JP2009206409A - Method for manufacturing wiring substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements.
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる高密度配線基板としてビルドアップ配線基板がある。一般的なビルドアップ配線基板は、両面に銅箔から成る配線導体が形成された厚みが0.2〜2.0mm程度のガラス−樹脂板から成るコア基板の両面に、厚みが10〜100μm程度の樹脂から成る絶縁層と、厚みが5〜50μm程度の銅めっき膜から成る配線導体とを交互に積層して成る。しかしながら、このような一般的なビルドアップ配線基板は高密度配線が可能であるものの、コア基板として厚みが0.2〜2.0mm程度のガラス−樹脂板を使用することから、配線基板の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題点があった。 Conventionally, there is a build-up wiring board as a high-density wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements. A typical build-up wiring board has a thickness of about 10 to 100 μm on both sides of a core substrate made of a glass-resin plate having a thickness of about 0.2 to 2.0 mm, where wiring conductors made of copper foil are formed on both sides. Insulating layers made of the above resin and wiring conductors made of a copper plating film having a thickness of about 5 to 50 μm are alternately laminated. However, although such a general build-up wiring board is capable of high-density wiring, since a glass-resin plate having a thickness of about 0.2 to 2.0 mm is used as the core board, the entire wiring board is used. There was a problem that it was difficult to reduce the thickness.
そこで、コア基板を使用しないでビルドアップ層のみで配線基板を形成する方法が提案されている。そのような方法として、例えば特許文献1には、金属板上にビルドアップ層を形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の配線基板を製造する方法が提案されている。この特許文献1に示された方法によれば、半導体素子搭載面が平坦であり、且つ薄型の配線基板を提供できる。
Therefore, a method of forming a wiring board only with a buildup layer without using a core board has been proposed. As such a method, for example,
しかしながら、この特許文献1に記載された方法では、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去することが必要であり、そのエッチングに長時間を要する。そのため生産効率が低いという解決すべき問題点があった。
本発明の課題は、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。 The subject of this invention is providing the manufacturing method of the wiring board which can manufacture a thin and high-density wiring board efficiently.
本発明の配線基板の製造方法は、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に、樹脂を含有する電気絶縁材料から成る絶縁層を積層するとともに該絶縁層に複数のビア孔を形成する工程と、前記絶縁層上および前記ビア孔内に前記金属箔と接続するめっき導体から成る第1の配線導体を所定のパターンに析出させて被着する工程と、前記支持フィルム上に支持された前記金属箔と前記絶縁層と前記第1の配線導体とを含む積層体を前記支持フィルムから分離する工程とを含むことを特徴とするものである。 In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, an insulating layer made of an electrically insulating material containing a resin is laminated on the metal foil of the metal foil with a support film on which the metal foil is held via an adhesive layer. And forming a plurality of via holes in the insulating layer, and depositing a first wiring conductor made of a plating conductor connected to the metal foil on the insulating layer and in the via holes in a predetermined pattern. And a step of separating the laminate including the metal foil supported on the support film, the insulating layer, and the first wiring conductor from the support film. is there.
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記積層体を形成する工程の前に、前記支持フィルム付き金属箔を、該支持フィルム付き金属箔よりも広い平坦な主面を有する支持基板の前記主面の中央部に、前記金属箔が露出するようにして積層する工程を含み、前記絶縁層を前記金属箔上から該金属箔の外側の前記支持基板上まで延在させて積層するとともに該絶縁層上に前記第1の配線導体を被着して前記支持基板の前記主面の中央部上に前記積層体を形成する。 Further, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, before the step of forming the laminate, the metal foil with a support film is formed on the support board having a flat main surface wider than the metal foil with a support film. And laminating the metal foil so that the metal foil is exposed at the center of the main surface, the insulating layer extending from the metal foil to the support substrate outside the metal foil, and laminating. The first wiring conductor is deposited on an insulating layer, and the laminate is formed on the central portion of the main surface of the support substrate.
さらに、本発明の配線基板の製造方法は、前記支持フィルム付き金属箔を前記支持基板の主面に積層する工程が、さらに前記支持基板の前記主面の外周部に、前記金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の一方の主面が露出するように積層する工程を含む。 Furthermore, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the step of laminating the metal foil with a support film on the main surface of the support substrate further includes a metal surrounding the metal foil on an outer peripheral portion of the main surface of the support substrate. A step of laminating the frame such that one main surface of the metal frame is exposed;
またさらに、本発明の配線基板の製造方法は、前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程の前に、前記金属箔の外周縁の内側領域に位置する前記積層体および支持基板を残余の部分から切り出す工程を含む。 Still further, in the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, before the step of separating the laminate from the support film, the laminate and the support substrate located in the inner region of the outer peripheral edge of the metal foil are the remaining portions. A step of cutting out from.
本発明の配線基板の製造方法によれば、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に絶縁層と第1の配線導体とを順次積層して前記金属箔と前記絶縁層と前記第1の配線導体とから成る配線基板用の積層体を形成するので、コア基板を使用することによる配線基板の全体厚みを薄くすることができないという問題がなく、薄型で高密度の配線基板を提供することができる。 According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, an insulating layer and a first wiring conductor are sequentially laminated on the metal foil of the metal foil with a support film in which the metal foil is held on the support film via an adhesive layer. In addition, since a laminate for a wiring board composed of the metal foil, the insulating layer, and the first wiring conductor is formed, the overall thickness of the wiring board cannot be reduced by using the core board. Therefore, a thin and high-density wiring board can be provided.
しかも、形成された積層体を前記支持フィルムから分離する際には、前記支持フィルム付き金属箔は、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルムと金属箔との間を引き剥がすだけで積層体を破損することなく、短時間かつ簡単に分離することができ、それにより薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。 And when separating the formed laminated body from the said support film, since the said metal foil with a support film only hold | maintains the metal foil on the support film via the adhesion layer, a support film and metal foil The laminate can be easily separated in a short time without damaging the laminate by simply peeling off the gap between the two, and thereby a thin and high-density wiring board can be efficiently manufactured.
また、支持フィルム付き金属箔よりも広い平坦な主面を有する支持基板の前記主面の中央部に支持フィルム付き金属箔を積層し、その上に絶縁層を金属箔の外側の支持基板上まで延在するように積層するとともに該絶縁層上に前記第1の配線導体を被着して前記積層体を形成すると、平坦な主面を有する支持基板を用いるので、配線基板を製造する際の安定性を向上させることができるとともに、支持基板の外周部と絶縁層とが直接積層されるので、絶縁層および第1の配線導体を形成する製造工程中において金属箔と支持フィルムとの間で剥離が発生することを有効に防止することができる。 In addition, a metal foil with a support film is laminated at the center of the main surface of the support substrate having a flat main surface wider than the metal foil with a support film, and an insulating layer is placed on the support substrate outside the metal foil. When the laminated body is formed by depositing the first wiring conductor on the insulating layer so as to extend, a support substrate having a flat main surface is used. While stability can be improved, since the outer peripheral part of a support substrate and an insulating layer are laminated directly, it is between metal foil and a support film in the manufacturing process which forms an insulating layer and the 1st wiring conductor. It is possible to effectively prevent the occurrence of peeling.
さらに、支持基板の主面の外周部に、支持フィルム付き金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の一方の主面が露出するようにして積層すると、該金属枠をめっきのための電荷供給用の端子として利用することができ、これにより本発明にかかる配線基板を効率よく製造することができる。 Further, when a metal frame surrounding the metal foil with the support film is laminated on the outer peripheral portion of the main surface of the support substrate so that one main surface of the metal frame is exposed, the metal frame is supplied with electric charge for plating. As a result, the wiring board according to the present invention can be efficiently manufactured.
またさらに、前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程の前に、前記金属箔の外周縁の内側領域に位置する前記積層体および支持基板を残余の部分から切り出すと、切り出した積層体を支持フィルムから容易に剥離することができる。 Furthermore, before the step of separating the laminate from the support film, the laminate and the support substrate located in the inner region of the outer peripheral edge of the metal foil are cut out from the remaining portion to support the cut-out laminate. It can be easily peeled off from the film.
以下、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について、図1〜図12を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
まず、図1に示すように、支持フィルム付き金属箔2と、支持基板3用のプリプレグ3Pと、金属枠4とを準備する。支持フィルム付き金属箔2は、支持フィルム1上に金属箔12Pが粘着層(不図示)を介して保持されたものである。
First, as shown in FIG. 1, the
支持フィルム1は、厚みが10〜100μm程度であり、金属箔12Pに破れや皺が発生するのを有効に防止するとともに、金属箔12Pの取扱いを容易とするためのものである。支持フィルム1としては、例えばポリエステル樹脂等の耐熱性樹脂から成るのが好ましい。具体例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等が挙げられる。
The
金属箔12Pは、配線基板の製造における起点となる導体層を提供するためのものである。金属箔12Pとしては、例えば銅(銅箔)等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔12Pの厚みとしては、例えば1〜35μm程度が挙げられる。これにより、該金属箔12Pをエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔12Pは、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として好適に利用することができる。これに対し、金属箔12Pの厚みが1μmより薄いと、金属箔12Pの強度が低下し、この金属箔12P上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがあり、35μmより厚いと、必要以上に厚くなりすぎるとともに、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。
The
前記粘着層としては、配線基板の製造中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコーン樹脂系、アクリル樹脂系、ポリオルガノシロキサン樹脂系等の耐熱性粘着材から成るのが好ましい。また、前記粘着剤層は、後述する配線基板用の積層体10を破損することなく支持フィルム1から分離する上で、厚みが0.01〜1.0μm程度であり、粘着力が1〜10N/m程度であるのが好ましい。
The pressure-sensitive adhesive layer is preferably made of a heat-resistant pressure-sensitive adhesive material such as a silicone resin-based resin, an acrylic resin-based resin, or a polyorganosiloxane resin-based material in order to withstand the heat load applied during the production of the wiring board. The pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of about 0.01 to 1.0 μm and an adhesive strength of 1 to 10 N in order to separate from the
プリプレグ3Pは、後述する配線基板用の積層体10を製造する際に該積層体10を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板3となるものであり、その主面に支持フィルム付き金属箔2や金属枠4を載置し、それらを上下から加圧しながら加熱することによりプリプレグ3Pに支持フィルム付き金属箔2や金属枠4が積層され、その状態で熱硬化する。プリプレグ3Pは、通常、厚み0.2〜2.0mm程度、1辺の長さ300〜1000mm程度の略四角形の平板で構成されるが、これに限定されるものではない。プリプレグ3Pとしては、例えばガラス繊維等の耐熱性繊維から成る織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態のシート状としたもの等が挙げられる。
The
金属枠4は、後述する配線基板用の積層体10を製造する際に、めっき用の電荷供給電極として使用するためのものであり、厚みが12〜35μm程度である。金属枠4としては、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
The
上記のような各材料を準備した後、図2に示すように、プリプレグ3Pの主面中央部上に支持フィルム付き金属箔2を、支持フィルム1がプリプレグ3Pの主面と対向するようにして配置するとともに、プリプレグ3Pの主面外周部上に金属枠4を配置する。そして、これらを上下から0.5〜9MPaの圧力でプレスしながら130〜200℃の温度で30分間〜120分間程度加熱することにより、図3に示すように、プリプレグ3Pが熱硬化して形成された支持基板3の主面に、支持フィルム付き金属箔2を金属箔12Pの上面が露出するようにして積層するとともに、支持基板3の主面の外周部に、金属箔12Pを取り囲む金属枠4をその上面が露出するようにして積層する。
After preparing each material as described above, as shown in FIG. 2, the
積層後は、露出した金属箔12Pの上面と、露出した金属枠4の上面と、金属箔12Pと金属枠4との間から露出した支持基板3の主面とが、実質的に同じ高さになる。これにより、後述する配線基板用の積層体10を平坦性に優れる面で支持することができるので、加工に伴う反りや、うねりの発生を抑制しつつ、積層体10を得ることができる。なお、露出した金属箔12Pの上面、金属枠4の上面、および金属箔12Pと金属枠4との間から露出した支持基板3の主面とは、完全に同一高さである必要はなく、これらの間に5μm以下の高低差があってもよい。
After the lamination, the upper surface of the exposed
次に、図4に示すように、実質的に同じ高さとなった金属箔12Pの上面および金属枠4の上面および支持基板3の主面上に絶縁層21を、その一方の主面が前記金属箔12Pの上面および金属枠4の上面および支持基板3の主面と密着するように積層する。このとき絶縁層21は、その一方の主面が前記金属箔12Pの上面および金属枠4の上面および支持基板3の主面と密着しているので、金属箔12Pと支持フィルム1との間が剥離することはない。なお、絶縁層21には金属枠4の外周側の一部を露出させる切欠き部30を絶縁層21の周方向における複数箇所で互いに向き合うように形成しておく。絶縁層21は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。
Next, as shown in FIG. 4, the insulating
このような絶縁層21は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを、露出した金属箔12Pの上面、露出した金属枠4の上面および金属箔12Pと金属枠4との間から露出した支持基板3の主面上に塗布した後に熱硬化させることによって形成される。また、これに限定されるものではなく、例えば前記混合物をフィルム状としたものやガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを、露出した金属箔12Pの上面、露出した金属枠4の上面および金属箔12Pと金属枠4との間から露出した支持基板3の主面上に張着した後に熱硬化させることにより形成してもよい。
Such an insulating
次に図5に示すように、絶縁層21には、金属箔12Pの一部を露出させるビア孔Vを形成する。ビア孔Vは、例えばレーザ加工により形成する。あるいは樹脂層21用の混合物に感光性を持たせておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
Next, as shown in FIG. 5, a via hole V that exposes a part of the
次に、図6に示すように、絶縁層21の表面およびビア孔V内に金属箔12Pと接続する第1の配線導体11を所定のパターンに形成する。第1の配線導体11は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成り、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。
Next, as shown in FIG. 6, the
具体的には、まず、絶縁層21の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を0.1〜2.0μm程度の厚みに被着させる。このとき、切欠き部30から露出した金属枠4の表面にも無電解銅めっき膜を0.1〜2.0μm程度の厚みに被着させる。次に、絶縁層21の表面に被着した無電解銅めっき膜の表面に、第1の配線導体11に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを前記無電解銅めっき膜上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記開口部を有するように形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する前記無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を5〜30μm程度の厚みに被着させる。このとき、切欠き部30から露出した金属枠4を電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として使用することができる。これにより、金属枠4と電解めっき装置の陰極とを電気的に確実に接続することができる。これに対し、金属枠4がない場合には、極めて薄い無電解めっき層に電解めっき装置の端子を接続することになり、無電解めっき層が擦れたり破れたりして安定した給電が困難になる。次に、めっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第1の配線導体11を形成する。
Specifically, the surface of the insulating
このようにして第1の配線導体11を形成した後、図7に示すように、絶縁層21および第1の配線導体11の上に第1のソルダーレジスト層22を形成して銅箔12Pと絶縁層21と第1の配線導体11と第1のソルダーレジスト層22とから成る配線基板用の積層体10を形成する。
After forming the
ソルダーレジスト層22、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを30〜70質量%程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、絶縁層21および第1の配線導体11の上にスクリーン印刷やロールコート法等により10〜30μm程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。
Solder resist
次に、図8に示すように、金属枠4の内側領域に位置する積層体10および支持基板3を切断する。かかる切断を効率よく行なう上で、積層体10および支持フィルム1および支持基板3を、金属箔12Pの外周から10〜30mm内側に位置する部分で切断して、図9に示すように、積層体10の中央部を支持フィルム1および支持基板3とともに切り出すのが好ましい。前記切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシングやルーター装置等を用いて切断すればよい。
Next, as shown in FIG. 8, the
次に、図10に示すように、切り出した積層体10を支持フィルム1から分離する。この分離の際には、支持フィルム1上に金属箔12Pが図示しない粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルム1と金属箔12P間を引き剥がすだけで積層体10を破損することなく、簡単に分離することができる。
Next, as shown in FIG. 10, the
次に、図11に示すように、金属箔12Pを所定のパターンにエッチングするエッチング工程を施して絶縁層21の他方の主面に第2の配線導体12を形成する。金属箔12Pを所定のパターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔12Pの表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔12Pをエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔12P上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記配線導体に対応する形状に形成され、金属箔12Pをエッチングした後に剥離する。
Next, as shown in FIG. 11, the
最後に、図12に示すように、第2の配線導体12および絶縁層21の表面に第2のソルダーレジスト層23を形成して本実施形態にかかる配線基板20を得る。このように本実施形態によれば、支持基板3上に直接積層体10を形成するのではなく、まず支持基板3の主面に、支持フィルム付き金属箔2を金属箔12Pの上面が露出するようにして積層し、ついで前記金属箔12P上に絶縁層21と第1の配線導体11とを積層して積層体10を得るので、支持フィルム付き金属箔2の支持フィルム1を積層体10と支持基板3とを分離する際にその分離を容易とするための境界層として機能させることができ、その結果、積層体10を支持基板3から短時間の間に容易に剥離することができる。しかも、金属箔12Pは、所定パターンにエッチングして第1の配線導体11の一部として利用することができる。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板20を効率よく製造することが可能となる。なお、第2のソルダーレジスト層23は、第1のソルダーレジスト層22と同様の材料から成り、第1のソルダーレジスト層22と同様の方法によって形成される。
Finally, as shown in FIG. 12, a second solder resist
前記した一実施形態では、1枚の支持基板3上に配線基板用の積層体10を形成した場合について説明したが、本発明にかかる他の実施形態として、例えば2枚の支持基板3を背中合わせに重ね合わせ、それぞれの支持基板3の外側主面に配線基板用の積層体10を同時に形成してもよい。図13は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図1に相当する図である。なお、図13においては、前述した図1〜12と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
In the above-described embodiment, the case where the
図13に示すように、本実施形態にかかる積層体10を形成する工程は、まず、支持フィルム付き金属箔2と、支持基板3用のプリプレグ3Pと、金属枠体4と、分離フィルム5とをそれぞれ2枚ずつ準備する。分離フィルム5は、各支持基板3上に積層体10を形成した後、2枚の支持基板3同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離フィルム5は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。分離フィルム5の厚さとしては、例えば1〜35μm程度であるのが好ましい。
As shown in FIG. 13, the step of forming the
このような分離フィルム5を含む各材料を準備した後、図14〜図19に示すようにして積層体10を得、この積層体10を用いて配線基板20を得る。すなわち、図14に示すように、2枚のプリプレグ3Pにおける中央部の間に分離フィルム5を2枚重ねて挟持するとともに、各プリプレグ3Pの外側の主面中央部上に支持フィルム付き金属箔2と、前記外側主面の外周部に金属枠4とをそれぞれ配置する。次に、これらを上下からプレスしながら加熱することにより、図15に示すように、プリプレグ3Pが熱硬化して形成一体化された2枚の支持基板3の間に、2枚の分離フィルム5を互いに重なった状態で封入するとともに、各支持基板3の外側主面に支持フィルム付き金属箔2および金属枠4を積層する。このとき、2枚の分離フィルム5は、互いに接着されておらず、支持基板3とのみ接着している。
After preparing each material including such a
次に、図16に示すように、2枚の支持基板3の各外側主面上に配線基板用の積層体10をそれぞれ同時に形成する。なお、各積層体10の形成は、前記一実施形態において図4〜図7を基にして説明した工程と同様にして行なう。
Next, as shown in FIG. 16, wiring board laminates 10 are simultaneously formed on the outer main surfaces of the two
次に、図17に示すように、積層体10、支持フィルム1および支持基板3ならびに分離フィルム5を、金属箔12Pの外周から10〜30mm内側に位置する部分で切断することにより、図18に示すように、各積層体10の中央部を支持フィルム1および支持基板3ならびに剥離フィルム5とともに切り出す。このとき、剥離フィルム5同士は接着されていないので、両者は容易に分離される。
Next, as shown in FIG. 17, the laminate 10, the
次に、図19に示すように、切り出した各積層体10を前記一実施形態の場合と同様にして支持フィルム1から分離する。これにより、2つの積層体10を得ることができるので、前記一実施形態よりも積層体10を形成する際の効率を約2倍に高めることができる。その後、分離した各積層体10に、前記一実施形態において図11,図12を基に説明した工程を施すことにより、2つの配線基板20を得る。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板20を更に効率よく製造することが可能となる。
Next, as shown in FIG. 19, each cut-out
本発明にかかる更に他の実施形態として、2枚の支持基板3を、これら間に両者の分離を容易とするための別の分離用基板を介在させて重ね合わせ、それぞれの支持基板3の外側主面に配線基板用の積層体10を同時に形成してもよい。図20は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図1,図13に相当する図である。なお、図20においては、前述した図1〜19と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
As still another embodiment according to the present invention, two
図20に示すように、本実施形態にかかる積層体10を形成する工程は、まず、支持フィルム付き金属箔2と、支持基板3用のプリプレグ3Pと、金属枠体4と、分離フィルム5とをそれぞれ2枚ずつ準備するとともに、分離用基板6を1枚準備する。分離用基板6は、各支持基板3上に積層体10を形成した後、2枚の支持基板3同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離用基板6は、例えば厚みが50〜400μm程度のガラス−エポキシ板7の両面に、厚みが12〜35μm程度の銅箔8を積層した両面銅張板等から成る。
As shown in FIG. 20, the process of forming the
このような分離用基板6を含む各材料を準備した後、図21〜図25に示すようにして積層体10を得、この積層体10を用いて配線基板20を得る。すなわち、図21に示すように、2枚のプリプレグ3P間に分離用基板6を挟むとともに、分離用基板6とプリプレグ3Pとの間の中央部に分離フィルム5を配置し、さらに各プリプレグ3Pの外側の主面中央部上に支持フィルム付き金属箔2と、前記外側主面の外周部に金属枠4とをそれぞれ配置する。
After preparing each material including such a
次に、これらを上下からプレスしながら加熱することにより、図22に示すように、プリプレグ3Pが熱硬化した2枚の支持基板3の間に分離用基板6を積層一体化するとともに、分離用基板6と支持基板3との間に分離フィルム5を封入し、さらに各支持基板3の外側主面に支持フィルム付き金属箔2および金属枠4を積層する。このとき、分離用基板6と分離フィルム5とは互いに接着されておらず、支持基板3とのみ接着している。
Next, by heating them while pressing them from above and below, as shown in FIG. 22, the
次に、図23に示すように、2枚の支持基板3の各外側主面上に配線基板用の積層体10をそれぞれ同時に形成する。なお、各積層体10の形成は、前記一実施形態において図4〜図7を基にして説明した工程と同様にして行なう。
Next, as shown in FIG. 23, the
次に、図24に示すように、積層体10、支持フィルム1、支持基板3および分離フィルム5ならびに分離用基板6を、金属箔12Pの外周から10〜30mm内側に位置する部分で切断することにより各積層体10の中央部を支持フィルム1および支持基板3ならびに剥離フィルム5とともに切り出す。このとき、分離フィルム5と分離用基板6とは接着されていないので、両者は容易に分離される。
Next, as shown in FIG. 24, the laminate 10, the
次に、図25に示すように、前記他の実施形態において図19を基に説明したのと同様にして、切り出した積層体10を支持フィルム1から分離する。これにより、2つの積層体10を得ることができるので、前記一実施形態よりも積層体10を形成する効率を約2倍に高めることができる。その後、分離した各積層体10に、前記一実施形態において図11,図12を基に説明した工程を施すことにより、2つの配線基板20を得る。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板20を更に効率よく製造することが可能となる。
Next, as shown in FIG. 25, the
かくして本発明の配線基板の製造方法によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。なお、本発明は、上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、前記したいくつかの実施形態では、金属箔12Pは、所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図26に示すように、必要に応じて該金属箔12Pを全てエッチング除去してもよい。この場合には、絶縁層21のビア内に露出する第1の配線導体11が外部接続用のパッド等となる。
Thus, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, a thin and high-density wiring board can be efficiently manufactured. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the several embodiments described above, the case where the
金属枠4を電荷供給電極として使用する上で、絶縁層21に切欠き部30を形成した場合について説明したが、切欠き部30に代えて、例えば金属枠4の全ての外周側が枠状に露出するように絶縁層21を積層してもよい。
In the case where the
さらには、図27に示すように、金属箔12Pの上に、例えば銅めっき等のめっき導体から成る第2の配線導体12をセミアディティブ法やフルアディティブ法等により所定パターンに析出させて被着し、その上に絶縁層21と第1の配線導体11とを積層し、第2の配線導体12を構成要素として含む配線基板用の積層体10を形成し、これを切り出して支持フィルム1より分離した後、図28に示すように、金属箔12Pを全てエッチング除去して第2の配線導体12を露出させてもよい。この場合、第2の配線導体12は、セミアディティブ法やフルアディティブ法等により所定パターンに析出させためっき導体から成ることから、金属箔12Pを所定パターンにエッチングして第2の配線導体12を形成する場合と比較して微細かつ狭ピッチの配線導体を実現することができる。さらに、第2の配線導体12が絶縁層21に埋設された状態となるため第2の配線導体12における隣接するパターン同士の電気的な絶縁信頼性が優れたものとなるとともに、第2の配線導体12が絶縁層21に埋設される分だけ、即ち第2の配線導体12の厚み分だけ配線基板20の全体厚みを薄いものとすることができる。
Furthermore, as shown in FIG. 27, the
1 支持フィルム
2 支持フィルム付き金属箔
3P プリプレグ
3 支持基板
4 金属枠
5 分離フィルム
6 分離用基板
10 配線基板用の積層体
11 第1の配線導体
12P 銅箔
21絶縁層
20 配線基板
30 切欠き部
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