JP7052935B1 - 回路基板 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1に開示の技術では、そのような要望を満たすことができず、新たな技術が求められていた。
前記絶縁基板上に直接接して設けられた金属の回路パターンと、
を有し、
前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径0.2mm以上5mm以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、
前記絶縁基板が樹脂からなり、前記金属が圧延銅からなり、
前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をα R 、前記圧延銅の線膨張係数をα Cu 、前記樹脂のガラス転移温度をT g 、前記樹脂の弾性率をE、測定時の室温をR T 、とした場合に、下記の式(1)で算出される応力指数Sが1MPa以上50MPa以下である、回路基板を提供できる。
S=|α R -α Cu |×(T g -R T )×E・・・・式(1)
<放熱基板の概要>
図1は放熱基板10の平面図である。図2は放熱基板10の一部断面図である。
放熱基板10は、発熱体の電子部品等を実装する回路基板であって、金属基板12と、絶縁層11(絶縁基板)と、回路パターン20とで構成されており、図2で示すように下からこの順で積層された積層板(積層体)である。回路パターン20の上に電子部品等が実装される。
金属基板12は、金属材料で構成された層であって、本実施形態では、この上面に絶縁層11が形成され、下面に放熱フィンやラジエータなどの放熱手段(図示せず)が適宜取り付けられる。
また、金属基板12の厚さT1の下限値は、例えば、0.1mm以上であり、好ましくは0.5mm以上であり、さらに好ましくは1.0mm以上である。この下限値以上の金属基板12を用いることで、放熱基板10全体としての放熱性を向上させることができる。
絶縁層11は、主として樹脂材料で構成された樹脂基板の層であって、金属基板12と回路パターン20とを絶縁する機能を有する。なお、絶縁層11として、樹脂基板の代わりにセラミック基板(窒化アルミ基板や窒化ケイ素基板など)が用いられてもよい。
樹脂材料のガラス転移温度Tgの下限値は、例えば、100℃以上であり、好ましくは125℃以上であり、より好ましく150℃以上である。これにより、樹脂材料(熱硬化性樹脂組成物)の硬化物の熱分解を抑制することができる。また、絶縁層11(すなわち放熱基板10)の反りを抑制することができる。その結果、回路パターン20に実装される電子部品等の放熱基板10に対する位置ずれを抑制でき、電子部品等と放熱基板10との間の接続信頼性をより一層高めることができる。一方、上記ガラス転移温度Tgの上限値は、特に限定されないが、例えば、300℃以下としてもよい。絶縁層11のガラス転移温度は、JIS C 6481に基づいて計測できる。
なお、上記弾性率Eは、動的粘弾性測定装置で測定することができ、例えば、絶縁層11に引張り荷重をかけて、周波数1Hz、昇温速度5~10℃/分で-50℃から300℃で測定した際の、25℃の弾性率の値である。
回路パターン20は、導電性を有する金属材料で構成されており、例えば半田により発熱体の電子部品(LED等)と電気的に接続される。回路パターン20を構成する金属材料には、例えば、銅を好適に用いることができる。これにより、回路パターン20は、比較的抵抗値が小さくなる。なお、回路パターン20は、その少なくとも一部がソルダーレジスト層で覆われていてもよい。
図3は、図1の領域Aを拡大して示した図であって、具体的には放熱基板10の回路パターン20の右上の角部27を示している。
絶縁層11が樹脂からなり、回路パターン20の金属が圧延銅からなる場合の回路パターン20と絶縁層11の界面の構造について、そこに発生する熱応力に着目して説明する。
回路パターン20の圧延銅の線膨張係数をαCuとする。αCuは約17ppm/Kである。
絶縁層11の樹脂のガラス転移温度をTg、弾性率をEとする。ガラス転移温度Tgは、上述のように例えば100~300℃である。弾性率Eは例えば5~50GPaである。
測定時の室温をRT、とした場合に、下記の式(1)で算出される応力指数Sが1MPa以上50MPa以下である。この応力指数Sは、樹脂上に圧延銅を設けた際のストレスファクタ、すなわち絶縁層11と回路パターン20との界面に発生する応力を示しており、低いことが好ましい。上限値は、より好ましくは25MPa以下であり、より好ましくは20MPa以下である。下限値は、特に限定しないが、角部27の外郭線が、上面視において半径0.2mm以上5mm以下の円弧を呈する場合には、1MPa以上であっても、適正な密着性を実現できる。特に、次の製造プロセスで説明するように、ルータで切削した後にエッチングを施し回路パターン20を形成する場合、絶縁層11と回路パターン20の界面部分において回路パターン20の側面部分のスソ引き形状が僅かで有り、界面剥離が発生しにくい。特に、応力指数Sが1MPa以上となる場合であっても、所望の界面の密着性を実現できる。
S=|αR-αCu|×(Tg-RT)×E・・・・式(1)
図4は放熱基板10の製造プロセスを示すチャート図である。
(S10:積層板作工程(積層体準備工程))
下から順に金属基板12と、絶縁層11と、金属層20Aとが積層された積層板10Aを用意する。金属層20Aが、以下の工程により加工することで回路パターン20となる。
積層板10Aの製造方法は、公知の手法を用いることができる。例えば、金属基板12をキャリアとして、厚さT1の金属基板12上に、絶縁層11の構成材料としての液状材料(ワニス状材料)を、例えばスプレー法等により付与する。
その後、金属基板12上の液状材料を自然乾燥または強制乾燥により乾燥される。これにより、厚さT2の絶縁層11が得られる。このとき絶縁層11が完全に硬化していない状態(いわゆるBステージの状態)であってもよい。
つづいて、ルータを用いて、上述の積層板10Aの金属層20Aを所望のパターンとなるように切削する。パターンでない部分については、所定厚さの金属層(薄銅部20B1)を残すことで、絶縁層11上には暫定回路パターン20Bが形成される。すなわち、切削で全てのパターンを形成すると、絶縁層11を破損させる虞があるので、余裕を持たせて一部厚さの金属層(薄銅部20B1)を残存させる。これにより、暫定回路パターン20Bを有する積層板10Bが得られる。また、このとき、角部27についても、次のエッチング工程(S14)を考慮して、若干大きめの円弧に切削される。
つづいて、暫定回路パターン20Bを有する積層板10Bをエッチング処理することで、残存している金属層(薄銅部20B1)を溶かし、所望のパターンを形成することで最終的な回路パターン20が得られる。これによって、放熱基板10が得られる。このとき、角部27は、上面視において半径0.2mm以上5mm以下の円弧となる。これによって、放熱基板10が得られる。
実施形態の特徴および効果をまとめると次の通りである。
(1)放熱基板10は、
絶縁層11(絶縁基板)と、
絶縁層11上に直接接して設けられた金属の回路パターン20と、
を有し、
回路パターン20の外郭線が、上面視において半径0.2mm以上5mm以下の円弧を呈する曲線となった角部27を有する。これによって、角部27の密着性を向上させることができる。
(2)放熱基板10において、絶縁層11は樹脂基板からなる。
(3)放熱基板10において、回路パターン20の金属は圧延銅からなる。
(4)放熱基板10において、絶縁層11が樹脂からなり、回路パターン20の金属が圧延銅からなり、
樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をαR、圧延銅(すなわち回路パターン20)の線膨張係数をαCu、樹脂のガラス転移温度をTg、樹脂の弾性率をE、測定時の室温をRT、とした場合に、下記の式(1)で算出される応力指数Sが1MPa以上50MPa以下である。
S=|αR-αCu|×(Tg-RT)×E・・・・式(1)
このように、応力指数Sが1MPa以上50MPa以下の場合であっても、絶縁層11と回路パターン20の密着性を良好に実現できる。
10A、10B 積層板
10B 積層板
11 絶縁層
12 金属基板
20 回路パターン
20A 金属層
20B 暫定回路パターン
20B1 薄銅部
27 角部
Claims (1)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に直接接して設けられた金属の回路パターンと、
を有し、
前記回路パターンの外郭線が、上面視において半径0.2mm以上5mm以下の円弧を呈する曲線となった角部を有し、
前記絶縁基板が樹脂からなり、前記金属が圧延銅からなり、
前記樹脂のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をα R 、前記圧延銅の線膨張係数をα Cu 、前記樹脂のガラス転移温度をT g 、前記樹脂の弾性率をE、測定時の室温をR T 、とした場合に、下記の式(1)で算出される応力指数Sが1MPa以上50MPa以下である、回路基板。
S=|α R -α Cu |×(T g -R T )×E・・・・式(1)
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