JP7017664B1 - ノーシアン電解金めっき液 - Google Patents
ノーシアン電解金めっき液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7017664B1 JP7017664B1 JP2021184282A JP2021184282A JP7017664B1 JP 7017664 B1 JP7017664 B1 JP 7017664B1 JP 2021184282 A JP2021184282 A JP 2021184282A JP 2021184282 A JP2021184282 A JP 2021184282A JP 7017664 B1 JP7017664 B1 JP 7017664B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold plating
- electrolytic gold
- plating solution
- electrolytic
- via hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/48—Electroplating: Baths therefor from solutions of gold
Abstract
【課題】ビアホール底部への金の析出を向上させることができる、ノーシアン電解金めっき液を提供することを課題とする。【解決手段】亜硫酸金アルカリ塩、水溶性アミン、結晶調整剤、陽イオン界面活性剤を含有するノーシアン電解金めっき液により、課題を解決する。【選択図】なし
Description
本発明は、ノーシアン電解金めっき液に関する。
ノーシアン（シアンを意図的に含まない）電解金めっき液は、半導体デバイスにおける配線用材料を作製する際に使用されている。電解金めっき液は、金源として、シアン化金カリウムが用いられるが、シアン化合物は、毒性が高くレジストを侵食する事から、半導体デバイスにおいては、シアンを含まない金源、例えば、亜硫酸金アルカリ塩や亜硫酸金アンモニウムなどを含む電解金めっき液を用いることが一般的である。
特許文献１には、金源として亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤と、ポリアルキレングリコール及び／又は両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用ノーシアン電解金めっき液が開示されている。また、特許文献２には、さらにポリアルキレングリコールの平均分子量を特定した、ノーシアン電解金めっき液が開示されている。
ノーシアン電解金めっき液は、ＳｉやＧａＡｓなどの基板を用いた半導体デバイスにおける配線用材料として広く使用されている。導体層間を導通するためのビアホール（配線）があり、ビアホールの側壁から底面にかけて金めっき皮膜をコーティングすることが行われている。近年、ビアホールの高アスペクト比の要求が高まっており、ビアホールの底部に金めっきが析出し難いという問題があった。
上記かかる問題に鑑み、本発明は、ビアホール底部への金の析出を向上させることができる、ノーシアン電解金めっき液を提供することを課題とする。
上記かかる問題に鑑み、本発明は、ビアホール底部への金の析出を向上させることができる、ノーシアン電解金めっき液を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく検討を重ねたところ、ノーシアン電解金めっき液中の界面活性剤が、めっき対象物の形状との関係において、金の析出のし易さに寄与しているとの知見が得られた。より詳細には、陽イオン界面活性剤が、めっき対象物の凸部に選択的に吸着して金の析出を抑制することを見出した。かかる知見に基づき、本発明の一態様は、亜硫酸金アルカリ塩、水溶性アミン、結晶調整剤、陽イオン界面活性剤を含有するノーシアン電解金めっき液である。
本発明によれば、ビアホールの底部への金の析出を向上させることができるノーシアン電解金めっき液を提供することができる。
以下、本発明について詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施形態の一例（代表例）であり、本発明は、これらの内容に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
本発明の実施形態は、亜硫酸金アルカリ塩、水溶性アミン、結晶調整剤、陽イオン界面活性剤、を含有するノーシアン電解金めっき液（以下、単に電解金めっき液と称する場合がある）である。電解金めっき液に含まれる陽イオン界面活性剤が図１に示すようなビアホールの凸部（最表面と側壁とから構成される角）に選択的に吸着することで、凸部における金の析出を抑制し、ビアホールの底部への金の析出（金めっき皮膜の形成）が促進される。また、ビアホール底部が最も金の析出がし難い箇所であることから、底部に金めっき皮膜が形成されれば、ビアホール側壁にも金めっき皮膜が十分に形成される。
電解金めっき液中の陽イオン界面活性剤がめっき対象物の凸部に選択的に吸着するメカニズムは定かではないが、通電時に凸部が最も高電流密度となって、静電気作用によりプラス電荷である陽イオン界面活性剤が吸着しやすくなるためと考えられる。
陽イオン界面活性剤としては特に限定されないが、四級アンモニウム塩、脂肪族アミンが好ましい。四級アンモニウム塩としては、塩化ベンゼトニウム、ヘキサデシルピリジニウムクロリド一水和物、１－ドデシルピリジニウムクロリドなど挙げられる。脂肪族アミンとしては、ドデシルアミン硫酸塩、ｎ－オクチルアミン塩酸塩、ドデシルアミン塩酸塩などが挙げられる。また、四級アンモニウム塩と脂肪族アミンのどちらか一方又は両方を含有することができる。
陽イオン界面活性剤としては特に限定されないが、四級アンモニウム塩、脂肪族アミンが好ましい。四級アンモニウム塩としては、塩化ベンゼトニウム、ヘキサデシルピリジニウムクロリド一水和物、１－ドデシルピリジニウムクロリドなど挙げられる。脂肪族アミンとしては、ドデシルアミン硫酸塩、ｎ－オクチルアミン塩酸塩、ドデシルアミン塩酸塩などが挙げられる。また、四級アンモニウム塩と脂肪族アミンのどちらか一方又は両方を含有することができる。
本実施形態において、電解金めっき液中の陽イオン界面活性剤の濃度は特に限定されないが、好ましくは０．０１ｍｇ／Ｌ以上１０ｍｇ／Ｌ以下であり、より好ましくは、０．１ｍｇ／Ｌ以上５ｍｇ／Ｌ以下である。陽イオン界面活性剤の濃度が高くなると、金のめっき皮膜の硬度が高くなる傾向が見られる。０．０１ｍｇ／Ｌ未満であると、ビア底部への金析出が不十分となる場合があり、一方、１０ｍｇ／Ｌ超であると、結晶状態が変化する場合がある。
電解金めっき液中、亜硫酸金アルカリ塩は、金源として使用されるものであり、その成分は特に限定されないが、例えば、亜硫酸金ナトリウム、亜硫酸金カリウム、亜硫酸金アンモニウムなどが挙げられる。特に亜硫酸金ナトリウムが好ましい。また、電解金めっき液中、亜硫酸金アルカリ塩の濃度は特段限定されないが、通常、金濃度に換算して５ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下であり、好ましくは７ｇ／Ｌ以上１３ｇ／Ｌ以下である。
電解金めっき液中、水溶性アミンは、安定剤として使用されるものであり、その成分は特に限定されない。例えば、トリエタノールアミン、エチレンジアミン四酢酸、エタン－１，２－ジアミンなどが挙げられ、エタン－１，２－ジアミンが特に好ましい。安定剤を含有することにより、金錯体の安定化という効果がある。また、電解金めっき液中、水溶性アミンの濃度は特段限定されないが、通常５ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下であり、好ましくは７ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下である。
電解金めっき液中、結晶調整剤としては、Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物などが挙げられ、ギ酸タリウム、硫酸タリウム、酢酸鉛が特に好ましい。結晶調整剤を含有することにより、得られる金めっき皮膜の配向性及び結晶子サイズの調整が容易になる。また、電解金めっき液中、結晶調整剤の濃度は特段限定されないが、通常５ｍｇ／Ｌ以上５０ｍｇ／Ｌ以下であり、好ましくは１０ｍｇ／Ｌ以上３０ｍｇ／Ｌ以下である。
本実施形態において、ノーシアン電解金めっき液は、その表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満
であることが望ましい。電解金めっき液の表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であれば、ビアホールの底部への金めっきの析出がさらに向上することが期待される。本開示において、表面張力はＪＩＳ－Ｋ－２２４１（２０１７）で採用されているデュヌイ法を用いて測定することができる。
であることが望ましい。電解金めっき液の表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であれば、ビアホールの底部への金めっきの析出がさらに向上することが期待される。本開示において、表面張力はＪＩＳ－Ｋ－２２４１（２０１７）で採用されているデュヌイ法を用いて測定することができる。
本実施形態に係る電解金めっき液の調製方法は特段限定されないが、水を含む水性溶媒に亜硫酸金アルカリ塩、水溶性アミン、結晶調整剤、陽イオン界面活性剤を添加して、混合することで調製することができる。その他、電解金めっき液に含有され得る他の成分、例えば、電気伝導塩、ｐＨ調整剤(緩衝剤)、錯化剤、マスキング剤などを含有してもよい。電気伝導塩の添加により、均一電着性向上という効果が得られる。錯化剤の添加により、電解金めっき液の安定性が向上し得る。ｐＨ調整剤(緩衝剤)の添加により、局所的なｐＨ変動を抑制することができるという効果がある。マスキング剤の添加により、皮膜外観悪化や硬度変化を抑制するという効果がある。
電解金めっき液中の陽イオン界面活性剤の成分分析は、液体クロマトグラフィーにより測定することができる。また、電解金めっき液中の陽イオン界面活性剤の濃度は、液体クロマトグラフィーにより測定することができる。
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の範囲が、実施例の記載により限定されないことはいうまでもない。
＜電解金めっき液の建浴＞
亜硫酸金（Ｉ）ナトリウムを金濃度で１２ｇ／Ｌ、電解質として亜硫酸ナトリウム７０ｇ／Ｌ、安定剤としてエタン－１，２－ジアミンを１０ｇ／Ｌ、結晶調整剤としてギ酸タリウムを２０ｍｇ／Ｌ（タリウム濃度）、表１に示す各種の界面活性剤を含むノーシアン電解金めっき液を準備した。
亜硫酸金（Ｉ）ナトリウムを金濃度で１２ｇ／Ｌ、電解質として亜硫酸ナトリウム７０ｇ／Ｌ、安定剤としてエタン－１，２－ジアミンを１０ｇ／Ｌ、結晶調整剤としてギ酸タリウムを２０ｍｇ／Ｌ（タリウム濃度）、表１に示す各種の界面活性剤を含むノーシアン電解金めっき液を準備した。
＜めっきの条件：ビアホール埋め込み用＞
ビアホール（直径：１００μｍ、深さ：６０μｍ）を有する基板（下地：ニッケルめっき２μｍ、金ストライクめっき０．０２μｍ）を上記電解金めっき液（液温５０℃、ｐＨ８．０）に１８分間浸漬し、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で電解金めっきを行い、その後、水洗、乾燥させた。
ビアホール（直径：１００μｍ、深さ：６０μｍ）を有する基板（下地：ニッケルめっき２μｍ、金ストライクめっき０．０２μｍ）を上記電解金めっき液（液温５０℃、ｐＨ８．０）に１８分間浸漬し、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で電解金めっきを行い、その後、水洗、乾燥させた。
＜めっき条件：硬度測定用＞
基板（下地：ニッケルめっき２μｍ、金ストライクめっき０．０２μｍ）を上記電解金めっき液（液温５２℃、ｐＨ７．８）に３６分間浸漬し、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で電解金めっきを行い、その後、水洗、乾燥させた。
基板（下地：ニッケルめっき２μｍ、金ストライクめっき０．０２μｍ）を上記電解金めっき液（液温５２℃、ｐＨ７．８）に３６分間浸漬し、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で電解金めっきを行い、その後、水洗、乾燥させた。
＜表面張力の測定＞
ＪＩＳ－Ｋ－２２４１に採用されているデュヌイ法を用いて表面張力の測定を行った。シャーレに電解金めっき液を入れ、該めっき液に白金輪環を沈め、白金輪環を垂直方向に徐々に引き離し、白金輪環を引き離すのに必要とした力の最大値を計測し、表面張力として算出した。
ＪＩＳ－Ｋ－２２４１に採用されているデュヌイ法を用いて表面張力の測定を行った。シャーレに電解金めっき液を入れ、該めっき液に白金輪環を沈め、白金輪環を垂直方向に徐々に引き離し、白金輪環を引き離すのに必要とした力の最大値を計測し、表面張力として算出した。
＜膜厚の評価方法＞
電解金めっき処理が施された基板のビアホールについて、クロスセクションポリッシャーを用いて断面形成を行い、走査電子顕微鏡を用いて断面から金膜厚を測定した。基板の最表面とビアホール底部の電解金めっき膜厚をそれぞれ測定し、膜厚比（ビアホール底部／最表面）を算出した。
電解金めっき処理が施された基板のビアホールについて、クロスセクションポリッシャーを用いて断面形成を行い、走査電子顕微鏡を用いて断面から金膜厚を測定した。基板の最表面とビアホール底部の電解金めっき膜厚をそれぞれ測定し、膜厚比（ビアホール底部／最表面）を算出した。
＜液中パーティクル＞
電解金めっき液が不安定な場合、経時変化により金の微粒子や薬品成分が析出し、パーティクル数が増加する傾向にあることから、液中のパーティクル数についても分析を行った。分析方法としては、建浴した電解金めっき液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過した後、静置させた液について、パーティクルカウンターを用いて、０．５μｍ以上のパーティクルの個数を評価した。そして、液中パーティクルが２００個／ｍＬ未満の場合を良とし、２００個／ｍＬ以上の場合を不良とした。
電解金めっき液が不安定な場合、経時変化により金の微粒子や薬品成分が析出し、パーティクル数が増加する傾向にあることから、液中のパーティクル数についても分析を行った。分析方法としては、建浴した電解金めっき液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過した後、静置させた液について、パーティクルカウンターを用いて、０．５μｍ以上のパーティクルの個数を評価した。そして、液中パーティクルが２００個／ｍＬ未満の場合を良とし、２００個／ｍＬ以上の場合を不良とした。
＜電解金めっき膜の外観評価＞
電解金めっき処理が施された基板の表面について、目視で観察して、無光沢又は半光沢の判別を行った。
電解金めっき処理が施された基板の表面について、目視で観察して、無光沢又は半光沢の判別を行った。
＜電解金めっき膜の硬度測定＞
電解金めっき膜のビッカース硬度の測定は、大気下、３００℃で３０分間の熱処理を行い、微小硬さ試験機（株式会社ミツトヨ、ＨＭ－２２１）を用いて、ビッカース圧子により熱処理前後の電解金めっき膜の硬度を５回測定して、その平均値を算出した。なお、電解金めっき膜の硬度測定は、圧子に荷重を加えてめっき膜上に圧痕を形成し、この圧痕の対角線から硬度を計算するため、膜厚が薄い場合には、下地母材の影響を受ける可能性がある。したがって、下地からの影響を回避するために、電解金めっき膜の膜厚は１０μｍ以上とした。
電解金めっき膜のビッカース硬度の測定は、大気下、３００℃で３０分間の熱処理を行い、微小硬さ試験機（株式会社ミツトヨ、ＨＭ－２２１）を用いて、ビッカース圧子により熱処理前後の電解金めっき膜の硬度を５回測定して、その平均値を算出した。なお、電解金めっき膜の硬度測定は、圧子に荷重を加えてめっき膜上に圧痕を形成し、この圧痕の対角線から硬度を計算するため、膜厚が薄い場合には、下地母材の影響を受ける可能性がある。したがって、下地からの影響を回避するために、電解金めっき膜の膜厚は１０μｍ以上とした。
（実施例１～６）
界面活性剤として、塩化ベンゼトニウム（陽イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例２）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例３）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例４）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例５）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例６）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であり、また、パーティクル数は良好であった。
界面活性剤として、塩化ベンゼトニウム（陽イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例２）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例３）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例４）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例５）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例６）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であり、また、パーティクル数は良好であった。
これらの電解金めっき液を用いて、上記の条件で電解金めっきを施し、ビアホールに電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の膜厚（最表面と底部）を測定した。その結果、膜厚比（底部／最表面）が０．５以上であり、ビアホールの底部に十分に電解金めっき膜が形成されていることを確認した。また、別途、硬度測定用の基板に対して、上記の条件で電解金めっきを施して、電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の硬度を測定した。その結果、加熱後の硬度が５０以上と良好な結果が得られた。さらに、得られた電解金めっき膜外観は、いずれも無光沢または半光沢であった。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
（実施例７～１２）
界面活性剤として、ドデシルアミン硫酸塩（陽イオン界面活性剤）を用いて、界面活性
剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例７）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例８）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例９）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１０）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１１）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１２）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であり、また、パーティクル数は良好であった。
界面活性剤として、ドデシルアミン硫酸塩（陽イオン界面活性剤）を用いて、界面活性
剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例７）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例８）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例９）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１０）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１１）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１２）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であり、また、パーティクル数は良好であった。
これらの電解金めっき液を用いて、上記の条件で電解金めっきを施し、ビアホールに電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の膜厚（最表面と底部）を測定した。その結果、膜厚比（底部／最表面）が０．５以上であり、ビアホールの底部に十分に電解金めっき膜が形成されていることを確認した。また、別途、硬度測定用の基板に対して、上記の条件で電解金めっきを施して、電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の硬度を測定した。その結果、加熱後の硬度が５０以上と良好な結果が得られた。さらに、電解金めっき膜外観は、いずれも無光沢又は半光沢であった。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
（実施例１３～１８）
界面活性剤として、ヘキサデシルピリジニウムクロリド一水和物（陽イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１３）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１４）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１５）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１６）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１７）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１８）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であり、また、パーティクル数は良好であった。
界面活性剤として、ヘキサデシルピリジニウムクロリド一水和物（陽イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１３）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１４）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１５）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１６）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１７）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（実施例１８）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力が６０ｍＮ／ｍ未満であり、また、パーティクル数は良好であった。
これらの電解金めっき液を用いて、上記の条件で電解金めっきを施し、ビアホールに電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の膜厚（最表面と底部）を測定した。その結果、膜厚比（底部／最表面）が０．５以上であり、ビアホールの底部に十分に電解金めっき膜が形成されていることを確認した。また、別途、硬度測定用の基板に対して、上記の条件で電解金めっきを施して、電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の硬度を測定した。その結果、加熱後の硬度が５０以上と良好な結果が得られた。さらに、電解金めっき膜外観は、いずれも無光沢又は半光沢であった。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
（比較例１～６）
界面活性剤として、ドデシルアミン硫酸ナトリウム（陰イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例２）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例３）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例４）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例５）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例６）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、パーティクル数は不良であった。
界面活性剤として、ドデシルアミン硫酸ナトリウム（陰イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例２）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例３）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例４）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例５）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例６）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、パーティクル数は不良であった。
これらの電解金めっき液を用いて、上記の条件で電解金めっきを施し、ビアホールに電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の膜厚（最表面と底部）を測定した。その結果、膜厚比（底部／最表面）が０．５未満であり、ビアホールの底部に十分に電解金めっき膜が形成されていないことを確認した。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
（比較例７～１０）
界面活性剤として、スルホコハク酸ジヘキシルナトリウム（陰イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例７）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例８）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例９）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１０）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、パーティクル数は不良であった。
界面活性剤として、スルホコハク酸ジヘキシルナトリウム（陰イオン界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例７）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例８）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例９）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１０）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、パーティクル数は不良であった。
これらの電解金めっき液を用いて、上記の条件で電解金めっきを施し、ビアホールに電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の膜厚（最表面と底部）を測定した。その結果、膜厚比（底部／最表面）が０．５未満であり、ビアホールの底部に十分に電解金めっき膜が形成されていないことを確認した。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
（比較例１１～１６）
界面活性剤として、ラウリルジメチルアミン酢酸ベタイン（両性界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１１）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１２）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１３）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１４）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１５）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１５）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力は６０超と高い値を示した。
界面活性剤として、ラウリルジメチルアミン酢酸ベタイン（両性界面活性剤）を用いて、界面活性剤の濃度が０．０１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１１）、同濃度が０．１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１２）、同濃度が１ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１３）、同濃度が３ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１４）、同濃度が５ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１５）、同濃度が１０ｍｇ／Ｌである電解金めっき液（比較例１５）を調整した。これらの電解金めっき液について、表面張力及び液中のパーティクル数を分析した。その結果を表１に示す。表１に示す通り、表面張力は６０超と高い値を示した。
これらの電解金めっき液を用いて、上記の条件で電解金めっきを施し、ビアホールに電解金めっき膜を形成した後、電解金めっき膜の膜厚（最表面と底部）を測定した。その結果、膜厚比（底部／最表面）が０．５未満であり、ビアホールの底部に十分に電解金めっき膜が形成されていないことを確認した。以上の結果をまとめたものを表１に示す。
Claims (4)
- 亜硫酸金アルカリ塩、水溶性アミン、結晶調整剤、陽イオン界面活性剤を含有することを特徴とするノーシアン電解金めっき液。
- 前記陽イオン界面活性剤が、四級アンモニウム塩及び／又は脂肪族アミンであることを特徴とする請求項１に記載のノーシアン電解金めっき液。
- 前記陽イオン界面活性剤の濃度が、０．０１ｍｇ／Ｌ以上１０ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のノーシアン電解金めっき液。
- 表面張力が、６０ｍＮ／ｍ未満であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のノーシアン電解金めっき液。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021184282A JP7017664B1 (ja) | 2021-11-11 | 2021-11-11 | ノーシアン電解金めっき液 |
| KR1020227018886A KR102477921B1 (ko) | 2021-11-11 | 2022-03-10 | 무시안 전해 금 도금액 |
| CN202280002516.2A CN115244221A (zh) | 2021-11-11 | 2022-03-10 | 无氰电解镀金液 |
| PCT/JP2022/010467 WO2023084803A1 (ja) | 2021-11-11 | 2022-03-10 | ノーシアン電解金めっき液 |
| TW111115242A TWI824497B (zh) | 2021-11-11 | 2022-04-21 | 無氰化物電解鍍金液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021184282A JP7017664B1 (ja) | 2021-11-11 | 2021-11-11 | ノーシアン電解金めっき液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7017664B1 true JP7017664B1 (ja) | 2022-02-08 |
| JP2023071468A JP2023071468A (ja) | 2023-05-23 |
Family
ID=80844065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021184282A Active JP7017664B1 (ja) | 2021-11-11 | 2021-11-11 | ノーシアン電解金めっき液 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7017664B1 (ja) |
| TW (1) | TWI824497B (ja) |
| WO (1) | WO2023084803A1 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574137A (en) * | 1978-11-30 | 1980-06-04 | Electroplating Eng Of Japan Co | Production of wafer |
| JPH09106940A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Canon Inc | マスク構造体、その製造方法、該マスク構造体を用いた露光方法及び露光装置、該マスク構造体を用いて製造されたデバイス及びその製造方法、並びに金生成物 |
| US20010015321A1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-08-23 | Reid Jonathan D. | Electroplating process for avoiding defects in metal features of integrated circuit devices |
| JP2009057631A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Ne Chemcat Corp | バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法 |
| JP2010189753A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | めっき浴及びそれを用いためっき方法 |
| JP5574137B1 (ja) | 2007-02-05 | 2014-08-20 | 日本電気株式会社 | ハンドオーバ後のターゲットセルにおける資源割当て |
| CN105734623A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-07-06 | 广东利尔化学有限公司 | 一种高分散酸性镀铜添加剂及其制备方法与应用 |
| CN111235608A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-05 | 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 | 一种无氰银基复合镀液与银基复合镀层及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4392640B2 (ja) * | 2000-10-11 | 2010-01-06 | 石原薬品株式会社 | 非シアン系の金−スズ合金メッキ浴 |
| JP2009062584A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Ne Chemcat Corp | バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法 |
-
2021
- 2021-11-11 JP JP2021184282A patent/JP7017664B1/ja active Active
-
2022
- 2022-03-10 WO PCT/JP2022/010467 patent/WO2023084803A1/ja unknown
- 2022-04-21 TW TW111115242A patent/TWI824497B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574137A (en) * | 1978-11-30 | 1980-06-04 | Electroplating Eng Of Japan Co | Production of wafer |
| JPH09106940A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Canon Inc | マスク構造体、その製造方法、該マスク構造体を用いた露光方法及び露光装置、該マスク構造体を用いて製造されたデバイス及びその製造方法、並びに金生成物 |
| US20010015321A1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-08-23 | Reid Jonathan D. | Electroplating process for avoiding defects in metal features of integrated circuit devices |
| JP5574137B1 (ja) | 2007-02-05 | 2014-08-20 | 日本電気株式会社 | ハンドオーバ後のターゲットセルにおける資源割当て |
| JP2009057631A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-03-19 | Ne Chemcat Corp | バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法 |
| JP2010189753A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | めっき浴及びそれを用いためっき方法 |
| CN105734623A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-07-06 | 广东利尔化学有限公司 | 一种高分散酸性镀铜添加剂及其制备方法与应用 |
| CN111235608A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-05 | 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 | 一种无氰银基复合镀液与银基复合镀层及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023071468A (ja) | 2023-05-23 |
| WO2023084803A1 (ja) | 2023-05-19 |
| TW202319590A (zh) | 2023-05-16 |
| TWI824497B (zh) | 2023-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kumar et al. | Factor effecting electro-deposition process | |
| US5178745A (en) | Acidic palladium strike bath | |
| US4849303A (en) | Alloy coatings for electrical contacts | |
| KR101582507B1 (ko) | 산성 금 합금 도금 용액 | |
| JP6198343B2 (ja) | ノンシアン系電解金めっき液 | |
| US20070052105A1 (en) | Metal duplex method | |
| JP6603756B2 (ja) | 環境に優しいニッケル電気めっき組成物及び方法 | |
| JP2016153526A (ja) | 被覆物および方法 | |
| EP3284849A1 (en) | Multi-layer electrical contact element | |
| JP2006009039A (ja) | ウィスカー成長が抑制されたスズ系めっき皮膜及びその形成方法 | |
| Goh et al. | Electrodeposition of lead‐free solder alloys | |
| JP7017664B1 (ja) | ノーシアン電解金めっき液 | |
| US20180112319A1 (en) | Nickel plating solution | |
| JP2019002070A (ja) | 環境に優しいニッケル電気めっき組成物及び方法 | |
| KR102477921B1 (ko) | 무시안 전해 금 도금액 | |
| US10648096B2 (en) | Electrolyte, method of forming a copper layer and method of forming a chip | |
| TW202041713A (zh) | 銀鍍覆液組成物 | |
| JPH0277595A (ja) | 安定な合金組成を有する電気メッキ合金コーティング | |
| JP2020117803A (ja) | インジウム電気めっき組成物及びインジウムをニッケル上に電気めっきするための方法 | |
| JP2014139348A (ja) | 硬質金系めっき液 | |
| US11643742B2 (en) | Silver/tin electroplating bath and method of using the same | |
| CN110770371A (zh) | 贵金属盐制剂、其生产方法及用于电镀的用途 | |
| JP2002241987A (ja) | Ｓｎ−Ｃｕ合金めっき浴及びＳｎ−Ｃｕ合金めっき方法 | |
| JPH0229758B2 (ja) | Metsukigokinsoseioanteisaserudenkimetsukyokuoyobimetsukihoho |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211224 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20211224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220125 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220127 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7017664 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |