JP7051921B2 - Semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子を備える半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor element.

図６および図７は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。これらの図に示された半導体発光装置Ｘは、リードフレーム９１、ＬＥＤチップ９２、ケース９３、および透光樹脂９４を備えている。リードフレーム９１は、略一定の幅とされた２つの帯状部分からなる。リードフレーム９１の裏面は、ケース９３から露出している。ＬＥＤチップ９２は、半導体発光装置Ｘの光源であり、リードフレーム９１の一方の帯状部分に含まれるボンディング部９１ａにボンディングされている。ＬＥＤチップ９２は、リードフレーム９１の他方の帯状部分に対して、ワイヤ９５によって接続されている。 6 and 7 show an example of a conventional semiconductor light emitting device (see, for example, Patent Document 1). The semiconductor light emitting device X shown in these figures includes a lead frame 91, an LED chip 92, a case 93, and a translucent resin 94. The lead frame 91 is composed of two strip-shaped portions having a substantially constant width. The back surface of the lead frame 91 is exposed from the case 93. The LED chip 92 is a light source of the semiconductor light emitting device X, and is bonded to a bonding portion 91a included in one band-shaped portion of the lead frame 91. The LED chip 92 is connected to the other strip of the lead frame 91 by a wire 95.

半導体発光装置Ｘの高輝度化を図るには、ＬＥＤチップ９２への投入電力を大きくする必要がある。これに伴い、ＬＥＤチップ９２から発せられる熱量が増大する。この熱は、ボンディング部９１ａを介して、半導体発光装置Ｘが実装されるたとえば回路基板に逃がすことが好ましい。しかしながら、全体が比較的小型である長矩形状とされた半導体発光装置Ｘにおいて、ケース９３に対するボンディング部９１ａの大きさを大きくすると、リードフレーム９１がケース９３から抜け落ちてしまうという問題があった。 In order to increase the brightness of the semiconductor light emitting device X, it is necessary to increase the power input to the LED chip 92. Along with this, the amount of heat generated from the LED chip 92 increases. It is preferable that this heat is released to, for example, a circuit board on which the semiconductor light emitting device X is mounted via the bonding portion 91a. However, in the semiconductor light emitting device X having an elongated rectangular shape as a whole, there is a problem that the lead frame 91 falls off from the case 93 when the size of the bonding portion 91a with respect to the case 93 is increased.

特開２００５－３５３９１４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-353914

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、適正に小型化を図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。 The present invention has been conceived under the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device capable of appropriately reducing the size.

本発明によって提供される半導体発光装置は、第１リードフレームと、上記第１リードフレームと第１方向において離間配置された第２リードフレームと、上記第１リードフレームのダイボンディング部にボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、半導体発光素子を開口を介して露出するように環状に囲み、半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有するとともに、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持する樹脂製のケースと、を備え、上記第１リードフレームは、上記ダイボンディング部と一体的に設けられ、その裏面が上記ダイボンディング部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記ダイボンディング部から上記第１方向と直交する第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出し、上記ダイボンディング部の上記第１方向の幅よりも小さい上記第１方向の幅を有する第１延出部を具備しており、上記ケースは、上記枠状部により上記第１延出部の表面を密着して覆うと共に、上記ダイボンディング部の裏面を露出させつつ上記第１延出部の上記裏面を密着して覆う第１抱え込み部を有しているとともに、上記第１延出部は、上記半導体発光素子の上記第１方向の幅よりも小さい上記第１方向の幅を有する。 The semiconductor light emitting device provided by the present invention is bonded to a first lead frame, a second lead frame separated from the first lead frame in the first direction, and a die bonding portion of the first lead frame. Further, it has a semiconductor light emitting element conducting the second lead frame and a frame-shaped portion for circularly surrounding the semiconductor light emitting element so as to be exposed through an opening and reflecting the light of the semiconductor light emitting element in the emission direction. A resin case for supporting the first lead frame and the second lead frame is provided, and the first lead frame is provided integrally with the die bonding portion, and the back surface thereof is the back surface of the die bonding portion. It is located closer to the emission direction, extends from the die bonding portion to a region overlapping the frame-shaped portion in the second direction orthogonal to the first direction in a plan view, and extends in the first direction of the die bonding portion. The first extending portion having a width smaller than the width in the first direction is provided, and in the case, the surface of the first extending portion is closely covered by the frame-shaped portion, and the die bonding is performed. The first extending portion has a first holding portion that closely covers the back surface of the first extending portion while exposing the back surface of the portion, and the first extending portion is in the first direction of the semiconductor light emitting device. It has the width in the first direction smaller than the width.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における中央領域において第２方向に延びるように設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における上記第２リードフレーム側の端部領域において上記第２方向に延びるように設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における上記第２リードフレームと反対側の端部領域において上記第２方向に延びるように設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、複数設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、その上記表面が上記ダイボンディング部と面一に形成されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記ダイボンディング部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードフレームは、第１端子部を有しており、且つ上記第１端子部以外の部分の厚みが上記第１端子部の厚み以下の厚みを有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、その表面が上記ケースの開口から露出し、且つその裏面が上記ケースから露出する本体部と、この本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出する第２延出部を具備しており、上記ケースは、上記枠状部により上記第２延出部の上記表面を密着して覆うと共に、上記本体部の上記裏面を露出させつつ上記第２延出部の上記裏面を密着して覆う第２抱え込み部を有している。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、上記本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の上記裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第１方向に延出する第３延出部を具備しており、上記ケースは、上記第３延出部の上記裏面を密着して覆う第３抱え込み部を有している。 In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion is provided so as to extend in the second direction at least in the central region of the die bonding portion in the first direction. In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion is provided so as to extend in the second direction at least in the end region of the die bonding portion on the second lead frame side in the first direction. ing. In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion extends in the second direction at least in the end region opposite to the second lead frame in the first direction of the die bonding portion. It is provided. In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of the first extending portions are provided. In a preferred embodiment of the present invention, the surface of the first extending portion is formed flush with the die bonding portion. In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of the die bonding portion is flush with the back surface of the case. In a preferred embodiment of the present invention, the first lead frame has a first terminal portion, and the thickness of the portion other than the first terminal portion is equal to or less than the thickness of the first terminal portion. Have. In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame is provided integrally with a main body portion whose front surface is exposed from the opening of the case and whose back surface is exposed from the case. The back surface thereof is located on the emission direction side from the back surface of the main body portion, and has a second extending portion extending from the main body portion to a region overlapping the frame-shaped portion in the second direction in a plan view. In the case, the frame-shaped portion closely covers the front surface of the second extension portion, and the back surface of the second extension portion is brought into close contact with the case while exposing the back surface of the main body portion. It has a second holding part that covers it. In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame is provided integrally with the main body portion, and the back surface thereof is located on the emission direction side from the back surface of the main body portion. A third extension portion extending from the main body portion in the first direction is provided, and the case has a third holding portion that closely covers the back surface of the third extension portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２延出部と上記第３延出部とは、上記本体部を囲むように連続している。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２延出部および上記第３延出部は、その表面が上記本体部の表面と面一である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記本体部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、第２端子部を有しており、且つ上記第２端子部以外の部分の厚みが上記第２端子部の厚み以下の厚みを有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームは、曲げ加工のされていないリードフレームからなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記各延出部の先端部は、上記ケースの側面よりも内側に位置することにより上記ケースに内包されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記各延出部の上記裏面は、上記各延出部の上記表面と平行な平面を有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記枠状部の上記開口が矩形状である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは白色樹脂からなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向両側に、それぞれ少なくとも１つずつ形成されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向片側に、複数形成されているものを含む。本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の第１延出部は、上記第２方向に延出する長さが同一である。 In a preferred embodiment of the present invention, the second extension portion and the third extension portion are continuous so as to surround the main body portion. In a preferred embodiment of the present invention, the surface of the second extension portion and the third extension portion is flush with the surface of the main body portion. In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of the main body is flush with the back surface of the case. In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame has a second terminal portion, and the thickness of the portion other than the second terminal portion is equal to or less than the thickness of the second terminal portion. Have. In a preferred embodiment of the present invention, the first lead frame and the second lead frame are composed of a lead frame that has not been bent. In a preferred embodiment of the present invention, the tip end portion of each of the extending portions is included in the case by being located inside the side surface of the case. In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of each of the extension portions has a plane parallel to the front surface of each extension portion. In a preferred embodiment of the present invention, the opening of the frame-shaped portion is rectangular. In a preferred embodiment of the invention, the case is made of white resin. In a preferred embodiment of the present invention, at least one of the first extending portions is formed on both sides of the die bonding portion in the second direction. In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion includes a plurality of the first extending portions formed on one side of the die bonding portion in the second direction. In a preferred embodiment of the present invention, the plurality of first extending portions have the same length extending in the second direction.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the invention will be more apparent by the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明に係る半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。It is a main part plan view which shows an example of the semiconductor light emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体発光装置の一例を示す底面図である。It is a bottom view which shows an example of the semiconductor light emitting device which concerns on this invention. 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VV line of FIG. 従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional semiconductor light emitting device. 図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１～図５は、本発明に係る半導体発光装置の一例を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａは、リードフレーム１、ＬＥＤチップ２、ケース３、および透光樹脂４を備えている。半導体発光装置Ａは、長さが４ｍｍ程度、幅が１ｍｍ程度、高さが０．６ｍｍ程度の、ごく小型の長矩形状とされている。なお、図１においては、理解の便宜上、透光樹脂４を省略している。 1 to 5 show an example of a semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device A of the present embodiment includes a lead frame 1, an LED chip 2, a case 3, and a translucent resin 4. The semiconductor light emitting device A has a very small elongated rectangular shape having a length of about 4 mm, a width of about 1 mm, and a height of about 0.6 mm. In FIG. 1, the translucent resin 4 is omitted for convenience of understanding.

リードフレーム１は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの合金からなり、２つの部分に分割されている。図２に示すように、リードフレーム１は、裏面がケース３から露出している。このうち、比較的長手状とされた部分（第１リードフレーム）は、ボンディング部１１、複数の薄肉延出部１２、および複数の厚肉延出部１３を有している。 The lead frame 1 is made of, for example, Cu, Ni, or an alloy thereof, and is divided into two parts. As shown in FIG. 2, the back surface of the lead frame 1 is exposed from the case 3. Of these, the relatively longitudinal portion (first lead frame) has a bonding portion 11, a plurality of thin-walled extending portions 12, and a plurality of thick-walled extending portions 13.

ボンディング部１１は、帯状とされており、表面にＬＥＤチップ２がボンディングされる部分である。薄肉延出部１２は、ボンディング部１１から延びており、本実施形態においては、その厚さがボンディング部１１の半分程度の厚さとされている。図４に示すように、薄肉延出部１２の表面は、ボンディング部１１の表面と面一とされている。薄肉延出部１１の裏面は、ボンディング部１１の裏面よりもケース３の内方に位置しており、ケース３によって覆われている。図５に示すように、厚肉延出部１３は、ボンディング部１１から延びており、その厚さがボンディング部１１と同じとされている。厚肉延出部１３の表面は、ボンディング部１１の表面と面一であり、厚肉延出部１３の裏面は、ケース３から露出している。本実施形態においては、複数の薄肉延出部１２と複数の厚肉延出部１３とがフレーム１の長手方向において交互に配置されている。 The bonding portion 11 has a band shape and is a portion to which the LED chip 2 is bonded to the surface. The thin-walled extending portion 12 extends from the bonding portion 11, and in the present embodiment, the thickness thereof is about half that of the bonding portion 11. As shown in FIG. 4, the surface of the thin-walled extending portion 12 is flush with the surface of the bonding portion 11. The back surface of the thin-walled extending portion 11 is located inside the case 3 with respect to the back surface of the bonding portion 11, and is covered by the case 3. As shown in FIG. 5, the thick extension portion 13 extends from the bonding portion 11 and has the same thickness as the bonding portion 11. The surface of the thick-walled extending portion 13 is flush with the surface of the bonding portion 11, and the back surface of the thick-walled extending portion 13 is exposed from the case 3. In the present embodiment, the plurality of thin-walled extending portions 12 and the plurality of thick-walled extending portions 13 are alternately arranged in the longitudinal direction of the frame 1.

ＬＥＤチップ２は、半導体発光装置Ａの光源であり、所定の波長の光を発する半導体発光素子である。ＬＥＤチップ２は、たとえばＧａＮなどの半導体材料からなり、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とに挟まれた活性層において電子と正孔とが再結合することにより青色光、緑色光、赤色光などを発する。ＬＥＤチップ２は、リードフレーム１のうち比較的短尺である部分（第２リードフレーム）に対して、ワイヤ５によって接続されている。 The LED chip 2 is a light source of the semiconductor light emitting device A, and is a semiconductor light emitting element that emits light having a predetermined wavelength. The LED chip 2 is made of a semiconductor material such as GaN, and electrons and holes recombine in an active layer sandwiched between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer to cause blue light, green light, and red light. And so on. The LED chip 2 is connected to a relatively short portion (second lead frame) of the lead frame 1 by a wire 5.

ケース３は、たとえば白色樹脂製であり、全体が長矩形枠状とされている。図３～図５に示すように、ケース３の内面は、テーパ状のリフレクタ３ａとされている。リフレクタ３ａは、ＬＥＤチップ２から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。図４に示すように、ケース３は、薄肉延出部１２を抱え込む格好となっている。また、図２に示すように、ケース３と複数の薄肉延出部１２および複数の厚肉延出部１３とは、互いに入り込みあう関係となっている。 The case 3 is made of, for example, a white resin, and has an elongated rectangular frame shape as a whole. As shown in FIGS. 3 to 5, the inner surface of the case 3 is a tapered reflector 3a. The reflector 3a is for reflecting the light emitted laterally from the LED chip 2 upward. As shown in FIG. 4, the case 3 is shaped to hold the thin-walled extending portion 12. Further, as shown in FIG. 2, the case 3 and the plurality of thin-walled extending portions 12 and the plurality of thick-walled extending portions 13 are in a mutually intertwined relationship.

透光樹脂４は、たとえば透明なエポキシ樹脂製であり、ケース３によって囲われた空間に充填されている。透光樹脂４は、ＬＥＤチップ２を覆っており、ＬＥＤチップ２を保護しつつ、ＬＥＤチップ２からの光を透過させる。 The translucent resin 4 is made of, for example, a transparent epoxy resin, and is filled in the space surrounded by the case 3. The translucent resin 4 covers the LED chip 2 and transmits the light from the LED chip 2 while protecting the LED chip 2.

次に、半導体発光装置Ａの作用について説明する。 Next, the operation of the semiconductor light emitting device A will be described.

本実施形態によれば、薄肉延出部１２をケース３が抱え込む格好となっている。これにより、ケース３によるリードフレーム１の保持力を高めることが可能である。これにより、リードフレーム１がケース３から抜け出ることを防止することができる。この結果、半導体発光装置Ａは、図２に示すように、幅が１ｍｍ程度のごく狭幅であるにも関わらず、リードフレーム１のうちケース３から露出する部分の面積を大きくすることができる。したがって、ＬＥＤチップ２からの熱を適切に逃がすことが可能であり、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図ることができる。 According to the present embodiment, the case 3 holds the thin-walled extension portion 12. This makes it possible to increase the holding power of the lead frame 1 by the case 3. This makes it possible to prevent the lead frame 1 from coming out of the case 3. As a result, as shown in FIG. 2, the semiconductor light emitting device A can increase the area of the portion of the lead frame 1 exposed from the case 3 even though the width is as narrow as about 1 mm. .. Therefore, it is possible to appropriately dissipate the heat from the LED chip 2, and it is possible to reduce the size and increase the brightness of the semiconductor light emitting device A.

薄肉延出部１２と厚肉延出部１３とを交互に配置することにより、薄肉延出部１２をケース３に抱え込ませつつ、ケース３から露出した厚肉延出部１３の分だけ、リードフレーム１の露出面積を拡大することが可能である。これは、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図るのに好適である。 By alternately arranging the thin-walled extension portion 12 and the thick-walled extension portion 13, the thin-walled extension portion 12 is held in the case 3, and the lead is as much as the thick-walled extension portion 13 exposed from the case 3. It is possible to increase the exposed area of the frame 1. This is suitable for reducing the size and increasing the brightness of the semiconductor light emitting device A.

本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The semiconductor light emitting device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor light emitting device according to the present invention can be freely redesigned.

Ａ 半導体発光装置
１ リードフレーム
２ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
３ ケース
４ 透光樹脂
５ ワイヤ
１１ ボンディング部
１２ 薄肉延出部
１３ 厚肉延出部 A Semiconductor light emitting device 1 Lead frame 2 LED chip (semiconductor light emitting element)
3 Case 4 Translucent resin 5 Wire 11 Bonding part 12 Thin-walled extension part 13 Thick-walled extension part

Claims (11)

ボンディング部を有する第１のリードフレームと、
上記ボンディング部の厚さ方向に直交する第１の方向に上記第１のリードフレームから離隔した第２のリードフレームと、
上記ボンディング部の表面に搭載され、上記第１のリードフレームおよび上記第２のリードフレームに電気的に接続された第１の半導体素子と、
上記第１のリードフレームの一部および上記第２のリードフレームの一部を覆うケースと、
を備える半導体装置であって、
上記ボンディング部は、上記厚さ方向において上記表面とは反対側を向き且つ上記ケースから露出する露出面を有しており、
上記第２のリードフレームは、上記厚さ方向において上記ボンディング部の上記露出面と同じ側を向き且つ上記ケースから露出する露出面を有しており、
上記第１のリードフレームは、
上記ボンディング部から上記厚さ方向および上記第１の方向に直交する第２の方向に延びており、表面が上記ボンディング部の表面と面一であり、上記ボンディング部の上記露出面よりも上記ケース内方に位置し且つ上記厚さ方向において上記ボンディング部の上記露出面と同じ側を向く第１面を有する薄肉延出部と、
上記ボンディング部から上記第２の方向に延びており、上記薄肉延出部と隣り合っており、かつ、厚さが上記ボンディング部と同じであり、上記厚さ方向において上記ボンディング部の上記露出面と同じ側を向き且つ上記ケースから露出している露出面を有する厚肉延出部と、をさらに備えており、
上記厚肉延出部の上記露出面は、上記ボンディング部の上記露出面と同一平面上にあり、
上記ケースは、上記薄肉延出部の上記第１面に直接接して上記薄肉延出部を保持する保持部を含み、
上記保持部は、上記ボンディング部の上記露出面および上記厚肉延出部の上記露出面と同一平面上にある第２面を有することを特徴とする、半導体装置。 A first lead frame having a bonding portion and
A second lead frame separated from the first lead frame in the first direction orthogonal to the thickness direction of the bonding portion, and
A first semiconductor element mounted on the surface of the bonding portion and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame,
A case that covers a part of the first lead frame and a part of the second lead frame,
It is a semiconductor device equipped with
The bonding portion has an exposed surface that faces the side opposite to the surface in the thickness direction and is exposed from the case.
The second lead frame has an exposed surface that faces the same side as the exposed surface of the bonding portion in the thickness direction and is exposed from the case.
The first lead frame is
The case extends from the bonding portion in a second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction, and the surface is flush with the surface of the bonding portion and is more than the exposed surface of the bonding portion. A thin-walled extension portion located inward and having a first surface facing the same side as the exposed surface of the bonding portion in the thickness direction .
The exposed surface of the bonding portion extends in the second direction from the bonding portion, is adjacent to the thin-walled extending portion, has the same thickness as the bonding portion, and has the same thickness as the bonding portion. It further comprises a thick extension with an exposed surface facing the same side as and exposed from the case.
The exposed surface of the thick extension portion is on the same plane as the exposed surface of the bonding portion.
The case includes a holding portion that directly contacts the first surface of the thin-walled extension portion and holds the thin-walled extension portion.
The semiconductor device is characterized in that the holding portion has a second surface that is flush with the exposed surface of the bonding portion and the exposed surface of the thick extension portion. 上記第２のリードフレームは、上記ボンディング部よりも厚さが薄い薄肉延出部を含む、請求項１に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the second lead frame includes a thin-walled extending portion having a thickness thinner than that of the bonding portion. 上記第１のリードフレームは、複数の上記薄肉延出部を含む、請求項１に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the first lead frame includes the plurality of thin-walled extending portions. 上記第１のリードフレームは、金属からなる、請求項３に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3, wherein the first lead frame is made of metal. 上記第１のリードフレームには、上記第１の半導体素子以外の半導体素子は搭載されていない、請求項３に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3, wherein a semiconductor element other than the first semiconductor element is not mounted on the first lead frame. 上記第１のリードフレームは、平面視において上記ケースから上記第１の方向に突き出ており且つ上記ボンディング部と同じ厚さを有する端子部を含み、
上記端子部は、上記第１の方向に延びる第１の突起および第２の突起を含み、
上記端子部には、上記第１の突起と上記第２の突起との間に位置する凹部が形成されている、請求項３に記載の半導体装置。 The first lead frame includes a terminal portion that protrudes from the case in the first direction and has the same thickness as the bonding portion in a plan view.
The terminal portion includes a first protrusion and a second protrusion extending in the first direction.
The semiconductor device according to claim 3, wherein a recess located between the first protrusion and the second protrusion is formed in the terminal portion. 上記第１の突起および上記第２の突起は、上記ボンディング部と同じ厚さを有する、請求項６に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 6, wherein the first protrusion and the second protrusion have the same thickness as the bonding portion. 上記第１の突起および上記第２の突起は、上記第１の方向の長さが互いに等しい、請求項６または７に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 6 or 7, wherein the first protrusion and the second protrusion have the same length in the first direction. 上記第１のリードフレームの上記厚肉延出部と上記薄肉延出部とは、上記第１の方向に隣り合っており且つ互いに離隔している、請求項３に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3, wherein the thick-walled extending portion and the thin-walled extending portion of the first lead frame are adjacent to each other in the first direction and separated from each other. 上記第１のリードフレームは、複数の上記薄肉延出部と複数の上記厚肉延出部とを含む、請求項３に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 3, wherein the first lead frame includes a plurality of the thin-walled extending portions and the plurality of the thick-walled extending portions. 上記第１のリードフレームの上記複数の薄肉延出部と上記複数の厚肉延出部とは、上記第１の方向に沿って交互に配置されている、請求項１０に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 10, wherein the plurality of thin-walled extending portions and the plurality of thick-walled extending portions of the first lead frame are alternately arranged along the first direction.
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