JP5057339B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements.
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる高密度配線基板としてビルドアップ配線基板がある。一般的なビルドアップ配線基板は、両面に銅箔から成る配線導体が形成された厚みが0.2〜2.0mm程度のガラス−樹脂板から成るコア基板の両面に、厚みが10〜100μm程度の樹脂から成る絶縁層と、厚みが5〜50μm程度の銅めっき膜から成る配線導体とを交互に積層して成る。しかしながら、このような一般的なビルドアップ配線基板は高密度配線が可能であるものの、コア基板として厚みが0.2〜2.0mm程度のガラス−樹脂板を使用することから、配線基板の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題点があった。 Conventionally, there is a build-up wiring board as a high-density wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements. A typical build-up wiring board has a thickness of about 10 to 100 μm on both sides of a core substrate made of a glass-resin plate having a thickness of about 0.2 to 2.0 mm, where wiring conductors made of copper foil are formed on both sides. Insulating layers made of the above resin and wiring conductors made of a copper plating film having a thickness of about 5 to 50 μm are alternately laminated. However, although such a general build-up wiring board is capable of high-density wiring, since a glass-resin plate having a thickness of about 0.2 to 2.0 mm is used as the core board, the entire wiring board is used. There was a problem that it was difficult to reduce the thickness.
そこで、コア基板を使用しないでビルドアップ層のみで配線基板を形成する方法が提案されている。そのような方法として、例えば特許文献1には、金属板上にビルドアップ層を形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の配線基板を製造する方法が提案されている。この特許文献1に示された方法によれば、半導体素子搭載面が平坦であり、且つ薄型の配線基板を提供できる。 Therefore, a method of forming a wiring board only with a buildup layer without using a core board has been proposed. As such a method, for example, Patent Document 1 proposes a method of manufacturing a wiring board for a semiconductor device by forming a buildup layer on a metal plate and then etching away the metal plate. According to the method disclosed in Patent Document 1, a semiconductor device mounting surface is flat and a thin wiring substrate can be provided.
しかしながら、この特許文献1に記載された方法では、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去することが必要であり、そのエッチングに長時間を要する。そのため生産効率が低いという解決すべき問題点があった。 However, in the method described in Patent Document 1, it is necessary to etch away a metal plate that requires a relatively large thickness, and the etching takes a long time. Therefore, there was a problem to be solved that the production efficiency was low.
そこで、本願出願人は先に特願2007−199651において、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔をプリプレグの硬化物から成る支持基板上に積層し、この支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成した後、前記積層体を前記支持フィルムから分離することにより配線基板を製造する方法を提案した。 Therefore, the applicant of the present application previously described in Japanese Patent Application No. 2007-199651, a metal foil with a support film in which a metal foil is held on a support film via an adhesive layer is laminated on a support substrate made of a cured product of prepreg. After forming a laminate for a wiring board comprising the metal foil, the insulating layer, and the conductor layer by alternately laminating a plurality of insulating layers and conductor layers on the metal foil of the metal foil with a support film. A method of manufacturing a wiring board by separating the laminate from the support film was proposed.
この方法によると、配線基板用の積層体を前記支持フィルムから分離する際には支持フィルムと金属箔との間を引き剥がすだけで積層体を破損することなく、短時間かつ簡単に分離することができ、それにより薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。 According to this method, when separating the laminate for a wiring board from the support film, the laminate can be easily separated in a short time without damaging the laminate by simply peeling between the support film and the metal foil. Accordingly, a thin and high-density wiring board can be efficiently manufactured.
なお、この方法においては、配線基板の製造効率をさらに高めるため、2枚の支持基板用のプリプレグを用意するとともにそれらの間における中央部に2枚の分離フィルムを目視で位置決めして重ねて配置するとともに、それぞれのプリプレグの外側主面上に支持フィルム付き金属箔を配し、次にこれらを上下から加圧加熱することにより2枚のプリプレグが熱硬化して一体化された支持基板の内部に2枚の分離フィルムを互いに重なった状態で封入するとともに支持基板の外側両主面に支持フィルム付き金属箔を積層し、さらにその上に配線基板用の積層体を両面同時に形成した後、分離フィルム同士が重なり合った部分に対応する支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出すとともに、それらを分離フィルム同士の間で分離した後、配線基板用の積層体を支持フィルムから分離する方法が採用されている。 In this method, in order to further increase the manufacturing efficiency of the wiring board, two prepregs for the supporting board are prepared, and two separation films are visually positioned and arranged in a central portion between them. At the same time, a metal foil with a support film is arranged on the outer principal surface of each prepreg, and then the two prepregs are thermoset and integrated by heating them from above and below, thereby integrating the inside of the support substrate. The two separation films are enclosed in a state where they are overlapped with each other, and a metal foil with a support film is laminated on both outer main surfaces of the support substrate, and a laminate for a wiring substrate is simultaneously formed on both sides, and then separated. Cut out the support substrate corresponding to the part where the films overlap and the laminate for the wiring board on it, and separate them between the separation films After, a method for separating a stack of wiring board from the supporting film is employed.
しかしながら、上述の方法においては、2枚の支持基板用のプレプレグの間に2枚の分離フィルムを重ねて配置する際に、分離フィルムを目視により位置決めして配置しており、分離フィルムを正確に位置決めすることができずに、分離フィルムがずれてしまいやすい。分離フィルムがずれた場合、支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出して分離フィルム同士の間で分離する際に良好に分離できなくなる恐れがある。
本発明の課題は、両主面に配線基板用の積層体が形成された支持基板およびその上の配線基板用の積層体を支持基板内に配置した分離フィルム同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to satisfactorily separate a support substrate having a laminate for a wiring board formed on both main surfaces and a laminate for the wiring board on the support substrate between separation films arranged in the support substrate. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board capable of efficiently manufacturing a thin and high-density wiring board.
本発明の配線基板の製造方法は、中央部に第1の幅および第1の長さで設定された方形状の支持基板用領域を有するとともに該支持基板用領域の外側に方形枠状の捨て代領域を有する第1および第2のプリプレグと、前記第1の幅より広い第2の幅および前記第1の長さより短い第2の長さを有する第1の分離フィルムと、前記第1の幅より狭い第3の幅および前記第1の長さより長い第3の長さを有する第2の分離フィルムとを準備する工程と、前記第1および第2のプリプレグにおける前記捨て代領域に前記支持基板用領域を挟んで前記幅方向に対向して位置する少なくとも一対の第1のガイド孔および前記支持基板用領域を挟んで前記長さ方向に対向して位置する少なくとも一対の第2のガイド孔を形成するとともに前記第1の分離フィルムの幅方向における両端部に前記第1のガイド孔に対応する少なくとも一対の第3のガイド孔および前記第2の分離フィルムの長さ方向における両端部に前記第2のガイド孔に対応する少なくとも一対の第4のガイド孔を形成する工程と、前記第1および第3のガイド孔に対応する位置に第1のガイドピンおよび前記第2および第4のガイド孔に対応する位置に第2のガイドピンを有する積層治具上に、前記第1のプリプレグと第1の分離フィルムと第2の分離フィルムと第2のプリプレグとを、前記第1のガイドピンに前記第1および第3のガイド孔が嵌合されるとともに前記第2のガイドピンに前記第2および第4のガイド孔が嵌合されるようにして順次積重ねた後、加熱加圧することにより積層一体化して前記支持基板用領域の中央部に前記第2の長さおよび前記第3の幅で前記第1および第2の分離フィルムが重なった分離用領域および該分離用領域の外側に前記第1および第2の分離フィルムのいずれか一方のみが前記第1および第2のプリプレグの硬化物に接合した接合領域を有する支持基板用の積層体を形成する工程と、前記支持基板用の積層体から前記捨て代領域に対応する領域を切断除去することにより、中央部に前記分離用領域およびその外側に接合領域が残存した支持基板を形成する工程と、前記支持基板の両面に金属層と絶縁樹脂層とを交互に積層して配線基板用の積層体を形成する工程と、前記支持基板および前記配線基板用の積層体から前記接合領域に対応する領域を切断除去した後、前記分離用領域における前記第1および第2の分離フィルム間で前記第1のプレプレグの硬化物およびその上の配線基板用の積層体と前記第2のプリプレグの硬化物およびその上の配線基板用の積層体とを分離する工程と、前記第1のプリプレグの硬化物上および第2のプリプレグの硬化物上から前記配線基板用の積層体を分離する工程とを含むことを特徴とするものである。 The method for manufacturing a wiring board according to the present invention has a rectangular support substrate region set with a first width and a first length at the center, and a rectangular frame-shaped discard outside the support substrate region. First and second prepregs having a proximate region, a first separation film having a second width wider than the first width and a second length shorter than the first length, and the first Providing a second separation film having a third width that is narrower than the width and a third length that is longer than the first length; and the support in the discard margin region in the first and second prepregs At least a pair of first guide holes located opposite to each other in the width direction across the substrate region and at least a pair of second guide holes located opposite to each other in the length direction across the support substrate region. And forming the first separation frame At least a pair of third guide holes corresponding to the first guide holes at both ends in the width direction of the rum and at least corresponding to the second guide holes at both ends in the length direction of the second separation film A step of forming a pair of fourth guide holes; a second guide pin at a position corresponding to the first and third guide holes; and a second position at a position corresponding to the second and fourth guide holes. The first prepreg, the first separation film, the second separation film, and the second prepreg are placed on the laminating jig having a guide pin, and the first and third guides are placed on the first guide pin. After the holes are fitted and the second guide pins are sequentially fitted so that the second and fourth guide holes are fitted, they are stacked and integrated by heating and pressing to form the support substrate region. in The separation region in which the first and second separation films overlap with each other at the second length and the third width, and either the first or second separation film outside the separation region A step of forming a laminate for a support substrate having a joining region in which only one is joined to the cured product of the first and second prepregs, and a region corresponding to the discard margin region from the laminate for the support substrate. By cutting and removing, the step of forming the separation substrate in the central portion and the support substrate with the bonding region remaining outside thereof, and the metal layer and the insulating resin layer are alternately laminated on both sides of the support substrate for wiring A step of forming a laminate for a substrate, and a region corresponding to the joining region is cut and removed from the support substrate and the laminate for a wiring substrate, and then the first and second separation films in the separation region while Separating the cured product of the first prepreg and the laminate for the wiring substrate thereon from the cured product of the second prepreg and the laminate for the wiring substrate thereon, and the first prepreg. Separating the laminate for the wiring board from the cured product and the cured product of the second prepreg.
本発明の配線基板の製造方法によれば、支持基板を形成するための第1および第2のプリプレグと第1および第2の分離フィルムとにガイド孔を設けるとともに、そのガイド孔を積層治具のガイドピンに嵌合させて位置決めするので、第1および第2のプリプレグと第1および第2の分離フィルムとが正確に位置決めされる。したがって、両主面に配線基板用の積層体が形成された支持基板およびその上の配線基板用の積層体を支持基板内に配置した分離フィルム同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。しかも第1の分離フィルムはその長さが支持基板用領域の長さより短く、第2の分離フィルムはその幅が支持基板用領域の幅よりも狭く設定されているので、支持基板はその中央部に第1および第2の分離フィルムが重なった分離用領域および該分離用領域の外側に第1および第2の分離フィルムのいずれか一方のみが第1および第2のプリプレグの硬化物に接合した接合領域を有するように形成される。そのため支持基板の両主面に配線基板用の積層体を形成した後、接合領域に対応する領域を切断除去するまでは第1および第2の分離フィルム間で分離が起こることはない。 According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, guide holes are provided in the first and second prepregs and the first and second separation films for forming the support substrate, and the guide holes are formed in the stacking jig. Thus, the first and second prepregs and the first and second separation films are accurately positioned. Therefore, the support substrate having the laminate for the wiring substrate formed on both main surfaces and the laminate for the wiring substrate on the support substrate can be satisfactorily separated between the separation films arranged in the support substrate. And a high-density wiring board can be efficiently manufactured. Moreover, the length of the first separation film is shorter than the length of the region for the support substrate, and the width of the second separation film is set to be narrower than the width of the region for the support substrate. The separation region where the first and second separation films overlap each other, and only one of the first and second separation films outside the separation region is bonded to the cured product of the first and second prepregs. It is formed so as to have a bonding region. For this reason, separation between the first and second separation films does not occur until a region corresponding to the bonding region is cut and removed after the wiring substrate laminate is formed on both main surfaces of the support substrate.
以下、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について、図1〜図12を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
まず、図1に示すように、支持基板10となる第1のプリプレグ1aおよび第2のプリプレグ1bと、その間に挟持される第1の分離フィルム2aおよび第2の分離フィルム2bと、支持基板10の上下主面に固着される第1の支持フィルム付き金属箔3aおよび第2の支持フィルム付き金属箔3bならびに第1の金属枠4aおよび第2の金属枠4bとを準備する。
First, as shown in FIG. 1, the first prepreg 1a and the
プリプレグ1a,1bは、後述する配線基板用の積層体20を製造する際に該積層体20を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板10を形成するためのものであり、通常、厚み0.2〜2.0mm程度、1辺の長さ400〜1000mm程度の略四角形の平板で構成されている。そして、その中央部に第1の幅W1および第1の長さL1で設定された方形状の支持基板用領域Aを有するとともに、その外側に方形枠状の捨て代領域Bを有している。プリプレグ1a,1bとしては、例えばガラス繊維等の耐熱性繊維から成る織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態のシート状としたもの等が挙げられる。
The
分離フィルム2a,2bは、支持基板10の両主面上に配線基板用の積層体20を形成した後、支持基板10を分離フィルム2a,2bを境界にして一方の主面側と他方の主面側とに容易に分離させるための境界層として機能するものであり、第1の分離フィルム2aは前記第1の幅W1よりも広い第2の幅W2を有しているとともに前記第1の長さL1よりも短い第2の長さL2を有している。また第2の分離フィルム2bは前記第1の幅W1よりも狭い第3の幅W3を有しているとともに前記第1の長さL1よりも長い第3の長さL3を有している。分離フィルム2a,2bは、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。分離フィルム2a,2bの厚さとしては、例えば1〜35μm程度であるのが好ましい。
The
支持フィルム付き金属箔3a,3bは、例えば幅が前記第3の幅W3と同等で、長さが前記第2の長さL2と同等であり、支持フィルム5上に金属箔11が粘着層(不図示)を介して保持されたものである。支持フィルム5は、厚みが10〜100μm程度であり、金属箔11に破れや皺が発生するのを有効に防止するとともに、金属箔11の取扱いを容易とするためのものである。支持フィルム5としては、例えばポリエステル樹脂等の耐熱性樹脂から成るのが好ましい。具体例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等が挙げられる。
For example, the
金属箔11は、配線基板の製造における起点となる導体層を提供するためのものである。金属箔11としては、例えば銅(銅箔)等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔11の厚みとしては、例えば1〜35μm程度が挙げられる。これにより、該金属箔11をエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔11は、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として好適に利用することができる。これに対し、金属箔11の厚みが1μmより薄いと、金属箔11の強度が低下し、この金属箔11上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがあり、35μmより厚いと、必要以上に厚くなりすぎるとともに、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。
The
前記粘着層としては、配線基板の製造中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコーン樹脂系、アクリル樹脂系、ポリオルガノシロキサン樹脂系等の耐熱性粘着材から成るのが好ましい。また、前記粘着剤層は、後述する配線基板用の積層体20を破損することなく支持フィルム5から分離する上で、厚みが0.01〜1.0μm程度であり、粘着力が1〜10N/m程度であるのが好ましい。
The pressure-sensitive adhesive layer is preferably made of a heat-resistant pressure-sensitive adhesive material such as a silicone resin-based resin, an acrylic resin-based resin, or a polyorganosiloxane resin-based material in order to withstand the heat load applied during the production of the wiring board. The pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of about 0.01 to 1.0 μm and an adhesive strength of 1 to 10 N in order to separate from the
金属枠4a,4bは、後述する配線基板用の積層体20を製造する際に、めっき用の電荷供給電極として使用するためのものであり、外周の大きさが前記プリプレグ1a,1bと同等であり、内周の大きさが支持フィルム付き金属箔3a,3bよりも若干大きな大きさである。また、厚みが12〜35μm程度である。金属枠4a,4bとしては、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
The metal frames 4a and 4b are for use as a charge supply electrode for plating when manufacturing a
なお、本発明においては、プリプレグ1a,1bの捨て代領域Bに支持基板用領域Aを挟んで幅方向に対向する少なくとも一対の第1のガイド孔H1を形成するとともに支持基板用領域Aを挟んで長さ方向に対向する少なくとも一対の第2のガイド孔H2を形成する。また、第1の分離フィルム2aには、その幅方向の両端部に第1のガイド孔H1に対応する第3のガイド孔H3を形成し、他方、第2の分離フィルム2bにはその長さ方向の両端部に第2のガイド孔H2に対応する第4のガイド孔H4を形成する。さらに、金属枠4a,4bにも第1のガイド孔H1に対応する第5のガイド孔H5および第2のガイド孔H2に対応する第6のガイド孔H6を形成する。なおこのようなガイド孔H1〜H6の形成は、ドリル加工やレーザ加工、エッチング加工等を用いることにより行なえばよい。
In the present invention, at least a pair of first guide holes H1 that are opposed to each other in the width direction with the support substrate region A interposed therebetween are formed in the discard margin region B of the
次に、図2に示すように、前記第1のガイド孔H1に対応する位置に第1のガイドピンP1を有するとともに前記第2のガイド孔H2に対応する位置に第2のガイドピンP2を有する積層治具40の上に、第1の金属枠4a,第1の支持フィルム付き金属箔3a,第1のプリプレグ1a,第1の分離フィルム2a,第2の分離フィルム2b,第2のプリプレグ1b,第2の支持フィルム付き金属箔3bおよび第2の金属枠4bを、前記第1のガイド孔H1,第3のガイド孔H3および第5のガイド孔H5が前記第1のガイドピンP1に嵌合されるとともに前記第2のガイド孔H2,第4のガイド孔H4および第6のガイド孔H6が前記第2のガイドピンP2に嵌合されるようにして積層し、この状態で上下から加圧しながら加熱する。
Next, as shown in FIG. 2, the first guide pin P1 is provided at a position corresponding to the first guide hole H1, and the second guide pin P2 is provided at a position corresponding to the second guide hole H2. The
このとき、第1の金属枠4a,第1のプリプレグ1a,第1の分離フィルム2a,第2の分離フィルム2b,第2のプリプレグ1b,および第2の金属枠4bは、これらに設けた第1のガイド孔H1〜第6のガイド孔H6が第1のガイドピンP1および第2のガイドピンP2の少なくとも一方に嵌合されて正確に位置決めされる。したがって、従来のように分離フィルム2a,2bがずれることはない。
At this time, the
そしてこのような加熱および加圧により、図3に示すように、第1のプリプレグ1a,第1の分離フィルム2a,第2の分離フィルム2b,第2のプリプレグ1bが一体化した支持基板用の積層体10Pが形成され、さらに積層体10Pの両主面に第1の金属枠4aおよび第1の支持フィルム付き金属箔3aならびに2の支持フィルム付き金属箔3bおよび第2の金属枠4bが埋設される。
And by such heating and pressurization, as shown in FIG. 3, for the support substrate in which the first prepreg 1a, the
なお支持基板用の積層体10Pにおいては、支持基板用領域Aの中央部に第1の分離フィルム2aと第2の分離フィルム2bとが第2の長さL2および第3の幅W3で互に重なりあった分離用領域Cが形成されるとともに、その外側に第1の分離フィルム2aおよび第2の分離フィルム2bのいずれか一方のみが第1のプリプレグ1aおよび第2のプリプレグ1bの硬化物に接合した接合領域Dが形成される。分離用領域Cにおいては、2枚の分離フィルム2a,2bは互に重なり合って密着しているものの、互に接着はされていない。また、接合領域Dにおいては、2枚の分離フィルム2aおよび2bは互に重なっておらず、どちらか一方のみが第1のプリプレグ1aの硬化物および第2のプリプレグ1bの硬化物の両方に挟持された状態で接合されており、この間で剥がれることはない。
In addition, in the
次に、両主面に金属枠4a,4bおよび支持フィルム付き金属箔3a,3bが埋設された積層体10Pから捨て代領域Bに対応する領域を切断除去することにより、図4に示すように、中央部に分離用領域Cおよびその外側に接合領域Dが残存した状態で両主面に金属枠4a,4bおよび支持フィルム付き金属箔3a,3bが埋設された支持基板10を形成する。このとき、分離用領域Cの外側では第1の分離フィルム2aおよび第2の分離フィルム2bのいずれか一方のみが第1のプリプレグ1aおよび第2のプリプレグ1bの硬化物に接合した接合領域Dが残存していることから、後述するように、支持基板10の両主面に配線基板用の積層体20を形成した後、接合領域Dに対応する領域を切断除去するまでは第1の分離フィルム2aおよび第2の分離フィルム2b間で分離が起こることはない。ここで、捨て代領域Bに対応する領域を切断除去するのは、捨て代領域Bにおいては、積層体10Pを形成する際の加圧および加熱により捨て代領域Bに樹脂のはみ出しや変形等が発生するので、その部分を除去して支持基板10の外周辺の形状を整えるとともに支持基板10を所定の寸法にして本発明による配線基板の製造を容易とするためである。
Next, as shown in FIG. 4, by cutting and removing a region corresponding to the disposal margin region B from the laminate 10P in which the
次に、図5に示すように、支持基板10の両主面に積層された金属箔11の表面および金属枠4a,4bの表面および露出する支持基板10の主面上に層間絶縁用の第1の絶縁層21を積層する。第1の絶縁層21は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。
Next, as shown in FIG. 5, an interlayer insulation layer is formed on the surface of the
このような第1の絶縁層21は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを、露出した金属箔11の表面、露出した金属枠4a,4bの表面、および露出した支持基板10の主面上に塗布した後に熱硬化させることによって形成される。また、これに限定されるものではなく、例えば前記混合物をフィルム状としたものやガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを、露出した金属箔11の表面、露出した金属枠4a,4bの表面、および露出した支持基板10の主面上に張着した後に熱硬化させることにより形成してもよい。
Such a first insulating
次に、第1の絶縁層21に、金属箔11の一部を露出させるビア用の開口部Vを形成する。開口部Vは、例えばレーザ加工により形成する。あるいは第1の樹脂層21用の混合物に感光性を持たせておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
Next, a via opening V for exposing a part of the
次に、図6に示すように、第1の絶縁層21の表面および開口部V内に配線導体用の第2の導体層12を所定のパターンに形成する。第2の導体層12は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成り、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。具体的には、まず、第1の絶縁層21の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を0.1〜2.0μm程度の厚みに被着させる。次に、前記無電解銅めっき膜の表面に第2の導体層12に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを前記無電解銅めっき膜上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記開口部を有するように形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する前記無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を5〜40μm程度の厚みに被着させる。このとき、金属枠4a,4bを電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として使用することができる。これにより、金属枠4a,4bと電解めっき装置の陰極とを電気的に確実に接続することができる。次に、めっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第2の導体層12を形成する。
Next, as shown in FIG. 6, the
このようにして第2の導体層12を形成した後、図7に示すように、第1の絶縁層21および第2の導体層12の上に層間絶縁用の第2〜第4の絶縁層22〜24と、配線導体用の第3〜第5の導体層13〜15とを順次交互に形成し、さらにその上にソルダーレジスト用の第5の絶縁層25を形成して配線基板用の積層体20を形成する。
After forming the
層間絶縁用の第2〜第4の絶縁層22〜24は、第1の絶縁層21と同様の電気絶縁材料から成り、第1の絶縁層21と同様の方法により形成することができる。また、配線導体用の第3〜第5の導体層13〜15は、第2の導体層12と同様の無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜から成り、第2の導体層12と同様のセミアディティブ法にて形成するのが好ましい。さらに、ソルダーレジスト用の第5の絶縁層25は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを40〜70質量%程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、第4の絶縁層24および第5の導体層15の上にスクリーン印刷やロールコート法等により10〜40μm程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。
The second to fourth insulating
次に、図8に示すように、支持基板10および配線基板用の積層体20から接合領域Dに対応する領域を切断除去した後、図9に示すように、支持基板10を分離フィルム2a,2bの間で分離する。このとき、第1および第2の分離フィルム2a,2bは前述したようにガイド孔H3,H4およびガイドピンP1,P2により正確に位置決めされているので、支持基板10の中央部に互いに重なりあった分離用領域Cがずれることなく正確に形成されているとともにその外側に接合領域Dがずれることなく正確に形成されているので接合領域Dに対応する領域を正確に切断除去することができる。したがって、接合領域Dを切断除去後に、両主面に配線基板用の積層体20が形成された支持基板10およびその上の配線基板用の積層体20を、支持基板10内に配置した分離フィルム2a,2b同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。なお、分離用領域Cにおける分離フィルム2a,2b同士は接着されていないので、その外側の接合領域Dを切断除去すると、両者は容易に分離される。前記切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシングやルーター装置等を用いて切断すればよい。
Next, as shown in FIG. 8, after cutting and removing the region corresponding to the bonding region D from the
次に、図10に示すように、切り出した積層体20を支持フィルム5から分離する。この分離の際には、支持フィルム5上に金属箔11が図示しない粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルム5と金属箔11の間を引き剥がすだけで積層体20を破損することなく、簡単に分離することができる。
Next, as shown in FIG. 10, the
次に、図11に示すように、金属箔(第1の導体層)11を所定のパターンにエッチングするエッチング工程を施して第1の絶縁層21の表面に配線導体(外部接続用のパッド)を形成する。金属箔11を所定のパターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔11の表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔11をエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔11上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記配線導体に対応する形状に形成され、金属箔11をエッチングした後に剥離する。
Next, as shown in FIG. 11, an etching process for etching the metal foil (first conductor layer) 11 into a predetermined pattern is performed to form a wiring conductor (pad for external connection) on the surface of the first insulating
最後に、図12に示すように、エッチングされた金属箔11および第1の絶縁層21の表面にソルダーレジスト用の第6の絶縁層26を形成して本実施形態にかかる配線基板30を得る。なお、ソルダーレジスト用の第6の絶縁層26は、第5の絶縁層25と同様の材料から成り、第5の絶縁層25と同様の方法によって形成される。かくして本発明の配線基板の製造方法によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることは言うまでもない。
Finally, as shown in FIG. 12, a sixth insulating
1a 第1のプリプレグ
1b 第2のプリプレグ
2a 第1の分離フィルム
2b 第2の分離フィルム
10 支持基板
10P 支持基板用の積層体
20 配線基板用の積層体
30 配線基板
40 積層治具
A 支持基板用領域
B 捨て代領域
C 分離用領域
D 接合領域
H1 第1のガイド孔
H2 第2のガイド孔
H3 第3のガイド孔
H4 第4のガイド孔
L1 第1の長さ
L2 第2の長さ
L3 第3の長さ
P1 第1のガイドピン
P2 第2のガイドピン
W1 第1の幅
W2 第2の幅
W3 第3の幅
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