JP7017273B2 - 半導体処理装置 - Google Patents
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Description
図2a~図2cを参照すると、その図面には本発明の第一実施例に係る半導体処理装置100の構造が示されている。その図面において、図2aは本発明の半導体処理装置100の断面を示す図であり、図2bは図2a中のA部分を示す拡大図であり、図2cは図2a中のB部分を示す拡大図である。
図3a~図3cを参照すると、その図面には本発明の第二実施例に係る半導体処理装置200の構造が示されている。その図面において、図3aは半導体処理装置200の断面を示す図であり、図3bは図3a中のC部分を示す拡大図であり、図3cは図3a中のD部分を示す拡大図である。
前記2つの実施例の半導体処理装置のマイクロキャビティの高さはいずれも固定し、それを自由に調節することができない。したがって、前記2つの実施例の半導体処理装置が一回作動することにより所定の数量の処理待ち半導体ウェハしか処理することができない。
図5a~図5cを参照すると、その図面には本発明の第四実施例に係る半導体処理装置500の構造が示されている。その図面において、図5aは第四実施例の半導体処理装置500の断面を示す図であり、図5bは図5a中のE部分を示す拡大図であり、図5cは図5b中のH部分を示す拡大図である。
図6a~図6cを参照すると、その図面には本発明の第五実施例に係る半導体処理装置600の構造が示されている。その図面において、図6aは第五実施例の半導体処理装置600の断面を示す図であり、図6bは図6a中のI部分を示す拡大図であり、図6cは図6b中のJ部分を示す拡大図である。
前記2つの実施例の半導体処理装置のマイクロキャビティの高さはいずれも固定し、それを自由に調節することができない。したがって、前記2つの実施例の半導体処理装置が一回作動することにより所定の数量の処理待ち半導体ウェハしか処理することができない。
Claims (19)
- 半導体処理装置であって、第一キャビティと第二キャビティを含み、
前記第二キャビティは第一キャビティに相対してオン位置とオフ位置との間で移動することができ、前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しているとき、第一キャビティと第二キャビティとの間にはマイクロキャビティが形成され、1つまたは複数の半導体ウェハは前記マイクロキャビティ内に重畳状態に収納され、前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオン位置に位置しているとき、前記半導体ウェハを前記マイクロキャビティから取り出すかまたは送入することができ、
前記第一キャビティは該第一キャビティから前記マイクロキャビティの内壁表面側に窪んで形成される第一凹型通路を具備し、前記第二キャビティは該第二キャビティから前記マイクロキャビティの内壁表面側に窪んで形成される第二凹型通路を具備し、前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しておりかつ前記半導体ウェハが前記マイクロキャビティ内に収納されているとき、前記第一凹型通路と前記第二凹型通路は連通しかつ第一凹型通路と第二凹型通路により辺縁部処理空間が形成され、前記半導体ウェハの辺縁部は前記辺縁部処理空間内に挿入され、前記辺縁部処理空間は辺縁部処理用貫通孔により外部と連通し、処理流体は辺縁部処理用貫通孔により前記マイクロキャビティ内に注入されるかまたは前記マイクロキャビティから流出することを特徴とする半導体処理装置。 - 前記半導体ウェハの辺縁部の第一側表面、第二側表面および外端面は前記マイクロキャビティ内に露出し、前記辺縁部処理用貫通孔において、1個または複数個の辺縁部処理用貫通孔は流体の入口になり、1個または複数個の辺縁部処理用貫通孔は流体の出口になることを特徴とする請求項1に記載の半導体処理装置。
- 前記辺縁部処理空間は環状であり、前記半導体ウェハの辺縁部全体は前記辺縁部処理空間内に挿入され、前記辺縁部処理空間は密閉の空間でありかつ辺縁部処理用貫通孔により外部と連通しており、
前記第一凹型通路の内壁の頂部は前記第一キャビティに近づいている前記半導体ウェハの第一側表面に当接し、前記第二凹型通路の内壁の頂部は前記第二キャビティに近づいている前記半導体ウェハの第二側表面に当接することを特徴とする請求項1に記載の半導体処理装置。 - 前記半導体処理装置は1個または複数個の円形スペーサーを更に含み、前記円形スペーサーの直径は前記半導体ウェハの直径より小さく、
前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しているとき、前記マイクロキャビティ内には複数の半導体ウェハが収納され、2つの前記半導体ウェハの間には円形スペーサーが1つずつ取り付けられ、
前記マイクロキャビティ内に収納されている各半導体ウェハの辺縁部は前記辺縁部処理空間内に挿入されることを特徴とする請求項1に記載の半導体処理装置。 - 前記辺縁部処理空間は環状であり、各半導体ウェハの辺縁部全体は前記辺縁部処理空間内に挿入され、各半導体ウェハの辺縁部の上表面、下表面および外端面はいずれも前記辺縁部処理空間内に露出していることを特徴とする請求項4に記載の半導体処理装置。
- 前記円形スペーサーと前記半導体ウェハは同軸に取り付けられることを特徴とする請求項4に記載の半導体処理装置。
- 前記半導体処理装置は第一キャビティおよび/または第二キャビティ上に設けられる高さ調節構造を更に含み、高さ調節構造は前記マイクロキャビティの高さを調節することによりそのマイクロキャビティ内にいろいろな数量の半導体ウェハを収納させることを特徴とする請求項4に記載の半導体処理装置。
- 前記高さ調節構造は着脱可能なスペーサーを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体処理装置。
- 前記第二キャビティは当該第二キャビティから前記マイクロキャビティの内壁表面側へ窪んで形成される1個または複数個の凹入部を含み、前記1個または複数個の凹入部は前記第二凹型通路の裏側に位置しており、
前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しておりかつ前記半導体ウェハが前記マイクロキャビティ内に収納されているとき、前記第二キャビティに近づいている前記半導体ウェハの第二側表面が前記1個または複数個の凹入部の頂部を覆うことにより1個または複数個の裏側処理空間が形成され、各前記裏側処理空間は裏側面処理用貫通孔により外部と連通し、流体は裏側面処理用貫通孔により各前記裏側処理空間に流入するかまたは各前記裏側処理空間から流出することを特徴とする請求項1に記載の半導体処理装置。 - 前記裏側面処理用貫通孔において、1個または複数個の裏側面処理用貫通孔は流体の入口になり、1個または複数個の裏側面処理用貫通孔は流体の出口になり、前記裏側処理空間は密閉の空間でありかつ裏側面処理用貫通孔により外部と連通していることを特徴とする請求項9に記載の半導体処理装置。
- 半導体処理装置であって、第一キャビティと第二キャビティを含み、
前記第二キャビティは第一キャビティに相対してオン位置とオフ位置との間で移動することができ、前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しているとき、第一キャビティと第二キャビティとの間にはマイクロキャビティが形成され、1つまたは複数の半導体ウェハは前記マイクロキャビティ内に重畳状態に収納され、前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオン位置に位置しているとき、前記半導体ウェハを前記マイクロキャビティから取り出すかまたは送入することができ、
前記第一キャビティは前記マイクロキャビティと対向する内壁表面を具備し、前記第二キャビティは前記マイクロキャビティと対向する内壁表面を具備し、
前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しておりかつ前記半導体ウェハが前記マイクロキャビティ内に収納されているとき、前記第一キャビティの内壁表面は少なくとも、前記第一キャビティに近づいている前記半導体ウェハの第一側表面の辺縁部に当接し、前記第二キャビティの内壁表面は少なくとも、前記第二キャビティに近づいている前記半導体ウェハの第二側表面の辺縁部に当接し、前記第一キャビティの内壁表面と前記第二キャビティの内壁表面との間には前記半導体ウェハの外側に位置する外端面処理空間が形成され、前記外端面処理空間は外端面処理用貫通孔により外部と連通し、処理流体は前記外端面処理用貫通孔により前記マイクロキャビティ内に注入されるかまたは前記マイクロキャビティから流出することを特徴とする半導体処理装置。 - 前記半導体ウェハの外端面は前記外端面処理空間内に露出し、前記外端面処理用貫通孔において、1個または複数個の外端面処理用貫通孔は流体の入口になり、1個または複数個の外端面処理用貫通孔は流体の出口になることを特徴とする請求項11に記載の半導体処理装置。
- 前記外端面処理空間は環状であり、前記外端面処理空間は密閉の空間でありかつ外端面処理用貫通孔により外部と連通していることを特徴とする請求項11に記載の半導体処理装置。
- 前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しているとき、前記マイクロキャビティ内には複数の半導体ウェハが重畳状態に収納され、
前記マイクロキャビティ内に収納される複数の半導体ウェハの各外端面はいずれも前記外端面処理空間内に露出していることを特徴とする請求項11に記載の半導体処理装置。 - 前記外端面処理空間は環状であり、前記半導体ウェハは同軸に取り付けられることを特徴とする請求項14に記載の半導体処理装置。
- 前記半導体処理装置は第一キャビティおよび/または第二キャビティ上に設けられる高さ調節構造を更に含み、高さ調節構造は前記マイクロキャビティの高さを調節することによりそのマイクロキャビティ内にいろいろな数量の半導体ウェハを収納させることを特徴とする請求項14に記載の半導体処理装置。
- 前記高さ調節構造は着脱可能なスペーサーを含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体処理装置。
- 前記第二キャビティは当該第二キャビティから前記マイクロキャビティの内壁表面側へ窪んで形成される凹入部を含み、前記凹入部は前記外端面処理空間の裏側に位置しており、
前記第二キャビティが第一キャビティに相対してオフ位置に位置しておりかつ前記半導体ウェハが前記マイクロキャビティ内に収納されているとき、前記第二キャビティに近づいている前記半導体ウェハの1つの側表面が前記凹入部の頂部を覆うことにより裏側処理空間が形成され、前記裏側処理空間は裏側面処理用貫通孔により外部と連通し、流体は裏側面処理用貫通孔により各前記裏側処理空間に流入するかまたは各前記裏側処理空間から流出することを特徴とする請求項11に記載の半導体処理装置。 - 前記裏側面処理用貫通孔において、1個または複数個の裏側面処理用貫通孔は流体の入口になり、1個または複数個の裏側面処理用貫通孔は流体の出口になり、前記裏側処理空間は密閉の空間でありかつ裏側面処理用貫通孔により外部と連通していることを特徴とする請求項18に記載の半導体処理装置。
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US20090241998A1 (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Multimetrixs, Llc | Apparatus for foam-assisted wafer cleaning with use of universal fluid supply unit |
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WO2017088221A1 (zh) | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 半导体处理装置及方法 |
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