JP5359821B2 - Manufacturing method of build-up wiring board - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a build-up wiring board having a narrow gap pattern that reduces fault occurrence ratio by separating a dry film resist without a failure. <P>SOLUTION: At a step of separating the dry film resists in the process of manufacturing a buildup wiring substrate according to a semi-additive method, an electromagnetic induction coil for enclosing a transfer portion of a buildup wiring substrate 51 is formed to ensure that an insulating-coated conductor 61 for flowing high-frequency current reciprocates for many times between cores of an upper transfer roll 71 and a lower transfer roll 72. After a separation fluid is sprayed into the buildup wiring substrate, the buildup wiring substrate is transferred into the electromagnetic induction coil to which high-frequency current is applied, thus vibrating a copper wiring layer and an electrolytic copper plating layer, and facilitating the separation of the dry film resist. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、導体配線間の間隔が15μm以下の狭間隙の導体パターンを有するビルドアップ配線基板を安価に提供することができるビルドアップ配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a build-up wiring board that can provide a build-up wiring board having a narrow gap conductor pattern with an interval between conductor wirings of 15 μm or less at low cost.

近年、電子機器への高機能化、小型化、軽量化等の要求に対し、それに組み込まれる多層プリント配線基板に対しても高密度化、薄型化の要求が高まっている。これらの要求に対応する多層プリント配線基板の工法の一つとして、ビルドアップ工法が挙げられる。熱硬化性絶縁樹脂層と導体配線層を何重にも重ねて、多層プリント配線基板を製造する工法である。以下、ビルドアップ工法により製造された多層プリント配線基板をビルドアップ配線基板と呼ぶ。
このビルドアップ配線基板の製造方法において、更なる導体配線の狭ピッチ化が要求されており、例えば導体配線ピッチ30μmルールでは、導体配線幅/導体間隙幅(以下、ライン/スペース)が15/15μmの導体パターンのように導体配線ピッチの半分である導体配線の間隙幅15μmが要求される。
In recent years, in response to demands for higher functionality, miniaturization, weight reduction, and the like for electronic devices, there are increasing demands for higher density and thinner thickness for multilayer printed wiring boards incorporated therein. One of the construction methods of the multilayer printed wiring board corresponding to these requirements is a build-up construction method. In this method, a multilayer printed wiring board is manufactured by overlapping a thermosetting insulating resin layer and a conductor wiring layer. Hereinafter, the multilayer printed wiring board manufactured by the build-up method is referred to as a build-up wiring board.
In this manufacturing method of the build-up wiring board, further narrowing of the conductor wiring is required. For example, in the rule of the conductor wiring pitch of 30 μm, the conductor wiring width / conductor gap width (hereinafter referred to as line / space) is 15/15 μm. A conductor wiring gap width of 15 μm, which is half the conductor wiring pitch, is required, as in the case of the conductor pattern.

導体配線ピッチが100μm以下の狭ピッチ導体パターンを形成する工法として、一般的にセミアディティブ工法が採用されている。セミアディティブ工法は、絶縁樹脂層の上に、シード層と呼ばれる導体パターンのない1μm厚程度の銅箔層を形成する。次に、このシード層上へドライフィルムレジストをラミネートし、所望するパターン形状を露光、現像して所望する導体パターン状にシード層が露出するドライフィルムレジストのパターンを形成する。更に、シード層に給電しながら、電解銅めっき行い。次いでドライフィルムレジストを剥離した後、電解銅めっきで形成された導体パターンの底部に露出している一部のシード層をエッチングし、独立した導体パターンを形成する工法である。
セミアディティブ工法は、サブトラクティブ工法と比較して導体幅の細り量が少ない工法のため、狭ピッチ導体パターンに向いている工法である。
As a method for forming a narrow-pitch conductor pattern having a conductor wiring pitch of 100 μm or less, a semi-additive method is generally employed. In the semi-additive method, a copper foil layer having a thickness of about 1 μm without a conductor pattern called a seed layer is formed on an insulating resin layer. Next, a dry film resist is laminated on the seed layer, and a desired pattern shape is exposed and developed to form a dry film resist pattern in which the seed layer is exposed in a desired conductor pattern. Furthermore, electrolytic copper plating is performed while feeding the seed layer. Next, after the dry film resist is peeled off, a part of the seed layer exposed at the bottom of the conductor pattern formed by electrolytic copper plating is etched to form an independent conductor pattern.
The semi-additive method is a method suitable for narrow-pitch conductor patterns because it has a smaller conductor width than the subtractive method.

ここで、一般的にビルドアップ配線基板で使用されているネガ型のドライフィルムレジストについて説明する。ドライフィルムレジストは露光されると光重合開始剤により、バインダーポリマーとモノマーとをラジカル重合させ、3次元的に架橋させる。露光して3次元的に架橋した部分は疎水性を示し、炭酸ナトリウム水溶液などの弱アルカリ性の液は浸透がないため、炭酸ナトリウム溶液では溶解せず、ドライフィルムレジストによる所望するパターンが形成される。   Here, a negative dry film resist generally used in a build-up wiring board will be described. When the dry film resist is exposed to light, the photopolymerization initiator radically polymerizes the binder polymer and the monomer to crosslink three-dimensionally. The exposed and three-dimensionally cross-linked portion exhibits hydrophobicity, and a weak alkaline solution such as an aqueous sodium carbonate solution does not penetrate, so it does not dissolve in the sodium carbonate solution, and a desired pattern is formed by a dry film resist. .

炭酸ナトリウム溶液では溶解できない3次元的に架橋したドライフィルムレジストを、電解銅めっきした後に剥離するには、強アルカリ性の水酸化ナトリウム水溶液と接触し、ドライフィルムレジスト中のカルボン酸基と水酸化ナトリウムとの中和反応により、塩が形成されて親水性となり、3次元的に架橋したドライフィルムレジスト内に剥離液が吸収膨潤され、ドライフィルムレジストの体積膨張による機械的な歪を発生し、剥離している。   To remove a three-dimensionally cross-linked dry film resist that cannot be dissolved in a sodium carbonate solution after electrolytic copper plating, it is brought into contact with a strong alkaline sodium hydroxide aqueous solution, and the carboxylic acid groups and sodium hydroxide in the dry film resist are contacted. As a result of the neutralization reaction, a salt is formed and becomes hydrophilic, and the release liquid is absorbed and swollen in the three-dimensionally cross-linked dry film resist, causing mechanical distortion due to the volume expansion of the dry film resist and peeling. doing.

特開2003−204138号公報JP 2003-204138 A 特開2003−298205号公報JP 2003-298205 A

近年、多層プリント基板市場では、前述したように導体パターンの狭ピッチ化が要求されている。導体配線間の間隙が15μm以下の導体パターンを有するビルドアップ配線基板の製造工程で、ドライフィルムレジストの剥離残渣が、シード層のエッチングをマスクしてしまい、ショートによる配線不良が発生する問題が起きやすくなってきている。
この原因は、高密度配線化の実現を目的として、銅配線間を狭間隙化するため、ドライフィルムレジストが細くなっても倒れたりしないような高強度の材料設計になっていることによるものである。例えば、バインダーポリマーをより高分子化したり、光重合性モノマーの増量など工夫している。このため、カルボン酸基の相対含有量が少なくなり、ドライフィルムレジストが剥離液を吸水膨潤する量が小さいため、機械的な歪量が少なくなり、剥離しづらくなってきている。
In recent years, in the multilayer printed circuit board market, it has been required to reduce the pitch of conductor patterns as described above. In the manufacturing process of a build-up wiring board having a conductor pattern with a gap between conductor wires of 15 μm or less, the dry film resist peeling residue masks the etching of the seed layer, causing a problem of wiring failure due to a short circuit. It's getting easier.
This is due to the fact that the high-strength material is designed so that it does not fall down even if the dry film resist becomes thinner in order to narrow the gap between copper wirings in order to achieve high-density wiring. is there. For example, the binder polymer is further polymerized, and the amount of the photopolymerizable monomer is increased. For this reason, since the relative content of carboxylic acid groups decreases and the amount of dry film resist that absorbs and swells the stripping solution is small, the amount of mechanical strain decreases, making it difficult to strip.

このように狭幅パターンが形成できるような高架橋密度のドライフィルムレジストは、弱アルカリ性の現像液、および剥離液の浸透量が抑えられ、従来一般的に用いられている水酸化ナトリウム溶液による膨潤剥離では、剥離不良を多発し、安価な製品を市場に供給できなくなった。   The dry film resist with high cross-linking density that can form a narrow pattern in this way has reduced penetration of weakly alkaline developer and stripper, and swelled and stripped with a conventionally used sodium hydroxide solution Then, peeling failure occurred frequently, and it became impossible to supply an inexpensive product to the market.

また一般的に導体配線間の間隙幅15μm以下の狭間隙になると、ドライフィルムレジストのパターン幅と高さのアスペクト比が1以上5未満の高アスペクト比なパターンになってしまうため、ドライフィルムレジストの剥離性が低下しないようにドライフィルムレジストの膜厚を薄くしたり、電解銅めっき厚の厚みを薄くするなどしている。しかし、この方法では配線幅が細くなった上に配線高さも低くなってしまい導体としての抵抗値が高くなる問題があった。   In general, if the gap between conductor wirings is a narrow gap of 15 μm or less, the dry film resist pattern has a high aspect ratio of 1 to less than 5 in the pattern width and height of the dry film resist. The thickness of the dry film resist is reduced or the thickness of the electrolytic copper plating is reduced so that the peelability does not deteriorate. However, this method has a problem that the wiring width is reduced and the wiring height is also lowered, resulting in an increase in resistance as a conductor.

本発明は前記の背景技術が持つ問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、電解銅めっき厚の厚みが15μm以上でかつ導体配線の間隙が15μm以下の狭間隙パターンを有するビルドアップ配線基板のセミアディティブ工法において、ドライフィルムレジストが剥離不良なく剥離できるようにすることで、不良発生の低減に繋がるビルドアップ配線基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the background art, and an object thereof is a build-up wiring having a narrow gap pattern in which the thickness of the electrolytic copper plating is 15 μm or more and the gap between the conductor wirings is 15 μm or less. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a build-up wiring board that leads to a reduction in the occurrence of defects by allowing a dry film resist to be peeled without peeling defects in a semi-additive method of substrate.

前記課題を解決するために請求項1に係る発明は、狭間隙な微細導体配線パターンを有するビルドアップ配線基板の製造方法であって、コア層の両面または片面にパターン形状を有した導体配線層を形成する工程と、前記導体配線層が形成されたコア層の両面または片面に、ビアホールを有する絶縁樹脂層を前記導体配線層及び前記コア層を覆うように形成する工程と、前記絶縁樹脂層の前記コア層と逆側の面に、導体パターンを有さないシード層を形成する工程と、前記シード層のコア層と逆側の面に、レジストパターン形状を形成する工程と、前記レジストパターン形状の非形成部分に前記微細導体配線パターンを形成する工程と、前記レジストパターン形状を構成するレジストを、前記の工程により得られる積層体から剥離するレジスト剥離工程と、前記微細導体配線パターンが形成されていない部分の前記シード層をエッチングするエッチング工程を有し、前記レジスト剥離工程における前記レジストの剥離は、前記積層体に剥離液を塗布したものを、高周波電流を印加した電磁誘導コイルの中を通過させることより、前記導体配線層又は前記微細導体配線パターンの導体を高周波振動させ、機械的な振動力を与えることで行うことを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is a method for manufacturing a build-up wiring board having a fine conductor wiring pattern with a narrow gap, and a conductor wiring layer having a pattern shape on both sides or one side of a core layer. Forming an insulating resin layer having via holes on both sides or one side of the core layer on which the conductor wiring layer is formed, covering the conductor wiring layer and the core layer, and the insulating resin layer Forming a seed layer having no conductor pattern on the surface opposite to the core layer, forming a resist pattern on the surface of the seed layer opposite to the core layer, and the resist pattern A step of forming the fine conductor wiring pattern on a non-formed portion of the shape, and a resist for peeling the resist constituting the resist pattern shape from the laminate obtained by the step A peeling step and an etching step for etching the seed layer in a portion where the fine conductor wiring pattern is not formed. The resist peeling in the resist peeling step is performed by applying a stripping solution to the laminate. The method is characterized in that a high-frequency vibration is applied to the conductor of the conductor wiring layer or the fine conductor wiring pattern by passing through an electromagnetic induction coil to which a high-frequency current is applied, and a mechanical vibration force is applied.

また、請求項2に係る発明は、前記印加する高周波電流の周波数は、前記微細導体配線の厚みが15μm以上でかつ隣り合う前記微細導体配線の間隔が15μm以下である場合に、20〜50kHzであることを特徴とする。   In the invention according to claim 2, the frequency of the applied high-frequency current is 20 to 50 kHz when the thickness of the fine conductor wiring is 15 μm or more and the interval between the adjacent fine conductor wirings is 15 μm or less. It is characterized by being.

また、請求項3に係る発明は、前記レジスト剥離工程において、前記導体配線層を電磁誘導コイルに高周波電流を印加することで誘電加熱することにより、銅配線層を局所過熱することを特徴とする。   The invention according to claim 3 is characterized in that, in the resist stripping step, the conductor wiring layer is locally overheated by dielectrically heating the conductor wiring layer by applying a high frequency current to an electromagnetic induction coil. .

本発明によると、導体配線間隙が15μm以下の狭間隙パターンを有するビルドアップ配線基板のセミアディティブ工法において、ドライフィルムレジストの剥離残渣なく剥離できるようになり、剥離不良の発生率を低減するビルドアップ配線基板の製造方法を提供することができる。
また、狭間隙パターンのドライフィルムレジストの剥離性向上が見込めるため、膜厚が薄いドライフィルムレジストに切り替える必要がなく、微細配線になっても従来の配線厚ルールで、電解銅めっき厚が形成できるビルドアップ配線基板の製造方法を提供することができる。
According to the present invention, in a semi-additive construction method of a build-up wiring board having a narrow gap pattern with a conductor wiring gap of 15 μm or less, the build-up can be peeled off without a dry film resist peeling residue, thereby reducing the occurrence rate of peeling defects. A method for manufacturing a wiring board can be provided.
In addition, it is expected to improve the releasability of dry film resists with narrow gap patterns, so there is no need to switch to thin film resists with thin film thickness, and electrolytic copper plating thickness can be formed according to the conventional wiring thickness rule even if it becomes fine wiring A method for manufacturing a build-up wiring board can be provided.

本発明のビルドアップ配線基板の製造方法の一実施例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows one Example of the manufacturing method of the buildup wiring board of this invention. 本発明に係る電磁誘導コイルの設置例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the example of installation of the electromagnetic induction coil which concerns on this invention. 図2に示した電磁誘導コイル設置例を示す、基板搬送方向に平行する面で切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected by the surface parallel to a board | substrate conveyance direction which shows the electromagnetic induction coil installation example shown in FIG.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電磁誘導によるドライフィルムレジスト剥離性向上の最良の形態を詳細に説明する。   DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS With reference to the accompanying drawings, the best mode for improving dry film resist peelability by electromagnetic induction according to the present invention will be described in detail below.

図1は、本発明のビルドアップ配線基板の製造方法の一実施例について、配線を形成する工程を示す説明図である。
まず、コア層11の片面または両面に所望のパターン形状を有する銅配線層12を形成する。ここで、銅配線層12は請求項1及び3における導体配線層に該当する。
そして、銅配線層12が形成されたコア層11の上に、絶縁樹脂を塗布して温度120℃程度において真空ラミネートを行い、さらに高温でポストベークして絶縁樹脂層21を形成する(工程A)。ここでは便宜上、コア層11にスルーホールを図示していないが、必要に応じてコア層11を貫通するスルーホール銅配線を形成してもよい。
FIG. 1 is an explanatory view showing a process of forming a wiring in one embodiment of a method for manufacturing a buildup wiring board according to the present invention.
First, the copper wiring layer 12 having a desired pattern shape is formed on one side or both sides of the core layer 11. Here, the copper wiring layer 12 corresponds to the conductor wiring layer in claims 1 and 3.
Then, an insulating resin is applied on the core layer 11 on which the copper wiring layer 12 is formed, vacuum lamination is performed at a temperature of about 120 ° C., and post baking is performed at a high temperature to form the insulating resin layer 21 (step A). ). Here, through holes are not shown in the core layer 11 for convenience, but through hole copper wirings that penetrate the core layer 11 may be formed as necessary.

次いで、絶縁樹脂21にレーザードリルにて、銅配線層12に達するような、φ50μm程度のビアホール22を形成する。その後、レーザードリルで発生したスミアを除去するため、デスミア処理を行う(工程B)。   Next, a via hole 22 having a diameter of about 50 μm is formed in the insulating resin 21 with a laser drill so as to reach the copper wiring layer 12. Thereafter, desmear treatment is performed in order to remove smear generated by the laser drill (step B).

その後、無電解銅めっきにて1μm厚の導体パターンのない無電解銅めっき層31を形成する(工程C)。
この無電解銅めっき層31は、従来のセミアディティブ工法におけるシード層と呼ばれる層であり、後の工程Eにおいて無電解銅めっき層31に給電することにより、無電解銅めっき層31の上に所定のパターンの電解銅めっきを行うためのものである。
Then, the electroless copper plating layer 31 without a 1 μm-thick conductor pattern is formed by electroless copper plating (step C).
The electroless copper plating layer 31 is a layer called a seed layer in the conventional semi-additive method, and is fed onto the electroless copper plating layer 31 by supplying power to the electroless copper plating layer 31 in a later step E. This is for performing electrolytic copper plating of the pattern.

次に、この無電解銅めっき層31の上にドライフィルムレジストをラミネートするが、以下に述べる手順により、最終的な導体パターンとして所望するパターン形状に無電解銅めっき層31が露出するようなドライフィルムレジストのレジストパターン形状41を形成する(工程D)。
ドライフィルムレジストとしては、例えば、支持体フィルムと保護層で挟まれた厚み25μm程度の感光性樹脂層であり、無電解銅めっき層31へドライフィルムレジストの保護層を剥がしながら、支持体フィルムをコア層11と逆側に向けて、ホットロールラミネーターにより、ロール温度120℃程度で基材にラミネートする。その後、ドライフィルムレジストの支持体フィルム側に所望のパターンを有するフォトマスクを設置し、フォトマスクの上から露光し、硬化レジストパターンを有するドライフィルムレジストを得る。次に、支持体フィルムを剥離して基材をNa2CO3水溶液中に浸漬して現像し、所望のレジストパターンを有するレジストパターン形状41を得る。
Next, a dry film resist is laminated on the electroless copper plating layer 31. The dry electrophotographic copper plating layer 31 is exposed in a desired pattern shape as a final conductor pattern by the procedure described below. A resist pattern shape 41 of a film resist is formed (process D).
The dry film resist is, for example, a photosensitive resin layer having a thickness of about 25 μm sandwiched between a support film and a protective layer, and the support film is removed while peeling off the dry film resist protective layer from the electroless copper plating layer 31. The substrate is laminated on the substrate at a roll temperature of about 120 ° C. by a hot roll laminator toward the side opposite to the core layer 11. Thereafter, a photomask having a desired pattern is placed on the support film side of the dry film resist, and exposure is performed from above the photomask to obtain a dry film resist having a cured resist pattern. Next, the support film is peeled off, and the base material is dipped in an aqueous Na2CO3 solution and developed to obtain a resist pattern shape 41 having a desired resist pattern.

次に、形成したレジストパターン形状41の間隙から露出する無電解銅めっき31上に、無電解銅めっき層31に給電することにより、電解銅めっき層42を形成する。(工程E)。
ここで、電解銅めっき層42が請求項1及び2における微細導体配線パターンに該当する。すなわち、電解銅めっき層42は配線間の間隙が15μm以下の導体パターンを構成することとなる。
Next, the electroless copper plating layer 42 is formed by supplying power to the electroless copper plating layer 31 on the electroless copper plating 31 exposed from the gap between the formed resist pattern shapes 41. (Process E).
Here, the electrolytic copper plating layer 42 corresponds to the fine conductor wiring pattern in claims 1 and 2. That is, the electrolytic copper plating layer 42 constitutes a conductor pattern having a gap between wirings of 15 μm or less.

この電解銅めっき層42を形成した後に、ドライフィルムレジストを剥離するが(工程F)、本発明はこの剥離方法に特徴がある。
剥離方法について、図2、図3を用いて説明する。
After the electrolytic copper plating layer 42 is formed, the dry film resist is peeled off (step F). The present invention is characterized by this peeling method.
The peeling method will be described with reference to FIGS.

図2は、本実施の形態において、上記工程A〜Eにより作成した基板を電磁誘導コイルに通し、高周波電流を供給することのできる搬送部を示す斜視図である。
図2において、高周波電流を流すための絶縁被覆された導体61が、上搬送ロール71と下搬送ロール72の芯を何度も往復するようにビルドアップ配線基板51の搬送部を囲う電磁誘導コイルを形成している。図2は簡易的に4周した状態を示した。この電磁誘導コイルは搬送ロール71、72の芯材であるが、搬送ロールの搬送回転とは独立した構造である。また搬送ロール71、72の表面は、オレフィン系ゴムでコーティングしており、ビルドアップ配線基板51の搬送で傷を付けない構造である。
FIG. 2 is a perspective view showing a transport unit that can supply a high-frequency current through the electromagnetic induction coil through the substrate created by the steps A to E in the present embodiment.
In FIG. 2, the electromagnetic induction coil that surrounds the transport portion of the build-up wiring board 51 so that the conductor 61 with an insulation coating for flowing a high-frequency current reciprocates the cores of the upper transport roll 71 and the lower transport roll 72 many times. Is forming. FIG. 2 shows a simple four-round state. The electromagnetic induction coil is a core material of the transport rolls 71 and 72, but has a structure independent of the transport rotation of the transport roll. Moreover, the surface of the conveyance rolls 71 and 72 is coated with olefin rubber, and has a structure that does not damage the conveyance of the build-up wiring board 51.

図3は、図2の搬送部を基板の搬送方向と平行な面で切断した場合の断面イメージ図である。
図3において、隣あう搬送ロールの間には、剥離液のスプレーノズル81を配置しており、剥離液82がビルドアップ配線基板51の上下表面にスプレーされており、搬送ロールに高周波電流を印加すると、上下の搬送ロールの軸が電磁誘導コイルとなり、ビルドアップ配線基板51の銅配線層12を振動させる。誘導コイルと銅配線層12との間に働く電磁力は、誘導コイルに流れる電流と銅配線層12に誘導される誘導電流との間で発生する電磁反発力が支配的である。この電磁反発力は、ビルドアップ配線基板全体に作用する。
FIG. 3 is a cross-sectional image diagram of the transport unit of FIG. 2 cut along a plane parallel to the transport direction of the substrate.
In FIG. 3, a spray nozzle 81 for the stripping liquid is arranged between adjacent transport rolls, and the stripping liquid 82 is sprayed on the upper and lower surfaces of the build-up wiring board 51, so that a high frequency current is applied to the transport roll. Then, the axis of the upper and lower transport rolls becomes an electromagnetic induction coil, and vibrates the copper wiring layer 12 of the buildup wiring board 51. The electromagnetic force acting between the induction coil and the copper wiring layer 12 is dominated by the electromagnetic repulsion force generated between the current flowing through the induction coil and the induction current induced in the copper wiring layer 12. This electromagnetic repulsive force acts on the entire build-up wiring board.

その結果、銅配線層12は、銅配線パターン形状に依存する固有の共振周波数で振動する。この共振周波数は、誘導コイルに流れる電流周波数もしくは電流高調波の2倍である。この2倍の周波数は、超音波周波数帯域内にあるので、ビルドアップ配線基板51に超音波振動が発生する。
この超音波振動による機械的な運動で、レジストパターン形状41の剥離性の向上に寄与するが、この振動によって誘起される剥離液のキャビテーションが、更にまた剥離性の向上に寄与する。
As a result, the copper wiring layer 12 vibrates at a specific resonance frequency that depends on the shape of the copper wiring pattern. This resonance frequency is twice the current frequency or current harmonic flowing in the induction coil. Since this doubled frequency is in the ultrasonic frequency band, ultrasonic vibration is generated in the build-up wiring board 51.
The mechanical movement by the ultrasonic vibration contributes to the improvement of the peelability of the resist pattern shape 41, but the cavitation of the stripping solution induced by this vibration further contributes to the improvement of the peelability.

なお、ここで用いられる高周波電流は、請求項2に記載したように、20〜50kHzを使用するのが好ましい。この周波数帯は、剥離液にキャビテーションが発生しやすく、電解銅めっき層42の隣り合う配線と配線のアスペクト比が1以上の狭い空間では滞留しやすい。剥離液に発生したキャビテーションは、レジストパターン形状41の表面近傍で空洞が消滅するときに発生する衝撃により、ドライフィルムレジストが物理的に剥離しやすくなる効果がある。
また、剥離し始めた部分に剥離液が浸透しキャビテーションが発生すると、キャビテーション空洞が銅配線層12とドライフィルムレジストとの界面で膨張収縮を繰り返すため、ドライフィルムレジストを浮き上がらせるような物理的な力が発生する。この物理的な力は、剥離して浮き始めたミクロな部分から銅配線層12とドライフィルムレジストとの界面で間隔を広げるように拡大していくため、ドライフィルムレジストの剥離速度向上に効果がある。
The high-frequency current used here is preferably 20 to 50 kHz as described in claim 2. In this frequency band, cavitation tends to occur in the stripping solution, and it tends to stay in a narrow space where the aspect ratio of the wiring adjacent to the electrolytic copper plating layer 42 is 1 or more. The cavitation generated in the stripping solution has an effect that the dry film resist is physically easily peeled off by an impact generated when the cavity disappears near the surface of the resist pattern shape 41.
Further, when the stripping solution penetrates into the part where peeling has started and cavitation occurs, the cavitation cavity repeatedly expands and contracts at the interface between the copper wiring layer 12 and the dry film resist, so that the physical property that causes the dry film resist to rise Force is generated. This physical force expands from the microscopic part that begins to peel off and floats so as to widen the gap at the interface between the copper wiring layer 12 and the dry film resist, which is effective in improving the peeling speed of the dry film resist. is there.

一般に誘電加熱では、22.5kHz近辺の高周波電源を用いているが、高周波電源が20〜50kHzを用いていれば問題ない。このような高周波電流を電磁誘導コイルに印加することにより、請求項3記載の通り、銅配線層12が誘電加熱され、銅配線層12とドライフィルムレジストの接触界面で剥離液温度が上昇し、ドライフィルムレジストの浸透速度向上に寄与できる。   In general, dielectric heating uses a high-frequency power source in the vicinity of 22.5 kHz, but there is no problem if the high-frequency power source uses 20 to 50 kHz. By applying such a high-frequency current to the electromagnetic induction coil, as described in claim 3, the copper wiring layer 12 is dielectrically heated, and the stripping solution temperature rises at the contact interface between the copper wiring layer 12 and the dry film resist, It can contribute to the improvement of the penetration rate of dry film resist.

上記方法により、ドライフィルムレジストを剥離した後、電解銅めっき層42で形成された導体パターンの底部に露出している無電解銅めっき層31をエッチングし、独立した導体パターンを形成する(工程G)。   After the dry film resist is peeled off by the above method, the electroless copper plating layer 31 exposed at the bottom of the conductor pattern formed by the electrolytic copper plating layer 42 is etched to form an independent conductor pattern (step G). ).

以上説明したセミアディティブ工法の工程により、ドライフィルムレジストを剥離不良なく剥離することができ、導体配線の厚みが15μm以上でかつ間隙が15μm以下の狭間隙パターンを有するビルドアップ配線基板を製造することができる。   Manufacturing a build-up wiring board having a narrow gap pattern in which the dry film resist can be peeled without peeling defects and the thickness of the conductor wiring is 15 μm or more and the gap is 15 μm or less by the process of the semi-additive method described above. Can do.

<実施例1>
ピッチ30μmでL/S=15/15μmの導体パターンの製造方法を図1に即して説明する。
まず、コア層11に形成された銅配線層12上に、絶縁樹脂としてABF GX−13(商品名、アジノモトファインテクノ(株)製)をラミネート温度120℃で真空ラミネートした後、180℃でポストベークして絶縁樹脂層21を得た(工程A)。次いで、レーザードリルにて、絶縁樹脂層21にφ50μmのビアホール22を形成した後、レーザードリルで発生したスミアを除去するため、デスミア処理を行った(工程B)。
<Example 1>
A method of manufacturing a conductor pattern with a pitch of 30 μm and L / S = 15/15 μm will be described with reference to FIG.
First, ABF GX-13 (trade name, manufactured by Azinomoto Fine Techno Co., Ltd.) as an insulating resin is vacuum-laminated at a laminating temperature of 120 ° C. on the copper wiring layer 12 formed in the core layer 11, and then post-processed at 180 ° C. The insulating resin layer 21 was obtained by baking (Step A). Next, a via hole 22 having a diameter of 50 μm was formed in the insulating resin layer 21 with a laser drill, and then desmear treatment was performed in order to remove smear generated by the laser drill (step B).

更に無電解銅めっきにて1μm厚の無電解銅めっき層31を形成した(工程C)。
更に、ドライフィルムレジストとして、サンフォート(登録商標)UFG−255(商品名、旭化成エレクトロニクス(株)製)を用いた。これは、支持体フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルムを、保護層としてポリエチレンフィルムを用いており、感光性樹脂層厚みは25μmである。
1μm厚の無電解銅めっき層31へ、ドライフィルムレジストの保護層を剥がしながら、ホットロールラミネーター(旭化成(株)製、AL−70)により、ロール温度120℃で基材にラミネートした。エアー圧力は0.3MPaとし、ラミネート速度は1.0m/minとした。
Further, an electroless copper plating layer 31 having a thickness of 1 μm was formed by electroless copper plating (step C).
Further, Sunfort (registered trademark) UFG-255 (trade name, manufactured by Asahi Kasei Electronics Co., Ltd.) was used as a dry film resist. This uses a polyethylene terephthalate film as the support film and a polyethylene film as the protective layer, and the photosensitive resin layer thickness is 25 μm.
The electroless copper plating layer 31 having a thickness of 1 μm was laminated on a substrate at a roll temperature of 120 ° C. with a hot roll laminator (Asahi Kasei Co., Ltd., AL-70) while peeling the protective layer of the dry film resist. The air pressure was 0.3 MPa, and the laminating speed was 1.0 m / min.

ドライフィルムレジストの支持体フィルム側にL/S=22/8μmのパターンを有するフォトマスクを設置し、超高圧水銀ランプ(オーク製作所製、HMW−201KB)により、120mJ/cm2の露光量で露光し、硬化レジストパターンを有するドライフィルムレジストを得た。次に、支持体フィルムを剥離して基材を30℃1質量%のNa2CO3水溶液中に50秒浸漬して現像し、22μm幅の間隙に隣接する8μm幅のレジストパターンを有するレジストパターン形状41を得た(工程D)。
ついで、22μm幅の間隙から露出する無電解銅めっき部へ電解銅めっきを行い、20μm厚の電解銅めっき層42を形成した(工程E)。
A photomask having a pattern of L / S = 22/8 μm is placed on the support film side of the dry film resist, and exposed at an exposure amount of 120 mJ / cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp (OMW Seisakusho, HMW-201KB). A dry film resist having a cured resist pattern was obtained. Next, the support film is peeled off and the substrate is developed by immersing in a 1% by mass Na2CO3 aqueous solution at 30 ° C. for 50 seconds to form a resist pattern shape 41 having an 8 μm wide resist pattern adjacent to a 22 μm wide gap. Obtained (step D).
Next, electrolytic copper plating was performed on the electroless copper plating portion exposed from the 22 μm wide gap to form an electrolytic copper plating layer 42 having a thickness of 20 μm (step E).

ここでドライフィルムレジスト剥膜液として、3質量%のNaOH水溶液を用意した。50℃、圧力0.2MPaでスプレーをしながら、ビルドアップ配線基板51を図2、3に示す誘導コイルの中に挿入し、スプレーノズル81より60秒スプレーし、高周波電流を印加してレジストパターンを剥離後、水洗乾燥し、ドライフィルムレジストの剥離を完了した。(工程F)。
なお、ここでは40kHzの高周波電源を用いてドライフィルムレジストの剥離を完了した。
その結果、ドライフィルムレジストを剥離不良なく剥離することができ、ピッチ30μmでL/S=15/15μmの導体パターンを有するビルドアップ配線基板を製造することができた。
Here, a 3% by mass NaOH aqueous solution was prepared as a dry film resist stripping solution. While spraying at 50 ° C. and a pressure of 0.2 MPa, the build-up wiring board 51 is inserted into the induction coil shown in FIGS. 2 and 3, sprayed for 60 seconds from the spray nozzle 81, and a high frequency current is applied to form a resist pattern. After peeling, the film was washed with water and dried to complete the peeling of the dry film resist. (Process F).
Here, the dry film resist peeling was completed using a high frequency power source of 40 kHz.
As a result, it was possible to peel off the dry film resist without peeling failure, and it was possible to manufacture a build-up wiring board having a conductor pattern of L / S = 15/15 μm at a pitch of 30 μm.

<比較例1>
基材に、電解銅めっきする工程Eまでを実施例1と同様に施した。
ここで、3重量%のNaOH水溶液をドライフィルムレジストの剥膜液として用意した
。ついで、基材をインラインのスプレー剥膜装置に投入し、50℃、圧力0.3MPaで
300秒までスプレーした。13μm以上の硬化レジストパターン(フォトマスクパターンサイズL/S=27/13μm)は剥離できたが、8μm幅のレジストパターン(フォトマスクパターンサイズL/S=32/8μm)は、電解銅めっき層42にドライフィルムレジストが挟まったままで、上手く剥離ができなかった。
<Comparative Example 1>
The process up to Step E for electrolytic copper plating was performed on the base material in the same manner as in Example 1.
Here, a 3 wt% NaOH aqueous solution was prepared as a dry film resist stripping solution. Next, the substrate was put into an in-line spray filming apparatus and sprayed at 300C at a pressure of 0.3 MPa for 300 seconds. Although a cured resist pattern of 13 μm or more (photomask pattern size L / S = 27/13 μm) could be peeled off, a resist pattern having a width of 8 μm (photomask pattern size L / S = 32/8 μm) was obtained by electrolytic copper plating layer 42. With the dry film resist still sandwiched between the two, it was not possible to peel off well.

本発明は、狭間隙な微細配線を有するビルドアップ配線基板の製造方法に利用することができ、ドライフィルムレジストの剥離不良による不良品の発生頻度を低減させ、かつ製品の信頼性を高め、安価な製品を市場に供給できる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in a method for manufacturing a build-up wiring board having fine wiring with a narrow gap, reduces the frequency of occurrence of defective products due to defective peeling of a dry film resist, increases product reliability, and is inexpensive. New products can be supplied to the market.

11 コア層
12 銅配線層
21 絶縁樹脂層
22 絶縁樹脂層に形成したレーザービアホール
31 無電解銅めっき層
41 ドライフィルムレジストにより形成されたレジストパターン形状
42 電解銅めっき層
51 ビルドアップ配線基板
61 電磁誘導コイル
71 上搬送ロール
72 下搬送ロール
81 スプレーノズル
82 剥離液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Core layer 12 Copper wiring layer 21 Insulating resin layer 22 Laser via hole 31 formed in the insulating resin layer Electroless copper plating layer 41 Resist pattern shape 42 formed by dry film resist Electrolytic copper plating layer 51 Build-up wiring board 61 Electromagnetic induction Coil 71 Upper transport roll 72 Lower transport roll 81 Spray nozzle 82 Stripping solution

Claims (3)

狭間隙な微細導体配線パターンを有するビルドアップ配線基板の製造方法であって、
コア層の両面または片面にパターン形状を有した導体配線層を形成する工程と、
前記導体配線層が形成されたコア層の両面または片面に、ビアホールを有する絶縁樹脂層を前記導体配線層及び前記コア層を覆うように形成する工程と、
前記絶縁樹脂層の前記コア層と逆側の面に、導体パターンを有さないシード層を形成する工程と、
前記シード層のコア層と逆側の面に、レジストパターン形状を形成する工程と、
前記レジストパターン形状の非形成部分に前記微細導体配線パターンを形成する工程と、
前記レジストパターン形状を構成するレジストを、前記の工程により得られる積層体から剥離するレジスト剥離工程と、
前記微細導体配線パターンが形成されていない部分の前記シード層をエッチングするエッチング工程を有し、
前記レジスト剥離工程における前記レジストの剥離は、前記積層体に剥離液を塗布したものを、高周波電流を印加した電磁誘導コイルの中を通過させることより、前記導体配線層又は前記微細導体配線パターンの導体を高周波振動させ、機械的な振動力を与えることで行う、
ことを特徴とするビルドアップ配線基板の製造方法。
A manufacturing method of a build-up wiring board having a fine conductor wiring pattern with a narrow gap,
Forming a conductive wiring layer having a pattern shape on both sides or one side of the core layer;
Forming an insulating resin layer having via holes on both sides or one side of the core layer on which the conductor wiring layer is formed so as to cover the conductor wiring layer and the core layer;
Forming a seed layer having no conductor pattern on the surface of the insulating resin layer opposite to the core layer;
Forming a resist pattern shape on the surface of the seed layer opposite to the core layer;
Forming the fine conductor wiring pattern in a non-formed portion of the resist pattern shape;
A resist stripping step of stripping the resist constituting the resist pattern shape from the laminate obtained by the above steps;
An etching step of etching the seed layer in a portion where the fine conductor wiring pattern is not formed;
The resist stripping in the resist stripping step is performed by passing the layered product coated with a stripping solution through an electromagnetic induction coil to which a high-frequency current is applied, so that the conductor wiring layer or the fine conductor wiring pattern can be removed. This is done by vibrating the conductor at high frequency and applying mechanical vibration force.
A method for manufacturing a build-up wiring board.
前記印加する高周波電流の周波数は、前記微細導体配線の厚みが15μm以上でかつ隣り合う前記微細導体配線の間隔が15μm以下である場合に、20〜50kHzであることを特徴とする請求項1に記載のビルドアップ配線基板の製造方法。   The frequency of the high-frequency current to be applied is 20 to 50 kHz when the thickness of the fine conductor wiring is 15 μm or more and the interval between the adjacent fine conductor wirings is 15 μm or less. The manufacturing method of the build-up wiring board of description. 前記レジスト剥離工程において、前記導体配線層を電磁誘導コイルに高周波電流を印加することで誘電加熱することにより、銅配線層を局所過熱することを特徴とする請求項1に記載のビルドアップ配線基板の製造方法。   2. The buildup wiring board according to claim 1, wherein in the resist stripping step, the copper wiring layer is locally overheated by subjecting the conductor wiring layer to dielectric heating by applying a high frequency current to an electromagnetic induction coil. 3. Manufacturing method.
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