JP4686248B2 - Optical semiconductor device and optical semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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JP4686248B2 JP2005132541A JP2005132541A JP4686248B2 JP 4686248 B2 JP4686248 B2 JP 4686248B2 JP 2005132541 A JP2005132541 A JP 2005132541A JP 2005132541 A JP2005132541 A JP 2005132541A JP 4686248 B2 JP4686248 B2 JP 4686248B2
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Description

本発明は、光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device.
従来から、表面実装型の光半導体装置(以下、LED(Light Emitted Diode)装置とも称する)は、携帯電話あるいはPDA(Personal Digital(Data) Assistants:携帯情報端末)といった小型電子機器におけるバックライトやキー照明等に用いられている。   Conventionally, surface mount type optical semiconductor devices (hereinafter also referred to as LED (Light Emitted Diode) devices) have been used as backlights and keys in small electronic devices such as mobile phones or PDAs (Personal Digital (Data) Assistants). Used for lighting.
上述のようなLED装置(いわゆるチップLED)は、一般的に以下の構成要素を有する。すなわち、一般的なチップLEDは、不透明な絶縁基板上に、ダイパッド、ワイヤパッド、LED素子、金ワイヤ、並びに透明封止樹脂などの構成要素が載置される。そして、このチップLEDのワイヤパッド及びダイパッドは、それぞれ引き出し線で絶縁基板の端部に載置された電極端子に接続されている。   The above LED device (so-called chip LED) generally has the following components. That is, in a general chip LED, components such as a die pad, a wire pad, an LED element, a gold wire, and a transparent sealing resin are placed on an opaque insulating substrate. The wire pads and die pads of the chip LED are connected to electrode terminals placed on the end portions of the insulating substrate by lead lines.
ところで、近年電子機器の小型化という観点から、これら電子機器に使用されるLED装置に対しても、小型化あるいは薄型化が要求されている。そこで、このような点に鑑み、それまでのチップLEDの樹脂基板部分を取り除いたLED装置が知られている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照。)。   By the way, in recent years, from the viewpoint of downsizing electronic devices, LED devices used in these electronic devices are also required to be downsized or thinned. In view of such a point, an LED device in which the resin substrate portion of the chip LED is removed is known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
特許文献1のLED装置は、LED素子を搭載するダイパッド及びワイヤをボンディングするワイヤパッドの裏面が、底面とほぼ同一平面となるように構成する。このようにすることで、特許文献1のLED装置は、それまでのチップLEDと比較してその構成が薄型化される。   The LED device of Patent Document 1 is configured such that the back surface of the die pad on which the LED element is mounted and the wire pad for bonding the wire are substantially flush with the bottom surface. By doing so, the configuration of the LED device of Patent Document 1 is made thinner than that of a conventional chip LED.
また、特許文献1のLED装置は、ダイパッド及びワイヤパッドの裏面に直接ハンダ付けを行うことで、設置する側の基板との導通を得る。このため、特許文献1のLED装置は、それまでのチップタイプLEDに必要であった電極端子への引出しが不必要となる。以上のように、特許文献1のLED装置は、設置基板と平行方向の小型化を図っている。   Further, the LED device of Patent Document 1 obtains electrical continuity with the substrate on the installation side by directly soldering the back surface of the die pad and the wire pad. For this reason, the LED device of Patent Document 1 does not need to be drawn out to the electrode terminals that have been necessary for the chip type LED so far. As described above, the LED device of Patent Document 1 is designed to be downsized in the direction parallel to the installation substrate.
特許文献1と同様に、本発明者がした特許文献2のLED装置も、これまでのチップLEDと異なり絶縁基板を不要としている。この特許文献2のLED装置のダイパッド及びワイヤパッドは、金属膜によるコーティングや金属メッキなどによって形成される。そして、これらのダイパッド及びワイヤパッドの裏面(パッケージ側から見た表面)は、外部に露出することで電極端子を兼ねている。
特開2001-203396号公報 特開2005-079329号公報
Similar to Patent Document 1, the LED device of Patent Document 2 made by the present inventor does not require an insulating substrate unlike conventional chip LEDs. The die pad and wire pad of the LED device of Patent Document 2 are formed by coating with a metal film or metal plating. And the back surface (surface seen from the package side) of these die pads and wire pads also serves as an electrode terminal by being exposed to the outside.
JP 2001-203396 A JP 2005-079329 A
しかしながら、上述の特許文献に係る技術を含め、従来の技術では例えば以下のような問題があった。
まず、従来の技術のような構成では、電極部(ワイヤパッド、ダイパッド)の金属膜あるいは金属メッキが薄く面積も小さかった。また、従来の技術では、電極部と封止樹脂とは異種材料であるため、双方の接着力も強くなかった。
However, the conventional techniques including the technique related to the above-described patent document have the following problems.
First, in the configuration as in the prior art, the metal film or metal plating of the electrode portion (wire pad, die pad) is thin and the area is small. In the prior art, since the electrode part and the sealing resin are different materials, the adhesive strength between them is not strong.
従って、従来の技術では、特にハンダリフロー時など温度変化を伴うような環境において、金属材料と樹脂との熱膨張率の差により電極部が封止樹脂からの剥離が生じやすかった。この従来技術における電極部剥離の問題は、温度変化時のみ起こるのではなく、例えば製造時に複数のLED装置を個々に分けるいわゆるダイシング工程の際に、LED装置に応力がかかるなどの種々の原因が考えられる。   Therefore, in the prior art, particularly in an environment with a temperature change such as during solder reflow, the electrode portion is likely to be peeled off from the sealing resin due to the difference in thermal expansion coefficient between the metal material and the resin. This problem of electrode separation in the prior art does not only occur when the temperature changes, but there are various causes, such as stress applied to the LED device during a so-called dicing process in which a plurality of LED devices are individually divided during manufacturing. Conceivable.
また、従来技術のようなLED装置は、実装時にハンダ付け作業及びハンダ付けの状態を確認する作業が困難であるという問題があった。一般にハンダ付けが正しく行われたか否かを検査する場合には、電極を有する面とは反対側のLED装置の上面より確認する。しかしながら、従来技術のようなLED装置は、電極がパッケージ内側に隠れているため上面からの検査が困難であった。また、特に特許文献1のようなLED装置の場合は、電極がパッケージ面とほぼ同一平面にあるため、電極に外部に露出する側面が存在しない。従って、特許文献1のLED装置は、必要なハンダのフィレットが形成されにくいため、十分な実装強度が得られない可能性があった。   Also, the LED device as in the prior art has a problem that it is difficult to perform soldering work and soldering state at the time of mounting. In general, when inspecting whether or not the soldering is correctly performed, the confirmation is made from the upper surface of the LED device opposite to the surface having the electrodes. However, the LED device as in the prior art is difficult to inspect from the upper surface because the electrodes are hidden inside the package. In particular, in the case of the LED device as disclosed in Patent Document 1, since the electrode is substantially flush with the package surface, there is no side surface exposed to the outside of the electrode. Therefore, the LED device of Patent Document 1 has a possibility that sufficient mounting strength cannot be obtained because it is difficult to form a necessary solder fillet.
また、LED装置をさらなる小型化を行う場合には、図7においてAで示される、LED素子−ワイヤボンド間の距離を短くすることを考慮する必要がある。このとき、ダイパッド及びワイヤパッドは、それぞれLED素子の搭載及びワイヤボンドが確実に行えるように、十分な広さを確保しておく必要がある。ここで従来技術のLED装置の構成に鑑みれば、ダイパッド及びワイヤパッドはそれぞれの裏面が電極を兼ねているため、図中Aの距離を短くすると両電極間の間隔Bも狭くなってしまっていた。   Further, when the LED device is further downsized, it is necessary to consider shortening the distance between the LED element and the wire bond indicated by A in FIG. At this time, the die pad and the wire pad need to be sufficiently wide so that the LED element can be mounted and wire bonding can be reliably performed. Here, in view of the configuration of the LED device of the prior art, since the back surface of each of the die pad and the wire pad also serves as an electrode, if the distance A in the figure is shortened, the interval B between the two electrodes is also narrowed. .
そして、LED装置の電極の間隔Bが短くなった場合には、このようなLED装置を実装基板にハンダ付けすると余剰のハンダが互いに隣の電極まで達する、いわゆるハンダブリッジが形成されてしまうことが考えられた。このようなハンダブリッジが形成されたまま電流を流すと、双方の電極が短絡してしまうことになる。特に、特許文献1のLED装置のように、電極と装置の底面がほぼ同一平面にある場合には、余剰のハンダが底面を伝わって広がりやすく、結果としてハンダブリッジが形成されやすかった。   If the distance B between the electrodes of the LED device becomes short, soldering such an LED device to a mounting substrate may form a so-called solder bridge in which excessive solder reaches the adjacent electrodes. it was thought. If an electric current is passed with such a solder bridge formed, both electrodes will be short-circuited. In particular, as in the LED device of Patent Document 1, when the electrode and the bottom surface of the device are substantially in the same plane, excess solder tends to spread along the bottom surface, and as a result, a solder bridge is easily formed.
以上のように、上述の従来の技術では、ハンダブリッジの問題が鑑みられた上で為されているとは言い難かった。従って、従来のような技術ではAの距離を抑えることによってLED装置の小型化を図るのは容易ではなかった。   As described above, it has been difficult to say that the above-described conventional technique has been made in view of the problem of solder bridge. Therefore, it is not easy to reduce the size of the LED device by reducing the distance A with the conventional technique.
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a technique for improving workability when mounting an apparatus while realizing a reduction in size and thickness of an apparatus configuration required for an optical semiconductor device.
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段とした。
すなわち、本発明は、光半導体素子と、光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられる第二のパッドと、少なくとも光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、を備え、第一の電極及び第二の電極の平面部が、封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する。
In order to solve the above problems, the present invention has the following means.
That is, the present invention is provided with an optical semiconductor element, a mounting portion on which the optical semiconductor element is mounted, and a first electrode portion that is electrically connected to the outside, and the area of the planar portion of the first electrode portion is the mounting portion. A first pad smaller than the plane portion of the second pad, a second connection portion connected to the optical semiconductor element and a second pad provided with a second electrode portion electrically connected to the outside, at least the optical semiconductor element, A first pad and a sealing portion that covers the second pad, and the planar portions of the first electrode and the second electrode are exposed so as to be substantially flush with the surface of the sealing portion. .
本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、封止部内に封止されている平面部の面積が封止部から露出する電極部分の平面部面積より大きい。このため、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、実装時に電極部分に対して封止部外方への引張力が生じたときに、封止部内部において平面部に引張力に抗する力が生じる。すなわち、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、平面部が封止部内でアンカーのように機能することで電極部分が封止樹脂から剥離するという実装時の問題を解消することができる。   In the first pad and the second pad of the present invention, the area of the planar portion sealed in the sealing portion is larger than the planar portion area of the electrode portion exposed from the sealing portion. For this reason, the first pad and the second pad of the present invention have a tensile force applied to the flat portion inside the sealing portion when a tensile force is generated outward from the sealing portion with respect to the electrode portion during mounting. Power to resist arises. That is, the first pad and the second pad of the present invention can solve the mounting problem that the electrode portion is peeled off from the sealing resin because the planar portion functions like an anchor in the sealing portion. it can.
また、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、外部に露出する平面部からなる電極部分が封止部の表面とほぼ同一平面であるため、封止部外方に電極部の突出がなく、電極部分に由来する装置全体の厚みが抑制される。   In addition, the first pad and the second pad of the present invention are such that the electrode portion composed of the flat portion exposed to the outside is substantially flush with the surface of the sealing portion, and therefore the electrode portion protrudes outward from the sealing portion. And the thickness of the entire device derived from the electrode portion is suppressed.
従って、本発明によれば、光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供することができる。   Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a technique for improving workability at the time of device mounting while realizing a reduction in size and thickness of a device configuration required for an optical semiconductor device.
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、樹脂パッケージ表面の同一平面上において互いに離間する位置に載置されるようにしてもよい。   In the present invention, the first electrode and the second electrode may be placed at positions separated from each other on the same plane of the resin package surface.
本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、ダイボンド及びワイヤボンドに必要な平面部分と電極部分とを面積が異なるようにしたことから、第一のパッド及び第二のパッドはダイボンドおよびワイヤボンドに必要な面積を保持しつつ、電極の面積および位置を上記平面部の範囲内で自由に設定できる。すなわち、本発明の光半導体装置は、光半導体素子とワイヤボンド部との距離に対して両電極間の間隔を広くすることができる。このため、本発明は、光半導体装置の実装時における余剰ハンダによるハンダブリッジの問題が生じにくい。
従って、本発明によれば、光半導体装置の小型化を行いつつ、実装時の作業性の向上という要求を両立することができる。
Since the first pad and the second pad according to the present invention have different areas for the plane portion and the electrode portion necessary for die bonding and wire bonding, the first pad and the second pad are die bonding and wire. The area and position of the electrode can be freely set within the range of the plane portion while maintaining the area necessary for bonding. That is, in the optical semiconductor device of the present invention, the distance between the electrodes can be increased with respect to the distance between the optical semiconductor element and the wire bond portion. For this reason, the present invention is less likely to cause a solder bridge problem due to excess solder when the optical semiconductor device is mounted.
Therefore, according to the present invention, it is possible to satisfy both requirements for improving workability during mounting while reducing the size of the optical semiconductor device.
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、それぞれ封止部における二つの表面から露出しているようにしてもよい。   In the present invention, the first electrode and the second electrode may be exposed from two surfaces of the sealing portion, respectively.
本発明の第一の電極及び第二の電極が、実装基板と対向する面とは異なる表面、例えば封止部の側面からも露出する。このようにすれば、本発明は、ハンダ付け作業を容易に行うことができ、ハンダ付けの確認も容易にできる。
従って、本発明によれば、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
The first electrode and the second electrode of the present invention are also exposed from a surface different from the surface facing the mounting substrate, for example, the side surface of the sealing portion. In this way, according to the present invention, the soldering operation can be easily performed, and confirmation of soldering can be easily performed.
Therefore, according to the present invention, it is possible to improve workability when mounting the apparatus.
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、当該電極における封止部から露出する面から見て、封止部の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなすようにしてもよい。   Further, the present invention provides at least a portion where the first electrode and the second electrode have a width that decreases toward the end portion of the sealing portion when viewed from the surface of the electrode exposed from the sealing portion. You may make it make the shape which has one or more places.
また、本発明は、第一の電極及び第二の電極が、当該電極における封止部から露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成されるようにしてもよい。   Moreover, this invention may be made to form so that a 1st electrode and a 2nd electrode may have an unevenness | corrugation in the width direction seeing from the surface exposed from the sealing part in the said electrode.
本発明は、第一のパッド及び第二のパッドと封止部内部との接触面の向きが上述のものより増加することで、双方間で生じる封止部外方への引張力に抗する力による効果(アンカー的作用による効果)を光半導体装置の厚み方向(装置を引き離す方向)だけではなく、平面方向(装置を基板に沿って移動する方向)に対しても付加できる。また、本発明は、第一のパッド及びワイヤパッドを封止する樹脂との接触面積が増えるため、剥離問題の解消が期待される。
従って、本発明によれば、光半導体装置において、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。
In the present invention, the direction of the contact surface between the first pad and the second pad and the inside of the sealing portion is increased from the above, thereby resisting the tensile force to the outside of the sealing portion generated therebetween. The effect due to the force (effect due to the anchor action) can be added not only in the thickness direction of the optical semiconductor device (direction in which the device is pulled away) but also in the plane direction (direction in which the device is moved along the substrate). Moreover, since this invention increases the contact area with resin which seals a 1st pad and a wire pad, elimination of a peeling problem is anticipated.
Therefore, according to the present invention, in the optical semiconductor device, it is possible to improve workability when mounting the device.
また、本発明は、基板上に所定膜厚のレジストをパターニングする工程と、パターニング領域とは異なる基板上の他の領域及びレジスト表面上の少なくとも一部にレジストの所定膜厚を上回る膜厚のメッキを形成して、第一のパッド及び第二のパッドを形成する工程と、第一のパッド及び第二のパッドを形成した基板から前記レジストを除去する工程と、第一のパッド及び第二のパッドに、光半導体素子を電気的に接続する工程と、光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを封止する工程と、を行う光半導体装置製造方法、としても特定することができる。   The present invention also includes a step of patterning a resist having a predetermined film thickness on the substrate, and having a film thickness that exceeds the predetermined film thickness of the resist in at least a part of the resist surface and another region different from the patterning region. Forming a first pad and a second pad; removing the resist from the substrate on which the first pad and the second pad are formed; and the first pad and the second pad. And a method of manufacturing an optical semiconductor device that includes a step of electrically connecting the optical semiconductor element to the pad and a step of sealing the optical semiconductor element, the first pad, and the second pad. Can do.
本発明は、レジストの所定膜厚を上回る膜厚部分において、他の領域から当該レジスト表面にあたる任意の領域の少なくとも一部に対してもメッキを行って第一のパッド及び第二のパッドを形成する。このようにすることで、本発明は、樹脂内部で封止される部分の面積を樹脂から露出する電極部分より大きくした第一のパッド及び第二のパッドを有する光半導体装置を製造することができる。そして、このような光半導体装置によれば、上述のような装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。   In the present invention, the first pad and the second pad are formed by plating at least a part of an arbitrary region corresponding to the resist surface from another region in a film thickness portion exceeding a predetermined film thickness of the resist. To do. By doing in this way, this invention can manufacture the optical semiconductor device which has the 1st pad and the 2nd pad which made the area of the part sealed inside resin larger than the electrode part exposed from resin. it can. According to such an optical semiconductor device, it is possible to improve workability at the time of mounting the device while realizing a reduction in size and thickness of the device configuration as described above.
本発明によれば、光半導体装置に要求される装置構成の小型化及び薄型化を実現しつつ、装置実装時の作業性の向上を図る技術を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique which aims at the improvement of workability | operativity at the time of apparatus mounting can be provided, implement | achieving size reduction and thickness reduction of an apparatus structure requested | required of an optical semiconductor device.
以下、図面を参照して本発明の光半導体装置を実施するための一実施の形態である、LED装置について説明する。以下の実施の形態の構成は例示であり、本発明は実施の形態の構成に限定されない。   Hereinafter, an LED device, which is an embodiment for carrying out an optical semiconductor device of the present invention, will be described with reference to the drawings. The configuration of the following embodiment is an exemplification, and the present invention is not limited to the configuration of the embodiment.
<実施例1>
本発明の光半導体装置の第一の実施の形態に係るLED装置の構成について説明する。本実施の形態のLED装置は、表面実装型のものでいわゆるチップLEDと称される。
<Example 1>
The configuration of the LED device according to the first embodiment of the optical semiconductor device of the present invention will be described. The LED device of the present embodiment is a surface mount type and is called a so-called chip LED.
図1は、LED装置100の構成を示す三面図であり、図1(a)が側面図、図1(b)が上面図、図1(c)が底面図である。図1を参照すれば、LED装置100は、その構成要素としてLED素子1,ワイヤ2,ダイパッド(本発明の第一のパッドに相当)3,ワイヤパッド(本発明の第二のパッドに相当)4,封止樹脂(本発明の封止部に相当)5を有する。   FIG. 1 is a three-view diagram illustrating the configuration of the LED device 100, in which FIG. 1 (a) is a side view, FIG. 1 (b) is a top view, and FIG. 1 (c) is a bottom view. Referring to FIG. 1, the LED device 100 includes, as its constituent elements, an LED element 1, a wire 2, a die pad (corresponding to the first pad of the present invention) 3, and a wire pad (corresponding to the second pad of the present invention). 4. Has a sealing resin (corresponding to the sealing portion of the present invention) 5.
LED素子1は、その上面及び下面にそれぞれ電極を有する公知の光半導体素子である。LED素子1は、これらの電極に所定の電流を流すことによって所望の発光を得る。   The LED element 1 is a known optical semiconductor element having electrodes on its upper and lower surfaces. The LED element 1 obtains desired light emission by flowing a predetermined current through these electrodes.
LED素子1は、導電性の素材(例えば、Au/Pb/Ni/Pb、Au/Cu/Ni/Pbの4層メッキ)により形成されたダイパッド3上に設置される。このとき、LED素子1は、その下面とダイパッド3の上面とを所定の導電性接着剤6などの接着材料によって接着することによって、当該ダイパッド3と上述の下面電極との電気的接続を得る。また、LED素子1は、ワイヤパッド4とLED素子1の上面電極とを、ワイヤ2を用いてワイヤボンディングしてこの上面電極に対する電気的接続を得る。   The LED element 1 is installed on a die pad 3 formed of a conductive material (for example, Au / Pb / Ni / Pb, Au / Cu / Ni / Pb four-layer plating). At this time, the LED element 1 obtains an electrical connection between the die pad 3 and the above-described lower surface electrode by adhering the lower surface thereof to the upper surface of the die pad 3 with an adhesive material such as a predetermined conductive adhesive 6. Further, the LED element 1 wire-bonds the wire pad 4 and the upper surface electrode of the LED element 1 using the wire 2 to obtain an electrical connection to the upper surface electrode.
LED素子1が設置されたダイパッド3及びワイヤパッド4は、LED装置100のパッケージを形成する封止樹脂5によって封止される。パッケージ(封止部)5のLED素子1の発光部とは反対側(ダイパッド3側)表面には、ダイパッド3の一部が外部に露出する。同様に、ワイヤパッド4の一部も、パッケージ5のLED素子1の発光部とは反対側(ダイパッド3側)表面から外部に露出している。そして、このようにパッケージ5表面において外部に露出したダイパッド3及びワイヤパッド4の一部は外部電極となり、LED装置100を実装した際に実装基板(不図示)とLED素子1との電気的接続を得る。   The die pad 3 and the wire pad 4 on which the LED element 1 is installed are sealed with a sealing resin 5 that forms a package of the LED device 100. A part of the die pad 3 is exposed to the outside on the surface (die pad 3 side) opposite to the light emitting portion of the LED element 1 of the package (sealing portion) 5. Similarly, a part of the wire pad 4 is also exposed to the outside from the surface (die pad 3 side) opposite to the light emitting portion of the LED element 1 of the package 5. A part of the die pad 3 and the wire pad 4 exposed to the outside on the surface of the package 5 in this way becomes an external electrode, and when the LED device 100 is mounted, the electrical connection between the mounting substrate (not shown) and the LED element 1 is achieved. Get.
本実施例において、ダイパッド3及びワイヤパッド4による外部電極は、パッケージ5表面とほぼ同一平面上において外部(パッケージ(封止樹脂)5におけるLED素子1の発光部とは反対側表面)に露出している。   In this embodiment, the external electrodes formed by the die pad 3 and the wire pad 4 are exposed to the outside (surface opposite to the light emitting portion of the LED element 1 in the package (sealing resin) 5) on the same plane as the surface of the package 5. ing.
次に、ダイパッド3及びワイヤパッド4について詳細に説明する。上述のようにダイパッド3は、LED装置100のパッケージ5内部に位置する。ダイパッド3は、LED素子1のダイボンディングに必要な平面部の面積を有するLED素子載置部(以下、上部ダイパッドとも称する)3aと、底面7から外部に露出した電極部(以下、下部ダイパッドとも称する)3bとからなる。下部ダイパッド3bの平面部の面積は、上部ダイパッド3aのものと比較すると小さい。   Next, the die pad 3 and the wire pad 4 will be described in detail. As described above, the die pad 3 is located inside the package 5 of the LED device 100. The die pad 3 includes an LED element mounting portion (hereinafter also referred to as an upper die pad) 3a having an area of a planar portion necessary for die bonding of the LED element 1, and an electrode portion (hereinafter also referred to as a lower die pad) exposed to the outside from the bottom surface 7. 3b). The area of the planar portion of the lower die pad 3b is smaller than that of the upper die pad 3a.
そして、図1(b)にも示されるように、ダイパッド3は、上部ダイパッド3aと下部ダイパッド3bとが平面部の面積の違いを有した一つの部材として形成されるため、側面から見た場合に上部ダイパッド3aの平面部分が下部ダイパッド3bよりも大きい。すなわち、ダイパッド3は、側面から見てキノコのような形状を有する。   As shown in FIG. 1 (b), when the die pad 3 is viewed from the side surface, the upper die pad 3a and the lower die pad 3b are formed as one member having a difference in area of the plane portion. Further, the planar portion of the upper die pad 3a is larger than the lower die pad 3b. That is, the die pad 3 has a mushroom-like shape when viewed from the side.
図9は、パッケージ5に封止されたダイパッド3がパッケージ5との間で生じる外方への引張力に抗する力を図示した一例である。以上のような形状を有するダイパッド3は、パッケージ5から露出する下部ダイパッド3bに外方への引張力(Fo)が生じたときに、上部ダイパッド3aのLED素子1を載置する側とは反対側の平面部分とパッケージ5の内部との間で、当該引張力Foに対して抗する力(Fi1,Fi2)が生じる。この力Fi1,Fi2によって、ダイパッド3は、パッケージ5から剥離してしまうような実装時の問題を防止することができる。 FIG. 9 is an example illustrating the force against the outward tensile force generated between the die pad 3 sealed in the package 5 and the package 5. The die pad 3 having the shape as described above is the side on which the LED element 1 of the upper die pad 3a is placed when an outward tensile force (F o ) is generated in the lower die pad 3b exposed from the package 5. A force (F i1 , F i2 ) against the tensile force F o is generated between the opposite plane portion and the inside of the package 5. Due to these forces F i1 and F i2 , the die pad 3 can prevent a problem during mounting such that the die pad 3 is peeled off from the package 5.
同様に、ワイヤパッド4も、ワイヤボンディングに必要な平面部の面積を有する上部ワイヤパッド4aと底面7から外部に露出した下部ワイヤパッド(以下、電極部とも称する)4bとからなる。下部ダイパッド3bと同様に下部ワイヤパッド4bもまた、平面部分の面積が上部ワイヤパッド4aの平面部分の面積より小さい。   Similarly, the wire pad 4 is composed of an upper wire pad 4a having a plane area necessary for wire bonding and a lower wire pad (hereinafter also referred to as an electrode portion) 4b exposed to the outside from the bottom surface 7. Similarly to the lower die pad 3b, the lower wire pad 4b also has a planar area smaller than that of the upper wire pad 4a.
そして、ワイヤパッド4も、上部ワイヤパッド4aと下部ワイヤパッド4bとが平面部の面積の違いを有した一つの部材として形成されるため、側面から見た場合に上部ワイヤパッド4aの平面部分が下部ワイヤパッド4bよりも大きい。すなわち、ワイヤパッド4もまた、側面から見てキノコのような形状を有する。   Also, the wire pad 4 is also formed as one member with the upper wire pad 4a and the lower wire pad 4b having a difference in the area of the flat portion, so that when viewed from the side, the flat portion of the upper wire pad 4a is It is larger than the lower wire pad 4b. That is, the wire pad 4 also has a mushroom-like shape when viewed from the side.
従って、ワイヤパッド4も、このような形状により、上部ワイヤパッド4aのワイヤ2を接続する側とは反対側の平面部分とパッケージ5の内部との間に生じる引張力Foに対して抗する力Fi1,Fi2によってアンカーのような効果を生じることができる。 Therefore, the wire pad 4 also resists the tensile force F o generated between the plane portion on the opposite side to the side to which the wire 2 of the upper wire pad 4a is connected and the inside of the package 5 due to such a shape. An anchor-like effect can be produced by the forces F i1 and F i2 .
次に、ダイパッド3及びワイヤパッド4の形状あるいは寸法の一例について説明する。なお、以下のダイパッド3及びワイヤパッド4の寸法の数値は一例であり、上述の上部パッド3a,4aと下部パッド3b,4bが平面部の面積の違いを有していれば本発明は以下の数値には限定されない。   Next, an example of the shapes or dimensions of the die pad 3 and the wire pad 4 will be described. The following numerical values of the dimensions of the die pad 3 and the wire pad 4 are examples, and the present invention is as follows if the above-mentioned upper pads 3a, 4a and lower pads 3b, 4b have a difference in the area of the plane portion. It is not limited to numerical values.
上部ダイパッド3aの大きさは、例えばLED素子1の大きさが0.3mm角程度の場合、ダイボンド工程での製造公差を考慮して0.4mm角以上が望ましい。また、下部ダイパッド3bの大きさは、上部ダイパッド3aの大きさに対して、0.05mm程度小さくすることが望ましい。また、ダイパッド3の厚みは、上部ダイパッド3aを0.03mm程度、下部ダイパッドを0.02mm程度とすることが望ましい。   For example, when the size of the LED element 1 is about 0.3 mm square, the size of the upper die pad 3a is preferably 0.4 mm square or more in consideration of manufacturing tolerance in the die bonding process. Further, the size of the lower die pad 3b is preferably about 0.05 mm smaller than the size of the upper die pad 3a. Further, the thickness of the die pad 3 is preferably about 0.03 mm for the upper die pad 3a and about 0.02 mm for the lower die pad.
上部ワイヤパッド4aの大きさは、φ25μm程度の金ワイヤを用いる場合、キャピラリィの先端径はφ0.2mm程度となるため、ダイボンド工程の製造公差を考慮して0.3mm角以上とすることが望ましい。また、下部ワイヤパッド4bの大きさは、上部ダイパッド4aの大きさに対して、0.05mm程度小さくすることが望ましい。さらに、ワイヤパッド4の厚みは、上部ワイヤパッド4aが0.03mm程度、下部ワイヤパッド4bが0.02mm程度とするのが望ましい。   The size of the upper wire pad 4a is preferably 0.3 mm square or more in consideration of manufacturing tolerance in the die bonding process because the tip diameter of the capillary is about φ0.2 mm when a gold wire of about φ25 μm is used. The size of the lower wire pad 4b is preferably about 0.05 mm smaller than the size of the upper die pad 4a. Further, the thickness of the wire pad 4 is desirably about 0.03 mm for the upper wire pad 4a and about 0.02 mm for the lower wire pad 4b.
<実施例2>
次に、本発明の光半導体装置に係る上記実施例とは異なる一例について説明する。
図2は、実施例2に係るLED装置200の構成を示す図であり、図2(a)が側面図、図2(b)が上面図、図2(c)が底面図である。図2を参照すれば、LED装置200と実施例1に係るLED装置100との相違点は、ダイパッド13及びワイヤパッド14において、下部のパッド(13b,14b)の位置が底面27上で互いに離間した状態になるように形成したことにある。
<Example 2>
Next, an example different from the above-described embodiment relating to the optical semiconductor device of the present invention will be described.
FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the LED device 200 according to the second embodiment. FIG. 2 (a) is a side view, FIG. 2 (b) is a top view, and FIG. 2 (c) is a bottom view. Referring to FIG. 2, the difference between the LED device 200 and the LED device 100 according to the first embodiment is that the positions of the lower pads (13b, 14b) are separated from each other on the bottom surface 27 in the die pad 13 and the wire pad 14. It is that it formed so that it might be in the state.
実施例1にも示したように、本発明の第一のパッド及び第二のパッドは、ダイボンド及びワイヤボンドに必要な平面部分と電極部分とを面積が異なるようにした。これにより、実施例2に示すLED装置200のダイパッド13及びワイヤパッド14は、ダイボンドおよびワイヤボンドに必要な面積を保持しつつ、電極の面積および位置を上記平面部の範囲内で自由に設定できる。   As shown in Example 1, the first pad and the second pad of the present invention have different areas for the planar portion and the electrode portion necessary for die bonding and wire bonding. As a result, the die pad 13 and the wire pad 14 of the LED device 200 shown in the second embodiment can freely set the area and position of the electrode within the range of the planar portion while maintaining the area necessary for die bonding and wire bonding. .
図6は、実施例2における電極間の間隔を設定した一例を示す図である。すなわち、LED装置200は、LED素子11とワイヤボンド部との距離Aに対して両電極間の間隔Bを広くすることができる。このため、LED装置200は、実装時における余剰ハンダによるハンダブリッジの問題が生じにくい。従って、LED装置200によれば、光半導体装置の小型化を行いつつ、実装時の作業性の向上という要求を両立することができる。   FIG. 6 is a diagram illustrating an example in which the distance between the electrodes in Example 2 is set. That is, in the LED device 200, the distance B between the electrodes can be increased with respect to the distance A between the LED element 11 and the wire bond portion. For this reason, the LED device 200 is less likely to cause a solder bridge problem due to excess solder during mounting. Therefore, according to the LED device 200, it is possible to satisfy both the demands of improving workability during mounting while reducing the size of the optical semiconductor device.
また、下部パッド13bと14bの間隔は、実装時のハンダ量のばらつきによるショートを考えると、極力長く取ることが望ましい。特に、本実施例のような透明樹脂で、実装時にマウンタでの認識誤差が大きくなる可能性があるパッケージでは、0.2mm以上の間隔を設けることが望ましい。なお、LED装置200とLED装置100とにおける他の構成要素は共通であるため、その説明は省略する。   Further, it is desirable that the interval between the lower pads 13b and 14b be as long as possible in consideration of a short circuit due to variations in the amount of solder during mounting. In particular, in the case of a transparent resin such as the present embodiment, in which a recognition error at the mounter may increase during mounting, it is desirable to provide an interval of 0.2 mm or more. Since the other components in the LED device 200 and the LED device 100 are common, the description thereof is omitted.
<LED装置の製造方法>
上述の実施例1及び2に係る構成を有するLED装置の製造方法を、図面を参照して説明する。
図3は、実施例に係るLED装置製造方法の一例の工程を示す図である。以下工程の説明は、図3(a)から(e)の順に沿って行う。
<Manufacturing method of LED device>
A manufacturing method of the LED device having the configuration according to the first and second embodiments will be described with reference to the drawings.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example process of the LED device manufacturing method according to the embodiment. The following description of the steps will be made in the order of FIGS. 3 (a) to 3 (e).
図3(a)に示す第一の工程では、製造基板21(例えば銅基板)上の任意の領域に所定膜圧のレジスト(例えば紫外線硬化樹脂)22を塗布する。   In the first step shown in FIG. 3A, a resist (for example, an ultraviolet curable resin) 22 having a predetermined film pressure is applied to an arbitrary region on the manufacturing substrate 21 (for example, a copper substrate).
次に、図3(b)に示す第二の工程では、レジスト22を塗布した領域とは異なる領域21a及び21b付近にメッキ(例えば、Au/Pb/Ni/Pb、Au/Cu/Ni/Pの4層メッキ)をする。このとき、領域21a及び21bに行うメッキ厚は、レジスト22の所定膜厚より厚く形成する。このとき、レジスト膜厚とメッキ厚とは、例えばレジスト膜厚を0.02mm程度とし、メッキの厚みを0.05mm程度とすることが考えられる。   Next, in the second step shown in FIG. 3B, plating is performed in the vicinity of the regions 21a and 21b different from the region where the resist 22 is applied (for example, Au / Pb / Ni / Pb, Au / Cu / Ni / P 4 layer plating). At this time, the plating thickness applied to the regions 21a and 21b is formed to be thicker than the predetermined thickness of the resist 22. At this time, the resist film thickness and the plating thickness may be, for example, a resist film thickness of about 0.02 mm and a plating thickness of about 0.05 mm.
また、上述のメッキは、少なくとも1層から形成されてもよい。また、上述のメッキは、複数層からなる場合には、それらいずれの層によってレジスト22の所定膜厚を超えてもよい。このとき、レジスト22の所定膜厚を超えるメッキ層は、複数のメッキ層のうちの一層とすることが、パッド部の耐性、及び、いわゆるアンカー的効果の観点で望ましい。例えば、上述のAu/Cu/Ni/Pbの4層メッキの場合には、Cu層がレジスト22の所定膜厚を超えるようにして、上部パッドと下部パッドに界面を形成することなくパッドを作製する。   The plating described above may be formed from at least one layer. Further, when the above-described plating is composed of a plurality of layers, the predetermined film thickness of the resist 22 may be exceeded by any of these layers. At this time, the plating layer exceeding the predetermined film thickness of the resist 22 is desirably one layer among the plurality of plating layers from the viewpoint of the resistance of the pad portion and the so-called anchor effect. For example, in the case of the above-mentioned Au / Cu / Ni / Pb four-layer plating, the pad is produced without forming an interface between the upper pad and the lower pad so that the Cu layer exceeds the predetermined thickness of the resist 22 To do.
その上で、上述のメッキは、レジスト22の所定膜厚を上回る膜厚部分において、領域21a及び21bから任意の領域にあるレジスト22表面上の少なくとも一部に対しても形成される。このようにメッキすることによって、上部のパッドの方が下部のパッドより平面部分の面積が大きいダイパッド3及びワイヤパッド4が形成される。その後、図3(c)に示す第三の工程では、エッチングなどの所定の方法によりレジスト22を製造基板21上から除去する。   In addition, the above-described plating is also formed on at least a part of the surface of the resist 22 in an arbitrary region from the regions 21a and 21b in a film thickness portion exceeding the predetermined film thickness of the resist 22. By plating in this manner, the die pad 3 and the wire pad 4 are formed such that the upper pad has a larger planar area than the lower pad. Thereafter, in a third step shown in FIG. 3 (c), the resist 22 is removed from the production substrate 21 by a predetermined method such as etching.
レジスト22除去後、図3(d)に示す第四の工程では、製造基板21上に形成されたダイパッド3及びワイヤパッド4の上に、既存のLED装置の製造方法を用いてLED素子1をダイパッド3に載置し、LED素子1の上部電極とワイヤパッド4とのワイヤボンディングを行う。このとき、ダイボンド及びワイヤボンドを行う位置としては、ダイパッド3及びワイヤパッド4における下部のパッドがある領域で行うことが望ましい。   After removing the resist 22, in the fourth step shown in FIG. 3 (d), the LED element 1 is formed on the die pad 3 and the wire pad 4 formed on the manufacturing substrate 21 by using an existing LED device manufacturing method. It is placed on the die pad 3 and wire bonding between the upper electrode of the LED element 1 and the wire pad 4 is performed. At this time, it is desirable to perform the die bonding and the wire bonding in a region where the lower pads of the die pad 3 and the wire pad 4 are present.
LED素子1の載置及びワイヤボンディング後、図3(e)に示す第五の工程では、LED素子1を載置したダイパッド3及びワイヤパッド4を含めた製造基板21を、例えばエポキシ樹脂などの封止樹脂5でモールドする。   After the LED element 1 is placed and wire-bonded, in the fifth step shown in FIG. 3 (e), the manufacturing substrate 21 including the die pad 3 and the wire pad 4 on which the LED element 1 is placed is made of, for example, epoxy resin. Mold with sealing resin 5.
封止樹脂5によるモールド後の図示しない工程では、製造基板21のダイシング、及びエッチングまたは機械的な処理によりLED装置100と製造基板21とを分離する。なお、このダイシング及び製造基板21との分離工程は、先に製造基板21とLED装置100の集合を分離後、ダイシングを行ってもよい。   In a process (not shown) after molding with the sealing resin 5, the LED device 100 and the manufacturing substrate 21 are separated by dicing and etching or mechanical processing of the manufacturing substrate 21. In this dicing and separation step of the manufacturing substrate 21, dicing may be performed after the assembly of the manufacturing substrate 21 and the LED device 100 is first separated.
<下部パッド形状の変形例>
以上説明した方法により製造されたLED装置の外部電極となるダイパッドとワイヤパッドの下部パッドは、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
<Modification of lower pad shape>
The die pad serving as the external electrode of the LED device manufactured by the method described above and the lower pad of the wire pad are not limited to the above-described configuration, and can be configured as follows, for example.
図4は、本実施の形態に係るLED装置におけるダイパッド及びワイヤパッドの下部パッド形状の変形例を示す図である。このように、上述のLED装置において、下部パッドの平面部分の形状がいわゆる方形ではなく、側面部をなす各辺が円弧状あるいは方形状の凹凸のような切り欠きを設けたように形成することができる。つまり、下部パッド3b,4bは、封止部から露出する面(底面7)から見て、パッケージ5の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなす。あるいは、下部パッド3b,4bは、パッケージから露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成される。   FIG. 4 is a view showing a modification of the lower pad shape of the die pad and wire pad in the LED device according to the present embodiment. Thus, in the above-described LED device, the shape of the planar portion of the lower pad is not a so-called square shape, and each side forming the side surface portion is formed so as to be provided with a notch such as an arc shape or a rectangular unevenness. Can do. That is, the lower pads 3b and 4b have a shape having at least one portion whose width becomes smaller toward the end portion of the package 5 when viewed from the surface (bottom surface 7) exposed from the sealing portion. Alternatively, the lower pads 3b and 4b are formed to have irregularities in the width direction when viewed from the surface exposed from the package.
以上の下部パッドの形状は、側面部が複数の面からなり、この複数の面の各々から引き出した垂線の少なくとも一つが互いに異なる方向を示すように当該側面部が形成されるように形成したともいえる。また、この下部パッドの形状は、複数の面の各々から延ばした仮想の接線及び/または延長線が、互いに平行及び/または所定の角度を持って交差するようにしてもよい。また、以上の下部パッドの形状は、側面部が、第一の面及びこの第一の面とは異なる第二の面を有するように形成したともいえる。   The shape of the above lower pad may be such that the side surface portion is formed of a plurality of surfaces, and the side surface portion is formed so that at least one of the perpendiculars drawn from each of the plurality of surfaces indicates different directions. I can say that. Further, the shape of the lower pad may be such that virtual tangent lines and / or extension lines extending from each of the plurality of surfaces intersect with each other in parallel and / or at a predetermined angle. Moreover, it can be said that the shape of the above lower pad was formed so that a side part had the 1st surface and the 2nd surface different from this 1st surface.
このように形成することによって、下部パッドは、ダイパッド及びワイヤパッドとパッケージ部との間で生じる外方への引張力に抗する力による効果(パッドがアンカー的に作用することによる効果)を光半導体装置の厚み方向(装置を引き離す方向)だけではなく、平面方向(装置を基板に沿って移動する方向)に対しても付加できる。また、本発明は、ダイパッド及びワイヤパッドを封止する樹脂との接触面積が増えるため、剥離問題の解消が期待される。以上のように、この下部パッドの変形例によれば、装置実装時の作業性の向上を図ることができる。さらに、本発明によれば、いわゆるアンカー的な効果を得るパッドをメッキ領域、メッキ膜厚を調整することにより容易に所望の形状とすることができる。   By forming in this way, the lower pad can lighten the effect of the force against the outward tensile force generated between the die pad and wire pad and the package part (the effect of the pad acting as an anchor). It can be added not only in the thickness direction of the semiconductor device (direction in which the device is separated) but also in the plane direction (direction in which the device is moved along the substrate). Further, the present invention is expected to eliminate the peeling problem because the contact area with the resin that seals the die pad and the wire pad increases. As described above, according to the modification of the lower pad, it is possible to improve workability when mounting the device. Furthermore, according to the present invention, a pad having a so-called anchor effect can be easily formed into a desired shape by adjusting the plating region and the plating film thickness.
<外部電極の露出位置の変形例>
以上説明した方法により製造されたLED装置の外部電極は、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
<Modified example of exposed position of external electrode>
The external electrode of the LED device manufactured by the method described above is not limited to the above-described configuration, and can be configured as follows, for example.
図5は、ダイパッド及びワイヤパッドによる外部電極が、上述の実施例とは異なり装置底面及び側面の二面から露出した変形例を示す図である。この変形例では、LED装置を個々に分けるダイシング工程の際に、図5(a)中の破線位置(下部パッド3b(4b)が形成され、導電性接着剤6およびLED素子1(ワイヤボンド部)のない位置)で当該装置をカットする。このようにすることにより、このLED装置は、ダイパッド3およびワイヤパッド4の少なくとも一つの側面がLED装置の側面と同一平面を有して外部に露出している。
以上のようにすれば、LED装置は、図5(b)(c)のようにハンダ付け作業を容易に行うことができ、ハンダ付けの確認も容易にできる。
FIG. 5 is a view showing a modified example in which the external electrodes by the die pad and the wire pad are exposed from the two surfaces of the apparatus bottom surface and side surface unlike the above-described embodiment. In this modification, during the dicing process for individually dividing the LED device, the position of the broken line in FIG. 5A (lower pad 3b (4b) is formed, and conductive adhesive 6 and LED element 1 (wire bond portion) are formed. Cut the device at the position without). By doing so, in this LED device, at least one side surface of the die pad 3 and the wire pad 4 has the same plane as the side surface of the LED device and is exposed to the outside.
As described above, the LED device can easily perform the soldering work as shown in FIGS. 5B and 5C, and can easily confirm the soldering.
また、上記LED装置は、搭載されたLED素子と接続して素子載置部と外部電極を兼ねる第一のパッドと、LED素子の上部からワイヤボンディングで接続して外部電極として機能する第二のパッドとを有していた。しかしながら、本発明の光半導体装置はこれに限定されない。例えば、本発明において、第一のパッドには電極の機能を有することなく、外部電極に用いるパッドとして別の2つパッド(上記第二のパッドに相当するもの)を形成してLED素子とワイヤボンディングさせるようにしてもよい。   In addition, the LED device is connected to the mounted LED element, a first pad serving as an element mounting portion and an external electrode, and a second pad functioning as an external electrode by connecting by wire bonding from the upper part of the LED element. And had a pad. However, the optical semiconductor device of the present invention is not limited to this. For example, in the present invention, the first pad does not have an electrode function, and another two pads (corresponding to the second pad) are formed as pads used for the external electrode to form the LED element and the wire. Bonding may be performed.
<素子載置部の変形例>
以上の説明した方法により製造されたLED装置のダイパッドの素子載置部(上部パッド)は、上述の構成に限定されることなく、例えば以下のように構成することができる。
<Modification of element mounting portion>
The element mounting portion (upper pad) of the die pad of the LED device manufactured by the method described above is not limited to the above-described configuration, and can be configured as follows, for example.
図8は、LED装置のダイパッドの素子載置部に係る変形例を示す図である。この変形例において、ダイパッドの素子載置部は、上述の実施例とは異なり電極部より大きい面積のメッキ層(第一の層)と素子底面と同等以下の面積のメッキ層(第二の層)の2層から構成されている。このとき、例えば、素子載置部の素子側のメッキ層(第二の層)の面積を素子の底面積と同等とする。このようにすれば、本実施例のLED装置は、この第二の層を基準に素子を載置すればよい。また、このように素子載置部に第二の層を設けることで、素子と素子載置部との間に接着材料による表面張力が生じる。そうすれば、LED素子のダイボンド時にLED素子が素子載置部上を滑ることがなくなる。このため、本実施例のLED装置は、より正確な位置精度での素子の載置が可能となる。 FIG. 8 is a view showing a modification of the element mounting portion of the die pad of the LED device. In this modification, the element mounting portion of the die pad is different from the above-described embodiment in that the plating layer (first layer) having a larger area than the electrode portion and the plating layer (second layer) having an area less than or equal to the element bottom surface is used. ) 2 layers. At this time, for example, the area of the plating layer (second layer) on the element side of the element mounting portion is made equal to the bottom area of the element. In this way, the LED device of the present embodiment may be mounted with elements on the basis of the second layer. In addition, by providing the second layer on the element mounting portion in this way, surface tension due to the adhesive material is generated between the element and the element mounting portion. If it does so, an LED element will not slip on an element mounting part at the time of die bonding of an LED element. For this reason, the LED device of the present embodiment can mount elements with more accurate positional accuracy.
また、素子載置部の第二の層の面積を素子の底面積より小さく形成した場合には、はんだ、共晶材料、導電性接着剤等を用いてLED素子を接合する際に、LED素子側面へのこれら接合部材の這い上がりを防止することができる。そうすれば、この変形例の素子載置部は、接着材料がPN接合部に這い上がることによるショートを防止することができる。   In addition, when the area of the second layer of the element mounting portion is formed to be smaller than the bottom area of the element, when the LED element is bonded using solder, a eutectic material, a conductive adhesive, etc. Climbing of these joining members to the side surfaces can be prevented. Then, the element mounting portion of this modification can prevent a short circuit due to the adhesive material creeping up to the PN junction portion.
以上のように、LED素子と素子載置部との接合は、接合部材や接合方法が適宜選択されるため、これらに対応した素子載置部の構成が望まれる。このような様々な素子載置部の構成についても、本発明の方法によれば、メッキパターンの形成により作製可能である。   As described above, since the bonding member and the bonding method are appropriately selected for the bonding between the LED element and the element mounting portion, a configuration of the element mounting portion corresponding to these is desired. According to the method of the present invention, it is possible to produce various configurations of such element mounting portions by forming a plating pattern.
<製造方法の変形例>
本実施の形態に係るLED装置の製造方法によって、実施例2のLED装置200を製造する場合には、ダイパッド13及びワイヤパッド14に対してボンディングを行う際の製造不良を防止するために、一部の工程を以下のようにして行ってもよい。
<Modification of manufacturing method>
When the LED device 200 of Example 2 is manufactured by the LED device manufacturing method according to the present embodiment, in order to prevent manufacturing defects when bonding the die pad 13 and the wire pad 14, it is necessary to You may perform the process of a part as follows.
一般に、本実施の形態のLED装置のようなメッキで形成したパッドは、特に上部パッドのみの部分の厚みが薄いため、ボンディングを行うと上部パッドに曲がりなどの製造不良が生じる可能性がある。そこで、上述の製造方法では、下部パッドのある位置で上部パッドのボンディングを行った一例を説明した。   In general, a pad formed by plating as in the LED device of this embodiment has a particularly thin upper pad portion. Therefore, when bonding is performed, a manufacturing failure such as bending of the upper pad may occur. Thus, in the above-described manufacturing method, an example in which the upper pad is bonded at a position where the lower pad is present has been described.
これに対して、LED装置全体の構成の自由度を高めて小型化を図るためには、下部パッドのない位置で上部パッドにボンディングを行うことも考えられる。その場合、上部パッドの曲がりを防ぐためには、第三の工程でレジスト22を除去する際にダイパッド3とワイヤパッド4との間のレジスト22のみ残し、それぞれのパッドにボンディングを行った後にこの残したレジスト22aを除去すればよい。このようにすれば、レジスト22aによってボンディング時に生じる上部パッドの曲がりを抑えることができる。   On the other hand, in order to increase the degree of freedom of the configuration of the entire LED device and to reduce the size, it is conceivable to perform bonding to the upper pad at a position where there is no lower pad. In that case, in order to prevent bending of the upper pad, when removing the resist 22 in the third step, only the resist 22 between the die pad 3 and the wire pad 4 is left, and this is left after bonding to each pad. The resist 22a may be removed. In this way, it is possible to suppress the bending of the upper pad that occurs during bonding by the resist 22a.
本発明の実施例1に係るLED装置の構成を示す三面図である。FIG. 3 is a trihedral view showing the configuration of the LED device according to Example 1 of the present invention. 実施例2に係るLED装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of an LED device according to Example 2. 実施例に係るLED装置製造方法の一例の工程を示す図である。It is a figure which shows the process of an example of the LED device manufacturing method which concerns on an Example. 本実施の形態に係るLED装置におけるダイパッド及びワイヤパッドの下部パッド形状の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the lower pad shape of the die pad and wire pad in the LED device which concerns on this Embodiment. ダイパッド及びワイヤパッドによる外部電極が、装置底面及び側面の二面から露出した変形例を示す図であるIt is a figure which shows the modification which the external electrode by a die pad and a wire pad exposed from two surfaces of the apparatus bottom face and side face. 実施例2における電極間の間隔を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a distance between electrodes in Example 2. 従来の技術における電極間の間隔を示す図である。It is a figure which shows the space | interval between electrodes in a prior art. LED装置のダイパッドの素子載置部に係る変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification which concerns on the element mounting part of the die pad of an LED apparatus. パッケージに封止されたダイパッドがパッケージとの間で生じる外方への引張力に抗する力を図示した一例である。It is an example which illustrated the force which resists the outward tensile force which the die pad sealed by the package produced between the packages.
符号の説明Explanation of symbols
1 LED素子
2 ワイヤ
3 ダイパッド
4 ワイヤパッド
5 パッケージ
5 封止樹脂
6 導電性接着剤
7 底面
21 製造基板
11 素子
21a 領域
22 レジスト
13 ダイパッド
14 ワイヤパッド
100 LED装置
200 LED装置
1 LED element
2 wires
3 Die pad
4 wire pads
5 packages
5 Sealing resin
6 Conductive adhesive
7 Bottom
21 Manufacturing substrate
11 elements
21a area
22 resist
13 Die pad
14 Wire pad
100 LED device
200 LED device

Claims (7)

  1. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、前記第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、
    前記光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられる第二のパッドと、
    少なくとも前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、を備え、
    前記第一の電極及び第二の電極の平面部が、
    前記封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する、光半導体装置。
    An optical semiconductor element;
    A mounting portion for mounting the optical semiconductor element and a first electrode portion electrically connected to the outside are provided, and the first pad has a smaller area than the planar portion of the mounting portion. When,
    A second pad provided with a second connection part connected to the optical semiconductor element and a second electrode part electrically connected to the outside;
    A sealing portion that covers at least the optical semiconductor element, the first pad, and the second pad,
    The planar portions of the first electrode and the second electrode are
    An optical semiconductor device exposed so as to be substantially flush with the surface of the sealing portion.
  2. 前記第一の電極及び第二の電極が、
    前記封止部表面の同一平面上において互いに離間する位置に載置される、請求項1に記載の光半導体装置。
    The first electrode and the second electrode are
    The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the optical semiconductor device is placed at a position spaced apart from each other on the same plane of the surface of the sealing portion.
  3. 前記第一の電極及び第二の電極が、
    それぞれ前記封止部における二つの表面から露出している、請求項1に記載の光半導体装置。
    The first electrode and the second electrode are
    The optical semiconductor device according to claim 1, wherein each of the optical semiconductor devices is exposed from two surfaces of the sealing portion.
  4. 前記第一の電極及び第二の電極が、
    当該電極における前記封止部から露出する面から見て、前記封止部の端部方向へ行くに従って幅が小さくなっている部分を少なくとも一箇所以上有する形状をなす、請求項1から請求項3に記載の光半導体装置。
    The first electrode and the second electrode are
    The shape which makes the shape which has at least 1 or more parts which become small as the width | variety becomes small as it goes to the edge part direction of the said sealing part seeing from the surface exposed from the said sealing part in the said electrode. An optical semiconductor device according to 1.
  5. 前記第一の電極及び第二の電極が、
    当該電極における前記封止部から露出する面から見て、幅方向に凹凸を有するように形成される、請求項1から請求項4に記載の光半導体装置。
    The first electrode and the second electrode are
    The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the optical semiconductor device is formed to have irregularities in a width direction when viewed from a surface exposed from the sealing portion of the electrode.
  6. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子を搭載する搭載部及び外部と電気的に接続する第一の電極部が設けられ、前記第一の電極部の平面部の面積が前記搭載部の平面部より小さい第一のパッドと、
    前記光半導体素子と接続をする第二の接続部及び外部と電気的に接続する第二の電極部が設けられ、前記第二の電極部の平面部の面積が前記第二の接続部の平面部より小さい第二のパッドと、
    少なくとも前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを覆う封止部と、を備え、
    前記第一の電極及び第二の電極の平面部が、
    前記封止部の表面とほぼ同一平面上にあるように露出する、光半導体装置。
    An optical semiconductor element;
    A mounting portion for mounting the optical semiconductor element and a first electrode portion electrically connected to the outside are provided, and the first pad has a smaller area than the planar portion of the mounting portion. When,
    A second connecting portion that connects to the optical semiconductor element and a second electrode portion that is electrically connected to the outside are provided, and the area of the plane portion of the second electrode portion is the plane of the second connecting portion. A second pad smaller than the part,
    A sealing portion that covers at least the optical semiconductor element, the first pad, and the second pad,
    The planar portions of the first electrode and the second electrode are
    An optical semiconductor device exposed so as to be substantially flush with the surface of the sealing portion.
  7. 基板上に所定膜厚のレジストをパターニングする工程と、
    前記パターニング領域とは異なる基板上の他の領域及び当該他の領域付近の領域に前記レジストの所定膜厚を上回る膜厚のメッキを形成して、第一のパッド及び第二のパッドを形成する工程と、
    前記第一のパッド及び第二のパッドを形成した基板から前記レジストを除去する工程と、
    前記第一のパッド及び第二のパッドに、光半導体素子を電気的に接続する工程と、
    前記光半導体素子、第一のパッド、及び第二のパッドを封止する工程と、を行う、光半導体装置製造方法。
    Patterning a resist with a predetermined thickness on the substrate;
    The first pad and the second pad are formed by forming plating having a film thickness exceeding the predetermined film thickness of the resist in another region on the substrate different from the patterning region and in a region near the other region. Process,
    Removing the resist from the substrate on which the first pad and the second pad are formed;
    Electrically connecting an optical semiconductor element to the first pad and the second pad;
    And a step of sealing the optical semiconductor element, the first pad, and the second pad.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005041064A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mounted optoelectronic component has semiconductor chip with a molded body shaped on the chip
JP5217753B2 (en) * 2008-08-05 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device
JP5440010B2 (en) 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6007891B2 (en) * 2008-09-09 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5482293B2 (en) * 2009-03-05 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5338543B2 (en) * 2009-07-27 2013-11-13 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4764519B1 (en) * 2010-01-29 2011-09-07 株式会社東芝 LED package
JP2011176364A (en) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Led package
JP5716281B2 (en) * 2010-03-01 2015-05-13 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
US9224915B2 (en) * 2010-09-17 2015-12-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device
JP5626328B2 (en) * 2012-12-25 2014-11-19 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device
DE102013100711A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic components and optoelectronic component
JP6201617B2 (en) 2013-10-17 2017-09-27 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP5796649B2 (en) * 2014-03-06 2015-10-21 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5904232B2 (en) * 2014-04-28 2016-04-13 大日本印刷株式会社 LED element mounting member, LED element mounting substrate and manufacturing method thereof, and LED element package and manufacturing method thereof
JP2015133524A (en) * 2015-04-23 2015-07-23 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and manufacturing method of the same
JP6183726B2 (en) * 2015-12-01 2017-08-23 大日本印刷株式会社 LED element mounting member, LED element mounting substrate and manufacturing method thereof, and LED element package and manufacturing method thereof
JP6161745B2 (en) * 2016-02-15 2017-07-12 ローム株式会社 Semiconductor light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02132489A (en) * 1988-11-14 1990-05-21 Rohm Co Ltd Resin sealing structure of light emitting element to printed board
JPH0661529A (en) * 1992-08-07 1994-03-04 Sharp Corp Light emitting device and its manufacture
JP2001308388A (en) * 2000-04-27 2001-11-02 Rohm Co Ltd Chip light-emitting element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02132489A (en) * 1988-11-14 1990-05-21 Rohm Co Ltd Resin sealing structure of light emitting element to printed board
JPH0661529A (en) * 1992-08-07 1994-03-04 Sharp Corp Light emitting device and its manufacture
JP2001308388A (en) * 2000-04-27 2001-11-02 Rohm Co Ltd Chip light-emitting element

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