JP6161745B2 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子を備える半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device including a semiconductor element.

図６および図７は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。これらの図に示された半導体発光装置Ｘは、リードフレーム９１、ＬＥＤチップ９２、ケース９３、および透光樹脂９４を備えている。リードフレーム９１は、略一定の幅とされた２つの帯状部分からなる。リードフレーム９１の裏面は、ケース９３から露出している。ＬＥＤチップ９２は、半導体発光装置Ｘの光源であり、リードフレーム９１の一方の帯状部分に含まれるボンディング部９１ａにボンディングされている。ＬＥＤチップ９２は、リードフレーム９１の他方の帯状部分に対して、ワイヤ９５によって接続されている。   6 and 7 show an example of a conventional semiconductor light emitting device (see, for example, Patent Document 1). The semiconductor light emitting device X shown in these drawings includes a lead frame 91, an LED chip 92, a case 93, and a translucent resin 94. The lead frame 91 is composed of two belt-like portions having a substantially constant width. The back surface of the lead frame 91 is exposed from the case 93. The LED chip 92 is a light source of the semiconductor light emitting device X, and is bonded to a bonding portion 91 a included in one strip portion of the lead frame 91. The LED chip 92 is connected to the other strip portion of the lead frame 91 by a wire 95.

半導体発光装置Ｘの高輝度化を図るには、ＬＥＤチップ９２への投入電力を大きくする必要がある。これに伴い、ＬＥＤチップ９２から発せられる熱量が増大する。この熱は、ボンディング部９１ａを介して、半導体発光装置Ｘが実装されるたとえば回路基板に逃がすことが好ましい。しかしながら、全体が比較的小型である長矩形状とされた半導体発光装置Ｘにおいて、ケース９３に対するボンディング部９１ａの大きさを大きくすると、リードフレーム９１がケース９３から抜け落ちてしまうという問題があった。   In order to increase the brightness of the semiconductor light emitting device X, it is necessary to increase the input power to the LED chip 92. Along with this, the amount of heat generated from the LED chip 92 increases. This heat is preferably released to, for example, a circuit board on which the semiconductor light emitting device X is mounted via the bonding portion 91a. However, in the semiconductor light emitting device X having a long rectangular shape which is relatively small as a whole, there is a problem that when the size of the bonding portion 91a with respect to the case 93 is increased, the lead frame 91 falls out of the case 93.

特開２００５−３５３９１４号公報JP 2005-353914 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、適正に小型化を図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device that can be appropriately downsized.

本発明によって提供される半導体発光装置は、ダイボンディング部を有するとともに、厚みが０．６ｍｍ以下とされた第１リードフレームと、上記第１リードフレームと離間配置され、上記第１リードフレームと同一の厚みを有する第２リードフレームと、上記第１リードフレームのダイボンディング部にボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームの一部ずつを覆うことにより上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持するケースと、を備え、上記第１リードフレームは、平面視において、上記ダイボンディング部から外側に延びる延出部を有するとともに、平面視における形状が上記延出部と上記延出部以外の部分とからなる凹凸形状を含み、上記延出部は前記ダイボンディング部の略半分の厚みを有する第１薄肉延出部を含み、上記ケースは、上記ダイボンディング部の裏面を露出させつつ上記第１薄肉延出部の下面を覆う第１抱え込み部を有している。   A semiconductor light emitting device provided by the present invention has a die bonding portion, a first lead frame having a thickness of 0.6 mm or less, and a space apart from the first lead frame, the same as the first lead frame. A second lead frame having a thickness of 1 mm, a semiconductor light emitting element bonded to the die bonding portion of the first lead frame and conducting to the second lead frame, one of the first lead frame and the second lead frame And a case for supporting the first lead frame and the second lead frame by covering each part, and the first lead frame has an extending part extending outward from the die bonding part in plan view. In addition, the shape in plan view includes the extended portion and a portion other than the extended portion. The extension includes a first thin extension having a thickness approximately half that of the die bonding portion, and the case exposes a back surface of the die bonding portion while the first thin extension. It has the 1st holding part which covers the lower surface of a part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記凹凸形状は、上記延出部と、上記延出部に隣り合う上記延出部以外の部分とからなる。   In preferable embodiment of this invention, the said uneven | corrugated shape consists of the said extension part and parts other than the said extension part adjacent to the said extension part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記凹凸形状は、１つの延出部とその両側に隣り合う２つの上記延出部以外の部分とからなる少なくとも１つの突出形状を含む。   In preferable embodiment of this invention, the said uneven | corrugated shape contains at least 1 protrusion shape which consists of one extension part and parts other than the two said extension part adjacent to the both sides.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記凹凸形状は、複数の上記突出形状を含む。   In preferable embodiment of this invention, the said uneven | corrugated shape contains several said protruding shape.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記半導体発光素子を環状に囲み、上記半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有し、上記半導体発光素子、上記第１リードフレームの一部および上記第２リードフレームの一部が上記枠状部によって規定された開口を介して上記ケースから露出しており、上記第１薄肉延出部は、平面視において上記ダイボンディング部から上記枠状部と重なる領域まで延出する。   In a preferred embodiment of the present invention, the case surrounds the semiconductor light emitting element in an annular shape, and has a frame-like portion for reflecting light of the semiconductor light emitting element in an emission direction. A part of the first lead frame and a part of the second lead frame are exposed from the case through the opening defined by the frame-shaped part, and the first thin extension part It extends from the die bonding part to a region overlapping with the frame-like part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１薄肉延出部は、複数形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, a plurality of the first thin extension portions are formed.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１薄肉延出部は、延出する方向と直角である幅方向の寸法が上記ダイボンディング部の上記幅方向における寸法よりも小さい細幅薄肉延出部を含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the first thin extension portion has a narrow thin extension in which the dimension in the width direction perpendicular to the extending direction is smaller than the dimension in the width direction of the die bonding part. Part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記細幅薄肉延出部は、延出する方向と直角である幅方向の寸法が上記半導体発光素子の上記幅方向の寸法よりも小さい。   In a preferred embodiment of the present invention, the narrow thin extension portion has a width dimension perpendicular to the extending direction smaller than the width dimension of the semiconductor light emitting device.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１薄肉延出部は、複数の上記細幅薄肉延出部を含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the first thin extension portion includes a plurality of the narrow thin extension portions.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ダイボンディング部の裏面は上記ケースの裏面と面一である。   In a preferred embodiment of the present invention, the back surface of the die bonding part is flush with the back surface of the case.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１薄肉延出部の上面は、上記ダイボンディング部の上面と面一である。   In a preferred embodiment of the present invention, the upper surface of the first thin extension portion is flush with the upper surface of the die bonding portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームと上記半導体発光素子とを電気的に接続するためのワイヤをさらに備え、上記第２リードフレームは、上記ワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部と、上記ワイヤボンディング部と一体的に設けられ、その裏面が上記ケースから露出する露出部と、上記露出部の裏面より出射方向側に位置する第２薄肉延出部を具備しており、上記ケースは、上記半導体発光素子を環状に囲み、上記半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有し、上記半導体発光素子、上記第１リードフレームの一部および上記第２リードフレームの一部が上記枠状部によって規定された開口を介して上記ケースから露出しており、上記ケースは、上記枠状部により上記第２薄肉延出部の上面を覆うと共に、上記第２リードフレームの上記露出部の裏面を露出させつつ上記第２薄肉延出部の下面を覆う第２抱え込み部を有している。   In a preferred embodiment of the present invention, a wire for electrically connecting the second lead frame and the semiconductor light emitting element is further provided, and the second lead frame is a wire bonding for bonding the wire. And an exposed portion whose back surface is exposed from the case, and a second thin extending portion located on the emission direction side from the back surface of the exposed portion, The case surrounds the semiconductor light emitting element in an annular shape, and has a frame-like portion for reflecting light of the semiconductor light emitting element in an emission direction. The semiconductor light emitting element, a part of the first lead frame, and the first 2 A part of the lead frame is exposed from the case through an opening defined by the frame-shaped portion, and the case is It covers the upper surface of the meat extending portion, and a second Kakaekomi portion while exposing the back surface of the exposed portion of the second lead frame covers the lower surface of the second thin extending portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２薄肉延出部は、平面視において上記ワイヤボンディング部から上記枠状部と重なる領域まで延出する。   In a preferred embodiment of the present invention, the second thin extending portion extends from the wire bonding portion to a region overlapping the frame-like portion in plan view.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２リードフレームは、上記ワイヤボンディング部と一体的に設けられ、その下面が上記露出部の裏面より出射方向側に位置しており、上記第１リードフレーム側の端部において延出する第３薄肉延出部を具備しており、上記ケースは、上記第３薄肉延出部の上面を覆わずに露出させるとともに、上記第２リードフレームの上記裏面を露出させつつ上記第３薄肉延出部の下面を覆う第３抱え込み部を有している。   In a preferred embodiment of the present invention, the second lead frame is provided integrally with the wire bonding portion, and the lower surface thereof is located on the emission direction side from the back surface of the exposed portion, and the first lead A third thin extension extending at an end on the frame side; and the case exposes the upper surface of the third thin extension without covering the upper surface of the second lead frame. And a third holding portion that covers the lower surface of the third thin extension portion while exposing the surface.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第３薄肉延出部は、その上面が上記ワイヤボンディング部と面一である。   In a preferred embodiment of the present invention, the upper surface of the third thin extension portion is flush with the wire bonding portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第３薄肉延出部は、上記第２薄肉延出部と連続して形成されているとともに、上記第３抱え込み部は、上記第２抱え込み部と連続して形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the third thin extension portion is formed continuously with the second thin extension portion, and the third holding portion is continuous with the second holding portion. Is formed.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記各薄肉延出部の先端部は、上記ケースの側面よりも内側に位置することにより平面視において上記ケースに内包されている。   In preferable embodiment of this invention, the front-end | tip part of each said thin extension part is included in the said case in planar view by being located inside the side surface of the said case.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記各薄肉延出部の上記下面は、上記各薄肉延出部の上記上面と平行な平面を有する。   In preferable embodiment of this invention, the said lower surface of each said thin extension part has a plane parallel to the said upper surface of each said thin extension part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体発光素子は、平面視においてその全体が、その裏面が上記ケースから露出された上記ダイボンディング部に重なっている。   In a preferred embodiment of the present invention, the semiconductor light emitting element entirely overlaps the die bonding portion whose back surface is exposed from the case in a plan view.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明に係る半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows an example of the semiconductor light-emitting device concerning this invention. 本発明に係る半導体発光装置の一例を示す底面図である。It is a bottom view which shows an example of the semiconductor light-emitting device concerning this invention. 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the III-III line of FIG. 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the IV-IV line of FIG. 図１のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VV line of FIG. 従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional semiconductor light-emitting device. 図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the VII-VII line of FIG.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１〜図５は、本発明に係る半導体発光装置の一例を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａは、リードフレーム１、ＬＥＤチップ２、ケース３、および透光樹脂４を備えている。半導体発光装置Ａは、長さが４ｍｍ程度、幅が１ｍｍ程度、高さが０．６ｍｍ程度の、ごく小型の長矩形状とされている。なお、図１においては、理解の便宜上、透光樹脂４を省略している。   1 to 5 show an example of a semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device A according to this embodiment includes a lead frame 1, an LED chip 2, a case 3, and a translucent resin 4. The semiconductor light emitting device A has a very small long rectangular shape with a length of about 4 mm, a width of about 1 mm, and a height of about 0.6 mm. In FIG. 1, the translucent resin 4 is omitted for convenience of understanding.

リードフレーム１は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、またはこれらの合金からなり、２つの部分に分割されている。図２に示すように、リードフレーム１は、裏面がケース３から露出している。このうち、比較的長手状とされた部分（第１リードフレーム）は、ボンディング部１１、複数の薄肉延出部１２、および複数の厚肉延出部１３を有している。   The lead frame 1 is made of, for example, Cu, Ni, or an alloy thereof and is divided into two parts. As shown in FIG. 2, the back surface of the lead frame 1 is exposed from the case 3. Among these, a relatively long portion (first lead frame) has a bonding portion 11, a plurality of thin extension portions 12, and a plurality of thick extension portions 13.

ボンディング部１１は、帯状とされており、表面にＬＥＤチップ２がボンディングされる部分である。薄肉延出部１２は、ボンディング部１１から延びており、本実施形態においては、その厚さがボンディング部１１の半分程度の厚さとされている。図４に示すように、薄肉延出部１２の表面は、ボンディング部１１の表面と面一とされている。薄肉延出部１２の裏面は、ボンディング部１１の裏面よりもケース３の内方に位置しており、ケース３によって覆われている。図５に示すように、厚肉延出部１３は、ボンディング部１１から延びており、その厚さがボンディング部１１と同じとされている。厚肉延出部１３の表面は、ボンディング部１１の表面と面一であり、厚肉延出部１３の裏面は、ケース３から露出している。本実施形態においては、複数の薄肉延出部１２と複数の厚肉延出部１３とがリードフレーム１の長手方向において交互に配置されている。   The bonding part 11 has a band shape and is a part where the LED chip 2 is bonded to the surface. The thin extension part 12 extends from the bonding part 11. In this embodiment, the thickness of the thin extension part 12 is about half that of the bonding part 11. As shown in FIG. 4, the surface of the thin extension portion 12 is flush with the surface of the bonding portion 11. The back surface of the thin extension portion 12 is located inside the case 3 with respect to the back surface of the bonding portion 11 and is covered with the case 3. As shown in FIG. 5, the thick extension portion 13 extends from the bonding portion 11, and the thickness thereof is the same as that of the bonding portion 11. The surface of the thick extension portion 13 is flush with the surface of the bonding portion 11, and the back surface of the thick extension portion 13 is exposed from the case 3. In the present embodiment, the plurality of thin extension portions 12 and the plurality of thick extension portions 13 are alternately arranged in the longitudinal direction of the lead frame 1.

ＬＥＤチップ２は、半導体発光装置Ａの光源であり、所定の波長の光を発する半導体発光素子である。ＬＥＤチップ２は、たとえばＧａＮなどの半導体材料からなり、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とに挟まれた活性層において電子と正孔とが再結合することにより青色光、緑色光、赤色光などを発する。ＬＥＤチップ２は、リードフレーム１のうち比較的短尺である部分（第２リードフレーム）に対して、ワイヤ５によって接続されている。   The LED chip 2 is a light source of the semiconductor light emitting device A and is a semiconductor light emitting element that emits light of a predetermined wavelength. The LED chip 2 is made of a semiconductor material such as GaN, for example, and recombines electrons and holes in an active layer sandwiched between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, thereby causing blue light, green light, red light. Etc. The LED chip 2 is connected to a relatively short portion (second lead frame) of the lead frame 1 by a wire 5.

ケース３は、たとえば白色樹脂製であり、全体が長矩形枠状とされている。図３〜図５に示すように、ケース３の内面は、テーパ状のリフレクタ３ａとされている。リフレクタ３ａは、ＬＥＤチップ２から側方に発せられた光を上方に向けて反射するためのものである。図４に示すように、ケース３は、薄肉延出部１２を抱え込む格好となっている。また、図２に示すように、ケース３と複数の薄肉延出部１２および複数の厚肉延出部１３とは、互いに入り込みあう関係となっている。   The case 3 is made of white resin, for example, and has a long rectangular frame shape as a whole. As shown in FIGS. 3 to 5, the inner surface of the case 3 is a tapered reflector 3 a. The reflector 3a is for reflecting upward the light emitted from the LED chip 2 to the side. As shown in FIG. 4, the case 3 is dressed so as to hold the thin extension portion 12. Further, as shown in FIG. 2, the case 3, the plurality of thin extension portions 12, and the plurality of thick extension portions 13 have a relationship of entering each other.

透光樹脂４は、たとえば透明なエポキシ樹脂製であり、ケース３によって囲われた空間に充填されている。透光樹脂４は、ＬＥＤチップ２を覆っており、ＬＥＤチップ２を保護しつつ、ＬＥＤチップ２からの光を透過させる。   The translucent resin 4 is made of, for example, a transparent epoxy resin, and is filled in a space surrounded by the case 3. The translucent resin 4 covers the LED chip 2 and transmits light from the LED chip 2 while protecting the LED chip 2.

次に、半導体発光装置Ａの作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device A will be described.

本実施形態によれば、薄肉延出部１２をケース３が抱え込む格好となっている。これにより、ケース３によるリードフレーム１の保持力を高めることが可能である。これにより、リードフレーム１がケース３から抜け出ることを防止することができる。この結果、半導体発光装置Ａは、図２に示すように、幅が１ｍｍ程度のごく狭幅であるにも関わらず、リードフレーム１のうちケース３から露出する部分の面積を大きくすることができる。したがって、ＬＥＤチップ２からの熱を適切に逃がすことが可能であり、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図ることができる。 According to the present embodiment, the case 3 is configured to hold the thin extension portion 12. Thereby, the holding force of the lead frame 1 by the case 3 can be increased. Thereby, it is possible to prevent the lead frame 1 from coming out of the case 3. As a result, as shown in FIG. 2, the semiconductor light emitting device A can increase the area of the lead frame 1 exposed from the case 3 in spite of the very narrow width of about 1 mm. . Therefore, heat from the LED chip 2 can be appropriately released, and the semiconductor light emitting device A can be reduced in size and brightness.

薄肉延出部１２と厚肉延出部１３とを交互に配置することにより、薄肉延出部１２をケース３に抱え込ませつつ、ケース３から露出した厚肉延出部１３の分だけ、リードフレーム１の露出面積を拡大することが可能である。これは、半導体発光装置Ａの小型化と高輝度化とを図るのに好適である。   By alternately arranging the thin extension portions 12 and the thick extension portions 13, the thin extension portions 12 are held in the case 3, and only the thick extension portions 13 exposed from the case 3 lead. It is possible to enlarge the exposed area of the frame 1. This is suitable for reducing the size and the brightness of the semiconductor light emitting device A.

本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The semiconductor light emitting device according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the semiconductor light emitting device according to the present invention can be varied in design in various ways.

Ａ 半導体発光装置
１ リードフレーム
２ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
３ ケース
４ 透光樹脂
５ ワイヤ
１１ ボンディング部
１２ 薄肉延出部
１３ 厚肉延出部 A Semiconductor light emitting device 1 Lead frame 2 LED chip (semiconductor light emitting element)
3 Case 4 Translucent resin 5 Wire 11 Bonding part 12 Thin extension part 13 Thick extension part

Claims (16)

ダイボンディング部を有するとともに、厚みが０．６ｍｍ以下とされた第１リードフレームと、
上記第１リードフレームと離間配置され、上記第１リードフレームと同一の厚みを有する第２リードフレームと、
上記第１リードフレームのダイボンディング部にボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、
上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームの一部ずつを覆うことにより上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持するケースと、
を備え、
上記第１リードフレームは、平面視において、上記ダイボンディング部から外側に延びる延出部を有するとともに、平面視における形状が上記延出部と上記延出部以外の部分とからなる凹凸形状を含み、
上記延出部は前記ダイボンディング部の略半分の厚みを有する第１薄肉延出部を含み、
上記ケースは、上記ダイボンディング部の裏面を露出させつつ上記第１薄肉延出部の下面を覆う第１抱え込み部を有しており、
上記第２リードフレームと上記半導体発光素子とを電気的に接続するためのワイヤをさらに備え、
上記第２リードフレームは、上記ワイヤをボンディングするためのワイヤボンディング部と、上記ワイヤボンディング部と一体的に設けられ、その裏面が上記ケースから露出する露出部と、上記露出部の裏面より出射方向側に位置するとともに上記第１リードフレームと上記第２リードフレームとが離間する方向と直角である方向に延出する第２薄肉延出部と、上記ワイヤボンディング部と一体的に設けられ、その下面が上記露出部の裏面より出射方向側に位置しており、上記第１リードフレーム側の端部において延出し且つ上記ワイヤボンディング部の略半分の厚みを有する第３薄肉延出部と、を具備しており、
上記ケースは、上記半導体発光素子を環状に囲み、上記半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有し、上記半導体発光素子、上記第１リードフレームの一部および上記第２リードフレームの一部が上記枠状部によって規定された開口を介して上記ケースから露出しており、
上記ケースは、上記枠状部により上記第２薄肉延出部の上面を覆うと共に、上記第３薄肉延出部の上面を覆わずに露出させ、且つ上記第２リードフレームの上記露出部の裏面を露出させつつ上記第２薄肉延出部の下面を覆う第２抱え込み部と、上記第３薄肉延出部の下面を覆う第３抱え込み部と、を有しており、
上記第３薄肉延出部は、上記第２薄肉延出部と連続して形成されているとともに、上記第３抱え込み部は、上記第２抱え込み部と連続して形成されている、半導体発光装置。 A first lead frame having a die bonding portion and a thickness of 0.6 mm or less;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame and having the same thickness as the first lead frame;
A semiconductor light emitting device bonded to the die bonding portion of the first lead frame and conducting to the second lead frame;
A case for supporting the first lead frame and the second lead frame by covering a part of each of the first lead frame and the second lead frame;
With
The first lead frame includes an extending portion extending outward from the die bonding portion in plan view, and includes a concavo-convex shape in which the shape in plan view includes the extending portion and a portion other than the extending portion. ,
The extension part includes a first thin extension part having a thickness approximately half that of the die bonding part,
The case has a first holding portion that covers a lower surface of the first thin extension portion while exposing a back surface of the die bonding portion,
A wire for electrically connecting the second lead frame and the semiconductor light emitting device;
The second lead frame is provided integrally with the wire bonding portion for bonding the wire, the exposed portion where the back surface is exposed from the case, and the emission direction from the back surface of the exposed portion. A second thin-walled extension portion that is positioned on the side and extends in a direction perpendicular to the direction in which the first lead frame and the second lead frame are separated from each other, and the wire bonding portion, and the lower surface is positioned in the emission direction side of the back surface of the exposed portion, and the third thin extending portion which have a substantially half of the thickness of and the wire bonding portion Shi extending at the end of the first lead frame side , And
The case surrounds the semiconductor light emitting element in an annular shape, and has a frame-like portion for reflecting light of the semiconductor light emitting element in an emission direction. The semiconductor light emitting element, a part of the first lead frame, and the first 2 A part of the lead frame is exposed from the case through the opening defined by the frame-shaped part,
The case covers the upper surface of the second thin extension portion with the frame-shaped portion, exposes the upper surface of the third thin extension portion, and exposes the back surface of the exposed portion of the second lead frame. A second holding part that covers the lower surface of the second thin extension part and a third holding part that covers the lower face of the third thin extension part while exposing
The third thin extension portion is formed continuously with the second thin extension portion, and the third holding portion is formed continuously with the second holding portion. . 上記凹凸形状は、上記延出部と、上記延出部に隣り合う上記延出部以外の部分とからなる、請求項１に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the uneven shape includes the extending portion and a portion other than the extending portion adjacent to the extending portion. 上記凹凸形状は、１つの延出部とその両側に隣り合う２つの上記延出部以外の部分とからなる少なくとも１つの突出形状を含む、請求項２に記載の半導体発光装置。   3. The semiconductor light emitting device according to claim 2, wherein the concavo-convex shape includes at least one protruding shape including one extending portion and portions other than the two extending portions adjacent to both sides thereof. 上記凹凸形状は、複数の上記突出形状を含む、請求項３に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein the uneven shape includes a plurality of the protruding shapes. 上記ケースは、上記半導体発光素子を環状に囲み、上記半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有し、上記半導体発光素子、上記第１リードフレームの一部および上記第２リードフレームの一部が上記枠状部によって規定された開口を介して上記ケースから露出しており、
上記第１薄肉延出部は、平面視において上記ダイボンディング部から上記枠状部と重なる領域まで延出する、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。 The case surrounds the semiconductor light emitting element in an annular shape, and has a frame-like portion for reflecting light of the semiconductor light emitting element in an emission direction. The semiconductor light emitting element, a part of the first lead frame, and the first 2 A part of the lead frame is exposed from the case through the opening defined by the frame-shaped part,
5. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the first thin extension portion extends from the die bonding portion to a region overlapping with the frame-like portion in a plan view. 上記第１薄肉延出部は、複数形成されている、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a plurality of the first thin extension portions are formed. 上記第１薄肉延出部は、延出する方向と直角である幅方向の寸法が上記ダイボンディング部の上記幅方向における寸法よりも小さい細幅薄肉延出部を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。   The first thin extension portion includes a narrow thin extension portion whose width direction perpendicular to the extending direction is smaller than the dimension of the die bonding portion in the width direction. The semiconductor light-emitting device in any one. 上記細幅薄肉延出部は、延出する方向と直角である幅方向の寸法が上記半導体発光素子の上記幅方向の寸法よりも小さい、請求項７に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 7, wherein the narrow thin extension portion has a width-wise dimension perpendicular to the extending direction that is smaller than the width-direction dimension of the semiconductor light-emitting element. 上記第１薄肉延出部は、複数の上記細幅薄肉延出部を含む、請求項７または８に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 7, wherein the first thin extension portion includes a plurality of the narrow thin extension portions. 上記ダイボンディング部の裏面は上記ケースの裏面と面一である、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a back surface of the die bonding portion is flush with a back surface of the case. 上記第１薄肉延出部の上面は、上記ダイボンディング部の上面と面一である、請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体発光装置。   11. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein an upper surface of the first thin extension portion is flush with an upper surface of the die bonding portion. 上記第２薄肉延出部は、平面視において上記ワイヤボンディング部から上記枠状部と重なる領域まで延出する、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the second thin extending portion extends from the wire bonding portion to a region overlapping with the frame-like portion in a plan view. 上記第３薄肉延出部は、その上面が上記ワイヤボンディング部と面一である、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein an upper surface of the third thin extension portion is flush with the wire bonding portion. 上記各薄肉延出部の先端部は、上記ケースの側面よりも内側に位置することにより平面視において上記ケースに内包されている、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。   14. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a tip end portion of each of the thin extension portions is included in the case in a plan view by being positioned on an inner side than a side surface of the case. 上記各薄肉延出部の上記下面は、上記各薄肉延出部の上記上面と平行な平面を有する、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the lower surface of each thin extending portion has a plane parallel to the upper surface of each thin extending portion. 上記半導体発光素子は、平面視においてその全体が、その裏面が上記ケースから露出された上記ダイボンディング部に重なっている、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor light-emitting element entirely overlaps with the die bonding portion whose back surface is exposed from the case in a plan view.
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