JP6517687B2 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

Semiconductor light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP6517687B2
JP6517687B2 JP2015251432A JP2015251432A JP6517687B2 JP 6517687 B2 JP6517687 B2 JP 6517687B2 JP 2015251432 A JP2015251432 A JP 2015251432A JP 2015251432 A JP2015251432 A JP 2015251432A JP 6517687 B2 JP6517687 B2 JP 6517687B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor light
emitting device
lead frame
light emitting
back surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015251432A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2016042605A (en
Inventor
小早川　正彦
正彦 小早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2015251432A priority Critical patent/JP6517687B2/en
Publication of JP2016042605A publication Critical patent/JP2016042605A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6517687B2 publication Critical patent/JP6517687B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Description

本発明は、半導体素子を備える半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device provided with a semiconductor element.

図６および図７は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。これらの図に示された半導体発光装置Ｘは、リードフレーム９１、ＬＥＤチップ９２、ケース９３、および透光樹脂９４を備えている。リードフレーム９１は、略一定の幅とされた２つの帯状部分からなる。リードフレーム９１の裏面は、ケース９３から露出している。ＬＥＤチップ９２は、半導体発光装置Ｘの光源であり、リードフレーム９１の一方の帯状部分に含まれるボンディング部９１ａにボンディングされている。ＬＥＤチップ９２は、リードフレーム９１の他方の帯状部分に対して、ワイヤ９５によって接続されている。   6 and 7 show an example of a conventional semiconductor light emitting device (see, for example, Patent Document 1). The semiconductor light emitting device X shown in these figures includes a lead frame 91, an LED chip 92, a case 93, and a translucent resin 94. The lead frame 91 is composed of two band-like portions having a substantially constant width. The back surface of the lead frame 91 is exposed from the case 93. The LED chip 92 is a light source of the semiconductor light emitting device X, and is bonded to a bonding portion 91 a included in one of the strip portions of the lead frame 91. The LED chip 92 is connected to the other strip portion of the lead frame 91 by a wire 95.

半導体発光装置Ｘの高輝度化を図るには、ＬＥＤチップ９２への投入電力を大きくする必要がある。これに伴い、ＬＥＤチップ９２から発せられる熱量が増大する。この熱は、ボンディング部９１ａを介して、半導体発光装置Ｘが実装されるたとえば回路基板に逃がすことが好ましい。しかしながら、全体が比較的小型である長矩形状とされた半導体発光装置Ｘにおいて、ケース９３に対するボンディング部９１ａの大きさを大きくすると、リードフレーム９１がケース９３から抜け落ちてしまうという問題があった。   In order to increase the brightness of the semiconductor light emitting device X, it is necessary to increase the input power to the LED chip 92. Along with this, the amount of heat generated from the LED chip 92 increases. The heat is preferably dissipated to, for example, a circuit board on which the semiconductor light emitting device X is mounted via the bonding portion 91a. However, in the semiconductor light emitting device X having a relatively small size and a long rectangular shape as a whole, when the size of the bonding portion 91 a with respect to the case 93 is increased, there is a problem that the lead frame 91 falls off the case 93.

特開２００５−３５３９１４号公報JP, 2005-353914, A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、適正に小型化を図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。   The present invention is conceived under the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor light-emitting device which can be properly downsized.

本発明によって提供される半導体発光装置は、第１リードフレームと、上記第１リードフレームと第１方向において離間配置された第２リードフレームと、上記第１リードフレームのダイボンディング部にボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、半導体発光素子を開口を介して露出するように環状に囲み、半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有するとともに、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持する樹脂製のケースと、を備え、上記第１リードフレームは、上記ダイボンディング部と一体的に設けられ、その裏面が上記ダイボンディング部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記ダイボンディング部から上記第１方向と直交する第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出し、上記ダイボンディング部の上記第１方向の幅よりも小さい上記第１方向の幅を有する第１延出部を具備しており、上記ケースは、上記枠状部により上記第１延出部の表面を密着して覆うと共に、上記ダイボンディング部の裏面を露出させつつ上記第１延出部の上記裏面を密着して覆う第１抱え込み部を有しているとともに、上記第１延出部は、上記半導体発光素子の上記第１方向の幅よりも小さい上記第１方向の幅を有する。   A semiconductor light emitting device provided by the present invention is bonded to a first lead frame, a second lead frame spaced apart from the first lead frame in a first direction, and a die bonding portion of the first lead frame. A semiconductor light emitting element electrically connected to the second lead frame, and a frame portion for annularly surrounding the semiconductor light emitting element so as to be exposed through the opening and reflecting light of the semiconductor light emitting element in the emission direction. And a resin case for supporting the first lead frame and the second lead frame, wherein the first lead frame is integrally provided with the die bonding portion, and a back surface thereof is a back surface of the die bonding portion A second light emitting element disposed on the side closer to the light emitting direction, and orthogonal to the first direction from the die bonding portion in plan view; The case includes a first extending portion having a width in the first direction smaller than a width in the first direction of the die bonding portion and extending in a direction to a region overlapping with the frame-like portion. The frame-shaped portion closely covers the surface of the first extension portion and has a first holding portion closely covering the back surface of the first extension portion while exposing the back surface of the die bonding portion The first extending portion has a width in the first direction smaller than a width in the first direction of the semiconductor light emitting element.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における中央領域において第２方向に延びるように設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における上記第２リードフレーム側の端部領域において上記第２方向に延びるように設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における上記第２リードフレームと反対側の端部領域において上記第２方向に延びるように設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、複数設けられている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、その上記表面が上記ダイボンディング部と面一に形成されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記ダイボンディング部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードフレームは、第１端子部を有しており、且つ上記第１端子部以外の部分の厚みが上記第１端子部の厚み以下の厚みを有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、その表面が上記ケースの開口から露出し、且つその裏面が上記ケースから露出する本体部と、この本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出する第２延出部を具備しており、上記ケースは、上記枠状部により上記第２延出部の上記表面を密着して覆うと共に、上記本体部の上記裏面を露出させつつ上記第２延出部の上記裏面を密着して覆う第２抱え込み部を有している。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、上記本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の上記裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第１方向に延出する第３延出部を具備しており、上記ケースは、上記第３延出部の上記裏面を密着して覆う第３抱え込み部を有している。   In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion is provided to extend in a second direction at least in a central region of the die bonding portion in the first direction. In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion is provided to extend in the second direction at least in an end region on the second lead frame side in the first direction of the die bonding portion. ing. In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion extends in the second direction at least in an end region of the die bonding portion opposite to the second lead frame in the first direction. It is provided. In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of the first extending portions are provided. In a preferred embodiment of the present invention, the surface of the first extension portion is formed flush with the die bonding portion. In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of the die bonding portion is flush with the back surface of the case. In a preferred embodiment of the present invention, the first lead frame has a first terminal portion, and the thickness of the portion other than the first terminal portion is less than the thickness of the first terminal portion. Have. In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame is provided integrally with a main body portion whose surface is exposed from the opening of the case and whose back surface is exposed from the case, And a second extending portion having a back surface located on the emission direction side of the back surface of the main body portion and extending from the main body portion to the region overlapping the frame-like portion in the second direction in plan view And the case closely covers the surface of the second extending portion with the frame-like portion and closely contacts the back surface of the second extending portion while exposing the back surface of the main body portion. And a second holding portion for covering the In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame is provided integrally with the main body portion, and the back surface thereof is positioned on the side of the light emission direction from the back surface of the main body portion. A third extending portion extending from the main body in the first direction is provided, and the case has a third holding portion closely covering the back surface of the third extending portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２延出部と上記第３延出部とは、上記本体部を囲むように連続している。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２延出部および上記第３延出部は、その表面が上記本体部の表面と面一である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記本体部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、第２端子部を有しており、且つ上記第２端子部以外の部分の厚みが上記第２端子部の厚み以下の厚みを有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームは、曲げ加工のされていないリードフレームからなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記各延出部の先端部は、上記ケースの側面よりも内側に位置することにより上記ケースに内包されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記各延出部の上記裏面は、上記各延出部の上記表面と平行な平面を有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記枠状部の上記開口が矩形状である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは白色樹脂からなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向両側に、それぞれ少なくとも１つずつ形成されている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向片側に、複数形成されているものを含む。本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の第１延出部は、上記第２方向に延出する長さが同一である。   In a preferred embodiment of the present invention, the second extension and the third extension are continuous so as to surround the main body. In a preferred embodiment of the present invention, the surfaces of the second extension and the third extension are flush with the surface of the main body. In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of the main body is flush with the back surface of the case. In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame has a second terminal portion, and the thickness of the portion other than the second terminal portion is less than the thickness of the second terminal portion. Have. In a preferred embodiment of the present invention, the first lead frame and the second lead frame are non-bent lead frames. In a preferred embodiment of the present invention, the distal end portion of each of the extension portions is contained in the case by being positioned inside the side surface of the case. In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of each of the extension portions has a flat surface parallel to the surface of each of the extension portions. In a preferred embodiment of the present invention, the opening of the frame portion is rectangular. In a preferred embodiment of the present invention, the case is made of white resin. In a preferred embodiment of the present invention, at least one first extending portion is formed on each side of the die bonding portion in the second direction. In a preferred embodiment of the present invention, the first extending portion may include a plurality of the first extending portions formed on one side in the second direction of the die bonding portion. In a preferred embodiment of the present invention, the plurality of first extending portions have the same length extending in the second direction.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明に係る半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。It is a principal part top view showing an example of the semiconductor light-emitting device concerning the present invention. 本発明に係る半導体発光装置の一例を示す底面図である。It is a bottom view showing an example of the semiconductor light-emitting device concerning the present invention. 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing in alignment with the III-III line of FIG. 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing in alignment with the IV-IV line of FIG. 図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。It is sectional drawing in alignment with the VV line of FIG. 従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional semiconductor light-emitting device. 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing in alignment with the VII-VII line of FIG.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１〜図５は、本発明に係る半導体発光装置の一例を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａは、リードフレーム１、ＬＥＤチップ２、ケース３、および透光樹脂４を備えている。半導体発光装置Ａは、長さが４ｍｍ程度、幅が１ｍｍ程度、高さが０．６ｍｍ程度の、ごく小型の長矩形状とされている。なお、図１においては、理解の便宜上、透光樹脂４を省略している。   1 to 5 show an example of a semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device A of the present embodiment includes the lead frame 1, the LED chip 2, the case 3, and the light transmitting resin 4. The semiconductor light emitting device A is a very small long rectangular shape having a length of about 4 mm, a width of about 1 mm, and a height of about 0.6 mm. In FIG. 1, the translucent resin 4 is omitted for the sake of understanding.

リードフレーム１は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの合金からなり、２つの部分に分割されている。図２に示すように、リードフレーム１は、裏面がケース３から露出している。このうち、比較的長手状とされた部分（第１リードフレーム）は、ボンディング部１１、複数の薄肉延出部１２、および複数の厚肉延出部１３を有している。   The lead frame 1 is made of, for example, Cu, Ni, or an alloy thereof, and is divided into two parts. As shown in FIG. 2, the back surface of the lead frame 1 is exposed from the case 3. Among these, the relatively long portion (first lead frame) has a bonding portion 11, a plurality of thin extension portions 12, and a plurality of thick extension portions 13.

ボンディング部１１は、帯状とされており、表面にＬＥＤチップ２がボンディングされる部分である。薄肉延出部１２は、ボンディング部１１から延びており、本実施形態においては、その厚さがボンディング部１１の半分程度の厚さとされている。図４に示すように、薄肉延出部１２の表面は、ボンディング部１１の表面と面一とされている。薄肉延出部１１の裏面は、ボンディング部１１の裏面よりもケース３の内方に位置しており、ケース３によって覆われている。図５に示すように、厚肉延出部１３は、ボンディング部１１から延びており、その厚さがボンディング部１１と同じとされている。厚肉延出部１３の表面は、ボンディング部１１の表面と面一であり、厚肉延出部１３の裏面は、ケース３から露出している。本実施形態においては、複数の薄肉延出部１２と複数の厚肉延出部１３とがフレーム１の長手方向において交互に配置されている。   The bonding portion 11 has a band shape, and is a portion to which the LED chip 2 is bonded on the surface. The thin extension 12 extends from the bonding portion 11, and in the present embodiment, the thickness thereof is about half that of the bonding portion 11. As shown in FIG. 4, the surface of the thin extension 12 is flush with the surface of the bonding portion 11. The back surface of the thin extension 11 is positioned more inward of the case 3 than the back surface of the bonding portion 11 and is covered by the case 3. As shown in FIG. 5, the thick extension 13 extends from the bonding portion 11 and has the same thickness as the bonding portion 11. The surface of the thick extension 13 is flush with the surface of the bonding portion 11, and the back of the thick extension 13 is exposed from the case 3. In the present embodiment, a plurality of thin extension portions 12 and a plurality of thick extension portions 13 are alternately arranged in the longitudinal direction of the frame 1.

ＬＥＤチップ２は、半導体発光装置Ａの光源であり、所定の波長の光を発する半導体発光素子である。ＬＥＤチップ２は、たとえばＧａＮなどの半導体材料からなり、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とに挟まれた活性層において電子と正孔とが再結合することにより青色光、緑色光、赤色光などを発する。ＬＥＤチップ２は、リードフレーム１のうち比較的短尺である部分（第２リードフレーム）に対して、ワイヤ５によって接続されている。   The LED chip 2 is a light source of the semiconductor light emitting device A, and is a semiconductor light emitting element that emits light of a predetermined wavelength. The LED chip 2 is made of, for example, a semiconductor material such as GaN, and recombines electrons and holes in an active layer sandwiched between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer to emit blue light, green light and red light. And so forth. The LED chip 2 is connected to a relatively short portion (second lead frame) of the lead frame 1 by a wire 5.

ケース３は、たとえば白色樹脂製であり、全体が長矩形枠状とされている。図３〜図５に示すように、ケース３の内面は、テーパ状のリフレクタ３ａとされている。リフレクタ３ａは、ＬＥＤチップ２から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。図４に示すように、ケース３は、薄肉延出部１２を抱え込む格好となっている。また、図２に示すように、ケース３と複数の薄肉延出部１２および複数の厚肉延出部１３とは、互いに入り込みあう関係となっている。   Case 3 is made of, for example, a white resin, and the whole is in the shape of a long rectangular frame. As shown in FIGS. 3 to 5, the inner surface of the case 3 is a tapered reflector 3 a. The reflector 3 a is for reflecting the light emitted laterally from the LED chip 2 upward. As shown in FIG. 4, the case 3 is adapted to hold the thin extension 12. Further, as shown in FIG. 2, the case 3, the plurality of thin extension portions 12 and the plurality of thick extension portions 13 are in a mutually intermingled relationship.

透光樹脂４は、たとえば透明なエポキシ樹脂製であり、ケース３によって囲われた空間に充填されている。透光樹脂４は、ＬＥＤチップ２を覆っており、ＬＥＤチップ２を保護しつつ、ＬＥＤチップ２からの光を透過させる。   The translucent resin 4 is made of, for example, a transparent epoxy resin, and is filled in the space surrounded by the case 3. The translucent resin 4 covers the LED chip 2 and transmits light from the LED chip 2 while protecting the LED chip 2.

次に、半導体発光装置Ａの作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device A will be described.

本実施形態によれば、薄肉延出部１２をケース３が抱え込む格好となっている。これにより、ケース３によるリードフレーム１の保持力を高めることが可能である。これにより、リードフレーム１がケース３から抜け出ることを防止することができる。この結果、半導体発光装置Ａは、図２に示すように、幅が１ｍｍ程度のごく狭幅であるにも関わらず、リードフレーム１のうちケース３から露出する部分の面積を大きくすることができる。したがって、ＬＥＤチップ２からの熱を適切に逃がすことが可能であり、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図ることができる。   According to the present embodiment, the case 3 holds the thin extension 12. This makes it possible to increase the holding power of the lead frame 1 by the case 3. This can prevent the lead frame 1 from coming out of the case 3. As a result, as shown in FIG. 2, the semiconductor light emitting device A can increase the area of the portion of the lead frame 1 exposed from the case 3 despite the extremely narrow width of about 1 mm. . Therefore, the heat from the LED chip 2 can be appropriately dissipated, and the miniaturization and high luminance of the semiconductor light emitting device A can be achieved.

薄肉延出部１２と厚肉延出部１３とを交互に配置することにより、薄肉延出部１２をケース３に抱え込ませつつ、ケース３から露出した厚肉延出部１３の分だけ、リードフレーム１の露出面積を拡大することが可能である。これは、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図るのに好適である。   By alternately arranging the thin extension 12 and the thick extension 13, the lead of the thick extension 13 exposed from the case 3 is held while the thin extension 12 is held in the case 3. It is possible to enlarge the exposed area of the frame 1. This is suitable for reducing the size and increasing the brightness of the semiconductor light emitting device A.

本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The semiconductor light emitting device according to the present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of each part of the semiconductor light emitting device according to the present invention can be varied in design in many ways.

Ａ 半導体発光装置
１ リードフレーム
２ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
３ ケース
４ 透光樹脂
５ ワイヤ
１１ ボンディング部
１２ 薄肉延出部
１３ 厚肉延出部 A Semiconductor light emitting device 1 Lead frame 2 LED chip (semiconductor light emitting element)
3 Case 4 Light transmitting resin 5 Wire 11 Bonding portion 12 Thin-walled extension portion 13 Thick-walled extension portion

Claims (17)

第１リードフレームと、
上記第１リードフレームと第１方向において離間配置された第２リードフレームと、
上記第１リードフレームのダイボンディング部にボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、
半導体発光素子を開口を介して露出するように環状に囲み、半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有するとともに、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持する樹脂製のケースと、
を備え、
上記第１リードフレームは、上記ダイボンディング部と一体的に設けられ、その裏面が上記ダイボンディング部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記ダイボンディング部から上記第１方向と直交する第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出する第１延出部を具備しており、
上記ケースは、上記枠状部により上記第１延出部の表面を密着して覆うと共に、上記ダイボンディング部の裏面を露出させつつ上記第１延出部の上記裏面を密着して覆う第１抱え込み部を有しているとともに、
上記第１リードフレームは、上記ダイボンディング部の一部であり且つ平面視において上記半導体素子と一致する部分である素子支持部を有するとともに、上記第１リードフレームは、上記第１延出部以外の部分の厚みが同一であり、且つ、上記ダイボンディング部の上記裏面は、上記ケースの裏面と面一である、半導体発光装置。 A first lead frame,
A second lead frame spaced apart from the first lead frame in a first direction;
A semiconductor light emitting element bonded to a die bonding portion of the first lead frame and electrically connected to the second lead frame;
The semiconductor light emitting device is annularly enclosed so as to be exposed through the opening, and has a frame portion for reflecting light of the semiconductor light emitting device in the emission direction, and supports the first lead frame and the second lead frame. With a plastic case,
Equipped with
The first lead frame is provided integrally with the die bonding portion, and the back surface thereof is positioned on the emission direction side of the back surface of the die bonding portion, and the first direction from the die bonding portion in plan view And a first extending portion extending in a second direction orthogonal to the region overlapping with the frame-like portion,
The case closely covers the surface of the first extension portion by the frame-like portion, and covers the back surface of the first extension portion while exposing the back surface of the die bonding portion. While having a holding part,
The first lead frame, in and plan view a part of the die bonding portion and having an element support portion is a portion matching with the semiconductor element, the first lead frame, the upper Symbol first extending portion Ri Ah is at the same thickness of the portion other than, and, above the back side of the die bonding portion, a back flush of the case, the semiconductor light-emitting device. 上記第１延出部は、複数設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a plurality of the first extending portions are provided. 上記第１延出部は、その上記表面が上記ダイボンディング部と面一に形成されている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the surface of the first extension portion is formed flush with the die bonding portion. 上記ダイボンディング部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the back surface of the die bonding portion is flush with the back surface of the case. 上記第２リードフレームは、その表面が上記ケースの開口から露出し、且つその裏面が上記ケースから露出する本体部と、この本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出する第２延出部を具備しており、
上記ケースは、上記枠状部により上記第２延出部の上記表面を密着して覆うと共に、上記本体部の上記裏面を露出させつつ上記第２延出部の上記裏面を密着して覆う第２抱え込み部を有している、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。 The second lead frame is provided integrally with the main body, the surface of which is exposed from the opening of the case and the back of which is exposed from the case, and the back of the second lead frame from the back of the main body. A second extending portion is disposed on the emission direction side and extends from the main body portion to the region overlapping the frame-like portion in the second direction in plan view,
The case closely covers the surface of the second extending portion by the frame-like portion, and covers the back surface of the second extending portion while exposing the back surface of the main body portion. The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 4, which has a holding portion. 上記第２リードフレームは、上記本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の上記裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第１方向に延出する第３延出部を具備しており、
上記ケースは、上記第３延出部の上記裏面を密着して覆う第３抱え込み部を有している、請求項５に記載の半導体発光装置。 The second lead frame is provided integrally with the main body portion, and the back surface thereof is positioned on the emission direction side of the back surface of the main body portion, and extends in the first direction from the main body portion in plan view Equipped with a third extension that
The semiconductor light emitting device according to claim 5, wherein the case includes a third holding portion closely covering the back surface of the third extending portion. 上記第２延出部と上記第３延出部とは、上記本体部を囲むように連続している、請求項６に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 6, wherein the second extension part and the third extension part are continuous so as to surround the main body part. 上記第２延出部および上記第３延出部は、その表面が上記本体部の表面と面一である、請求項７に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 7, wherein the surfaces of the second extension part and the third extension part are flush with the surface of the main body part. 上記本体部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である、請求項５ないし８のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 5 to 8, wherein the back surface of the main body portion is flush with the back surface of the case. 上記第２リードフレームは、上記本体部以外の部分の厚みが上記本体部の厚み以下の厚みを有する、請求項５ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to any one of claims 5 to 9, wherein a thickness of a portion other than the main body portion of the second lead frame has a thickness equal to or less than a thickness of the main body portion. 上記各延出部の先端部は、上記ケースの側面よりも内側に位置することにより上記ケースに内包されている、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 10, wherein a tip end portion of each of the extension portions is included in the case by being positioned inside a side surface of the case. 上記各延出部の上記裏面は、上記各延出部の上記表面と平行な平面を有する、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein the back surface of each of the extension portions has a flat surface parallel to the front surface of each of the extension portions. 上記枠状部の上記開口が矩形状である、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein the opening of the frame portion is rectangular. 上記ケースは白色樹脂からなる、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 13, wherein the case is made of a white resin. 上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向両側に、それぞれ少なくとも１つずつ形成されている、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 14, wherein at least one each of the first extending portions is formed on both sides in the second direction of the die bonding portion. 上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向片側に、複数形成されているものを含む、請求項１５に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 15, wherein the first extending portion includes a plurality of the first extending portions formed on one side of the die bonding portion in the second direction. 上記複数の第１延出部は、上記第２方向に延出する長さが同一である、請求項１５または１６に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 15, wherein the plurality of first extending portions have the same length extending in the second direction.
JP2015251432A 2015-12-24 2015-12-24 Semiconductor light emitting device Active JP6517687B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015251432A JP6517687B2 (en) 2015-12-24 2015-12-24 Semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015251432A JP6517687B2 (en) 2015-12-24 2015-12-24 Semiconductor light emitting device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014234280A Division JP5878226B2 (en) 2014-11-19 2014-11-19 Semiconductor light emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017170816A Division JP6426248B2 (en) 2017-09-06 2017-09-06 Semiconductor light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016042605A JP2016042605A (en) 2016-03-31
JP6517687B2 true JP6517687B2 (en) 2019-05-22

Family

ID=55592185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015251432A Active JP6517687B2 (en) 2015-12-24 2015-12-24 Semiconductor light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6517687B2 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP4359195B2 (en) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting unit
JP5878226B2 (en) * 2014-11-19 2016-03-08 ローム株式会社 Semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016042605A (en) 2016-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230420629A1 (en) Semiconductor light-emitting device
JP5236406B2 (en) Semiconductor light emitting module and manufacturing method thereof
JP4795293B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP7219790B2 (en) semiconductor equipment
US8253159B2 (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
JP6426248B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6517687B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5878226B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6625701B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6818074B2 (en) Semiconductor device
JP7339421B2 (en) semiconductor equipment
JP6307584B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5689558B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5646708B2 (en) Semiconductor device
JP6161745B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5646784B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5431536B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5937242B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP6650480B2 (en) Light emitting device module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161011

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170406

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170906

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170913

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20171110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190218

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6517687

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250