JP6996169B2 - Thermosetting resin compositions, resin-sealed substrates, and electronic devices - Google Patents

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Description

本発明は、熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置に関する。 The present invention relates to a thermosetting resin composition, a resin-sealed substrate, and an electronic device.

近年の電子機器の小型化および高性能化に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。これに伴い、上記電子部品を搭載する半導体パッケージの配線基板には、従来にも増して薄型化、高密度配線化および多端子化に加えて、製造コストの低減が要求されている。 With the recent miniaturization and higher performance of electronic devices, high-density integration of electronic components and high-density mounting are progressing. Along with this, the wiring board of the semiconductor package on which the electronic components are mounted is required to be thinner, have higher density wiring, and have more terminals than before, and also to reduce the manufacturing cost.

従来、上述した半導体パッケージの配線基板としては、コア層を有するビルドアップ基板が挙げられる。そして、上記コア層を有するビルドアップ基板の代表的な製造プロセスにおいては、コア層の両面に多層配線をビルドアップ工法によって形成することが行われていた（たとえば、特許文献１等）。 Conventionally, as the wiring board of the above-mentioned semiconductor package, a build-up board having a core layer can be mentioned. Then, in a typical manufacturing process of a build-up substrate having the core layer, multi-layer wiring is formed on both sides of the core layer by a build-up method (for example, Patent Document 1 and the like).

特開２０１１－１１４２９４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-114294

上記背景技術の項に前述したように、従来の配線基板の製造プロセスにおいても、薄型化、高密度配線化および多端子化に加えて、製造コストの低減を実現すべく、種々の検討がなされてきた。しかしながら、近年配線基板について要求される技術水準は、ますます高くなっており、なかでも、配線基板を使用して半導体パッケージを組み立てる工程の熱履歴によって、基板の寸法が変化し、それによって組立工程で不具合が生じることが課題となっていた。 As described above in the above background technology section, various studies have been made in the conventional wiring board manufacturing process in order to reduce the manufacturing cost in addition to the thinning, high-density wiring, and multi-terminalization. I came. However, in recent years, the technical level required for wiring boards has become higher and higher, and in particular, the dimensions of the boards change due to the thermal history of the process of assembling semiconductor packages using wiring boards, which causes the assembly process. The problem was that problems occurred in the circuit board.

本発明者は、上記課題について鋭意検討を行った結果、樹脂硬化物の収縮率に着目したところ、かかる収縮率が熱履歴によって変動することが見出された。そのため、単に収縮率が低い熱硬化性樹脂組成物を用いただけでは、その後の熱履歴による収縮率の変動が大きくなる場合があり、反って、位置ずれや基板の反りが発生することがあった。そして、本発明者がさらに検討を進めたところ、所定の熱処理条件下における熱収縮率が所定の範囲内となる熱硬化性樹脂組成物を用いることにより、半導体装置における位置ずれが効果的に低減できることが判明し、本発明が完成された。 As a result of diligent studies on the above problems, the present inventor focused on the shrinkage rate of the cured resin product, and found that the shrinkage rate fluctuates depending on the thermal history. Therefore, simply using a thermosetting resin composition having a low shrinkage rate may cause a large fluctuation in the shrinkage rate due to the subsequent heat history, which may cause misalignment or warpage of the substrate. .. Then, as a result of further studies by the present inventor, by using a thermosetting resin composition in which the heat shrinkage rate under a predetermined heat treatment condition is within a predetermined range, the positional deviation in the semiconductor device is effectively reduced. It turned out that it was possible, and the present invention was completed.

本発明によれば、
樹脂封止基板の形成に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、無機充填材と、硬化剤とを含み、
前記エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および多官能エポキシ樹脂の中から選ばれる１種または２種以上であり、
前記硬化剤が、フェノールアラルキル樹脂、多官能型フェノール樹脂の中から選ばれる１種または２種であり、
前記エポキシ樹脂の含有量が、前記熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３質量％以上、３０質量％以下であり、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して７０質量％以上であり、
前記硬化剤の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して１．０質量％以上、９質量％以下であり、
顆粒状の前記熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が１．０ｍｍ以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物が以下の条件１を満たす、熱硬化性樹脂組成物が提供される。
（条件１）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）を施した前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ１（％）とし、さらに前記硬化物に対し、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ４（％）としたとき、次式を満たす。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ４≦１．１５×Ｓ１ （１－１） According to the present invention
A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
The thermosetting resin composition contains an epoxy resin, an inorganic filler, and a curing agent.
The epoxy resin is one or more selected from biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, and polyfunctional epoxy resin.
The curing agent is one or two selected from phenol aralkyl resin and polyfunctional phenol resin.
The content of the epoxy resin is 3% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the curing agent is 1.0% by mass or more and 9% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The average particle size of the granular thermosetting resin composition is 1.0 mm or less.
A thermosetting resin composition is provided in which the thermosetting resin composition satisfies the following condition 1.
(Condition 1)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) to mold the cured product. The shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the dimensions was set to S 1 (%), and the time when the cured product reached 190 ° C. was set to t1 for the cured product, and the temperature was raised from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C. After that, when the time when the temperature is lowered to 190 ° C. is t2, t2-t1 satisfies 100 ± 50 seconds), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), and the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours). When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when the treatments are performed in the order of S4 (%) is S4 (%), the following equation is satisfied.
0.85 x S 1 ≤ S 4 ≤ 1.15 x S 1 (1-1)

また、本発明によれば、
樹脂封止基板の形成に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、無機充填材と、硬化剤とを含み、
前記エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および多官能エポキシ樹脂の中から選ばれる１種または２種以上であり、
前記硬化剤が、フェノールアラルキル樹脂、多官能型フェノール樹脂の中から選ばれる１種または２種であり、
前記エポキシ樹脂の含有量が、前記熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３質量％以上、３０質量％以下であり、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して７０質量％以上であり、
前記硬化剤の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して１．０質量％以上、９質量％以下であり、
顆粒状の前記熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が１．０ｍｍ以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物が以下の条件２を満たす、熱硬化性樹脂組成物が提供される。
（条件２）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、得られた前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施し、第ｎ熱処理をした後の前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳｎ（％）としたとき、次式を満たす。
０≦｜Ｓｎ－Ｓｎ－１｜≦０．０４ （２－１） Further, according to the present invention,
A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
The thermosetting resin composition contains an epoxy resin, an inorganic filler, and a curing agent.
The epoxy resin is one or more selected from biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, and polyfunctional epoxy resin.
The curing agent is one or two selected from phenol aralkyl resin and polyfunctional phenol resin.
The content of the epoxy resin is 3% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the curing agent is 1.0% by mass or more and 9% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The average particle size of the granular thermosetting resin composition is 1.0 mm or less.
A thermosetting resin composition is provided in which the thermosetting resin composition satisfies the following condition 2.
(Condition 2)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the obtained cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and a second heat treatment ( When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C, and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C after the temperature is raised from 190 ° C to 233 ± 3 ° C, t2-t1 is 100 ± 50 seconds. Satisfaction), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), and the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product after the nth heat treatment. When S is (%), the following equation is satisfied.
0 ≤ | Sn-S n -1 | ≤ 0.04 (2-1)

また、本発明によれば、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、樹脂封止基板が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a resin-sealed substrate provided with a cured product of the thermosetting resin composition.

また、本発明によれば、
上記樹脂封止基板と、
前記樹脂封止基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置が提供される。 Further, according to the present invention,
With the above resin-sealed substrate,
An electronic device comprising an electronic component mounted on the resin-sealed substrate is provided.

本発明によれば、熱履歴による位置ずれが抑制できる熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止基板および電子装置が提供される。 According to the present invention, there is provided a thermosetting resin composition capable of suppressing positional displacement due to thermal history, a resin-sealed substrate using the same, and an electronic device.

本実施形態に係る電子装置の構成の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the structure of the electronic apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。It is a process sectional view which shows an example of the manufacturing process of the electronic apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る樹脂封止基板の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the resin-sealed substrate which concerns on this embodiment. 顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を得る方法を示す一例の概略図である。It is a schematic diagram of an example which shows the method of obtaining the granular thermosetting resin composition.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.

まず、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の成分について説明する。 First, the components of the thermosetting resin composition of the present embodiment will be described.

（熱硬化性樹脂）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含有することができる。
上記熱硬化性樹脂は、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂を含有してもよい。 (Thermosetting resin)
The thermosetting resin composition of the present embodiment can contain a thermosetting resin.
The thermosetting resin is not particularly limited, but may contain, for example, an epoxy resin.

上記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。
このようなエポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'－（１，３－フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'－（１，４－フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'－シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリヒドロキシフェノニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、ヒドロキシナフタレンおよび／またはジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られる２官能ないし４官能のナフタレン２量体型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ樹脂；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラグリシジルメタキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'－テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン類；グリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、半導体パッケージの低線膨張化および高弾性率化、位置ずれ抑制の観点から、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂、およびビフェニル型エポキシ樹脂であることが好ましい。これにより、半導体装置の耐リフロー性を向上させることができ、半導体パッケージの位置ずれを効果的に抑制できる。 The epoxy resin is not particularly limited, but for example, a monomer, an oligomer, or a polymer having two or more epoxy groups in one molecule can be used.
Specific examples of such an epoxy resin include, for example, biphenyl type epoxy resin; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, tetramethyl bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and the like. Hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4'-(1,3-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4'-(1,4'-(1,4'-) 4-Phenylrangeisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,4'-cyclohexidiene bisphenol type epoxy resin) and other bisphenol type epoxy resin; stillben type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin , Novolak type epoxy resin such as brominated phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, novolak type epoxy resin having fused ring aromatic hydrocarbon structure; trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, alkyl modified trihydroxyphenonylmethane Polyfunctional epoxy resin such as type epoxy resin, tetraphenylol ethane type epoxy resin; phenol aralkyl type epoxy resin containing phenylene skeleton, phenol aralkyl type epoxy resin containing biphenylene skeleton; phenol aralkyl type epoxy resin such as dihydroxynaphthalene type epoxy resin, naphthalene Naphthalene skeleton such as bifunctional to tetrafunctional naphthalene dimer epoxy resin, binaphthyl type epoxy resin, naphthol aralkyl type epoxy resin obtained by glycidyl etherification of diol type epoxy resin, hydroxynaphthalene and / or dihydroxynaphthalene dimer. Arihashi cyclic hydrocarbon compound modified phenol type epoxy resin such as dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin; norbornen type epoxy resin; adamantan type epoxy resin; fluorene type epoxy Resin, phosphorus-containing epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin; heterocyclic epoxy such as triglycidyl isocyanurate and monoallyl diglycidyl isocyanurate. Resin; N, N, N', N'-tetraglycidyl Glycidylamines such as m-xylylenediamine, N, N, N', N'-tetraglycidylbisaminomethylcyclohexane, N, N-diglycidylaniline; compounds having an ethylenically unsaturated double bond with glycidyl (meth) acrylate. Copolymer with; Epoxy resin having a butadiene structure and the like can be mentioned.
These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type. Among them, a polyfunctional epoxy resin such as a trihydroxyphenylmethane type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin are preferable from the viewpoints of low linear expansion, high elastic modulus, and suppression of misalignment of the semiconductor package. As a result, the reflow resistance of the semiconductor device can be improved, and the misalignment of the semiconductor package can be effectively suppressed.

本実施形態において、上記熱硬化性樹脂の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。これにより、成形時における流動性を向上させ、充填性や成形安定性の向上を図ることができる。その結果、位置ずれを抑制することができるようになる。
一方、上記熱硬化性樹脂の含有量の上限値は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３０質量％以下であることが好ましく、２５質量％以下であることがより好ましい。これにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができ、基板の反りを低減できる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the thermosetting resin is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. As a result, the fluidity at the time of molding can be improved, and the filling property and the molding stability can be improved. As a result, it becomes possible to suppress the misalignment.
On the other hand, the upper limit of the content of the thermosetting resin is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. As a result, the moisture resistance reliability and reflow resistance of the semiconductor device can be improved, and the warpage of the substrate can be reduced.

（硬化剤）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化剤を含有してもよい。
上記硬化剤は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と反応する化合物であれば特に限定されない。 (Hardener)
The thermosetting resin composition of the present embodiment may contain a curing agent.
The curing agent is not particularly limited as long as it is a compound that reacts with a thermosetting resin such as an epoxy resin.

上記硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２～２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'－ジアミノジフェニルメタン、４，４'－ジアミノジフェニルプロパン、４，４'－ジアミノジフェニルエーテル、４，４'－ジアミノジフェニルスルホン、４，４'－ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４－アミノフェニル）フェニルメタン、１，５－ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１－ビス（４－アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the curing agent include linear aliphatic diamines having 2 to 20 carbon atoms such as ethylenediamine, trimethylenediamine, tetramethylenediamine, and hexamethylenediamine, metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, and paraxylenedamine, 4,4. '-Diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodicyclohexane, bis (4-aminophenyl) phenylmethane, Aminos such as 1,5-diaminonaphthalene, methaxylene diamine, paraxylene diamine, 1,1-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, dicyanodiamide; resol-type phenolic resin such as aniline-modified resol resin and dimethyl ether resol resin; Novolac-type phenolic resin such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin; polyfunctional phenol resin such as trihydroxyphenylmethane-type phenol resin; phenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin, biphenylene skeleton-containing phenol Phenol Aralkyr resin such as aralkyl resin; Phenolic resin having a condensed polycyclic structure such as naphthalene skeleton and anthracene skeleton; Polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; Alicyclic acid anhydrides such as alicyclic acid anhydrides, acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA); polysulfide, thioester. , Polymercaptan compounds such as thioether; isocyanate compounds such as isocyanate prepolymer and blocked isocyanate; organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resin and the like. One of these may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

中でも、硬化剤としては、耐湿性、信頼性等の点から、１分子内に少なくとも２個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、シリコン変性フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、または、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能エポキシ樹脂であることがより好ましい。中でも、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の耐熱性や、位置ずれ抑制の観点から、多官能エポキシ樹脂を用いることが好ましく、トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂を用いることがより好ましい。 Among them, as the curing agent, a compound having at least two phenolic hydroxyl groups in one molecule is preferable from the viewpoint of moisture resistance, reliability and the like, and phenol novolac resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak. Novolac-type phenolic resin such as resin and silicon-modified phenol novolak resin; Resol-type phenolic resin; Polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene; Phenolylene skeleton-containing phenol aralkyl resin, biphenylene skeleton-containing phenolaralkyl resin, or trihydroxyphenylmethane-type phenol More preferably, it is a polyfunctional epoxy resin such as a resin. Above all, from the viewpoint of heat resistance of the cured product of the thermosetting resin composition and suppression of misalignment, it is preferable to use a polyfunctional epoxy resin, and it is more preferable to use a trihydroxyphenylmethane type phenol resin.

本実施形態において、硬化剤の含有量の下限値は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、１．０質量％以上であることが好ましく、２．０質量％以上であることがより好ましく、３．０質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、成形時において、優れた流動性を実現し、充填性や成形性の向上を図ることができ、位置ずれを効果的に抑制できる。
一方で、上記硬化剤の含有量の上限値は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、９質量％以下であることが好ましく、８質量％以下であることがより好ましく、７質量％以下であることがさらに好ましい。これにより、半導体装置の耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the curing agent is not particularly limited, but is preferably 1.0% by mass or more, preferably 2.0% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. It is more preferably present, and more preferably 3.0% by mass or more. As a result, excellent fluidity can be realized at the time of molding, fillability and moldability can be improved, and misalignment can be effectively suppressed.
On the other hand, the upper limit of the content of the curing agent is not particularly limited, but is preferably 9% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. , 7% by mass or less is more preferable. This makes it possible to improve the moisture resistance reliability and reflow resistance of the semiconductor device.

（無機充填材）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、無機充填材を含有することができる。 (Inorganic filler)
The thermosetting resin composition of the present embodiment can contain an inorganic filler.

上記無機充填材としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
中でも、溶融球状シリカが好ましい。また、シリカの粒子形状は、できるだけ真球状であることが好ましい。 Examples of the inorganic filler include silica such as molten crushed silica, fused spherical silica, crystalline silica, and secondary aggregated silica; alumina; titanium white; aluminum hydroxide; talc; clay; mica; glass fiber and the like. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
Of these, fused spherical silica is preferable. Moreover, it is preferable that the particle shape of silica is as spherical as possible.

上記無機充填材の平均粒径ｄ５０の上限値は、金型充填性の観点から、５μｍ以下であることが好ましく、４．５μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、位置ずれを効果的に抑制できる。
一方、上記無機充填材の平均粒径ｄ５０の下限値は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上であることが好ましい。
本実施形態において、無機充填材の平均粒径ｄ５０は、例えばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ－５００）を用いて測定することができる。 The upper limit of the average particle size d50 of the inorganic filler is preferably 5 μm or less, more preferably 4.5 μm or less, and further preferably 4 μm or less from the viewpoint of mold filling property. As a result, the misalignment can be effectively suppressed.
On the other hand, the lower limit of the average particle size d50 of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 μm or more.
In the present embodiment, the average particle size d50 of the inorganic filler can be measured by using, for example, a laser diffraction type particle size distribution measuring device (LA-500 manufactured by HORIBA).

本実施形態において、無機充填材の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、７０質量％以上であることが好ましく、７５質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の低吸湿性および低熱膨張性を向上させ、位置ずれを効果的に抑制できる。
一方、上記無機充填材の含有量の上限値は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、９５質量％以下であることが好ましく、９３質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることがさらに好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の成形時における流動性や充填性をより効果的に向上させることが可能となる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the inorganic filler is preferably 70% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, and 80% by mass with respect to the entire thermosetting resin composition. % Or more is more preferable. As a result, the low hygroscopicity and low thermal expansion of the cured product of the thermosetting resin composition can be improved, and the misalignment can be effectively suppressed.
On the other hand, the upper limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 95% by mass or less, more preferably 93% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. , 90% by mass or less is more preferable. This makes it possible to more effectively improve the fluidity and filling property of the thermosetting resin composition during molding.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シリコーンオイルを含有することができる。 The thermosetting resin composition of the present embodiment can contain silicone oil.

上記シリコーンオイルは、例えば、分子中にポリエーテル基を有している化合物を用いることができる。このようなシリコーンオイルとしては、下記一般式（１）で表されるシリコーンオイルを用いることができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。 As the silicone oil, for example, a compound having a polyether group in the molecule can be used. As such a silicone oil, a silicone oil represented by the following general formula (1) can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

Figure 0006996169000001

（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１は炭素数１ないし１２のアルキル基、アリール基、アラルキル基から選択される有機基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ２は炭素数１ないし９のアルキレン基を示す。Ｒ３は水素原子又は炭素数１ないし９のアルキル基である。Ａは、炭素、窒素、酸素、硫黄、水素から選択される原子から構成される基である。Ｒ４は炭素数１ないし１２のアルキル基、アリール基、アラルキル基から選択される有機基、又は炭素、窒素、酸素、硫黄、水素から選択される原子から構成される基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、平均値であるｌ、ｍ、ｎ、ａ、及びｂについては次の関係にある。ｌ≧０、ｍ≧０、ｎ≧１、ｌ＋ｍ＋ｎ≧５、０．０２≦ｎ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）≦０．８、ａ≧０、ｂ≧０、ａ＋ｂ≧１）
Figure 0006996169000001
(However, in the above general formula (1), R 1 is an organic group selected from an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group, and an aralkyl group, and may be the same as or different from each other. 2 represents an alkylene group having 1 to 9 carbon atoms. R 3 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms. A is composed of an atom selected from carbon, nitrogen, oxygen, sulfur and hydrogen. R4 is an organic group selected from an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group, and an aralkyl group, or a group composed of atoms selected from carbon, nitrogen, oxygen, sulfur, and hydrogen. Yes, they may be the same or different from each other. Further, the average values l, m, n, a, and b have the following relationship. L ≧ 0, m ≧ 0, n ≧ 1, l + m + n ≧ 5, 0.02 ≦ n / (l + m + n) ≦ 0.8, a ≧ 0, b ≧ 0, a + b ≧ 1)

上記一般式（１）で表されるシリコーンオイルにおけるポリエーテル基含有単位の繰返し数（ｎ）は、上記一般式（１）で表されるシリコーンオイルの重合度（ｌ＋ｍ＋ｎ）に対し、０．０２以上、０．８以下の範囲であることが好ましい。ポリエーテル基含有単位の繰返し数（ｎ）の割合が上記範囲内であると、シリコーンオイルと樹脂成分との相溶性が適正な状態となることで界面活性作用を呈し、樹脂成分の均一化の効果が得られることとなる。また、ポリエーテル基含有単位の繰返し数（ｎ）の割合が上記範囲内であると、過剰のポリエーテル基の存在による樹脂組成物の吸湿量の増大を抑制でき、それに伴う半田耐熱性の低下を抑制することができる。 The number of repetitions (n) of the unit containing a polyether group in the silicone oil represented by the general formula (1) is 0.02 with respect to the degree of polymerization (l + m + n) of the silicone oil represented by the general formula (1). As mentioned above, it is preferably in the range of 0.8 or less. When the ratio of the number of repetitions (n) of the unit containing the polyether group is within the above range, the compatibility between the silicone oil and the resin component becomes appropriate, and a surface active action is exhibited, so that the resin component becomes uniform. The effect will be obtained. Further, when the ratio of the number of repetitions (n) of the unit containing the polyether group is within the above range, it is possible to suppress an increase in the amount of moisture absorbed by the resin composition due to the presence of an excessive amount of the polyether group, and the solder heat resistance is lowered accordingly. Can be suppressed.

本実施形態のシリコーンオイルは、特に平均重合度に制約は無く、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填材との親和性を付与するために、メチル基、フェニル基の他にＣ、Ｏ、Ｎ、Ｓ原子などを含む有機基を有していても構わない。 The silicone oil of the present embodiment has no particular limitation on the average degree of polymerization, and in order to impart compatibility with epoxy resins, phenol resins, and inorganic fillers, C, O, N, in addition to methyl groups and phenyl groups, It may have an organic group containing an S atom or the like.

例えば、上記一般式（１）で表されるシリコーンオイルは、分子中に、ポリエーテル基以外にも炭素、窒素、酸素、硫黄、水素原子から選択される原子から構成される種々の基を有してもよい。これらの基としては、例えば、エポキシ基、水酸基、アミノ基、ウレイド基、エポキシ樹脂や硬化剤との反応性を有する官能基や、アリール基等が挙げられる。 For example, the silicone oil represented by the above general formula (1) has various groups in the molecule, which are composed of atoms selected from carbon, nitrogen, oxygen, sulfur and hydrogen atoms in addition to the polyether groups. You may. Examples of these groups include an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, a ureido group, a functional group having reactivity with an epoxy resin and a curing agent, an aryl group and the like.

本実施形態において、シリコーンオイルの含有量の下限値は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、０．０５質量％以上であることが好ましく、０．０８質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることがさらに好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の界面にシリコーンオイルがブリードすることができ、当該界面の濡れ性を最適にすることができる。
一方、シリコーンオイルの含有量の上限値は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましい。これにより、シリコーンオイルのブリード量を適切に制御できるので、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の成形性の低下を抑制することができる。 In the present embodiment, the lower limit of the content of the silicone oil is not particularly limited, but is preferably 0.05% by mass or more, preferably 0.08% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. It is more preferably present, and further preferably 0.1% by mass or more. As a result, the silicone oil can bleed to the interface of the cured product of the thermosetting resin composition, and the wettability of the interface can be optimized.
On the other hand, the upper limit of the content of the silicone oil is not particularly limited, but is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. .. As a result, the amount of bleeding of the silicone oil can be appropriately controlled, so that deterioration of the moldability of the cured product of the thermosetting resin composition can be suppressed.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シアネート樹脂を含有してもよい。
これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、半導体装置の耐熱性や耐湿性を向上させることができる。 The thermosetting resin composition of the present embodiment may contain a cyanate resin.
As a result, it is possible to reduce the linear expansion and improve the elastic modulus and rigidity of the cured product of the thermosetting resin composition. In addition, the heat resistance and moisture resistance of the semiconductor device can be improved.

上記シアネート樹脂は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことが好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがより好ましい。 The cyanate resin is, for example, a novolak type cyanate resin; a bisphenol type cyanate resin such as a bisphenol A type cyanate resin, a bisphenol E type cyanate resin, a tetramethylbisphenol F type cyanate resin; a reaction between a naphthol aralkyl type phenol resin and cyanate halide. Can include one or more selected from the naphthol aralkyl-type cyanate resin obtained in the above; dicyclopentadiene-type cyanate resin; bisphenol skeleton-containing phenol aralkyl-type cyanate resin. Among these, from the viewpoint of low linear expansion and improvement of elastic modulus and rigidity, it is preferable to contain at least one of the novolak type cyanate resin and the naphthol aralkyl type cyanate resin, and the novolak type cyanate resin may be contained. More preferred.

上記シアネート樹脂の含有量の下限値は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の低線膨張化や高弾性率化を図ることができる。
一方、上記シアネート樹脂の含有量の上限値は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。 The lower limit of the content of the cyanate resin is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, based on the entire thermosetting resin composition. As a result, it is possible to achieve low linear expansion and high elastic modulus of the cured product of the thermosetting resin composition.
On the other hand, the upper limit of the content of the cyanate resin is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, based on the entire thermosetting resin composition. This makes it possible to improve the heat resistance and moisture resistance of the cured product of the thermosetting resin composition.

（硬化促進剤）
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。
上記硬化促進剤は、例えば、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤との硬化反応を促進させるものであれば特に限定されない。 (Curing accelerator)
The thermosetting resin composition of the present embodiment may contain a curing accelerator.
The curing accelerator is not particularly limited as long as it promotes the curing reaction between the epoxy group of the epoxy resin and the curing agent.

上記硬化促進剤としては、例えば、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物；１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７、ベンジルジメチルアミン、２－メチルイミダゾール等が例示されるアミジンや３級アミン、前記アミジンやアミンの４級塩等の窒素原子含有化合物から選択される１種類または２種類以上を挙げることができる。これらの中でも、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことが好ましい。一方、成形性と硬化性のバランスを向上させる観点からは、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するものを含むことが好ましい。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
また、有機ホスフィンとしては、例えば、エチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
より好ましいものとしては、熱硬化性樹脂組成物が溶融した後の急激な増粘が少ない潜伏性を有する硬化促進剤が挙げられる。 Examples of the curing accelerator include phosphorus atom-containing compounds such as organic phosphine, tetra-substituted phosphonium compound, phosphobetaine compound, adduct of phosphine compound and quinone compound, and adduct of phosphonium compound and silane compound; 1,8 -Diazabicyclo [5.4.0] Undecene-7, benzyldimethylamine, 2-methylimidazole and the like are exemplified by amidine and tertiary amine, selected from nitrogen atom-containing compounds such as the quaternary salt of amidine and amine. One type or two or more types can be mentioned. Among these, it is preferable to contain a phosphorus atom-containing compound from the viewpoint of improving curability. On the other hand, from the viewpoint of improving the balance between moldability and curability, it has latent properties such as a tetra-substituted phosphonium compound, a phosphobetaine compound, an adduct of a phosphine compound and a quinone compound, and an adduct of a phosphonium compound and a silane compound. It is preferable to include one. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of the organic phosphine include a first phosphine such as ethylphosphine and phenylphosphine; a second phosphine such as dimethylphosphine and diphenylphosphine; and a third phosphine such as trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine and triphenylphosphine. Will be.
More preferable is a curing accelerator having a latent property with less rapid thickening after the thermosetting resin composition is melted.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、着色剤、離型剤、低応力剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を含有してもよい。 In addition to the above components, the thermosetting resin composition of the present embodiment has, if necessary, a coupling agent, a leveling agent, a colorant, a mold release agent, a low stress agent, a photosensitizer, a defoaming agent, and an ultraviolet absorber. , Effervescent agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers and the like may contain one or more additives.

上記カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシランカップリング剤、フェニルアミノプロピルトリメトキシシランカップリング剤、メルカプトシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。
上記レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。上記着色剤としては、カーボンブラック等が挙げられる。上記離型剤としては、天然ワックス、モンタン酸エステル等の合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等が挙げられる。上記低応力剤としては、シリコーンゴム等が挙げられる。イオン捕捉剤としては、ハイドロタルサイト等が挙げられる。難燃剤としては、水酸化アルミニウム等が挙げられる。本実施形態において、例えば、上記シリコーンオイルと上記離型剤とを併用してもよい。 Examples of the coupling agent include an epoxysilane coupling agent, a cationicsilane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane coupling agent, a phenylaminopropyltrimethoxysilane coupling agent, and a mercapto. Examples thereof include a silane coupling agent such as a silane coupling agent, a titanate-based coupling agent, and a silicone oil type coupling agent.
Examples of the leveling agent include acrylic copolymers and the like. Examples of the colorant include carbon black and the like. Examples of the release agent include natural wax, synthetic wax such as montanic acid ester, higher fatty acid or metal salts thereof, paraffin, polyethylene oxide and the like. Examples of the low stress agent include silicone rubber and the like. Examples of the ion scavenger include hydrotalcite and the like. Examples of the flame retardant include aluminum hydroxide. In the present embodiment, for example, the silicone oil and the mold release agent may be used in combination.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、顆粒状であってもよく、またはシート状であってもよい。金型充填性の観点から、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を用いることが好ましく、生産性の観点から、シート状の熱硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。 The thermosetting resin composition of the present embodiment may be in the form of granules or a sheet. From the viewpoint of mold filling property, it is preferable to use a granular thermosetting resin composition, and from the viewpoint of productivity, it is preferable to use a sheet-shaped thermosetting resin composition.

本実施形態において、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物の製造方法としては、例えば、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された熱硬化性樹脂組成物を供給し、その熱硬化性樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔を通過させて得る方法（以下、「遠心製粉法」とも言う。）；熱硬化性樹脂組成物の各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法（以下、「粉砕篩分法」とも言う。）；熱硬化性樹脂組成物の各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法（以下、「ホットカット法」とも言う。）等が挙げられる。 In the present embodiment, as a method for producing a granular thermosetting resin composition, for example, it is melt-kneaded inside a rotor composed of a cylindrical outer peripheral portion having a plurality of small holes and a disk-shaped bottom surface. A method of supplying a thermosetting resin composition and passing the thermosetting resin composition through a small hole by a centrifugal force obtained by rotating a rotor (hereinafter, also referred to as "centrifugal milling method". ); After premixing each raw material component of the thermosetting resin composition with a mixer, heat-kneading with a kneader such as a roll, kneader or extruder, cooling, and crushing to make a crushed product using a sieve. A method obtained by removing coarse particles and fine powder (hereinafter, also referred to as "crushing and sieving method"); after premixing each raw material component of the thermosetting resin composition with a mixer, a small diameter is formed at the tip of the screw. Using an extruder equipped with multiple dies, heat kneading is performed, and the molten resin extruded in a strand shape from the small holes arranged in the dies is cut with a cutter that slides and rotates substantially parallel to the die surface. (Hereinafter, also referred to as "hot cut method") and the like.

また、シート状の熱硬化性樹脂組成物の製造方法としては、調製したワニス状の熱硬化性樹脂組成物を基材フィルム上に塗布・乾燥してシート状に形成し、溶剤を揮発させる方法が挙げられる。これにより、樹脂シートを作製することができる。また、塗布の方法としては、コンマコーターやダイコーターのような塗工機を用いた塗工による方法、ステンシル印刷やグラビア印刷のような印刷による方法等が挙げられる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物の調製方法の一例としては、例えば、非反応性の揮発性成分を除く各原料成分を混練して得られた樹脂組成物を有機溶剤等に溶解又は分散する方法がある。また、樹脂シートは、熱硬化性樹脂組成物を押し出してシート状に形成してもよい。なお、樹脂シートの表面を保護しフィルムで覆ってもよい。上記樹脂シートは、枚葉状でも巻き取り可能なロール状でもよい。 Further, as a method for producing a sheet-shaped thermosetting resin composition, a method in which the prepared varnish-shaped thermosetting resin composition is applied on a base film and dried to form a sheet, and the solvent is volatilized. Can be mentioned. This makes it possible to produce a resin sheet. In addition, examples of the coating method include a coating method using a coating machine such as a comma coater or a die coater, a printing method such as stencil printing or gravure printing, and the like. As an example of the method for preparing the varnish-like thermosetting resin composition, for example, the resin composition obtained by kneading each raw material component excluding the non-reactive volatile component is dissolved in an organic solvent or the like. There is a way to disperse. Further, the resin sheet may be formed in the form of a sheet by extruding the thermosetting resin composition. The surface of the resin sheet may be protected and covered with a film. The resin sheet may be in the form of a sheet or a roll that can be rolled up.

次に、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の物性について説明する。 Next, the physical characteristics of the thermosetting resin composition of the present embodiment will be described.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、以下の条件１を満たす。
（条件１）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）を施した前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ１（％）とし、さらに前記硬化物に対し、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ４（％）としたとき、次式を満たす。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ４≦１．１５×Ｓ１ （１－１） The thermosetting resin composition of the present embodiment satisfies the following condition 1.
(Condition 1)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) to mold the cured product. The shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the dimensions was set to S 1 (%), and the time when the cured product reached 190 ° C. was set to t1 for the cured product, and the temperature was raised from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C. After that, when the time when the temperature is lowered to 190 ° C. is t2, t2-t1 satisfies 100 ± 50 seconds), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), and the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours). When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when the treatments are performed in the order of S4 (%) is S4 (%), the following equation is satisfied.
0.85 x S 1 ≤ S 4 ≤ 1.15 x S 1 (1-1)

すなわち、従来は、単に収縮率が低い熱硬化性樹脂組成物を用いただけでは、その後の熱履歴による収縮率の変動が大きくなる場合があり、反って、位置ずれや基板の反りが発生することがあった。これに対し、本実施形態における熱硬化性樹脂組成物は、上記の条件１を満たすことにより、半導体装置における位置ずれが効果的に低減できる。さらに、基板が、Ｓｍｉｌｅ反り（プラス反り）になったり、Ｃｒｙ反り（マイナス反り）になったりという変動を抑制できる。 That is, conventionally, if only a thermosetting resin composition having a low shrinkage rate is used, the fluctuation of the shrinkage rate may become large due to the subsequent heat history, and the position shift or the warp of the substrate may occur. was there. On the other hand, the thermosetting resin composition in the present embodiment can effectively reduce the positional deviation in the semiconductor device by satisfying the above condition 1. Further, it is possible to suppress fluctuations such as a Smile warp (plus warp) and a Cry warp (minus warp) in the substrate.

また、第４熱処理（１７５℃、６時間）の後に、さらに第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）を施したときの硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ５（％）としたとき、次式を満たすものとしてもよい。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ５≦１．１５×Ｓ１ （１－２） Further, after the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), the time when the fifth heat treatment (160 ° C. is reached is t3), the temperature is raised from 160 ° C. to 240 ± 5 ° C., and then the temperature is lowered to 160 ° C. When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds is S5 ( %) when the time is t4, the following It may satisfy the formula.
0.85 x S 1 ≤ S 5 ≤ 1.15 x S 1 (1-2)

さらに、第２処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）を施したときの硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ２（％）としたとき、次式を満たすものとしてもよい。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ２≦１．１５×Ｓ１ （１－３） Further, when the second treatment (the time when the temperature reaches 190 ° C. is t1, the time when the temperature is raised from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C., and then the temperature is lowered to 190 ° C. is t2, t2-t1 When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when 100 ± 50 seconds is satisfied is S 2 (%), the following equation may be satisfied.
0.85 x S 1 ≤ S 2 ≤ 1.15 x S 1 (1-3)

これにより、熱履歴による位置ずれ及び基板の反りをさらに効果的に低減できるようになり、その結果、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。 This makes it possible to more effectively reduce the positional deviation and the warp of the substrate due to the thermal history, and as a result, a highly reliable semiconductor device can be obtained.

また、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、以下の条件２を満たす。
（条件２）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、得られた前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施し、第ｎ熱処理をした後の前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳｎ（％）としたとき、次式を満たす。
０≦｜Ｓｎ－Ｓｎ－１｜≦０．０４ （２－１） Further, the thermosetting resin composition of the present embodiment satisfies the following condition 2.
(Condition 2)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the obtained cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and a second heat treatment ( When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C, and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C after the temperature is raised from 190 ° C to 233 ± 3 ° C, t2-t1 is 100 ± 50 seconds. Satisfaction), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), and the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product after the nth heat treatment. When S is (%), the following equation is satisfied.
0 ≤ | Sn-S n -1 | ≤ 0.04 (2-1)

また、第４熱処理（１７５℃、６時間）の後に、さらに第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）を施してもよい。この場合も、上記式（２－１）を満たす。 Further, after the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), the time when the fifth heat treatment (160 ° C. is reached is t3), the temperature is raised from 160 ° C. to 240 ± 5 ° C., and then the temperature is lowered to 160 ° C. When t4 is set as the time for heat treatment, t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds). Also in this case, the above equation (2-1) is satisfied.

本実施形態における熱硬化性樹脂組成物は、上記のような従来技術に対し、条件２を満たすことにより、半導体装置における位置ずれが効果的に低減できる。さらに、基板が、Ｓｍｉｌｅ反り（プラス反り）になったり、Ｃｒｙ反り（マイナス反り）になったりという変動を抑制できる。 The thermosetting resin composition in the present embodiment can effectively reduce the positional deviation in the semiconductor device by satisfying the condition 2 with respect to the above-mentioned conventional technique. Further, it is possible to suppress fluctuations such as a Smile warp (plus warp) and a Cry warp (minus warp) in the substrate.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上記のような条件１及び２を満たすために、熱硬化性樹脂組成物中に含まれる各成分の種類や配合量を適切に組み合わせ、熱硬化性樹脂組成物の混練速度、混練温度などといった調製方法等を高度に制御している。たとえば、粘度が高くなりすぎないように、材料を選択し、配合量を調整すること等が、上記条件１及び２を満たすための要素として挙げられる。詳細には、粘度の低い熱硬化性樹脂と、粘度の低い硬化剤とを組み合わせること、粘度が高い熱硬化性樹脂を用いた場合は、粘度が低い熱硬化性樹脂と組み合わせ、それらの配合量を調整したり、組み合わせる硬化剤として粘度が低いものを選択することなどが挙げられる。ただし、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物において、上記のような条件１及び２を満たす方法は、かかる方法に限定されない。 The thermosetting resin composition of the present embodiment is thermosetting by appropriately combining the types and blending amounts of each component contained in the thermosetting resin composition in order to satisfy the above conditions 1 and 2. The preparation method such as the kneading speed and kneading temperature of the resin composition is highly controlled. For example, selecting a material and adjusting the blending amount so that the viscosity does not become too high can be mentioned as an element for satisfying the above conditions 1 and 2. Specifically, a combination of a low-viscosity thermosetting resin and a low-viscosity curing agent, and when a high-viscosity thermosetting resin is used, a combination of a low-viscosity thermosetting resin and their blending amounts. As a curing agent to be combined, it is possible to select a curing agent having a low viscosity. However, in the thermosetting resin composition of the present embodiment, the method satisfying the above conditions 1 and 2 is not limited to such a method.

上記条件１及び２における硬化物の収縮率は、以下のように定義される。
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、得られた前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）、第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）の順に処理を施したときの、第ｎ熱処理をした後の硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳｎ（％）とする。
まず、円盤状の金型の室温における寸法を４箇所測定し、その平均値を算出する。続けて、金型に熱硬化性樹脂組成物を投入して円盤状の硬化物を得、得られた硬化物に第ｎ熱処理を施した後の室温における直径を、当該金型で測定した箇所に対応する４箇所で測定し、その平均値を算出する。次に、得られた平均値を、次式：〔（室温における金型寸法－第ｎ熱処理後の硬化物の室温における寸法）／室温における金型寸法〕×１００（％）に当てはめて、硬化物の収縮率Ｓｎ（％）を算出する。 The shrinkage rate of the cured product under the above conditions 1 and 2 is defined as follows.
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the obtained cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and a second heat treatment ( When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C, and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C after the temperature is raised from 190 ° C to 233 ± 3 ° C, t2-t1 is 100 ± 50 seconds. (Satisfy), 3rd heat treatment (125 ° C, 2 hours), 4th heat treatment (175 ° C, 6 hours), 5th heat treatment (time when reaching 160 ° C is t3, from 160 ° C to 240 ± 5 ° C. When the time when the temperature is lowered to 160 ° C. after raising the temperature is t4, t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds), and the cured product after the nth heat treatment is performed. The shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size is Sn (%).
First, the dimensions of the disk-shaped mold at room temperature are measured at four points, and the average value is calculated. Subsequently, the thermosetting resin composition was put into a mold to obtain a disk-shaped cured product, and the diameter at room temperature after the obtained cured product was subjected to the nth heat treatment was measured with the mold. Measure at 4 points corresponding to, and calculate the average value. Next, the obtained average value was applied to the following formula: [(mold size at room temperature-dimension at room temperature of the cured product after the nth heat treatment) / mold size at room temperature] × 100 (%) to cure. The shrinkage rate Sn (%) of the object is calculated.

また、第１熱処理は、本実施形態における熱硬化性樹脂組成物を用いて樹脂封止（ＡＳＭ：ａｓ Ｍｏｌｄ）を行った後、本硬化させて樹脂封止基板を作製することを想定した加熱条件である（ＰＭＣ：Ｐｏｓｔ Ｍｏｌｄ Ｃｕｒｅ）。第２熱処理は、得られた樹脂封止基板に半導体素子を搭載することを想定した加熱条件である（ダイボンディングリフロー）。より具体的には、例えば、１３０～１８０℃でプレヒートを行い、１９０～２３３±３℃での昇温速度をおおよそ１．５℃／秒とし、ピーク温度から４０℃までの降温速度をおおよそ０．５℃／秒としてもよい。１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たすものであればよい。第３熱処理は、半導体素子が搭載された樹脂封止基板を乾燥（脱湿）させることを想定した加熱条件である。第４熱処理は、樹脂封止基板に搭載された半導体素子を樹脂封止することを想定した加熱条件である。第５熱処理は、樹脂封止された半導体素子が搭載された樹脂封止基板にはんだボールを搭載することを想定した加熱条件である（ボールアタッチリフロー）。より具体的には、例えば、１４０～１６０℃でプレヒートを行い、２１７℃以上で溶融し、ピーク温度から１６０℃までの昇温速度を０．５～３℃／秒としてもよい。１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たすものであればよい。このように、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱履歴を想定した条件において特定の数値を満たすことにより、より効果的に位置ずれを抑制しつつ、基板の反りを低減できることとなる。 Further, in the first heat treatment, heating is performed on the assumption that the thermosetting resin composition in the present embodiment is used for resin encapsulation (ASM: as Mold) and then the main curing is performed to prepare a resin encapsulated substrate. It is a condition (PMC: Post Mold Cure). The second heat treatment is a heating condition assuming that a semiconductor element is mounted on the obtained resin-sealed substrate (die bonding reflow). More specifically, for example, preheating is performed at 130 to 180 ° C., the temperature rising rate at 190 to 233 ± 3 ° C. is approximately 1.5 ° C./sec, and the temperature decreasing rate from the peak temperature to 40 ° C. is approximately 0. It may be 5.5 ° C./sec. When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C., and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C. after raising the temperature from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C., t2-t1 is 100 ± 50 seconds. Anything that meets the requirements will do. The third heat treatment is a heating condition assuming that the resin-sealed substrate on which the semiconductor element is mounted is dried (dehumidified). The fourth heat treatment is a heating condition assuming that the semiconductor element mounted on the resin-sealed substrate is resin-sealed. The fifth heat treatment is a heating condition assuming that a solder ball is mounted on a resin-sealed substrate on which a resin-sealed semiconductor element is mounted (ball attach reflow). More specifically, for example, preheating may be performed at 140 to 160 ° C., melting at 217 ° C. or higher, and the heating rate from the peak temperature to 160 ° C. may be 0.5 to 3 ° C./sec. When t3 is the time when the temperature reaches 160 ° C, and t4 is the time when the temperature is lowered to 160 ° C after raising the temperature from 160 ° C to 240 ± 5 ° C, t4-t3 is 90 ± 60 seconds. Anything that meets the requirements will do. As described above, the thermosetting resin composition of the present embodiment can more effectively suppress the displacement and reduce the warp of the substrate by satisfying a specific numerical value under the condition assuming the thermal history. ..

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）の下限値は、１４５℃以上であることが好ましく、１５０℃以上であることがより好ましく、１５５℃以上であることがさらに好ましい。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の熱分解を抑制することができ、位置ずれを低減できる。また、樹脂封止基板の反りを抑制することができる。
一方、上記ガラス転移温度（Ｔｇ）の上限値は、特に限定されないが、２５０℃以下であることが好ましい。 The lower limit of the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment is preferably 145 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher, and 155 ° C. or higher. Is even more preferable. As a result, thermal decomposition of the cured product of the thermosetting resin composition can be suppressed, and misalignment can be reduced. In addition, warpage of the resin-sealed substrate can be suppressed.
On the other hand, the upper limit of the glass transition temperature (Tg) is not particularly limited, but is preferably 250 ° C. or lower.

また、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における平均粒径の上限値は、１．０ｍｍ以下であることが好ましく、０．７ｍｍ以下であることがより好ましく、０．６ｍｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、充填性を向上しつつ、位置ずれを抑制できる。
一方、上記平均粒径の下限値は、０．１ｍｍ以上であることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましく、０．４ｍｍ以上であることがさらに好ましい。これにより、製造安定性に優れた顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を実現することができる。 Further, the upper limit of the average particle size in the granular thermosetting resin composition is preferably 1.0 mm or less, more preferably 0.7 mm or less, and further preferably 0.6 mm or less. preferable. As a result, it is possible to suppress misalignment while improving the filling property.
On the other hand, the lower limit of the average particle size is preferably 0.1 mm or more, more preferably 0.3 mm or more, and further preferably 0.4 mm or more. This makes it possible to realize a granular thermosetting resin composition having excellent production stability.

（電子装置）
本実施形態の電子装置１００について説明する。図１は、本実施形態の電子装置１００の構成を示す断面図である。 (Electronic device)
The electronic device 100 of this embodiment will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the electronic device 100 of the present embodiment.

本実施形態の電子装置１００は、樹脂封止基板１１０と、樹脂封止基板１１０上に搭載された電子部品（半導体素子１４０）と、を備える半導体装置とすることができる。本実施形態において、樹脂封止基板１１０は、上記の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備えるものである。 The electronic device 100 of the present embodiment can be a semiconductor device including a resin-sealed substrate 110 and an electronic component (semiconductor element 140) mounted on the resin-sealed substrate 110. In the present embodiment, the resin-sealed substrate 110 includes a cured product of the above-mentioned thermosetting resin composition.

樹脂封止基板１１０（例えば、ＭＩＳ基板（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ））は、絶縁層１１２と金属層１３０とを少なくとも備えることができる。絶縁層１１２は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されるものである。これにより、製造安定性に優れ、基板反りが抑制された樹脂封止基板１１０を得ることができる。絶縁層１１２は、ガラスクロスなどの繊維基材を含有しない構成としてもよい。これにより、樹脂封止基板１１０は、コアレス樹脂基板とすることができる。また、コアレス樹脂基板は、絶縁層内に内蔵された半導体チップを有していてもよい。この半導体素子は、金属層（例えば、ビア配線）を介して電気的に接続することができる。 The resin-sealed substrate 110 (for example, a MIS substrate (Molded Connect Substrate)) can include at least an insulating layer 112 and a metal layer 130. The insulating layer 112 is made of a cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment. As a result, it is possible to obtain a resin-sealed substrate 110 having excellent manufacturing stability and suppressed substrate warpage. The insulating layer 112 may be configured not to contain a fiber base material such as glass cloth. As a result, the resin-sealed substrate 110 can be a coreless resin substrate. Further, the coreless resin substrate may have a semiconductor chip built in the insulating layer. This semiconductor device can be electrically connected via a metal layer (for example, via wiring).

樹脂封止基板１１０において、ポストである金属層１３０は、ビア配線１２０を介して、樹脂封止基板１１０の上面１１４と下面とを電気的に接続する。金属層１３０やビア配線１２０は、例えば、銅などの金属で構成されていてもよい。 In the resin-sealed substrate 110, the metal layer 130, which is a post, electrically connects the upper surface 114 and the lower surface of the resin-sealed substrate 110 via the via wiring 120. The metal layer 130 and the via wiring 120 may be made of a metal such as copper.

また、樹脂封止基板１１０の上面１１４は、研磨面で構成されていてもよい。また、樹脂封止基板１１０の上面１１４と金属層１３０の上面とは同一平面を構成してもよい。なお、樹脂封止基板１１０の上面１１４および下面には、不図示のソルダーレジスト層が形成されていてもよい。 Further, the upper surface 114 of the resin-sealed substrate 110 may be formed of a polished surface. Further, the upper surface 114 of the resin-sealed substrate 110 and the upper surface of the metal layer 130 may form the same plane. A solder resist layer (not shown) may be formed on the upper surface 114 and the lower surface of the resin-sealed substrate 110.

上記半導体素子１４０は、樹脂封止基板１１０上に接着層１６０を介して固定されていてもよい。半導体素子１４０は、樹脂封止基板１１０とワイヤボンディング１５０を介して電気的に接続してもよいが、フリップチップ接続により電気的に接続されていてもよい。また、半導体素子１４０は、一般的な封止用熱硬化性樹脂組成物の硬化物（封止材層１７０）で覆われるように封止されている。 The semiconductor element 140 may be fixed on the resin-sealed substrate 110 via an adhesive layer 160. The semiconductor element 140 may be electrically connected to the resin-sealed substrate 110 via wire bonding 150, or may be electrically connected by flip-chip connection. Further, the semiconductor element 140 is sealed so as to be covered with a cured product (sealing material layer 170) of a general thermosetting resin composition for sealing.

上記半導体素子１４０としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。半導体素子１４０を備える半導体パッケージの構造としては、例えば、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、ＭＡＰタイプのＢＧＡ等が挙げられる。又、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ（ＱＦＮ）、ｅｍｂｅｄｄｅｄ ＷＬＰ（ｅＷＬＰ）、Ｆａｎ Ｉｎ ＷＬＰおよびＦａｎ Ｏｕｔ ＷＬＰ等のウエハ・レベルパッケージ（ＷＬＰ）、スモールアウトライン・ノンリーデッド・パッケージ（ＳＯＮ）、リードフレーム・ＢＧＡ（ＬＦ－ＢＧＡ）等が挙げられる。 Examples of the semiconductor element 140 include integrated circuits, large-scale integrated circuits, transistors, thyristors, diodes, solid-state image pickup elements, and the like. Examples of the structure of the semiconductor package including the semiconductor element 140 include a ball grid array (BGA), a MAP type BGA, and the like. Also, wafer level packages (WLP) such as chip size package (CSP), quad flat non-leaded package (QFN), embedded WLP (eWLP), Fan In WLP and Fan Out WLP, small outline non. Leaded package (SON), lead frame BGA (LF-BGA) and the like can be mentioned.

続いて、電子装置２００の製造方法について、樹脂封止基板２５０の製造工程を踏まえて説明する。図２は、電子装置２００の製造工程の工程断面図である。 Subsequently, the manufacturing method of the electronic device 200 will be described based on the manufacturing process of the resin-sealed substrate 250. FIG. 2 is a process cross-sectional view of the manufacturing process of the electronic device 200.

本実施形態において、樹脂封止基板２５０の製造方法は、次の工程１～３を含むことができる。
工程１は、支持基材２１０上に、パターン化された金属層２３０を形成する金属層形成工程を含む。
工程２は、金属層２３０を埋設する絶縁層２３４を形成する絶縁層形成工程を含む。
工程３は、絶縁層２３４の表面（上面２２６）を研磨することにより、金属層２３０を露出させる研磨工程を含む。
これらの上記工程１～３を繰り返すことにより、１層以上の絶縁層で構成された層間絶縁層中に層間接続配線を形成することができる。
上記絶縁層は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成することができる。
以下、各工程について説明する。 In the present embodiment, the method for manufacturing the resin-sealed substrate 250 can include the following steps 1 to 3.
Step 1 includes a metal layer forming step of forming a patterned metal layer 230 on the supporting base material 210.
Step 2 includes an insulating layer forming step of forming an insulating layer 234 in which the metal layer 230 is embedded.
Step 3 includes a polishing step of exposing the metal layer 230 by polishing the surface (upper surface 226) of the insulating layer 234.
By repeating these steps 1 to 3, it is possible to form an interlayer connection wiring in an interlayer insulating layer composed of one or more insulating layers.
The insulating layer can be made of a cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment.
Hereinafter, each step will be described.

まず、図２（ａ）に示すように、支持基材２１０を準備する。支持基材２１０上にはキャリア箔２１２が形成されていてもよい。支持基材２１０としては、平坦性、剛直性および耐熱性等の特性を有する下地基板であれば特に限定されないが、例えば、金属板を用いることができる。金属板としては、例えば、銅板、アルミニウム板、鉄板、鋼鉄（スチール）板、ニッケル板、銅合金板、４２合金板、ステンレス板等が挙げられる。鋼鉄（スチール）板は、ＳＰＣＣ（Ｓｔｅｅｌ Ｐｌａｔｅ Ｃｏｌｄ Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ）等の冷間圧延鋼板の態様であってもよい。また、金属板は、フレーム形状に加工された枚葉のものであってもよく、フープ状の連続形状のものであってもよい。上面視における支持基材２１０の平面形状としては、特に限定されないが、例えば、矩形形状でも円形形状でもよいが、生産性の観点から矩形形状であってもよい。 First, as shown in FIG. 2A, the supporting base material 210 is prepared. The carrier foil 212 may be formed on the support base material 210. The supporting base material 210 is not particularly limited as long as it is a base substrate having characteristics such as flatness, rigidity and heat resistance, but for example, a metal plate can be used. Examples of the metal plate include a copper plate, an aluminum plate, an iron plate, a steel plate, a nickel plate, a copper alloy plate, a 42 alloy plate, a stainless plate, and the like. The steel plate may be in the form of a cold-rolled steel plate such as SPCC (Steel Plate Cold Commercial). Further, the metal plate may be a single leaf processed into a frame shape, or may be a hoop-shaped continuous shape. The planar shape of the supporting base material 210 in the top view is not particularly limited, and may be, for example, a rectangular shape or a circular shape, but may be a rectangular shape from the viewpoint of productivity.

続いて、パターン化された金属層２２０を形成した後、この金属層２２０上にビア配線２２２を形成することができる。
パターン化方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法を用いることができる。具体的な一例としては、まず、支持基材２１０上に、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を形成する。形成方法としては、例えば、コーターやスピンナー等を使用して感光性樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜を乾燥させる方法や、感光性樹脂組成物からなる樹脂シートを熱圧着等によりラミネートする方法などにより、感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂膜を形成する。続いて、当該感光性樹脂膜に所定のパターンを有する開口部を形成する。開口部の形成方法としては、例えば、露光現像法やレーザー加工法等を用いることができる。続いて、この開口部を金属膜で埋設する。埋設方法としては、例えば、無電解めっき法やめっき法等が挙げられる。金属膜の材料としては、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田等が挙げられるが、銅を用いてもよい。続いて、上記感光性樹脂膜を除去する。除去方法としては、例えば、剥離液を用いて感光性樹脂膜を剥離する方法、アッシング処理、アッシング処理を行った後に下地に付着している感光性樹脂膜の残渣を剥離液により除去する方法等が挙げられる。中でも、生産効率を向上させる観点から、剥離液を用いて感光性樹脂膜を剥離する方法を採用することが好ましい。剥離液の具体例としては、アルキルベンゼンスルホン酸を含む有機スルホン酸系剥離液、モノエタノールアミン等の有機アミンを含む有機アミン系剥離液、水に対して有機アルカリやフッ素系化合物等を混合した水系レジスト剥離液等が挙げられる。なお、化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置を用いて金属層を研磨する手法を行ってもよい。
以上により、パターン化した金属層が得られる。このような金属層としては、配線回路、ビア配線、導電ポストなどが挙げられる。 Subsequently, after forming the patterned metal layer 220, the via wiring 222 can be formed on the metal layer 220.
As the patterning method, for example, a photolithography method can be used. As a specific example, first, a photosensitive resin film made of a photosensitive resin composition is formed on the supporting base material 210. As a forming method, for example, a method of applying a photosensitive resin composition using a coater or a spinner to dry the coating film obtained, or laminating a resin sheet made of a photosensitive resin composition by thermocompression bonding or the like. A photosensitive resin film made of a photosensitive resin composition is formed by such a method. Subsequently, an opening having a predetermined pattern is formed in the photosensitive resin film. As a method for forming the opening, for example, an exposure development method, a laser processing method, or the like can be used. Subsequently, this opening is embedded with a metal film. Examples of the burying method include an electroless plating method and a plating method. Examples of the material of the metal film include copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold, solder and the like, but copper may be used. Subsequently, the photosensitive resin film is removed. Examples of the removing method include a method of peeling the photosensitive resin film using a peeling liquid, a method of ashing, a method of removing the residue of the photosensitive resin film adhering to the substrate after the ashing treatment, and the like. Can be mentioned. Above all, from the viewpoint of improving production efficiency, it is preferable to adopt a method of peeling the photosensitive resin film using a stripping liquid. Specific examples of the stripping solution include an organic sulfonic acid-based stripping solution containing alkylbenzene sulfonic acid, an organic amine-based stripping solution containing an organic amine such as monoethanolamine, and an aqueous system in which an organic alkali or a fluorine-based compound is mixed with water. Examples thereof include a resist stripping solution. A method of polishing the metal layer using a chemical mechanical polishing (CMP) device may be performed.
As a result, a patterned metal layer is obtained. Examples of such a metal layer include a wiring circuit, via wiring, and a conductive post.

続いて、図２（ｂ）に示すように、金属層２２０およびビア配線２２２を埋め込むように、絶縁層２２４を形成する。絶縁層２２４は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により構成されている。つまり、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物により、金属層２２０およびビア配線２２２を封止することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 2B, the insulating layer 224 is formed so as to embed the metal layer 220 and the via wiring 222. The insulating layer 224 is made of a cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment. That is, the metal layer 220 and the via wiring 222 can be sealed by the cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment.

絶縁層２２４の形成方法には、例えば、封止材料として、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物、またはシート状の熱硬化性樹脂組成物を用い、成形方法として、圧縮成形を使用することができる。 As a method for forming the insulating layer 224, for example, a granular thermosetting resin composition or a sheet-shaped thermosetting resin composition may be used as a sealing material, and compression molding may be used as a molding method. can.

ここで、本実施形態において、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を用いた圧縮成形について概要を説明する。 Here, in the present embodiment, an outline of compression molding using a granular thermosetting resin composition will be described.

まず、圧縮成形金型の下型キャビティの底面に、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を均一になるように蒔く。例えば、振動フィーダー等の搬送手段を用いて、粒状の熱硬化性樹脂組成物を搬送し、下型キャビティの底面に配置してもよい。
続いて、金属層２２０やビア配線２２２が形成された支持基材２１０を、クランプや吸着のような固定手段により、圧縮成形金型の上型に固定する。続いて、減圧下、金型の上型と下型の間隔を狭めることにより、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、溶融状態となる。続いて、金型の上型と下型を結合させることにより、溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を上型に固定された金属層２２０やビア配線２２２に対して押し当てる。その後、金型の上型と下型を結合させた状態を保持しながら、所定時間をかけて熱硬化性樹脂組成物を硬化させる。これにより、支持基材２１０上の金属層２２０およびビア配線２２２を封止した絶縁層２２４を形成することができる。
本実施形態においては、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物に代えて、シート状の熱硬化性樹脂組成物を使用した場合でも、上記のような圧縮成形を利用することができる。 First, the granular thermosetting resin composition is uniformly sown on the bottom surface of the lower die cavity of the compression molding die. For example, the granular thermosetting resin composition may be conveyed by using a conveying means such as a vibration feeder and arranged on the bottom surface of the lower die cavity.
Subsequently, the support base material 210 on which the metal layer 220 and the via wiring 222 are formed is fixed to the upper mold of the compression molding die by a fixing means such as a clamp or suction. Subsequently, by narrowing the distance between the upper mold and the lower mold under reduced pressure, the granular thermosetting resin composition is heated to a predetermined temperature in the lower mold cavity and becomes a molten state. Subsequently, by connecting the upper mold and the lower mold of the mold, the thermosetting resin composition in a molten state is pressed against the metal layer 220 and the via wiring 222 fixed to the upper mold. Then, the thermosetting resin composition is cured over a predetermined time while maintaining the state in which the upper mold and the lower mold of the mold are bonded. Thereby, the insulating layer 224 in which the metal layer 220 and the via wiring 222 on the supporting base material 210 are sealed can be formed.
In the present embodiment, even when a sheet-shaped heat-curable resin composition is used instead of the granular heat-curable resin composition, the above-mentioned compression molding can be used.

ここで、圧縮成形を行う場合には、金型内を減圧下にしながら封止を行うことが好ましく、真空条件下であるとさらに好ましい。これにより、充填部分を残すことなく、金属層２２０やビア配線２２２等のパターン化された金属層を、熱硬化性樹脂組成物の硬化物（絶縁層２２４）で埋設することができる。 Here, when performing compression molding, it is preferable to perform sealing while reducing the pressure inside the mold, and it is more preferable to perform sealing under vacuum conditions. Thereby, the patterned metal layer such as the metal layer 220 and the via wiring 222 can be embedded with the cured product (insulating layer 224) of the thermosetting resin composition without leaving the filled portion.

圧縮成形における成形温度は、例えば、１００℃以上２００℃以下としてもよく、１２０℃以上１８０℃以下としてもよい。成形圧力は、例えば、０．５ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下としてもよく、１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下としてもよい。成形時間は、例えば、３０秒以上１５分以下としてもよく、１分以上１０分以下としてもよい。本実施形態において、成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、溶融状態の封止材が充填されない部分が発生することを防止することができる。 The molding temperature in compression molding may be, for example, 100 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, or 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower. The molding pressure may be, for example, 0.5 MPa or more and 12 MPa or less, or 1 MPa or more and 10 MPa or less. The molding time may be, for example, 30 seconds or more and 15 minutes or less, or 1 minute or more and 10 minutes or less. In the present embodiment, by setting the molding temperature, pressure, and time within the above ranges, it is possible to prevent the occurrence of a portion where the sealed material in the molten state is not filled.

また、得られた熱硬化性樹脂組成物の硬化物（絶縁層２２４）に対して、封止後、ポストキュアを実施してもよい。ポストキュア温度は、例えば、１５０℃以上２００℃以下としてもよく、１６５℃以上１８５℃以下としてもよい。ポストキュア時間は、例えば、１時間以上５時間以下としてもよく、２時間以上４時間以下としてもよい。 Further, the cured product (insulating layer 224) of the obtained thermosetting resin composition may be post-cured after being sealed. The post-cure temperature may be, for example, 150 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, or 165 ° C. or higher and 185 ° C. or lower. The post-cure time may be, for example, 1 hour or more and 5 hours or less, or 2 hours or more and 4 hours or less.

続いて、図２（ｃ）に示すように、グラインドやケミカルエッチングなどの方法により、絶縁層２２４の表面（上面２２６）を研磨することにより、パターン化した金属層（ビア配線２２２）の表面を露出させる。このとき、上面２２６には研磨面が形成されることになる。また、グラインド方法としては、例えば、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を用いることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 2C, the surface of the insulating layer 224 (upper surface 226) is polished by a method such as grinding or chemical etching to obtain the surface of the patterned metal layer (via wiring 222). Expose. At this time, a polished surface is formed on the upper surface 226. Further, as the grinding method, for example, chemical mechanical polishing (CMP) can be used.

続いて、図２（ｄ）に示すように、金属層２２０と同様にして、パターン化した金属層２３０を絶縁層２２４の上面２２６上に形成する。続いて、図２（ｅ）に示すように、絶縁層２２４と同様にして、金属層２３０を埋設する絶縁層２３４を形成する。続いて、図２（ｆ）に示すように、上記の研磨方法により、絶縁層２３４の上面２３６を研磨することより、上面２３６に研磨面を形成するとともに、金属層２３０の上面を露出させることができる。以上のような工程を繰り返した後、支持基材２１０およびキャリア箔２１２を剥離することにより、図２（ｇ）に示すような、ビア配線２３２、金属層２４０、絶縁層２４４がさらに形成された樹脂封止基板２５０が得られる。また、樹脂封止基板２５０の上面２４６には研磨面が形成されていてもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 2D, a patterned metal layer 230 is formed on the upper surface 226 of the insulating layer 224 in the same manner as the metal layer 220. Subsequently, as shown in FIG. 2E, the insulating layer 234 in which the metal layer 230 is embedded is formed in the same manner as the insulating layer 224. Subsequently, as shown in FIG. 2 (f), the upper surface 236 of the insulating layer 234 is polished by the above polishing method to form a polished surface on the upper surface 236 and expose the upper surface of the metal layer 230. Can be done. After repeating the above steps, the support base material 210 and the carrier foil 212 were peeled off to further form the via wiring 232, the metal layer 240, and the insulating layer 244 as shown in FIG. 2 (g). A resin-sealed substrate 250 is obtained. Further, a polished surface may be formed on the upper surface 246 of the resin-sealed substrate 250.

本実施形態において、上述の工程１～３を繰り返すことにより、樹脂封止基板２５０の配線層を１層または２層以上とすることが可能になる。樹脂封止基板２５０の層間絶縁層は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されている。このため、樹脂封止基板２５０の反りを抑制することができる。また、製造安定性に優れた樹脂封止基板２５０とすることができる。 In the present embodiment, by repeating the above steps 1 to 3, the wiring layer of the resin-sealed substrate 250 can be one layer or two or more layers. The interlayer insulating layer of the resin-sealed substrate 250 is composed of a cured product of the thermosetting resin composition of the present embodiment. Therefore, the warp of the resin-sealed substrate 250 can be suppressed. Further, the resin-sealed substrate 250 having excellent manufacturing stability can be obtained.

ここで、図２（ｈ）に示す樹脂封止基板２５０は、一つの半導体素子２６０のみならず、複数の半導体素子２６０を平面内に配置することができる。すなわち、樹脂封止基板２５０は、大面積の金型を用いた金型成形により得られた構造を有することができる。 Here, in the resin-sealed substrate 250 shown in FIG. 2 (h), not only one semiconductor element 260 but also a plurality of semiconductor elements 260 can be arranged in a plane. That is, the resin-sealed substrate 250 can have a structure obtained by mold molding using a mold having a large area.

複数の半導体素子（電子部品）を平面内搭載できる搭載エリアを有する場合の一例を、図３に示す。図３は、本実施形態に係る樹脂封止基板３００の構成の一例を示す上面図である。図３に示すように、樹脂封止基板３００は、平面内に複数の半導体素子搭載エリア３１０，３２０が形成されていてもよい。
それぞれの半導体素子搭載エリア３１０，３２０に、半導体素子（電子部品）が互いに離間して搭載されることになる。 FIG. 3 shows an example of having a mounting area on which a plurality of semiconductor elements (electronic components) can be mounted in a plane. FIG. 3 is a top view showing an example of the configuration of the resin-sealed substrate 300 according to the present embodiment. As shown in FIG. 3, the resin-sealed substrate 300 may have a plurality of semiconductor element mounting areas 310 and 320 formed in a plane.
Semiconductor elements (electronic components) are mounted apart from each other in the semiconductor element mounting areas 310 and 320, respectively.

図２（ｈ）に戻り、樹脂封止基板２５０上に半導体素子２６０を搭載する。これにより、電子装置２００が得られる。電子装置２００中の半導体素子２６０は、半田バンプ２８０を介してフリップチップ接続により樹脂封止基板２５０と電気的に接続できる。樹脂封止基板２５０上の半導体素子２６０は、一般的な封止用熱硬化性樹脂により封止されており、封止材層２７０で覆われている。 Returning to FIG. 2 (h), the semiconductor element 260 is mounted on the resin-sealed substrate 250. As a result, the electronic device 200 is obtained. The semiconductor element 260 in the electronic device 200 can be electrically connected to the resin-sealed substrate 250 by flip-chip connection via the solder bump 280. The semiconductor element 260 on the resin-sealed substrate 250 is sealed with a general thermosetting resin for sealing, and is covered with a sealing material layer 270.

本実施形態において、図３に示すように、複数の半導体素子が搭載された樹脂封止基板３００は、これらを一括封止した後、個片化されることになる。これにより、図２（ｆ）に示すような、個片化された電子装置２００を得ることができる。 In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the resin-sealed substrate 300 on which a plurality of semiconductor elements are mounted is batch-sealed and then individualized. As a result, it is possible to obtain an individualized electronic device 200 as shown in FIG. 2 (f).

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、本発明の参考形態の一例を示す。
＜１＞
樹脂封止基板の形成に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、以下の条件１を満たす、熱硬化性樹脂組成物。
（条件１）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）を施した前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ １ （％）とし、さらに前記硬化物に対し、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ ４ （％）としたとき、次式を満たす。
０．８５×Ｓ １ ≦Ｓ ４ ≦１．１５×Ｓ １ （１－１）
＜２＞
＜１＞に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記条件１において、
前記第４熱処理（１７５℃、６時間）の後に、さらに第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ ５ （％）としたとき、次式を満たす熱硬化性樹脂組成物。
０．８５×Ｓ １ ≦Ｓ ５ ≦１．１５×Ｓ １ （１－２）
＜３＞
＜１＞または＜２＞に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記条件１において、
前記第２熱処理を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ ２ （％）としたとき、次式を満たす熱硬化性樹脂組成物。
０．８５×Ｓ １ ≦Ｓ ２ ≦１．１５×Ｓ １ （１－３）
＜４＞
樹脂封止基板の形成に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、以下の条件２を満たす、熱硬化性樹脂組成物。
（条件２）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、得られた前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施し、第ｎ熱処理をした後の前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ ｎ （％）としたとき、次式を満たす。
０≦｜Ｓ ｎ －Ｓ ｎ－１ ｜≦０．０４ （２－１）
＜５＞
＜４＞に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記条件２において、
前記第４熱処理（１７５℃、６時間）の後に、さらに第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）を施したとき前記式（２－１）を満たす、熱硬化性樹脂組成物。
＜６＞
＜１＞乃至＜５＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が、１４５℃以上である、熱硬化性樹脂組成物。
＜７＞
＜１＞乃至＜６＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
顆粒状またはシート状である、熱硬化性樹脂組成物。
＜８＞
＜１＞乃至＜７＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂を含み、
前記エポキシ樹脂の含有量が、前記熱硬化性樹脂全体に対して、３質量％以上、３０質量％以下である、熱硬化性樹脂組成物。
＜９＞
＜１＞乃至＜８＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
多官能エポキシ樹脂を含む、熱硬化性樹脂組成物。
＜１０＞
＜７＞に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
当該顆粒状の熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が１．０ｍｍ以下である、熱硬化性樹脂組成物。
＜１１＞
＜１＞乃至＜１０＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
無機充填材を含み、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全固形分量に対して７０質量％以上である、熱硬化性樹脂組成物。
＜１２＞
＜１＞乃至＜１１＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
硬化剤を含み、
前記硬化剤の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全固形分量に対して１．０質量％以上、９質量％以下である、熱硬化性樹脂組成物。
＜１３＞
＜１＞乃至＜１２＞いずれか一つに記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、樹脂封止基板。
＜１４＞
＜１３＞に記載の樹脂封止基板と、
前記樹脂封止基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置。
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.
Hereinafter, an example of the reference embodiment of the present invention will be shown.
<1>
A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate, which satisfies the following condition 1.
(Condition 1)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) to mold the cured product. The shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the dimensions was set to S 1 (%), and the time when the cured product reached 190 ° C. was set to t1 for the cured product, and the temperature was raised from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C. After that, when the time when the temperature is lowered to 190 ° C. is t2, t2-t1 satisfies 100 ± 50 seconds), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), and the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours). When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when the treatments are performed in the order of S4 (%) is S4 ( %), the following equation is satisfied.
0.85 x S 1 ≤ S 4 ≤ 1.15 x S 1 (1-1)
<2>
The thermosetting resin composition according to <1>.
Under the above condition 1,
After the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), the time when the temperature reaches 160 ° C. is set to t3, the temperature is raised from 160 ° C. to 240 ± 5 ° C., and then the temperature is lowered to 160 ° C. When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds is S5 (%) when the time is t4 , the following A thermosetting resin composition satisfying the formula.
0.85 x S 1 ≤ S 5 ≤ 1.15 x S 1 (1-2)
<3>
The thermosetting resin composition according to <1> or <2>.
Under the above condition 1,
A thermosetting resin composition satisfying the following formula, where S 2 (%) is the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when the second heat treatment is applied .
0.85 x S 1 ≤ S 2 ≤ 1.15 x S 1 (1-3)
<4>
A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate, which satisfies the following condition 2.
(Condition 2)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the obtained cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and a second heat treatment ( When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C, and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C after the temperature is raised from 190 ° C to 233 ± 3 ° C, t2-t1 is 100 ± 50 seconds. Satisfaction), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), and the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product after the nth heat treatment. When S is (%), the following equation is satisfied.
0 ≤ | Sn- S n -1 | ≤ 0.04 (2-1)
<5>
The thermosetting resin composition according to <4>.
Under the above condition 2,
After the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), the time when the temperature reaches 160 ° C. is set to t3, the temperature is raised from 160 ° C. to 240 ± 5 ° C., and then the temperature is lowered to 160 ° C. A thermosetting resin composition that satisfies the above formula (2-1) when t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds when the time is t4.
<6>
The thermosetting resin composition according to any one of <1> to <5>.
A thermosetting resin composition having a glass transition temperature (Tg) of a cured product of the thermosetting resin composition of 145 ° C. or higher.
<7>
The thermosetting resin composition according to any one of <1> to <6>.
A thermosetting resin composition in the form of granules or sheets.
<8>
The thermosetting resin composition according to any one of <1> to <7>.
Contains epoxy resin
A thermosetting resin composition in which the content of the epoxy resin is 3% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin.
<9>
The thermosetting resin composition according to any one of <1> to <8>.
A thermosetting resin composition containing a polyfunctional epoxy resin.
<10>
The thermosetting resin composition according to <7>.
A thermosetting resin composition having an average particle size of 1.0 mm or less in the granular thermosetting resin composition.
<11>
The thermosetting resin composition according to any one of <1> to <10>.
Contains inorganic filler,
A thermosetting resin composition in which the content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition.
<12>
The thermosetting resin composition according to any one of <1> to <11>.
Contains hardener,
A thermosetting resin composition having a content of the curing agent of 1.0% by mass or more and 9% by mass or less with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition.
<13>
A resin-sealed substrate comprising a cured product of the thermosetting resin composition according to any one of <1> to <12>.
<14>
The resin-sealed substrate according to <13> and
An electronic device including an electronic component mounted on the resin-sealed substrate.

以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the description of these Examples.

（熱硬化性樹脂組成物の調製）
実施例、比較例について、次のように熱硬化性樹脂組成物を調製した。まず、表１に示す配合に従い、各成分をミキサーで混合し混合物を得た。次いで、この混合物に対し、表１に示す配合に従い無機充填材を添加した後、ミキサーを用いて混合した。次いで、得られた混合物を、７０～１００℃でロール混練した。 (Preparation of thermosetting resin composition)
For Examples and Comparative Examples, thermosetting resin compositions were prepared as follows. First, each component was mixed with a mixer according to the formulation shown in Table 1 to obtain a mixture. Then, an inorganic filler was added to this mixture according to the formulation shown in Table 1, and then the mixture was mixed using a mixer. The resulting mixture was then roll-kneaded at 70-100 ° C.

（粉砕品の熱硬化性樹脂組成物の調製）
得られた混練後の混合物を冷却し、粉砕して、粉砕品の熱硬化性樹脂組成物を得た。 (Preparation of thermosetting resin composition of crushed product)
The obtained mixture after kneading was cooled and pulverized to obtain a pulverized thermosetting resin composition.

（顆粒品の熱硬化性樹脂組成物の作製）
図４に示す方法で、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を作製した。
まず、図４（ａ）に示す円筒状外周部６０２の素材として、孔径２．５ｍｍの小孔を有している鉄製の打ち抜き金網を使用した。直径２０ｃｍの回転子６０１の外周上に円筒状に加工した高さ２５ｍｍ、厚さ１．５ｍｍの打ち抜き金網を取り付け、円筒状外周部６０２を形成した。回転子６０１を３０００ＲＰＭで回転させ、円筒状外周部６０２を励磁コイルで１１５℃に加熱した。回転子６０１の回転数と、円筒状外周部６０２の温度が定常状態になった後、脱気装置により脱気しつつ二軸押出機６０９により、表１に示す各成分を溶融混練して得られた溶融物を、回転子６０１の上方より２重管式円筒体６０５を通して２ｋｇ／ｈｒの割合で回転子６０１の内側に供給して、回転子６０１を回転させて得られる遠心力によって円筒状外周部６０２の複数の小孔を通過させることで、顆粒状の熱硬化性樹脂組成物を得た。円筒状外周部６０２の小孔を通過し吐出された顆粒状の熱硬化性樹脂組成物は、例えば、回転子６０１の周囲に設置した外槽６０８で捕集される。また、回転子６０１は、モーター６１０と接続されており、任意の回転数で回転させることができる。回転子６０１の外周上に設置した複数の小孔を有する円筒状外周部６０２は、図４（ｂ）に示す磁性材料６０３を備える。円筒状外周部６０２は、その近傍に備えられた励磁コイル６０４に、交流電源発生装置６０６により発生させた交流電源を通電させることによって発生する交番磁束の通過に伴う、渦電流損やヒステリシス損により加熱される。なお、衝突面外周には、冷却ジャケット６０７を設けて、衝突面を冷却する。ここで、図４（ｂ）に回転子６０１及び回転子の円筒状外周部６０２を加熱するための励磁コイル６０４の断面図を示し、図４（ｃ）に溶融混練された熱硬化性樹脂組成物を、回転子６０１に供給する２重管式円筒体６０５の断面図を示す。 (Preparation of thermosetting resin composition of granules)
A granular thermosetting resin composition was prepared by the method shown in FIG.
First, as the material of the cylindrical outer peripheral portion 602 shown in FIG. 4A, an iron punched wire mesh having a small hole with a hole diameter of 2.5 mm was used. A cylindrically machined punched wire mesh having a height of 25 mm and a thickness of 1.5 mm was attached on the outer circumference of the rotor 601 having a diameter of 20 cm to form a cylindrical outer peripheral portion 602. The rotor 601 was rotated at 3000 RPM, and the cylindrical outer peripheral portion 602 was heated to 115 ° C. with an exciting coil. After the rotation speed of the rotor 601 and the temperature of the cylindrical outer peripheral portion 602 are in a steady state, each component shown in Table 1 is melt-kneaded by a twin-screw extruder 609 while degassing with an degassing device. The obtained melt is supplied from above the rotor 601 through the double tube type cylindrical body 605 to the inside of the rotor 601 at a rate of 2 kg / hr, and the rotor 601 is rotated to form a cylindrical shape by centrifugal force. By passing through a plurality of small holes in the outer peripheral portion 602, a granular thermosetting resin composition was obtained. The granular thermosetting resin composition discharged through the small holes of the cylindrical outer peripheral portion 602 is collected, for example, in an outer tank 608 installed around the rotor 601. Further, the rotor 601 is connected to the motor 610 and can be rotated at an arbitrary rotation speed. The cylindrical outer peripheral portion 602 having a plurality of small holes installed on the outer peripheral portion of the rotor 601 includes the magnetic material 603 shown in FIG. 4 (b). The cylindrical outer peripheral portion 602 is due to eddy current loss and hysteresis loss due to the passage of the alternating magnetic flux generated by energizing the exciting coil 604 provided in the vicinity thereof with the AC power generated by the AC power generator 606. It is heated. A cooling jacket 607 is provided on the outer periphery of the collision surface to cool the collision surface. Here, FIG. 4B shows a cross-sectional view of an exciting coil 604 for heating the rotor 601 and the cylindrical outer peripheral portion 602 of the rotor, and FIG. 4C shows a heat-curable resin composition melt-kneaded. The cross-sectional view of the double tube type cylinder 605 which supplies an object to a rotor 601 is shown.

表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。
（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ４０００ＨＫ、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．１ｄＰａ・ｓｅｃ）
熱硬化性樹脂２：トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（三菱化学社製、１０３２Ｈ－６０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．３ｄＰａ・ｓｅｃ）
熱硬化性樹脂３：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ―３０００Ｌ、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．５ｄＰａ・ｓｅｃ）
（硬化剤）
硬化剤１：ホルムアルデヒドで変性したトリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂（エアウォーターケミカル社製、ＨＥ９１０－２０、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．５ｄＰａ・ｓｅｃ）
硬化剤２：ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂（日本化薬社製、ＧＰＨ－６５、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．４ｄＰａ・ｓｅｃ）
硬化剤３：トリヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂（明和化成製、ＭＥＨ－７５００、１５０℃におけるＩＣＩ粘度５．８ｄＰａ・ｓｅｃ）
なお、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）は、コーンプレート型粘度計ＣＶ－１Ｓ（東亜工業株式会社製）で測定した。
（硬化促進剤）
硬化促進剤１：下記式で表される硬化促進剤（テトラフェニルホスホニウムビス（ナフタレン－２，３－ジオキシ）フェニルシリケート）

Figure 0006996169000002

（無機充填材）
無機充填材１：溶融球状シリカ（龍森社製、ＭＵＦ－４６）
無機充填材２：溶融球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＣ－２５００－ＳＱ） The details of each component in Table 1 are as follows.
(Thermosetting resin)
Thermosetting resin 1: Biphenyl type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, YX4000HK, ICI viscosity at 150 ° C. 0.1 dPa · sec)
Thermosetting resin 2: Trihydroxyphenylmethane type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, ICI viscosity at 1032H-60 ° C and 150 ° C, 1.3 dPa · sec)
Thermosetting resin 3: Phenolic aralkyl type epoxy resin containing biphenylene skeleton (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., NC-3000L, ICI viscosity at 150 ° C. 0.5 dPa · sec)
(Hardener)
Curing agent 1: Trihydroxyphenylmethane-type phenol resin modified with formaldehyde (manufactured by Air Water Chemical Inc., HE910-20, ICI viscosity at 150 ° C. 1.5 dPa · sec)
Hardener 2: Biphenylene skeleton-containing phenol aralkyl resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., GPH-65, ICI viscosity at 150 ° C. 0.4 dPa · sec)
Curing agent 3: Trihydroxyphenylmethane type phenol resin (Meiwa Kasei, MEH-7500, ICI viscosity at 150 ° C. 5.8 dPa · sec)
The melt viscosity (ICI viscosity) at 150 ° C. was measured with a cone plate type viscometer CV-1S (manufactured by Toa Kogyo Co., Ltd.).
(Curing accelerator)
Curing accelerator 1: Curing accelerator represented by the following formula (tetraphenylphosphonium bis (naphthalene-2,3-dioxy) phenyl silicate)
Figure 0006996169000002
(Inorganic filler)
Inorganic filler 1: Fused spherical silica (MUF-46, manufactured by Ryumori Co., Ltd.)
Inorganic filler 2: Fused spherical silica (manufactured by Admatex, SC-2500-SQ)

Figure 0006996169000003
Figure 0006996169000003

上記表１中における実施例および比較例の熱硬化性樹脂組成物について、下記の測定を行った。 The following measurements were performed on the thermosetting resin compositions of Examples and Comparative Examples in Table 1 above.

トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、得られた前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）、第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）の順に処理を施した。
第ｎ熱処理をした後の硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳｎ（％）とし、収縮率Ｓｎ（％）を次のようにして算出した。
まず、円盤状の金型の室温における寸法を４箇所測定し、その平均値を算出する。続けて、金型に熱硬化性樹脂組成物を投入して得られた円盤状の硬化物を得、得られた硬化物に第ｎ熱処理を施した後の室温における直径を、当該金型で測定した箇所に対応する４箇所で測定し、その平均値を算出する。次に、得られた平均値を、次式：〔（室温における金型寸法－第ｎ熱処理後の硬化物の室温における寸法）／室温における金型寸法〕×１００（％）に当てはめて、硬化物の収縮率Ｓｎ（％）を算出する。
結果を表１に示す。 After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the obtained cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and a second heat treatment (2). When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C., and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C. after raising the temperature from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C., t2-t1 is 100 ± 50 seconds. (Satisfy), 3rd heat treatment (125 ° C, 2 hours), 4th heat treatment (175 ° C, 6 hours), 5th heat treatment (time when reaching 160 ° C is t3, from 160 ° C to 240 ± 5 ° C. After the temperature was raised, when the time when the temperature was lowered to 160 ° C. was t4, t4-t3 satisfied 90 ± 60 seconds).
The shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product after the nth heat treatment was defined as Sn (%), and the shrinkage rate Sn (%) was calculated as follows.
First, the dimensions of the disk-shaped mold at room temperature are measured at four points, and the average value is calculated. Subsequently, the thermosetting resin composition was put into a mold to obtain a disc-shaped cured product, and the diameter of the obtained cured product at room temperature after being subjected to the nth heat treatment was determined by the mold. Measure at 4 points corresponding to the measured points and calculate the average value. Next, the obtained average value was applied to the following formula: [(mold size at room temperature-dimension at room temperature of the cured product after the nth heat treatment) / mold size at room temperature] × 100 (%) to cure. The shrinkage rate Sn (%) of the object is calculated.
The results are shown in Table 1.

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
トランスファー成型機を用いて金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３分で得られた熱硬化性樹脂組成物を注入成形し、１５ｍｍ×４ｍｍ×４ｍｍの試験片を得た。次いで、得られた試験片を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃～３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。この結果からガラス転移温度を算出した。ガラス転移温度の単位は℃である。 (Glass transition temperature (Tg))
A thermosetting resin composition obtained at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 3 minutes was injection-molded using a transfer molding machine to obtain a test piece having a size of 15 mm × 4 mm × 4 mm. Next, the obtained test piece was post-cured at 175 ° C. for 4 hours, and then using a thermomechanical analyzer (TMA100 manufactured by Seiko Electronics Inc.), the measurement temperature range was 0 ° C. to 320 ° C., and the temperature rise rate. The measurement was performed under the condition of 5 ° C./min. The glass transition temperature was calculated from this result. The unit of glass transition temperature is ° C.

（位置ずれ）
金属板に予め離型剤を塗布し、得られた熱硬化性樹脂組成物を当該金属板で圧縮成形（温度１７５℃、硬化時間１２０秒、圧力１０ＭＰａ）により硬化させ、樹脂板を作成した。続けて樹脂板を金属板から剥がし、２３６ｍｍ×７１ｍｍの樹脂板を得た。得られた樹脂板の角から５ｍｍ内側の位置にＮＣドリルで１ｍｍφの穴を開けるまたはマジックで印を設け、当該四隅を頂点とする四角形のそれぞれの辺の長さをノギスで測定した。第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の処理を行った後、再度、４辺の長さを測定し、変化率を算出し、評価した。結果を表１に示す。
○：変化率が小さく実用上問題ない。
×：変化率が大きく実用上問題となる。 (Position shift)
A mold release agent was applied to the metal plate in advance, and the obtained thermosetting resin composition was cured by compression molding (temperature 175 ° C., curing time 120 seconds, pressure 10 MPa) on the metal plate to prepare a resin plate. Subsequently, the resin plate was peeled off from the metal plate to obtain a resin plate having a size of 236 mm × 71 mm. A hole of 1 mmφ was drilled with an NC drill or marked with a magic at a position 5 mm inside from the corner of the obtained resin plate, and the length of each side of the quadrangle with the four corners as the vertices was measured with a caliper. The first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and the second heat treatment (time when reaching 190 ° C. is t1, and the time when the temperature is raised from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C. and then lowered to 190 ° C. When t2 is set to t2, t2-t1 satisfies 100 ± 50 seconds), the third heat treatment (125 ° C, 2 hours), and the fourth heat treatment (175 ° C, 6 hours) are performed, and then the four sides are again subjected to the treatment. The length of the was measured, the rate of change was calculated and evaluated. The results are shown in Table 1.
◯: The rate of change is small and there is no problem in practical use.
X: The rate of change is large, which poses a practical problem.

（基板の反り）
２４０ｍｍ×７７ｍｍ×０．８ｍｍ厚の４２アロイ板の上に０．４ｍｍ厚となるように樹脂組成物を配置し、温度１７５℃、圧力１０ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で圧縮成型し、試験基板を作製した。得られた試験基板のＥＭＣが上（すなわち、４２アロイ板側が下）になるようにおき、４角の反りの高さをノギスで測定した。スマイル反りは「－」、クライ反りは「＋」とし、４角の平均値を算出した。各熱処理について測定し、各熱処理で得られた数値のうち最大値から最小値を引いた数値を測定値とし、結果を表１に示した。 (Curved board)
The resin composition was placed on a 42 alloy plate having a thickness of 240 mm × 77 mm × 0.8 mm so as to have a thickness of 0.4 mm, and compression-molded under the conditions of a temperature of 175 ° C., a pressure of 10 MPa, and a curing time of 120 seconds, and a test substrate was obtained. Was produced. The EMC of the obtained test substrate was placed on the top (that is, the 42 alloy plate side was on the bottom), and the height of the warp of the four corners was measured with a caliper. The smile warp was set to "-" and the cry warp was set to "+", and the average value of the four corners was calculated. Each heat treatment was measured, and among the values obtained by each heat treatment, the value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value was used as the measured value, and the results are shown in Table 1.

以上、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明したが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the present invention has been described more specifically based on the above examples, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.

１００ 電子装置
１１０ 樹脂封止基板
１１２ 絶縁層
１１４ 上面
１２０ ビア配線
１３０ 金属層
１４０ 半導体素子
１５０ ワイヤボンディング
１６０ 接着層
１７０ 封止材層
２００ 電子装置
２１０ 支持基材
２１２ キャリア箔
２２０ 金属層
２２２ ビア配線
２２４ 絶縁層
２２６ 上面
２３０ 金属層
２３４ 絶縁層
２３６ 上面
２４０ 金属層
２４６ 上面
２５０ 樹脂封止基板
２６０ 半導体素子
２７０ 封止材層
２８０ 半田バンプ
３００ 樹脂封止基板
３１０，３２０ 半導体素子搭載エリア
６０１ 回転子
６０２ 円筒状外周部
６０３ 磁性材料
６０４ 励磁コイル
６０５ ２重管式円筒体
６０６ 交流電源発生装置
６０７ 冷却ジャケット
６０８ 外槽
６０９ 二軸押出機
６１０ モーター 100 Electronic device 110 Resin encapsulation substrate 112 Insulation layer 114 Top surface 120 Via wiring 130 Metal layer 140 Semiconductor element 150 Wire bonding 160 Adhesive layer 170 Encapsulant layer 200 Electronic device 210 Support base material 212 Carrier foil 220 Metal layer 222 Via wiring 224 Insulation layer 226 Upper surface 230 Metal layer 234 Insulation layer 236 Upper surface 240 Metal layer 246 Upper surface 250 Resin encapsulation substrate 260 Semiconductor element 270 Encapsulant layer 280 Solder bump 300 Resin encapsulation substrate 310, 320 Semiconductor element mounting area 601 Rotor 602 Cylindrical Outer circumference 603 Magnetic material 604 Exciting coil 605 Double tube type cylindrical body 606 AC power generator 607 Cooling jacket 608 Outer tank 609 Twin shaft extruder 610 Motor

Claims (10)

樹脂封止基板の形成に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、無機充填材と、硬化剤とを含み、
前記エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および多官能エポキシ樹脂の中から選ばれる１種または２種以上であり、
前記硬化剤が、フェノールアラルキル樹脂、多官能型フェノール樹脂の中から選ばれる１種または２種であり、
前記エポキシ樹脂の含有量が、前記熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３質量％以上、３０質量％以下であり、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して７０質量％以上であり、
前記硬化剤の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して１．０質量％以上、９質量％以下であり、
顆粒状の前記熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が１．０ｍｍ以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物が以下の条件１を満たす、熱硬化性樹脂組成物。
（条件１）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）を施した前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ１（％）とし、さらに前記硬化物に対し、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ４（％）としたとき、次式を満たす。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ４≦１．１５×Ｓ１ （１－１） A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
The thermosetting resin composition contains an epoxy resin, an inorganic filler, and a curing agent.
The epoxy resin is one or more selected from biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, and polyfunctional epoxy resin.
The curing agent is one or two selected from phenol aralkyl resin and polyfunctional phenol resin.
The content of the epoxy resin is 3% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the curing agent is 1.0% by mass or more and 9% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The average particle size of the granular thermosetting resin composition is 1.0 mm or less.
A thermosetting resin composition in which the thermosetting resin composition satisfies the following condition 1.
(Condition 1)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) to mold the cured product. The shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the dimensions was set to S 1 (%), and the time when the cured product reached 190 ° C. was set to t1 for the cured product, and the temperature was raised from 190 ° C. to 233 ± 3 ° C. After that, when the time when the temperature is lowered to 190 ° C. is t2, t2-t1 satisfies 100 ± 50 seconds), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), and the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours). When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when the treatments are performed in the order of S4 (%) is S4 (%), the following equation is satisfied.
0.85 x S 1 ≤ S 4 ≤ 1.15 x S 1 (1-1) 請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記条件１において、
前記第４熱処理（１７５℃、６時間）の後に、さらに第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ５（％）としたとき、次式を満たす熱硬化性樹脂組成物。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ５≦１．１５×Ｓ１ （１－２） The thermosetting resin composition according to claim 1.
Under the above condition 1,
After the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), the time when the temperature reaches 160 ° C. is set to t3, the temperature is raised from 160 ° C. to 240 ± 5 ° C., and then the temperature is lowered to 160 ° C. When the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds is S5 ( %) when the time is t4, the following A thermosetting resin composition satisfying the formula.
0.85 x S 1 ≤ S 5 ≤ 1.15 x S 1 (1-2) 請求項１または２に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記条件１において、
前記第２熱処理を施したときの前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳ２（％）としたとき、次式を満たす熱硬化性樹脂組成物。
０．８５×Ｓ１≦Ｓ２≦１．１５×Ｓ１ （１－３） The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2.
Under the above condition 1,
A thermosetting resin composition satisfying the following formula, where S 2 (%) is the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product when the second heat treatment is applied.
0.85 x S 1 ≤ S 2 ≤ 1.15 x S 1 (1-3) 樹脂封止基板の形成に用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、無機充填材と、硬化剤とを含み、
前記エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および多官能エポキシ樹脂の中から選ばれる１種または２種以上であり、
前記硬化剤が、フェノールアラルキル樹脂、多官能型フェノール樹脂の中から選ばれる１種または２種であり、
前記エポキシ樹脂の含有量が、前記熱硬化性樹脂組成物全体に対して、３質量％以上、３０質量％以下であり、
前記無機充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して７０質量％以上であり、
前記硬化剤の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全体に対して１．０質量％以上、９質量％以下であり、
顆粒状の前記熱硬化性樹脂組成物における平均粒径が１．０ｍｍ以下であり、
前記熱硬化性樹脂組成物が以下の条件２を満たす、熱硬化性樹脂組成物。
（条件２）
トランスファー成形（１７５℃、１２０秒）により、前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を得た後、得られた前記硬化物に対し、第１熱処理（１７５℃、４時間）、第２熱処理（１９０℃に達したときの時間をｔ１とし、当該１９０℃から２３３±３℃まで昇温した後、１９０℃まで降温させたときの時間をｔ２としたとき、ｔ２－ｔ１が１００±５０秒を満たす）、第３熱処理（１２５℃、２時間）、第４熱処理（１７５℃、６時間）の順に処理を施し、第ｎ熱処理をした後の前記硬化物の金型寸法に対する２５℃における収縮率をＳｎ（％）としたとき、次式を満たす。
０≦｜Ｓｎ－Ｓｎ－１｜≦０．０４ （２－１） A thermosetting resin composition used for forming a resin-sealed substrate.
The thermosetting resin composition contains an epoxy resin, an inorganic filler, and a curing agent.
The epoxy resin is one or more selected from biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, and polyfunctional epoxy resin.
The curing agent is one or two selected from phenol aralkyl resin and polyfunctional phenol resin.
The content of the epoxy resin is 3% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the inorganic filler is 70% by mass or more with respect to the entire thermosetting resin composition.
The content of the curing agent is 1.0% by mass or more and 9% by mass or less with respect to the entire thermosetting resin composition.
The average particle size of the granular thermosetting resin composition is 1.0 mm or less.
A thermosetting resin composition in which the thermosetting resin composition satisfies the following condition 2.
(Condition 2)
After obtaining a cured product of the thermosetting resin composition by transfer molding (175 ° C., 120 seconds), the obtained cured product is subjected to a first heat treatment (175 ° C., 4 hours) and a second heat treatment ( When t1 is the time when the temperature reaches 190 ° C, and t2 is the time when the temperature is lowered to 190 ° C after the temperature is raised from 190 ° C to 233 ± 3 ° C, t2-t1 is 100 ± 50 seconds. Satisfaction), the third heat treatment (125 ° C., 2 hours), the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), and the shrinkage rate at 25 ° C. with respect to the mold size of the cured product after the nth heat treatment. When S is (%), the following equation is satisfied.
0 ≤ | Sn-S n -1 | ≤ 0.04 (2-1) 請求項４に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記条件２において、
前記第４熱処理（１７５℃、６時間）の後に、さらに第５熱処理（１６０℃に達したときの時間をｔ３とし、当該１６０℃から２４０±５℃まで昇温した後、１６０℃まで降温させたときの時間をｔ４としたとき、ｔ４－ｔ３が９０±６０秒を満たす）を施したとき前記式（２－１）を満たす、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to claim 4.
Under the above condition 2,
After the fourth heat treatment (175 ° C., 6 hours), the time when the temperature reaches 160 ° C. is set to t3, the temperature is raised from 160 ° C. to 240 ± 5 ° C., and then the temperature is lowered to 160 ° C. A thermosetting resin composition that satisfies the above formula (2-1) when t4-t3 satisfies 90 ± 60 seconds when the time is t4. 請求項１乃至５いずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が、１４５℃以上である、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 5.
A thermosetting resin composition having a glass transition temperature (Tg) of a cured product of the thermosetting resin composition of 145 ° C. or higher. 請求項１乃至６いずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂の１５０℃におけるＩＣＩ粘度が０．１～１．３ｄＰａ・ｓｅｃであり、
前記硬化剤がフェノール樹脂を含み、当該フェノール樹脂の１５０℃におけるＩＣＩ粘度が０．４～１．５ｄＰａ・ｓｅｃである、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 6 .
The ICI viscosity of the epoxy resin at 150 ° C. is 0.1 to 1.3 dPa · sec.
A thermosetting resin composition, wherein the curing agent contains a phenol resin, and the ICI viscosity of the phenol resin at 150 ° C. is 0.4 to 1.5 dPa · sec. 請求項１乃至７いずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記エポキシ樹脂は多官能エポキシ樹脂を含む、熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 7 .
The epoxy resin is a thermosetting resin composition containing a polyfunctional epoxy resin. 請求項１乃至８いずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、樹脂封止基板。 A resin-sealed substrate comprising a cured product of the thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 8 . 請求項９に記載の樹脂封止基板と、
前記樹脂封止基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置。 The resin-sealed substrate according to claim 9 ,
An electronic device including an electronic component mounted on the resin-sealed substrate.
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