JP6993791B2 - インプリント装置 - Google Patents

インプリント装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6993791B2
JP6993791B2 JP2017092562A JP2017092562A JP6993791B2 JP 6993791 B2 JP6993791 B2 JP 6993791B2 JP 2017092562 A JP2017092562 A JP 2017092562A JP 2017092562 A JP2017092562 A JP 2017092562A JP 6993791 B2 JP6993791 B2 JP 6993791B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
measuring means
substrate
measuring
imprint device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017092562A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018190842A (ja
Inventor
永 難波
祐一 ▲高▼橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2017092562A priority Critical patent/JP6993791B2/ja
Priority to US15/964,528 priority patent/US10578985B2/en
Priority to KR1020180051061A priority patent/KR102256949B1/ko
Publication of JP2018190842A publication Critical patent/JP2018190842A/ja
Priority to US16/748,378 priority patent/US10948836B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6993791B2 publication Critical patent/JP6993791B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

本発明は、インプリント装置に関する。
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されている。インプリント技術では、電子線描画装置等の装置を用いて微細パターンが形成された型を原版として、シリコンウエハやガラスプレート等の基板上に微細パターンが形成される。この微細パターンは、基板上にインプリント樹脂を付与し、その樹脂を介して基板に型のパターンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。
従来のインプリント技術としては、熱サイクル法および光硬化法がある。熱サイクル法では、熱可塑性のインプリント樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付ける。そして、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。また、光硬化法では、紫外線硬化型のインプリント樹脂を使用し、樹脂を介して基板に型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させる。そして、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大および温度変化による寸法精度の低下を伴う。これに対し、光硬化法には、そのような問題が存在しない。そのため、光硬化法がナノスケールの半導体デバイスの量産において有利である。
半導体デバイス等の量産向け装置を前提とした場合、例えば、樹脂の付与とパターンの転写を、基板上のパターン転写領域ごとに繰り返すインプリント装置では、所望の位置に樹脂を付与しパターンの転写を行うことが要求される。特にインクジェット方式により樹脂を基板に付与する場合、樹脂を付与する個々のノズルの特性が経時変化により変動し、樹脂を基板上に付与する位置がずれてしまう。基板上に付与する樹脂のずれを検知するために、基板上に付与された樹脂の計測結果を元に樹脂の着弾位置ずれ量を測定し、樹脂の着弾位置ずれ量を補正する方法が開示されている。
特開２０１１－２２２７０５号公報
基板上に付与した樹脂の計測結果に基づいて樹脂の着弾位置ずれを補正する場合、ある決められた時間間隔ごとに計測用基板を基板ステージ上に設置して着弾位置ずれを計測する必要がある。そのため、計測と計測の間に起こったノズル特性の変動を検知することができず、次の計測までの間は樹脂がずれた位置に付与されたまま押印されてしまう。リアルタイム性を上げるためには計測間隔を短くすることが考えられるが、この場合は計測回数が増えるため生産性が低下する。
上記課題を解決するために本願発明は以下の構成を有する。すなわち、インプリント装置であって、基板に向けて樹脂を吐出する吐出手段と、前記吐出手段に対して前記樹脂を吐出させるための信号を出力してから、吐出された前記樹脂が、前記吐出手段から前記樹脂の吐出方向に離れた所定の位置を通過するまでの時間を計測する第一の計測手段と、前記吐出手段により吐出され、前記基板上に着弾した前記樹脂の液滴の着弾位置を計測する第二の計測手段と、前記第一の計測手段および前記第二の計測手段による計測を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記第一の計測手段により計測された時間が所定の閾値を超えた場合、前記第二の計測手段により計測を行うように制御することを特徴とする。
本願発明により、スループットの低下を抑制しつつ、樹脂の付与位置計測のリアルタイム性を向上させることができ、基板上の所望の領域に高精度に樹脂を付与することが可能となる。
本発明に係るインプリント装置の概略図。 本発明に係るインプリント装置における動作のフローチャート。 第一の液滴計測手段の概略図。 樹脂の付与位置ずれに関する説明図。 第一の液滴計測手段による液滴計測のフローチャート。 第一の液滴計測手段での液滴通過タイミングを説明するための図。 第二の液滴計測手段、及び、液滴付与位置補正方法に関する説明図。
図１は、本発明のインプリント装置の一実施形態を説明する概略構成図である。図１において、定盤１上にはリニアモータ等から構成されるステージ駆動手段３を介して基板ステージ４が設けられている。基板ステージ４は、基板５を保持し、移動可能に構成されている。ステージ駆動手段３は、基板ステージ４を定盤１の上面に平行なＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させる。基板ステージ４は、干渉計等の不図示の手段によって検知された位置情報をステージ駆動手段３にフィードバックすることによって、定盤１に対する十分な位置精度が保たれている。
定盤１上には、フレーム２が設けられており、フレーム２に、インプリントモジュール（ＩＭ）駆動手段８を介してインプリントモジュール７が取り付けられている。インプリントモジュール７は、基板５に対向して型（モールド）６を保持しており、内部に紫外線照射手段（不図示）を有している。型６は、紫外線を透過する材料から構成され、基板５に対向する面に、凹凸のパターンが形成されている。ＩＭ駆動手段８は、基板５の表面に垂直な方向（図示のＺ軸方向）にインプリントモジュール７を上下させ、基板５上に付与された樹脂（インプリント材）に型６を押し付けたり、型６を基板５から離したりする動作を行う。
また、フレーム２には、ディスペンサコントローラ（ＤＣ）１０を介して、樹脂の吐出手段であるディスペンサ９が基板５に対向するように保持されている。ディスペンサ９は、Ｘ軸方向に並んだ複数のノズル（不図示）を備え、それぞれのノズルから基板５上に光硬化性樹脂を滴下するように構成されている。樹脂の滴下は、ＤＣ１０によって制御される。また、基板ステージ４をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させることにより、基板５の任意の位置に樹脂を付与することができる。ディスペンサ９はディスペンサステージ１３により、Ｙ軸方向において、基板５に光硬化性樹脂を滴下する位置と、光硬化性樹脂を詰めたタンクを交換するために基板ステージ４の対向位置から退避するための退避位置に移動することができる。退避位置には、ディスペンサ９の樹脂の吐出状態をチェックするための第一の液滴計測手段２０が設置されている。
更に、フレーム２には、基板５に対向するようにアライメントスコープ（ＡＳ）１１が固定されている。ＡＳ１１は、基板５に設けられたアライメントマーク（不図示）を検出し、この検出結果を基に基板５と型６との位置合せを行う。また、ＡＳ１１は、基板５上若しくは基板ステージ４上に滴下した樹脂を撮像し位置を検出する、第二の液滴計測手段でもある。
以上説明したステージ駆動手段３、インプリントモジュール７、ＩＭ駆動手段８、ＤＣ１０、ＡＳ１１、ディスペンサステージ１３、及び第一の液滴計測手段２０は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１２によって制御され、一連のインプリント動作を行う。ＣＰＵ１２は、メモリ等の記憶手段（不図示）に記憶されたプロクラムや各種データを用いて、本実施形態に係るインプリント動作を制御する。
本実施形態の概略について説明する。ディスペンサ９から樹脂を基板５に付与する場合、個々のノズルの特性が経時変化により変動することで樹脂の吐出速度が変わり、基板５上の所望の位置に樹脂を付与することができなくなる。ここでの樹脂の吐出速度とは、ＣＰＵ１２が樹脂を吐出するためのトリガ信号を出力してから、樹脂がノズルから吐出され、基板上に着弾するまでの時間に影響する。従って、ノズルの特性が変動することにより吐出速度が遅くなった場合には、この時間が長くなってしまう。そこで、本実施形態では、まず、精度は粗いが基板５の交換時に短時間で計測が可能な第一の液滴計測手段２０で液滴の速度（トリガ信号を出力してから液滴が所定の位置を通過するまでの時間）の計測を行う。
そして、液滴の速度がある閾値を超えた場合、基板５に付与した樹脂を画像により撮影して液滴位置を計測するＡＳ１１（第二の液滴計測手段）を用いて、実際の樹脂の付与位置のずれ量を精度よく計測する。次に、ＡＳ１１での計測結果を用いて、樹脂の付与位置のずれを補正する。ＡＳ１１のみで基板５の処理前に必ずノズルの経時変化の影響を計測しようとすると、この計測は計測用の基板５を基板ステージ４に設置する必要があり時間がかかる。そのため、スループットが大幅に低下する。つまり、第一の液滴計測手段２０による計測時間に比べて、第二の液滴計測手段（ＡＳ１１）による計測時間は長くなる。本実施形態では、第一の液滴計測手段２０の計測結果に基づいて、第二の液滴計測手段（ＡＳ１１）による計測を行う構成を備える。これにより、スループットの低下を抑制しつつ、基板５の交換時ごとにノズル経時変化の影響を計測することができ、効率的に、欠陥の少ない半導体デバイスを生産することができる。なお、第一の液滴計測手段と第二の液滴計測手段とを切り替える際に用いる閾値については、予め定義されているものとし、詳細については後述する。
［動作フロー］
図２のフローチャートを用いて、本実施形態に係るインプリント装置における動作の詳細な説明を行う。上述したように、動作フローは、ＣＰＵ１２が、メモリ等の記憶手段（不図示）に記憶されたプロクラムや各種データを用いて制御される。
Ｓ１１００にて、インプリント装置は、第一の液滴計測手段２０による樹脂の吐出速度の計測を行う。この動作は新規の基板５が基板ステージ４上に設置されるごとに行う。
図３は、Ｓ１１００における計測を行う際の、ディスペンサ９が第一の液滴計測手段２０の近傍に位置する状態を示す。つまり、ディスペンサ９は、退避位置に移動している状態である。第一の液滴計測手段２０は、ディスペンサ９の吐出面近傍に吐出面と略平行に光源２１からレーザーＬを発射し、フォトディテクタ２２でレーザーＬを検出する。図３において、点線は、光源２１から照射されたレーザーＬを示す。また、ディスペンサ９から吐出された樹脂を受けるための容器２３が吐出面と対向するように配置されている。
レーザーＬ中を吐出された樹脂が通過した際にレーザーＬが遮られることで影ができる。この光量変化をフォトディテクタ２２で検出することにより、樹脂がレーザーＬ中を通過したことを検出し、液滴の吐出状態を検出する。樹脂がレーザーＬ中を通過しない場合は不吐と判断し、ディスペンサ９の回復動作を行う。このとき、吐出はしているが、トリガ信号を出力してから、所定の時間以内に、樹脂がレーザーＬ中を通過しなかった場合には、不吐として扱ってもよい。回復動作については、特に限定するものでは無いが、例えば、所定量の樹脂の予備吐出を行わせたり、吸引動作を行わせたりする。
ディスペンサ９がピエゾインクジェット方式の場合、ピエゾは経時変化があるため樹脂の吐出速度が時間とともに変化する。その結果、樹脂が基板５上に付与される位置がずれてしまう。
ここで、樹脂の吐出速度が遅くなった場合の樹脂の付与位置のずれを、図４を用いて説明する。図４に示すＸＹＺ軸は、図１に示したものに対応しているものとする。樹脂を格子状に配置する場合、吐出が正常なときは図４（ａ）に示すように基板に対して樹脂が付与される。基板ステージが－Ｘ方向に移動している場合、ｎ４ノズルにおける吐出速度が低下すると、着弾するタイミングが遅くなるため、基板上の樹脂が付与される位置（着弾位置）は＋Ｘ側にずれる（図４（ｂ））。この樹脂の付与位置のずれは樹脂厚さの均一性の悪化につながり、結果としてパターンの欠陥を引き起こす。そのため、このピエゾの経時変化による樹脂の吐出速度変化を精度良く検出し、樹脂の付与位置のずれを補正する必要がある。
本来、第一の液滴計測手段は、異常吐出の検知のために配置されている。しかし、樹脂を発射するためにディスペンサ９のピエゾに電圧を加えるためのトリガ信号から液滴がレーザーＬ中を通過するまでの時間Ｔ３を得ることができる。時間Ｔ３を求める手順に関しては後述する。なお、図４では、ディスペンサ９が備える複数のノズル（ｎ１～ｎｎ）のうち、１つのみにずれが生じた例を示したが、ずれが２以上のノズルで同時に生じる場合もあり、また、このときの各ノズルにおけるずれ量は、一定とは限らない。
Ｓ１２００にて、インプリント装置は、各ノズルにおいて、Ｓ１１００で得られた時間Ｔ３が、ある閾値を超えたか否かの判定を行う。ここでは、上述したように、時間Ｔ３は、トリガ信号から液滴がレーザーＬ中を通過するまでの時間を示す。Ｔ３がある閾値を超えたノズルがある場合（Ｓ１２００にてＹＥＳ）、Ｓ１３００へ進む。Ｔ３が閾値を超えたノズルがない場合（Ｓ１２００にてＮＯ）、樹脂を付与する位置の補正を行う必要が無いため、Ｓ１５００へ進む。ここでは、複数のノズルのうち、１つでもＴ３が閾値を超えていた場合には、Ｓ１３００の処理を行うものとする。
Ｓ１３００にて、インプリント装置は、基板５上に付与された樹脂の詳細な位置を求めるため第二の液滴計測手段（ＡＳ１１）による液滴計測を行う。ここでは、基板５上に付与された樹脂を撮像し、樹脂位置を計測する。第二の液滴計測手段による液滴計測方法の詳細に関しては、図７（ａ）を用いて後述する。
Ｓ１４００にて、インプリント装置は、Ｓ１３００で得られたノズルごとの樹脂の付与位置のずれ量ΔＸに基づいて、吐出タイミングをずらすことにより、樹脂の付与位置の補正を行う。樹脂の付与位置の補正方法に関しては、図７（ｂ）を用いて後述する。
Ｓ１５００にて、インプリント装置は、転写前工程を行う。ここでは、洗浄装置等の前処理装置（不図示）から処理済みの基板５を搬出し、搬送手段（不図示）により、基板ステージ４上に基板５（半導体ウェハ）を搬送する。基板５を基板ステージ４上に担持した後、ＡＳ１１により基板５（半導体ウェハ）上のアライメントマーク（不図示）を検出し、型６と半導体ウェハとの間の位置合せ処理を行う。位置合せ処理については、例えば、特開２００８－１００５０７号公報や特開２００７－２８１０７２号公報に記される周知の方法を用いることにより、高精度に行う事ができる。
Ｓ１６００にて、インプリント装置は、吐出タイミングの補正値を用いて、ディスペンサ９から樹脂の液滴を滴下し、所望の領域に樹脂を付与する。吐出タイミングの補正値については、図７を用いて後述する。
Ｓ１７００にて、インプリント装置は、ＩＭ駆動手段８を制御し、インプリントモジュール７をＺ軸に沿って下方向に移動させ、型６を基板５（半導体ウェハ）の樹脂が付与されたショット領域Ｓに押し当る（押印）。
Ｓ１８００にて、インプリント装置は、型６を更に押し下げ、型６の表面に形成された凹凸のパターンの細部にまで樹脂が行き渡るように、充填処理を行う。
Ｓ１９００にて、インプリント装置は、インプリントモジュール７に内蔵された紫外線照射手段（不図示）を用いて、型６を通して樹脂に紫外線を照射する。この紫外線の照射によって、型６に充填された樹脂が硬化する。その後、インプリント装置は、ＩＭ駆動手段８を制御し、インプリントモジュール７をＺ軸に沿って上方向に移動させ、型６を半導体ウェハ（基板５）から引き離す（離型）。
Ｓ２０００にて、インプリント装置は、先の転写処理が最終ショットであるか否か、つまり、基板５（半導体ウェハ）の全てのショット領域Ｓに転写処理が行われたか否かを判定する。全てのショット領域Ｓへのパターン転写が終了したと判定した場合には（Ｓ２０００にてＹＥＳ）、本処理フローを終了する。全てのショット領域Ｓへのパターン転写が終了していないと判定した場合には（Ｓ２０００にてＮＯ）、Ｓ１６００へ戻り、処理を繰り返す。
図２のＳ１１００の詳細について、図５を用いて説明を行う。
Ｓ１１０１にて、インプリント装置は、ディスペンサ９が備える複数のノズルに対し、１つずつ計測するために、１の未測定ノズルの選択を行う。
Ｓ１１０２にて、インプリント装置は、Ｓ１１０１で選択したノズルから樹脂を吐出するために、ＣＰＵ１２によりトリガ信号をＤＣ１０に送る。
Ｓ１１０３にて、インプリント装置は、トリガ信号を受け取ったＤＣ１０が選択されたノズルに対してピエゾを駆動させるための駆動電圧を与えて樹脂を吐出する。図６は、駆動電圧の一例を示す。駆動電圧は、一度電圧を下げて液をノズル内に引き込み、液面が戻るときに同時にピエゾの電圧を大きくして、液面が戻るときの勢いを利用して液を押し出して、樹脂を吐出する。
Ｓ１１０４にて、インプリント装置は、吐出した樹脂がレーザーＬ中を通過し、フォトディテクタ２２が液滴を検知する。上述したように、樹脂がレーザーＬ中を通過する際にレーザーＬが遮られるため、図６のＰＤ出力に示すように液滴が通過する際にフォトディテクタ２２の出力が低下する。これを検出することにより、フォトディテクタ２２は液滴を検知することができる。
Ｓ１１０５にて、インプリント装置は、トリガ信号から液滴通過までの時間ｔ３の算出を行う。図６に示すように、トリガ信号が入るタイミング６０１から、液滴がレーザーＬを通過するまでのタイミング６０３までの時間ｔ３を算出する。時間ｔ３は、トリガ信号が入るタイミング６０１から起動信号が入力されるタイミング６０２までの時間ｔ１と、タイミング６０２からタイミング６０３までの時間ｔ２の和となる。
Ｓ１１０６にて、インプリント装置は、同じノズルに対して所定の回数（Ｎ回とする）の測定を行ったか否かを判定する。行った場合は（Ｓ１１０６にてＹＥＳ）Ｓ１１０７へ進み、行っていない場合は（Ｓ１１０６にてＮＯ）Ｓ１１０２へ進む。なお、所定の回数Ｎは、特に限定するものではなく、検知時間および処理の精度に応じて１または複数回の計測を行うものとして規定してよい。
Ｓ１１０７にて、インプリント装置は、Ｎ回測定したｔ３の結果の平均値Ｔ３を算出する。
Ｓ１１０８にて、インプリント装置は、ディスペンサ９が備える複数のノズルすべてに対して計測が完了したか否かを判定する。完了した場合は（Ｓ１１０８にてＹＥＳ）本処理フローを終了する。完了していない場合は（Ｓ１１０８にてＮＯ）Ｓ１１０１へ戻り、未計測のノズルに対して順次計測を行う。
以上で説明した方法により、トリガ信号から液滴がレーザーＬ中を通過するまでの時間Ｔ３を求めて、第一の液滴計測手段２０での計測が完了する。
次に、図２のＳ１３００の詳細について、図７（ａ）を用いて説明を行う。
Ｓ１３０１にて、インプリント装置は、ＡＳ１１（第二の液滴計測手段）により基板５上に付与された樹脂を計測する。ここでは、計測用の基板５を搬入し、基板ステージ４上に設置を行っているものとする。
Ｓ１３０２にて、インプリント装置は、基板５上に樹脂の付与を行う。この樹脂の付与は、ＣＰＵ１２によってＤＣ１０を制御することによって行う。
Ｓ１３０３にて、インプリント装置は、ＣＰＵ１２によりステージ駆動手段３を制御し、校正のために樹脂の液滴が付与された領域が、ＡＳ１１の真下に位置するよう、基板ステージ４を移動させる。そして、インプリント装置は、付与された樹脂が存在する領域をＡＳ１１により撮像する事により、樹脂位置を検出（計測）させる。
Ｓ１３０４にて、インプリント装置は、ＡＳ１１による検出結果に基づき、樹脂の付与位置の基準位置からのずれ量ΔＸを算出する。ΔＸの算出方法を、図４を用いて説明する。ここではｎ４ノズルを例に示す。ｎ４ノズルは経時変化で樹脂の吐出速度が遅くなり、基板５に到着する時間が遅くなるため、図４（ｂ）のように、基板ステージ４の移動方向とは逆の－ｘ方向に樹脂がずれる。基準位置を同時に吐出した樹脂一列のｘ方向の平均とすると、基準位置は、図４中の点線で表される。基準位置に対してｎ４ノズルはΔＸだけずれて樹脂を付与している。同様にして他のノズルに対してもΔＸを求めることができる。そして、本処理フローを終了する。
次に、図２のＳ１４００の詳細について、図７（ｂ）を用いて説明を行う。
Ｓ１４０１にて、インプリント装置は、ＣＰＵ１２により図７（ａ）のＳ１３０４で算出されたずれ量ΔＸを補正値としてメモリ（不図示）に記憶する。更に、ＣＰＵ１２は、Ｓ１３０４で算出された樹脂の付与位置ずれ量でΔＸを基板ステージ４の移動速度ｐ［ｍ／ｓ］で割ることで樹脂の吐出タイミングの補正量Δｔをノズル毎に算出する。例えば、Δｘが５ｕｍであり基板ステージ４の移動速度が１ｍ／ｓの場合、樹脂の吐出タイミングの補正量は５ｕｓとなる。
Ｓ１４０２にて、インプリント装置は、ＣＰＵ１２によりノズル毎に算出された吐出タイミングの補正量Δｔをメモリ（不図示）に記憶する。更に、ＣＰＵ１２は、Ｓ１６００で基板５上に樹脂を付与する際に、記憶した補正値を反映させた波形を用いる。そして、本処理フローを終了する。
上記の方法によりインプリントを行うことで、スループットの低下を抑制しつつ、基板５の処理前に必ずノズル経時変化の影響を計測することができる。その結果、効率的に、欠陥の少ない半導体デバイスを生産することができる。
＜その他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピューターにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
１…定盤、２…フレーム、３…ステージ駆動手段、４…基板ステージ、５…基板、７…インプリントモジュール、８…インプリントモジュール駆動手段、９…ディスペンサ、１０…ディスペンサコントローラ、１１…アライメントスコープ（第二の液滴計測手段）、１２…ＣＰＵ、１３…ディスペンサステージ、２０…第一の液滴計測手段、

Claims (12)

  1. 基板に向けて樹脂を吐出する吐出手段と、
    前記吐出手段に対して前記樹脂を吐出させるための信号を出力してから、吐出された前記樹脂が、前記吐出手段から前記樹脂の吐出方向に離れた所定の位置を通過するまでの時間を計測する第一の計測手段と、
    前記吐出手段により吐出され、前記基板上に着弾した前記樹脂の液滴の着弾位置を計測する第二の計測手段と、
    前記第一の計測手段および前記第二の計測手段による計測を制御する制御手段と、を有し、
    前記制御手段は、前記第一の計測手段により計測された時間が所定の閾値を超えた場合、前記第二の計測手段により計測を行うように制御することを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記吐出手段は、複数のノズルを備え、
    前記第一の計測手段は、前記複数のノズルそれぞれに対し計測を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  3. 前記制御手段は、少なくとも１つのノズルに対する前記第一の計測手段により計測された時間が前記所定の閾値を超えた場合、前記第二の計測手段により計測を行うように制御することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
  4. 前記第一の計測手段は、１のノズルに対し、複数回の測定を行い、
    前記制御手段は、前記複数回の計測の平均を当該１のノズルの計測結果として用いることを特徴とする請求項２または３に記載のインプリント装置。
  5. 前記制御手段は、ノズルに関し前記第一の計測手段により前記樹脂を検出できなかった場合、当該ノズルは不吐であると判定することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  6. 前記第二の計測手段による計測結果に基づいて、前記吐出手段による樹脂の吐出タイミングを補正するための補正量を算出する算出手段と、
    前記算出手段にて算出された補正量に基づいて、前記吐出手段による吐出タイミングを補正する補正手段と、
    を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  7. 前記制御手段は、前記第一の計測手段による計測を、基板の交換ごとに行わせることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  8. 前記第一の計測手段による計測時間は、第二の計測手段による計測時間よりも短いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  9. 基板に向けて樹脂を吐出する吐出手段と、
    前記吐出手段に対して前記樹脂を吐出させるための信号を出力してから、吐出された前記樹脂が、前記吐出手段の下方における当該樹脂を検出するための位置を通過するまでの時間を計測する第一の計測手段と、
    前記吐出手段により吐出され、前記基板上に着弾した前記樹脂の液滴の着弾位置を計測する第二の計測手段と、
    前記第一の計測手段および前記第二の計測手段による計測を制御する制御手段と、を備え、型の表面のパターンを前記基板上の樹脂に転写するインプリント装置であって、
    前記制御手段は、前記第一の計測手段により前記吐出手段から吐出された前記樹脂の吐出状態に異常があると判定した場合に前記第二の計測手段による計測を行い、異常がないと判定した場合に前記第二の計測手段による計測を行わないことを特徴とするインプリント装置。
  10. 前記第二の計測手段は、前記基板に付着する前記樹脂の液滴の着弾位置の計測の精度が
    前記第一の計測手段より良いことを特徴とする請求項１ないし９の何れか１項に記載のインプリント装置。
  11. 前記第一の計測手段は、レーザーを発射する光源と、レーザーを検出するフォトディテクタを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
  12. 前記第二の計測手段は、前記基板のアライメントマークを検出するアライメントスコープであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
JP2017092562A 2017-05-08 2017-05-08 インプリント装置 Active JP6993791B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017092562A JP6993791B2 (ja) 2017-05-08 2017-05-08 インプリント装置
US15/964,528 US10578985B2 (en) 2017-05-08 2018-04-27 Imprint apparatus and method of controlling the same comprising a liquid position second measurement based on the timing measurement result by a first measurement
KR1020180051061A KR102256949B1 (ko) 2017-05-08 2018-05-03 임프린트 장치 및 그 제어 방법
US16/748,378 US10948836B2 (en) 2017-05-08 2020-01-21 Liquid dispensing apparatus measuring condition of liquid and method of controlling the same, and imprint apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017092562A JP6993791B2 (ja) 2017-05-08 2017-05-08 インプリント装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018190842A JP2018190842A (ja) 2018-11-29
JP6993791B2 true JP6993791B2 (ja) 2022-01-14

Family

ID=64013787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017092562A Active JP6993791B2 (ja) 2017-05-08 2017-05-08 インプリント装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10578985B2 (ja)
JP (1) JP6993791B2 (ja)
KR (1) KR102256949B1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7379031B2 (ja) * 2019-09-11 2023-11-14 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント装置の制御方法
JP7467176B2 (ja) * 2020-03-16 2024-04-15 日本発條株式会社 接着剤の塗布方法および塗布装置
JP7515293B2 (ja) * 2020-04-30 2024-07-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品製造方法
KR102619966B1 (ko) * 2021-05-18 2024-01-03 세메스 주식회사 기판 처리 제어 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독가능 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002225250A (ja) 2001-02-01 2002-08-14 Seiko Epson Corp インクジェット式記録装置
JP2003326705A (ja) 2002-05-10 2003-11-19 Konica Minolta Holdings Inc インクジェット記録装置
JP2010140923A (ja) 2008-12-09 2010-06-24 Seiko Epson Corp 機能液滴吐出ヘッドの吐出検査方法および吐出検査装置
JP2012212833A (ja) 2011-03-31 2012-11-01 Fujifilm Corp シミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体、並びに、それらを利用した液滴配置パターンの作成方法、ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置。

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4185941B2 (ja) 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP4926881B2 (ja) 2006-09-22 2012-05-09 キヤノン株式会社 インプリント装置およびアライメント方法
JP2011222705A (ja) 2010-04-08 2011-11-04 Canon Inc インプリント装置およびインプリント基板の製造方法
JP6300459B2 (ja) * 2013-07-12 2018-03-28 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP6429573B2 (ja) * 2014-10-03 2018-11-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP6960239B2 (ja) 2017-05-08 2021-11-05 キヤノン株式会社 インプリント装置およびその制御方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002225250A (ja) 2001-02-01 2002-08-14 Seiko Epson Corp インクジェット式記録装置
JP2003326705A (ja) 2002-05-10 2003-11-19 Konica Minolta Holdings Inc インクジェット記録装置
JP2010140923A (ja) 2008-12-09 2010-06-24 Seiko Epson Corp 機能液滴吐出ヘッドの吐出検査方法および吐出検査装置
JP2012212833A (ja) 2011-03-31 2012-11-01 Fujifilm Corp シミュレーション方法、プログラムおよびそれを記録した記録媒体、並びに、それらを利用した液滴配置パターンの作成方法、ナノインプリント方法、パターン化基板の製造方法およびインクジェット装置。

Also Published As

Publication number Publication date
US20200166858A1 (en) 2020-05-28
KR102256949B1 (ko) 2021-05-27
JP2018190842A (ja) 2018-11-29
KR20180123441A (ko) 2018-11-16
US20180321604A1 (en) 2018-11-08
US10578985B2 (en) 2020-03-03
US10948836B2 (en) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6993791B2 (ja) インプリント装置
US10406743B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP6444825B2 (ja) 三次元造形物の製造方法及び製造装置
JP6700757B2 (ja) 塗布装置、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2011222705A (ja) インプリント装置およびインプリント基板の製造方法
WO2017099163A1 (ja) 三次元造形物の製造方法及び製造装置
US20220328336A1 (en) Apparatus for substrate registration and anchoring in inkjet printing
JP2018133379A (ja) 液滴の充填状態のばらつきを補正するインプリント方法
US11329003B2 (en) Anchoring dies using 3D printing to form reconstructed wafer
KR20190111334A (ko) 잉크젯 인쇄장치 및 그를 이용한 잉크젯 인쇄방법
JP2019107826A (ja) 吐出装置、吐出方法、および物品の製造装置
JP6566843B2 (ja) パターン形成方法、インプリントシステムおよび物品製造方法
KR20180123431A (ko) 임프린트 장치 및 그 제어 방법
JP6849885B2 (ja) 誤作動する液滴供給ノズルを検出し補償するためのシステムおよび方法
US10585349B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR102045763B1 (ko) 잉크젯 인쇄장치 및 그를 이용한 잉크젯 인쇄방법
WO2016084582A1 (ja) インクジェット記録装置
JP5672698B2 (ja) 記録方法
JP2016058476A (ja) インプリント方法およびインプリント装置
JP7379031B2 (ja) インプリント装置およびインプリント装置の制御方法
JP2014008481A (ja) 液滴吐出方法
JP2017103314A (ja) インプリント装置、計測方法、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2023020142A (ja) 液体吐出装置、液体吐出方法、成形装置及び物品の製造方法
JP2021181207A (ja) 吐出装置及び吐出手段の制御方法
JP2021077801A (ja) インプリント装置およびインプリント装置の制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200409

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20210103

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210611

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211210

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6993791

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151