JP7026943B2 - 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法 - Google Patents

研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7026943B2
JP7026943B2 JP2018089603A JP2018089603A JP7026943B2 JP 7026943 B2 JP7026943 B2 JP 7026943B2 JP 2018089603 A JP2018089603 A JP 2018089603A JP 2018089603 A JP2018089603 A JP 2018089603A JP 7026943 B2 JP7026943 B2 JP 7026943B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing pad
surface plate
adsorption layer
shield member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018089603A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019195855A (ja
Inventor
利康 矢島
大輔 二宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maruishi Sangyo Co Ltd
Original Assignee
Maruishi Sangyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maruishi Sangyo Co Ltd filed Critical Maruishi Sangyo Co Ltd
Priority to JP2018089603A priority Critical patent/JP7026943B2/ja
Priority to TW108113809A priority patent/TW201946725A/zh
Priority to PCT/JP2019/018209 priority patent/WO2019216301A1/ja
Priority to CN201980017337.4A priority patent/CN111819033B/zh
Priority to KR1020207027235A priority patent/KR102639470B1/ko
Publication of JP2019195855A publication Critical patent/JP2019195855A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7026943B2 publication Critical patent/JP7026943B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/22Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、半導体部品、電子部品等で使用される被研磨部材の研磨工程で使用される研磨パッドに関する。特に、半導体ウエハ等の被研磨部材の研磨加工において、研磨パッドの交換作業を効率的に行うことができると共に、研磨作業中の研磨パッドのズレや剥離を防止できる研磨パッドに関する。
半導体ウエハ、ディスプレイ用ガラス基板、ハードディスク用基板といった半導体部品、電子部品の製造プロセスにおいては、基板等の表面の平坦化や鏡面化のための研磨工程が含まれる。研磨工程は、研磨パッドを研磨装置の定盤に固定し、研磨パッドの研磨層表面に研磨スラリーを供給しながら、加圧状態で被研磨部材と研磨パッドと摺動させることによって行われる。
研磨パッドの定盤への固定方法としては、かつては粘着テープ等の粘着材による方法が主流であったが、この固定方法には研磨パッドの交換・固定作業に手間がかかり、研磨工程の作業効率を大きく低下させていた。この研磨パッドの固定の問題に対して、固定・交換作業を容易に行うことのできる研磨パッドを開発している(特許文献1、2)。
実用新案登録第3166396号明細書 特許第5765858号明細書
かかる吸着層を備える研磨パッドの外観を図6に示す。この研磨パッドは、研磨層を支持する基材の裏面側に、吸着作用を有する所定のシリコーン化合物からなる吸着層を設けたものである。この吸着層を構成するシリコーン化合物は、ガラスや金属等の材質を問わずに吸着作用を有し、その保持力も良好である。この吸着による保持力については、剪断力(水平方向の固定強度)が高い一方で、剥離力(垂直方向の固定強度)は低いという特性がみられる。この特性は、研磨パッドを定盤へ固定する上で好適である。研磨作業においては、研磨パッドは水平方向の応力を継続的に受けるので、剪断力において高い保持力が必要だからである。垂直方向の保持力に関しては、研磨パッドは定盤に押圧されているので大きな保持力は必ずしも要求されない。そして、このシリコーン化合物からなる吸着層の吸着効果は研磨パッドの面内で均一であり、中心部から端部にわたって均等な保持力を発揮することができる。よって、安定的な研磨作業が期待できる。
また、この研磨パッドは、定盤への固定をスムーズに行うことができ、交換作業を効率的に行うことができるという利点もある。上記のように、研磨パッドの吸着層は、剪断力に比して剥離力が低いことから、研磨パッドを定盤に垂直方向に軽く押圧するだけで固定でき、脱着も容易だからである。従って、本願出願人による研磨パッドは、研磨作業の効率化の観点からも有用である。
上述のように、本願出願人による所定の吸着層を備える研磨パッドは、交換作業に伴う利便性が良好であると共に、定盤への固定能力にも優れている。しかし、本発明者等の検討によると、かかる有用な研磨パッドを使用した場合であっても、稀にではあるが、研磨作業の進行によって、研磨パッドのズレや部分的な剥離が生じることがあることが確認されている。この研磨パッドのズレや剥離は、必ずしも研磨時間の長短や研磨パッドの交換頻度による吸着層の劣化によるものではない。また、常に生じる不具合でもなく、殆どの研磨環境や条件においては問題なく研磨作業を行うことができる。但し、この研磨パッドをこれまで以上に普及させるためには、僅かな可能性であっても剥離等の不具合を解消させることが好ましい。
本発明は、以上のような背景のもとになされたものであり、所定のシリコーン組成物からなる吸着層を有する研磨パッドについて、定盤からの剥離等が抑制されたものを提供する。そして、かかる研磨パッドを利用する研磨方法についても開示する。
本発明者等は上記目的のため、所定の吸着層を備える研磨パッドに関して、研磨作業中の定盤からの剥離等が生じる要因を検討することとした。その結果、研磨パッドの吸着層と定盤との界面に研磨スラリーが侵入することがあり、これが剥離等を引き起こしている可能性があると考察した。研磨スラリーは、溶媒に、コロイダルシリカ、アルミナ、セリア、ダイヤモンド等からなる研磨砥粒を分散させたものを基本構成とする懸濁液である。本発明者等は、検討の結果、研磨スラリーの構成・成分によっては、研磨パッドと定盤との界面への侵入性が増大することがあるとの考察をしている。特に、成分調整によって粘性が低い研磨スラリーにおいて、界面への侵入性が高くなると考えた。
粘性が低い研磨スラリーは、研磨パッドと定盤との間の微細な隙間による毛細管現象の影響も相俟って、界面に比較的容易に侵入する。そして、界面にスラリーが蓄積した状態は、シリコーン組成物からなる吸着層にとって好ましくない状態であり、吸着力が低下することとなる。この吸着力低下によって、研磨パッドの定盤からの剥離やズレが生じることとなる。
但し、研磨パッドの吸着層の能力低下の要因が研磨スラリーにあるとしても、その成分・構成を安易に変更することは難しい。研磨スラリーを構成する研磨砥粒や溶媒等の成分・構成は、被研磨部材の材質や要求される研磨精度等に基づいて最適化されるのが一般的である。研磨スラリーが特定の研磨パッドに影響を及ぼすことが懸念されるからといって、研磨精度等に影響を与えるような変更を加えることは容易に許容できない。
そこで、本発明者等は、研磨パッドの構成を改良することで、定盤からの剥離等の問題を解決することにした。具体的には、研磨パッドの吸着層と定盤と界面に研磨スラリーが侵入するのを抑制するため、研磨パッド裏面となる吸着層の表面上にシールド部材を配置することとした。
即ち、本発明は、基材と、前記基材の一方の面に形成された吸着層と、前記基材の他方の面に形成された研磨層とで構成され、研磨作業の際、定盤に前記吸着層を吸着・固定し、研磨スラリーを前記研磨層上に供給して使用される研磨パッドにおいて、前記吸着層は、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、両末端及び側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、末端にのみビニル基を有する分岐状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、及び末端及び側鎖にビニル基を有する分岐状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンから選ばれる少なくとも1種のシリコーンを架橋させてなる組成物からなり、前記吸着層と前記定盤との界面への前記研磨スラリーの侵入を抑制するため、吸着層上に研磨パッドの外周に沿ったリング状のシールド部材を備えることを特徴とする研磨パッドである。
以下、本発明に係る研磨パッドについて詳細に説明する。上記のとおり、本発明は従来技術(特許文献1、2)と同様、基材と、基材の表面及び裏面に形成される、研磨層及び吸着層との組み合わせを基本的な構成とする。そして、吸着層の表面に研磨パッドの外周に沿ったリング状のシールド部材を備える点に特徴を有する。
図1は、本発明に係るリング状のシールド部材を備える研磨パッドを定盤に固定した状態の具体例を示す図である。図1から分かるように、本発明に係る研磨パッドは、その直径が定盤の外径に対して大きくなるように設定されている。そして、この研磨パッドは、裏面となる吸着層の外縁に、一定の幅と厚みを有するリング状のシールド部材が接合されている。尚、この例では、リング状のシールド部材の内径が定盤の外径と略等しくなっている。
そして、研磨作業においては、研磨層上に研磨スラリーを供給しつつ、研磨パッドを回転する。研磨層表面に供給された研磨スラリーは、図2に示すように、遠心力により外周側へ高速で濡れ広がり研磨パッドの側面に達する。このとき、本発明の研磨パッドでは、吸着層に接合されたシールド部材が研磨スラリーをせき止め、スラリーが研磨パッド裏面側へ巻き込まれるのを防いでいる。そして、研磨作業中は研磨パッドが高速回転していることから、せき止められた研磨スラリーはリング状シールド部材から外側へ飛散する。これにより、研磨スラリーは吸着層と定盤との界面に侵入することはできず、吸着層の密着状態が維持されることとなる。
このように、本発明は、研磨パッドを定盤よりやや大径としつつ、幅広となった部分の吸着層の上にリング状シールド部材を設定していることを特徴とする。以下、本発明に係る研磨パッド、及びこれによる研磨方法についてより詳細に説明する。まず、研磨パッドの各構成について説明する。
(A)本発明に係る研磨パッドの構成
本発明に係る研磨パッドは、基材、研磨層、吸着層、及びリング状のシールド部材で構成される。
(A-1)基材
基材は、研磨層及び吸着層を支持するための部材であり、研磨パッドの取扱い性を確保するための部材である。基材は、薄い有機物からなる円形のシート状の部材である。基材は、破断強度が210~290MPa、破断伸度が80~130%である樹脂材料からなるものが好ましい。より好ましくは、破断強度が210~240MPaであり、破断伸度が110~130%である。尚、この引張強度は、乾燥時に測定される値とする。
基材の構成材料は、具体的には、ポリエステル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル等の樹脂である。好ましくは、ポリエステル系樹脂材料であり、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)であり、特に好ましいのはPETである。基材は、単層でも良いが複数の樹脂で多層構造としても良い。
基材の形状と寸法、即ち、研磨パッドの形状と寸法は、円形又は方形ものが適用される。上記のとおり、本発明の研磨パッドは、定盤の直径よりも大径となるように寸法が調整される。後述のとおり、具体的には、定盤の直径に対して10mm~50mm大径にすることが好ましい。定盤の寸法は、被研磨材の寸法や同時研磨する個数によって任意の外径のものが選択される。そして、研磨パッドの直径(最大径)としては、100mm~2000mmの範囲で設定されることが多い。
(A-2)研磨層
研磨層は、その名称が示すとおり、被研磨部材を研磨するための層である。研磨層は、供給された研磨スラリーを適切に保持し、被研磨部材表面を研磨する。本発明の研磨層は、従来からある一般的な研磨パッドに適用される研磨布が適用できる。例えば、ナイロン、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート等で形成された不織布、発泡成形体等が適用できる。また、その表面(研磨面)の形状は、平坦であるものに限られず、研磨剤を保持するための溝等を適宜形成しても良い。研磨層となる研磨布の厚さは、0.5~3mmのものが好ましい。
研磨層は基材に強固に接合していることが好ましい。研磨層と基材との接合方法は、公知の方法が採用でき、例えば接着剤や粘着剤等により接合するのがこのましい。
(A-3)吸着層
吸着層は、その構成材料に由来する吸着作用により、研磨パッドを定盤に固定するための部材である。これまで述べたように、吸着層はシリコーン組成物で構成されており、基本的に、上記した本発明者等による従来の研磨パッド(特許文献1、2)で適用されるものと同様である。即ち、吸着層を構成するシリコーン組成物は、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、両末端及び側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、末端にのみビニル基を有する分岐状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、及び末端及び側鎖にビニル基を有する分岐状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンから選ばれる少なくとも1種のシリコーンを架橋させてなる組成物である。
上記のシリコーンの具体例としては、直鎖状ポリオルガノシロキサンの例として化1の化合物が挙げられる。また、分枝状ポリオルガノシロキサンの例として化2の化合物が挙げられる
Figure 0007026943000001
(式中Rは下記有機基、nは整数を表す)
Figure 0007026943000002
(式中Rは下記有機基、m、nは整数を表す)
化1、化2において置換基(R)の具体例としてはメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、等のアリール基、又はこれらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、シアノ基等で置換した同種又は異種の非置換又は置換の脂肪族不飽和基を除く1価炭化水素基が挙げられる。好ましくはその少なくとも50モル%がメチル基であるものである。置換基は異種でも同種でもよい。また、このポリシロキサンは単独でも2種以上の混合物であってもよい。
吸着層を構成するシリコーンは、数平均分子量が30000~100000のものが好適な吸着作用を有する。但し、表面粗さの調整にあっては、適用するシリコーンの数平均分子量と製造段階における焼成温度が影響を及ぼす。好適な表面粗さを容易に発揮させるためシリコーンの数平均分子量は、30000~60000のものが好ましい。
吸着層の厚さは20~50μmとするのが好ましい。また、基材の厚さは、50~200μmとするのが好ましい。基材と吸着層は密着接合されていることが好ましい。
吸着層は、基材に上述したシリコーン成分を含有する塗工液を塗布して焼成することで、形成することができる。焼成により、ポリオルガノシロキサンの架橋反応が進行し、基材に密着した状態で吸着層が形成される。使用する塗工液は、上記した直鎖状、分枝状ポリオルガノシロキサン化合物と架橋剤を含む。架橋剤は公知のもので良いが、例えば、オルガノハイドロジェンポリシロキサンが挙げられる。オルガノハイドロジェンポリシロキサンは1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも3個有するものであるが、実用上からは分子中に2個の≡SiH結合を有するものをその全量の50重量%までとし、残余を分子中に少なくとも3個のSiH結合を含むものとすることが好ましい。塗工液は、架橋反応で用いる白金系触媒を含んでいても良い。塗工液は、無溶剤型、溶剤型、エマルション型のいずれの形態でも良い。塗工液塗布後の焼成は、120~180℃で60~150秒加熱するのが好ましい。
(A-4)リング状のシールド部材
これまで述べたとおり、本発明に係る研磨パッドは、吸着層の面上に、研磨パッドの外周に沿ったリング状のシールド部材を備えることを特徴とする。このシールド部材は、研磨作業中に供給される研磨スラリーを研磨パッドの外周部分でせき止め、研磨スラリーが吸着層と定盤との界面に侵入しないようするための部材である。
シールド部材は、一定の幅と厚みがあるリング形状を有する。その垂直方向の断面形状は、矩形を基本とするが(図3(a))、下端部の片側又は両側が面取りされた形状としても良い(図3(b)~(d))。角を面取りして傾斜を形成することで、研磨スラリーのシールド部材からの切れが良くなる。シールド部材の下端部の面取りは、直線状の傾斜(テーパー)でも良く(図3(b)、(d))、曲線状の傾斜(アール)でも良い(図3(c))。また、断面形状において、外側又は内側(定盤側)の一方の端部が面取りされていても良いが、両端部が面取りされていても良い。
リング状のシールド部材の幅は5mm以上とすることが好ましい。研磨スラリーをせき止めて定盤に到達させないようにするためには、ある程度の幅が必要だからである。また、リング状シールド部材の内径は、定盤の外径以上にする必要がある。研磨パッドは、吸着層と定盤とを密着させて使用するものであるから、よって、リング状シールド部材の幅は、研磨パッドの半径と定盤の半径との差以下とする必要がある。後述するように、研磨パッドの直径と定盤の半直径との差は50mm以下とするのが好ましいので、リング状シールド部材の幅は25mm以下とするのが好ましい。尚、リング状シールド部材の内面は、定盤側面と密着するようになっていても良い。また、密着することなく、リング状シールド部材の内面と定盤の側面との間に隙間が生じていても良い。
そして、リング状シールド部材の厚さ(高さ)については、10mm~50mmとするのが好ましい。研磨スラリーをせき止めて定盤に達しないようにするためには、適度な高さが必要だからである。
次に、リング状のシールド部材の構成材料について説明する。本発明のリング状シールド部材は、研磨面の表面で広がった研磨スラリーが研磨パッド裏面側の定盤まで到達しないようにせき止める部材である。この機能を考慮すると、シールド部材の材質として、吸液性を有するものを適用することができる。吸水性を有するリング状シールド部材が研磨スラリーを吸収することで、研磨スラリーの定盤への到達を有効に阻止できる場合がある。
もっとも、このシールド部材の吸水性が高過ぎると、過度に湿潤状態となったシールド部材から滲みだしたスラリーが定盤の隙間に吸い込まれるおそれがある。また、研磨スラリーを多量に吸水したことで、リング状シールド部材の重量が増大し、研磨パッドの回転状態に影響を及ぼす可能性がある。従って、リング状シールド部材に吸水性を具備させる場合には、適度な吸水性とすることが要求される。具体的には、シール部材は、温度20℃に水に1時間浸漬したときの質量増加率(1時間吸水率)が60%重量以下であることが好ましい。
但し、リング状のシールド部材にとって、吸水性は必須の機能ではない。シールド部材の形状や寸法を上記のように適切にすることで、効果的に研磨スラリーを飛散させることができ、目的は達成されるからである。研磨スラリーを吸収することによる質量増を考慮すると、シールド部材に吸水性を具備させない方が良い場合もある。従って、吸水性がない材料或いは吸水性が低い材料でリング状のシールド部材を構成することもできる。この場合、シールド部材の1時間吸水率を0%~1%以下とすることができる。
リング状のシールド部材の構成材料としては、セルロース、ゴム(ブタジエンゴム、クロロプレンゴム等)、ビニル系樹脂(ポリビニルアルコール(PVA)、エチレン-酢酸ビニル(EVA)、塩化ビニル(PVC)等)、スチレン系樹脂(ポリスチレン(PS)等)、ポリカーボネート(PC)、フッ素樹脂(テフロン(登録商標):PTFE等)、ポリウレタン(PU)が適用できる。これらの材料からなり、繊維・不織布・発泡体・多孔質体・バルク体(緻密体)の形態の構造を有するシールド部材が適用できる。
リング状シールド部材は、吸着層に強固に接合されていることが好ましい。研磨スラリーがリング状シールド部材と吸着層との界面に侵入すると、シールド部材の剥離が生じるおそれがあるからである。従って、研磨層と基材との接合や基材と吸着層との接合の場合と同様に、接着剤や粘着材等でシールド部材を吸着層に接合することが好ましい。
また、シールド部材の表面に吸着層と同じシリコーン組成物からなる吸着層を形成し、研磨パッドの吸着層と接合しても良い。本発明で使用されるシリコーン組成物は、同種の材料間では強力な接合力を発揮する。このとき、水平方向のみならず垂直方向でも強固に接合される。このような吸着層同士の接合であれば研磨スラリーの侵入はなく、シールド部材の剥離を防止できる。
B.本発明に係る研磨パッドを用いた研磨方法
次に、本発明に係る研磨パッドを適用する研磨方法について説明する。本発明に係る研磨方法は、従来の吸着層を有する研磨パッドによるものと基本的な工程は共通する。即ち、研磨パッドを定盤に吸着固定し、研磨スラリーを供給しつつ研磨パッドを回転させると共に、研磨パッドに被研磨部材を押圧して研磨作業を行う。研磨パッドの固定は、定盤に研磨パッドを載置し、研磨パッドを研磨層側から定盤方向に押圧することで完了する。このとき、厳密に全面を均等な力で押圧する必要もなく、研磨層の表面を撫でるようにして押すことで吸着層の吸着作用は発揮できる
本発明の研磨方法においては、使用する研磨パッドのサイズの選定において特色がある。本発明では、定盤の直径(外径)より大径の研磨パッドが使用される。本発明に係る研磨パッドは、吸着層に研磨パッド外周に沿ったリング状のシールド部材を接合しているので、その幅に相当する長さ以上に定盤よりも大径とする必要がある。研磨パッドの直径はと定盤の直径との差は、10mm以上50mm以下とするのが好ましい。上述したシールド部材の幅の好適値(5mm)を考慮するものである。また、研磨パッドが定盤よりも大きすぎると、回転動作が不安定となり、研磨パッド表面にゆがみやうねりが発生するおそれがあるからである。
尚、上記のとおり、研磨パッドを定盤に固定したとき、研磨パッドのリング状のシールド部材の側面と前記定盤の側面とが接触・密着していても良いし、離隔していても良い。
上記した研磨パッドの選定に留意しつつ、定盤に吸着固定した後は、通常の研磨作業を行うことができる。本発明において、対象となる被研磨部材の材質や形状・寸法に制限は全くない。
研磨作業中は、研磨スラリーを被研磨部材と研磨パッドとの間に供給する。この研磨作業時に供給される研磨スラリーの構成(研磨砥粒の材質・粒径、溶媒の種類、スラリー濃度等)や添加剤(界面活性剤、増粘剤等)の有無・種類には制限は無い。但し、本発明は、粘性の低い研磨スラリーを適用する研磨作業に対して特に有用である。粘性の低い研磨スラリーは吸着層と定盤との接合界面に侵入し易いからである。本発明が効果的な研磨スラリーは、20℃における粘度が10mPa・s以下の研磨スラリーである。また、3mPa・s以下の研磨スラリーにも効果的であり、1.5mPa・s以下の研磨スラリーに対しても有用である。0.01mPa・sの低粘度のスラリーであっても、研磨パッドの剥離が生じ難くなっている。
被研磨部材を順次研磨し、研磨パッドに消耗が見られたときは、交換を行う。このとき、従来と同様、研磨パッドと上方にずらして界面にエアを入れれば容易に研磨パッドの固定解除ができる。そして、同様の構成の新しい研磨パッドを定盤に固定して研磨作業を継続する。
本発明に係る研磨パッドは、所定のシリコーン組成物からなる吸着層を有し、この吸着層表面にリング状のシールド部材を備える。本発明によれば、吸着層と定盤との間への研磨スラリーの侵入による研磨パッドのズレや剥離が防止される。これにより長時間の研磨作業においても、研磨パッドの不具合による中断のない効率的な作業が可能となる。また、本発明においては吸着層の本来の機能は担保されており、研磨パッドの交換、固定作業の作業性も良好である。
本発明に係る研磨パッドの定盤への固定状態を説明する図。 本発明により研磨作業を行ったときの、研磨スラリーの挙動を説明する図。 リング状のシールド部材の断面形状の例を示す図。 本実施形態で製造した研磨パッドの外観と断面構成を説明する図。 本実施形態で使用した研磨装置の概略図。 吸着層を備える研磨パッドの構成を説明する図。
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。本実施形態では、従来の吸着層を備える研磨パッドにリング状のシールド部材を接合した研磨パッドを製造し、シリコンウエハの研磨作業を行った。
図4は、本実施形態で製造した研磨パッドの外観を示す図である。本実施形態で製造した研磨パッドは、円形状のシートであり、表面に研磨層を、裏面に吸着層を有する。研磨層及び吸着層は基材によって支持されている。そして、吸着層の上には、研磨パッド(吸着層)の外周に沿ったリング状のシールド部材を備える。
ここで、本実施形態に係る研磨パッドの各構成部材と製造工程について説明する。まず、基材は、樹脂材料であるPETからなる円形シート(厚さ50μm、外径850mm)である。この基材の一方の面(裏面)に、ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン成分を含有する塗工液を塗布して吸着層を形成する。塗工液は、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン(分子量30000)100重量部に架橋剤0.6重量部、白金触媒2重量部を含む無溶剤型のシリコーン液である。この塗工液を基材に塗布した後、150~160℃で100秒間焼成しシリコーンを架橋させて吸着層を形成した。架橋後の吸着層の厚さは30μmであった。
基材の他方の面に形成される研磨層は、スエード調の汎用タイプのエステル系研磨布(型番7355-000FE)であり、ナップ長450μmの円形の研磨布(厚さ1.37mm)である。本実施形態では、上記で吸着層を形成した基材の他方の面に、研磨層をアクリル系接着剤で接着した。
そして、リング状のシールド部材は、材質がセルロース系不織布(吸水率30%)からなる。シールド部材の寸法は、外径850mmで内径800mm(幅25mm)であり、厚さが10mmである。尚、本実施形態における研磨パッドの直径と、リング状シールド部材の内径については、後述の研磨試験で使用する研磨装置の定盤の外径寸法を考慮して設定されている。即ち、定盤の外径800mmに対して、これより50mm大径となる研磨パッドを設定すると共に、リング状シールド部材の内径は定盤の外径と略等しく設定した。そして、本実施形態では、このリング状シールド部材をアクリル系接着剤で吸着層に接着した。これにより、本実施形態に係る研磨パッドとした。
次に、本実施形態に係る研磨パッドを用いて研磨試験を行った。この研磨試験は、図5に示す研磨装置の定盤(外径800mm、SUS製)に本実施形態の研磨パッドを取り付けて、被研磨部材としてシリコンウエハ(φ8インチ)を研磨した。研磨パッドの取り付けの際には、リング状のシールド部材を定盤に嵌め込んで研磨層上方から加圧した。そして、被研磨部材であるシリコンウエハを研磨層上で押圧しつつ回転させ、同時に研磨スラリーを研磨層に滴下(流量150ml/min)して研磨作業を行った。
研磨スラリーは、研磨粒子としてコロイダルシリカを含む市販の研磨剤(商品名Glanzox、株式会社フジミインコーポレーテッド製)を純水と界面活性剤で希釈したものを使用した(研磨剤:純水:界面活性剤=70:25:5)。この研磨スラリーは、粘度0.7mPa・sであった。
その他の研磨条件は、下記の通りとした。
・研磨圧力:0.163kgf/cm2
・研磨パッドの回転速度:45rpm
・被研磨部材の回転速度:47rpm
・ヘッドの揺動速度:250mm/min
・研磨時間:60min、480min
上記の各件間時間での研磨作業後、研磨パッドと定盤との密着状態を目視にて確認し、研磨パッドのズレや剥離の有無を検討した。その結果、60minの短時間での研磨でも480minの長時間での研磨でも研磨パッドのズレや剥離は観察されなかった。また、研磨作業後のウエハを純水で洗浄し乾燥させた後、被研磨面を観察したところ顕著な傷は全く観察されなかった。
比較例:本実施形態の研磨パッドと比較するため、吸着層を備える従来の研磨パッド(図6)を使用して研磨試験を行った。この比較例の研磨パッドは、基本的には本実施形態の研磨パッドと同様の構成であり、基材の各面に研磨層と吸着層を備える。研磨層及び吸着層の構成材料と製造工程は本実施形態の研磨パッドと同じである。但し、吸着層にリング状のシールド部材は接合されていない。また、比較例の研磨パッドは、その外径と定盤の外径とが略等しくなっている。
比較例の研磨パッドを実施形態と同様に定盤に吸着固定し、上記と同様の研磨条件で研磨したところ、60minの短時間での研磨では研磨パッドのズレ・剥離は観察されなかった。しかし、480minの長時間研磨を行ったところ、250minを経過したあたりで研磨パッドのズレが生じ始め剥がれの問題が生じた。よって、本発明における吸着層上のリング状シールド部材の効果が確認された。
以上説明したように、本発明に係る研磨パッドは、長時間の研磨作業においても、定盤からのズレや剥離なく固定状態を維持することができる。本発明によれば、吸着層が有する利便性はそのままに、安定した研磨作業ができる。本発明は、大径化、大面積化が進むウエハやディスプレイパネルに対しても、高精度な研磨面を形成することができる。

Claims (4)

  1. 基材と、前記基材の一方の面に形成された吸着層と、前記基材の他方の面に形成された研磨層とで構成され、
    研磨作業の際、定盤に前記吸着層を吸着・固定し、研磨スラリーを前記研磨層上に供給して使用される研磨パッドにおいて、
    前記吸着層は、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、両末端及び側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、末端にのみビニル基を有する分岐状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーン、及び末端及び側鎖にビニル基を有する分岐状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンから選ばれる少なくとも1種のシリコーンを架橋させてなる組成物からなり、
    前記研磨パッドは、前記定盤に対して大径であり、
    前記研磨パッドには、前記定盤より幅広となった部分の吸着層の上に、前記吸着層と前記定盤との界面への前記研磨スラリーの侵入を抑制するため、研磨パッドの外周に沿った高さを有するリング状のシールド部材を備え、
    前記リング状のシールド部材は、繊維、ゴム、ビニル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート、フッ素樹脂、ポリウレタンのいずれかの材料からなることを特徴とする研磨パッド。
  2. シールド部材の断面形状は、矩形、又は、下端部の片側又は両側が面取りされた矩形である請求項1記載の研磨パッド。
  3. シールド部材は、幅5mm以上であり、厚さは10mm以上50mm以下である請求項1又は請求項2記載の研磨パッド。
  4. 請求項1~請求項3のいずれかに記載の研磨パッドを用いて研磨作業を行う研磨方法であって、
    前記定盤の直径より大きい直径の研磨パッドであって、吸着層上にリング状のシールド部材を備える研磨パッドを用い、
    前記研磨パッドを前記定盤に吸着固定し、
    研磨パッドの研磨層に研磨スラリーを供給して研磨作業を行う研磨方法。
JP2018089603A 2018-05-08 2018-05-08 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法 Active JP7026943B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018089603A JP7026943B2 (ja) 2018-05-08 2018-05-08 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法
TW108113809A TW201946725A (zh) 2018-05-08 2019-04-19 研磨墊及以該研磨墊進行的研磨方法
PCT/JP2019/018209 WO2019216301A1 (ja) 2018-05-08 2019-05-07 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法
CN201980017337.4A CN111819033B (zh) 2018-05-08 2019-05-07 研磨垫及以该研磨垫进行的研磨方法
KR1020207027235A KR102639470B1 (ko) 2018-05-08 2019-05-07 연마 패드 및 그 연마 패드에 의한 연마방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018089603A JP7026943B2 (ja) 2018-05-08 2018-05-08 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019195855A JP2019195855A (ja) 2019-11-14
JP7026943B2 true JP7026943B2 (ja) 2022-03-01

Family

ID=68468265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018089603A Active JP7026943B2 (ja) 2018-05-08 2018-05-08 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7026943B2 (ja)
KR (1) KR102639470B1 (ja)
CN (1) CN111819033B (ja)
TW (1) TW201946725A (ja)
WO (1) WO2019216301A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220156580A (ko) * 2020-03-26 2022-11-25 후지보 홀딩스 가부시키가이샤 연마 패드, 연마 유닛, 연마 장치 및 연마 패드의 제조 방법
KR20240049977A (ko) 2022-10-11 2024-04-18 건국대학교 글로컬산학협력단 미산성 차아염소산수의 제조장치 및 이를 이용한 미산성 차아염소산수의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001287157A (ja) 2000-04-07 2001-10-16 Sumitomo Metal Ind Ltd 試料研磨装置及び試料研磨方法
JP2002036097A (ja) 2000-07-18 2002-02-05 Rodel Nitta Co 研磨パッド
US20050003738A1 (en) 2003-05-08 2005-01-06 Yanghua He Edge-sealed pad for CMP process
JP2010274336A (ja) 2009-05-26 2010-12-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨装置およびワークの研磨方法
JP2013059830A (ja) 2011-09-14 2013-04-04 Toho Engineering Kk 防浸構造を備えた研磨パッド用補助板および研磨装置
JP2014108498A (ja) 2012-12-04 2014-06-12 Maruishi Sangyo Kk 研磨パッド

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3175511B2 (ja) * 1994-12-26 2001-06-11 住友金属工業株式会社 研磨装置及び研磨パッドの着脱装置
JP2842865B1 (ja) * 1997-08-22 1999-01-06 九州日本電気株式会社 研磨装置
JPH11243135A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Kyocera Corp 真空吸着盤
JP4041577B2 (ja) * 1998-03-16 2008-01-30 スピードファム株式会社 ポリッシング装置の定盤及び研磨パッド貼着方法
US6227950B1 (en) * 1999-03-08 2001-05-08 Speedfam-Ipec Corporation Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine
US6464576B1 (en) * 1999-08-31 2002-10-15 Rodel Holdings Inc. Stacked polishing pad having sealed edge
WO2001023141A1 (en) * 1999-09-29 2001-04-05 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad
US7201647B2 (en) * 2002-06-07 2007-04-10 Praxair Technology, Inc. Subpad having robust, sealed edges
JP2006255809A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨装置
JP5061308B2 (ja) * 2007-01-05 2012-10-31 フジコピアン株式会社 密着シート
JP4680314B1 (ja) * 2010-02-04 2011-05-11 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッド用補助板およびそれを用いた研磨パッドの再生方法
JP6074245B2 (ja) * 2012-12-07 2017-02-01 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001287157A (ja) 2000-04-07 2001-10-16 Sumitomo Metal Ind Ltd 試料研磨装置及び試料研磨方法
JP2002036097A (ja) 2000-07-18 2002-02-05 Rodel Nitta Co 研磨パッド
US20050003738A1 (en) 2003-05-08 2005-01-06 Yanghua He Edge-sealed pad for CMP process
JP2010274336A (ja) 2009-05-26 2010-12-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 研磨装置およびワークの研磨方法
JP2013059830A (ja) 2011-09-14 2013-04-04 Toho Engineering Kk 防浸構造を備えた研磨パッド用補助板および研磨装置
JP2014108498A (ja) 2012-12-04 2014-06-12 Maruishi Sangyo Kk 研磨パッド

Also Published As

Publication number Publication date
TW201946725A (zh) 2019-12-16
WO2019216301A1 (ja) 2019-11-14
KR20210006325A (ko) 2021-01-18
JP2019195855A (ja) 2019-11-14
CN111819033A (zh) 2020-10-23
CN111819033B (zh) 2022-05-13
KR102639470B1 (ko) 2024-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5765858B2 (ja) 研磨パッド
JP7026943B2 (ja) 研磨パッド及び該研磨パッドによる研磨方法
US10201886B2 (en) Polishing pad and method for manufacturing the same
JP2011527119A (ja) 枠付き装置、封止材およびその製造方法
JP6393127B2 (ja) 保持パッド
JP2006509349A (ja) 頑丈な密封された縁を有するサブパッド
JP3166396U (ja) 研磨パッド
JPH0547392B2 (ja)
JP7026942B2 (ja) 研磨パッド用の下敷及び該下敷を使用する研磨方法
JP6032643B2 (ja) バッキング材およびそれを用いた基板のキャリアヘッド構造
JP5631955B2 (ja) 研磨パッド
TWI740042B (zh) 使用具備吸附層之研磨墊的研磨方法
JP2007245276A (ja) 研磨パッド固定用両面テープ
JP2013139082A (ja) 保持パッド
JP2011000670A (ja) 基板ホルダー
JP2009095945A (ja) 研磨パッド
CN101244534B (zh) 用于固定抛光工件的承载膜和其制造方法
JP2015100888A (ja) 保持パッド
TW202222492A (zh) 研磨墊、雙面研磨裝置及晶圓之雙面研磨方法
JP2012071386A (ja) 研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210705

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20210830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211101

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220208

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7026943

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150