KR102481907B1 - Film forming apparatus, film forming method and manufacturinh method of electronic device - Google Patents

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Abstract

본 발명의 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 대향하는 주연부를 각각 지지하는 한 쌍의 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키도록 제어하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승되는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus that forms a film of a film forming material on a substrate through a mask, and includes a pair of substrate support portions disposed in a chamber and respectively supporting opposite periphery portions of the substrate, and disposed above the substrate support portion. and a substrate adsorption unit for adsorbing the substrate supported by the substrate support unit, and a control unit for controlling elevation of the substrate support unit toward the substrate adsorption unit, wherein the control unit controls the pair of substrate support units. The substrate adsorption means is controlled so as to be sequentially raised toward the substrate adsorption means, and of the pair of substrate support sections, one substrate support part that is raised first toward the substrate adsorption means or the substrate adsorption means facing the one substrate support part. It is characterized in that the coefficient of friction with respect to the substrate of the surface of the substrate support part on the other side, which later rises toward the substrate adsorption means, is smaller than that of the surface of the substrate adsorption means.

Description

성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법{FILM FORMING APPARATUS, FILM FORMING METHOD AND MANUFACTURINH METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}Film formation apparatus, film formation method, and electronic device manufacturing method

본 발명은 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and a method of manufacturing an electronic device.

유기 EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막 장치의 증발원으로부터 증발한 증착 재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the manufacture of an organic EL display device (organic EL display), when forming an organic light emitting element (organic EL element; OLED) constituting the organic EL display device, the evaporation material evaporated from the evaporation source of the film forming device is used to form the pixel pattern. By depositing on a substrate through a mask, an organic material layer or a metal layer is formed.

상향 증착 방식(Depo-up)의 성막 장치에 있어서, 증발원은 성막 장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막 장치에 있어서, 기판은 성막면인 하면에 형성된 유기물층/전극층에 손상을 주지 않도록 하면의 주연을 기판 홀더의 지지부에 의해 지지한다. 이 경우, 기판의 사이즈가 커짐에 따라 기판 홀더의 지지부에 의해 지지되지 못한 기판의 중앙부가 기판의 자중에 의해 처지게 되며, 이는 증착 정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향 증착 방식 이외의 방식의 성막 장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다. In the film formation apparatus of the upward deposition method (depo-up), the evaporation source is installed in the lower part of the vacuum container of the film formation apparatus, the substrate is disposed on the upper part of the vacuum container, and deposition is performed on the lower surface of the substrate. In this upward deposition type film formation apparatus, the periphery of the lower surface of the substrate is supported by the support part of the substrate holder so as not to damage the organic material layer/electrode layer formed on the lower surface, which is the film forming surface. In this case, as the size of the substrate increases, the central portion of the substrate that is not supported by the support portion of the substrate holder sags due to the weight of the substrate, which becomes one of the factors deteriorating deposition accuracy. Even in a film forming apparatus of a method other than the upward deposition method, there is a possibility that the substrate may sag due to its own weight.

기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상부에 정전척을 설치하고, 기판 홀더의 지지부에 의해 지지된 기판의 상면을 정전척에 흡착시킴으로써 기판의 중앙부가 정전척의 정전인력에 의해 당겨지도록 하여 기판의 처짐을 저감할 수 있도록 하고 있다.As a method for reducing the deflection of a substrate due to its own weight, a technique using an electrostatic chuck is under review. That is, by installing an electrostatic chuck on the upper part of the substrate and adsorbing the upper surface of the substrate supported by the support part of the substrate holder to the electrostatic chuck, the central part of the substrate is pulled by the electrostatic attraction of the electrostatic chuck, thereby reducing the deflection of the substrate. are doing

그런데, 이와 같이 기판을 정전척을 사용하여 위쪽에서부터 흡착하는 방식에 있어서, 기판의 전체 면을 동시에 흡착하고자 할 때에는 기판이 정전척에 고르게 편평하게 흡착되지 못하고 특히 중앙부에 주름이 생기는 경우가 있다.However, in the method of adsorbing the substrate from the top using the electrostatic chuck, when the entire surface of the substrate is to be simultaneously adsorbed, the substrate is not evenly and flatly adsorbed by the electrostatic chuck, and wrinkles may occur in the center.

즉, 기판 지지부에 의해 지지된 기판을 정전척을 향해 상승(또는 정전척을 기판을 향해 하강)시켜 기판과 정전척을 상호 근접 또는 접촉시킨 상태에서 정전척의 전면에 흡착 전압을 인가하면, 지지부에 의해 지지된 기판의 주연부가 처진 중앙부보다는 정전척에 먼저 흡착되게 되고, 이로 인해 기판 중앙부의 처짐이 충분히 펴지지 못하고 주름이 남게 된다. That is, when the substrate supported by the substrate supporter is raised toward the electrostatic chuck (or the electrostatic chuck is lowered toward the substrate) and a suction voltage is applied to the front surface of the electrostatic chuck in a state where the substrate and the electrostatic chuck are in close proximity or contact with each other, the support The periphery of the substrate supported by the substrate is adsorbed to the electrostatic chuck first rather than the sagging central portion, and as a result, the sagging of the central portion of the substrate is not sufficiently straightened and wrinkles remain.

이러한 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 억제하기 위한 기술로서, 기판의 대향하는 양쪽 주연부(가장자리)를 지지하는 기판 지지부를 차례로 상승시켜 기판을 정전척에 접촉시키는 것이 검토되고 있으나, 여전히 주름 발생을 충분히 억제하지 못한다는 과제가 있었다.As a technique for suppressing the generation of wrinkles when adsorbed to such an electrostatic chuck, sequentially raising the substrate support portion supporting opposite peripheries (edges) of the substrate to bring the substrate into contact with the electrostatic chuck has been studied, but wrinkles still occur. There was a problem of not being able to suppress it sufficiently.

예컨대, 도 6에 도시한 바와 같이, 대향하는 좌우의 기판 지지부(220) 중 한쪽을 먼저 상승시켜 해당 지지부에 의해 지지되던 기판(S)의 일측 주연부를 정전척(240)에 접촉시키고, 이어서 반대쪽 지지부를 상승시켜 기판(S)의 타측 주연부도 정전척(240)에 접촉시킬 경우, 기판(S) 중앙부의 처짐이 충분히 해소되지 못하고, 여전히 중앙 영역에 주름이 남는 상태로 흡착될 수 있다.For example, as shown in FIG. 6, one side of the opposing left and right substrate supporters 220 is first raised to bring the periphery of one side of the substrate S supported by the corresponding supporter into contact with the electrostatic chuck 240, and then the opposite side When the other edge of the substrate S is also brought into contact with the electrostatic chuck 240 by elevating the support portion, the substrate S may not sufficiently resolve the sagging of the central portion, and may be adsorbed with wrinkles still remaining in the central region.

이에, 본 발명은 상기 과제를 감안하여, 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 보다 효과적으로 억제하는 것을 목적으로 한다.In view of the above problems, an object of the present invention is to more effectively suppress the generation of wrinkles during adsorption to an electrostatic chuck.

본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 대향하는 주연부를 각각 지지하는 한 쌍의 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키도록 제어하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승되는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film formation apparatus according to an embodiment of the present invention is a film formation apparatus for depositing a film formation material on a substrate through a mask, comprising: a pair of substrate support units disposed in a chamber and respectively supporting opposite periphery portions of the substrate; a substrate adsorption unit arranged above the support unit for adsorbing the substrate supported by the substrate support unit, and a control unit for controlling elevation of the substrate support unit toward the substrate adsorption unit, wherein the control unit comprises: The pair of substrate supporters are controlled so as to be sequentially raised toward the substrate adsorption unit, and of the pair of substrate support units, the one side substrate support unit that is raised first toward the substrate adsorption unit or the substrate support unit on the one side is opposed to the pair of substrate support units. It is characterized in that the coefficient of friction with respect to the substrate is smaller on the surface of the substrate support part on the other side, which later rises toward the substrate adsorption means, than the surface of the substrate adsorption means for adsorption.

본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 대향하는 주연부를 각각 지지하는 한 쌍의 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키도록 제어하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승되는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film formation apparatus according to another embodiment of the present invention is a film formation apparatus for depositing a film formation material on a substrate through a mask, comprising: a pair of substrate support parts disposed in a chamber and respectively supporting opposite peripheries of the substrate; a substrate adsorption unit disposed above the substrate support unit for adsorbing the substrate supported by the substrate support unit, and a control unit for controlling elevation of the substrate support unit toward the substrate adsorption unit, wherein the control unit comprises: Controlling the pair of substrate supporters to sequentially raise them toward the substrate adsorption unit, and among the pair of substrate support units, one substrate support unit or the substrate support unit on the one side that ascends first toward the substrate adsorption unit. It is characterized in that the coefficient of friction with respect to the substrate of the surface of the substrate adsorbing means facing the substrate supporter on the other side which is later raised toward the substrate adsorbing means is smaller than that of the opposite surface of the substrate adsorbing means.

본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 대향하는 주연부를 각각 지지하는 한 쌍의 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 기판 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키도록 제어하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승되는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부 및 상기 타방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film formation apparatus according to another embodiment of the present invention is a film formation apparatus for depositing a film formation material on a substrate through a mask, comprising: a pair of substrate support parts disposed in a chamber and respectively supporting opposite peripheries of the substrate; a substrate adsorption unit disposed above the substrate support unit for adsorbing the substrate supported by the substrate support unit, and a control unit for controlling elevation of the substrate support unit toward the substrate adsorption unit, wherein the control unit comprises: Controlling the pair of substrate supporters to sequentially raise them toward the substrate adsorption unit, and among the pair of substrate support units, one substrate support unit or the substrate support unit on the one side that ascends first toward the substrate adsorption unit. The friction coefficient with respect to the substrate of the surface of the substrate adsorption means facing the substrate supporter on the other side and the substrate supporter on the other side, which is later raised toward the substrate adsorption means, is smaller than that of the surface of the substrate adsorption means opposed to the substrate adsorption means. to be characterized

본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 성막 장치의 챔버 내부에서, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서, 챔버 내로 반입된 상기 기판의 대향하는 주연부를 한 쌍의 기판 지지부로 지지하는 공정과, 상기 기판 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과, 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정을 포함하고, 상기 흡착시키는 공정은, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키는 공정을 포함하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승되는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film formation method according to an embodiment of the present invention is a film formation method in which a film formation material is deposited on a substrate through a mask inside a chamber of a film formation apparatus, and the opposite peripheries of the substrate carried into the chamber are formed by a pair of substrate supports. A step of supporting; a step of adsorbing the back surface opposite to the film formation surface of the substrate to the substrate adsorption means disposed above the substrate support; a step of forming a film, wherein the step of adsorbing includes a step of sequentially raising the pair of substrate supporters toward the substrate adsorption means, wherein of the pair of substrate support sections, toward the substrate adsorption means first. The coefficient of friction with respect to the substrate of the surface of the substrate supporting part on the other side which is later raised towards the substrate adsorbing means is smaller than that of the substrate supporting part on one side being raised or the surface of the substrate adsorbing means facing the substrate supporting part on the one side. characterized by

본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 성막 장치의 챔버 내부에서, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서, 챔버 내로 반입된 상기 기판의 대향하는 주연부를 한 쌍의 기판 지지부로 지지하는 공정과, 상기 기판 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과, 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정을 포함하고, 상기 흡착시키는 공정은, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키는 공정을 포함하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승시키는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film formation method according to another embodiment of the present invention is a film formation method in which a film formation material is deposited on a substrate through a mask inside a chamber of a film formation apparatus, and a pair of substrate support units is provided at opposite peripheries of the substrate carried into the chamber. a step of adsorbing the back surface of the substrate opposite to the film formation surface of the substrate to a substrate adsorption means arranged above the substrate support; The step of adsorbing includes a step of sequentially raising the pair of substrate support units toward the substrate adsorption unit, and the adsorption unit includes a process of sequentially raising the pair of substrate support units toward the substrate adsorption unit. The surface of the substrate adsorption means facing the substrate adsorption means on the other side that is raised later toward the substrate adsorption means than the surface of the substrate adsorption means on the one side that is raised first or the surface of the substrate adsorption means facing the substrate supporter on the one side is , characterized in that the coefficient of friction with respect to the substrate is small.

본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 성막 장치의 챔버 내부에서, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서, 챔버 내로 반입된 상기 기판의 대향하는 주연부를 한 쌍의 기판 지지부로 지지하는 공정과, 상기 기판 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과, 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정을 포함하고, 상기 흡착시키는 공정은, 상기 한 쌍의 기판 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 순차로 상승시키는 공정을 포함하고, 상기 한 쌍의 기판 지지부 중, 상기 기판 흡착 수단을 향해 먼저 상승되는 일방 측의 기판 지지부 또는 상기 일방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면보다, 상기 기판 흡착 수단을 향해 나중에 상승되는 타방 측의 기판 지지부 및 상기 타방 측의 기판 지지부에 대향하는 상기 기판 흡착 수단의 표면의, 기판에 대한 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 한다.A film formation method according to another embodiment of the present invention is a film formation method in which a film formation material is deposited on a substrate through a mask inside a chamber of a film formation apparatus, and a pair of substrate support units is provided at opposite peripheries of the substrate carried into the chamber. a step of adsorbing the back surface of the substrate opposite to the film formation surface of the substrate to a substrate adsorption means arranged above the substrate support; The step of adsorbing includes a step of sequentially raising the pair of substrate support units toward the substrate adsorption unit, and the adsorption unit includes a process of sequentially raising the pair of substrate support units toward the substrate adsorption unit. The substrate support on one side that is raised first or the surface of the substrate adsorption means facing the substrate support on the one side, the substrate support on the other side that is raised later toward the substrate adsorption means and the surface of the substrate adsorption means facing the substrate support on the other side It is characterized in that the coefficient of friction of the surface of the substrate adsorption means with respect to the substrate is small.

본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 상기 성막방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention is characterized by manufacturing an electronic device using the above film formation method.

본 발명에 의하면, 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. According to the present invention, it is possible to more effectively suppress wrinkles at the time of adsorption to the electrostatic chuck.

또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것은 아니고, 본 개시 중에 기재된 어떠한 효과이어도 된다.In addition, the effects described here are not necessarily limited, and any effects described during the present disclosure may be used.

도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치의 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 지지 유닛을 연직 방향(Z 방향) 상방에서부터 본 평면도이다.
도 4는 정전척으로의 기판 흡착 공정을 나타내는 도면이다.
도 5는 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다.
도 6은, 종래의 정전척으로의 기판 흡착 공정을 나타내는 도면이다1 is a schematic diagram of a part of an electronic device manufacturing apparatus.
2 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of the substrate support unit according to one embodiment of the present invention viewed from above in the vertical direction (Z direction).
4 is a diagram illustrating a process of adsorbing a substrate to an electrostatic chuck.
5 is a schematic diagram showing an electronic device.
6 is a diagram showing a substrate adsorption process with a conventional electrostatic chuck.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are merely illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration of the device, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. are not intended to limit the scope of the present invention thereto, unless otherwise specifically described. no.

본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리 기판 상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공 증착 장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막 장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 발광 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착 재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 발광 소자를 형성하는 유기 발광소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to an apparatus for forming a film by depositing various materials on the surface of a substrate, and can be suitably applied to an apparatus for forming a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. As the material of the substrate, any material such as glass, polymeric film, metal, or the like can be selected. For example, the substrate may be a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. Also, as the evaporation material, any material such as an organic material or a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected. In addition to the vacuum deposition apparatus described in the following description, the present invention can be applied to a film formation apparatus including a sputtering apparatus and a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus. The technology of the present invention is specifically applicable to manufacturing apparatuses such as organic electronic devices (for example, organic light-emitting elements and thin-film solar cells) and optical members. Among them, an organic light emitting device manufacturing apparatus that forms an organic light emitting device by evaporating evaporation materials and depositing them on a substrate through a mask is one of the preferred application examples of the present invention.

<전자 디바이스 제조 장치><Electronic Device Manufacturing Equipment>

도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a part of an electronic device manufacturing apparatus.

도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ × 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ × 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ × 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing apparatus shown in Fig. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, a 4.5 generation substrate (about 700 mm × about 900 mm), a 6 generation full size (about 1500 mm × about 1850 mm) or a half cut size (about 1500 mm × about 1500 mm) After forming a film for forming an organic EL element on a substrate of about 925 mm), the substrate is cut out to fabricate a plurality of small-sized panels.

전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.An electronic device manufacturing apparatus generally includes a plurality of cluster devices 1 and a relay device connecting the cluster devices 1 to each other.

클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막 장치(11)와, 사용 전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막 장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.The cluster device 1 includes a plurality of film forming devices 11 that perform processing (e.g., film formation) on the substrate S, a plurality of mask stock devices 12 that house the masks M before and after use, A conveyance room 13 is provided at the center thereof. As shown in FIG. 1 , the transport chamber 13 is connected to a plurality of film forming devices 11 and mask stock devices 12, respectively.

반송실(13) 내에는, 기판 및 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류 측에 배치된 중계 장치의 패스실(15)로부터 성막 장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막 장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. In the transfer room 13, a transfer robot 14 for transferring substrates and masks is disposed. The transport robot 14 transports the substrate S from the pass chamber 15 of the relay device disposed upstream to the film forming device 11 . Further, the transport robot 14 transports the mask M between the film forming device 11 and the mask stock device 12 . The transfer robot 14 may be, for example, a robot having a structure in which a robot hand holding the substrate S or the mask M is mounted on an articulated arm.

성막 장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증발원에 수납된 증착 재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다. In the film forming apparatus 11 (also called a vapor deposition apparatus), an evaporation material accommodated in an evaporation source is heated by a heater to evaporate, and is deposited on a substrate through a mask. Transmission of the substrate S to and from the transfer robot 14, adjustment of the relative position of the substrate S and mask M (alignment), fixation of the substrate S onto the mask M, film formation (deposition) ) and the like are performed by the film forming apparatus 11 .

마스크 스톡 장치(12)에는 성막 장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막 장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막 장치(11)로 반송한다.In the mask stock device 12, new masks and used masks to be used in the film forming process in the film forming device 11 are stored in two cassettes. The transfer robot 14 transfers the used mask from the film forming device 11 to the cassette of the mask stock device 12, and transfers a new mask stored in another cassette of the mask stock device 12 to the film forming device 11. return to

클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류 측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막 처리가 완료된 기판(S)을 하류 측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류 측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막 장치(11)중 하나(예컨대, 성막 장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막 처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막 장치(11) 중 하나(예컨대, 성막 장치(11b))로부터 받아서, 하류 측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.The cluster device 1 includes a pass chamber 15 for conveying the substrate S from the upstream side to the cluster device 1 in the flow direction of the substrate S, and a film forming process completed in the cluster device 1 A buffer room 16 for transferring the substrate S to another cluster device on the downstream side is connected. The transport robot 14 of the transfer room 13 receives the substrate S from the pass room 15 on the upstream side, and transfers it to one of the film forming devices 11 in the cluster device 1 (e.g., the film forming device 11a). ) is returned to In addition, the transfer robot 14 receives the substrate S on which the film formation process in the cluster device 1 has been completed from one of the plurality of film forming devices 11 (eg, the film forming device 11b), and is connected to the downstream side. It is conveyed to the buffer chamber 16.

버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. Between the buffer chamber 16 and the pass chamber 15, a turning chamber 17 for changing the direction of the substrate is installed. In the turning room 17, a transfer robot 18 for receiving the substrate S from the buffer room 16, rotating the substrate S by 180 degrees, and transporting the substrate S to the pass chamber 15 is installed. Through this, the direction of the substrate S becomes the same in the upstream cluster device and the downstream cluster device, thereby facilitating substrate processing.

패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류 측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The pass room 15, the buffer room 16, and the turning room 17 are so-called relay devices that connect cluster devices, and the relay devices installed upstream and/or downstream of the cluster devices , at least one of the turning chambers.

성막 장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공 상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공 상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공 상태로 유지될 수도 있다.The film forming device 11, the mask stock device 12, the conveying chamber 13, the buffer chamber 16, the turning chamber 17, and the like are maintained in a high vacuum state during the manufacturing process of the organic light emitting device. The pass chamber 15 is normally maintained in a low vacuum state, but may be maintained in a high vacuum state as needed.

본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버 간의 배치가 달라질 수도 있다.In this embodiment, the configuration of the electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited thereto, and may have other types of apparatuses or chambers, and arrangements between these apparatuses or chambers may vary. there is.

이하, 성막 장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, a specific configuration of the film forming apparatus 11 will be described.

<성막 장치><Film formation device>

도 2는 성막 장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변 방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변 방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.2 is a schematic diagram showing the configuration of the film forming apparatus 11 . In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system in which the vertical direction is the Z direction is used. When the substrate S is fixed parallel to a horizontal plane (XY plane) during film formation, the direction of the short side of the substrate S (direction parallel to the short side) is the X direction, and the direction of the long side (direction parallel to the long side) is the Y direction. to be Also, the rotation angle around the Z axis is expressed as θ.

성막 장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증발원(25)을 포함한다. The film forming apparatus 11 includes a vacuum container 21 maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, a substrate support unit 22 installed in the vacuum container 21, a mask support unit 23, , an electrostatic chuck 24, and an evaporation source 25.

기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다. 기판 지지 유닛(22)은 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다. 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 상세 구성에 대해서는 후술한다.The substrate support unit 22 is a means for receiving and holding the substrate S transported by the transfer robot 14 installed in the transfer room 13, and is also called a substrate holder. The substrate support unit 22 includes a support portion that supports the periphery of the lower surface of the substrate. The detailed configuration of the support portion of the substrate support unit 22 will be described later.

기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.A mask support unit 23 is installed below the substrate support unit 22 . The mask holding unit 23 is a means for receiving and holding the mask M transported by the transport robot 14 installed in the transport room 13, and is also called a mask holder.

마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.The mask M has an opening pattern corresponding to the thin film pattern to be formed on the substrate S, and is placed on the mask support unit 23 . In particular, a mask used to manufacture an organic EL device for a smartphone is a metal mask on which a fine opening pattern is formed, and is also referred to as a fine metal mask (FMM).

기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 정전척(24)이 설치된다. 정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 정전척(24)은, 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 정전척(24)은, 그래디언트력 타입의 정전척인 것이 바람직하다. 정전척(24)을 그래디언트력 타입의 정전척으로 함으로써, 기판(S)이 절연성 기판인 경우라도, 정전척(24)에 의해 양호하게 흡착될 수 있다. 정전척(24)이 쿨롱력 타입의 정전척인 경우에는, 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전위가 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판(S)과 같은 피흡착체에 금속 전극과 반대극성의 분극 전하가 유도되며, 이들 간의 정전 인력에 의해 기판(S)이 정전척(24)에 흡착 고정된다. Above the substrate support unit 22, an electrostatic chuck 24 is installed to adsorb and fix the substrate by electrostatic attraction. The electrostatic chuck 24 has a structure in which electric circuits such as metal electrodes are buried in a dielectric (eg, ceramic material) matrix. The electrostatic chuck 24 may be a Coulomb force type electrostatic chuck, a Johnson-Rabeck force type electrostatic chuck, or a gradient force type electrostatic chuck. The electrostatic chuck 24 is preferably a gradient force type electrostatic chuck. By making the electrostatic chuck 24 an electrostatic chuck of the gradient force type, even when the substrate S is an insulating substrate, it can be satisfactorily adsorbed by the electrostatic chuck 24 . In the case where the electrostatic chuck 24 is a Coulomb force type electrostatic chuck, when positive (+) and negative (-) potentials are applied to the metal electrode, the metal electrode and Polarized charges of opposite polarity are induced, and the substrate S is adsorbed and fixed to the electrostatic chuck 24 by the electrostatic attraction between them.

정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브 플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다. 즉, 정전척은 매설된 전기회로의 구조에 따라 복수의 흡착부 모듈로 구획될 수 있다. The electrostatic chuck 24 may be formed of one plate or may be formed to have a plurality of sub-plates. In addition, even when formed of one plate, a plurality of electric circuits may be included therein so that the electrostatic attraction may be different depending on the position within one plate. That is, the electrostatic chuck may be divided into a plurality of adsorption unit modules according to the structure of the embedded electric circuit.

정전척(24)의 상부에는, 도시하지 않았으나, 성막 시 마스크(M)에 자력을 인가하여 마스크(M)를 기판(S) 쪽으로 끌어당겨 기판(S)에 밀착시키기 위한 자력인가수단이 설치될 수 있다. 자력인가수단으로서의 마그넷은 영구자석 또는 전자석으로 이루어질 수 있으며, 복수의 모듈로 구획될 수 있다.Although not shown, a magnetic force application means is installed on the upper part of the electrostatic chuck 24 to pull the mask M toward the substrate S by applying magnetic force to the mask M during film formation and to bring the mask M into close contact with the substrate S. can A magnet as a means for applying magnetic force may be made of a permanent magnet or an electromagnet, and may be partitioned into a plurality of modules.

또한, 도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각 기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하도록 하여도 된다. 냉각판은 상기 마그넷과 일체로 형성될 수도 있다. In addition, although not shown in FIG. 2, a cooling mechanism (eg, a cooling plate) for suppressing the temperature rise of the substrate S is provided on the side opposite to the adsorption surface of the electrostatic chuck 24, thereby depositing on the substrate S. Deterioration or deterioration of the organic material may be suppressed. The cooling plate may be integrally formed with the magnet.

증발원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증발원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착 재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증발원(25)은 점(point) 증발원이나 선형(linear) 증발원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The evaporation source 25 includes a crucible (not shown) in which a deposition material to be deposited on the substrate is stored, a heater (not shown) for heating the crucible, and a heater (not shown) for preventing the deposition material from scattering to the substrate until the evaporation rate from the evaporation source becomes constant. A shutter (not shown) and the like are included. The evaporation source 25 may have various configurations depending on the purpose, such as a point evaporation source or a linear evaporation source.

도 2에 도시하지 않았으나, 성막 장치(11)는 기판에 증착된 막 두께를 측정하기 위한 막 두께 모니터(미도시) 및 막 두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in FIG. 2 , the film forming apparatus 11 includes a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculation unit (not shown) for measuring the film thickness deposited on the substrate.

진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 Z 액츄에이터(26), 마스크 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터와 위치조정장치는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어 가이드 등으로 구성된다. 기판 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 기판 Z 액츄에이터(26)의 구동에 의한 기판 지지 유닛(22)의 승강 제어의 상세에 대해서는 후술한다. 마스크 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A substrate Z actuator 26, a mask Z actuator 27, an electrostatic chuck Z actuator 28, a positioning mechanism 29 and the like are installed on the upper outer side (atmospheric side) of the vacuum container 21. These actuators and positioning devices are composed of, for example, a motor and a ball screw or a motor and a linear guide. The substrate Z actuator 26 is a driving means for moving the substrate holding unit 22 up and down (moving in the Z direction). The details of the elevation control of the substrate support unit 22 by driving the substrate Z actuator 26 will be described later. The mask Z actuator 27 is a driving means for moving the mask support unit 23 up and down (moving in the Z direction). The electrostatic chuck Z actuator 28 is a driving means for moving the electrostatic chuck 24 up and down (moving in the Z direction).

위치조정기구(29)는, 정전척(24)과 기판(S) 및/또는 기판(S)과 마스크(M) 간의 수평면 내에서의 위치 어긋남을 조정(얼라인먼트)하기 위한 구동 수단이다. 즉, 위치조정기구(29)는, 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, 정전척(24)을 수평면에 평행한 면 내에서 X방향, Y방향, θ방향 중 적어도 하나의 방향으로 상대적으로 이동/회전시키기 위한 수평구동기구이다. 본 실시형태에서는, 기판지지유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)의 수평면 내에서의 이동은 고정하고, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치 이동시키도록 위치조정기구를 구성하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 수평방향으로의 이동은 고정하고, 기판지지유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)을 XYθ방향으로 위치 이동시키도록 위치조정기구를 구성하여도 된다.The positioning mechanism 29 is a driving means for adjusting (aligning) a positional misalignment in a horizontal plane between the electrostatic chuck 24 and the substrate S and/or between the substrate S and the mask M. That is, the positioning mechanism 29 moves the electrostatic chuck 24 relative to the substrate support unit 22 and the mask support unit 23 in at least one of the X direction, Y direction, and θ direction in a plane parallel to the horizontal plane. It is a horizontal driving mechanism for relatively moving/rotating in the direction of In the present embodiment, the movement of the substrate support unit 22 and the mask support unit 23 in the horizontal plane is fixed, and the position adjustment mechanism is configured so that the electrostatic chuck 24 is moved in the XYθ direction. The invention is not limited to this, and the movement of the electrostatic chuck 24 in the horizontal direction is fixed, and the positioning mechanism is configured so that the substrate support unit 22 and the mask support unit 23 are moved in the XYθ directions. do.

진공용기(21)의 외측 상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20a, 20b)가 설치된다. 얼라인먼트용 카메라(20a, 20b)에 의해 촬영된 화상으로부터 기판(S) 상의 얼라인먼트 마크와 마스크(M) 상의 얼라인먼트 마크를 인식함으로써, 각각의 XY 위치나 XY 면내에서의 상대 어긋남을 계측할 수 있다. On the outer upper surface of the vacuum container 21, in addition to the above-described driving mechanism, an alignment camera ( 20a, 20b) are installed. By recognizing the alignment marks on the substrate S and the alignment marks on the mask M from the images captured by the alignment cameras 20a and 20b, the respective XY positions and the relative shift within the XY plane can be measured.

기판(S)과 마스크(M) 간의 얼라인먼트는, 대략적으로 위치 맞춤을 행하는 제1 위치 조정 공정인 제1 얼라인먼트("러프 얼라인먼트(rough alignment)"라고도 함)와, 고정밀도로 위치 맞춤을 행하는 제2 위치 조정 공정인 제2 얼라인먼트("파인 얼라인먼트(fine alignment)"라고도 함)의 2 단계의 얼라인먼트를 실시할 수 있다. 그 경우, 저해상도이지만 광시야각의 제1 얼라인먼트 용의 카메라(20a)와, 협시야각이지만 고해상도의 제2 얼라인먼트 용의 카메라(20b)의 2 종류의 카메라를 이용하면 된다. 기판(S) 및 마스크(120) 각각에 대하여, 대향하는 한 쌍의 변의 2 군데에 설치한 얼라인먼트 마크를 2 대의 제1 얼라인먼트용 카메라(20a)로 측정하고, 기판(S) 및 마스크(120)의 4 코너에 설치한 얼라인먼트 마크를 4 대의 제2 얼라인먼트용 카메라(20b)로 측정한다. 얼라인먼트 마크 및 그 측정용 카메라의 수는, 특히 한정되지 않고, 예를 들어 파인 얼라인먼트의 경우, 기판(S) 및 마스크(120)의 대향하는 2 코너에 설치된 마크를 2대의 카메라로 측정하도록 하여도 된다.The alignment between the substrate S and the mask M is a first alignment (also referred to as "rough alignment"), which is a first position adjustment step for roughly positioning, and a second positioning for high-precision positioning. Alignment in two stages of second alignment (also referred to as "fine alignment"), which is a position adjustment process, can be performed. In that case, what is necessary is just to use two types of cameras, the camera 20a for 1st alignment with a wide viewing angle although it has a low resolution, and the camera 20b for 2nd alignment with a high resolution although having a narrow viewing angle. For each of the substrate S and the mask 120, the alignment marks provided at two locations of a pair of opposing sides are measured with the two first alignment cameras 20a, and the substrate S and the mask 120 Alignment marks provided at the four corners of are measured with four second alignment cameras 20b. The number of alignment marks and cameras for their measurement is not particularly limited, and for example, in the case of fine alignment, even if the marks provided at two opposite corners of the substrate S and the mask 120 are measured with two cameras do.

성막 장치(11)는 제어부(미도시)를 구비한다. 제어부는 기판(S)의 반송 및 얼라인먼트, 증발원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable　logic　controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The film forming apparatus 11 includes a control unit (not shown). The control unit has functions such as conveyance and alignment of the substrate S, control of the evaporation source 25, control of film formation, and the like. The controller may be configured by, for example, a computer having a processor, memory, storage, I/O, and the like. In this case, the functions of the control unit are realized when the processor executes a program stored in memory or storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded computer or a programmable logic controller (PLC) may be used. Alternatively, some or all of the functions of the control unit may be configured with circuits such as ASICs or FPGAs. Further, a control unit may be provided for each film forming device, or one control unit may control a plurality of film forming devices.

<기판 지지 유닛><Substrate support unit>

기판 지지 유닛(22)은 기판(S)의 하면의 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다. 도 3은, 기판 지지 유닛(22)을 연직 방향(Z 방향) 상방에서부터 본 평면도로서, 이해의 편의를 위해, 기판(S)이 기판 지지 유닛(22) 상에 재치된 상태로 지지되는 모습을 도시하고 있고, 그 밖의 기판(S) 상부에 배치되는 정전척(24), 기판 Z 액츄에이터(26) 등의 구동 기구 등의 도시는 생략하고 있다. The substrate support unit 22 includes a support portion that supports the periphery of the lower surface of the substrate S. FIG. 3 is a plan view of the substrate support unit 22 viewed from above in the vertical direction (Z direction), showing a state in which the substrate S is supported while being placed on the substrate support unit 22 for convenience of understanding. , and other drive mechanisms such as the electrostatic chuck 24 and the substrate Z actuator 26 disposed above the substrate S are omitted.

도시된 바와 같이, 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 지지부는, 각각 독립하여 승강 제어 가능한 지지부(221, 222)를 포함하고, 이들 지지부(221, 222)는 기판(S)의 대향하는 두 변측의 주연부를 지지하도록 설치된다. 구체적으로, 기판(S)의 대향하는 두 변 중 일측 변(예컨대, 제1 장변)을 따라 제1 지지부(221)가 설치되고, 타측 변(제2 장변)을 따라 제2 지지부(222)가 설치된다. 도 3에서는 제1 지지부(221) 및 제2 지지부(222)가 각각 해당 변의 길이 방향으로 길게 연장하는 하나의 지지부재로 이루어지는 구성을 도시하였으나, 제1 지지부(221) 및 제2 지지부(222)는, 해당 길이 방향을 따라 복수의 지지부재가 배열되어 각각 제1 지지부(221) 및 제2 지지부(222)를 구성하는 것으로 하여도 된다.As shown, the support portion constituting the substrate support unit 22 includes support portions 221 and 222 capable of independently controlling elevation, and these support portions 221 and 222 are provided on two opposite sides of the substrate S. It is installed to support the periphery of the Specifically, the first support part 221 is installed along one side (eg, the first long side) of the two opposing sides of the substrate S, and the second support part 222 is installed along the other side (the second long side). installed 3 shows a configuration in which the first support part 221 and the second support part 222 each consist of one support member extending in the longitudinal direction of the corresponding side, but the first support part 221 and the second support part 222 , a plurality of support members may be arranged along the longitudinal direction to constitute the first support portion 221 and the second support portion 222, respectively.

기판 지지 유닛(22)을 Z축 방향으로 승강 구동하기 위한 구동 기구인 전술한 기판 Z 액츄에이터(26)는, 이들 각 기판 지지부(221, 222)에 대응하여 설치된다. 즉, 기판(S)의 대향하는 두 장변에 대응하는 위치에 2개의 기판 Z 액츄에이터가 설치되어, 각각의 대응하는 기판 지지부(221, 222)에 연결된다. 그리고, 이들 각 기판 Z 액츄에이터는, 제어부에 의해, 대응하는 각 기판 지지부(221, 222)를 각각 독립하여 승강 가능하도록 제어된다.The substrate Z actuator 26 described above, which is a drive mechanism for moving the substrate support unit 22 up and down in the Z-axis direction, is provided corresponding to each of the substrate support portions 221 and 222 . That is, two substrate Z actuators are installed at positions corresponding to the two opposite long sides of the substrate S, and are connected to corresponding substrate support portions 221 and 222, respectively. Then, each of these board Z actuators is controlled by the control unit so that each corresponding board support section 221, 222 can be moved up and down independently.

본 발명의 일 실시형태에서는, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시키기 위해 기판 지지 유닛(22)에 의해 지지된 기판(S)을 정전척(24)을 향해 상승시켜 갈 때, 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 전술한 기판 지지부(221, 222)를 독립적으로 승강 구동시킨다. 예컨대, 제1 장변을 따라 설치된 제1 지지부(221)가 먼저 상승되도록 제1 지지부(221)에 접속된 기판 Z 액츄에이터(26)를 구동시키고, 이어서, 대향하는 제2 장변 측의 제2 지지부(222)에 연결된 기판 Z 액츄에이터를 구동 제어하여 제2 지지부(222)를 상승시킨다.In one embodiment of the present invention, when the substrate S supported by the substrate holding unit 22 is raised toward the electrostatic chuck 24 in order to adsorb the substrate S to the electrostatic chuck 24, the substrate The above-described substrate support portions 221 and 222 constituting the support unit 22 are independently lifted and driven. For example, the substrate Z actuator 26 connected to the first support portion 221 is driven so that the first support portion 221 installed along the first long side is first raised, and then the second support portion on the opposite second long side side ( 222) to raise the second support part 222 by driving and controlling the actuator Z connected to the substrate.

기판 지지부를 이와 같이 독립 구동 제어함으로써, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시킬 때, 기본적인 흡착 진행 방향을, 기판의 일측 변에서부터 대향하는 타측 변을 향하는 방향으로 설정할 수 있게 된다. By independently driving and controlling the substrate support unit in this way, when the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 24, the basic adsorption progress direction can be set from one side of the substrate to the opposite side.

즉, 정전척(24)에 흡착 전압을 인가하여 턴온시킨 상태에서, 전술한 바와 같이 기판 지지부(221, 222)를 독립하여 순차적으로 상승시키면, 먼저 상승한 제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판(S)의 제1 장변측에서 먼저 흡착이 개시되고, 이어서, 나중에 상승하는 제2 지지부(222)의 상승에 따라 기판(S)의 중앙부를 지나, 반대측 장변(제2 장변)을 향해 흡착이 진행된다. That is, when the substrate supporters 221 and 222 are independently and sequentially raised as described above in a state where the electrostatic chuck 24 is turned on by applying a suction voltage, the substrate supported by the first supporter 221 that has been raised first. Adsorption starts first on the first long side of (S), and then, along with the elevation of the second support portion 222 that rises later, adsorption moves toward the opposite long side (second long side) through the central portion of the substrate S. It goes on.

본 발명의 일 실시형태에서는, 이와 같이 기판의 일방 측에서부터 대향하는 타방 측으로 흡착이 진행되도록, 기판의 대향하는 양측 주연부를 각각 지지하는 지지부를 순차로 구동하는 것을 기본 구성으로 하되, 여기에 더하여, 먼저 정전척에 가까워지는 일방 측의 기판 지지부의 표면(및/또는 그 지지부에 대향하는 정전척의 표면)과, 나중에 정전척에 가까워지는 타방 측의 기판 지지부의 표면(및/또는 그 지지부에 대향하는 정전척의 표면)의 기판에 대한 마찰력의 크기가 다르게 되도록, 기판 지지부(및/또는 정전척)을 구성하는 것을 특징으로 한다. In one embodiment of the present invention, the basic configuration is to sequentially drive the support units for supporting both opposite peripheries of the substrate so that adsorption proceeds from one side of the substrate to the other opposite side, but in addition to this, The surface of the substrate support on one side that approaches the electrostatic chuck first (and/or the surface of the electrostatic chuck facing the support), and the surface of the substrate support on the other side that later approaches the electrostatic chuck (and/or the surface of the electrostatic chuck that faces the support) It is characterized in that the substrate support (and/or the electrostatic chuck) is configured such that the magnitude of the frictional force of the surface of the electrostatic chuck) with respect to the substrate is different.

구체적으로, 먼저 정전척에 가까워지는 일방 측의 기판 지지부의 표면(및/또는 그 지지부에 대향하는 정전척의 표면)보다, 나중에 정전척에 가까워지는 타방 측의 기판 지지부의 표면(및/또는 그 지지부에 대향하는 정전척의 표면)의 기판에 대한 마찰력이 작게 되도록, 기판 지지부(및/또는 정전척)을 구성한다. 다시 말해, 나중에 정전척에 가까워지는 타방 측의 기판 지지부의 표면(및/또는 그 지지부에 대향하는 정전척의 표면) 쪽에서, 기판이 미끄러지기 쉽도록 하는 구성으로 한다.Specifically, the surface of the substrate support on one side that approaches the electrostatic chuck first (and/or the surface of the electrostatic chuck opposing the support) is higher than the surface of the substrate support on the other side that approaches the electrostatic chuck later (and/or the support) The substrate support (and/or the electrostatic chuck) is configured such that the frictional force of the surface of the electrostatic chuck facing the substrate) is small. In other words, the substrate is configured to slide easily on the surface of the substrate support part (and/or the surface of the electrostatic chuck facing the support part) on the other side that will later approach the electrostatic chuck.

예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 먼저 정전척(24)에 가까워지는 일방 측의 기판 지지부(221)보다, 나중에 정전척(24)에 가까워지는 대향하는 타방 측의 기판 지지부(222)의, 기판(S)을 지지하는 표면의 마찰 계수를 작게 한다. 그러면, 도 4(b) 및 도 4(c)에 순차로 도시된 바와 같이, 먼저 일방 측의 기판 지지부(221)를 상승시켜 정전척(24)에 흡착 고정시킨 뒤(도 4(b)), 이어서 타방 측의 기판 지지부(222)를 상승시켜 정전척(24)에 접촉시킬 때, 아직 흡착 전의 해당 지지부(222) 측의 기판(S) 주연부는 지지부(222) 상에서 외측으로 미끄러지게 되면서 정전척(24)에 접촉하게 된다(도 4(c)). 즉, 기판(S)의 중앙부의 처짐이 나중에 정전척(24)을 향해 상승하는 지지부 외측으로 펴지면서 정전척(24)과 접촉하게 되는 것이다.For example, as shown in FIG. 4 , of the substrate support portion 222 on the opposite side that approaches the electrostatic chuck 24 later than the substrate support portion 221 on one side that approaches the electrostatic chuck 24 first, The friction coefficient of the surface which supports the board|substrate S is made small. 4(b) and 4(c) sequentially, first, the substrate support 221 on one side is lifted up and fixed to the electrostatic chuck 24 (FIG. 4(b)) Then, when the substrate supporter 222 on the other side is raised and brought into contact with the electrostatic chuck 24, the periphery of the substrate S on the supporter 222 side before being adsorbed slides outward on the supporter 222 to generate electrostatic charge. It comes into contact with the chuck 24 (FIG. 4(c)). That is, the sagging of the central portion of the substrate S later spreads to the outside of the support portion that rises toward the electrostatic chuck 24 and comes into contact with the electrostatic chuck 24 .

따라서, 이러한 구성에 의해, 전술한 도 6에서와 같은, 나중에 정전척에 가까워지는 타방 지지부 측에서 기판이 구속되어, 중앙부의 처짐이 완전히 해소되지 못한 상태로 흡착이 진행되어 중앙부에 주름이 남는 종래의 문제가 해결될 수 있다. 따라서, 정전척으로의 흡착 시의 주름 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있게 된다.Therefore, with this configuration, as shown in FIG. 6, the substrate is constrained on the side of the other support part that later approaches the electrostatic chuck, and adsorption proceeds in a state where the sagging of the central part is not completely resolved, leaving wrinkles in the central part. problem can be solved. Accordingly, it is possible to more effectively suppress the generation of wrinkles upon adsorption to the electrostatic chuck.

나중에 정전척(24)에 가까워지는 타방 측의 지지부(222)의 마찰 계수를 작게 하는 방법으로는, 마찰 계수가 작은 재질의 재료를 지지부의 표면에 코팅하거나, 표면을 매끄럽게 하는 공지의 표면 처리 등을 적용할 수 있다.As a method of reducing the friction coefficient of the support part 222 on the other side that approaches the electrostatic chuck 24 later, a material having a low friction coefficient is coated on the surface of the support part, or a known surface treatment to make the surface smooth, etc. can be applied.

그리고, 이상 설명한 실시형태에서는, 지지부의 표면의 마찰 계수를 작게 하는 것을 설명하였으나, 기판을 사이에 두고 지지부와 대향하는 정전척의 표면의 마찰 계수를 작게 하거나, 또는 지지부 및 그에 대향하는 정전척의 양쪽 모두의 마찰 계수를 작게 하는 것으로 하여도 된다.Further, in the above-described embodiment, the friction coefficient of the surface of the support portion is reduced. However, the friction coefficient of the surface of the electrostatic chuck facing the support portion with the substrate therebetween is reduced, or both of the support portion and the electrostatic chuck opposing the support portion are reduced. It is good also as making the friction coefficient of small.

또한, 이상에서는 정전척(24)에 흡착 전압을 인가한 상태에서 기판 지지부의 상승을 개시하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 정전척(24)을 오프로 한 상태에서 기판 지지부의 상승 동작을 개시하고, 정전척(24)과의 접촉이 시작된 시점(예컨대, 제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판의 제1 코너부가 정전척에 접촉된 시점)에서, 정전척(24)에 흡착 전압을 인가함으로써, 흡착을 행할 수도 있다. 또는, 기판 지지부의 상승이 개시되고 정전척(24)과 접촉하지 않은 상태에서 정전척(24)에 흡착 전압을 인가하여 턴온시킬 수도 있다. 이러한 경우에도, 상술한 본 발명의 효과를 달성할 수 있다.In the above, it has been described that the substrate supporter starts to rise in a state in which the adsorption voltage is applied to the electrostatic chuck 24, but the present invention is not limited thereto. For example, in a state in which the electrostatic chuck 24 is turned off, the lifting operation of the substrate support part is started, and the contact with the electrostatic chuck 24 starts (eg, the first position of the substrate supported by the first support part 221 starts). Suction can also be performed by applying a suction voltage to the electrostatic chuck 24 at the point of time when the corner portion is brought into contact with the electrostatic chuck. Alternatively, a suction voltage may be applied to the electrostatic chuck 24 in a state in which the substrate support is raised and not in contact with the electrostatic chuck 24 to turn it on. Even in this case, the effects of the present invention described above can be achieved.

<성막 프로세스> <Film formation process>

이하, 본 실시형태에 의한 성막장치를 사용한 성막 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a film forming method using the film forming apparatus according to the present embodiment will be described.

진공 용기(21) 내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 기판(S)이 진공 용기(21) 내로 반입된다. 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 기판 지지부(221, 222)의 순차 구동을 통하여, 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시킨다. 이어서, 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인먼트를 행한 뒤, 기판(S)과 마스크(M)의 상대위치 어긋남량이 소정의 임계치보다 작아지면, 자력인가수단을 하강시켜, 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨 후, 성막재료를 기판(S)에 성막한다. 원하는 두께로 성막한 후, 자력인가수단을 상승시켜 마스크(M)를 분리하고, 기판(S)을 반출한다.With the mask M supported by the mask holding unit 23 in the vacuum container 21 , the substrate S is carried into the vacuum container 21 . The substrate S is attracted to the electrostatic chuck 24 through sequential driving of the substrate support portions 221 and 222 constituting the substrate support unit 22 . Next, after alignment of the substrate S and the mask M, when the amount of relative positional displacement between the substrate S and the mask M becomes smaller than a predetermined threshold, the magnetic force applying unit is lowered to lower the substrate S and the mask M. After the mask M is brought into close contact, a film forming material is formed on the substrate S. After forming a film to a desired thickness, the mask M is separated by raising the magnetic force application means, and the substrate S is carried out.

<전자디바이스의 제조방법><Method of manufacturing electronic device>

다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of the present embodiment will be described. Hereinafter, the structure and manufacturing method of an organic EL display device as an example of an electronic device are exemplified.

우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 5(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 5(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. Fig. 5(a) is an overall view of the organic EL display device 60, and Fig. 5(b) shows a cross-sectional structure of one pixel.

도 5(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 5( a ), in the display area 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 having a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix form. Although details will be described later, each of the light emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. Incidentally, the pixel referred to here refers to the minimum unit enabling display of a desired color in the display area 61 . In the case of the organic EL display device according to this embodiment, the pixel 62 is constituted by a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B exhibiting different light emission. has been The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element, and a white light emitting element. no.

도 5(b)는 도 5(a)의 A－B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 5(b) is a partial cross-sectional schematic view along line AB of Fig. 5(a). The pixel 62 has an organic EL element including an anode 64, a hole transport layer 65, light emitting layers 66R, 66G, and 66B, an electron transport layer 67, and a cathode 68 on a substrate 63. . Among them, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to organic layers. In this embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer emitting red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer emitting green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer emitting blue. The light-emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (sometimes referred to as organic EL elements) emitting red, green, and blue, respectively. In addition, the anode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the cathode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed individually for each light emitting element. In addition, in order to prevent the anode 64 and the cathode 68 from being short-circuited by foreign matter, an insulating layer 69 is provided between the anode 64. Further, since the organic EL layer is degraded by moisture or oxygen, a protective layer 70 is provided to protect the organic EL element from moisture or oxygen.

도 5(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(65)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.Although the hole transport layer 65 or the electron transport layer 67 is shown as one layer in FIG. 5(b), it may be formed of a plurality of layers including a hole blocking layer or an electron blocking layer depending on the structure of the organic EL display device. may be In addition, a hole injection layer having an energy band structure capable of smoothly injecting holes from the anode 64 to the hole transport layer 65 may be formed between the anode 64 and the hole transport layer 65. . Similarly, an electron injection layer may be formed between the cathode 68 and the electron transport layer 67 .

다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be described in detail.

우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a substrate 63 on which an anode 64 is formed are prepared.

양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the anode 64 is formed, and the acrylic resin is lithographically patterned to form an opening in the portion where the anode 64 is formed to form the insulating layer 69 . This opening corresponds to a light emitting region in which the light emitting element actually emits light.

절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 기판 보유 지지 유닛 및 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.The substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the first organic material film forming apparatus, the substrate is held by a substrate holding unit and an electrostatic chuck, and a hole transport layer 65 is placed over the anode 64 of the display area. A film is formed as a common layer. The hole transport layer 65 is formed by vacuum deposition. In practice, since the hole transport layer 65 is formed in a size larger than that of the display region 61, a high-precision mask is not required.

다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 기판 보유 지지 유닛 및 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 상에 재치하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the substrate 63 formed up to the hole transport layer 65 is carried into the second organic material film forming apparatus, and is held by the substrate holding unit and the electrostatic chuck. The substrate and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and a red light emitting layer 66R is formed on the portion of the substrate 63 where the red light emitting element is arranged.

발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.Similar to the film formation of the light emitting layer 66R, the green light emitting layer 66G is formed by the third organic material film forming device, and further, the blue light emitting layer 66B is formed by the fourth organic material film forming device. After the film formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed over the entire display area 61 by the fifth organic material film forming apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.

전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. The substrate formed up to the electron transport layer 67 is moved to a metallic evaporation material film forming device to form a cathode 68.

그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.After that, it is transferred to a plasma CVD device to form a protective layer 70 to complete the organic EL display device 60.

절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.From the time the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film forming apparatus until the film formation of the protective layer 70 is completed, when exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen, the light emitting layer made of an organic EL material is formed. It may be deteriorated by moisture or oxygen. Therefore, in this example, carrying in and unloading of the substrate between the film forming apparatuses is performed under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.

상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea.

11: 성막장치
22: 기판 지지 유닛
221, 222: 지지부
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척11: film formation device
22: substrate support unit
221, 222: support
23: mask support unit
24: electrostatic chuck

Claims (13)

삭제delete 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서,
챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 제1 변의 주연부를 지지하는 제1 지지부와,
상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 상기 제1 변에 대향하는 제2 변의 주연부를 지지하는 제2 지지부와,
상기 챔버 내의 상기 제1 및 제2 지지부의 상방에 배치되어, 상기 제1 및 제2 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과,
상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 제1 및 제2 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제1 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키고, 이어서 상기 제2 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키도록 제어하고,
상기 제1 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수, 및 상기 기판 흡착 수단의 상기 제1 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수의 적어도 어느 하나보다, 상기 기판 흡착 수단의 상기 제2 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film formation apparatus for forming a film of a film formation material on a substrate through a mask, comprising:
a first support portion disposed in the chamber and supporting a periphery of a first side of the substrate;
a second support part disposed in the chamber to support a periphery of a second side of the substrate opposite to the first side of the substrate;
substrate adsorption means disposed above the first and second supports in the chamber and adsorbing the substrate supported by the first and second supports;
a control unit for controlling elevation of the first and second supports toward the substrate adsorption means;
The control unit controls to raise the first support part toward the substrate adsorption means and then to raise the second support part toward the substrate adsorption means;
The part of the substrate adsorbing means facing the second support is greater than at least any one of the coefficient of friction between the first supporter and the substrate and the coefficient of friction between the part of the substrate adsorbing means facing the first supporter and the substrate. A film forming apparatus characterized in that a coefficient of friction between the substrate and the substrate is small. 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서,
챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 제1 변의 주연부를 지지하는 제1 지지부와,
상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 상기 제1 변에 대향하는 제2 변의 주연부를 지지하는 제2 지지부와,
상기 챔버 내의 상기 제1 및 제2 지지부의 상방에 배치되어, 상기 제1 및 제2 지지부에 의해 지지된 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과,
상기 기판 흡착 수단을 향해 상기 제1 및 제2 지지부의 승강을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제1 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키고, 이어서 상기 제2 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키도록 제어하고,
상기 제1 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수, 및 상기 기판 흡착 수단의 상기 제1 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수의 적어도 어느 하나보다, 상기 제2 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수, 및 상기 기판 흡착 수단의 상기 제2 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수의 각각이 작은 것을 특징으로 하는 성막 장치.A film formation apparatus for forming a film of a film formation material on a substrate through a mask, comprising:
a first support portion disposed in the chamber and supporting a periphery of a first side of the substrate;
a second support part disposed in the chamber to support a periphery of a second side of the substrate opposite to the first side of the substrate;
substrate adsorption means disposed above the first and second supports in the chamber and adsorbing the substrate supported by the first and second supports;
a control unit for controlling elevation of the first and second supports toward the substrate adsorption means;
The control unit controls to raise the first support part toward the substrate adsorption means and then to raise the second support part toward the substrate adsorption means;
A friction coefficient between the second support part and the substrate, and the The film forming apparatus characterized in that each of the coefficients of friction between the substrate and a portion of the substrate adsorbing means facing the second supporter is small. 제3항에 있어서,
상기 제2 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수는, 상기 제2 지지부가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 흡착 수단에 접촉될 때, 상기 제2 지지부에 재치된 상기 기판의 주연부가 외측으로 이동하는 것을 허용하는 크기로 설정되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 3,
The coefficient of friction between the second support portion and the substrate is such that when the substrate is brought into contact with the substrate adsorption means by raising the second support portion, the periphery of the substrate placed on the second support portion is allowed to move outward. A film forming apparatus characterized in that it is set to a size. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 기판 흡착 수단의 상기 제2 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수는, 상기 제2 지지부가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 흡착 수단에 접촉될 때, 상기 제2 지지부에 재치된 상기 기판의 주연부가 외측으로 이동하는 것을 허용하는 크기로 설정되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 2 or 3,
The coefficient of friction between the substrate and the portion of the substrate adsorption unit facing the second support unit is, when the substrate is brought into contact with the substrate adsorption unit by the elevation of the second support unit, of the substrate placed on the second support unit. A film forming apparatus characterized in that the periphery is set to a size allowing outward movement. 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 기판 흡착 수단은 정전척인 것을 특징으로 하는 성막 장치.According to claim 2 or 3,
The film deposition apparatus according to claim 1, wherein the substrate adsorption means is an electrostatic chuck. 삭제delete 성막 장치의 챔버 내부에서, 마스크를 통해 기판의 성막면에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서,
챔버 내로 반입된 상기 기판의 제1 변의 주연부를 제1 지지부로 지지하고, 상기 기판의 상기 제1 변에 대향하는 제2 변의 주연부를 제2 지지부로 지지하는 공정과,
상기 제1 및 제2 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 상기 성막면과 반대측의 면을 흡착시키는 공정과,
성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 상기 성막면에 성막하는 공정을 포함하고,
상기 흡착시키는 공정은, 상기 제1 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키고, 이어서 상기 제2 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키는 공정을 포함하고,
상기 제1 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수, 및 상기 기판 흡착 수단의 상기 제1 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수의 적어도 어느 하나보다, 상기 기판 흡착 수단의 상기 제2 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수가 작은 것을 특징으로 하는 성막 방법.A film formation method of forming a film of a film formation material on a film formation surface of a substrate through a mask inside a chamber of a film formation apparatus, comprising:
supporting a periphery of a first side of the substrate carried into the chamber with a first support part, and supporting a periphery of a second side of the substrate opposite to the first side with a second support part;
adsorbing a surface of the substrate opposite to the film-formed surface with substrate adsorbing means disposed above the first and second supporters;
a step of forming a film on the film formation surface of the substrate through the mask with a film formation material released from a film formation source;
The adsorbing step includes a step of raising the first support portion toward the substrate adsorption means and then raising the second support portion toward the substrate adsorption means;
The part of the substrate adsorbing means facing the second support is greater than at least any one of the coefficient of friction between the first supporter and the substrate and the coefficient of friction between the part of the substrate adsorbing means facing the first supporter and the substrate. A film forming method characterized in that the coefficient of friction between the film and the substrate is small. 성막 장치의 챔버 내부에서, 마스크를 통해 기판의 성막면에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서,
챔버 내로 반입된 상기 기판의 제1 변의 주연부를 제1 지지부로 지지하고, 상기 기판의 상기 제1 변에 대향하는 제2 변의 주연부를 제2 지지부로 지지하는 공정과,
상기 제1 및 제2 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 상기 성막면과 반대측의 면을 흡착시키는 공정과,
성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 상기 성막면에 성막하는 공정을 포함하고,
상기 흡착시키는 공정은, 상기 제1 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키고, 이어서 상기 제2 지지부를 상기 기판 흡착 수단을 향해 상승시키는 공정을 포함하고,
상기 제1 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수, 및 상기 기판 흡착 수단의 상기 제1 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수의 적어도 어느 하나보다, 상기 제2 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수, 및 상기 기판 흡착 수단의 상기 제2 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수의 각각이 작은 것을 특징으로 하는 성막 방법.A film formation method of forming a film of a film formation material on a film formation surface of a substrate through a mask inside a chamber of a film formation apparatus, comprising:
supporting a periphery of a first side of the substrate carried into the chamber with a first support part, and supporting a periphery of a second side of the substrate opposite to the first side with a second support part;
adsorbing a surface of the substrate opposite to the film-formed surface with substrate adsorbing means disposed above the first and second supporters;
a step of forming a film on the film formation surface of the substrate through the mask with a film formation material released from a film formation source;
The adsorbing step includes a step of raising the first support portion toward the substrate adsorption means and then raising the second support portion toward the substrate adsorption means;
A friction coefficient between the second support part and the substrate, and the A film forming method characterized in that each of a coefficient of friction between a portion of the substrate adsorbing means facing the second supporter and the substrate is small. 제9항에 있어서,
상기 제2 지지부와 상기 기판 간의 마찰 계수는, 상기 제2 지지부가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 흡착 수단에 접촉될 때, 상기 제2 지지부에 재치된 상기 기판의 주연부가 외측으로 이동하는 것을 허용하는 크기로 설정되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.According to claim 9,
The coefficient of friction between the second support portion and the substrate is such that when the substrate is brought into contact with the substrate adsorption means by raising the second support portion, the periphery of the substrate placed on the second support portion is allowed to move outward. A film formation method characterized in that the size is set. 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 기판 흡착 수단의 상기 제2 지지부에 대향하는 부분과 상기 기판 간의 마찰 계수는, 상기 제2 지지부가 상승함으로써 상기 기판이 상기 기판 흡착 수단에 접촉될 때, 상기 제2 지지부에 재치된 상기 기판의 주연부가 외측으로 이동하는 것을 허용하는 크기로 설정되는 것을 특징으로 하는 성막 방법.According to claim 8 or 9,
The coefficient of friction between the substrate and the portion of the substrate adsorption unit facing the second support unit is, when the substrate is brought into contact with the substrate adsorption unit by the elevation of the second support unit, of the substrate placed on the second support unit. A film forming method characterized in that the periphery is set to a size allowing outward movement. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 기판 흡착 수단은 정전척인 것을 특징으로 하는 성막 방법.10. The film forming method according to claim 8 or 9, wherein the substrate adsorption means is an electrostatic chuck. 제8항 또는 제9항에 기재된 성막 방법을 사용하여, 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 제조 방법.An electronic device manufacturing method characterized by manufacturing an electronic device using the film forming method according to claim 8 or 9.
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