出センサに対する試験ランプの取付位置の誤差を低減し、試験窓から照射した試験光が透光性窓の内側に配置された検出センサに十分且つ確実に届くことで、運用中に透光性窓の汚れ度合を監視する汚れ試験を確実に行うことを可能とする。

（対称構造の分割ランプホルダによる効果）
また、ランプホルダは、組み合わせ状態で収納部に収納可能な対称構造の分割ランプホルダであり、分割ランプホルダを組み合わせた状態で収納部に収納して筐体側に個別に固定するようにしたため、一対の分割ランプホルダは同一形状であることから、２組の炎検出ユニットに対応して同じ分割ランプホルダを準備して向い合せるように組み合わせればよく、分割ランプホルダは１種類の形状を準備すれば済む。このため製造が容易でコストも低減できる。

（分割ランプホルダの突合せ構造による効果）
また、分割ランプホルダは、突合せ構造を備え、これを矩形面又はテーパ面の段付き突合せ構造としたため、対称構造の分割ランプホルダを組み合わせて筐体側、すなわち凸部の収納部に組付け固定する場合に、分割ランプホルダ同士の位置合わせが突合せ構造により確実に行われ、筐体側に分割ランプホルダを取付ける際の位置決め精度を高めることができ、相互の配置寸法誤差、即ち相対的な配置ずれを小さくすることができる。

（一体型ランプホルダの効果）
また、ランプホルダは、少なくとも一対の試験ランプを組込み固定する一対のランプ固定部を一体に形成し、当該一体に形成したランプ固定部を直接前記筐体側に固定するようにしたため、筐体側への組付け寸法誤差がランプ固定部ごとに生ずることを防止するので、試験ランプの検出センサに対する位置決め精度を高めることができ、あわせて組立性も向上する。

炎検出装置に組み込まれる炎検出部の実施形態を示したブロック図 炎検出装置の外観を示した説明図 図２の炎検出装置を正面から示した説明図 図２の炎検出装置を下側から見て中央凸部に配置された試験ランプ及び試 験窓と透光性窓の内側に配置された炎検出部を一部断面で示した説明図 図１の炎検出装置に組み込まれる検出ユニットを組立分解状態で示した説明図 炎検出センサの構造を示した説明図 図６の炎受光センサの等価回路を示した回路図 図１の実施形態に適用される光学波長フィルタ及び透光性窓の各波長における赤外線透過率を示した特性図 燃焼炎から放射される放射線エネルギーを観測した場合に図１の炎検出部から出力される炎受光信号を示した信号波形図 燃焼炎から放射される赤外線エネルギーを観測した場合に得られる加算した炎受光信号の周波数分布を示した説明図 透光性窓の汚れ試験に用いるランプユニットのセンサ収納部に対する組立分解状態を示した説明図 図１１のランプホルダを取出して示した説明図 図１２の分割ランプホルダを取出して示した説明図 燃焼炎の放射線スペクトルを示した特性図 一体型ランプホルダ及び検出ユニットを直接に筐体側に固定した炎検出 装置を一部断面で示した説明図 図１５の一体型ランプホルダを取出して示した説明図

［炎検出装置］
（装置概要）
図１は炎検出装置に組み込まれる炎検出部の実施形態を示したブロック図であり、２波長式の炎検出装置を例にとっている。本実施形態の炎検出装置は、監視領域の炎の有無を検出する火災検出装置であるものとする。図１に示すように、本実施形態の炎検出装置１０の検出部は、炎検出部１１－１と、同じ構成の別の炎検出部１１－２（図示省略）の２組が組み込まれている。

炎検出部１１－１は、炎検出ユニット１２ａ，１２ｂ、非炎検出ユニット１２ｃ、ＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）１５に設けられた判断部３６と試験制御部３８で構成される。

炎検出ユニット１２ａ，１２ｂは、監視エリアに存在する燃焼炎から放射される赤外線エネルギーを観測するものであり、燃焼炎からＣＯ₂共鳴に伴って放射される４．５μmを中心とする所定の波長帯域の赤外線を受光して光電変換し、炎受光信号Ｅ１，Ｅ２を出力する。

炎検出ユニット１２ａ，１２ｂには、サファイアガラス等を用いた赤外線の透光性窓１８、炎検出センサ１６ａ，１６ｂ、前置フィルタ２４ａ，２４ｂ、プリアンプ２６ａ，２６ｂ、メインアンプ２８ａ，２８ｂが設けられ、メインアンプ２８ａ，２８ｂから出力された炎受光信号Ｅ１，Ｅ２は終段アンプ３０ａ，３０ｂで更に増幅されて炎受光信号Ｅ１’，Ｅ２’となり、ＭＰＵ１５のＡ／Ｄ変換ポート３５ａ，３５ｂでデジタル受光信号に変換して取り込まれる。

また、炎検出ユニット１２ａ，１２ｂからの炎受光信号Ｅ１，Ｅ２は加算アンプ３２で加算されて炎受光信号Ｅ３としてＭＰＵ１５に出力され、ＭＰＵ１５のＡ／Ｄ変換ポート３５ｃでデジタル受光信号に変換して取り込まれる。

以下では、Ａ／Ｄ変換前後で同じ記号を使用して説明する。後述する受光信号Ｅ４’についても同様である。

非炎検出ユニット１２ｃは、監視エリアに存在する燃焼炎以外の発熱体等から放射される赤外線エネルギーを観測するものであり、概ね５．０μｍ～７．０μｍの波長帯域の赤外線を受光して電気信号に変換した非炎受光信号Ｅ４を出力する。

非炎検出ユニット１２ｃには、炎検出ユニット１２ａ，１２ｂと共用する赤外線の透光性窓１８－１、非炎検出センサ１６ｃ、前置フィルタ２４ｃ、プリアンプ２６ｃ、メインアンプ２８ｃが設けられ、メインアンプ２８ｃから出力された炎受光信号Ｅ４は終段アンプ３０ｃで更に増幅されて炎受光信号Ｅ４’となり、ＭＰＵ１５のＡ／Ｄ変換ポート３５ｄでデジタル受光信号に変換して取り込まれる。

判断部３６は、炎受光信号Ｅ１、Ｅ２を加算した受光信号Ｅ３の信号レベル、例えば受光信号Ｅ３の所定期間の積分値ΣＥ３が所定閾値以上又は所定閾値を上回った場合に、炎受光信号Ｅ３と非炎受光信号Ｅ４’の、同じ期間の積分値の比ΣＥ３／Σ４’を算出し、これが別の閾値以上又はそれを超えた場合に炎有りと判断する。

（汚れ試験の概要）
炎検出部１１－１の透光性窓１８－１に対しては試験光源として機能する試験光源６０－１が設けられる。試験光源６０－１は後の説明で明らかにする炎検出装置１０の筐体（ケース本体）５０の前面の中央凸部５４に配置され、自己試験の一項目である汚れ試験の際、試験光源６０－１の駆動による炎模擬光となる試験光を透光性の試験窓５６－１から出力し、この試験光を透光性窓１８－１内に配置された炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃに受光させる。

中央凸部５４には別の炎検出部１１－２の透光性窓１８－２の汚れ試験に用いる試験光源６０－２と試験窓５６－２も同様に配置されている。

試験光源６０－１，６０－２には例えばクリプトンランプが使用される。また、試験光源６０－１には試験光を試験窓５６－１側、すなわち各検出センサに向けて反射する反射板として機能する反射フード７４－１が設けられる。一方で、反射フード７４－１は試験光源６０－１の試験光を試験窓５６－１からのみ出力させ、試験窓５６－２側には透過しないようになっている。また、試験光源６０－２にも同様に反射フード７４－２が設けられ、試験光を試験窓５６－２からのみ出力させる。

図１の例では、反射フード７４－１と７４－１は一体で、遮光性を有する板状部材の両面に反射コーティングを施している。

透光性窓１８－１の汚れ試験は、炎検出ユニット１２ａ，１２ｂからの受光信号Ｅ１，Ｅ２を加算した炎受光信号Ｅ３に基づいて行われる。ＭＰＵ１５に設けられた試験制御部３８は、図示しない火災受信盤から定期的に送信された試験信号を受信すると、試験光源６０－１，６０－２を順次駆動して試験光を出力させ、このとき加算器３２から出力される炎受光信号Ｅ３を読み込んで初期状態（汚れのない状態）との比較演算により減光率を算出し、算出した減光率が所定の閾値以上又は所定の閾値を超えた場合に汚れ警報信号を火災受信盤に送信して汚れ警報を出力させ、管理者に炎検出装置１０の清掃計画等の策定を促す。

（装置外観とセンサユニット）
図２は炎検出装置の外観を示した説明図、図３は図２の炎検出装置を正面から示した説明図、図４は図２の炎検出装置を下側から見て中央凸部の試験光源及び試験窓と透光性窓内側の検出ユニットを一部断面で示した説明図である。

図２乃至図４に示すように、炎検出装置１０は、筐体５０の前面に配置された前面カバーのセンサ収納部５２に、図１の炎検出部１１－１を含む２組の炎検出ユニットに対応して、赤外線の透光性窓１８－１，１８－２が設けられる。

なお、以下の説明で透光性窓１８－１，１８－２を区別する必要がない場合は、透光性窓１８ということがある。同様に、試験窓５６－１，５６－２についても試験窓５６ということがある。

透光性窓１８－１，１８－２内の各々には、図１に示した炎検出部１１－１、及び他の炎検出部１１－２における炎検出ユニット１２ａ，１２ｂの炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出ユニット１２ｃの非炎検出センサ１６ｃが配置されている。

また、センサ収納部５２に設けられた透光性窓１８－１，１８－２の間には、中央凸部５４が張出し形成される。中央凸部５４には分割ランプホルダ７２－１，７２－２に取り付けられた試験光源６０－１，６０－２が内蔵され、分割ランプホルダ―７２－１，７２－２はねじ８２により筐体側に直接位置決め固定され、更に、中央凸部５４の左右の側壁には試験窓５６－１，５６－２が配置される。

試験光源６０－１は試験光を試験窓５６－１から透光性窓１８－１に向けて出力する。また、試験光源６０－２は試験光を試験窓５６－２から透光性窓１８－２に向けて出力する。

図２及び図３に示した一対の透光性窓１８の内部には図５に示すように検出ユニットが組み込まれている。検出ユニット６１はユニット本体６２とユニットカバー６４で構成され、内部にセンサ基板４８をビス６８により固定して収納している。ユニット本体６２は、例えばアルミダイカスト等の成形品を使用している。

センサ基板４８には炎検出センサ１６ａ，１６ｂが隣接配置されている。ユニットカバー５６の、炎検出センサ１６ａ，１６ｂに対向する位置には受光開口６６ａ，６６ｂが形成され、監視エリア側から透光性窓１８を通った光を炎検出センサ１６ａ，１６ｂで受光できるようにしている。

また、センサ基板４８には非炎検出センサ１６ｃが配置され、ユニットカバー６４の、非炎検出センサ１６ｃに対向する位置には受光開口６６ｃが形成され、監視エリア側から透光性窓１８を通った光を非炎検出センサ１６ｃで受光できるようにしている。

図示を省略しているが、透光性窓１８－１，１８－２に対応する一対のセンサユニットのユニット本体６２は、センサ収納部５２に内側からビス止め固定される。

また、検出ユニット６１は本体基板６５に配置されて位置決めされており、検出ユニット６１からの信号線、試験光源６０－１，６０－２の制御線は、ＭＰＵ１５を実装した本体基板６５に接続される。

なお、従来は例えばこの別の回路基板上にセンサユニット及びランプホルダを取り付け、この基板を筐体側に取り付けていた。

（炎検出ユニット１２ａ，１２ｂの構成）
図１に示した炎検出ユニット１２ａ，１２ｂにおいて、炎検出センサ１６ａ，１６ｂは燃焼炎からＣＯ₂共鳴に伴って放射される、概ね４．５μｍを中心波長とする赤外線波長帯域を有する赤外線エネルギーを電気信号に変換して受光信号として出力し、前置フィルタ２４ａ，２４ｂは炎検出センサ１６ａ，１６ｂから出力される受光信号から、炎の揺らぎ周波数に対応した所定の周波数帯域の信号成分のみを選択通過させ、プリアンプ２６ａ，２６ｂは前置フィルタ２４ａ，２４ｂを通過した信号成分を初段増幅し、メインアンプ２８ａ，２８ｂでさらに増幅して炎受光信号Ｅ１，Ｅ２を出力する。そして、終段アンプ３０ａ，３０ｂはこれを炎判断処理に適した信号レベルに増幅して炎受光信号Ｅ１’，Ｅ２’を出力する。

ここで、炎検出センサ１６ａ，１６ｂは、光学波長フィルタ２０ａ，２０ｂ、及び受光素子部２２ａ，２２ｂを備えている。

炎検出ユニット１２ａ，１２ｂから終段アンプ３０ａ，３０ｂを介して出力された炎受光信号Ｅ１’，Ｅ’２は、ＭＰＵ１５に設けたＡ／Ｄ変換ポート３５ａ，３５ｂによりデジタル受光信号Ｅ１’，Ｅ２’に変換して読み込まれる。

また、炎検出ユニット１２ａ，１２ｂから出力された炎受光信号Ｅ１及びＥ２は加算アンプ３２で加算され、加算アンプ３２からの炎受光信号Ｅ３はＭＰＵ１５に設けたＡ／Ｄ変換ポート３５ｃによりデジタル受光信号Ｅ３に変換して読み込まれ、判断部３６で炎受光信号Ｅ３に基づく炎の有無の判断が実行される。以下、各構成について具体的に説明する。

なお、本実施形態においては受光信号Ｅ１’，Ｅ２’を炎の有無判断に使用していないが、これを適宜使用して判断するようにしても良い。

（炎検出センサ１６ａ，１６ｂ）
図６は炎検出センサの概略構成を示した説明図、図７は図６の炎検出センサの等価回路を示した回路図である。

図６に示すように、炎検出センサ１６ａは、基板４０の表面に支持配置された焦電体４５を備え、これに受光電極２５を設け、基板４０の裏面側に配置されたＦＥＴ２７、高抵抗（図示省略）を備えてなる受光素子部２２ａと、基板４０を基部３８上に支持しつつ基部３８を貫通して設けられた端子４２と、受光素子部２２ａの前方（図示上方）に光学波長フィルタ２０ａを備えたカバー部材４４とからなるパッケージ構成を有している。

また、受光素子部２２ａの等価回路は、図７に示すように、ＦＥＴ２７のゲートから例えば焦電体４５と高抵抗２９の並列回路を介してゲート端子Ｇに接続し、またＦＥＴ２７のドレインとソースをそれぞれドレイン端子Ｄとソース端子Ｓに接続している。

ここで、光学波長フィルタ２０ａは、４．５μｍを中心とする所定の波長帯域を選択透過させるもので、例えば、シリコン、サファイア等の基板上に、公知の方法でそれぞれ形成することができる。

また、炎検出ユニット１２ｂの炎検出センサ１６ｂも、炎検出センサ１６ａと同じ構造となる。

更に、非炎検出ユニット１２ｃの非炎検出センサ１６ｃも、炎検出センサ１６ａと同じ構造となるが、光学波長フィルタ２２ｃとして、概ね５．０μｍを超える所定の波長帯域の赤外線を良好に透過するカットオンフィルタ（ロングパスフィルタ）を使用した点で相違する。

（透光性窓１８）
透光性窓１８－１は、図２及び図３に示したように、炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃが収納された図６のセンサユニットの監視エリア側に相当する上面側であって、炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃの前面側に設けた、センサ収納部５２の所定の開口部に配置され、上述のように、例えば、サファイアガラス等の赤外線透光性の部材により形成している。

このため炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃは、受光限界視野が透光性窓１８－１の縁辺部で規制されることにより、所定の拡がり角度を有する視野範囲の検知エリアが設定される。

ここで、透光性窓１８－１を構成するサファイアガラスは、概ね７．０μｍ付近以下の波長帯域の赤外線を良好に透過するショートウェーブパス特性、換言すれば、概ね７．０μｍ付近より長波長の赤外線を遮断するロングウェーブカット特性を有するフィルタ部材として機能する。また、本実施形態にあっては、透光性窓１８－１は、炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃで共用する。

（前置フィルタ２４ａ，２４ｂ，２４ｃ）
図１の炎検出ユニット１２ａ，１２ｂの前置フィルタ２４ａ，２４ｂは、周波数選択部として機能し、炎検出センサ１６ａ，１６ｂの受光素子部２２ａ，２２ｂから出力される受光信号から、炎判断処理に用いられる特定の周波数帯域の信号成分のみを通過させる例えばアクティブフィルタであり、後段のプリアンプ２６ａ，２６ｂに特定の周波数帯域の信号成分からなる受光信号を出力する。

同様に、前置フィルタ２４ｃは、非炎検出センサ１６ｃの受光部２２ｃから出力された受光信号から、炎判断処理に用いられる特定の周波数帯域の信号成分のみを通過させる例えばアクティブフィルタであり、後段のプリアンプ２６ｃに特定の周波数帯域の信号成分からなる受光信号を出力する。

このような周波数選択フィルタは、前置フィルタとしてだけでなくプリアンプから終段アンプまで適宜に配置され、周波数選択（抽出）しつつ信号増幅されるようになっている。

（プリアンプ２６ａ，２６ｂ，２６ｃとメインアンプ２８ａ，２８ｂ，２８ｃ）
プリアンプ２６ａ，２６ｂは、前置フィルタ２４ａ，２４ｂを介して入力される受光信号を所定の増幅率で初段増幅し、メインアンプ２８ａ，２８ｂは、プリアンプ２６ａ，２６ｂからの各受光信号を増幅し、炎受光信号Ｅ１，Ｅ２として出力する。終段アンプ３０ａ，３０ｂは、受光信号Ｅ１，Ｅ２を最終的に炎判断処理に適した信号レベルに調整増幅し、Ｅ１'，Ｅ２'としてＭＰＵ１５のＡ／Ｄ変換ポート３５ａ，３５ｂへ出力する。

同様に、プリアンプ２６ｃは、前置フィルタ２４ｃを介して出力される受光信号を所定の増幅率で初段増幅し、メインアンプ２８ｃ、終段アンプ３０ｃは、プリアンプ２６ｃからの受光信号を、後述する炎判断処理に適した信号レベルに増幅し、炎受光信号Ｅ４、炎受光信号Ｅ４’として出力する。

（Ａ／Ｄ変換ポート３５ａ，３５ｂ，３５ｃ）
Ａ／Ｄ変換ポート３５ａ、３５ｂ，３５ｃはＭＰＵ１５の入力ポートとして設けたＡ／Ｄ変換器であり、炎受光信号Ｅ１’，Ｅ２'及び加算した炎受光信号Ｅ３を判断部１５のデジタル処理に適したデジタル信号に変換して読み込む。

（非炎検出ユニット１２ｃ）
非炎検出ユニット１２ｃは、炎検出センサ１６ａ，１６ｂとは異なる所定の波長帯域の赤外線エネルギーを電気信号に変換して出力する非炎検出センサ１６ｃを備える。即ち、炎検出ユニット１２ａ，１２ｂは、燃焼炎からＣＯ₂共鳴により放射される、概ね４．５μｍを中心波長とする波長帯の赤外線エネルギーを電気信号に変換した炎受光信号Ｅ１，Ｅ２を出力するのに対し、非炎検出ユニット１２ｃは、概ね５．０μｍ～７．０μｍの波長帯域の赤外線エネルギーを電気信号に変換した非炎受光信号Ｅ４を出力する。

また、非炎検出ユニット１２ｃは、非炎検出センサ１６ｃに続いて、非炎検出センサ１６ｃから出力される受光信号から、所定の周波数帯域の信号成分のみを通過させる前置フィルタ２４ｃと、前置フィルタ２４ｃを通過した信号成分を初段増幅するプリアンプ２６ｃと、プリアンプ２６ｃからの出力を増幅するメインアンプ２８ｃとで構成される。

非炎検出ユニット１２ｃのメインアンプ２８ｃから出力された非炎受光信号Ｅ４は、終段アンプ３０ｃによりさらに調整増幅されて非炎受光信号Ｅ４’となり、ＭＰＵ１５のＡ／Ｄ変換ポート３５ｄによりデジタル受光信号Ｅ４’に変換して読み込まれ、判断部３６で炎の判断処理に用いられる。

（非炎検出センサ１６ｃの構成）
非炎検出センサ１６ｃは、概ね５．０μｍを超える所定の波長帯域の赤外線を良好に透過するカットオンフィルタで構成されるロングパスフィルタである光学波長フィルタ２０ｃと、光学波長フィルタ２０ｃを透過した光を受光して電気信号に変換して出力する図７と同様の等価回路でなる受光素子部２２ｃを備え、図６に示したと同様な構造により、パッケージ化された構成とする。

（非炎検出センサ１６ｃの波長透過特性）
図８は、図１の実施形態に適用される光学波長フィルタ及び透光性窓の各波長における透過率を示した特性図である。

図８に示すように、図１の透光性窓１８－１であるサファイアガラスにより、概ね７．０μｍ付近以下の赤外線が良好に透過するショートウェーブパス特性（又は、ロングウェーブカット特性）を有する透過率特性９０が得られる。

また、光学波長フィルタ２０ａ，２０ｂを構成する、概ね４．５μｍ付近を中心波長とするバンドパスフィルタにより、当該中心波長近傍の波長帯域の赤外線エネルギーを選択透過する透過率特性９２が得られる。これらの組合せにより、概ね４．５μｍ付近を中心波長とする合成透過特性９４をもつバンドパスフィルタが構成される。

一方、光学波長フィルタ２０ｃを構成するロングパスフィルタにより、概ね５．０μｍ付近を超える所定の波長帯域の赤外線を選択透過するカットオンフィルタ特性を有する透過率特性９６が得られる。これとサファイアガラスの透過特性９０との組合せにより、概ね５．０μｍ～７．０μｍの波長帯域の赤外線を選択透過する合成特性９８をもつ広帯域バンドパスフィルタが構成される。

（判断部３６）
図９は燃焼炎から放射される赤外線を観測した場合に図１の炎検出部から出力される炎受光信号を示した信号波形図であり、図９（Ａ）はＡ／Ｄ変換ポート３５ａからの、受光信号Ｅ１'の信号波形を示し、図９（Ｂ）はＡ／Ｄ変換ポート３５ｂからの、受光信号Ｅ２'の信号波形を示す。図９（Ａ）と（Ｂ）は、同じ構成の炎受光ユニット１２ａ，１２ｂ経由で同時に得られたもので、相似性を有する。また、終段アンプ３０ａと３０ｂの増幅率が同じであれば、ほぼ同じ波形となる。

炎受光信号Ｅ３は、図９（Ａ）と図９（Ｂ）を、加算アンプ３２の増幅率を加味して合成した波形となる。

なお、本実施形態にあっては、Ａ／Ｄ変換は６４Ｈｚで受光信号をサンプリングして行うものとし、すなわち各信号につき１秒間に６４点のデジタルデータが得られるものとする。

判断部３６は、図９に示す炎受光信号について、Ｔ＝２秒（１２８データ）単位で基準電位からの差分の絶対値の和となる炎積分値ΣＥ３を求め、炎積分値ΣＥ３が所定の閾値以上又はこれを上回った場合に、次に説明する相対比判断へ進む。

判断部３６は、炎積分値ΣＥ３が所定の閾値以上又はこれを上回った場合、この時と同じ２秒間について、炎積分値ΣＥ３を求めたと同様にして非炎積分値ΣＥ４’を求める。

次いで、判断部３６は、炎積分値ΣＥ３と、非炎積分値ΣＥ４’との相対比（ΣＥ３／ΣＥ４’）を算出し、相対比（ΣＥ３／ΣＥ４’）が、予め設定された閾値を超えた場合は、炎と判定して炎有り判断の第１要素を充足したとする。

また、判断部３６は炎受光信号Ｅ３について、炎積分値ΣＥ３の算出に使用したのと同じ２秒間分（１２８データ）を高速フーリエ変換して結果を分析し、たとえば８Ｈｚ以下の周波数帯域に主成分がある場合に炎有り判断の第２要素を充足したとし、第１要素と第２要素の両方を充足した場合に、炎有りと判断する。

図１０は、燃焼炎から放射される赤外線を観測した場合に図１の炎検出部から得られる炎受光信号Ｅ３の周波数分布を示した説明図である。判断部３６は、前述のとおり炎受光信号Ｅ３のＴ＝２秒間（１２８データ）分を高速フーリエ変換して、例えば図１０に示す周波数分布を得る。

図１０に示すように、燃焼炎から放射される赤外線を周波数軸で観測すると、概ね８Ｈｚよりも低周波側ＦＬに高い強度を示す周波数分布が得られることから、受光信号Ｅ３の周波数の主要な成分が８Ｈｚまでの周波数帯域ＦＬに存在することがわかる。一方、８Ｈｚを超え、１６Ｈｚまでの高周波側の周波数帯域ＦＨでは比較的強度の低い分布を示す。このような分布特性は、炎を観測した場合の信号の特徴である。

このため、炎受光信号Ｅ３の周波数分布に基づく炎判断は、例えば８Ｈｚまでの範囲となる低周波側の相対強度積分値ΣＦＬおよび８Ｈｚを超え１６Ｈｚまでの範囲となる高周波側の相対強度積分値ΣＦＨを求め、両積分値の比ΣＦＬ／ΣＦＨが、予め設定された閾値以下の場合には、炎に相当する受光出力が検出されなかったものと判断し、炎有り判断の第２要素を充足しなかったとする。一方、ΣＦＬ／ΣＦＨが閾値を超えた場合には、炎有り判断の第２要素を充足したとする。判断部３６は、上記各判断をＴ＝２秒ごとに繰り返す。

（試験ランプの取付構造）
図１１は透光性窓の汚れ試験に用いるランプユニットのセンサ収納部に対する組立分解状態を示した説明図である。

図２示したセンサ収納部５２に張出形成された中央凸部５４の内側には、図１１に示すように、ランプ収納空間を設けたランプ収納部８０が形成されており、ランプ収納部８０に対しては内側からランプユニット７０が取付け固定される。

ランプユニット７０は、対称構造の分割ランプホルダ７２－１，７２－２を組み合わせており、分割ランプホルダ７２－１，７２－２の底部両側に形成された一対の筐体取付部７６の通し穴を介して４本のねじ８２により、ランプ収納部８０の開口周囲の４箇所に形成された取付リブのねじ穴８４にねじ込み固定することで、筐体側となるセンサ取付部５２に直接に取り付け、中央凸部５４の両側面に配置された試験窓５６－１，５６－２に対応する試験ランプ６０－１，６０－２を所定の取付位置に固定している。

このように本実施形態にあっては、試験ランプ６０－１，６０－２を装着した分割ランプホルダ７２－１，７２－２を対称に組み合わせたランプユニット７０を筐体側に直接固定しており、従来のようにランプホルダを基板に取り付け、さらに基板を筐体側に取り付けることにより取り付け誤差大きくなることを回避し、試験窓５６－１，５６－２に対する試験ランプ６０－１，６０－２の取付位置の誤差を低減し、試験窓５６－１，５６－２から照射した試験光が透光性窓１８－１，１８－２の内側に配置された炎受光センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎受光センサ１６ｃに十分且つ確実に届くことで、運用中に透光性窓１８－１，１８－２の汚れ度合を監視する汚れ試験を確実に行うことを可能とする。

本実施形態において、センサ収納部５２を含む筐体は、例えばアルミダイカスト等の成形品を使用しており、回路基板に比べて寸法精度が高く、例えば振動時の撓み等も少ない。すなわち、高精度の筐体に対してランプホルダ、回路基板をそれぞれ位置決めするので、回路基板にランプホルダを取り付ける場合に比べて、回路基板上の検出センサに対する試験ランプの位置決め精度が高くなる。

また、ランプ収納部８０は１か所であり、透光性窓１８－１，１８－２に対応してそれぞれ離れて別の場所に設ける場合に比べ、試験ランプと透光性窓、また受光センサとの相互の配置寸法誤差、即ち相対的な位置ずれが生じる要因を減らすことができる。

（対称構造の分割試験ホルダ）
図１２は図１１のランプホルダを取出して示した説明図であり、図１２（Ａ）は側面を示し、図１２（Ｂ）は平面を示す。図１３は図１２の分割ランプホルダを分割した片側を取出して示した説明図であり、図１３（Ａ）は試験ランプを装着した状態を示し、図１３（Ｂ）は試験ランプの組立分解状態を示す。

図１２（Ｂ）に示すように、ランプユニット７０は平面から見ると、図１１のランプ収納部８０の開口形状に対応した箱状の部材であり、テーパ分割面７５により突き合わされた段付き突合せ構造を持つ一対の分割ランプホルダ７２－１，７２－２で構成されている。なお、段付き突合せ構造はテーパ分割面７５に限定されず、矩形分割面等としても良い。

分割ランプホルダ７２－１は図１３に示すように、中央に起立したホルダ本体７２ａにテーパ面７２ｂが形成され、テーパ面７２ｂに開口したソケット穴７２ｃにリード線付きのソケット７８－１を装着し、ソケット７８－１に対し試験ランプ６０－１の端子を挿入して取り付けており、試験ランプ６０－１の背面側、つまり、ランプ収納部８０に収納した状態で試験窓５６－１と反対の側には反射フード７４－１が装着されている。

分割ランプホルダ７２－１は、その左右の向きを入れ替えると、図１２の分割ランプホルダ７２－２と同じになる。即ち、分割ランプホルダ７２－１，７２－２は同じ形状及び構造であり、分割ランプホルダ７２－１，７２－２をテーパ分割面７５を突き合わせて組合せることで、略箱形に一体化され、図１２に示すように、一つのランプユニット７０として組み合わせられた状態でランプ収納部８０に組み込まれ、筐体側となるセンサ収納部５２に直接に取付け固定される。

このようにランプユニット７０を構成する分割ランプホルダ７２－１，７２－２は同じ形状及び構造であることから、部品種類を減らすことができ、また部品価格を低減することができる。

また、分割ランプホルダ７２－１に装着された試験ランプ６０－１の裏面側には反射フード７４－１が設けられており、試験ランプ６０－１の試験光が試験ランプ６０－２側に漏れて反対側の炎検出部１１－２の検出センサで受光されることを防止するとともに、炎検出部１１－１側に入射する試験光量を増やす働きをする。

この点は、分割ランプホルダ７２－２も同様であり、試験ランプ６０－２の裏面側には反射フード７４－２が設けられており、試験ランプ６０－２の試験光が試験ランプ６０－１側に漏れて反対側の炎検出部１１－１の検出センサで受光されることを防止するとともに、炎検出部１１－２側に入射する試験光量を増やす働きをする。

反射フード７４－１，７４－２は、例えば金属表面に金メッキを施し、これを曲げ成形して構成している。

なお、試験ランプ６０－１，６０－２に設けられた反射フード７４－１，７４－２に加え、図１２（Ｂ）に示す分割ランプホルダ７２－１，７２－２のテーパ分割面７５の間に、例えば表面に金メッキを施した薄い金属反射板を屈曲形成して挟み込むことで、金属反射板により遮光壁を形成し、試験ランプ６０－１，６０－２からの光が相互に干渉しないように分離しても良い。この場合、反射フード７４－１，７４－２は設けず、金属反射板による遮光壁（反射壁）のみとしても良い。

なお、本実施形態にあっては、ランプ収納部８０の開口形状に対応した箱状形状のランプホルダの外周側面及び／又は後端面が、凸部５４の内壁面によってガイドされることで、組立作業性を向上するとともに、試験ランプの位置決め効果を一層高めるようにしている。

（試験制御部３８）
図１のＭＰＵ１５に設けられた試験制御部３８は、火災受信盤１０から試験信号を受信した場合に動作し、試験光源６０－１，６０－２を、順次、所定周期で発光駆動し、試験窓５６－１，５６－２及び透光性窓１８－１，１８－２を介して炎受光部１１－１，１１－２に試験光を照射して汚れ試験を行う。

例えば透光性窓１８－１の汚れ試験を例にとると、試験制御部３８は試験光源６０－１を発光駆動することにより、火災炎に相当する炎模擬光を試験窓５６－１を通して出力させ、透光性窓１８－１を介して炎検出センサ１６ａ，１６ｂに入射させる。試験光源６０－１からの炎疑似光は、炎検出センサ１６ａ，１６ｂで受光する４．５μｍを含み、且つ、炎に固有な２～８Ｈｚのゆらぎ周波数をもつ光としている。

透光性窓１８－１は工場出荷時に汚れはなく、その際に汚れ試験で得られた炎受光信号Ｅ３の受光レベルがそれぞれ基準受光レベルとしてＭＰＵ１５のメモリに記憶されており、減光率の演算に利用される。

すなわち、試験時の炎受光信号Ｅ３と基準受光レベルから減光率を求める。つまり、出荷時の減光率は０となっている。設置環境で運用期間が経過していくと、透光性窓１８－１に汚れが付着し、減光率は徐々に増加していく。

なお、減光率はこのように炎受光信号Ｅ３について求めても良いし、炎受光信号Ｅ１’，Ｅ２’、非炎受光信号Ｅ４’の何れかひとつ又は複数、又は全てについて求め、個別の減光率に基づいて以下に説明する補正を行っても良い。また、例えば各減光率の代表値や平均値を求めて汚れ警報や汚れ予告警報を行うようにしても良い。

試験制御部３８は、汚れ試験により減光率を求めると共に、（１－減光率）の逆数となる補正値を求めてメモリに記憶させ、その後の運用状態で検出される炎受光信号Ｅ３及び非炎受光信号Ｅ４’の受光レベル（受光値）を補正値で除算して汚れ補正を行い、判断部３６は汚れ補正された炎受光信号Ｅ３及び非炎受光信号Ｅ４’の受光値により火災を判断する。

また、試験制御部３８は、汚れ補正が不可能となる限界に対応した減光率となる閾値、例えば閾値０．５が予め設定されており、汚れ試験で求められた減光率が閾値以上又は閾値を上回った場合に透光性窓１８－１の汚れ補正が不可能（例えば補正をしても所定の監視エリア全体を監視できない状態）となる汚れ異常と判断し、火災受信盤に汚れ警報信号を送信して汚れ警報を出力させる制御を行う。

また、試験制御部３８は、閾値より小さい所定の予告閾値、例えば予告閾値０．４を予め設定し、汚れ試験で求められた減光率が予告閾値以上又は予告閾値を上回った場合に汚れ警報が近いと判断し、火災受信盤に汚れ予告警報信号を送信し、汚れ予告警報を出力させる制御を行うようにしても良い。

なお、本実施形態の汚れ試験は、透光性窓１８の汚れと試験窓５６の汚れをあわせて検出することになる。基準受光レベルを取得する場合には、透光性窓１８だけでなく試験窓５６も汚れていない状態で行う。

［一体型ランプホルダと検出ユニット筐体固定構造］
（一体型ランプホルダ）
図１５は一体型のランプホルダ及び検出ユニットを直接に筐体側に固定した炎検出装置の実施形態を一部断面で示した説明図である。

図１５に示すように、本実施形態の炎検出装置１０は、センサ収納部５２に設けられた透光性窓１８－１，１８－２の間に形成された中央凸部５４には一体型のランプホルダ７２に取り付けられた試験光源６０－１，６０－２が内蔵され、ランプホルダ７２はねじ８２により筐体側に固定されている。

図１６は図１５の一体型ランプホルダを取出して示した説明図であり、図１６（Ａ）は側面を示し、図１６（Ｂ）は平面を示す。

図１６に示すように、一体型のランプホルダ７２は、一対の試験ランプ６０－１，６０－２を組込み固定する一対のランプ固定部９０－１，９０－２を一体に形成している。ランプ固定部９０－１，９０－２は、ランプホルダ７２の中央に起立されてテーパ面９２－１，９２－２が形成され、テーパ面９２－１，９２－２に開口したソケット穴にリード線付きのソケットを装着し、ソケットに対し試験ランプ６０－１，６０－２の端子を挿入して取り付けており、試験ランプ６０－１，６０－２の背面側には反射フード７４－１，７４－２が装着されている。

このように本実施形態にあっては、試験ランプ６０－１，６０－２を組込み固定するランプ固定部９０－１，９０－２がランプホルダ７２に一体化されたため、筐体側への組付け寸法誤差がランプ固定部９０－１，９０－２ごとに生ずることを防止し、試験ランプ６０－１，６０－２の炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃに対する位置決め精度を高めることができ、あわせて図１１乃至図１３に示した分割ランプホルダ７２－１，７２－２に比べ組立性も向上する。

（検出ユニット筐体固定構造）
図１５に示すように、本実施形態にあっては、炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃが配置されたセンサ基板４８が収納された検出ユニット６１は、本実施形態においては両端上側に固定リブ６１ａ，６１ｂが一体に形成されており、固定リブ６１ａ，６１ｂを筐体内側にねじ８２により直接固定している。

このように筐体側へセンサ基板４８が収納された検出ユニット６１が直接に固定されることで、実質的にセンサ基板４８の組付け寸法誤差が小さくなり、図４に示したように、検出ユニット６１を本体基板６５に配置して位置決めしていた場合に比べ、センサ基板４８に配置している炎検出センサ１６ａ，１６ｂ及び非炎検出センサ１６ｃに対する透光性窓１８－１，１８－２及び試験ランプ６０－１，６０－２の位置決め精度を高めることができ、相対的な配置寸法ずれを小さくすることができる。

（他の実施形態）
一方、上記実施形態では検出ユニット６１を、本体基板６５を介して、又は筐体に直接的に組み付けているが、検出ユニット６１とランプホルダ７２に適宜の組合せ構造を設け、検出ユニット６１をランプホルダ７２－１，７２－２、又は一体に形成したランプホルダ７２に直接位置決め固定しても良く、このようにすれば、試験ランプ６０－１，６０－２と検出ユニット６１との相対的配置寸法誤差が小さくなり、位置決め精度が高くなる。

こうして検出ユニット６１を直接取り付けたランプホルダ７２－１，７２－２、又は一体に形成したランプホルダ７２を直接筐体側に位置決め固定することで、試験ランプ６０－１，６０－２と試験窓５６－１，５６－２もそれぞれ相対的配置寸法誤差が小さくなり、高精度で位置決めされる。同様に、試験ランプ６０－１，６０－２と透光性窓１８－１，１８－２とについても相対的配置寸法誤差が小さくなり、高精度で位置決めされる。

［本発明の変形例］
（突合せ構造）
分割ランプホルダの突合せ構造は上記実施形態に限らず、例えば相互に嵌合させる構造やその他適宜の構造を採用して良い。また、段付き突合せ構造として、他の段付き形状を採用して良い。

（２波長方式）
また、上記の実施形態は、２波長方式の炎検出装置として、燃焼炎のＣＯ₂の共鳴放射帯である４．５μｍ付近の波長帯域と、５．０μｍ付近の波長帯域における各々の赤外線を観測して炎を判定しているが、４．５μｍ付近の波長帯域と、２．３μｍ付近の波長帯域における各々の赤外線を観測して炎を判定するようにしても良い。

（３波長方式）
また、燃焼炎のＣＯ₂の共鳴放射帯である４．５μｍ帯の短波長側の、例えば、２．３μｍ付近の波長帯域における放射線エネルギーを、５．０μｍ付近の波長帯域における赤外線を検出する２波長式と同様の手法で検出し、これらの３波長帯域における受光信号の相対比が炎からの放射の特徴に従うことを炎有りの判断要素とする３波長式の炎検出装置としても良い。もちろん、他の波長帯を使用した１波長式、２波長式、３波長式、又は他の方式の炎検出装置としても良い。また、赤外線以外の放射線エネルギーを観測する炎検出装置に適用しても良い。

（その他）
また、本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。

１０：炎検出装置
１１－１：炎検出部
１２ａ，１２ｂ：炎検出ユニット
１２ｃ：非炎検出ユニット
１５：ＭＰＵ
１６ａ，１６ｂ：炎検出センサ
１６ｃ：非炎検出センサ
１８－１，１８－２：透光性窓
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ：光学波長フィルタ
２２ａ，２２ｂ：炎検出素子部
２２ｃ：非炎検出素子部
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ：前置フィルタ
２５：受光電極
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ：プリアンプ
２７：ＦＥＴ
２８ａ，２８ｂ，２８ｃ：メインアンプ
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ：終段アンプ
３２：加算アンプ
３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ：Ａ／Ｄ変換ポート
３６：判断部
３８：試験制御部
４５：焦電体
４８：センサ基板
５０：筐体
５２：センサ収納部
５４：中央凸部
５６－１，５６－２：試験窓
６０－１，６０－２：試験光源
６１：検出ユニット
６４：ユニットカバー
６１ａ，６１ｂ：固定リブ
６５：本体基板
７２：ランプホルダ
７２－１，７２－２：分割ランプホルダ
７４－１，７４－２：反射フード
７５：分割面
７６：筐体取付部
７８－１：ソケット
８０：ランプ収納部
８４：ねじ穴
９０－１，９０－２：ランプ固定部

Claims (5)

1. 燃焼炎から放射される放射線エネルギーを、透光性窓を介して検出センサにより観測して燃焼炎の有無を判断し検出する２組の炎検出部が設けられた炎検出装置であって、
   筐体の前面に配置された前記透光性窓の間に、内部を収納部として前記筐体の前面から張出し形成された中央凸部と、
   前記中央凸部の両側壁面に配置された一対の試験窓と、
   前記一対の試験窓を介して前記透光性窓に試験光を照射する一対の試験ランプと、
   前記一対の試験ランプを前記一対の試験窓の間に配置した前記中央凸部の前記収納部に組込んで前記筐体側に固定するランプホルダと、
   が設けられたことを特徴とする炎検出装置。
   
2. 請求項１記載の炎検出器に於いて、前記ランプホルダは、組み合わせ状態で前記収納空間に収納可能な対称構造の分割ランプホルダであり、
   前記分割ランプホルダを組み合わせた状態で前記収納部に収納して前記筐体側に個別に固定したことを特徴とする炎検出装置。
   
3. 請求項２記載の炎検出器に於いて、前記分割ランプホルダは、突合せ構造を備えたことを特徴とする炎検出装置。
   
4. 請求項３記載の炎検出器に於いて、前記分割ランプホルダの突合せ構造を、矩形面又はテーパ面の段付き突合せ構造としたことを特徴とする炎検出装置。
   
5. 請求項１記載の炎検出器に於いて、前記ランプホルダは、少なくとも一対の前記試験ランプを組込み固定する一対のランプ固定部を一体に形成し、一体に形成した前記ランプ固定部を直接前記筐体側に固定したことを特徴とする炎検出装置。
   
   
   
   

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