JP7016044B2 - Ramo4基板のエッチング方法 - Google Patents
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Description
(a)図8(a)に示されるサファイア基板(51)を用意する(図8(a):基板準備)。
(b)まず、サファイア基板(51)上にレジスト(52)、あるいは、Niマスクといったエッチングマスクを形成する(図8(b):エッチングマスクの準備)。
(c)レジスト(52)によるパターンが形成されたサファイア基板(51)に対してドライエッチングにて溝(53)を形成する(図8(c):ドライエッチングプロセス)。
(d)エッチングマスクとしてのレジスト(52)を除去して、溝パターン(53)を有するサファイア基板(54)を得る(図8(d):溝パターン形成完了)。
前記RAMO4基板の表面を、硫酸、及び、過酸化水素水を含む薬液で化学反応させてエッチングすることで当該表面にパターン溝を形成する工程と、
を有する。
前記RAMO4基板の表面を、硫酸、及び、過酸化水素水を含む薬液で化学反応させてエッチングすることで当該表面にパターン溝を形成する工程と、
を有する。
パターンマスクを形成する工程と、
前記パターンマスクが残るようにドライエッチング加工を行う工程と、
をさらに含んでもよい。
まず、RAMO4基板の一種であるScAlMgO4基板上に高品質なGaNを形成し、自発自立・剥離化する技術を以下に説明する。ScAlMgO4単結晶は、岩塩型構造(111)面的なScO2層と、六方晶(0001)面的なAlMgO2層とが交互に積層した構造となっている。六方晶(0001)面的な2層は、ウルツ鉱型構造と比較して平面的になっており、面内の結合と比較して、上下層間の結合は、0.03nmほど長く、結合力が弱い。このため、ScAlMgO4単結晶は、(0001)面で劈開させることができる。
本開示の実施の形態1として、RAMO4基板としてScAlMgO4基板(1)にパターニング溝を形成するプロセス工程を図1の(a)から(e)に示す。以下にプロセスの内容を詳細に説明する。
(a)図1の工程(a)において、ScAlMgO4基板(1)上に、少なくとも硫酸、過酸化水素水を含む薬液に対して耐性のあるハードマスク(2)を堆積する(ハードマスク堆積プロセス)。例えば、二酸化珪素膜であればプラズマCVD法、スパッタ法により形成できる。また、二酸化珪素粒子を粘度のある溶媒に混ぜた後に塗布した上で高温にて焼成することで二酸化珪素膜を形成する、いわゆる、GOS(Glass on Silicon)プロセスによっても成膜することができる。
この時に、弗酸では、ScAlMgO4基板(5)の実質的なエッチングはほとんど進行しないので本工程終了後に二酸化珪素膜を除去後に清浄かつ平坦な表面を実現することが可能である。
このようにしてScAlMgO4基板(1)に対して、U字溝(4)をパターニングしたScAlMgO4基板(5)を実現することが可能となり、その表面部(5)は平滑で清浄に仕上げることができる。
ここで、図1の工程(e)は、一般的な気相成長、液相成長によりIII族窒化物半導体の結晶成長が実施される。
実施の形態1にて説明した手法によれば、ウェットエッチングの等方的なエッチングの性質によりアスペクト比が、ほぼ1であるU字溝が形成される。よりアスペクト比を大きくする手段として、この実施の形態2では、ドライエッチングとウェットエッチングとを組み合わせる手法を以下に説明する。
(a)RAMO4基板としてScAlMgO4基板(20)を用意する(図3(a):ScAlMgO4基板準備)。
(b)図3(a)に示すScAlMgO4基板(20)に対して、図3(b)に示すように、ハードマスクとしての二酸化珪素膜(21)を堆積させる(ハードマスク形成プロセス)。
(c)続けて、図3(c)の工程で厚さ10μmを超えるレジスト(22)をパターニングし、ウェットエッチ、もしくは、ドライエッチによりハードマスク(21)にパターン加工を実施する(厚膜レジスト形成プロセス)。
(d)続けて、図3(d)及び(e)の工程でレジスト(22)が消失し、パターニングされたハードマスク(23)が残る程度でドライエッチ加工を実施し、ScAlMgO4基板(20)に対してエッチング加工を実施する(ハードマスクのパターニングプロセス、ScAlMgO4基板のドライエッチングプロセス)。ここで、ScAlMgO4基板(20)は、深さ1μm~2μm程度のU溝(24)を形成することができる。
(f)最後に、図3(g)に示す工程でパターニングされたハードマスク(23)を除去する(ハードマスク除去)。
このようなプロセスを実施することで、よりアスペクト比の高いU溝を形成することが可能になる。
本実施の形態2に係る加工方法によれば、100nm以上、1μm以下程度のU溝底の曲率半径を容易に実現することが可能となる。
総じて、結晶成長を阻害する硫黄の添加、及び、上記アスペクト比の改善効果により、溝にボイド構造を形成することができ、ScAlMgO4結晶といった異種基板上にIII族窒化物結晶成長を実施する場合に、より歪を緩和した構造を実現することが可能になる。
実施の形態1、及び、実施の形態2で説明した手法によれば、ScAlMgO4基板にアスペクト比で1以上でU字溝を形成することができる。このようにして製造されたScAlMgO4基板上に気相結晶成長法、液相結晶成長法によりGaN結晶を成長し自立GaN基板を実現する方法を実施の形態3として以下に説明する。
なお、何も加工されていないScAlMgO4基板上にIII族窒化物半導体を形成した場合には、結晶成長が完了し高温状態から降温させる際に熱収縮の差から割れてしまうことが多々見られた。このことは、ScAlMgO4基板がc面劈開しやすい性質を備えていても、劈開のきっかけを与える構造がなければ剥離が困難であることを示している。特に、本実施の形態3では、実施の形態1に示されているように、U字溝底に硫黄といった不純物が存在しているがゆえに、U字溝でのIII族窒化物結晶とScAlMgO4基板との密着性は強固なものではないために、より一層、剥離性を示したと考えられる。
2 ハードマスク
3 パターニングされたハードマスク
4 ScAlMgO4基板上に形成されたパターンU溝
5 ScAlMgO4基板上エピ領域
6 U溝がパターン加工されたScAlMgO4基板
7 パターニングされたScAlMgO4基板上に形成されたGaN結晶
8 レジストマスク
10 パターニングされたハードマスクを備えたScAlMgO4基板
11 エッチング薬液
12 石英槽
13 恒温槽
20 ScAlMgO4基板
21 ハードマスク
22 厚膜レジストマスク
23 パターニングされたハードマスク
24 パターンU溝
25 ScAlMgO4基板上に深く形成されたパターンU溝
26 高アスペクト比のU溝がパターン加工されたScAlMgO4基板
31 U溝の上端部
32 U溝の底部
41 U溝がパターン加工されたScAlMgO4基板上GaN結晶
42 U溝がパターン加工されたScAlMgO4基板
43 自発剥離後にGaN結晶に取り込まれたScAlMgO4基板の一部
44 GaN結晶が自発剥離後のScAlMgO4基板
45 自発剥離後にGaN結晶に取り込まれたScAlMgO4基板の一部
46 U溝がパターン加工されたScAlMgO4基板上GaN結晶
51 サファイア基板
52 レジスト
53 パターン溝
54 パターン溝を有するサファイア基板
Claims (6)
- 一般式RAMO4で表される単結晶(前記一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板を準備する工程と、
前記RAMO4基板の表面を、硫酸、及び、過酸化水素水を含む薬液で化学反応させてエッチングすることで当該表面にパターン溝を形成する工程と、
を有し、
前記パターン溝を形成する工程において、二酸化珪素で構成されるパターンマスクを介してエッチングを行う、RAMO4基板のエッチング方法。 - 前記エッチングにおける前記薬液の温度を、35℃~290℃にして前記パターン溝を形成する、請求項1に記載のRAMO4基板のエッチング方法。
- 前記薬液は、(硫酸÷過酸化水素水)の値が、1~10の範囲である、請求項1又は2に記載のRAMO4基板のエッチング方法。
- 前記パターン溝の形成後に、前記パターンマスクを弗酸を用いて除去する工程を更に有する、請求項1から3のいずれか一項に記載のRAMO4基板のエッチング方法。
- 前記パターン溝を形成する工程において、硫酸及び過酸化水素水を含む前記薬液で化学反応させてエッチングする前に、
パターンマスクを形成する工程と、
前記パターンマスクが残るようにドライエッチング加工を行う工程と、
をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のRAMO4基板のエッチング方法。 - 前記パターン溝を形成する工程において、パターンマスクを介してエッチングを行うと共に、前記パターンマスクには、パターン溝と2つのパターン溝の間のアイランドとを有し、前記アイランドは、前記パターン溝の幅の0.5倍以上、20倍以下の長さである、請求項1から5のいずれか一項に記載のRAMO4基板のエッチング方法。
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JP2001053012A (ja) | 1999-06-28 | 2001-02-23 | Agilent Technol Inc | 半導体装置の組立方法およびiii−v族半導体装置 |
JP2001210598A (ja) | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
JP2013541221A (ja) | 2010-11-02 | 2013-11-07 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 改善された抽出効率を持つ発光装置 |
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