JP7017619B2 - Film forming equipment, electronic device manufacturing equipment, film forming method, and electronic device manufacturing method - Google Patents

Film forming equipment, electronic device manufacturing equipment, film forming method, and electronic device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP7017619B2
JP7017619B2 JP2020201716A JP2020201716A JP7017619B2 JP 7017619 B2 JP7017619 B2 JP 7017619B2 JP 2020201716 A JP2020201716 A JP 2020201716A JP 2020201716 A JP2020201716 A JP 2020201716A JP 7017619 B2 JP7017619 B2 JP 7017619B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film forming
substrate
mask
unit
alignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020201716A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021102812A (en
Inventor
栄一 松本
繁行 鵜澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of JP2021102812A publication Critical patent/JP2021102812A/en
Priority to JP2022010786A priority Critical patent/JP7271740B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7017619B2 publication Critical patent/JP7017619B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a film forming apparatus, an electronic device manufacturing apparatus, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.

有機EL表示装置(有機ELディスプレイ)は、スマートフォン、テレビ、自動車用ディスプレイだけでなく、VR HMD(Virtual Reality Head Mount Display)などにその応用分野が広がっており、特に、VR HMDに用いられるディスプレイは、ユーザの目まいを低減するために画素パターンを高精度で形成することが求められる。 The application fields of organic EL display devices (organic EL displays) are expanding not only to displays for smartphones, televisions, and automobiles, but also to VR HMDs (Virtual Reality Head Mount Display), and in particular, displays used for VR HMDs. In order to reduce the dizziness of the user, it is required to form the pixel pattern with high accuracy.

有機EL表示装置の製造においては、有機EL表示装置を構成する有機発光素子(有機EL素子;OLED)を形成する際に、成膜装置の成膜源から放出された成膜材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に成膜することで、有機物層や金属層を形成する。この際、成膜源としては、通常、蒸発源が使われ、蒸発源では成膜材料を高温に加熱して蒸発させる。 In the manufacture of an organic EL display device, when the organic light emitting element (organic EL element; OLED) constituting the organic EL display device is formed, the film forming material discharged from the film forming source of the film forming apparatus is used as a pixel pattern. An organic layer or a metal layer is formed by forming a film on a substrate through a mask on which the above is formed. At this time, an evaporation source is usually used as the film-forming source, and the film-forming material is heated to a high temperature to evaporate at the evaporation source.

このような成膜装置においては、成膜工程の前に、基板とマスクのそれぞれに設けられているアライメントマークを用いて基板とマスクの相対位置を測定し、相対位置がずれている場合には、基板及び/又はマスクを相対的に移動させて位置を調整(アライメント)する。 In such a film forming apparatus, the relative positions of the substrate and the mask are measured using the alignment marks provided on the substrate and the mask before the film forming process, and if the relative positions are deviated, the relative positions are measured. , The substrate and / or the mask is relatively moved to adjust (align) the position.

有機発光素子の有機物層や金属層などの成膜精度は、基板とマスクのアライメントの精度に影響を受ける。成膜工程の前に、又は成膜工程の進行中に基板とマスクの相対位置がずれると、成膜精度が落ちてしまう。 The film formation accuracy of the organic material layer or metal layer of the organic light emitting element is affected by the alignment accuracy of the substrate and the mask. If the relative positions of the substrate and the mask shift before or during the film forming process, the film forming accuracy will drop.

成膜装置おいて、蒸発源側に配置されるマスクは、蒸発源からの輻射熱の影響を受けやすく、温度が上昇することがある。これに比べ、基板は、蒸発源との間にマスクが配置されていて輻射熱の影響が相対的に少なく、その裏面を吸着する静電チャックと接触するので、相対的に低い温度に維持される。 In the film forming apparatus, the mask placed on the evaporation source side is easily affected by the radiant heat from the evaporation source, and the temperature may rise. In comparison, the substrate is maintained at a relatively low temperature because the mask is placed between it and the evaporation source, the influence of radiant heat is relatively small, and it comes into contact with the electrostatic chuck that adsorbs the back surface. ..

このため、基板とマスクの熱膨張の程度に差が生じ、アライメントの精度に影響を及ぼす。即ち、相対的に高温であるマスクの熱膨張によって、成膜パターンを定義するマスクの開口の大きさが変化したり、開口の位置がずれたりすることがあり得る。その結果、成膜精度が落ち、成膜工程の歩留まりが低下する。 Therefore, there is a difference in the degree of thermal expansion between the substrate and the mask, which affects the alignment accuracy. That is, the thermal expansion of the mask, which has a relatively high temperature, may change the size of the opening of the mask that defines the film formation pattern, or the position of the opening may shift. As a result, the film forming accuracy is lowered and the yield of the film forming process is lowered.

また、基板とマスクが大型化するにつれ自重によって撓む現象が発生するが、材質や厚さなどの差によって撓みの程度にも差が生じる。さらに、マスクの大型化に伴いマスク加工精度が低下する懸念もある。その結果、基板上の素子形成領域とマスクの開口の位置がずれ、成膜精度を低下させる要因になる。 Further, as the size of the substrate and the mask increases, a phenomenon of bending due to its own weight occurs, but the degree of bending also differs depending on the difference in material, thickness, and the like. Furthermore, there is a concern that the mask processing accuracy will decrease as the size of the mask increases. As a result, the position of the element forming region on the substrate and the opening of the mask deviate from each other, which causes a factor of lowering the film forming accuracy.

本発明は、成膜精度の高い成膜装置、電子デバイスの製造装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a film forming apparatus having high film forming accuracy, an electronic device manufacturing apparatus, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.

本発明の第1態様による成膜装置は、複数の単位成膜領域を有する基板に前記単位成膜領域に対応する開口を有するマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、真空容器と、前記真空容器内に設けられ、基板を吸着するための基板吸着面を有する基板吸着手段と、前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するマスク支持ユニットと、前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットとを前記基板吸着面に垂直な第1方向に移動させる昇降手段と、前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットのうち少なくとも一つを前記基板吸着面と平行な面内で移動させるための位置移動機構と、前記位置移動機構によって、前記マスクの開口が前記基板の複数の単位成膜領域のそれぞれに対応するようにして、前記単位成膜領域ごとに順番に成膜材料を成膜する成膜動作を行う制御部と、を備えることを特徴とする。 The film forming apparatus according to the first aspect of the present invention is a film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate having a plurality of unit forming regions through a mask having an opening corresponding to the unit forming region. There are a vacuum container, a substrate suction means provided in the vacuum container and having a substrate suction surface for sucking a substrate, a mask support unit provided in the vacuum container and supporting a mask, and the substrate. An elevating means for moving the suction means and the mask support unit in the first direction perpendicular to the substrate suction surface, and in-plane parallel to the substrate suction surface at least one of the substrate suction means and the mask support unit. By the position moving mechanism and the position moving mechanism, the opening of the mask corresponds to each of the plurality of unit film forming regions of the substrate, and the film is sequentially formed for each unit film forming region. It is characterized by comprising a control unit for performing a film forming operation for forming a film of a material.

本発明によれば、成膜精度を高くすることができる。 According to the present invention, the film forming accuracy can be increased.

図1は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a part of an electronic device manufacturing apparatus. 図2は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。FIG. 2 is a schematic view of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. 図3は、本発明の一実施形態による成膜装置の構成を説明するための模式的断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention. 図4は、本発明の他の実施形態による成膜装置の構成を説明するための模式的断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the film forming apparatus according to another embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態による成膜装置によって製造される電子デバイスを示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing an electronic device manufactured by the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples merely illustrate preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to those configurations. Further, in the following description, unless there is a specific description, the hardware configuration and software configuration, processing flow, manufacturing conditions, dimensions, materials, shapes, etc. of the apparatus are limited to those of the present invention. Not a thing.

本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜(材料層)を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属、シリコンなどの任意の材料を選択することができる。基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板又はシリコンウエハであってもよい。また、蒸着材料としては、有機材料、金属性材料(金属、金属酸化物など)などの任意の材料を選択してもよい。なお、真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やCVD(Chemical Vapor
Deposition)装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス(例えば、有機EL素子、薄膜太陽電池)、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機EL素子を形成する有機EL素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。
The present invention can be applied to an apparatus for depositing various materials on the surface of a substrate to form a film, and can be preferably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) having a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, a film of a polymer material, a metal, and silicon can be selected. The substrate may be, for example, a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate or a silicon wafer. Further, as the vapor deposition material, any material such as an organic material and a metallic material (metal, metal oxide, etc.) may be selected. In addition to vacuum vapor deposition equipment, sputtering equipment and CVD (Chemical Vapor)
The present invention can also be applied to a film forming apparatus including a Deposition) apparatus. Specifically, the technique of the present invention can be applied to a manufacturing apparatus such as an organic electronic device (for example, an organic EL element, a thin film solar cell), an optical member, or the like. Among them, an apparatus for manufacturing an organic EL element, which forms an organic EL element by evaporating a vapor-deposited material and vapor-depositing it on a substrate via a mask, is one of the preferred application examples of the present invention.

<電子デバイスの製造装置>
図1は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
<Manufacturing equipment for electronic devices>
FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a part of an electronic device manufacturing apparatus.

図1の製造装置は、例えば、有機EL表示装置の表示パネルの製造に用いられる。VR
HMD用の表示パネルの場合、所定のサイズのシリコンウエハに有機EL素子の形成の
ための成膜を行った後、素子形成領域の間の領域(スクライブ領域)に沿って該シリコンウエハを切り出して、複数の小さなサイズのパネルを製作する。スマートフォン用の表示パネルの場合は、4.5世代の基板(約700mm×約900mm)や6世代のフルサイズ(約1500mm×約1850mm)又はハーフカットサイズ(約1500mm×約925mm)の基板に、有機EL素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。
The manufacturing apparatus of FIG. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device. VR
In the case of a display panel for an HMD, a film is formed on a silicon wafer of a predetermined size for forming an organic EL element, and then the silicon wafer is cut out along a region (scribe region) between the element forming regions. , Make multiple small size panels. In the case of a display panel for smartphones, a 4.5th generation substrate (about 700mm x about 900mm), a 6th generation full size (about 1500mm x about 1850mm) or a half cut size (about 1500mm x about 925mm) substrate can be used. After forming a film for forming an organic EL element, the substrate is cut out to produce a plurality of small-sized panels.

電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置1と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。 The electronic device manufacturing device generally includes a plurality of cluster devices 1 and a relay device that connects the cluster devices.

クラスタ装置1は、基板Wに対する処理(例えば、成膜)を行う複数の成膜装置11と、使用前後のマスクMを収納する複数のマスクストック装置12と、その中央に配置される搬送室13と、を具備する。搬送室13は、図1に示すように、複数の成膜装置11及びマスクストック装置12のそれぞれと接続される。 The cluster device 1 includes a plurality of film forming devices 11 for processing (for example, film forming) the substrate W, a plurality of mask stock devices 12 for accommodating masks M before and after use, and a transport chamber 13 arranged in the center thereof. And. As shown in FIG. 1, the transport chamber 13 is connected to each of the plurality of film forming apparatus 11 and the mask stock apparatus 12.

搬送室13内には、基板W又はマスクMを搬送する搬送ロボット14が配置されている。搬送ロボット14は、上流側に配置された中継装置のパス室15から成膜装置11へと基板Wを搬送する。また、搬送ロボット14は、成膜装置11とマスクストック装置12との間でマスクMを搬送する。搬送ロボット14は、例えば、多関節アームに、基板W又はマスクMを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。 In the transport chamber 13, a transport robot 14 that transports the substrate W or the mask M is arranged. The transfer robot 14 transfers the substrate W from the path chamber 15 of the relay device arranged on the upstream side to the film forming device 11. Further, the transfer robot 14 transfers the mask M between the film forming apparatus 11 and the mask stock apparatus 12. The transfer robot 14 is, for example, a robot having a structure in which a robot hand for holding a substrate W or a mask M is attached to an articulated arm.

成膜装置11(蒸着装置とも呼ぶ)では、蒸発源(成膜源)に収納された蒸着材料(成膜材料)がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクMを介して基板W上に蒸着される。搬送ロボット14との基板W/マスクMの受け渡し、基板WとマスクMの相対位置の調整(アライメント)、マスクM上への基板Wの固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置11によって行われる。 In the film forming apparatus 11 (also referred to as a vapor deposition apparatus), the vapor deposition material (deposition material) stored in the evaporation source (deposition source) is heated by a heater and evaporated, and is vapor-deposited on the substrate W via the mask M. Ru. A series of film formation processes such as transfer of the substrate W / mask M to and from the transfer robot 14, adjustment (alignment) of the relative position between the substrate W and the mask M, fixing of the substrate W on the mask M, and film formation (deposited film) , Performed by the film forming apparatus 11.

マスクストック装置12には、成膜装置11での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット14は、使用済みのマスクを成膜装置11からマスクストック装置12のカセットに搬送し、マスクストック装置12の他のカセットから新しいマスクを成膜装置11に搬送する。 In the mask stock device 12, a new mask used in the film forming process in the film forming apparatus 11 and a used mask are separately stored in two cassettes. The transfer robot 14 transfers the used mask from the film forming apparatus 11 to the cassette of the mask stock device 12, and transfers a new mask from the other cassettes of the mask stock device 12 to the film forming apparatus 11.

クラスタ装置1には、基板Wの流れ方向において上流側からの基板Wを当該クラスタ装置1に搬送するパス室15と、当該クラスタ装置1で成膜処理が完了した基板Wを下流側の他のクラスタ装置に搬送するためのバッファー室16が連結される。搬送室13の搬送ロボット14は、上流側のパス室15から基板Wを受け取って、当該クラスタ装置1内の成膜装置11の一つに搬送する。また、搬送ロボット14は、当該クラスタ装置1での成膜処理が完了した基板Wを複数の成膜装置11の一つから受け取って、下流側に連結されたバッファー室16に搬送する。 The cluster device 1 includes a pass chamber 15 that conveys the board W from the upstream side to the cluster device 1 in the flow direction of the board W, and another board W on the downstream side that has been film-formed by the cluster device 1. A buffer chamber 16 for transporting to the cluster device is connected. The transfer robot 14 in the transfer chamber 13 receives the substrate W from the path chamber 15 on the upstream side and transfers it to one of the film forming apparatus 11 in the cluster device 1. Further, the transfer robot 14 receives the substrate W for which the film formation process in the cluster device 1 has been completed from one of the plurality of film formation devices 11 and transfers it to the buffer chamber 16 connected to the downstream side.

バッファー室16とその下流側のパス室15との間には、基板の向きを変える旋回室17が設置されてもよい。旋回室17には、バッファー室16から基板Wを受け取って、基板Wを180°回転させ、パス室15に搬送するための搬送ロボット18が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Wの向きが同じになり、基板処理が容易になる。 A swivel chamber 17 that changes the direction of the substrate may be installed between the buffer chamber 16 and the path chamber 15 on the downstream side thereof. The swivel chamber 17 is provided with a transfer robot 18 for receiving the substrate W from the buffer chamber 16, rotating the substrate W by 180 °, and transporting the substrate W to the pass chamber 15. As a result, the orientation of the substrate W becomes the same in the cluster device on the upstream side and the cluster device on the downstream side, and the substrate processing becomes easy.

パス室15、バッファー室16、旋回室17は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び/又は下流側に設置される中継装置は、パス室、バッファー室、旋回室のうち少なくとも一つを含む。 The pass chamber 15, the buffer chamber 16, and the swivel chamber 17 are so-called relay devices that connect the cluster devices, and the relay devices installed on the upstream side and / or the downstream side of the cluster device are the pass room, the buffer room, and the like. Includes at least one of the swivel chambers.

成膜装置11、マスクストック装置12、搬送室13、バッファー室16、旋回室17などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室15は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。本発明は、基板WとマスクMを、成膜装置11ではなく、別の装置又はチャンバーで合着させた後、これをキャリアに乗せて、一列に並んだ複数の成膜装置を通して搬送させながら成膜工程を行うインラインタイプの製造装置にも適用することができる。 The film forming apparatus 11, the mask stock apparatus 12, the transport chamber 13, the buffer chamber 16, the swivel chamber 17, and the like are maintained in a high vacuum state in the process of manufacturing the organic light emitting element. The pass chamber 15 is usually maintained in a low vacuum state, but may be maintained in a high vacuum state if necessary. In the present invention, the substrate W and the mask M are bonded to each other by another device or chamber instead of the film forming apparatus 11, and then the substrate W and the mask M are placed on a carrier and conveyed through a plurality of film forming apparatus arranged in a row. It can also be applied to in-line type manufacturing equipment that performs a film forming process.

以下、成膜装置11の具体的な構成について説明する。 Hereinafter, a specific configuration of the film forming apparatus 11 will be described.

<成膜装置>
図2は、成膜装置11の構成を示す模式図である。以下の説明においては、基板Wの成膜面に平行な面(XY平面)内で垂直に交差する二つの方向をX方向(第2方向)とY方向(第3方向)とし、基板Wの成膜面に垂直な鉛直方向をZ方向(第1方向)とするXYZ直交座標系を用いる。また、Z軸まわりの回転角(回転方向)をθで表す。
<Film formation device>
FIG. 2 is a schematic view showing the configuration of the film forming apparatus 11. In the following description, the two directions that intersect vertically in the plane (XY plane) parallel to the film forming surface of the substrate W are defined as the X direction (second direction) and the Y direction (third direction), and the substrate W is described. An XYZ Cartesian coordinate system is used in which the vertical direction perpendicular to the film forming surface is the Z direction (first direction). Further, the rotation angle (rotation direction) around the Z axis is represented by θ.

成膜装置11は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器21と、真空容器21の内部に設けられる、基板支持ユニット22と、マスク支持ユニット23と、静電チャック24と、蒸発源25とを含む。 The film forming apparatus 11 includes a vacuum vessel 21 maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, a substrate support unit 22 provided inside the vacuum vessel 21, a mask support unit 23, and an electrostatic chuck. 24 and an evaporation source 25.

基板支持ユニット22は、搬送室13に設けられた搬送ロボット14によって搬送される基板Wを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。 The board support unit 22 is a means for receiving and holding the board W transported by the transfer robot 14 provided in the transfer chamber 13, and is also called a board holder.

マスク支持ユニット23は、搬送ロボット14によって搬送されるマスクMを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。 The mask support unit 23 is a means for receiving and holding the mask M conveyed by the transfer robot 14, and is also called a mask holder.

マスクMは、基板W上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット23によって支持される。マスクMは、例えば、シリコンやガラスなどの透光性材料から成るか、又は、FMM(Fine Metal Mask)と呼ばれる金属製のマスクである。 The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern formed on the substrate W, and is supported by the mask support unit 23. The mask M is a metal mask made of, for example, a translucent material such as silicon or glass, or called FMM (Fine Metal Mask).

本発明の実施形態によれば、マスクMの開口は、基板Wの素子形成領域のサイズより小さく、単位成膜領域のサイズに相当する。本明細書でいう「単位成膜領域」とは、基板WとマスクMをアライメントした後に成膜材料を成膜する、素子形成領域の一部分を指す。したがって、基板Wの素子形成領域は、複数の単位成膜領域に分割される。例えば、X方向及びY方向にそれぞれ複数の単位成膜領域が並設された構成とする。 According to the embodiment of the present invention, the opening of the mask M is smaller than the size of the element forming region of the substrate W and corresponds to the size of the unit film forming region. As used herein, the "unit film forming region" refers to a part of an element forming region in which a film forming material is formed after aligning the substrate W and the mask M. Therefore, the element forming region of the substrate W is divided into a plurality of unit film forming regions. For example, a configuration in which a plurality of unit film forming regions are arranged side by side in the X direction and the Y direction, respectively.

基板支持ユニット22の上方には、基板Wを吸着して固定するための基板吸着手段としての静電チャック24が設けられる。 Above the substrate support unit 22, an electrostatic chuck 24 is provided as a substrate adsorption means for adsorbing and fixing the substrate W.

静電チャック24は、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が高い誘電体が介在して、電極と被吸着体との間のクーロン力によって吸着が行われるクーロン力タイプの静電チャックであってもよく、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が低い誘電体が介在して、誘電体の吸着面と被吸着体との間に発生するジョンソン・ラーベック力によって吸着が行われるジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよく、不均一電界によって被吸着体を吸着するグラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。 The electrostatic chuck 24 is a Coulomb force type electrostatic chuck in which a dielectric having a relatively high resistance is interposed between an electrode and an adsorption surface, and adsorption is performed by a Coulomb force between the electrode and the object to be adsorbed. However, a dielectric having a relatively low resistance is interposed between the electrode and the adsorption surface, and adsorption is performed by the Johnson-Labeck force generated between the adsorption surface of the dielectric and the object to be adsorbed. It may be a Johnson-Labeck force type electrostatic chuck, or a gradient force type electrostatic chuck that adsorbs an object to be adsorbed by a non-uniform electric field.

被吸着体が導体又は半導体(シリコンウエハ)である場合には、クーロン力タイプの静電チャック又はジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。被吸着体がガラスのような絶縁体である場合には、グラジエント力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。 When the object to be adsorbed is a conductor or a semiconductor (silicon wafer), it is preferable to use a Coulomb force type electrostatic chuck or a Johnson-Labeck force type electrostatic chuck. When the object to be adsorbed is an insulator such as glass, it is preferable to use a gradient force type electrostatic chuck.

静電チャック24は、一つのプレートで形成されてもよく、吸着力を独立的に制御できる複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電極部を有し、一つのプレート内で電極部毎に吸着力を独立的に制御することができるようにしてもよい。 The electrostatic chuck 24 may be formed of one plate or may be formed so as to have a plurality of sub-plates capable of independently controlling the suction force. Further, even when the plate is formed of one plate, a plurality of electrode portions may be provided inside the plate so that the adsorption force can be independently controlled for each electrode portion in one plate.

基板吸着手段として、静電引力による静電チャックの他に、粘着力による粘着式のチャックを使ってもよい。 As the substrate adsorption means, an adhesive chuck by adhesive force may be used in addition to the electrostatic chuck by electrostatic attraction.

成膜装置11の一実施形態においては、静電チャック24の吸着面とは反対側に基板Wの温度上昇を抑える冷却板30を設けることで、基板W上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。 In one embodiment of the film forming apparatus 11, by providing the cooling plate 30 that suppresses the temperature rise of the substrate W on the side opposite to the suction surface of the electrostatic chuck 24, the deterioration of the organic material deposited on the substrate W can be prevented. It may be configured to suppress deterioration.

成膜源としての蒸発源25は、基板に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ(不図示)、るつぼを加熱するためのヒータ(不図示)、蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ(不図示)などを含む。蒸発源25は、点(point)蒸発源や線状(linear)蒸発源、面状蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。 The evaporation source 25 as a film forming source prevents the crucible (not shown) in which the vapor deposition material to be deposited on the substrate is stored, the heater for heating the crucible (not shown), and the vapor deposition material from scattering on the substrate. Includes shutters (not shown) and the like. The evaporation source 25 can have various configurations depending on the application, such as a point evaporation source, a linear evaporation source, and a planar evaporation source.

成膜装置11は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ(不図示)及び膜厚算出ユニット(不図示)を含む。 The film forming apparatus 11 includes a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculation unit (not shown) for measuring the thickness of the film deposited on the substrate.

真空容器21の上部外側(大気側)には、基板支持ユニットアクチュエータ26、マスク支持ユニットアクチュエータ27、静電チャックアクチュエータ28、位置調整機構29などが設けられる。基板支持ユニットアクチュエータ26は、基板支持ユニット22を昇降(Z方向移動)させるための駆動手段である。マスク支持ユニットアクチュエータ27は、マスク支持ユニット23を昇降(Z方向移動)させるための駆動手段である。静電チャックアクチュエータ28は、静電チャック24を昇降(Z方向移動)させるための駆動手段である。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、又はモータとリニアガイドなどで構成される。 A substrate support unit actuator 26, a mask support unit actuator 27, an electrostatic chuck actuator 28, a position adjusting mechanism 29, and the like are provided on the upper outer side (atmosphere side) of the vacuum vessel 21. The board support unit actuator 26 is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the board support unit 22. The mask support unit actuator 27 is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the mask support unit 23. The electrostatic chuck actuator 28 is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the electrostatic chuck 24. These actuators and the position adjusting mechanism are composed of, for example, a motor and a ball screw, or a motor and a linear guide.

位置調整機構29は、基板WとマスクMとの相対位置を調整するアライメントステージ機構である。位置調整機構29は、静電チャック24又は静電チャックアクチュエータ28全体を基板支持ユニット22及びマスク支持ユニット23に対して、XYθ方向(X方向、Y方向、回転方向の少なくとも一つの方向)に移動及び/又は回転させる。なお、本実施形態では、基板Wを吸着した状態で、静電チャック24をXYθ方向に位置調整することで、基板WとマスクMの相対位置を調整する。ただし、位置調整機構29は、基板支持ユニット22又は基板支持ユニットアクチュエータ26及びマスク支持ユニット23又はマスク支持ユニットアクチュエータ27を、静電チャック24に対してXYθ方向に相対的に移動させる構成としてもよい。 The position adjusting mechanism 29 is an alignment stage mechanism that adjusts the relative position between the substrate W and the mask M. The position adjusting mechanism 29 moves the entire electrostatic chuck 24 or the electrostatic chuck actuator 28 in the XYθ direction (at least one direction of the X direction, the Y direction, and the rotation direction) with respect to the substrate support unit 22 and the mask support unit 23. And / or rotate. In this embodiment, the relative position between the substrate W and the mask M is adjusted by adjusting the position of the electrostatic chuck 24 in the XYθ direction while the substrate W is adsorbed. However, the position adjusting mechanism 29 may be configured to move the board support unit 22 or the board support unit actuator 26 and the mask support unit 23 or the mask support unit actuator 27 relative to the electrostatic chuck 24 in the XYθ direction. ..

成膜装置11は位置移動機構34(図3又は図4参照)をさらに含む。位置移動機構34は、基板Wの素子形成領域を構成する複数の単位成膜領域のそれぞれにマスクMの開口が順次に対応するよう、静電チャック24又は静電チャックアクチュエータ28と、マスク支持ユニット23又はマスク支持ユニットアクチュエータ27とを、X方向及び/又はY方向に所定距離ずつ相対的に移動させるための駆動手段である。 The film forming apparatus 11 further includes a position moving mechanism 34 (see FIG. 3 or FIG. 4). The position moving mechanism 34 includes an electrostatic chuck 24 or an electrostatic chuck actuator 28 and a mask support unit so that the openings of the mask M sequentially correspond to each of the plurality of unit film forming regions constituting the element forming region of the substrate W. It is a driving means for relatively moving the 23 or the mask support unit actuator 27 in the X direction and / or the Y direction by a predetermined distance.

真空容器21の外側上面には、真空容器21の上面に設けられた透明窓を介して、基板W及びマスクMに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ31が設置される。アライメント用カメラ31は、基板W及びマスクMに形成されたアライメントマークに対応する位置に設けられる。例えば、円形の基板Wにおいて矩形をなす
四つのコーナーのうち、少なくとも対角上の二つのコーナー又は四つのコーナーすべてにアライメント用カメラ31を設置してもよい。
On the outer upper surface of the vacuum container 21, an alignment camera 31 for photographing the alignment marks formed on the substrate W and the mask M is installed through the transparent window provided on the upper surface of the vacuum container 21. The alignment camera 31 is provided at a position corresponding to the alignment mark formed on the substrate W and the mask M. For example, the alignment camera 31 may be installed at least at least two diagonal corners or all four corners among the four rectangular corners on the circular substrate W.

成膜装置11に設置されるアライメント用カメラ31は、基板WとマスクMとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。成膜装置11は、ファインアライメント用カメラ31の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラを有してもよい。アライメント用カメラ31がファインアライメント用カメラとラフアライメント用カメラの両方を含む構成においては、二つのラフアライメント用カメラが矩形の対角上の二つのコーナー部に設置され、ファインアライメント用カメラは残りの二つのコーナー部に設置される。 The alignment camera 31 installed in the film forming apparatus 11 is a fine alignment camera used to adjust the relative position between the substrate W and the mask M with high accuracy, and the viewing angle is narrow but the resolution is high. It is a camera with. In addition to the fine alignment camera 31, the film forming apparatus 11 may have a rough alignment camera having a relatively wide viewing angle and a low resolution. In a configuration in which the alignment camera 31 includes both a fine alignment camera and a rough alignment camera, two rough alignment cameras are installed at two diagonal corners of the rectangle, and the fine alignment camera remains. It is installed in two corners.

本発明の一実施形態では、基板Wの単位成膜領域とマスクMの開口を撮像するように、アライメント用カメラ31が設けられる。この場合、基板WとマスクMにはアライメントマークが設置されなくてもよい。上記構成によれば、撮像された画像における単位成膜領域の特定位置のピクセル(例えば、長方形の単位成膜領域でコーナーに位置する対角線上の二つ又は四つのピクセル)と、マスクの開口とを比較して、各単位成膜領域とマスクMとのアライメントを行う。 In one embodiment of the present invention, the alignment camera 31 is provided so as to capture an image of the unit film forming region of the substrate W and the opening of the mask M. In this case, the alignment mark may not be installed on the substrate W and the mask M. According to the above configuration, the pixels at a specific position in the unit deposition area in the captured image (for example, two or four diagonal pixels located at the corners in the rectangular unit deposition area) and the opening of the mask. Is compared, and each unit film formation region and the mask M are aligned.

成膜装置11は、アライメント用カメラ31によってアライメントマークを撮影するために、アライメントマークを照らす照明用光源をさらに含む。成膜工程において密閉される真空容器21の内部は暗いので、光源でアライメントマークを照明することにより、より鮮明な画像を取得することができる。 The film forming apparatus 11 further includes an illumination light source that illuminates the alignment mark in order to capture the alignment mark by the alignment camera 31. Since the inside of the vacuum vessel 21 sealed in the film forming process is dark, a clearer image can be obtained by illuminating the alignment mark with a light source.

成膜装置11は、制御部33を具備する。制御部33は、基板W/マスクMの搬送及びアライメント、蒸発源25の制御、成膜の制御などの機能を有する。特に、本実施形態による制御部33は、基板Wの複数の単位成膜領域それぞれに対して、順次マスクMの開口とのアライメントを行い、成膜動作を実施するが、これについては後述する。 The film forming apparatus 11 includes a control unit 33. The control unit 33 has functions such as transfer and alignment of the substrate W / mask M, control of the evaporation source 25, and control of film formation. In particular, the control unit 33 according to the present embodiment sequentially aligns the plurality of unit film forming regions of the substrate W with the openings of the mask M to perform the film forming operation, which will be described later.

制御部33は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、I/Oなどを持つコンピュータによって構成可能である。この場合、制御部33の機能はメモリ又はストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを使用してもよく、組込み型のコンピュータ又はPLC(programmable logic controller)を使用してもよい。又は、制御部33の機能の一部又は全部をASICやFPGAのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部33が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。 The control unit 33 can be configured by, for example, a computer having a processor, memory, storage, I / O, and the like. In this case, the function of the control unit 33 is realized by the processor executing the program stored in the memory or the storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded computer or a PLC (programmable logical controller) may be used. Alternatively, a part or all of the functions of the control unit 33 may be configured by a circuit such as an ASIC or FPGA. Further, a control unit may be installed for each film forming apparatus, or one control unit 33 may be configured to control a plurality of film forming apparatus.

次に、図3及び図4を参照して、本発明の実施形態による成膜装置について説明する。 Next, the film forming apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

本発明の実施形態による成膜装置11a、11bでは、基板Wの複数の単位成膜領域のそれぞれに対し、順次に、マスクMの開口とのアライメントを行い成膜動作を行う。したがって、基板Wの全体の大きさに比べて相対的に小さい領域に対して、アライメントと成膜動作が行われるので、熱膨張による基板WとマスクMの位置ずれを抑制することができる。また、加工精度を保ちやすい小型のマスクを用いることができ、より精度の高い成膜が可能となる。 In the film forming apparatus 11a and 11b according to the embodiment of the present invention, each of the plurality of unit film forming regions of the substrate W is sequentially aligned with the opening of the mask M to perform the film forming operation. Therefore, since the alignment and the film forming operation are performed on a region relatively small compared to the overall size of the substrate W, it is possible to suppress the positional deviation between the substrate W and the mask M due to thermal expansion. In addition, a small mask that can easily maintain processing accuracy can be used, which enables more accurate film formation.

また、後述のように、基板WとマスクMを所定の間隔で離隔させた状態で成膜動作が行われるので、基板W及び/又はマスクMの撓みによる成膜精度の低下を抑制することができる。また、基板WとマスクMの接触・剥離のための上下移動工程を省略でき、成膜時間
を短縮できる。また、基板W及びマスクMを上下移動させる機構をそれぞれ省略することもできる。
Further, as described later, since the film forming operation is performed in a state where the substrate W and the mask M are separated from each other at a predetermined interval, it is possible to suppress the deterioration of the film forming accuracy due to the bending of the substrate W and / or the mask M. can. Further, the vertical movement step for contacting / peeling the substrate W and the mask M can be omitted, and the film forming time can be shortened. Further, the mechanism for moving the substrate W and the mask M up and down can be omitted.

基板Wの素子形成領域は、複数の単位成膜領域に分けられる。このような区分は、特定の時点に成膜動作を行う領域を仮想的に区分することであり、物理的な区分を意味するわけではない。そしてマスクMの開口は、図3及び図4に図示されるように、基板Wの素子形成領域全体ではなく、単位成膜領域の大きさに対応する。 The element forming region of the substrate W is divided into a plurality of unit film forming regions. Such a division is to virtually divide the region where the film formation operation is performed at a specific time point, and does not mean a physical division. As shown in FIGS. 3 and 4, the opening of the mask M corresponds to the size of the unit film forming region, not the entire element forming region of the substrate W.

単位成膜領域に対するマスクMのアライメントのために、基板Wのアライメントマークは素子形成領域内に位置する。例えば、アライメントマークは、素子形成領域の各パネル単位でスクライブ領域に設置されるか、又は、単位成膜領域の単位で設けられる。 The alignment mark of the substrate W is located in the element forming region for the alignment of the mask M with respect to the unit film forming region. For example, the alignment mark is installed in the scribe region in each panel unit of the element forming region, or is provided in the unit of the unit film forming region.

又は、実施形態によっては、素子形成領域内にはアライメントマークが設置されない。この場合は、単位成膜領域に含まれる所定の位置のピクセルとこれに対応するマスクの開口がアライメントマークとして機能する。例えば、単位成膜領域に含まれるピクセルのうち、四角形のコーナーそれぞれに位置する、対角線方向の二つのピクセル又は四つのピクセルと、これらピクセルにそれぞれ対応する開口を用いて、アライメントを行う。 Or, depending on the embodiment, the alignment mark is not installed in the device forming region. In this case, the pixel at a predetermined position included in the unit film forming region and the corresponding opening of the mask function as an alignment mark. For example, among the pixels included in the unit film formation region, alignment is performed using two or four pixels in the diagonal direction located at each corner of the quadrangle and the openings corresponding to these pixels.

図3は本発明の一実施形態による成膜装置11aの構成を説明するための模式的断面図である。図3の成膜装置11aでは、基板Wを吸着して保持する静電チャック24と、マスクMを支持するマスク支持ユニット23と、静電チャックアクチュエータ28と、マスク支持ユニットアクチュエータ27と、位置調整機構29などについての図示は省略している。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the film forming apparatus 11a according to the embodiment of the present invention. In the film forming apparatus 11a of FIG. 3, the positions of the electrostatic chuck 24 that attracts and holds the substrate W, the mask support unit 23 that supports the mask M, the electrostatic chuck actuator 28, and the mask support unit actuator 27 are adjusted. The illustration of the mechanism 29 and the like is omitted.

本発明の一実施形態による成膜装置11aは、真空容器21と、静電チャック24と、マスク支持ユニット23と、静電チャックアクチュエータ28と、位置調整機構29と、蒸発源25と、成膜装置11aの動作を制御する制御部33を含む。 The film forming apparatus 11a according to the embodiment of the present invention includes a vacuum vessel 21, an electrostatic chuck 24, a mask support unit 23, an electrostatic chuck actuator 28, a position adjusting mechanism 29, an evaporation source 25, and a film forming apparatus. A control unit 33 that controls the operation of the device 11a is included.

また成膜装置11aは、静電チャック24又は静電チャックアクチュエータ28に連結されて静電チャック24をXY方向のうち少なくとも一つの方向に移動させるための位置移動機構34をさらに含む。位置移動機構34は、静電チャック24又は静電チャックアクチュエータ28をX方向とY方向のうち少なくとも一つの方向に所定距離(例えば、長方形の単位成膜領域のX方向及び/又はY方向の辺の長さ)移動させることによって、基板の複数の単位成膜領域それぞれとマスクの開口とが順次に対応するようにする。位置移動機構34は、例えば、モータとボールネジ、又は、モータとリニアガイドなどで構成される。 Further, the film forming apparatus 11a further includes a position moving mechanism 34 connected to the electrostatic chuck 24 or the electrostatic chuck actuator 28 to move the electrostatic chuck 24 in at least one of the XY directions. The position moving mechanism 34 makes the electrostatic chuck 24 or the electrostatic chuck actuator 28 a predetermined distance in at least one of the X direction and the Y direction (for example, the side of the rectangular unit film forming region in the X direction and / or the Y direction). By moving the substrate, each of the plurality of unit film forming regions of the substrate and the opening of the mask sequentially correspond to each other. The position moving mechanism 34 is composed of, for example, a motor and a ball screw, or a motor and a linear guide.

本実施形態において、位置移動機構34は、静電チャック24と静電チャックに吸着されている基板Wを移動させ、マスク支持ユニット23とマスク支持ユニットに支持されているマスクMは移動させない。この構成によれば、基板Wの単位成膜領域それぞれに対するマスクMの開口とのアライメントのために、アライメント用カメラ31を移動させる必要がなく、また成膜工程では蒸発源25の位置を移動させる必要もない。 In the present embodiment, the position moving mechanism 34 moves the electrostatic chuck 24 and the substrate W attracted to the electrostatic chuck, and does not move the mask support unit 23 and the mask M supported by the mask support unit. According to this configuration, it is not necessary to move the alignment camera 31 for alignment with the opening of the mask M for each unit film forming region of the substrate W, and the position of the evaporation source 25 is moved in the film forming step. There is no need.

位置移動機構34が基板Wを移動させることによって基板Wの複数の単位成膜領域のうち一つがマスクMの開口に対応する位置に移動したら、位置調整機構29は基板WとマスクMのアライメントを行う。本実施形態によれば、位置調整機構29によるアライメントは、基板Wに対するアライメントである全体アライメント(第1アライメント)と、単位成膜領域それぞれに対する部分アライメント(第2アライメント)を含む。実施形態によって、複数の単位成膜領域それぞれに対し部分アライメントを行うたびに全体アライメントも同時に行うか、又は、基板Wに対し全体アライメントを行った後、それ以降は、部分
アライメントだけを行う。
When the position moving mechanism 34 moves the substrate W so that one of the plurality of unit film forming regions of the substrate W moves to the position corresponding to the opening of the mask M, the position adjusting mechanism 29 aligns the substrate W with the mask M. conduct. According to the present embodiment, the alignment by the position adjusting mechanism 29 includes a total alignment (first alignment) which is an alignment with respect to the substrate W and a partial alignment (second alignment) with respect to each unit film forming region. Depending on the embodiment, the whole alignment is performed at the same time every time the partial alignment is performed for each of the plurality of unit film forming regions, or after the whole alignment is performed for the substrate W, only the partial alignment is performed thereafter.

図3に図示されるように、本発明の一実施形態による成膜装置11aは、蒸発源25から飛散する成膜材料を、マスクMの開口に案内するガイド部材35をさらに含む。これにより、蒸発源25から飛散する成膜材料のうちガイド部材35によってガイドされる成膜材料だけが、マスクMの開口を通過し基板Wに成膜される。 As shown in FIG. 3, the film forming apparatus 11a according to the embodiment of the present invention further includes a guide member 35 that guides the film forming material scattered from the evaporation source 25 to the opening of the mask M. As a result, of the film-forming materials scattered from the evaporation source 25, only the film-forming material guided by the guide member 35 passes through the opening of the mask M and is formed on the substrate W.

例えば、ガイド部材35は、蒸発源25を囲んでZ方向に延びる円柱又は直方体形状のガイド管である。この場合、ガイド管は蒸発源25からマスク支持ユニット23によって支持されているマスクMに近接する位置まで長く延びることが好ましい。これにより、蒸発源25から任意の方向に飛散する成膜材料のうち、Z方向から斜めにガイド管の壁側へ向かう成膜材料はガイド管の壁に付着し、実質的にZ方向に向かう成膜材料(すなわち、Z方向に直進する成膜材料)だけがマスクMの開口を通過して基板Wに蒸着される。したがって、基板WとマスクMを所定の間隔に離隔させた状態で成膜動作を行っても、高い精度で成膜が可能となる。 For example, the guide member 35 is a cylindrical or rectangular parallelepiped-shaped guide tube that surrounds the evaporation source 25 and extends in the Z direction. In this case, it is preferable that the guide tube extends long from the evaporation source 25 to a position close to the mask M supported by the mask support unit 23. As a result, among the film-forming materials scattered in any direction from the evaporation source 25, the film-forming material diagonally directed to the wall side of the guide tube from the Z direction adheres to the wall of the guide tube and substantially heads in the Z direction. Only the film-forming material (that is, the film-forming material traveling straight in the Z direction) passes through the opening of the mask M and is deposited on the substrate W. Therefore, even if the film formation operation is performed with the substrate W and the mask M separated from each other at a predetermined interval, the film formation can be performed with high accuracy.

図4は本発明の他の実施形態による成膜装置11bの構成を説明するための模式的断面図である。図4の成膜装置11bでも、基板Wを吸着して保持する静電チャック24と、マスクMを支持するマスク支持ユニット23と、静電チャックアクチュエータ28と、マスク支持ユニットアクチュエータ27と、位置調整機構29などの図示は省略している。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the film forming apparatus 11b according to another embodiment of the present invention. Also in the film forming apparatus 11b of FIG. 4, the positions of the electrostatic chuck 24 that attracts and holds the substrate W, the mask support unit 23 that supports the mask M, the electrostatic chuck actuator 28, and the mask support unit actuator 27 are adjusted. Illustration of the mechanism 29 and the like is omitted.

本発明の一実施形態による成膜装置11bは、真空容器21と、静電チャック24と、マスク支持ユニット23と、静電チャックアクチュエータ28と、位置調整機構29と、蒸発源25と、成膜装置11bの動作を制御する制御部33を含む。 The film forming apparatus 11b according to the embodiment of the present invention includes a vacuum vessel 21, an electrostatic chuck 24, a mask support unit 23, an electrostatic chuck actuator 28, a position adjusting mechanism 29, an evaporation source 25, and a film forming apparatus. A control unit 33 that controls the operation of the device 11b is included.

また、成膜装置11bは、マスク支持ユニット23又はマスク支持ユニットアクチュエータ27に連結され、マスク支持ユニット23をXY方向のうち少なくとも一つの方向に移動させるための位置移動機構34をさらに含む。位置移動機構34は、マスク支持ユニット23又はマスク支持ユニットアクチュエータ27をX方向とY方向のうち少なくとも一つの方向に所定距離(例えば、長方形の単位成膜領域のX方向及び/又はY方向の辺の長さ)移動させることによって、基板の複数の単位成膜領域それぞれとマスクの開口とが順次に対応するようにする。 Further, the film forming apparatus 11b is connected to the mask support unit 23 or the mask support unit actuator 27, and further includes a position moving mechanism 34 for moving the mask support unit 23 in at least one of the XY directions. The position moving mechanism 34 makes the mask support unit 23 or the mask support unit actuator 27 a predetermined distance in at least one of the X direction and the Y direction (for example, the side of the rectangular unit film forming region in the X direction and / or the Y direction). By moving the substrate, each of the plurality of unit film forming regions of the substrate and the opening of the mask sequentially correspond to each other.

本実施形態において、位置移動機構34は、マスク支持ユニット23とマスク支持ユニットに支持されているマスクMを移動させ、静電チャック24と静電チャックに吸着している基板Wは移動させない。この構成によれば、基板Wは移動しないので、アライメントのためにアライメント用カメラ31を移動させる必要がない。また、蒸発源25に別途のガイド部材35(図3参照)が設置されなくてもよい。 In the present embodiment, the position moving mechanism 34 moves the mask support unit 23 and the mask M supported by the mask support unit, and does not move the electrostatic chuck 24 and the substrate W adsorbed on the electrostatic chuck. According to this configuration, since the substrate W does not move, it is not necessary to move the alignment camera 31 for alignment. Further, it is not necessary to install a separate guide member 35 (see FIG. 3) on the evaporation source 25.

位置移動機構34がマスクMを移動させることによって基板Wの複数の単位成膜領域のうち一つがマスクMの開口に対応する位置に移動したら、位置調整機構29は基板WとマスクMのアライメントを行う。本実施形態によれば、位置調整機構29によるアライメントは、基板Wに対するアライメントである全体アライメントと、単位成膜領域それぞれに対する部分アライメントを含む。実施形態によって、複数の単位成膜領域それぞれに対し部分アライメントを行うたびに全体アライメントも同時に行うか、又は、基板Wに対し全体アライメントを行った後、それ以降は、部分アライメントだけを行う。 When the position moving mechanism 34 moves the mask M to move one of the plurality of unit film forming regions of the substrate W to the position corresponding to the opening of the mask M, the position adjusting mechanism 29 aligns the substrate W with the mask M. conduct. According to the present embodiment, the alignment by the position adjusting mechanism 29 includes a total alignment which is an alignment with respect to the substrate W and a partial alignment with respect to each unit film forming region. Depending on the embodiment, the whole alignment is performed at the same time every time the partial alignment is performed for each of the plurality of unit film forming regions, or after the whole alignment is performed for the substrate W, only the partial alignment is performed thereafter.

本実施形態によれば、蒸発源25はマスクMの開口(点線で表示)のZ軸方向下方に位置することが好ましい。このため、マスクMが位置移動機構34によって移動するにつれ、蒸発源25もマスクMに追従して移動するように、蒸発源25をXY方向のうち少なく
とも一つの方向に移動させるための駆動機構を含む。これにより、蒸発源25から飛散する成膜材料のうち、Z軸方向に向かう成膜材料だけがマスクMの開口を通過し基板Wに成膜される。したがって、基板WとマスクMを所定の間隔で離隔させた状態で成膜工程を行っても、高い精度で成膜が可能となる。
According to the present embodiment, the evaporation source 25 is preferably located below the opening of the mask M (indicated by the dotted line) in the Z-axis direction. Therefore, as the mask M moves by the position moving mechanism 34, a drive mechanism for moving the evaporation source 25 in at least one of the XY directions is provided so that the evaporation source 25 also moves following the mask M. include. As a result, of the film-forming materials scattered from the evaporation source 25, only the film-forming material directed in the Z-axis direction passes through the opening of the mask M and is formed on the substrate W. Therefore, even if the film forming step is performed with the substrate W and the mask M separated from each other at a predetermined interval, the film forming can be performed with high accuracy.

<成膜方法>
以下、図3又は図4に示す本発明の一実施形態による成膜装置11a、11bにおける
成膜方法について説明する。
<Film formation method>
Hereinafter, the film forming method in the film forming apparatus 11a and 11b according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 3 or FIG. 4 will be described.

まず、真空容器21内のマスク支持ユニット23にマスクMが支持された状態で、搬送室13の搬送ロボット14によって成膜装置11の真空容器21内に基板Wが搬入される。 First, with the mask M supported by the mask support unit 23 in the vacuum container 21, the substrate W is carried into the vacuum container 21 of the film forming apparatus 11 by the transfer robot 14 in the transfer chamber 13.

そして、制御部33は、静電チャック24に基板吸着電圧を印加し、搬送ロポット14によって真空容器21内に搬入され基板支持ユニット22に支持されている基板Wを静電チャック24に吸着させる。実施形態によっては、搬送ロポット14によって真空容器21に搬入された基板Wを静電チャック24に吸着させてもよい。基板Wを静電チャック24に吸着させる際に、静電チャック24の吸着面全体に基板Wの全面を同時に吸着させてもよく、静電チャック24の複数の領域のうち一の領域から他の領域に向かって順次に基板Wを吸着させてもよい。 Then, the control unit 33 applies a substrate adsorption voltage to the electrostatic chuck 24, and attracts the substrate W carried into the vacuum vessel 21 by the transport lopot 14 and supported by the substrate support unit 22 to the electrostatic chuck 24. Depending on the embodiment, the substrate W carried into the vacuum container 21 by the transfer lopot 14 may be adsorbed on the electrostatic chuck 24. When the substrate W is adsorbed on the electrostatic chuck 24, the entire surface of the substrate W may be adsorbed simultaneously on the entire adsorption surface of the electrostatic chuck 24, from one region of the plurality of regions of the electrostatic chuck 24 to the other. The substrate W may be adsorbed sequentially toward the region.

次いで、基板WとマスクMの相対位置の調整のために、第1のアライメント(全体アライメント)を行う。このために、まず、制御部33は、静電チャック24に吸着された基板Wとマスク支持ユニット23によって支持されたマスクMとの間の距離が、予め設定された全体アライメント計測距離になるまで、静電チャック24とマスク支持ユニット23を相対的に移動(例えば、マスク支持ユニット23を下降)させる。 Next, a first alignment (overall alignment) is performed to adjust the relative positions of the substrate W and the mask M. For this purpose, first, the control unit 33 reaches until the distance between the substrate W attracted to the electrostatic chuck 24 and the mask M supported by the mask support unit 23 becomes a preset overall alignment measurement distance. , The electrostatic chuck 24 and the mask support unit 23 are relatively moved (for example, the mask support unit 23 is lowered).

基板WとマスクMとの間の距離が所定の全体アライメント計測距離になると、アライメント用カメラ31により、基板W及びマスクMのアライメントマークを撮像し、XYθ方向における基板WとマスクMの相対位置を測定し、これに基づいて、両者間の相対位置ずれ量を算出する。 When the distance between the substrate W and the mask M reaches a predetermined overall alignment measurement distance, the alignment camera 31 captures the alignment marks of the substrate W and the mask M, and determines the relative position of the substrate W and the mask M in the XYθ direction. The measurement is performed, and the relative misalignment between the two is calculated based on this.

そして、制御部33は、算出された相対位置ずれ量に基づいて、静電チャック24とマスク支持ユニット23を相対的に移動させて、基板W全体に対するマスクMの相対位置を調整する。 Then, the control unit 33 relatively moves the electrostatic chuck 24 and the mask support unit 23 based on the calculated relative position shift amount, and adjusts the relative position of the mask M with respect to the entire substrate W.

全体アライメントが完了すると、基板Wの単位成膜領域での、基板WとマスクMの相対位置の調整のために、第2のアライメント(部分アライメント)を行う。部分アライメントは、基板Wの素子形成領域を構成する複数の単位成膜領域のうち、先ず、一番目の単位成膜領域に対して行われる。 When the overall alignment is completed, a second alignment (partial alignment) is performed to adjust the relative positions of the substrate W and the mask M in the unit film formation region of the substrate W. The partial alignment is first performed on the first unit film forming region among the plurality of unit film forming regions constituting the element forming region of the substrate W.

このため、制御部33は、まず、マスク支持ユニットアクチュエータ27によってマスク支持ユニット23を上昇させ、マスクMが基板Wに対して部分アライメント計測位置まで来るようにする。実施形態によっては、部分アライメント計測位置は全体アライメント計測位置と同じ位置であってもよく、この場合にはマスク支持ユニット23を上昇させない。そして、マスクMが基板Wに対して部分アライメント計測位置に来ると、アライメント用カメラ31で基板WとマスクMのアライメントマークを撮像し、XYθ方向における基板WとマスクMの相対位置ずれ量を測定する。この時、基板Wのアライメントマークは、素子形成領域の各パネル単位でスクライブ領域に設置されるか、又は、単位成膜領域の単位で素子形成領域内に設置されている。 Therefore, the control unit 33 first raises the mask support unit 23 by the mask support unit actuator 27 so that the mask M comes to the partial alignment measurement position with respect to the substrate W. Depending on the embodiment, the partial alignment measurement position may be the same as the total alignment measurement position, and in this case, the mask support unit 23 is not raised. Then, when the mask M comes to the partial alignment measurement position with respect to the substrate W, the alignment camera 31 captures the alignment mark between the substrate W and the mask M, and measures the relative positional deviation between the substrate W and the mask M in the XYθ direction. do. At this time, the alignment mark of the substrate W is installed in the scribe region in each panel unit of the element forming region, or is installed in the element forming region in the unit of the unit film forming region.

部分アライメント計測位置における基板WとマスクMとの間の相対位置ずれ量が所定の閾値より大ければ、測定された相対位置ずれ量に基づいて、制御部33は、位置調整機構29を制御し、基板W及び/又はマスクMの相対位置をXYθ方向に調整する。 If the relative position shift amount between the substrate W and the mask M at the partial alignment measurement position is larger than a predetermined threshold value, the control unit 33 controls the position adjustment mechanism 29 based on the measured relative position shift amount. , The relative position of the substrate W and / or the mask M is adjusted in the XYθ direction.

このような過程を、基板WとマスクMの相対位置ずれ量が所定の閾値より小さくなるまで繰り返す。 Such a process is repeated until the relative positional deviation between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value.

そして、基板WとマスクMの相対位置ずれ量が所定の閾値よりも小さくなると、該単位成膜領域に対して成膜動作を行う。このため、制御部33は、まず、静電チャック24に吸着された基板WとマスクMが所定の距離離間するように、静電チャック24とマスク支持ユニット23の少なくとも一方を上昇又は下降させる。 Then, when the relative positional deviation between the substrate W and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold value, a film forming operation is performed on the unit film forming region. Therefore, the control unit 33 first raises or lowers at least one of the electrostatic chuck 24 and the mask support unit 23 so that the substrate W adsorbed on the electrostatic chuck 24 and the mask M are separated by a predetermined distance.

そして、本実施形態においては、基板WとマスクMが所定の距離離間した状態で、成膜動作を開始する。制御部33は、蒸発源25のシャッタを開け、蒸発した成膜材料をマスクMを介して基板Wに成膜する。 Then, in the present embodiment, the film forming operation is started with the substrate W and the mask M separated by a predetermined distance. The control unit 33 opens the shutter of the evaporation source 25 and deposits the evaporated film-forming material on the substrate W via the mask M.

以上の過程を通じて、複数の単位成膜領域のうち一番目の単位成膜領域に対する成膜動作が完了すると、制御部33は、位置移動機構34を制御し、二番目の単位成膜領域にマスクMの開口が対応するように、基板WとマスクMを相対的に移動させる。前述した図3の成膜装置11aでは基板WがXY方向に移動し、前述した図4の成膜装置11bではマスクMがXY方向に移動する。このとき、制御部33は、蒸発源25のシャッターを閉じて、蒸発した成膜材料がマスクM方向に放出されないようにする。 Through the above process, when the film forming operation for the first unit film forming region among the plurality of unit film forming regions is completed, the control unit 33 controls the position moving mechanism 34 and masks the second unit film forming region. The substrate W and the mask M are relatively moved so that the openings of M correspond to each other. In the film forming apparatus 11a of FIG. 3 described above, the substrate W moves in the XY direction, and in the film forming apparatus 11b of FIG. 4 described above, the mask M moves in the XY direction. At this time, the control unit 33 closes the shutter of the evaporation source 25 so that the evaporated film-forming material is not discharged in the mask M direction.

本実施形態では、一番目の単位成膜領域に対する成膜動作が基板WとマスクMが離隔された状態で行われるので、位置移動機構34による基板WとマスクMの相対移動のために、基板W又はマスクMをZ方向に再び昇降させる必要はない。しかし、これに限定されず、必要に応じて、基板W又はマスクMをZ方向に昇降させてもよい。 In the present embodiment, since the film forming operation for the first unit film forming region is performed in a state where the substrate W and the mask M are separated from each other, the substrate W and the mask M are moved relative to each other by the position moving mechanism 34. It is not necessary to move W or the mask M up and down again in the Z direction. However, the present invention is not limited to this, and the substrate W or the mask M may be moved up and down in the Z direction as needed.

次いで、二番目の単位成膜領域に対するアライメント動作を行う。二番目の単位成膜領域に対するアライメントは、前述した全体アライメント(第1アライメント)をもう一度行ってから、二番目の単位成膜領域に対する部分アライメント(第2アライメント)を行ってもよい。又は、全体アライメントは再度行わずに部分アライメントだけを行ってもよい。 Next, an alignment operation with respect to the second unit film formation region is performed. For the alignment with respect to the second unit film formation region, the above-mentioned overall alignment (first alignment) may be performed again, and then partial alignment with respect to the second unit film formation region (second alignment) may be performed. Alternatively, only partial alignment may be performed without performing full alignment again.

次いで、基板WとマスクMが所定の距離離隔された状態で、二番目の単位成膜領域に対する成膜動作を開始する。制御部33は、蒸発源25のシャッターを開いて、蒸発した成膜材料をマスクMを介して基板Wに成膜する。 Next, in a state where the substrate W and the mask M are separated by a predetermined distance, the film forming operation for the second unit film forming region is started. The control unit 33 opens the shutter of the evaporation source 25 and deposits the evaporated film-forming material on the substrate W via the mask M.

以上で説明した位置移動機構34による基板WとマスクMとの相対移動と、各単位成膜領域に対するアライメント動作及び成膜動作は、素子形成領域の全体に対して成膜材料の成膜が完了するまで繰り返し行われる。 The relative movement between the substrate W and the mask M by the position moving mechanism 34 described above, and the alignment operation and the film forming operation for each unit film forming region complete the film formation of the film forming material on the entire element forming region. It is repeated until it is done.

なお、上述の説明では、成膜装置11a、11bは、基板Wの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式(デポアップ)の構成としたが、本発明はこれに限定はされず、基板Wが真空容器21の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Wの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。 In the above description, the film forming apparatus 11a and 11b have a so-called upward vapor deposition method (depot-up) in which the film forming surface of the substrate W faces downward in the vertical direction. The present invention is not limited to this, and the substrate W is arranged in a state of being vertically erected on the side surface side of the vacuum vessel 21, and the film formation is performed in a state where the film formation surface of the substrate W is parallel to the direction of gravity. May be.

<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下
、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
<Manufacturing method of electronic devices>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, the configuration and manufacturing method of the organic EL display device will be illustrated as an example of the electronic device.

まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図5(a)は有機EL表示装置60の全体図、図5(b)は1画素の断面構造を表している。 First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 5A shows an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 5B shows a cross-sectional structure of one pixel.

図5(a)に示すように、有機EL表示装置60の表示領域61には、発光素子を複数備える画素62がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域61において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子62R、第2発光素子62G、第3発光素子62Bの組合せにより画素62が構成されている。画素62は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。 As shown in FIG. 5A, a plurality of pixels 62 including a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix in the display area 61 of the organic EL display device 60. Although the details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. The pixel referred to here refers to the smallest unit capable of displaying a desired color in the display area 61. In the case of the organic EL display device according to this embodiment, the pixel 62 is composed of a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B, which emit light different from each other. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element, and a white light emitting element, and is particularly limited to at least one color. It is not limited.

また、画素62を同じ発光を示す複数の発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように複数の異なる色変換素子がパターン状に配置されたカラーフィルタを用いて、一つの画素が表示領域61において所望の色の表示を可能としてもよい。例えば、画素62を少なくとも三つの白色発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように、赤色、緑色、青色の各色変換素子が配列されたカラーフィルタを用いてもよい。あるいは、画素62を少なくとも三つの青色発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように、赤色、緑色、無色の各色変換素子が配列されたカラーフィルタを用いてもよい。後者の場合には、カラーフィルタを構成する材料として量子ドット(Quantum Dot:QD)材料を用いた量子ドットカラーフィルタ(QD-CF)を用いることで、量子ドットカラーフィルタを用いない通常の有機EL表示装置よりも表示色域を広くすることができる。 Further, one pixel is displayed by using a color filter in which the pixel 62 is composed of a plurality of light emitting elements exhibiting the same light emission and a plurality of different color conversion elements are arranged in a pattern so as to correspond to each light emitting element. It may be possible to display a desired color in the region 61. For example, a color filter may be used in which the pixel 62 is composed of at least three white light emitting elements and the red, green, and blue color conversion elements are arranged so as to correspond to the respective white light emitting elements. Alternatively, a color filter may be used in which the pixel 62 is composed of at least three blue light emitting elements and each of the red, green, and colorless color conversion elements is arranged so as to correspond to each light emitting element. In the latter case, by using a quantum dot color filter (QD-CF) using a quantum dot (QD) material as a material constituting the color filter, a normal organic EL that does not use a quantum dot color filter is used. The display color range can be wider than that of the display device.

図5(b)は、図5(a)のA-B線における部分断面模式図である。画素62は、基板63上に、陽極64と、正孔輸送層65と、発光層66R、66G、66Bのいずれかと、電子輸送層67と、陰極68と、を備える有機EL素子を有している。これらのうち、正孔輸送層65、発光層66R、66G、66B、電子輸送層67が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層66Rは赤色を発する有機EL層、発光層66Gは緑色を発する有機EL層、発光層66Bは青色を発する有機EL層である。なお、上述のようにカラーフィルタ又は量子ドットカラーフィルタを用いる場合には、各発光層の光出射側、すなわち、図5(b)の上部又は下部にカラーフィルタ又は量子ドットカラーフィルタが配置されるが、図示は省略する。 5 (b) is a schematic partial cross-sectional view taken along the line AB of FIG. 5 (a). The pixel 62 has an organic EL element having an anode 64, a hole transport layer 65, any of the light emitting layers 66R, 66G, 66B, an electron transport layer 67, and a cathode 68 on the substrate 63. There is. Of these, the hole transport layer 65, the light emitting layer 66R, 66G, 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layer. Further, in the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. When a color filter or a quantum dot color filter is used as described above, the color filter or the quantum dot color filter is arranged on the light emitting side of each light emitting layer, that is, on the upper or lower part of FIG. 5 (b). However, the illustration is omitted.

発光層66R、66G、66Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、陽極64は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層65と電子輸送層67と陰極68は、複数の発光素子62R、62G、62Bに対して共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極64と陰極68とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層70が設けられている。 The light emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in a pattern corresponding to a light emitting element (sometimes referred to as an organic EL element) that emits red, green, and blue, respectively. Further, the anode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the cathode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, 62B, or may be formed for each light emitting element. An insulating layer 69 is provided between the anode 64 in order to prevent the anode 64 and the cathode 68 from being short-circuited by foreign matter. Further, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer 70 for protecting the organic EL element from moisture and oxygen is provided.

図5(b)では正孔輸送層65や電子輸送層67が一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極64と正孔輸送層65との間には陽極64から正孔輸送層65への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔
注入層を形成することもできる。同様に、陰極68と電子輸送層67の間にも電子注入層を形成することもできる。
In FIG. 5B, the hole transport layer 65 and the electron transport layer 67 are shown as one layer, but they are formed of a plurality of layers including the hole block layer and the electron block layer due to the structure of the organic EL display element. May be done. Further, between the anode 64 and the hole transport layer 65, a hole injection layer having an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the anode 64 into the hole transport layer 65 is provided. It can also be formed. Similarly, an electron injection layer can be formed between the cathode 68 and the electron transport layer 67.

次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.

まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び陽極64が形成された基板63を準備する。 First, a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a substrate 63 on which the anode 64 is formed are prepared.

陽極64が形成された基板63の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極64が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層69を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。 Acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the anode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by a lithography method so that an opening is formed in the portion where the anode 64 is formed to form an insulating layer 69. .. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.

絶縁層69がパターニングされた基板63を第1の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層65を、表示領域の陽極64の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層65は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層65は表示領域61よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。 The substrate 63 in which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first organic material film forming apparatus, the substrate is held by an electrostatic chuck, and the hole transport layer 65 is a common layer on the anode 64 in the display region. To form a film. The hole transport layer 65 is formed by vacuum vapor deposition. In reality, the hole transport layer 65 is formed to have a size larger than that of the display region 61, so that a high-definition mask is unnecessary.

次に、正孔輸送層65までが形成された基板63を第2の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、マスクを静電チャック24に基板を介して吸着させた後、基板63の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層66Rを成膜する。 Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 is formed is carried into the second organic material film forming apparatus and held by an electrostatic chuck. After aligning the substrate and the mask and adsorbing the mask to the electrostatic chuck 24 via the substrate, a light emitting layer 66R that emits red is formed on the portion of the substrate 63 where the element that emits red is arranged.

発光層66Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層66Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層66Bを成膜する。発光層66R、66G、66Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域61の全体に電子輸送層67を成膜する。電子輸送層67は、3色の発光層66R、66G、66Bに共通の層として形成される。 Similar to the film formation of the light emitting layer 66R, the light emitting layer 66G that emits green is formed by the third organic material film forming apparatus, and the light emitting layer 66B that emits blue is further formed by the fourth organic material forming apparatus. .. After the film formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed on the entire display region 61 by the fifth film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the light emitting layers 66R, 66G, and 66B of three colors.

電子輸送層67まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置に移動させて陰極68を成膜する。 The substrate formed up to the electron transport layer 67 is moved to a metallic vapor deposition material film forming apparatus to form a cathode 68.

本発明によると、基板とマスクを離間した状態で、小領域単位ごとにアライメント動作及び成膜動作を実施することで、成膜精度及び成膜動作の歩留まりを向上させることができる。 According to the present invention, it is possible to improve the film forming accuracy and the yield of the film forming operation by performing the alignment operation and the film forming operation for each small region unit in a state where the substrate and the mask are separated from each other.

その後、プラズマCVD装置に移動して保護層70を成膜して、有機EL表示装置60が完成する。 After that, it moves to a plasma CVD device to form a protective layer 70, and the organic EL display device 60 is completed.

絶縁層69がパターニングされた基板63を成膜装置に搬入してから保護層70の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。 From the time when the substrate 63 in which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film forming apparatus until the film formation of the protective layer 70 is completed, when the substrate 63 is exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen, a light emitting layer made of an organic EL material is formed. It may be deteriorated by moisture and oxygen. Therefore, in this example, the loading and unloading of the substrate between the film forming apparatus is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

前記実施例は本発明の一例を示すものでしかなく、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適宜に変形してもよい。 The embodiment is only an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.

11:成膜装置、21:真空容器、22:基板支持ユニット、23:マスク支持ユニット、24:静電チャック、25:蒸発源、26:基板支持ユニットアクチュエータ、27:
マスク支持ユニットアクチュエータ、28:静電チャックアクチュエータ、29:位置調整機構、31:アライメント用カメラ、33:制御部、34:位置移動機構、35:ガイド部材
11: Film forming apparatus, 21: Vacuum vessel, 22: Substrate support unit, 23: Mask support unit, 24: Electrostatic chuck, 25: Evaporation source, 26: Substrate support unit actuator, 27:
Mask support unit actuator, 28: electrostatic chuck actuator, 29: position adjustment mechanism, 31: alignment camera, 33: control unit, 34: position movement mechanism, 35: guide member

Claims (17)

複数の単位成膜領域を有する基板に前記単位成膜領域に対応する開口を有するマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を吸着するための基板吸着面を有する基板吸着手段と、
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するマスク支持ユニットと、
前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットとを前記基板吸着面に垂直な第1方向に移動させる昇降手段と、
前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットのうち少なくとも一つを前記基板吸着面と平行な面内で移動させるための位置移動機構と、
前記位置移動機構によって、前記マスクの開口が前記基板の複数の単位成膜領域のそれぞれに対応するようにして、前記単位成膜領域ごとに順番に成膜材料を成膜する成膜動作を行う制御部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate having a plurality of unit forming areas through a mask having an opening corresponding to the unit forming area.
With a vacuum container,
A substrate adsorption means provided in the vacuum container and having a substrate adsorption surface for adsorbing the substrate,
A mask support unit provided in the vacuum container to support the mask and
An elevating means for moving the substrate suction means and the mask support unit in a first direction perpendicular to the substrate suction surface, and
A position moving mechanism for moving at least one of the substrate suction means and the mask support unit in a plane parallel to the substrate suction surface.
By the position moving mechanism, the film forming operation is performed in which the film forming material is sequentially formed for each unit forming area so that the opening of the mask corresponds to each of the plurality of unit forming areas of the substrate. A film forming apparatus including a control unit.
前記制御部は、前記位置移動機構によって、固定された前記マスク支持ユニットに対し前記基板吸着手段を移動させて、前記マスクの開口が前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対応するように制御することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 The control unit moves the substrate suction means to the fixed mask support unit by the position moving mechanism, and controls the opening of the mask so as to correspond to each of the plurality of unit film forming regions. The film forming apparatus according to claim 1. 前記基板と前記マスクにそれぞれ形成されたアライメントマークを含む画像を取得するためのアライメント用カメラと、前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットのうち少なくとも一つを前記基板吸着面に平行な面内で移動させるためのアライメントステージ機構と、をさらに備え、
前記制御部は、前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対する成膜動作の前に、前記アライメント用カメラで取得したアライメントマークの相対位置に基づいて、前記アライメントステージ機構によって、前記基板と前記マスクの相対位置を調整するアライメント動作を行うように制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
An alignment camera for acquiring an image including an alignment mark formed on the substrate and the mask, and at least one of the substrate suction means and the mask support unit are placed in a plane parallel to the substrate suction surface. Further equipped with an alignment stage mechanism for movement,
The control unit uses the alignment stage mechanism to move the substrate and the mask based on the relative positions of the alignment marks acquired by the alignment camera before the film formation operation for each of the plurality of unit film formation regions. The film forming apparatus according to claim 1 or 2, wherein the film forming apparatus is controlled so as to perform an alignment operation for adjusting a relative position.
前記マスクの開口と、前記基板の単位成膜領域を含む画像を取得するためのアライメント用カメラと、前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットのうち少なくとも一つを前記基板吸着面に平行な面内で移動させるためのアライメントステージ機構と、をさらに備え、
前記制御部は、前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対する成膜動作の前に、前記アライメント用カメラで取得した開口と単位成膜領域のピクセルとの相対位置に基づいて、前記アライメントステージ機構によって、前記単位成膜領域と前記開口の相対位置を調整するアライメント動作を行うように制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
An alignment camera for acquiring an image including an opening of the mask and a unit film forming region of the substrate, and at least one of the substrate suction means and the mask support unit are in a plane parallel to the substrate suction surface. Further equipped with an alignment stage mechanism for moving with
The control unit is subjected to the alignment stage mechanism based on the relative position between the aperture acquired by the alignment camera and the pixel of the unit film forming region before the film forming operation for each of the plurality of unit film forming regions. The film forming apparatus according to claim 1 or 2, wherein the film forming apparatus is controlled so as to perform an alignment operation for adjusting the relative position between the unit film forming region and the opening.
前記アライメント動作は、前記基板全体に対する前記マスクの相対位置を調整する第1アライメント動作と、前記単位成膜領域のそれぞれに対する前記開口の相対位置を調整する第2アライメント動作を含むことを特徴とする請求項3又は4に記載の成膜装置。 The alignment operation is characterized by including a first alignment operation for adjusting the relative position of the mask with respect to the entire substrate and a second alignment operation for adjusting the relative position of the opening with respect to each of the unit film forming regions. The film forming apparatus according to claim 3 or 4. 前記マスク支持ユニットに対して前記基板吸着手段が設けられた側の反対側の、前記真空容器内に設けられ、成膜材料を収容する成膜源と、
前記真空容器内に設けられ、前記成膜源から飛散する成膜材料を前記マスクの開口に案内するガイド部材と、をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。
A film forming source provided in the vacuum vessel on the opposite side of the mask support unit on which the substrate adsorption means is provided and accommodating the film forming material.
The invention according to any one of claims 1 to 5, further comprising a guide member provided in the vacuum vessel and guiding the film-forming material scattered from the film-forming source to the opening of the mask. Film forming equipment.
前記ガイド部材は、前記成膜源の周縁部から前記第1方向に延びるガイド管を含むこと
を特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 6, wherein the guide member includes a guide tube extending from a peripheral portion of the film forming source in the first direction.
前記マスク支持ユニットに対して前記基板吸着手段が設置された側の反対側に、前記真空容器内で前記基板吸着面に平行な面内で移動可能に設置され、成膜材料を収容する成膜源をさらに備え、
前記制御部は、前記位置移動機構によって、固定された前記基板吸着手段に対し前記マスク支持ユニットを移動させて、前記マスクの開口が前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対応するように制御し、かつ、前記成膜源が前記開口に追従して移動するよう制御することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の成膜装置。
A film formation that is movably installed in the vacuum vessel on the side opposite to the side where the substrate adsorption means is installed with respect to the mask support unit in a plane parallel to the substrate adsorption surface to accommodate the film forming material. With more sources
The control unit moves the mask support unit to the fixed substrate suction means by the position moving mechanism, and controls the opening of the mask to correspond to each of the plurality of unit film forming regions. The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the film forming source is controlled to move following the opening.
複数の単位成膜領域を有する基板に前記単位成膜領域に対応する開口を有するマスクを介して成膜材料を成膜するための成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を吸着するための基板吸着面を有する基板吸着手段と、
前記真空容器内に設けられ、マスクを支持するマスク支持ユニットと、
前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットのうち少なくとも一つを前記基板吸着面と平行な面内で移動させるための位置移動機構と、
前記基板と前記マスクにそれぞれ形成されたアライメントマークを含む画像を取得するためのアライメント用カメラと、前記基板吸着手段と前記マスク支持ユニットのうち少なくとも一つを前記基板吸着面に平行な面内で移動させるためのアライメントステージ機構と、
前記成膜装置の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対する成膜動作の前に、前記アライメント用カメラで取得したアライメントマークの相対位置に基づいて、前記アライメントステージ機構によって、前記基板全体に対する前記マスクの相対位置を調整する第1アライメント動作と、前記単位成膜領域のそれぞれに対する前記開口の相対位置を調整する第2アライメント動作を含むアライメント動作を行うように制御し、前記位置移動機構によって、前記マスクの開口が前記基板の複数の単位成膜領域のそれぞれに対応するようにして、前記単位成膜領域ごとに順番に成膜材料を成膜する成膜動作を行うよう制御することを特徴とする成膜装置。
A film forming apparatus for forming a film forming material on a substrate having a plurality of unit forming areas through a mask having an opening corresponding to the unit forming area.
With a vacuum container,
A substrate adsorption means provided in the vacuum container and having a substrate adsorption surface for adsorbing the substrate,
A mask support unit provided in the vacuum container to support the mask and
A position moving mechanism for moving at least one of the substrate suction means and the mask support unit in a plane parallel to the substrate suction surface.
An alignment camera for acquiring an image including an alignment mark formed on the substrate and the mask, and at least one of the substrate suction means and the mask support unit are placed in a plane parallel to the substrate suction surface. Alignment stage mechanism for moving and
A control unit that controls the operation of the film forming apparatus is provided.
The control unit uses the alignment stage mechanism to mask the entire substrate based on the relative position of the alignment mark acquired by the alignment camera before the film formation operation for each of the plurality of unit film formation regions. A first alignment operation for adjusting the relative position of the The feature is that the opening of the mask corresponds to each of the plurality of unit film forming regions of the substrate, and the film forming operation for forming the film forming material in order for each unit film forming region is controlled. Film forming equipment.
請求項1ないし9のいずれか1項に記載の成膜装置と、
マスクを収納するためのマスクストック装置と、
基板及び/又はマスクを搬送するための搬送装置と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
The film forming apparatus according to any one of claims 1 to 9.
A mask stock device for storing masks and
An electronic device manufacturing apparatus comprising: a transport device for transporting a substrate and / or a mask.
基板とマスクを、基板面に平行な面内で相対的に位置調整するアライメント工程と、
前記アライメント工程の後に、前記マスクを介して前記基板に成膜を行う成膜工程と、を含む成膜方法であって、
前記基板は、複数の単位成膜領域を有し、前記マスクは、前記単位成膜領域に対応する開口を有し、
前記成膜工程では、前記マスクの開口が前記基板の複数の単位成膜領域のそれぞれに対応するようにして、前記単位成膜領域ごとに順番に成膜材料を成膜することを特徴とする成膜方法。
An alignment process that adjusts the position of the substrate and mask relative to the plane parallel to the substrate surface.
A film forming method including a film forming step of forming a film on the substrate via the mask after the alignment step.
The substrate has a plurality of unit film forming regions, and the mask has an opening corresponding to the unit film forming region.
The film forming step is characterized in that the film forming material is sequentially formed for each unit forming area so that the opening of the mask corresponds to each of the plurality of unit forming areas of the substrate. Film formation method.
前記成膜工程では、固定された前記マスクに対し前記基板を基板面に平行な面内で移動させて、前記マスクの開口を前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対応させることを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。 The film forming step is characterized in that the substrate is moved in a plane parallel to the substrate surface with respect to the fixed mask so that the opening of the mask corresponds to each of the plurality of unit film forming regions. The film forming method according to claim 11. 前記アライメント工程は、前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対する前記成膜工程の前に、前記基板と前記マスクのそれぞれに形成されたアライメントマークの相対位置に基づいて、前記基板と前記マスクの相対位置を調整することを含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の成膜方法。 The alignment step is relative to the substrate and the mask based on the relative positions of the alignment marks formed on the substrate and the mask before the film formation step for each of the plurality of unit film forming regions. The film forming method according to claim 11 or 12, which comprises adjusting the position. 前記アライメント工程は、前記複数の単位成膜領域のそれぞれに対する成膜工程の前に、開口と単位成膜領域のピクセルとの相対位置に基づいて、前記単位成膜領域と前記開口の相対位置を調整することを含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の成膜方法。 In the alignment step, the relative positions of the unit film forming region and the opening are determined based on the relative positions of the openings and the pixels of the unit forming region before the forming step for each of the plurality of unit forming regions. The film forming method according to claim 11 or 12, which comprises adjusting. 前記アライメント工程は、前記基板全体に対する前記マスクの相対位置を調整する第1アライメント工程と、前記単位成膜領域のそれぞれに対する前記開口の相対位置を調整する第2アライメント工程を含むことを特徴とする請求項13又は14に記載の成膜方法。 The alignment step is characterized by including a first alignment step of adjusting the relative position of the mask with respect to the entire substrate and a second alignment step of adjusting the relative position of the opening with respect to each of the unit film forming regions. The film forming method according to claim 13 or 14. 基板とマスクを、基板面に平行な面内で相対的に位置調整するアライメント工程と、
前記アライメント工程の後に、前記マスクを介して前記基板に成膜を行う成膜工程と、を含む成膜方法であって、
前記基板は、複数の単位成膜領域を有し、前記マスクは、前記単位成膜領域に対応する開口を有し、
前記複数の単位成膜領域のそれぞれに成膜材料を成膜する前記成膜工程は、前記基板全体に対する前記マスクの相対位置を調整する第1アライメント工程と、前記単位成膜領域のそれぞれに対する前記開口の相対位置を調整する第2アライメント工程と、を含むアライメント工程の後に行われることを特徴とする成膜方法。
An alignment process that adjusts the position of the substrate and mask relative to the plane parallel to the substrate surface.
A film forming method including a film forming step of forming a film on the substrate via the mask after the alignment step.
The substrate has a plurality of unit film forming regions, and the mask has an opening corresponding to the unit film forming region.
The film forming step of forming a film forming material in each of the plurality of unit film forming regions includes a first alignment step of adjusting the relative position of the mask with respect to the entire substrate and the film forming step for each of the unit film forming regions. A film forming method characterized by being performed after an alignment step including a second alignment step of adjusting the relative position of the openings.
請求項11ないし16のいずれか1項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A method for manufacturing an electronic device, which comprises manufacturing an electronic device by using the film forming method according to any one of claims 11 to 16.
JP2020201716A 2019-12-24 2020-12-04 Film forming equipment, electronic device manufacturing equipment, film forming method, and electronic device manufacturing method Active JP7017619B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022010786A JP7271740B2 (en) 2019-12-24 2022-01-27 Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0173704 2019-12-24
KR1020190173704A KR20210081589A (en) 2019-12-24 2019-12-24 Film forming apparatus, manufacturing apparatus of electronic device, film forming method, and manufacturing method of electronic device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022010786A Division JP7271740B2 (en) 2019-12-24 2022-01-27 Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021102812A JP2021102812A (en) 2021-07-15
JP7017619B2 true JP7017619B2 (en) 2022-02-08

Family

ID=76709473

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020201716A Active JP7017619B2 (en) 2019-12-24 2020-12-04 Film forming equipment, electronic device manufacturing equipment, film forming method, and electronic device manufacturing method
JP2022010786A Active JP7271740B2 (en) 2019-12-24 2022-01-27 Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022010786A Active JP7271740B2 (en) 2019-12-24 2022-01-27 Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP7017619B2 (en)
KR (1) KR20210081589A (en)
CN (1) CN113106395B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022059618A (en) * 2019-12-24 2022-04-13 キヤノントッキ株式会社 Film deposition device, device for producing electronic device, film deposition method, and method for producing electronic device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230153052A (en) * 2022-04-28 2023-11-06 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film forming apparatus, film forming method, manufacturing method of electronic device and computer program recording media
JP2024073943A (en) * 2022-11-18 2024-05-30 キヤノントッキ株式会社 Film deposition apparatus and film deposition method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103341A (en) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent element
JP2013055039A (en) 2011-08-11 2013-03-21 Canon Inc Manufacturing method of el light-emitting device and vapor deposition device
JP2013163837A (en) 2012-02-09 2013-08-22 Canon Tokki Corp Vapor deposition apparatus, and method of forming film using the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5957322B2 (en) * 2012-07-19 2016-07-27 キヤノントッキ株式会社 Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
KR101960194B1 (en) * 2017-11-29 2019-03-19 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of organic el display device
KR101993532B1 (en) * 2017-11-29 2019-06-26 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film formation apparatus, film formation method and manufacturing method of electronic device
KR102049668B1 (en) * 2018-05-28 2019-11-27 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film formation apparatus
KR102427823B1 (en) * 2018-06-11 2022-07-29 캐논 톡키 가부시키가이샤 Electrostatic chuck system, film forming apparatus, adsorption process, film forming method and electronic device manufacturing method
KR20210081589A (en) * 2019-12-24 2021-07-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 Film forming apparatus, manufacturing apparatus of electronic device, film forming method, and manufacturing method of electronic device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103341A (en) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescent element
JP2013055039A (en) 2011-08-11 2013-03-21 Canon Inc Manufacturing method of el light-emitting device and vapor deposition device
JP2013163837A (en) 2012-02-09 2013-08-22 Canon Tokki Corp Vapor deposition apparatus, and method of forming film using the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022059618A (en) * 2019-12-24 2022-04-13 キヤノントッキ株式会社 Film deposition device, device for producing electronic device, film deposition method, and method for producing electronic device
JP7271740B2 (en) 2019-12-24 2023-05-11 キヤノントッキ株式会社 Film forming apparatus, electronic device manufacturing apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210081589A (en) 2021-07-02
JP2021102812A (en) 2021-07-15
CN113106395A (en) 2021-07-13
JP7271740B2 (en) 2023-05-11
CN113106395B (en) 2023-08-15
JP2022059618A (en) 2022-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7017619B2 (en) Film forming equipment, electronic device manufacturing equipment, film forming method, and electronic device manufacturing method
JP7429723B2 (en) Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method
JP7090686B2 (en) Manufacturing method for film forming equipment and electronic devices
JP7450372B2 (en) Film deposition apparatus, film deposition method, and electronic device manufacturing method
CN111128828B (en) Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method and apparatus, and method for manufacturing electronic device
KR102590797B1 (en) Adsorption system, adsorption method and film forming apparatus using the same, film forming method, and manufacturing method of electronic device
JP7082172B2 (en) Alignment device, film formation device, alignment method, film formation method, and manufacturing method of electronic devices
CN111293067A (en) Electrostatic chuck, electrostatic chuck system, film forming apparatus and method, adsorption method, and method for manufacturing electronic device
JP7024044B2 (en) Film forming equipment, film forming method using this, and manufacturing method of electronic devices
JP2021141312A (en) Adsorption device, film forming device, adsorption method, film forming method, and manufacturing method of electronic device
KR102179271B1 (en) Film forming apparatus, manufacturing apparatus of electronic device, film forming method, and manufacturing method of electronic device
KR102634162B1 (en) Mask replacement timing determination apparatus, film forming apparatus, mask replacement timing determination method, film forming method, and manufacturing method of electronic device
KR20210045745A (en) Film forming apparatus, manufacturing apparatus of electronic device, film forming method, and manufacturing method of electronic device
JP2020070491A (en) Alignment device, film deposition, alignment method, film deposition method, and electronic device manufacturing method
JP7078694B2 (en) Film forming equipment, film forming method, and manufacturing method of electronic devices
JP7069280B2 (en) Film forming equipment, film forming method, and manufacturing method of electronic devices
JP2021095632A (en) Alignment device, film deposition device, alignment method, film deposition method, and electronic device manufacturing method
JP2021042467A (en) Adsorber, film deposition apparatus, adsorption method, film deposition method and method for manufacturing electronic device
JP2020070490A (en) Adsorption and alignment method, adsorption system, film deposition method, film deposition device, and electronic device manufacturing method
KR20200014113A (en) Electrostatic chuk system, film formation apparatus, suction method, film formation method, and manufacturing method of electronic device
WO2023210464A1 (en) Film deposition device, film deposition method, electronic device manufacturing method, and computer program recording medium
JP7078696B2 (en) Film forming equipment, film forming method, and manufacturing method of electronic devices
KR102481907B1 (en) Film forming apparatus, film forming method and manufacturinh method of electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7017619

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150