JP6993591B2 - 精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法、改質ポリテトラフルオロエチレン粉末の製造方法、ポリテトラフルオロエチレン成形体の製造方法、及び、組成物 - Google Patents

精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法、改質ポリテトラフルオロエチレン粉末の製造方法、ポリテトラフルオロエチレン成形体の製造方法、及び、組成物 Download PDF

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Description

本発明は、精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法、改質ポリテトラフルオロエチレン粉末の製造方法、及び、ポリテトラフルオロエチレン成形体の製造方法に関する。
従来、炭化水素系界面活性剤を用いてポリテトラフルオロエチレンを製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特表２０１３－５４２３０９号公報
炭化水素系界面活性剤を用いてポリテトラフルオロエチレンを製造すると、フッ素を含む特定の化合物が生成されることが見出された。
本発明は、上記フッ素を含む化合物が除去又は低減されたポリテトラフルオロエチレン水性分散液及びポリテトラフルオロエチレン粉末を得ることを目的とする。また、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレンを用いて、上記フッ素を含む化合物が除去又は低減されたポリテトラフルオロエチレン成形体を製造することを目的とする。更に、上記フッ素を含む化合物が除去又は低減されたポリテトラフルオロエチレンを含む組成物を提供することを目的とする。
本発明は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレン水性分散液から下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とする精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法である。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程は、上記ポリテトラフルオロエチレン水性分散液をイオン交換処理及び／又は濃縮処理する工程を含むことが好ましい。
本発明はまた、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレン粉末から下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とする改質ポリテトラフルオロエチレン粉末の製造方法でもある。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレン粉末を１６０℃以上の温度で熱処理する工程を含むことが好ましい。
本発明は更に、炭化水素系界面活性剤を用いて製造されたポリテトラフルオロエチレンを用いて成形体を製造する方法であって、下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とするポリテトラフルオロエチレン成形体の製造方法。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程は、１６０℃以上の温度で熱処理する工程を含むことが好ましい。
本発明はまた、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレンに、１００℃超の温度でフッ素ラジカル源を接触させて、下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とする改質ポリテトラフルオロエチレンの製造方法でもある。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
本発明は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレンをフッ素ラジカル源と接触させて、下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含み、前記フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算してポリテトラフルオロエチレン１００重量部に対して０．５重量部以上であることを特徴とするポリテトラフルオロエチレンの製造方法でもある。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
本発明はまた、ポリテトラフルオロエチレンを含み、下記一般式（３）で示される化合物を実質的に含まないことを特徴とする組成物でもある。
一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記一般式（３）で示される化合物の含有量は、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であることが好ましく、２５ｐｐｂ以下であることがより好ましい。
本発明の一態様は、下記一般式（４）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ポリテトラフルオロエチレン以上含む組成物である。
一般式（４）：（Ｈ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、上記一般式（４）で示される化合物及び下記一般式（４’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、上記一般式（４）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、下記一般式（４’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、非イオン性界面活性剤を１％／ポリテトラフルオロエチレン以上含む組成物である。
一般式（４’）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ポリテトラフルオロエチレン以上含む組成物である。
一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、上記一般式（５）で示される化合物及び下記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、上記一般式（５）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、下記一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ポリテトラフルオロエチレン以上含む組成物である。
一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
これらの本発明の一態様は水性分散液である組成物である。
本発明の一態様は、上記一般式（４）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。また、上記一般式（４）で示される化合物及び上記一般式（４’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、上記一般式（４）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、上記一般式（４’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物である。また、上記一般式（５）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。本発明の一態様は、上記一般式（５）で示される化合物及び上記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、上記一般式（５）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、上記一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物である。
また、本発明の一態様は、上記一般式（４）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下含む組成物である。本発明の一態様は、上記一般式（４）で示される化合物及び上記一般式（４’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、上記一般式（４）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下であり、上記一般式（４’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下である組成物である。本発明の一態様は、上記一般式（５）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下含む組成物である。本発明の一態様は、上記一般式（５）で示される化合物及び上記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、上記一般式（５）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下であり、上記一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下である組成物である。
上記組成物は、更に、下記一般式（７）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含むものであってもよい。
一般式（７）：（Ｆ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
これらの本発明の一態様は、粉末である組成物である。
また、本発明の組成物は、ポリテトラフルオロエチレンが、炭化水素系界面活性剤を用いて重合して得られたものであることが好ましい。
本発明は、上記組成物からなる成形体でもある。本発明の成形体は延伸体であることも好ましい。
本発明の精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法は、得られる精製ＰＴＦＥ水性分散液中に存在する一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減することができる。
本発明の改質ポリテトラフルオロエチレン粉末の製造方法は、得られる改質ポリテトラフルオロエチレン粉末中に存在する一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減することができる。
本発明のポリテトラフルオロエチレン成形体の製造方法は、得られるポリテトラフルオロエチレン成形体中に存在する一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減することができる。
本発明の組成物は、一般式（３）で示される化合物が除去又は低減されたものである。
本発明の精製ＰＴＦＥ水性分散液の製造方法は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたポリテトラフルオロエチレン（以下、「ＰＴＦＥ」と表記することがある）水性分散液から一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程（以下「除去工程」ともいう）を含む。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）又はアルカリ土類金属（２族）が挙げられ、具体的には、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ等が例示される。
上記Ｒ５としては、４つのＲ５は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ５としては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。また、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～４のアルキル基である。以下で記載する全てのＲ５に上記規定は適用できる。
一般式（１）において、ｍは５～１１であってもよい。
一般式（２）において、ｎは６～１２であってもよい。
なお、本明細書中、特に断りのない限り、「有機基」は、１個以上の炭素原子を含有する基、又は有機化合物から１個の水素原子を除去して形成される基を意味する。
当該「有機基」の例は、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
シアノ基、
ホルミル基、
ＲａＯ－、
ＲａＣＯ－、
ＲａＳＯ２－、
ＲａＣＯＯ－、
ＲａＮＲａＣＯ－、
ＲａＣＯＮＲａ－、
ＲａＯＣＯ－、及び
ＲａＯＳＯ２－
（これらの式中、Ｒａは、独立して、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、又は
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基である）
を包含する。
上記有機基としては、１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基が好ましい。
また、上記有機基としては、上記下記置換基の例として挙げたものも含まれる。
本明細書中、特に断りのない限り、「置換基」は、置換可能な基を意味する。当該「置換基」の例は、脂肪族基、芳香族基、ヘテロ環基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、脂肪族オキシ基、芳香族オキシ基、ヘテロ環オキシ基、脂肪族オキシカルボニル基、芳香族オキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、脂肪族スルホニル基、芳香族スルホニル基、ヘテロ環スルホニル基、脂肪族スルホニルオキシ基、芳香族スルホニルオキシ基、ヘテロ環スルホニルオキシ基、スルファモイル基、脂肪族スルホンアミド基、芳香族スルホンアミド基、ヘテロ環スルホンアミド基、アミノ基、脂肪族アミノ基、芳香族アミノ基、ヘテロ環アミノ基、脂肪族オキシカルボニルアミノ基、芳香族オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環オキシカルボニルアミノ基、脂肪族スルフィニル基、芳香族スルフィニル基、脂肪族チオ基、芳香族チオ基、ヒドロキシ基、シアノ基、スルホ基、カルボキシ基、脂肪族オキシアミノ基、芳香族オキシアミノ基、カルバモイルアミノ基、スルファモイルアミノ基、ハロゲン原子、スルファモイルカルバモイル基、カルバモイルスルファモイル基、ジ脂肪族オキシホスフィニル基、又は、ジ芳香族オキシホスフィニル基を包含する。
上記脂肪族基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また、ヒドロキシ基、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記脂肪族基としては、総炭素原子数１～８、好ましくは１～４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ビニル基、シクロヘキシル基、カルバモイルメチル基等が挙げられる。
上記芳香族基は、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記芳香族基としては、炭素数６～１２、好ましくは総炭素原子数６～１０のアリール基、例えば、フェニル基、４－ニトロフェニル基、４－アセチルアミノフェニル基、４－メタンスルホニルフェニル基等が挙げられる。
上記ヘテロ環基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記ヘテロ環基としては、総炭素原子数２～１２、好ましくは２～１０の５～６員へテロ環、例えば２－テトラヒドロフリル基、２－ピリミジル基等が挙げられる。
上記アシル基は、脂肪族カルボニル基、アリールカルボニル基、ヘテロ環カルボニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、芳香族基、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記アシル基としては、総炭素原子数２～８、好ましくは２～４のアシル基、例えばアセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、３－ピリジンカルボニル基等が挙げられる。
上記アシルアミノ基は、脂肪族基、芳香族基、ヘテロ環基等を有していてもよく、例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、２－ピリジンカルボニルアミノ基、プロパノイルアミノ基等を有していてもよい。上記アシルアミノ基としては、総炭素原子数２～１２、好ましくは２～８のアシルアミノ基、総炭素原子数２～８のアルキルカルボニルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、２－ピリジンカルボニルアミノ基、プロパノイルアミノ基等が挙げられる。
上記脂肪族オキシカルボニル基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また、ヒドロキシ基、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記脂肪族オキシカルボニル基としては、総炭素原子数２～８、好ましくは２～４のアルコキシカルボニル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、（ｔ）－ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
上記カルバモイル基は、脂肪族基、芳香族基、へテロ環基等を有していてもよい。上記カルバモイル基としては、無置換のカルバモイル基、総炭素数２～９のアルキルカルバモイル基、好ましくは無置換のカルバモイル基、総炭素原子数２～５のアルキルカルバモイル基、例えばＮ－メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイル基、Ｎ－フェニルカルバモイル基等が挙げられる。
上記脂肪族スルホニル基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また、ヒドロキシ基、芳香族基、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記脂肪族スルホニル基としては、総炭素原子数１～６、好ましくは総炭素原子数１～４のアルキルスルホニル基、例えばメタンスルホニル等が挙げられる。
上記芳香族スルホニル基は、ヒドロキシ基、脂肪族基、脂肪族オキシ基、カルバモイル基、脂肪族オキシカルボニル基、脂肪族チオ基、アミノ基、脂肪族アミノ基、アシルアミノ基、カルバモイルアミノ基等を有していてもよい。上記芳香族スルホニル基としては、総炭素原子数６～１０のアリールスルホニル基、例えばベンゼンスルホニル等が挙げられる。
上記アミノ基は、脂肪族基、芳香族基、ヘテロ環基等を有していてもよい。
上記アシルアミノ基は、例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、２－ピリジンカルボニルアミノ基、プロパノイルアミノ基等を有していてもよい。上記アシルアミノ基としては、総炭素原子数２～１２、好ましくは総炭素原子数２～８のアシルアミノ基、より好ましくは総炭素原子数２～８のアルキルカルボニルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、２－ピリジンカルボニルアミノ基、プロパノイルアミノ基等が挙げられる。
上記脂肪族スルホンアミド基、芳香族スルホンアミド基、ヘテロ環スルホンアミド基は、例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基、２－ピリジンスルホンアミド基等であってもよい。
上記スルファモイル基は、脂肪族基、芳香族基、ヘテロ環基等を有していてもよい。上記スルファモイル基としては、スルファモイル基、総炭素原子数１～９のアルキルスルファモイル基、総炭素原子数２～１０のジアルキルスルファモイル基、総炭素原子数７～１３のアリールスルファモイル基、総炭素原子数２～１２のヘテロ環スルファモイル基、より好ましくはスルファモイル基、総炭素原子数１～７のアルキルスルファモイル基、総炭素原子数３～６のジアルキルスルファモイル基、総炭素原子数６～１１のアリールスルファモイル基、総炭素原子数２～１０のヘテロ環スルファモイル基、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ－ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基、４－ピリジンスルファモイル基等が挙げられる。
上記脂肪族オキシ基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また、メトキシ基、エトキシ基、ｉ－プロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メトキシエトキシ基等を有していてもよい。上記脂肪族オキシ基としては、総炭素原子数１～８、好ましくは１～６のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｉ－プロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メトキシエトキシ基等が挙げられる。
上記芳香族アミノ基、へテロ環アミノ基は、脂肪族基、脂肪族オキシ基、ハロゲン原子、カルバモイル基、該アリール基と縮環したヘテロ環基、脂肪族オキシカルボニル基、好ましくは総炭素原子数１～４の脂肪族基、総炭素原子数１～４の脂肪族オキシ基、ハロゲン原子、総炭素原子数１～４のカルバモイル基、ニトロ基、総炭素原子数２～４の脂肪族オキシカルボニル基を有していてもよい。
上記脂肪族チオ基は、飽和であっても不飽和であってもよく、また、総炭素原子数１～８、より好ましくは総炭素原子数１～６のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、カルバモイルメチルチオ基、ｔ－ブチルチオ基等が挙げられる。
上記カルバモイルアミノ基は、脂肪族基、アリール基、ヘテロ環基等を有していてもよい。上記カルバモイルアミノ基としては、カルバモイルアミノ基、総炭素原子数２～９のアルキルカルバモイルアミノ基、総炭素原子数３～１０のジアルキルカルバモイルアミノ基、総炭素原子数７～１３のアリールカルバモイルアミノ基、総炭素原子数３～１２のヘテロ環カルバモイルアミノ基、好ましくはカルバモイルアミノ基、総炭素原子数２～７のアルキルカルバモイルアミノ基、総炭素原子数３～６のジアルキルカルバモイルアミノ基、総炭素原子数７～１１のアリールカルバモイルアミノ基、総炭素原子数３～１０のヘテロ環カルバモイルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、メチルカルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイルアミノ基、フェニルカルバモイルアミノ、４－ピリジンカルバモイルアミノ基等が挙げられる。
上記ＰＴＦＥとしては、ホモＰＴＦＥであっても、変性ＰＴＦＥであってもよい。変性ＰＴＦＥは、ＴＦＥ単位とＴＦＥと共重合可能な変性モノマーに基づく変性モノマー単位とを含む。
また、上記ＰＴＦＥは、非溶融加工性及びフィブリル化性を有する高分子量ＰＴＦＥであってもよいし、溶融加工性を有し、フィブリル化性を有しない低分子量ＰＴＦＥであってもよい。
ＰＴＦＥの分子量の指標として用いられる標準比重（ＳＳＧ）及び溶融粘度（ＭＶ）は特に限定されない。
上記変性モノマーとしては、ＴＦＥとの共重合が可能なものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン〔ＨＦＰ〕等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン〔ＣＴＦＥ〕等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン〔ＶＤＦ〕等の水素含有フルオロオレフィン；パーフルオロビニルエーテル；パーフルオロアルキルエチレン；エチレン；ニトリル基を有するフッ素含有ビニルエーテル等が挙げられる。また、用いる変性モノマーは１種であってもよいし、複数種であってもよい。
上記パーフルオロビニルエーテルとしては特に限定されず、例えば、下記一般式（Ｘ）
ＣＦ２＝ＣＦ－ＯＲｆ （Ｘ）
（式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるパーフルオロ不飽和化合物等が挙げられる。本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、例えば、上記一般式（Ｘ）において、Ｒｆが炭素数１～１０のパーフルオロアルキル基を表すものであるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）〔ＰＡＶＥ〕が挙げられる。上記パーフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１～５である。
上記ＰＡＶＥにおけるパーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられるが、パーフルオロアルキル基がパーフルオロメチル基であるパープルオロメチルビニルエーテル〔ＰＭＶＥ〕、パーフルオロアルキル基がパーフルオロプロピル基であるパープルオロプロピルビニルエーテル〔ＰＰＶＥ〕が好ましい。
パーフルオロアルキルエチレンとしては特に限定されず、例えば、パーフルオロブチルエチレン（ＰＦＢＥ）、パーフルオロヘキシルエチレン（ＰＦＨＥ）、パーフルオロオクチルエチレン（ＰＦＯＥ）等が挙げられる。
上記変性ＰＴＦＥにおける変性モノマーとしては、ＨＦＰ、ＣＴＦＥ、ＶＤＦ、ＰＭＶＥ、ＰＰＶＥ、ＰＦＢＥ、ＰＦＨＥ、ＣＮＶＥ及びエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
上記変性ＰＴＦＥは、変性モノマー単位が０．０００１～２モル％の範囲であることが好ましく、０．０００１～１モル％未満の範囲であることがより好ましく、０．０００１～０．５モル％の範囲であることが更に好ましく、０．００１～０．２モル％の範囲であることが特に好ましい。
上記ＰＴＦＥの平均一次粒子径が１５０ｎｍ以上であることが好ましく、１８０ｎｍ以上であることがより好ましい。ＰＴＦＥ組成物の平均一次粒子径が大きいほど、その粉末を用いてペースト押出成形をする際に、ペースト押出圧力の上昇を抑えられ、造膜性にも優れる。上限は特に限定されないが５００ｎｍであってよい。重合工程における生産性の観点からは、３５０ｎｍであることが好ましい。上記平均一次粒子径は、ＰＴＦＥ水性分散液を水で固形分含有量が０．１５質量％になるまで希釈し、得られた希釈ラテックスの単位長さに対する５５０ｎｍの投射光の透過率と、透過型電子顕微鏡写真により定方向径を測定して決定した数基準長さ平均粒子径とを測定して、検量線を作成し、この検量線を用いて、各試料の５５０ｎｍの投射光の実測透過率から決定する。
上記ＰＴＦＥは、コアシェル構造を有していてもよい。コアシェル構造を有するＰＴＦＥとしては、例えば、粒子中に高分子量のＰＴＦＥのコアと、より低分子量のＰＴＦＥ又は変性ＰＴＦＥのシェルとを含む変性ＰＴＦＥが挙げられる。
このような変性ＰＴＦＥとしては、例えば、特表２００５－５２７６５２号公報に記載されるＰＴＦＥが挙げられる。
本明細書において、ＰＴＦＥを構成する各単量体の含有量は、ＮＭＲ、ＦＴ－ＩＲ、元素分析、蛍光Ｘ線分析を単量体の種類によって適宜組み合わせることで算出できる。
炭化水素系界面活性剤を用いてＰＴＦＥ水性分散液を得る方法については後述する。炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥ水性分散液は、上記一般式（１）又は（２）で示される化合物を含む。
上記ＰＴＦＥ水性分散液から一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する方法としては、吸着処理、濃縮処理等が挙げられる。
また、ＰＴＦＥ水性分散液を乾燥し、気化させることで、一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する方法も採用し得る。乾燥温度としては、例えば、後述の熱処理の温度を採用できる。
更に、ＰＴＦＥ水性分散液をガス化して、ガス中の一般式（１）又は（２）で示される化合物を、液滴式吸収装置及び／又は液膜式吸収装置を用いて水性液中に吸収させる方法も挙げられる。水性液の温度としては、例えば１０～６０℃が好ましい。
上記吸着処理としては、イオン交換樹脂（ＩＥＲ）、活性炭、ゼオライト等の吸着剤を用いる方法が挙げられる。具体的には、ＰＴＦＥ水性分散液に含まれる上記一般式（１）又は（２）で示される化合物を吸着剤と接触させることによって、上記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減することができる。上記吸着処理は、ＰＴＦＥ水性分散液にイオン交換樹脂を添加し、必要に応じて攪拌して実施することができる。イオン交換処理は、ＰＴＦＥ１００ｇに対して１ｇ以上のイオン交換樹脂を添加するものであることが好ましい。イオン交換樹脂の添加量は、１０ｇ以上がより好ましく、また、２００ｇ以下が好ましく、１００ｇ以下がより好ましい。
上記濃縮処理としては、相分離濃縮、電気濃縮、限外濾過膜を用いた濾過処理、逆浸透膜（ＲＯ膜）を用いた濾過処理、ナノ濾過処理等が挙げられる。上記濃縮処理としては、例えば、ＰＴＦＥ水性分散液に対して非イオン性界面活性剤を１％／ＰＴＦＥ以上となるように添加し、放置する方法が挙げられる。
非イオン性界面活性剤の添加量は、４０％／ＰＴＦＥ以下が好ましく、３０％／ＰＴＦＥ以下がより好ましく、２０％／ＰＴＦＥ以下が更に好ましい。
上記放置する温度は限定されないが、例えば２０℃以上であってよく、８０℃以下であってよい。放置時間は限定されないが、例えば１分以上であってよく、また、２４時間以下であってよい。
上記除去工程は、上記ＰＴＦＥ水性分散液を吸着処理及び／又は濃縮処理する工程を含むことが好ましく、上記ＰＴＦＥ水性分散液をイオン交換処理及び／又は濃縮処理する工程を含むことがより好ましい。
イオン交換処理及び／又は濃縮処理する工程は、イオン交換処理する工程であってもよいし、濃縮処理する工程であってもよいし、イオン交換処理及び濃縮処理する工程であってもよく、各処理を複数回行ってもよい。イオン交換処理及び濃縮処理を行う場合は、イオン交換処理と濃縮処理の順番は順不同でよく、交互に行ってもよい。
イオン交換処理及び／又は濃縮処理する工程は、イオン交換処理及び濃縮処理する工程が特に好ましい。上記イオン交換処理及び／又は濃縮処理する工程は、イオン交換処理したのち、濃縮処理を行うことがより好ましい。
上記吸着処理及び濃縮処理は、各々複数回行ってもよい。例えば、２回、３回、４回、５回、６回、７回、８回、９回又は１０回の吸着処理又は濃縮処理を行ってもよい。また、吸着処理と濃縮処理を組み合わせて行ってもよい。
炭化水素系界面活性剤を用いてＰＴＦＥ水性分散液を得た場合、通常、ＰＴＦＥに対して１～２００ｐｐｍの一般式（１）及び（２）で示される化合物が生成する。
上記除去工程により、ＰＴＦＥ水性分散液中の一般式（１）又は（２）で示される化合物が除去又は低減され、精製されたＰＴＦＥ水性分散液を得ることができる。
上記除去工程は、上記ＰＴＦＥ水性分散液中の一般式（１）及び（２）で示される化合物を８０質量％以上除去するものであることが好ましく、８５質量％以上除去するものであることがより好ましく、９０質量％以上除去するものであることが更に好ましく、９５質量％以上除去するものであることが更により好ましく、９７質量％以上除去するものであることが殊更に好ましく、９８質量％以上除去するものであることが特に好ましく、９９質量％以上除去するものであることが最も好ましい。
上記除去工程は、得られる精製ＰＴＦＥ水性分散液中の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を、ＰＴＦＥに対して５００ｐｐｂ以下にするものであることが好ましく、２００ｐｐｂ以下にするものであることがより好ましい。１００ｐｐｂ以下にすることが更に好ましく、５０ｐｐｂ以下にすることが特に好ましく、２５ｐｐｂ以下にすることが最も好ましい。
上記ＰＴＦＥ水性分散液は、炭化水素系界面活性剤の存在下にテトラフルオロエチレンを水性媒体中で乳化重合する工程を含む製造方法により得ることができる。上記乳化重合は、従来公知の方法で実施することができる。上記水性媒体は、水を含む液体であれば特に限定されず、水に加え、例えば、アルコール、エーテル、ケトン、パラフィンワックス等の有機溶媒を含むものであってもよい。
上記炭化水素系界面活性剤としては、例えば、特表２０１３－５４２３０８号公報、特表２０１３－５４２３０９号公報、特表２０１３－５４２３１０号公報に記載されているもの等を使用することができる。炭化水素系界面活性剤の詳細は後述する。
本発明はまた、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥ粉末から下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去する工程を含むことを特徴とする改質ＰＴＦＥ粉末の製造方法でもある。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）又はアルカリ土類金属（２族）が挙げられ、具体的には、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ等が例示される。
上記Ｒ５としては、４つのＲ５は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ５としては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。
一般式（１）において、ｍは５～１１であってもよい。
一般式（２）において、ｎは６～１２であってもよい。
炭化水素系界面活性剤を用いて得られるＰＴＦＥ粉末は、例えば、上述した炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥ水性分散液を凝析すること等により得ることができる。上記ＰＴＦＥ粉末におけるＰＴＦＥとしては、精製ＰＴＦＥ水性分散液の製造方法において記載したホモＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ等のＰＴＦＥを使用できる。
上記ＰＴＦＥ粉末から一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する方法としては、熱処理、フッ素化処理、水又は有機溶媒による洗浄等が挙げられる。
上記有機溶媒としては、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ピリジン、ニトリル、含窒素極性有機化合物、ジメチルスルホキシド、アルコール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられる。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられる。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３―ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられる。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記有機溶媒を組み合わせて使用してもよい。
上記熱処理の方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。熱処理の温度は、１５０℃以上であることが好ましい。また、一般式（１）又は（２）で示される化合物の除去又は低減の観点から、熱処理の温度は、１６０℃以上がより好ましい。すなわち、上記除去工程は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥ粉末を１６０℃以上の温度で熱処理する工程を含むことが好ましい。
熱処理の温度は、１７０℃以上がより好ましく、１８０℃以上が更に好ましく、２００℃以上が更により好ましく、２１０℃以上が殊更に好ましく、２２０℃以上が特に好ましく、２３０℃以上が最も好ましい。
また、熱処理の温度は、３１０℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましく、２９０℃以下が更に好ましく、２８０℃以下が更により好ましく、２７０℃以下が殊更に好ましい。上記熱処理は、水分の乾燥を伴うものであってもよい。
すなわち、上記熱処理は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られた重合上がりのＰＴＦＥ分散液を凝析することによって得られた水分を含む湿潤ＰＴＦＥ粉末を乾燥するものであってもよい。乾燥時に一般式（１）又は（２）で示される化合物や、後述する一般式（７）で示される化合物が低減される。
また、乾燥後の水分を含まないＰＴＦＥ粉末を、再度熱処理することが好ましい。具体的には、上記湿潤ＰＴＦＥ粉末を乾燥して水分除去し、その後、連続的にさらに上記温度領域まで温度を上げて、熱処理を行ってもよい。この場合、上記乾燥は、上記した各温度範囲未満で行ってよく、例えば、１５０℃未満で行ってもよい。
本発明の改質ＰＴＦＥ粉末の製造方法は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥ分散液を凝析し、水分を含む湿潤ＰＴＦＥ粉末を得る工程を含んでもよい。
上記フッ素化処理の方法としては従来公知の方法を採用することができる。例えば、上記ＰＴＦＥ粉末をフッ素化処理条件下にてフッ素ラジカルを発生するフッ素ラジカル源にさらす方法が挙げられる。フッ素ラジカル源としてはフッ素ガスの他に、ＣｏＦ３、ＡｇＦ２、ＵＦ６、ＯＦ２、Ｎ２Ｆ２、ＣＦ３ＯＦ、フッ化ハロゲン（例えばＩＦ、ＩＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７等のＩＦｎ（ｎは１～７）；ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３等）、希ガスのフッ化物（ＸｅＦ２、ＸｅＦ４ 、ＫｒＦ２ 等）、及び、含窒素フッ素化合物（例えばＮＦ３、ＮＦ２等）などが挙げられる。なかでも、取扱い性、価格の点や、高効率で一般式（１）及び（２）で示される化合物を除去できる点、ヨウ素等の新たな不純物を与えにくい点から、フッ素ガスが最も好ましい。
フッ素ラジカル源との反応はきわめて発熱性であるため、フッ素ラジカル源を窒素などの不活性ガスで希釈してもよい。
フッ素ラジカル源／不活性ガス混合物中のフッ素ラジカル源のレベルは１～１００体積％であり得るが、純粋なフッ素を伴う作業は危険性が高いために約５～約２５体積％であることが好ましい。熱誘起変色が激しいフッ素化ポリマー樹脂については、フッ素化ポリマーの過熱、及び、これに付随する火災の危険性を予防するために、フッ素ラジカル源／不活性ガス混合物は十分に希釈してもよい。
上記フッ素化処理の方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。フッ素化処理の温度は、１００℃超が好ましい。フッ素化処理の温度は１１０℃以上がより好ましく、１２０℃以上が更に好ましく、１３０℃以上が更により好ましく、１５０℃以上が殊更に好ましい。また、１７０℃以上が特に好ましく、１８０℃以上が更に好ましく、２００℃以上が更により好ましく、２１０℃以上が殊更に好ましく、２２０℃以上が特に好ましく、２３０℃以上が最も好ましい。また、フッ素化処理の温度は３１０℃以下であることが好ましく、３００℃以下がより好ましく、２９０℃以下が更に好ましく、２８０℃以下が更により好ましく、２７０℃以下が殊更に好ましく、２５０℃以下が特に好ましく、２４０℃以下が最も好ましい。温度が低過ぎると、後述する一般式（７）で示される化合物が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂを超えて残存するおそれがある。温度が高過ぎると、ＰＴＦＥ粉末同士の摩擦により、小さな剪断力でも簡単にフィブリル化して元の粒子構造の状態を失いやすく、ペースト押出性能の低下をもたらすおそれがある。
フッ素化処理の温度は、１１０～２７０℃が好ましく、１２０～２７０℃がより好ましく、１５０～２７０℃が更に好ましく、２００～２７０℃が特に好ましい。
上記フッ素化処理において、フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、原料のＰＴＦＥ１００重量部に対し、０．５重量部以上が好ましい。より好ましくは、０．８重量部以上であり、更に好ましくは１．０重量部以上であり、より好ましくは１．６重量部以上であり、更に好ましくは２．０重量部以上であり、更により好ましくは、２．５重量部以上であり、殊更に好ましくは、３．０重量部以上であり、特に好ましくは５．０重量部以上である。また、フッ素ラジカル源の添加量は、３５．０重量部以下であることが好ましく、２６．０重量部以下であることがより好ましく、２０．０重量部以下であることが更に好ましく、１５．０重量部以下であることが特に好ましい。フッ素ラジカル源の添加量が少な過ぎると、一般式（１）又は（２）で示される化合物の除去又は低減が不十分になるおそれがある。また、同定できない化合物の除去又は低減が不十分になるおそれがある。フッ素ラジカル源の添加量が多過ぎてもフッ素化の効果は向上せず、不経済となるおそれがある。
フッ素化処理の温度と、フッ素ラジカル源の添加量の好適な組合せとしては、熱処理の温度が１００℃超、かつ、フッ素ラジカル源の添加量が、フッ素原子に換算して、原料のＰＴＦＥ１００重量部に対し０．５重量部以上である。
上記組合せとしては、１００℃超かつ１．０重量部以上が好ましく、１００℃超かつ１．６重量部以上がより好ましく、１００℃超かつ２．０重量部以上が更に好ましく、１００℃超かつ２．５重量部以上が更により好ましく、１００℃超かつ３．０重量部以上が殊更に好ましく、１００℃超かつ５．０重量部以上が特に好ましい。
また、１１０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、１１０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、１１０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、１１０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、１１０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、１１０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、１１０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、１２０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、１２０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、１２０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、１２０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、１２０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、１２０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、１２０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、１３０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、１３０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、１３０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、１３０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、１３０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、１３０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、１３０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、１５０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、１５０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、１５０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、１５０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、１５０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、１５０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、１５０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、１７０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、１７０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、１７０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、１７０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、１７０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、１７０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、１７０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、１８０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、１８０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、１８０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、１８０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、１８０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、１８０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、１８０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、２００℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、２００℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、２００℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、２００℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、２００℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、２００℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、２００℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、２１０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、２１０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、２１０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、２１０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、２１０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、２１０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、２１０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、２２０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、２２０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、２２０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、２２０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、２２０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、２２０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、２２０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
また、２３０℃以上かつ０．５重量部以上が好ましく、２３０℃以上かつ１．０重量部以上がより好ましく、２３０℃以上かつ１．６重量部以上が更に好ましく、２３０℃以上かつ２．０重量部以上が更により好ましく、２３０℃以上かつ２．５重量部以上が殊更に好ましく、２３０℃以上かつ３．０重量部以上が特に好ましく、２３０℃以上かつ５．０重量部以上が最も好ましい。
上記組合せにおける熱処理温度は、３１０℃以下であることが好ましく、３００℃以下がより好ましく、２９０℃以下が更に好ましく、２８０℃以下が更により好ましく、２７０℃以下が殊更に好ましく、２５０℃以下が特に好ましく、２４０℃以下が最も好ましい。
上記組合せにおけるフッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、原料のＰＴＦＥ１００重量部に対し、３５．０重量部以下であることが好ましく、２６．０重量部以下であることがより好ましく、２０．０重量部以下であることが更に好ましく、１５．０重量部以下であることが特に好ましい。
また、熱処理温度とフッ素ラジカル源の上限の組合せとしては、２４０℃以下かつ３５．０重量部以下であることが好ましく、２４０℃以下かつ２６．０重量部以下であることがより好ましく、２４０℃以下かつ２０．０重量部以下であることが更に好ましく、２４０℃以下かつ１５．０重量部以下であることが特に好ましい。
ＰＴＦＥ１００重量部に対するフッ素ラジカル源添加量（重量部）は次式に従い算出した。
Ａ＝（Ｂ／Ｆ）×１００
Ｂ＝Ｃ×Ｄ×Ｅ
Ｃ＝{Ｐ／（ＲＴ×１０００）}×Ｇ×Ｈ
Ａ：ＰＴＦＥ１００重量部に対するフッ素ラジカル源添加量（重量部）
Ｂ：全フッ素ラジカル源添加量（ｇ）
Ｃ：混合ガス中のフッ素ラジカル源濃度（ｇ／ｍＬ）
Ｄ：混合ガス流通速度（ｍＬ／ｍｉｎ）
Ｅ：フッ素化処理時間（ｍｉｎ）
Ｆ：サンプル充填量（ｇ）
Ｇ：フッ素ラジカル源の分子量（ｇ／ｍｏｌ）
Ｈ：混合ガス中のフッ素ラジカル源の比率
上記式中、Ｐ、Ｒ、Ｔは以下を使用する。
Ｐ＝圧力（ａｔｍ）
Ｒ＝０．０８２（ａｔｍ・Ｌ／Ｋ・ｍｏｌ）
Ｔ＝温度（Ｋ）
フッ素化処理に使用する反応装置としては、加熱装置を備え、固―気接触を充分に行なうことができる装置であれば問題なく使用できる。具体的には流動床型、棚段型の固―気接触反応装置があげられる。
改質ＰＴＦＥ粉末の製造方法において、上記除去工程は、複数回行ってもよい。例えば、２回、３回、４回、５回、６回、７回、８回、９回又は１０回の除去工程を行ってもよい。上記熱処理及びフッ素化処理は、組み合わせて実施してよく、同時に行ってもよい。
水又は有機溶媒による洗浄の方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。
炭化水素系界面活性剤を用いてＰＴＦＥ粉末を得た場合、ＰＴＦＥに対して１～２００ｐｐｍの一般式（１）及び（２）で示される化合物が生成する場合がある。
上記除去工程により、ＰＴＦＥ水性分散液中の一般式（１）又は（２）で示される化合物が除去又は低減され、改質ＰＴＦＥ粉末を得ることができる。
上記除去工程は、上記ＰＴＦＥ粉末中の一般式（１）及び（２）で示される化合物を８０質量％以上除去するものであることが好ましく、８５質量％以上除去するものであることがより好ましく、９０質量％以上除去するものであることが更に好ましく、９５質量％以上除去するものであることが更により好ましく、９７質量％以上除去するものであることが殊更に好ましく、９８質量％以上除去するものであることが特に好ましく、９９質量％以上除去するものであることが最も好ましい。
上記除去工程は、得られる改質ＰＴＦＥ粉末中の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を、ＰＴＦＥに対して５００ｐｐｂ以下にするものであることが好ましく、２００ｐｐｂ以下にするものであることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることが更に好ましく、５０ｐｐｂ以下にすることが特に好ましく、２５ｐｐｂ以下にすることが最も好ましい。
本発明は、炭化水素系界面活性剤を用いて製造されたＰＴＦＥを用いて成形体を製造する方法であって、下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とするＰＴＦＥ成形体の製造方法である。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）又はアルカリ土類金属（２族）が挙げられ、具体的には、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ等が例示される。
上記Ｒ５としては、４つのＲ５は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ５としては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。
一般式（１）において、ｍは５～１１であってもよい。
一般式（２）において、ｎは６～１２であってもよい。
炭化水素系界面活性剤を用いて製造されたＰＴＦＥとしては、上述した炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥ粉末を使用することができる。
上記ＰＴＦＥとしては、精製ＰＴＦＥ水性分散液の製造方法において記載したホモＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ等のＰＴＦＥを使用できる。
本発明の成形体の製造方法において、一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する方法としては、熱処理、フッ素化処理等が挙げられる。
上記熱処理の方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。熱処理の温度は、１５０℃以上であることが好ましい。熱処理の温度は、１６０℃以上がより好ましい。すなわち、上記除去工程は、１６０℃以上の温度で熱処理する工程を含むことが好ましい。
熱処理の温度は、１７０℃以上がより好ましく、１８０℃以上が更に好ましく、２００℃以上が更により好ましく、２１０℃以上が殊更に好ましく、２２０℃以上が特に好ましく、２３０℃以上が最も好ましい。
また、熱処理の温度は、３１０℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましく、２９０℃以下が更に好ましく、２８０℃以下が更により好ましく、２７０℃以下が殊更に好ましい。
上記熱処理の時間は特に限定されるものではないが、例えば、１分以上であり、また、２４時間以下である。
上記熱処理は、乾燥を伴うものであってもよい。乾燥時に一般式（１）又は（２）で示される化合物や、後述する一般式（７）で示される化合物が低減される。
上記フッ素化処理の方法としては従来公知の方法を採用することができる。例えば、上記ＰＴＦＥ粉末をフッ素化処理条件下にてフッ素ラジカルを発生するフッ素ラジカル源にさらす方法が挙げられる。フッ素ラジカル源としてはフッ素ガスの他に、ＣｏＦ３、ＡｇＦ２、ＵＦ６、ＯＦ２、Ｎ２Ｆ２、ＣＦ３ＯＦ、及び、フッ化ハロゲン、例えばＩＦ５、ＣｌＦ３、ＢｒＦ３などが挙げられる。
フッ素ラジカル源との反応はきわめて発熱性であるため、フッ素ラジカル源を窒素などの不活性ガスで希釈してもよい。
フッ素ラジカル源／不活性ガス混合物中のフッ素ラジカル源のレベルは１～１００体積％であり得るが、純粋なフッ素を伴う作業は危険性が高いために約５～約２５体積％であることが好ましい。熱誘起変色が激しいフッ素化ポリマー樹脂については、フッ素化ポリマーの過熱、及び、これに付随する火災の危険性を予防するために、フッ素ラジカル源／不活性ガス混合物は十分に希釈してもよい。
上記熱処理及びフッ素化処理は、組み合わせて実施してよく、同時に行ってもよい。
上記フッ素化処理により、一般式（１）又は（２）で示される化合物や、後述する一般式（７）で示される化合物が低減される。
上記フッ素化処理の方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。フッ素化処理の温度は、１００℃超が好ましい。フッ素化処理の温度は１１０℃以上がより好ましく、１２０℃以上が更に好ましく、１３０℃以上が更により好ましく、１５０℃以上が殊更に好ましい。また、１７０℃以上が特に好ましく、１８０℃以上が更に好ましく、２００℃以上が更により好ましく、２１０℃以上が殊更に好ましく、２２０℃以上が特に好ましく、２３０℃以上が最も好ましい。また、フッ素化処理の温度は３１０℃以下であることが好ましく、３００℃以下がより好ましく、２９０℃以下が更に好ましく、２８０℃以下が更により好ましく、２７０℃以下が殊更に好ましく、２５０℃以下が特に好ましく、２４０℃以下が最も好ましい。
上記フッ素化処理の時間は特に限定されるものではないが、例えば、１分以上であり、また、２４時間以下である。
上記フッ素化処理において、フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、原料のＰＴＦＥ１００重量部に対し、０．５重量部以上が好ましく、０．８重量部以上がより好ましく、１．０重量部以上が更に好ましい。また、より好ましくは、１．６重量部以上であり、更に好ましくは２．０重量部以上であり、更により好ましくは、２．５重量部以上であり、殊更に好ましくは、３．０重量部以上であり、特に好ましくは５．０重量部以上である。また、フッ素ラジカル源の添加量は、３５．０重量部以下であることが好ましく、２６．０重量部以下であることがより好ましく、２０．０重量部以下であることが更に好ましく、１５．０重量部以下であることが特に好ましい。フッ素ラジカル源の添加量が少な過ぎると、一般式（１）又は（２）で示される化合物の除去又は低減が不十分になるおそれがある。また、同定できない化合物の除去又は低減が不十分になるおそれがある。フッ素ラジカル源の添加量が多過ぎてもフッ素化の効果は向上せず、不経済となるおそれがある。
成形体の製造方法におけるフッ素化処理においても、上述したＰＴＦＥ粉末の製造方法におけるフッ素化処理の温度とフッ素ラジカル源の含有量との組合せを全て採用できる。
フッ素化処理に使用する反応装置としては、加熱装置を備え、固―気接触を充分に行なうことができる装置であれば問題なく使用できる。具体的には流動床型、棚段型の固―気接触反応装置があげられる。
本発明の成形体の製造方法は、上記除去工程を含むものであればよい。
本発明の成形体の製造方法は、上記除去工程に加えて、更に、炭化水素系界面活性剤を使用して得られたＰＴＦＥ粉末と押出助剤とを混合する工程（１ａ）、得られた混合物をペースト押出成形する工程（１ｂ）、押出成形で得られた押出物を乾燥する工程（１ｃ）、乾燥後の押出物を焼成して成形体を得る工程（１ｄ）を含むものであってよい。上記除去工程は、工程（１ａ）後工程（１ｂ）前に行ってもよいし、工程（１ｂ）後工程（１ｃ）前に行ってもよいし、工程（１ｄ）の後に行ってもよい。工程（１ｄ）の後に除去工程として熱処理を実施する場合、熱処理の温度は３１０℃を超える温度で行うこともでき、その場合、５００℃以下で熱処理することが好ましい。
また、上記除去工程は、工程（１ｂ）、工程（１ｃ）又は工程（１ｄ）の際中に行ってもよい。上記除去工程は、複数回行ってもよい。例えば、２回、３回、４回、５回、６回、７回、８回、９回又は１０回の除去工程を行ってもよい。上記熱処理及びフッ素化処理は、組み合わせて実施してよく、同時に行ってもよい。
このように、本発明の成形体の製造方法において、除去工程は、炭化水素系界面活性剤を使用して得られたＰＴＦＥ粉末から一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減するものであってもよいし、炭化水素系界面活性剤を使用して得られたＰＴＦＥ粉末を用いて成形した成形体から一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減するものであってもよい。
上記ペースト押出成形は、従来公知の方法で行うことができ、所望の形状やサイズに応じて成形条件を選択することができる。上記ペースト押出成形は、上記ＰＴＦＥ粉末に顔料や充填剤等の従来公知の添加剤を加えて行うこともできる。
本発明の成形体の製造方法はまた、上記除去工程に加えて、更に、炭化水素系界面活性剤を使用して得られたＰＴＦＥ粉末と押出助剤とを混合する工程（２ａ）、得られた混合物を押出圧延する工程（２ｂ）、押出圧延で得られた押出物を乾燥する工程（２ｃ）、乾燥後の押出物を一軸延伸する工程（２ｄ）、一軸延伸された延伸物を二軸延伸する工程（２ｅ）、二軸延伸後の延伸物を焼成する工程（２ｆ）、焼成物を他材と積層する工程（２ｇ）を含むものであってもよい。この場合、上記除去工程は、工程（２ａ）後工程（２ｂ）前、工程（２ｂ）後工程（２ｃ）前、工程（２ｃ）後工程（２ｄ）前、工程（２ｄ）後工程（２ｅ）前、工程（２ｅ）後工程（２ｆ）前、工程（２ｆ）後工程（２ｇ）前、に行ってもよい。
また、除去工程は、工程（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）、（２ｄ）、（２ｅ）、（２ｆ）又は（２ｇ）の際中に行ってもよい。上記除去工程は、複数回行ってもよい。熱処理及びフッ素化処理を組み合わせて実施してもよく、同時に行ってもよい。
上記押出助剤としては特に限定されず、一般に公知のものを使用できる。例えば、炭化水素油等が挙げられる。
本発明の成形体の製造方法は、上記除去工程に加えて、炭化水素系界面活性剤を使用して得られたＰＴＦＥ粉末を圧縮成形する工程を含むものであってよい。その場合、上記除去工程は、圧縮成形する工程の際中、又は、圧縮成形後に行ってよい。上記除去工程は、複数回行ってもよい。熱処理、フッ素化処理を組み合わせて実施してもよい。
本発明の成形体の製造方法において、上記除去工程は、除去工程の前後で一般式（１）及び（２）で示される化合物を８０質量％以上除去するものであることが好ましく、８５質量％以上除去するものであることがより好ましく、９０質量％以上除去するものであることが更に好ましく、９５質量％以上除去するものであることが更により好ましく、９７質量％以上除去するものであることが殊更に好ましく、９８質量％以上除去するものであることが特に好ましく、９９質量％以上除去するものであることが最も好ましい。
上記除去工程は、得られるＰＴＦＥ成形体中の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を、ＰＴＦＥに対して５００ｐｐｂ以下にするものであることが好ましく、２００ｐｐｂ以下にするものであることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることが更に好ましく、５０ｐｐｂ以下にすることが特に好ましく、２５ｐｐｂ以下にすることが最も好ましい。
上述したように、一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する方法としては、特定の温度で行うフッ素化処理が好ましい形態の一つである。
すなわち、本発明は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥに、１００℃超の温度でフッ素ラジカル源を接触させて、下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とする改質ＰＴＦＥの製造方法でもある。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記特定の温度でフッ素ラジカル源を接触させること（フッ素化処理）によって、一般式（１）又は（２）で示される化合物を効率よく除去することができる。
また、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥは、一般式（１）又は（２）で示される化合物以外にも、ＰＴＦＥの重合で使用した物質の分解物等の不純物を含む場合があるが、上記特定の温度でフッ素ラジカル源を接触させることによってそのような不純物も除去することができる。
上記フッ素ラジカル源を接触させる際の温度は１００℃超である。フッ素ラジカル源を接触させる際の温度は、従来公知の方法で調整することができ、１１０℃以上が好ましく、１２０℃以上がより好ましく、１３０℃以上が更に好ましく、１５０℃以上が更により好ましく、１７０℃以上が殊更により好ましく、１８０℃以上がより好ましく、２００℃以上が特に好ましい。また、２１０℃以上が更に好ましく、２２０℃以上が特に好ましく、２３０℃以上が最も好ましい。また、３１０℃以下であることが好ましく、３００℃以下がより好ましく、２９０℃以下が更に好ましく、２８０℃以下が更により好ましく、２７０℃以下が殊更に好ましく、２５０℃以下が特に好ましく、２４０℃以下が最も好ましい。
この製造方法において、フッ素ラジカル源の添加量、及び、温度と添加量の組合せとしては上述したものを全て採用できる。
上記改質ＰＴＦＥの製造方法においてフッ素ラジカル源を接触させる場合、上述した改質ＰＴＦＥ粉末の製造方法、成形体の製造方法で説明したフッ素化処理の種々の条件（例えば、フッ素ラジカル源の種類、フッ素ラジカル源の添加量、フッ素化処理を行うタイミングや回数等）を適宜採用することができる。また、フッ素ラジカル源を接触させる方法に加えて、熱処理、水又は有機溶媒による洗浄等の除去工程で説明した除去方法を組み合わせてもよい。特に、フッ素ラジカル源を接触させて、一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程の後に、熱処理工程を行ってもよい。熱処理工程を行うことで、一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量をより低減することができる。また、一般式（７）で示される化合物の含有量もより低減することができる。熱処理工程における、熱処理の温度、時間は上述した範囲を採用できる。
上記改質ＰＴＦＥの製造方法において、上記炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥは、粉末であってもよいし、成形体であってもよい。
また、上述したように、一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する方法としては、特定量のフッ素ラジカル源を用いたフッ素化処理も好ましい形態の一つである。
すなわち、本発明は、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥをフッ素ラジカル源と接触させて、下記一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程を含み、前記フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、ＰＴＦＥ１００重量部に対して０．５重量部以上であることを特徴とするＰＴＦＥの製造方法でもある。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記特定の添加量でフッ素ラジカル源を接触させること（フッ素化処理）によって、一般式（１）又は（２）で示される化合物を効率よく除去することができる。
また、炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥは、一般式（１）又は（２）で示される化合物以外にも、ＰＴＦＥの重合で使用した物質の分解物等の不純物を含む場合があるが、上記特定の添加量でフッ素ラジカル源と接触させることによってそのような不純物も除去することができる。
上記フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、原料ＰＴＦＥ１００重量部に対し、０．５重量部以上である。好ましくは、０．８重量部以上であり、より好ましくは１．０重量部以上であり、更に好ましくは１．６重量部以上であり、より好ましくは２．０重量部以上であり、更に好ましくは、２．５重量部以上であり、更により好ましくは、３．０重量部以上であり、特に好ましくは５．０重量部以上である。また、フッ素ラジカル源の添加量は、３５．０重量部以下であることが好ましく、２６．０重量部以下であることがより好ましく、２０．０重量部以下であることが更に好ましく、１５．０重量部以下であることが特に好ましい。フッ素ラジカル源の添加量が少な過ぎると、一般式（１）又は（２）で示される化合物の除去又は低減が不十分になるおそれがある。また、同定できない化合物の除去又は低減が不十分になるおそれがある。フッ素ラジカル源の添加量が多過ぎると、フッ素化の効果は向上せず、不経済となる傾向にある。
この製造方法において、フッ素化処理の温度、及び、温度と添加量の組合せとしては、上述したものを全て採用できる。
上記改質ＰＴＦＥの製造方法においてフッ素ラジカル源を接触させる場合、上述した改質ＰＴＦＥ粉末の製造方法、成形体の製造方法で説明した種々の条件（例えば、フッ素ラジカル源の種類、フッ素化処理の温度、フッ素化処理を行うタイミングや回数等）を適宜採用することができる。
また、フッ素ラジカル源を接触させる方法に加えて、熱処理、水又は有機溶媒による洗浄等の除去工程で説明した除去方法を組み合わせてもよい。特に、フッ素ラジカル源を接触させて、一般式（１）又は（２）で示される化合物を除去又は低減する工程の後に、熱処理工程を行ってもよい。熱処理工程を行うことで、一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量をより低減することができる。また、一般式（７）で示される化合物の含有量もより低減することができる。熱処理工程における、熱処理の温度、時間は上述した範囲を採用できる。
上記改質ＰＴＦＥの製造方法において、上記炭化水素系界面活性剤を用いて得られたＰＴＦＥは、粉末であってもよいし、成形体であってもよい。
以下に、具体的な炭化水素系界面活性剤について記載する。
炭化水素系界面活性剤は、同じ分子上に親水性部分及び疎水性部分を有する。これらは、カチオン性、非イオン性又はアニオン性であってよい。
カチオン性界面活性剤は、通常、アルキル化臭化アンモニウムなどのアルキル化ハロゲン化アンモニウムなどの正に帯電した親水性部分と、長鎖脂肪酸などの疎水性部分を有する。
アニオン性界面活性剤は、通常、カルボン酸塩、スルホン酸塩又は硫酸塩などの親水性部分と、アルキルなどの長鎖炭化水素部分である疎水性部分とを有する。
非イオン性界面活性剤は、通常、帯電した基を含まず、長鎖炭化水素である疎水性部分を有する。非イオン性界面活性剤の親水性部分は、エチレンオキシドとの重合から誘導されるエチレンエーテルの鎖などの水溶性官能基を含む。
非イオン性炭化水素系界面活性剤の例
ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ソルビタンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタンアルキルエステル、グリセロールエステル、それらの誘導体。
ポリオキシエチレンアルキルエーテルの具体例：ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンベヘニルエーテル等。
ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルの具体例：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル等。
ポリオキシエチレンアルキルエステルの具体例：ポリエチレングリコールモノラウリレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリエチレングリコールモノステアレート等。
ソルビタンアルキルエステルの具体例：ポリオキシエチレンソルビタンモノラウリレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート等。
ポリオキシエチレンソルビタンアルキルエステルの具体例：ポリオキシエチレンソルビタンモノラウリレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート等。
グリセロールエステルの具体例：モノミリスチン酸グリセロール、モノステアリン酸グリセロール、モノオレイン酸グリセロール等。
上記誘導体の具体例：ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルフェニル－ホルムアルデヒド凝縮物、ポリオキシエチレンアルキルエーテルホスフェート等。
上記エーテル及びエステルは、１０～１８のＨＬＢ値を有してよい。
非イオン性炭化水素系界面活性剤としては、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ製のＴｒｉｔｏｎ（登録商標）Ｔｒｉｔｏｎ（登録商標）Ｘシリーズ（Ｘ１５、Ｘ４５、Ｘ１００等）、Ｔｅｒｇｉｔｏｌ（登録商標）１５－Ｓシリーズ、Ｔｅｒｇｉｔｏｌ（登録商標）ＴＭＮシリーズ（ＴＭＮ－６、ＴＭＮ－１０、ＴＭＮ－１００等）、Ｔｅｒｇｉｔｏｌ（登録商標）Ｌシリーズ、ＢＡＳＦ製のＰｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｒシリーズ（３１Ｒ１、１７Ｒ２、１０Ｒ５、２５Ｒ４（ｍ～２２、ｎ～２３）、Ｔ－Ｄｅｔシリーズ（Ａ１３８）、Ｉｃｏｎｏｌ（登録商標）ＴＤＡシリーズ（ＴＤＡ－６、ＴＤＡ－９、ＴＤＡ－１０）等が挙げられる。
アニオン性炭化水素系界面活性剤としては、Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＰｒｏｄｕｃｔｓのＶｅｒｓａｔｉｃ（登録商標）１０、ＢＡＳＦ製のＡｖａｎｅｌ Ｓシリーズ（Ｓ－７０、Ｓ－７４等）等が挙げられる。
炭化水素系界面活性剤としては、Ｒ－Ｌ－Ｍ１（式中、Ｒが、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでもよいし、環を巻いていてもよい。Ｌが、－ＡｒＳＯ３ －、－ＳＯ３ －、－ＳＯ４－、－ＰＯ３ －又は－ＣＯＯ－であり、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。－ＡｒＳＯ３ －は、アリールスルホン酸塩である。）によって表されるアニオン性界面活性剤も挙げられる。
具体的には、ＣＨ３－（ＣＨ２）ｎ－Ｌ－Ｍ１（式中、ｎが、６～１７の整数である。Ｌ及びＭが、上記と同じ）によって表されるものが挙げられる。
Ｒが、１２～１６個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｌが、硫酸塩又はドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）であるものの混合物も使用できる。
炭化水素系界面活性剤としては、Ｒ６（－Ｌ－Ｍ１）２（式中、Ｒ６が、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキレン基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでもよいし、環を巻いていてもよい。Ｌが、－ＡｒＳＯ３ －、－ＳＯ３ －、－ＳＯ４－、－ＰＯ３ －又は－ＣＯＯ－であり、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。－ＡｒＳＯ３ －は、アリールスルホン酸塩である。）によって表されるアニオン性界面活性剤も挙げられる。
炭化水素系界面活性剤としては、Ｒ７（－Ｌ－Ｍ１）３（式中、Ｒ７が、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキリジン基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキリジン基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでもよいし、環を巻いていてもよい。Ｌが、－ＡｒＳＯ３ －、－ＳＯ３ －、－ＳＯ４－、－ＰＯ３ －又は－ＣＯＯ－であり、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。－ＡｒＳＯ３ －は、アリールスルホン酸塩である。）によって表されるアニオン性界面活性剤も挙げられる。
シロキサン炭化水素系界面活性剤としては、Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｓ，Ｒ．Ｍ．Ｈｉｌｌ，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．，ＩＳＢＮ：０－８２４７－００１０４に記載されているものが挙げられる。シロキサン界面活性剤の構造は、明確な疎水性部分及び親水性部分を含む。疎水性部分は、１つ以上のジヒドロカルビルシロキサン単位を含み、ここで、シリコーン原子上の置換基が、完全に炭化水素である。
ヒドロカルビル基の炭素原子が、フッ素などのハロゲンによって置換され得る場合に、水素原子によって完全に置換されるという意味では、これらのシロキサン界面活性剤は、炭化水素界面活性剤とみなすこともでき、すなわち、ヒドロカルビル基の炭素原子上の一価置換基は水素である。
シロキサン界面活性剤の親水性部分は、スルフェート、スルホネート、ホスホネート、リン酸エステル、カルボキシレート、カーボネート、スルホサクシネート、タウレート（遊離酸、塩又はエステルとしての）、ホスフィンオキシド、ベタイン、ベタインコポリオール、第４級アンモニウム塩などのイオン性基を含む１つ以上の極性部分を含んでもよい。イオン性疎水性部分は、イオン的に官能化されたシロキサングラフトも含み得る。
このようなシロキサン界面活性剤としては、例えば、ポリジメチルシロキサン－グラフト－（メタ）アクリル酸塩、ポリジメチルシロキサン－グラフト－ポリアクリレート塩及びポリジメチルシロキサングラフト化第４級アミンが挙げられる。
シロキサン界面活性剤の親水性部分の極性部分は、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、及び混合されたポリエチレンオキシド／プロピレンオキシドポリエーテル（ＰＥＯ／ＰＰＯ）などのポリエーテル；単糖類及び二糖類；及びピロリジノンなどの水溶性複素環によって形成される非イオン性基を含み得る。エチレンオキシド対プロピレンオキシド（ＥＯ／ＰＯ）の比率は、混合されたポリエチレンオキシド／プロピレンオキシドポリエーテルにおいて変化され得る。
シロキサン界面活性剤の親水性部分は、イオン性部分と非イオン性部分との組合せも含み得る。このような部分としては、例えば、イオン的に末端官能化された又はランダムに官能化されたポリエーテル又はポリオールが挙げられる。本発明の実施に好ましいのは、非イオン性部分を有するシロキサン、すなわち、非イオン性シロキサン界面活性剤である。
シロキサン界面活性剤の構造の疎水性及び親水性部分の配置は、ジブロックポリマー（ＡＢ）、トリブロックポリマー（ＡＢＡ）（ここで、「Ｂ」は、分子のシロキサン部分を表す）、又はマルチブロックポリマーの形態をとってもよい。あるいは、シロキサン界面活性剤は、グラフトポリマーを含んでいてもよい。
シロキサン界面活性剤については、米国特許第６，８４１，６１６号明細書にも開示されている。
シロキサンベースのアニオン性炭化水素系界面活性剤としては、Ｌｕｂｒｉｚｏｌ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．のＮｏｖｅｏｎ（登録商標）Ｃｏｎｓｕｍｅｒ Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓから入手可能なＳｉｌＳｅｎｓｅＴＭＰＥ－１００シリコーン、ＳｉｌＳｅｎｓｅＴＭＣＡ－１シリコーン等が挙げられる。
アニオン性炭化水素系界面活性剤としては、Ａｋｚｏ Ｎｏｂｅｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ＬＬＣのスルホサクシネート界面活性剤Ｌａｎｋｒｏｐｏｌ（登録商標）Ｋ８３００等も挙げられる。
スルホサクシネート炭化水素系界面活性剤としては、スルホコハク酸ジイソデシルＮａ塩、（ＣｌａｒｉａｎｔのＥｍｕｌｓｏｇｅｎ（登録商標）ＳＢ１０）、スルホコハク酸ジイソトリデシルＮａ塩（Ｃｅｓａｐｉｎｉａ ＣｈｅｍｉｃａｌｓのＰｏｌｉｒｏｌ（登録商標）ＴＲ／ＬＮＡ）等が挙げられる。
炭化水素系界面活性剤としては、Ｏｍｎｏｖａ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ．のＰｏｌｙＦｏｘ（登録商標）界面活性剤（ＰｏｌｙＦｏｘＴＭＰＦ－１５６Ａ、ＰｏｌｙＦｏｘＴＭＰＦ－１３６Ａ等）も挙げられる。
上記炭化水素系界面活性剤としては、下記一般式（１）：
Figure 0006993591000001
 （式中、Ｒ１～Ｒ５はＨ又は一価の置換基を表し、但し、Ｒ１及びＲ３のうち、少なくとも１つは、一般式：－Ｙ－Ｒ６で示される基、Ｒ２及びＲ５のうち、少なくとも１つは、一般式：－Ｘ－Ａで示される基、又は、一般式：－Ｙ－Ｒ６で示される基を表す。
また、Ｘは、各出現において同一又は異なって、２価の連結基、又は、結合手；
Ａは、各出現において同一又は異なって、－ＣＯＯＭ、－ＳＯ３Ｍ又は－ＯＳＯ３Ｍ（Ｍは、Ｈ、金属原子、ＮＲ７ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウム、Ｒ７は、Ｈ又は有機基）；
Ｙは、各出現において同一又は異なって、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＲ８－及び－ＮＲ８ＣＯ－からなる群より選択される２価の連結基、又は、結合手、Ｒ８はＨ又は有機基；
Ｒ６は、各出現において同一又は異なって、カルボニル基、エステル基、アミド基及びスルホニル基からなる群より選択される少なくとも１種を炭素－炭素原子間に含んでもよい炭素数２以上のアルキル基；
を表す。
Ｒ１～Ｒ５のうち、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。）で示される界面活性剤（以下、界面活性剤（１）ともいう）も挙げられる。
界面活性剤（１）について説明する。
式中、Ｒ１～Ｒ５はＨ又は一価の置換基を表し、但し、Ｒ１及びＲ３のうち、少なくとも１つは、一般式：－Ｙ－Ｒ６で示される基、Ｒ２及びＲ５のうち、少なくとも１つは、一般式：－Ｘ－Ａで示される基、又は、一般式：－Ｙ－Ｒ６で示される基を表す。Ｒ１～Ｒ５のうち、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。
Ｒ１としての上記アルキル基が有してもよい上記置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～１０の環状のアルキル基、ヒドロキシ基が好ましく、メチル基、エチル基が特に好ましい。
Ｒ１としての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ１としては、置換基を有してもよい炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３～１０の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更により好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）が最も好ましい。
一価の置換基としては、一般式：－Ｙ－Ｒ６で示される基、一般式：－Ｘ－Ａで示される基、－Ｈ、置換基を有していてもよいＣ１－２０のアルキル基、－ＮＨ２、－ＮＨＲ９（Ｒ９は有機基）、－ＯＨ、－ＣＯＯＲ９（Ｒ９は有機基）又は－ＯＲ９（Ｒ９は有機基）が好ましい。上記アルキル基の炭素数は１～１０が好ましい。
Ｒ９としては、Ｃ１－１０のアルキル基又はＣ１－１０のアルキルカルボニル基が好ましく、Ｃ１－４のアルキル基又はＣ１－４のアルキルカルボニル基がより好ましい。
式中、Ｘは、各出現において同一又は異なって、２価の連結基、又は、結合手を表す。
Ｒ６がカルボニル基、エステル基、アミド基及びスルホニル基のいずれをも含まない場合は、Ｘはカルボニル基、エステル基、アミド基及びスルホニル基からなる群より選択される少なくとも１種を含む２価の連結基であることが好ましい。
Ｘとしては、－ＣＯ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－Ｏ－、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）２－、－ＣＯＮＲ８－及び－ＮＲ８ＣＯ－からなる群より選択される少なくとも１種の結合を含む２価の連結基、Ｃ１－１０のアルキレン基、又は、結合手が好ましい。Ｒ８はＨ又は有機基を表す。
Ｒ８としては、Ｈ又はＣ１－１０の有機基が好ましく、Ｈ又はＣ１－４の有機基がより好ましく、Ｈが更に好ましい。
式中、Ａは、各出現において同一又は異なって、－ＣＯＯＭ、－ＳＯ３Ｍ又は－ＯＳＯ３Ｍ（Ｍは、Ｈ、金属原子、ＮＲ７ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウム、Ｒ７はＨ又は有機基である。４つのＲ７は、同一でも異なっていてもよい。）を表す。
Ｒ７としては、Ｈ又はＣ１－１０の有機基が好ましく、Ｈ又はＣ１－４の有機基がより好ましい。
上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）等が挙げられ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉが好ましい。
Ｍとしては、Ｈ、金属原子又はＮＲ７ ４が好ましく、Ｈ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）又はＮＲ７ ４がより好ましく、Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ又はＮＨ４が更に好ましく、Ｎａ、Ｋ又はＮＨ４が更により好ましく、Ｎａ又はＮＨ４が特に好ましく、ＮＨ４が最も好ましい。
式中、Ｙは、各出現において同一又は異なって、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＲ８－及び－ＮＲ８ＣＯ－からなる群より選択される２価の連結基、又は、結合手、Ｒ８はＨ又は有機基を表す。
Ｙとしては、結合手、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＲ８－及び－ＮＲ８ＣＯ－からなる群より選択される２価の連結基が好ましく、結合手、－ＣＯＯ－及び－ＯＣＯ－からなる群より選択される２価の連結基がより好ましい。
Ｒ８としては、Ｈ又はＣ１－１０の有機基が好ましく、Ｈ又はＣ１－４の有機基がより好ましく、Ｈが更に好ましい。
式中、Ｒ６は、各出現において同一又は異なって、カルボニル基、エステル基、アミド基及びスルホニル基からなる群より選択される少なくとも１種を炭素－炭素原子間に含んでもよい炭素数２以上のアルキル基を表す。上記Ｒ６の有機基の炭素数は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましい。
Ｒ６のアルキル基は、炭素－炭素原子間にカルボニル基、エステル基、アミド基及びスルホニル基からなる群より選択される少なくとも１種を１又は２以上含むことができるが、上記アルキル基の末端にこれらの基を含まない。上記Ｒ６のアルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
Ｒ６としては、
一般式：－Ｒ１０－ＣＯ－Ｒ１１で示される基、
一般式：－Ｒ１０－ＣＯＯ－Ｒ１１で示される基、
一般式：－Ｒ１１で示される基、
一般式：－Ｒ１０－ＮＲ８ＣＯ－Ｒ１１で示される基、又は、
一般式：－Ｒ１０－ＣＯＮＲ８－Ｒ１１で示される基、
（式中、Ｒ８はＨ又は有機基を表す。Ｒ１０はアルキレン基、Ｒ１１は置換基を有してもよいｊアルキル基）が好ましい。
Ｒ６としては、一般式：－Ｒ１０－ＣＯ－Ｒ１１で示される基がより好ましい。
Ｒ８としては、Ｈ又はＣ１－１０の有機基が好ましく、Ｈ又はＣ１－４の有機基がより好ましく、Ｈが更に好ましい。
Ｒ１０のアルキレン基の炭素数は、１以上が好ましく、３以上がより好ましく、２０以下が好ましく、１２以下がより好ましく、１０以下が更に好ましく、８以下が特に好ましい。また、Ｒ１０のアルキレン基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１０がより好ましく、３～１０が更に好ましい。
Ｒ１１のアルキル基の炭素数は、１～２０であってよく、１～１５が好ましく、１～１２がより好ましく、１～１０が更に好ましく、１～８が更により好ましく、１～６が殊更好ましく、１～３が尚更に好ましく、１又は２が特に好ましく、１が最も好ましい。また、上記Ｒ１１のアルキル基は、１級炭素、２級炭素、３級炭素のみで構成されていることが好ましく、１級炭素、２級炭素のみで構成されるのが特に好ましい。すなわち、Ｒ１１としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基が好ましく、特にメチル基が最も好ましい。
界面活性剤（１）としては、一般式（１－１）で示される化合物、一般式（１－２）で示される化合物又は一般式（１－３）で示される化合物が好ましく、一般式（１－１）で示される化合物又は一般式（１－２）で示される化合物がより好ましい。
一般式（１－１）：
Figure 0006993591000002
 （式中、Ｒ３～Ｒ６、Ｘ、Ａ及びＹは、上記のとおり。）
一般式（１－２）：
Figure 0006993591000003
 （式中、Ｒ４～Ｒ６、Ｘ、Ａ及びＹは、上記のとおり。）
一般式（１－３）：
Figure 0006993591000004
 （式中、Ｒ２、Ｒ４～Ｒ６、Ｘ、Ａ及びＹは、上記のとおり。）
一般式：－Ｘ－Ａで示される基としては、
－ＣＯＯＭ、
－Ｒ１２ＣＯＯＭ、
－ＳＯ３Ｍ、
－ＯＳＯ３Ｍ、
－Ｒ１２ＳＯ３Ｍ、
－Ｒ１２ＯＳＯ３Ｍ、
－ＯＣＯ－Ｒ１２－ＣＯＯＭ、
－ＯＣＯ－Ｒ１２－ＳＯ３Ｍ、
－ＯＣＯ－Ｒ１２－ＯＳＯ３Ｍ
－ＣＯＯ－Ｒ１２－ＣＯＯＭ、
－ＣＯＯ－Ｒ１２－ＳＯ３Ｍ、
－ＣＯＯ－Ｒ１２－ＯＳＯ３Ｍ、
－ＣＯＮＲ８－Ｒ１２－ＣＯＯＭ、
－ＣＯＮＲ８－Ｒ１２－ＳＯ３Ｍ、
－ＣＯＮＲ８－Ｒ１２－ＯＳＯ３Ｍ、
－ＮＲ８ＣＯ－Ｒ１２－ＣＯＯＭ、
－ＮＲ８ＣＯ－Ｒ１２－ＳＯ３Ｍ、
－ＮＲ８ＣＯ－Ｒ１２－ＯＳＯ３Ｍ、
－ＯＳ（＝Ｏ）２－Ｒ１２－ＣＯＯＭ、
－ＯＳ（＝Ｏ）２－Ｒ１２－ＳＯ３Ｍ、又は
－ＯＳ（＝Ｏ）２－Ｒ１２－ＯＳＯ３Ｍ
（式中、Ｒ８及びＭは、上記のとおり。Ｒ１２はＣ１－１０のアルキレン基。）が好ましい。
上記Ｒ１２のアルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキレン基であることが好ましい。
一般式：－Ｙ－Ｒ６で示される基としては、
一般式：－Ｒ１０－ＣＯ－Ｒ１１で示される基、
一般式：－ＯＣＯ－Ｒ１０－ＣＯ－Ｒ１１で示される基、
一般式：－ＣＯＯ－Ｒ１０－ＣＯ－Ｒ１１で示される基、
一般式：－ＯＣＯ－Ｒ１０－ＣＯＯ－Ｒ１１で示される基、
一般式：－ＣＯＯ－Ｒ１１で示される基で示される基、
一般式：－ＮＲ８ＣＯ－Ｒ１０－ＣＯ－Ｒ１１で示される基、又は、
一般式：－ＣＯＮＲ８－Ｒ１０－ＮＲ８ＣＯ－Ｒ１１で示される基
（式中、Ｒ８、Ｒ１０及びＲ１１は上記のとおり。）が好ましい。
式中、Ｒ４及びＲ５としては、独立に、Ｈ又はＣ１－４のアルキル基が好ましい。
上記Ｒ４及びＲ５のアルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
一般式（１－１）におけるＲ３としては、Ｈ又は置換基を有していてもよいＣ１－２０のアルキル基が好ましく、Ｈ又は置換基を有していないＣ１－２０のアルキル基がより好ましく、Ｈが更に好ましい。
上記Ｒ３のアルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
一般式（１－３）におけるＲ２としては、Ｈ、ＯＨ又は置換基を有していてもよいＣ１－２０のアルキル基が好ましく、Ｈ、ＯＨ又は置換基を有していないＣ１－２０のアルキル基がより好ましく、Ｈ又はＯＨが更に好ましい。
上記Ｒ２のアルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
界面活性剤（１）は、式：Ｒ６－ＣＯＯＨ（式中、Ｒ６は上述のとおり。）で示されるカルボン酸と、ハロゲン化剤とを反応させて、式：Ｒ６－ＣＯＺ（式中、Ｒ６は上述のとおり。Ｚはハロゲン原子。）で示されるカルボン酸ハライドを得る工程（１１）、及び、
上記カルボン酸ハライドと、式：
Figure 0006993591000005
 （式中、Ｒ３～Ｒ５、Ｘ及びＡは、上記のとおり。Ｚ１１は―ＣＨ２Ｏ－、－Ｏ－又は－ＮＨ－。）で示される化合物を反応させて、式：
Figure 0006993591000006
 （式中、Ｒ３～Ｒ６、Ｘ、Ａ及びＺ１１は、上記のとおり。）で示される化合物（１２）を得る工程（１２）を含む製造方法により、好適に製造できる。
上記酸化合物の式におけるＲ３としては、一般式：－Ｚ１１Ｈ（式中、Ｚ１１は上記のとおり。）で示される基、又は、－Ｈが好ましい。Ｒ３が一般式：－Ｚ１１Ｈで示される基である場合、工程（１２）において上記基が上記カルボン酸ハライドと反応し、一般式：－Ｚ１１－ＣＯ－Ｒ６（式中、Ｒ６及びＺ１１は上記のとおり。）で示される基が生成する。
工程（１１）で使用するハロゲン化剤としては、塩化オキサリル、塩化チオニル、三フッ化ジエチルアミノ硫黄（ＤＡＳＴ）、Ｄｅｏｘｏ－Ｆｌｕｏｒ（デオキソフルオル）、１，１，２，２－ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ－Ｎ，Ｎ－ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ（ＴＦＥＤＭＡ）等が挙げられる。
Ｚとしては、Ｆ又はＣｌが好ましく、Ｃｌがより好ましい。
工程（１１）において、上記カルボン酸と上記ハロゲン化剤との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記カルボン酸１モルに対して、上記ハロゲン化剤が０．６～５．０モルであることが好ましく、０．８～２．０モルであることがより好ましい。また、０．５～１０モルであることが好ましく、０．６～５．０モルであることがより好ましい。
工程（１１）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、エステル、ケトン、芳香族炭化水素、エーテル、含窒素極性有機化合物、ハロゲン化炭化水素、ニトリル、ピリジン、又はこれらの混合物が挙げられる。
上記エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１－メトキシ－２－アセトキシプロパン）等が挙げられ、なかでも、酢酸エチルが好ましい。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（１１）における反応の温度としては、０～１５０℃が好ましく、２０～１００℃がより好ましい。また、－７８～１５０℃が好ましく、０～１００℃がより好ましい。
工程（１１）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（１１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（１２）において、上記カルボン酸ハライドと上記酸化合物との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記カルボン酸ハライド１モルに対して、上記酸化合物が０．５～１０モルであることが好ましく、０．６～５．０モルであることがより好ましく、０．８～２．０モルであることが更に好ましい。
工程（１２）における反応は、酸の存在下に実施することが好ましい。上記酸としては、硫酸、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸等が挙げられ、なかでも、硫酸が好ましい。
工程（１２）における上記酸の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記カルボン酸ハライド１モルに対して、０．００００１～１．０モルが好ましく、０．０００１～１．０モルがより好ましく、０．００００５～０．１モルが更に好ましく、０．００１～０．１モルが特に好ましい。
工程（１２）における反応の温度としては、０～１５０℃が好ましく、２０～１００℃がより好ましい。
工程（１２）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（１２）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（１）は、また、式：
Figure 0006993591000007
 （式中、Ｒ１～Ｒ５は上記のとおり。Ｚ１１は－ＣＨ２Ｏ－、－Ｏ－又は－ＮＨ－。）で示される化合物（２０）と、式：
Figure 0006993591000008
 （式中、ｎは１～５の整数。）で示される酸無水物とを反応させて、式：
Figure 0006993591000009
 （式中、Ｒ１～Ｒ５、Ｚ１１、Ｍ及びｎは、上記のとおり。）で示される化合物（２１）を得る工程（２１）を含む製造方法により、好適に製造できる。
化合物（２０）の式におけるＲ２としては、一般式：－Ｚ１１Ｈ（式中、Ｚ１１は上記のとおり。）で示される基、又は、－Ｈが好ましい。Ｒ２が一般式：－Ｚ１１Ｈで示される基である場合、工程（２１）において上記基が上記酸無水物と反応し、一般式：－Ｚ１１－ＣＯ－（ＣＨ２）ｎ－ＣＯＯＭ（式中、Ｚ１１、Ｍ及びｎは上記のとおり。）で示される基が生成する。化合物（２０）は、上記式で示される構造を含むものであれば、塩酸塩、硫酸塩等であってもよい。
工程（２１）において、化合物（２０）と上記酸無水物との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（２０）１モルに対して、上記酸無水物が０．５～１０モルであることが好ましく、０．６～５．０モルであることがより好ましく、１．２～１０モルであることが更に好ましく、１．６～４．０モルであることが特に好ましい。
工程（２１）における反応は、塩基の存在下で実施できる。
上記塩基としては、アミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。
上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられ、ピリジン又はトリエチルアミンが好ましい。
工程（２１）における反応の温度としては、０～１５０℃が好ましく、２０～８０℃がより好ましい。また、－７８～１５０℃が好ましく、０～１００℃がより好ましい。
工程（２１）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（２１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（１）は、また、式：
Figure 0006993591000010
 （式中、Ｒ４及びＲ５は上記のとおり。）で示される酒石酸エステルと、式：Ｒ６Ｒ８－ＮＨ（式中、Ｒ６及びＲ８は上記のとおり。）で示されるアミンとを反応させて、式：
Figure 0006993591000011
 （式中、Ｒ４～Ｒ６及びＲ８は上記のとおり。）で示される化合物（３１）を得る工程（３１）、及び、
化合物（３１）と式：
Figure 0006993591000012
 （式中、Ｍは、上記のとおり。）で示される塩化スルホン酸とを反応させて、式：
Figure 0006993591000013
 （式中、Ｒ４～Ｒ６、Ｒ８及びＭは上記のとおり。）で示される化合物（３２）を得る工程（３２）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（３１）において、上記酒石酸エステルと上記アミンとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記酒石酸エステル１モルに対して、上記アミンが０．５～１０モルであることが好ましく、０．６～５．０モルであることがより好ましく、１．２～５モルであることが更に好ましく、１．６～５．０モルであることが特に好ましい。
工程（３１）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、アルコール、エーテル、ハロゲン化炭化水素、含窒素極性有機化合物又はニトリルが更に好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられる。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられる。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。
工程（３１）における反応の温度としては、０～１５０℃が好ましく、２０～１００℃がより好ましい。
工程（３１）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３２）において、化合物（３１）と上記塩化スルホン酸との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（３１）１モルに対して、上記塩化スルホン酸が１．０～５０モルであることが好ましく、１．６～２０モルがより好ましい。
工程（３２）における反応は、塩基の存在下に実施することが好ましい。上記塩基としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アミン等が挙げられ、なかでも、アミンが好ましい。
工程（３２）における上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられる。なかでも、トリエチルアミンが好ましい。
工程（３２）における上記塩基の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（３１）１モルに対して、０．１～５０モルが好ましく、１．０～２０モルがより好ましい。
工程（３２）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、ニトリル、ハロゲン化炭化水素、ジメチルスルホキシド、スルホラン、含窒素極性有機化合物又はエーテルが更に好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（３２）における反応の温度としては、－７８～１５０℃が好ましく、－７８～１００℃がより好ましく、－２０～１００℃が更に好ましく、１０～５０℃が特に好ましい。
工程（３２）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１．０Ｐａがより好ましい。
工程（３２）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（１）は、また、式：
Figure 0006993591000014
 （式中、Ｒ１及びＲ３～Ｒ５は上記のとおり。）で示されるアルコールと、式：
Figure 0006993591000015
 （式中、ｎは１～５の整数。）で示される酸無水物とを反応させて、式：
Figure 0006993591000016
 （式中、Ｒ１、Ｒ３～Ｒ５、Ｍ及びｎは、上記のとおり。）で示される化合物（４１）を得る工程（４１）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（４１）において、上記アルコールと上記酸無水物との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記アルコール１モルに対して、上記酸無水物が０．５～１０モルであることが好ましく、０．６～４．０モルであることがより好ましく、１．２～４．０モルであることが更に好ましく、１．６～４．０モルであることが特に好ましい。
工程（４１）における反応は、塩基の存在下で実施できる。
上記塩基としては、アミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。
上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられ、ピリジン又はトリエチルアミンが好ましい。
工程（４１）における反応の温度としては、－７８～１５０℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましく、０～１００℃が更に好ましく、２０～８０℃が特に好ましい。
工程（４１）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（４１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（１）は、また、式：
Figure 0006993591000017
 （式中、Ｒ４及びＲ５は上記のとおり。）で示される酒石酸エステルと、式：Ｒ６Ｒ８－ＮＨ（式中、Ｒ６及びＲ８は上記のとおり。）で示されるアミンとを反応させて、式：
Figure 0006993591000018
 （式中、Ｒ４～Ｒ６及びＲ８は上記のとおり。）で示される化合物（３１）を得る工程（３１）、及び、
化合物（３１）と、式：
Figure 0006993591000019
 （式中、ｎは１～５の整数。）で示される酸無水物とを反応させて、式：
Figure 0006993591000020
 （式中、Ｒ４～Ｒ６、Ｒ８、Ｍ及びｎは、上記のとおり。）で示される化合物（５１）を得る工程（５１）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（５１）において、化合物（３１）と上記酸無水物との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（３１）１モルに対して、上記酸無水物が０．５～１０モルであることが好ましく、０．６～４．０モルであることがより好ましく、１．２～４．０モルであることが更に好ましく、１．６～４．０モルであることが特に好ましい。
工程（５１）における反応は、塩基の存在下で実施できる。
上記塩基としては、アミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。
上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられ、ピリジン又はトリエチルアミンが好ましい。
工程（５１）における反応の温度としては、－７８～１５０℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましく、０～１００℃が更に好ましく、２０～８０℃が特に好ましい。
工程（５１）における反応の圧力としては、０～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（５１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（１）は、また、式：Ｒ６－ＯＨ（式中、Ｒ６は上述のとおり。）で示されるアルコールと、フマル酸ハロゲン化物とを反応させて、式：
Figure 0006993591000021
 （式中、Ｒ６は上述のとおり。）で示される化合物（６１）を得る工程（６１）、及び、
化合物（６１）と、亜硫酸水素ナトリウム等のスルホン酸化剤とを反応させて、式：
Figure 0006993591000022
 （式中、Ｒ６及びＸは上述のとおり。）で示される化合物（６２）を得る工程（６２）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（６１）で使用するフマル酸ハロゲン化物としては、フマリルクロリド、フマリルフルオリド、フマリルブロミド等が挙げられる。
工程（６１）において、上記アルコールと上記フマル酸ハロゲン化物との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記アルコール１モルに対して、上記フマル酸ハロゲン化物が０．１～１０モルであることが好ましく、０．１～２．０モルであることがより好ましく、０．１～２．０モルであることが更に好ましく、０．２～０．７モルであることが特に好ましい。
工程（６１）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、エステル、ケトン、芳香族炭化水素、エーテル、含窒素極性有機化合物、ハロゲン化炭化水素、ニトリル、ピリジン又はこれらの混合物が挙げられる。
上記エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１－メトキシ－２－アセトキシプロパン）等が挙げられ、なかでも、酢酸エチルが好ましい。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（６１）における反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（６１）における反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（６１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（６２）では、二重結合を有する化合物（６１）と亜硫酸水素ナトリウム等のスルホン化剤との付加反応によって、化合物（６２）が生成する。
工程（６２）において、化合物（６１）と上記スルホン化剤との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（６１）１モルに対して、上記スルホン化剤が０．５～２０．０モルであることが好ましく、０．６～１０．０モルであることがより好ましく、０．８～１０．０モルであることが更に好ましく、１．２～１０．０モルであることが特に好ましい。
工程（６２）は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水溶性溶媒が好ましく、水、アルコール、エーテル、ニトリル等が挙げられる。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられる。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（６２）における反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（６２）における反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（６２）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（１）は、また、式：
Figure 0006993591000023
 （式中、Ｒ１０、Ｒ１１及びＹは、上記のとおり。）で示される化合物（７０）を硫酸エステル化して、式：
Figure 0006993591000024
 （式中、Ｒ１０、Ｒ１１及びＹは、上記のとおり。Ａ１００は－ＯＨ又は－ＯＳＯ３Ｍ。Ｍは上記のとおり。）で示される化合物（７１）を得る工程（７１）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（７１）における硫酸エステル化は、化合物（７０）と硫酸化試薬とを反応させることにより実施できる。上記硫酸化試薬としては、三酸化硫黄ピリジン錯体、三酸化硫黄トリメチルアミン錯体、三酸化硫黄トリエチルアミン錯体等の三酸化硫黄アミン錯体、三酸化硫黄ジメチルホルムアミド錯体等の三酸化硫黄アミド錯体、硫酸－ジシクロヘキシルカルボジイミド、クロロ硫酸、濃硫酸、スルファミン酸等が挙げられる。上記硫酸化試薬の使用量としては、化合物（７０）１モルに対して、０．５～１０モルが好ましく、０．５～５モルがより好ましく、０．７～４モルが更に好ましい。上記硫酸化試薬の使用量を調整することにより、化合物（２０）が有する２つの－ＯＨ基の一方又は両方を硫酸エステル化させられる。
工程（７１）における硫酸エステル化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ピリジン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ニトリル等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（７１）における硫酸エステル化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（７１）における硫酸エステル化の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０．１～５ＭＰａがより好ましい。
工程（７１）における硫酸エステル化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
化合物（７０）は、また、式：
Figure 0006993591000025
 （式中、Ｒ１０及びＹは、上記のとおり。Ｒ１００は、アルキル基である。）で示される化合物（１００）をヒドロキシ化して、式：
Figure 0006993591000026
 （式中、Ｒ１０、Ｒ１００及びＹは、上記のとおり。）で示される化合物（１０１）を得る工程（１０１）、及び、
化合物（１０１）を酸化して、化合物（７０）を得る工程（１０２）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１００としてのアルキル基は、Ｒ１００－ＣＨ２－として、上述したＲ１１を構成する。
工程（１０１）におけるヒドロキシ化は、例えば、（１）酸素雰囲気中で化合物（１００）にフタロシアニン鉄（ＩＩ）（Ｆｅ（Ｐｃ））及び水素化ホウ素ナトリウムを作用させる方法や、（２）化合物（１００）にイソピノカンフェイルボラン（ＩｐｃＢＨ２）を作用させた後、得られる中間体（ジアルキルボラン）を酸化する方法により実施できる。
方法（１）において、フタロシアニン鉄（ＩＩ）の量は、触媒量であってよく、化合物（１００）１モルに対して、０．００１～１．２モルの量で使用できる。
方法（１）において、水素化ホウ素ナトリウムは、化合物（１００）１モルに対して、０．５～２０モルの量で使用できる。
方法（１）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル、含窒素極性有機化合物等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
方法（１）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
方法（１）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
方法（１）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
方法（２）において、イソピノカンフェイルボランは、化合物（１００）１モルに対して、０．１～１０．０モルの量で使用できる。
化合物（１００）とイソピノカンフェイルボランとの反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
化合物（１００）とイソピノカンフェイルボランとの反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
化合物（１００）とイソピノカンフェイルボランとの反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
化合物（１００）とイソピノカンフェイルボランとの反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
方法（２）における酸化は、上記中間体に酸化剤を作用させることにより実施できる。上記酸化剤としては、過酸化水素等が挙げられる。上記酸化剤は、上記中間体１モルに対して、０．７～１０モルの量で使用できる。
方法（２）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、メタノール、エタノール等が挙げられ、なかでも水が好ましい。
方法（２）における酸化の温度としては、－７８～１５０℃が好ましく、０～１００℃がより好ましく、１０～８０℃が更に好ましい。
方法（２）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
方法（２）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（１０２）において、化合物（１０１）を酸化する方法としては、例えば、（ａ）ジョーンズ試薬（ＣｒＯ３／Ｈ２ＳＯ４）を用いる方法（ジョーンズ酸化）、（ｂ）デス・マーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）を用いる方法（デス・マーチン酸化）、（ｃ）クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）を用いる方法、（ｄ）ＮｉＣｌ２等のニッケル化合物の存在下に漂白剤（ＮａＯＣｌの約５～６％水溶液）を作用させる方法、（ｅ）Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］３等のアルミニウム触媒の存在下にアルデヒド、ケトン等の水素受容体を作用させる方法（オッペナウアー酸化）が挙げられる。
工程（１０２）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、ケトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル等が挙げられる。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（１０２）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１０２）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１０２）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
化合物（７０）は、また、式：
Figure 0006993591000027
 （式中、Ｒ１０、Ｒ１１及びＹは、上記のとおり。Ｒ１０１は、有機基である。）で示される化合物（２００）をオゾン分解して、化合物（７０）を得る工程（２０１）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１０１としては、炭素数１～２０のアルキル基が好ましい。４個のＲ１０１は、同一でも異なっていてもよい。
工程（２０１）におけるオゾン分解は、化合物（２００）にオゾンを作用させた後、還元剤で後処理することにより実施できる。
オゾンは、酸素ガス中の無声放電によって発生させることができる。
上記後処理に用いる還元剤としては、亜鉛、ジメチルスルフィド、チオウレア、ホスフィン類等が挙げられ、なかでもホスフィン類が好ましい。
工程（２０１）におけるオゾン分解は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、アルコール、カルボン酸類、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なかでも、メタノール、エタノールが好ましい。
上記カルボン酸類としては、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。なかでも、酢酸が好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（２０１）におけるオゾン分解の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
工程（２０１）におけるオゾン分解の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（２０１）におけるオゾン分解の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
化合物（７０）は、また、式：
Figure 0006993591000028
 （式中、Ｒ１０及びＹは、上記のとおり。Ｒ１００は、アルキル基である。）で示される化合物（３００）をエポキシ化して、式：
Figure 0006993591000029
 （式中、Ｒ１０、Ｒ１００及びＹは、上記のとおり。）で示される化合物（３０１）を得る工程（３０１）、
化合物（３０１）と、Ｒ１０２ ２ＣｕＬｉ（Ｒ１０２は、アルキル基）で示されるジアルキル銅リチウムとを反応させて、式：
Figure 0006993591000030
 （式中、Ｒ１０、Ｒ１００、Ｒ１０２及びＹは、上記のとおり。）で示される化合物（３０２）を得る工程（３０２）、及び、
化合物（３０２）を酸化して、化合物（７０）を得る工程（３０３）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１００及びＲ１０２としての上記アルキル基は、Ｒ１００Ｒ１０２－ＣＨ－として、上述したＲ１１を構成する。
２個のＲ１００は、同一でも異なっていてもよい。２個のＲ１０２は、同一でも異なっていてもよい。
工程（３０１）におけるエポキシ化は、化合物（３００）にエポキシ化剤を作用させることにより実施できる。
上記エポキシ化剤としては、メタクロロ過安息香酸（ｍ－ＣＰＢＡ）、過安息香酸、過酸化水素、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロペルオキソド等の過酸、ジメチルジオキシラン、メチルトリフルオロメチルジオキシラン等が挙げられ、なかでも過酸が好ましく、メタクロロ過安息香酸がより好ましい。
上記エポキシ化剤は、化合物（３００）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（３０１）におけるエポキシ化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、ケトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル、ピリジン、含窒素極性有機化合物、ジメチルスルホキシド等が挙げられ、なかでもジクロロメタンが好ましい。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
工程（３０１）におけるエポキシ化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（３０１）におけるエポキシ化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（３０１）におけるエポキシ化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３０２）において、上記ジアルキル銅リチウムは、化合物（３０１）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（３０２）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（３０２）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（３０２）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（３０２）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３０３）において、化合物（３０２）を酸化する方法としては、例えば、（ａ）ジョーンズ試薬（ＣｒＯ３／Ｈ２ＳＯ４）を用いる方法（ジョーンズ酸化）、（ｂ）デス・マーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）を用いる方法（デス・マーチン酸化）、（ｃ）クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）を用いる方法、（ｄ）ＮｉＣｌ２等のニッケル化合物の存在下に漂白剤（ＮａＯＣｌの約５～６％水溶液）を作用させる方法、（ｅ）Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］３等のアルミニウム触媒の存在下にアルデヒド、ケトン等の水素受容体を作用させる方法（オッペナウアー酸化）が挙げられる。
工程（３０３）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、ケトン、アルコール、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル等が挙げられる。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なかでも、メタノール、エタノールが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（３０３）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３０３）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３０３）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
化合物（７０）は、また、式：
Figure 0006993591000031
 （式中、Ｒ１０及びＹは、上記のとおり。Ｒ１００は、アルキル基である。）で示される化合物（４００）を酸化して、化合物（７０）を得る工程（４０１）を含む製造方法により製造できる。
工程（４０１）における酸化は、水及びパラジウム化合物の存在下で、化合物（４００）に酸化剤を作用させることにより実施できる。
上記酸化剤としては、塩化銅、酢酸銅、シアン化銅、トリフルオロメタンチオール銅等の一価又は二価の銅塩、塩化鉄、酢酸鉄、シアン化鉄、トリフルオロメタンチオール鉄、ヘキサシアノ鉄等の鉄塩、１，４－ベンゾキノン、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン、テトラクロロ－１，２－ベンゾキノン、テトラクロロ－１，４－ベンゾキノン等のベンゾキノン類、Ｈ２Ｏ２、ＭｎＯ２、ＫＭｎＯ４、ＲｕＯ４、ｍ－クロロ過安息香酸、酸素等、又はそれらの組み合わせが挙げられる。なかでも、銅塩、鉄塩、ベンゾキノン類が好ましく、塩化銅、塩化鉄、１，４－ベンゾキノンがより好ましい。
上記酸化剤は、化合物（４００）１モルに対して、０．００１～１０モルの量で使用できる。
上記水の量は、化合物（４００）１モルに対して、０．５～１０００モルの量で使用できる。
上記パラジウム化合物としては、二塩化パラジウムが挙げられる。上記パラジウム化合物の量は、触媒量であってよく、化合物（４００）１モルに対して、０．０００１～１．０モルの量で使用できる。
工程（４０１）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、エステル、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコール、カルボン酸類、エーテル、ハロゲン化炭化水素、含窒素極性有機化合物、ニトリル、ジメチルスルホキシド、スルホランが挙げられる。
上記エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１－メトキシ－２－アセトキシプロパン）等が挙げられ、なかでも、酢酸エチルが好ましい。
上記脂肪族炭化水素としては、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ミネラルスピリット等が挙げられ、なかでも、シクロヘキサン、ヘプタンが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記カルボン酸類としては、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。なかでも、酢酸が好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（４０１）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（４０１）における酸化の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０．１～５．０ＭＰａがより好ましい。
工程（４０１）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
化合物（１００）、化合物（３００）及び化合物（４００）は、式：
Figure 0006993591000032
 （式中、Ｒ１０及びＹは、上記のとおり。Ｒ１００は、アルキル基である。）で示されるアルデヒドに還元剤を作用させて、化合物（１００）を得る工程（５０１）を含む製造方法により製造できる。
工程（５０１）では、還元的カップリング反応により、上記アルデヒトが二量化して、化合物（１００）、化合物（３００）及び化合物（４００）が生成する。工程（５０１）で使用する還元剤としては、二ヨウ化サマリウム、二塩化チタン、三塩化バナジウム、四塩化チタン、ビス（シクロオクタジエン）ニッケル、銅、マグネシウム、亜鉛、ナトリウム、三塩化セリウム、酸化クロム、水素化トリフェニルスズ等が挙げられる。上記還元剤は組み合わせで用いてもよい。上記還元剤の使用量としては、上記アルデヒト１モルに対して、０．００１～１０モルが好ましく、０．０１～５モルがより好ましく、０．１～２モルが更に好ましい。
工程（５０１）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、ピリジン、ニトリル、芳香族炭化水素等がより好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（５０１）における反応は、アルコールの存在下で実施することが好ましい。上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等が挙げられる。
工程（５０１）における反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１００℃がより好ましい。
工程（５０１）における反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（５０１）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
上述したいずれの製造方法においても、各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。また、得られる化合物が－ＣＯＯＨ、－ＳＯ３Ｈ、－ＯＳＯ３Ｈ等のＭがＨである化合物である場合は、炭酸ナトリウム、アンモニア等のアルカリと接触させることにより、これらの基を塩型に変換できる。
上記炭化水素系界面活性剤としては、また、カルボニル基（但し、カルボキシル基中のカルボニル基を除く）を１つ以上有する炭化水素系界面活性剤も挙げられる。
また、上記カルボニル基（但し、カルボキシル基中のカルボニル基を除く）を１つ以上有する炭化水素系界面活性剤にラジカル処理又は酸化処理を行った炭化水素系界面活性剤も使用できる。
上記ラジカル処理とは、カルボニル基（但し、カルボキシル基中のカルボニル基を除く）を１つ以上有する炭化水素系界面活性剤にラジカルを発生させる処理であればよく、例えば、反応器に、脱イオン水、炭化水素系界面活性剤を加え、反応器を密閉し、系内を窒素で置換し、反応器を昇温・昇圧した後、重合開始剤を仕込み、一定時間撹拌した後、反応器を大気圧になるまで脱圧を行い、冷却を行う処理である。上記酸化処理とは、カルボニル基（但し、カルボキシル基中のカルボニル基を除く）を１つ以上有する炭化水素系界面活性剤に酸化剤を添加させる処理である。酸化剤としては、例えば、酸素、オゾン、過酸化水素水、酸化マンガン（ＩＶ）、過マンガン酸カリウム、二クロム酸カリウム、硝酸、二酸化硫黄などが挙げられる。
上記カルボニル基（但し、カルボキシル基中のカルボニル基を除く）を１つ以上有する炭化水素系界面活性剤としては、式：Ｒ－Ｘ（式中、Ｒは、カルボニル基（但し、カルボキシル基中のカルボニル基を除く）を１つ以上有する炭素数１～２０００のフッ素非含有有機基であり、Ｘは、－ＯＳＯ３Ｘ１、－ＣＯＯＸ１又は－ＳＯ３Ｘ１（Ｘ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ１ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ１はＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。））で示される界面活性剤が好ましい。Ｒは、炭素数が５００以下であることが好ましく、１００以下であることがより好ましく、５０以下であることが更に好ましく、３０以下であることが更により好ましい。
上記特定の炭化水素系界面活性剤としては、下記式（ａ）：
Figure 0006993591000033
 （式中、Ｒ１ａは、炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素原子に結合した水素原子がヒドロキシ基又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよく、炭素数が２以上の場合はカルボニル基を含んでもよく、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。Ｒ２ａ及びＲ３ａは、独立に、単結合又は２価の連結基である。Ｒ１ａ、Ｒ２ａ及びＲ３ａは、炭素数が合計で６以上である。Ｘａは、Ｈ、金属原子、ＮＲ４ａ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ４ａはＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。Ｒ１ａ、Ｒ２ａ及びＲ３ａは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。）で示される界面活性剤（ａ）、下記式（ｂ）：
Figure 0006993591000034
 （式中、Ｒ１ｂは、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。Ｒ２ｂ及びＲ４ｂは、独立に、Ｈ又は置換基である。Ｒ３ｂは、置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基である。ｎは、１以上の整数である。ｐ及びｑは、独立に、０以上の整数である。Ｘｂは、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ｂ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ５ｂはＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ及びＲ４ｂは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｂ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｂＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｂ－Ｂ－、－ＮＲ６ＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１から１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｂは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－ＯＳＯ３Ｘｂに結合する側を指す。）で示される界面活性剤（ｂ）、下記式（ｃ）：
Figure 0006993591000035
 （式中、Ｒ１ｃは、炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素原子に結合した水素原子がヒドロキシ基又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよく、炭素数が２以上の場合はカルボニル基を含んでもよく、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、独立に、単結合又は２価の連結基である。Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、炭素数が合計で５以上である。Ａｃは、－ＣＯＯＸｃ又は－ＳＯ３Ｘｃ（Ｘｃは、Ｈ、金属原子、ＮＲ４ｃ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ４ｃはＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。）である。Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。）で示される界面活性剤（ｃ）、及び、下記式（ｄ）：
Figure 0006993591000036
 （式中、Ｒ１ｄは、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。Ｒ２ｄ及びＲ４ｄは、独立に、Ｈ又は置換基である。Ｒ３ｄは、置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基である。ｎは、１以上の整数である。ｐ及びｑは、独立に、０以上の整数である。Ａｄは、－ＳＯ３Ｘｄ又は－ＣＯＯＸｄ（Ｘｄは、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ｄ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ５ｄはＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。）である。Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄ及びＲ４ｄは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１から１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中のＡｄに結合する側を指す。）で示される界面活性剤（ｄ）からなる群より選択される少なくとも１種がより好ましい。
界面活性剤（ａ）について説明する。
式（ａ）中、Ｒ１ａは、炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３以上の環状のアルキル基である。
上記アルキル基は、炭素数が３以上の場合、２つの炭素原子間にカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を含んでもよい。また、上記アルキル基は、炭素数が２以上の場合、上記アルキル基の末端に上記カルボニル基を含むこともできる。すなわち、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－で示されるアセチル基等のアシル基も、上記アルキル基に含まれる。
また、上記アルキル基は、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含むこともできるし、環を形成することもできる。上記複素環としては、不飽和複素環が好ましく、含酸素不飽和複素環がより好ましく、例えば、フラン環等が挙げられる。Ｒ１ａにおいて、２価の複素環が２つの炭素原子間に挿入されていてもよいし、２価の複素環が末端に位置して－Ｃ（＝Ｏ）－と結合してもよいし、１価の複素環が上記アルキル基の末端に位置してもよい。
なお、本明細書において、上記アルキル基の「炭素数」には、カルボニル基を構成する炭素原子の数及び上記複素環を構成する炭素原子の数も含めるものとする。例えば、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ２－で示される基は炭素数が３であり、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ２Ｈ４－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ２Ｈ４－で示される基は炭素数が７であり、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－で示される基は炭素数が２である。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０１ａ（式中、Ｒ１０１ａはアルキル基）で示される基が挙げられる。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
式中、Ｒ２ａ及びＲ３ａは、独立に、単結合又は２価の連結基である。
Ｒ２ａ及びＲ３ａは、独立に、単結合又は炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基又は炭素数３以上の環状のアルキレン基であることが好ましい。
Ｒ２ａ及びＲ３ａを構成する上記アルキレン基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０２ａ（式中、Ｒ１０２ａはアルキル基）で示される基が挙げられる。
上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキレン基であることが好ましい。
Ｒ１ａ、Ｒ２ａ及びＲ３ａは、炭素数が合計で６以上である。合計の炭素数としては、８以上が好ましく、９以上がより好ましく、１０以上が更に好ましく、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましく、１５以下が更に好ましい。
Ｒ１ａ、Ｒ２ａ及びＲ３ａは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。
式（ａ）中、Ｘａは、Ｈ、金属原子、ＮＲ４ａ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ４ａはＨ又は有機基である。４つのＲ４ａは、同一でも異なっていてもよい。Ｒ４ａとしては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）等が挙げられ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉが好ましい。
Ｘａとしては、Ｈ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）又はＮＲ４ａ ４が好ましく、水に溶解しやすいことから、Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ又はＮＨ４がより好ましく、水に更に溶解しやすいことから、Ｎａ、Ｋ又はＮＨ４が更に好ましく、Ｎａ又はＮＨ４が特に好ましく、除去が容易であることから、ＮＨ４が最も好ましい。ＸａがＮＨ４であると、上記界面活性剤の水性媒体への溶解性が優れるとともに、ＰＴＦＥ中又は最終製品中に金属成分が残留しにくい。
Ｒ１ａとしては、カルボニル基を含まない炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、カルボニル基を含まない炭素数３～８の環状のアルキル基、１～１０個のカルボニル基を含む炭素数２～４５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、カルボニル基を含む炭素数３～４５の環状のアルキル基、又は、炭素数が３～４５の１価又は２価の複素環を含むアルキル基が好ましい。
また、Ｒ１ａとしては、下記式：
Figure 0006993591000037
 （式中、ｎ１１ａは０～１０の整数であり、Ｒ１１ａは炭素数１～５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～５の環状のアルキル基であり、Ｒ１２ａは炭素数０～３のアルキレン基である。ｎ１１ａが２～１０の整数である場合、Ｒ１２ａは各々同じであっても異なっていてもよい。）で示される基がより好ましい。
ｎ１１ａとしては、０～５の整数が好ましく、０～３の整数がより好ましく、１～３の整数が更に好ましい。
Ｒ１１ａとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ１１ａとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０３ａ（式中、Ｒ１０３ａはアルキル基）で示される基が挙げられる。
Ｒ１１ａとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
Ｒ１２ａは炭素数０～３のアルキレン基である。上記炭素数は１～３が好ましい。
Ｒ１２ａとしての上記アルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状であってよい。
Ｒ１２ａとしての上記アルキレン基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。Ｒ１２ａとしては、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）又はプロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）がより好ましい。
Ｒ１２ａとしての上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０４ａ（式中、Ｒ１０４ａはアルキル基）で示される基が挙げられる。
Ｒ１２ａとしての上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキレン基であることが好ましい。
Ｒ２ａ及びＲ３ａとしては、独立に、カルボニル基を含まない炭素数１以上のアルキレン基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～３のアルキレン基がより好ましく、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）又はプロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）が更に好ましい。
界面活性剤（ａ）としては、次の界面活性剤が例示できる。各式中、Ｘａは上述のとおりである。
Figure 0006993591000038
Figure 0006993591000039
Figure 0006993591000040
Figure 0006993591000041
Figure 0006993591000042
Figure 0006993591000043
Figure 0006993591000044
Figure 0006993591000045
界面活性剤（ａ）は、新規化合物であり、例えば、次に例示する製造方法により製造することができる。
界面活性剤（ａ）は、式：
Figure 0006993591000046
 （式中、Ｒ３ａは上述のとおり、Ｅａは脱離基である。）で示される化合物（１０ａ）と、リチウム、及び、式：Ｒ２０１ａ ３Ｓｉ－Ｃｌ（式中、Ｒ２０１ａは、独立に、アルキル基又はアリール基である。）で示されるクロロシラン化合物とを反応させて、式：
Figure 0006993591000047
 （式中、Ｒ３ａ、Ｒ２０１ａ及びＥａは上述のとおりである。）で示される化合物（１１ａ）を得る工程（１１ａ）、
化合物（１１ａ）と、式：
Figure 0006993591000048
 （式中、Ｒ１ａは上述のとおり、Ｒ２１ａは単結合又は２価の連結基である。）で示されるオレフィンとを反応させて、式：
Figure 0006993591000049
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ２１ａ、Ｒ３ａ及びＥａは上述のとおりである。）で示される化合物（１２ａ）を得る工程（１２ａ）、
化合物（１２ａ）が有する脱離基を脱離させて、式：
Figure 0006993591000050
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ２１ａ及びＲ３ａは上述のとおりである。）で示される化合物（１３ａ）を得る工程（１３ａ）、及び、
化合物（１３ａ）と、式：
Figure 0006993591000051
 （式中、Ｘａは、上述したとおりである。）で示される塩化スルホン酸とを反応させて、式：
Figure 0006993591000052
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ２１ａ、Ｒ３ａ及びＸａは上述のとおりである。）で示される化合物（１４ａ）を得る工程（１４ａ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１ａにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
工程（１１ａ）では、リチウム及び上記クロロシラン化合物を予め反応させて、シロキシリチウム化合物を得た後、上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ａ）とを反応させて、化合物（１１ａ）を得ることが好ましい。
Ｅａは脱離基を表す。上記脱離基としては、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、ベンジル（Ｂｎ）基等が挙げられる。
Ｒ２１ａとしては、単結合又は炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
上記クロロシラン化合物としては、例えば、
Figure 0006993591000053
 が挙げられる。
工程（１１ａ）におけるいずれの反応も、溶媒中で実施することができる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１１ａ）におけるリチウム及び上記クロロシラン化合物の反応の温度としては、１０～４０℃が好ましく、２０～３０℃がより好ましい。
工程（１１ａ）における上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ａ）との反応の温度としては、－１００～０℃が好ましく、－８０～－５０℃がより好ましい。
工程（１１ａ）におけるリチウム及び上記クロロシラン化合物の反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１１ａ）における上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ａ）との反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１１ａ）におけるリチウム及び上記クロロシラン化合物の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、６～１０時間がより好ましい。
工程（１１ａ）における上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ａ）との反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、１～２時間がより好ましい。
工程（１２ａ）において、化合物（１１ａ）と上記オレフィンとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（１１ａ）１モルに対して、上記オレフィンが１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（１２ａ）における反応は、チアゾリウム塩及び塩基の存在下、溶媒中で実施できる。
上記チアゾリウム塩としては、３－エチル－５－（２－ヒドロキシエチル）－４－メチルチアゾリウムブロミド、３－ベンジル－５－（２－ヒドロキシエチル）－４－メチルチアゾリウムクロリド等が挙げられる。
上記塩基としては、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、トリエチルアミン等が挙げられる。
上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、アルコール、エーテルが更に好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１２ａ）における反応の温度としては、４０～６０℃が好ましく、５０～５５℃がより好ましい。
工程（１２ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１２ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、６～１０時間がより好ましい。
工程（１３ａ）における脱離基の脱離反応は、フッ化物イオンや酸を使用することにより、実施できる。脱離基の脱離させる方法としては、例えば、フッ酸を用いる方法、ピリジン・ｎＨＦやトリエチルアミン・ｎＨＦのようなフッ化水素のアミン錯体を用いる方法、フッ化セシウム、フッ化カリウム、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）、フッ化アンモニウムのような無機塩を用いる方法、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）のような有機塩を用いる方法が挙げられる。
工程（１３ａ）における脱離基の脱離反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１３ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（１３ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１３ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（１４ａ）において、化合物（１３ａ）と上記塩化スルホン酸との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（１３ａ）１モルに対して、上記塩化スルホン酸が１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（１４ａ）における反応は、塩基の存在下に実施することが好ましい。上記塩基としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アミン等があげられ、なかでも、アミンが好ましい。
工程（１４ａ）における上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられる。なかでも、トリエチルアミン、ピリジンが好ましい。
工程（１４ａ）における上記塩基の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（１３ａ）１モルに対して、１～２モルが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（１４ａ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１４ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（１４ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１４ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～１２時間がより好ましい。
工程（１４ａ）における反応を溶媒中で実施すると、上記反応の終了後に化合物（１４ａ）を含む溶液が得られる。上記溶液に水を加えた後、静置して２相に分離させ、水相を回収し、溶媒を留去することにより、高純度の化合物（１４ａ）を回収してもよい。化合物（１４ａ）が－ＯＳＯ３Ｈで示される基を有する場合は（すなわちＸがＨである場合は）、水に代えて、炭酸水素ナトリウム水溶液やアンモニア水等のアルカリ水溶液を使用することにより、－ＯＳＯ３Ｈを硫酸塩基に変換することも可能である。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ａ）は、また、式：
Figure 0006993591000054
 （式中、Ｒ３ａは上述のとおり、Ｒ２２ａは１価の有機基、Ｅａは脱離基である。）で示されるケトンと、式：
Figure 0006993591000055
 （式中、Ｒ１ａは上述のとおり、Ｒ２３ａは１価の有機基である。）で示されるカルボン酸エステルとを反応させて、式：
Figure 0006993591000056
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ３ａ及びＥａは上述のとおり、Ｒ２４ａは単結合又は２価の連結基である。）で示される化合物（２１ａ）を得る工程（２１ａ）、
化合物（２１ａ）が有する脱離基を脱離させて、式：
Figure 0006993591000057
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ２４ａ及びＲ３ａは上述のとおりである。）で示される化合物（２２ａ）を得る工程（２２ａ）、及び、
化合物（２２ａ）と、式：
Figure 0006993591000058
 （式中、Ｘａは、上述したとおりである。）で示される塩化スルホン酸とを反応させて、式：
Figure 0006993591000059
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ２４ａ、Ｒ３ａ及びＸａは上述のとおりである。）で示される化合物（２３ａ）を得る工程（２３ａ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１ａにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
Ｅａは脱離基を表す。上記脱離基としては、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、ベンジル（Ｂｎ）基等が挙げられる。
Ｒ２２ａとしては、炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ２３ａとしては、炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ２４ａとしては、炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基（－ＣＨ２－）がより好ましい。
工程（２１ａ）における反応は、塩基の存在下、溶媒中で実施できる。
上記塩基としては、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等が挙げられる。
上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、アルコール、エーテルが更に好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（２１ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（２１ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（２１ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（２２ａ）における脱離基の脱離反応は、フッ化物イオンや酸を使用することにより、実施できる。脱離基の脱離させる方法としては、例えば、フッ酸を用いる方法、ピリジン・ｎＨＦやトリエチルアミン・ｎＨＦのようなフッ化水素のアミン錯体を用いる方法、フッ化セシウム、フッ化カリウム、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）、フッ化アンモニウムのような無機塩を用いる方法、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）のような有機塩を用いる方法が挙げられる。
工程（２２ａ）における脱離基の脱離反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（２２ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（２２ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（２２ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（２３ａ）において、化合物（２２ａ）と上記塩化スルホン酸との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（２２ａ）１モルに対して、上記塩化スルホン酸が１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（２３ａ）における反応は、塩基の存在下に実施することが好ましい。上記塩基としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アミン等があげられ、なかでも、アミンが好ましい。
工程（２３ａ）における上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられる。なかでも、トリエチルアミン、ピリジンが好ましい。
工程（２３ａ）における上記塩基の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（２２ａ）１モルに対して、１～２モルが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（２３ａ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（２３ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（２３ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（２３ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～１２時間がより好ましい。
工程（２３ａ）における反応を溶媒中で実施すると、上記反応の終了後に化合物（２３ａ）を含む溶液が得られる。上記溶液に水を加えた後、静置して２相に分離させ、水相を回収し、溶媒を留去することにより、高純度の化合物（２３ａ）を回収してもよい。化合物（２３ａ）が－ＯＳＯ３Ｈで示される基を有する場合は（すなわちＸがＨである場合は）、水に代えて、炭酸水素ナトリウム水溶液やアンモニア水等のアルカリ水溶液を使用することにより、－ＯＳＯ３Ｈを硫酸塩基に変換することも可能である。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ａ）は、また、式：Ｙａ－Ｒ３ａ－ＯＥａ
（式中、Ｒ３ａは上述のとおり、Ｙａはハロゲン原子、Ｅａは脱離基である。）で示されるハロゲン化アルキルと、式：
Figure 0006993591000060
 （式中、Ｒ１ａは上述のとおりである。）で示されるリチウムアセチリドとを反応させて、式：
Figure 0006993591000061
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ３ａ及びＥａは上述のとおりである。）で示される化合物（３１ａ）を得る工程（３１ａ）、
化合物（３１ａ）を酸化して、式
Figure 0006993591000062
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ３ａ及びＥａは上述のとおりである。）で示される化合物（３２ａ）を得る工程（３２ａ）、
化合物（３２ａ）が有する脱離基を脱離させて、式：
Figure 0006993591000063
 （式中、Ｒ１ａ及びＲ３ａは上述のとおりである。）で示される化合物（３３ａ）を得る工程（３３ａ）、及び、
化合物（３３ａ）と、式：
Figure 0006993591000064
 （式中、Ｘａは、上述したとおりである。）で示される塩化スルホン酸とを反応させて、式：
Figure 0006993591000065
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ３ａ及びＸａは上述のとおりである。）で示される化合物（３４ａ）を得る工程（３４ａ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１ａにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
Ｅａは脱離基を表す。上記脱離基としては、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、ベンジル（Ｂｎ）基等が挙げられる。
工程（３１ａ）において、上記ハロゲン化アルキルと上記リチウムアセチリドとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記ハロゲン化アルキル１モルに対して、上記リチウムアセチリドが１～２モルであることが好ましく、１～１．２モルがより好ましい。
工程（３１ａ）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、ヘキサンが好ましい。
工程（３１ａ）における反応の温度としては、－１００～－４０℃が好ましく、－８０～－５０℃がより好ましい。
工程（３１ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３１ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、６～１０時間がより好ましい。
工程（３２ａ）における酸化は、［（Ｃｎ＊）ＲｕＩＩＩ（ＣＦ３ＣＯ２）３］・Ｈ２Ｏ（式中、Ｃｎ＊は１，４，７－トリメチルー１，４，７－トリアザビシクロノナンを表す）を、（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６及びトリフルオロ酢酸で処理した後、過塩素酸ナトリウムを添加することにより生じる錯体を使用して、ニトリル系溶媒中で実施できる。
酸化終了後に、アルカリにより中和し、エーテル等の有機溶媒を使用して化合物（３２ａ）を抽出してもよい。
工程（３２ａ）における反応の温度としては、３０～１００℃が好ましく、４０～９０℃がより好ましい。
工程（３２ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３２ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（３３ａ）における脱離基の脱離反応は、フッ化物イオンや酸を使用することにより、実施できる。脱離基の脱離させる方法としては、例えば、フッ酸を用いる方法、ピリジン・ｎＨＦやトリエチルアミン・ｎＨＦのようなフッ化水素のアミン錯体を用いる方法、フッ化セシウム、フッ化カリウム、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）、フッ化アンモニウムのような無機塩を用いる方法、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）のような有機塩を用いる方法が挙げられる。
工程（３３ａ）における脱離基の脱離反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（３３ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（３３ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３３ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（３４ａ）において、化合物（３３ａ）と上記塩化スルホン酸との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（３３ａ）１モルに対して、上記塩化スルホン酸が１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（３４ａ）における反応は、塩基の存在下に実施することが好ましい。上記塩基としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アミン等があげられ、なかでも、アミンが好ましい。
工程（３４ａ）における上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられる。なかでも、トリエチルアミン、ピリジンが好ましい。
工程（３４ａ）における上記塩基の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（３３ａ）１モルに対して、１～２モルが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（３４ａ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（３４ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（３４ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３４ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～１２時間がより好ましい。
工程（３４ａ）における反応を溶媒中で実施すると、上記反応の終了後に化合物（３４ａ）を含む溶液が得られる。上記溶液に水を加えた後、静置して２相に分離させ、水相を回収し、溶媒を留去することにより、高純度の化合物（３４ａ）を回収してもよい。化合物（３４ａ）が－ＯＳＯ３Ｈで示される基を有する場合は（すなわちＸがＨである場合は）、水に代えて、炭酸水素ナトリウム水溶液やアンモニア水等のアルカリ水溶液を使用することにより、－ＯＳＯ３Ｈを硫酸塩基に変換することも可能である。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ａ）は、また、式：
Figure 0006993591000066
 （式中、Ｒ１ａは上述のとおり、Ｒ２１ａは単結合又は２価の連結基である。）で示されるアルケンと、式：
Figure 0006993591000067
 （式中、Ｙ５１ａはアルコキシル基である。）で示されるアルキンとを反応させて、式：
Figure 0006993591000068
 （式中、Ｒ１ａ及びＲ２１ａは上述のとおりである。）
で示される化合物（４１ａ）を得る工程（４１ａ）、及び、
化合物（４１ａ）に、式：
Figure 0006993591000069
 （式中、Ｘａは、上述したとおりである。）で示される塩化スルホン酸とを反応させて、式：
Figure 0006993591000070
 （式中、Ｒ１ａ、Ｒ２１ａ及びＸａは上述のとおりである。）で示される化合物（４２ａ）を得る工程（４２ａ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１ａにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
Ｒ２１ａとしては、単結合又は炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
工程（４１ａ）において、上記アルケンと上記アルキンとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記アルキン１モルに対して、上記アルケンが０．５～２モルであることが好ましく、０．６～１．２モルがより好ましい。
工程（４１ａ）における反応は、金属触媒存在下に実施することが好ましい。上記金属としては、ルテニウム等があげられる。
工程（４１ａ）における上記金属触媒の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記アルケン１モルに対して、０．０１～０．４モルが好ましく、０．０５～０．１モルがより好ましい。
工程（４１ａ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、アセトニトリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドが好ましい。
工程（４１ａ）における反応の温度としては、２０～１６０℃が好ましく、４０～１４０℃がより好ましい。
工程（４１ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（４１ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、４～８時間がより好ましい。
工程（４２ａ）において、化合物（４１ａ）と上記塩化スルホン酸との反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（４１ａ）１モルに対して、上記塩化スルホン酸が１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（４２ａ）における反応は、塩基の存在下に実施することが好ましい。上記塩基としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アミン等があげられ、なかでも、アミンが好ましい。
工程（４２ａ）における上記アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，８－ナフタレンジアミン等の三級アミン、ピリジン、ピロール、ウラシル、コリジン、ルチジン等の複素芳香族アミン、１，８－ジアザ－ビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザ－ビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の環状アミン等が挙げられる。なかでも、トリエチルアミン、ピリジンが好ましい。
工程（４２ａ）における上記塩基の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（４１ａ）１モルに対して、１～２モルが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（４２ａ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（４２ａ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（４２ａ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（４２ａ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～１２時間がより好ましい。
工程（４２ａ）における反応を溶媒中で実施すると、上記反応の終了後に化合物（４２ａ）を含む溶液が得られる。上記溶液に水を加えた後、静置して２相に分離させ、水相を回収し、溶媒を留去することにより、高純度の化合物（４２ａ）を回収してもよい。化合物（４２ａ）が－ＯＳＯ３Ｈで示される基を有する場合は（すなわちＸがＨである場合は）、水に代えて、炭酸水素ナトリウム水溶液やアンモニア水等のアルカリ水溶液を使用することにより、－ＯＳＯ３Ｈを硫酸塩基に変換することも可能である。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
次に界面活性剤（ｂ）について説明する。
式（ｂ）中、Ｒ１ｂは、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基である。
上記アルキル基は、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含むこともできるし、環を形成することもできる。上記複素環としては、不飽和複素環が好ましく、含酸素不飽和複素環がより好ましく、例えば、フラン環等が挙げられる。Ｒ１ｂにおいて、２価の複素環が２つの炭素原子間に挿入されていてもよいし、２価の複素環が末端に位置して－Ｃ（＝Ｏ）－と結合してもよいし、１価の複素環が上記アルキル基の末端に位置してもよい。
なお、本明細書において、上記アルキル基の「炭素数」には、上記複素環を構成する炭素原子の数も含めるものとする。
Ｒ１ｂとしての上記アルキル基が有してもよい上記置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～１０の環状のアルキル基、ヒドロキシ基が好ましく、メチル基、エチル基が特に好ましい。
Ｒ１ｂとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ１ｂとしては、置換基を有してもよい炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３～１０の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更により好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）が最も好ましい。
式（ｂ）中、Ｒ２ｂ及びＲ４ｂは、独立に、Ｈ又は置換基である。複数個のＲ２ｂ及びＲ４ｂは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｂ及びＲ４ｂとしての上記置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～１０の環状のアルキル基、ヒドロキシ基が好ましく、メチル基、エチル基が特に好ましい。
Ｒ２ｂ及びＲ４ｂとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ２ｂ及びＲ４ｂとしての上記アルキル基としては、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましい。
Ｒ２ｂ及びＲ４ｂとしては、独立に、Ｈ又はカルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、Ｈ又は置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、Ｈ、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が更により好ましく、Ｈが特に好ましい。
式（ｂ）中、Ｒ３ｂは、置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基である。Ｒ３ｂは、複数個存在する場合、同一でも異なっていてもよい。
上記アルキレン基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキレン基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
上記アルキレン基としては、置換基を有してもよい炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基又は置換基を有してもよい炭素数３～１０の環状のアルキレン基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキレン基が好ましく、置換基を有さない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、イソプロピレン基（－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－）又はプロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）が更に好ましい。
Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ及びＲ４ｂは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよいが、環を形成していないことが好ましい。
式（ｂ）中、ｎは、１以上の整数である。ｎとしては、１～４０の整数が好ましく、１～３０の整数がより好ましく、５～２５の整数が更に好ましく、５～９、１１～２５の整数が特に好ましい。
式（ｂ）中、ｐ及びｑは、独立に、０以上の整数である。ｐとしては、０～１０の整数が好ましく、０又は１がより好ましい。ｑとしては、０～１０の整数が好ましく、０～５の整数がより好ましい。
ｎ、ｐ及びｑは、合計が５以上の整数であることが好ましい。ｎ、ｐ及びｑの合計は８以上の整数であることがより好ましい。ｎ、ｐ及びｑの合計はまた、６０以下の整数であることが好ましく、５０以下の整数であることがより好ましく、４０以下の整数であることが更に好ましい。
式（ｂ）中、Ｘｂは、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ｂ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ５ｂはＨ又は有機基である。４つのＲ５ｂは、同一でも異なっていてもよい。Ｒ５ｂとしては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）等が挙げられ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉが好ましい。Ｘｂは金属原子又はＮＲ５ｂ ４（Ｒ５ｂは上記のとおり）であってよい。
Ｘｂとしては、Ｈ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）又はＮＲ５ｂ ４が好ましく、水に溶解しやすいことから、Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ又はＮＨ４がより好ましく、水に更に溶解しやすいことから、Ｎａ、Ｋ又はＮＨ４が更に好ましく、Ｎａ又はＮＨ４が特に好ましく、除去が容易であることから、ＮＨ４が最も好ましい。ＸｂがＮＨ４であると、上記界面活性剤の水性媒体への溶解性が優れるとともに、ＰＴＦＥ中又は最終製品中に金属成分が残留しにくい。
式（ｂ）中、Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｂ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｂＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｂ－Ｂ－、－ＮＲ６ＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｂは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。上記アルキレン基は、炭素数が１～５であることがより好ましい。また、上記Ｒ６は、Ｈ又はメチル基であることがより好ましい。＊は、式中の－ＯＳＯ３Ｘｂに結合する側を指す。
Ｌは単結合であることが好ましい。
界面活性剤（ｂ）としては、下記式：
Figure 0006993591000071
 （式中、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｌ、ｎ及びＸｂは、上記のとおり。）で示される化合物が好ましい。
上記界面活性剤（ｂ）は、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、ケミカルシフト２．０～５．０ｐｐｍの領域に観測される全ピーク強度の積分値が１０％以上であることが好ましい。
上記界面活性剤（ｂ）は、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、ケミカルシフト２．０～５．０ｐｐｍの領域に観測される全ピーク強度の積分値が上記範囲内にあることが好ましい。この場合、上記界面活性剤は分子中にケトン構造を有することが好ましい。
上記界面活性剤（ｂ）において、上記積分値は、１５以上がより好ましく、９５以下が好ましく、８０以下がより好ましく、７０以下が更に好ましい
上記積分値は、重水溶媒にて室温下に測定する。重水を４．７９ｐｐｍとする。
界面活性剤（ｂ）としては、例えば、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ３）３ＣＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ３）２ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ２）５ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｈ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｌｉ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｋ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３ＮＨ４、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ３）３ＣＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ３）２ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ２）５ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＯＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｈ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｌｉ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｋ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３ＮＨ４、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＳＯ３Ｎａ等が挙げられる。
界面活性剤（ｂ）は、新規化合物であり、例えば、次に例示する製造方法により製造することができる。
界面活性剤（ｂ）は、下記式：
Ｒ１１ｂ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｂ ２）ｎ－（ＯＲ３ｂ）ｐ－（ＣＲ４ｂ ２）ｑ－Ｌ－ＯＨ
（式中、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。Ｒ１１ｂは、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｂ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｂＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｂ－Ｂ－、－ＮＲ６ｂＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｂは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－ＯＨに結合する側を指す。）で示される化合物（１０ｂ）をヒドロキシ化して、下記式：
Figure 0006993591000072
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（１１ｂ）を得る工程（１１ｂ）、
化合物（１１ｂ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000073
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（１２ｂ）を得る工程（１２ｂ）、及び、
化合物（１２ｂ）を硫酸エステル化して、下記式：
Figure 0006993591000074
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｂは、上記のとおり。）で示される化合物（１３ｂ）を得る工程（１３ｂ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１１ｂとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ１１ｂとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ１１ｂとしては、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３～９の環状のアルキル基が好ましく、Ｈ、カルボニル基を含まない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～９の環状のアルキル基がより好ましく、Ｈ、又は、置換基を有さない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、Ｈ、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が更により好ましく、Ｈ又はメチル基（－ＣＨ３）が特に好ましく、Ｈが最も好ましい。
工程（１１ｂ）におけるヒドロキシ化は、例えば、（１）酸素雰囲気中で化合物（１０ｂ）にフタロシアニン鉄（ＩＩ）（Ｆｅ（Ｐｃ））及び水素化ホウ素ナトリウムを作用させる方法や、（２）化合物（１０ｂ）にイソピノカンフェイルボラン（ＩｐｃＢＨ２）を作用させた後、得られる中間体（ジアルキルボラン）を酸化する方法により実施できる。
方法（１）において、フタロシアニン鉄（ＩＩ）の量は、触媒量であってよく、化合物（１０ｂ）１モルに対して、０．００１～１．２モルの量で使用できる。
方法（１）において、水素化ホウ素ナトリウムは、化合物（１０ｂ）１モルに対して、０．５～２０モルの量で使用できる。
方法（１）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル、含窒素極性有機化合物等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
方法（１）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
方法（１）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
方法（１）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
方法（２）において、イソピノカンフェイルボランは、化合物（１０ｂ）１モルに対して、１．０～１０．０モルの量で使用できる。
化合物（１０ｂ）とイソピノカンフェイルボランとの反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
化合物（１０ｂ）とイソピノカンフェイルボランとの反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
化合物（１０ｂ）とイソピノカンフェイルボランとの反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
化合物（１０ｂ）とイソピノカンフェイルボランとの反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
方法（２）における酸化は、上記中間体に酸化剤を作用させることにより実施できる。上記酸化剤としては、過酸化水素が挙げられる。上記酸化剤は、上記中間体１モルに対して、０．７～１０モルの量で使用できる。
方法（２）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、メタノール、エタノール等が挙げられ、なかでも水が好ましい。
方法（２）における酸化の温度としては、０～１００℃が好ましく、０～８０℃がより好ましい。
方法（２）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
方法（２）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（１２ｂ）において、化合物（１１ｂ）を酸化する方法としては、例えば、（ａ）ジョーンズ試薬（ＣｒＯ３／Ｈ２ＳＯ４）を用いる方法（ジョーンズ酸化）、（ｂ）デス・マーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）を用いる方法（デス・マーチン酸化）、（ｃ）クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）を用いる方法、（ｄ）ＮｉＣｌ２等のニッケル化合物の存在下に漂白剤（ＮａＯＣｌの約５～６％水溶液）を作用させる方法、（ｅ）Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］３等のアルミニウム触媒の存在下にアルデヒド、ケトン等の水素受容体を作用させる方法（オッペナウアー酸化）が挙げられる。
工程（１２ｂ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、ケトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル等が挙げられる。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（１２ｂ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１２ｂ）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１２ｂ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１３ｂ）における硫酸エステル化は、化合物（１２ｂ）と硫酸化試薬とを反応させることにより実施できる。上記硫酸化試薬としては、三酸化硫黄ピリジン錯体、三酸化硫黄トリメチルアミン錯体、三酸化硫黄トリエチルアミン錯体等の三酸化硫黄アミン錯体、三酸化硫黄ジメチルホルムアミド錯体等の三酸化硫黄アミド錯体、硫酸－ジシクロヘキシルカルボジイミド、クロロ硫酸、濃硫酸、スルファミン酸等が挙げられる。上記硫酸化試薬の使用量としては、化合物（１２ｂ）１モルに対して、０．５～１０モルが好ましく、０．５～５モルがより好ましく、０．７～４モルが更に好ましい。
工程（１３ｂ）における硫酸エステル化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ピリジン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ニトリル等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（１３ｂ）における硫酸エステル化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（１３ｂ）における硫酸エステル化の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０．１～５ＭＰａがより好ましい。
工程（１３ｂ）における硫酸エステル化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（ｂ）は、また、下記式：
Figure 0006993591000075
 （式中、Ｌ、Ｒ１ｂ～Ｒ４ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。Ｒ１０１ｂは、有機基である。）で示される化合物（２０ｂ）をオゾン分解して、下記式：
Figure 0006993591000076
 （式中、Ｌ、Ｒ１ｂ～Ｒ４ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（２１ｂ）を得る工程（２１ｂ）、及び、
化合物（２１ｂ）を硫酸エステル化して、下記式：
Figure 0006993591000077
 （式中、Ｌ、Ｒ１ｂ～Ｒ４ｂ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｂは、上記のとおり。）で示される化合物（２２ｂ）を得る工程（２２ｂ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１０１ｂとしては、炭素数１～２０のアルキル基が好ましい。２個のＲ１０１ｂは、同一でも異なっていてもよい。
工程（２１ｂ）におけるオゾン分解は、化合物（２０ｂ）にオゾンを作用させた後、還元剤で後処理することにより実施できる。
オゾンは、酸素ガス中の無声放電によって発生させることができる。
上記後処理に用いる還元剤としては、亜鉛、ジメチルスルフィド、チオウレア、ホスフィン類等が挙げられ、なかでもホスフィン類が好ましい。
工程（２１ｂ）におけるオゾン分解は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、アルコール、カルボン酸類、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なかでも、メタノール、エタノールが好ましい。
上記カルボン酸類としては、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。なかでも、酢酸が好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（２１ｂ）におけるオゾン分解の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
工程（２１ｂ）におけるオゾン分解の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（２１ｂ）におけるオゾン分解の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（２２ｂ）における硫酸エステル化は、化合物（２１ｂ）と硫酸化試薬とを反応させることにより実施でき、工程（１３ｂ）における硫酸エステル化と同様の条件が採用できる。
界面活性剤（ｂ）は、また、下記式：
Ｒ２１ｂ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｂ ２）ｎ－（ＯＲ３ｂ）ｐ－（ＣＲ４ｂ ２）ｑ－Ｌ－ＯＨ
（式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。Ｒ２１ｂは、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。）で示される化合物（３０ｂ）をエポキシ化して、下記式：
Figure 0006993591000078
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ２１ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（３１ｂ）を得る工程（３１ｂ）、
化合物（３１ｂ）と、Ｒ２２ｂ ２ＣｕＬｉ（Ｒ２２ｂは、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。）で示されるジアルキル銅リチウムとを反応させて、下記式：
Figure 0006993591000079
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ２１ｂ、Ｒ２２ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（３２ｂ）を得る工程（３２ｂ）、
化合物（３２ｂ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000080
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ２１ｂ、Ｒ２２ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（３３ｂ）を得る工程（３３ｂ）、及び、
化合物（３３ｂ）を硫酸エステル化して、下記式：
Figure 0006993591000081
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ２１ｂ、Ｒ２２ｂ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｂは、上記のとおり。）で示される化合物（３４ｂ）を得る工程（３４ｂ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ２１ｂとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ２１ｂとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ２１ｂとしては、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３～８の環状のアルキル基が好ましく、Ｈ、カルボニル基を含まない炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～８の環状のアルキル基がより好ましく、Ｈ、又は、置換基を有さない炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、Ｈ又はメチル基（－ＣＨ３）が特に好ましく、Ｈが最も好ましい。
Ｒ２２ｂとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ２２ｂとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ２２ｂとしては、置換基を有してもよい炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３～９の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～９の環状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）が最も好ましい。
２個のＲ２２ｂは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２１ｂ及びＲ２２ｂは、炭素数が合計で１～７であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが最も好ましい。
工程（３１ｂ）におけるエポキシ化は、化合物（３０ｂ）にエポキシ化剤を作用させることにより実施できる。
上記エポキシ化剤としては、メタクロロ過安息香酸（ｍ－ＣＰＢＡ）、過安息香酸、過酸化水素、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロペルオキシド等の過酸、ジメチルジオキシラン、メチルトリフルオロメチルジオキシラン等が挙げられ、なかでも過酸が好ましく、メタクロロ過安息香酸がより好ましい。
上記エポキシ化剤は、化合物（３０ｂ）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（３１ｂ）におけるエポキシ化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、ケトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル、ピリジン、含窒素極性有機化合物、ジメチルスルホキシド等が挙げられ、なかでもジクロロメタンが好ましい。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
工程（３１ｂ）におけるエポキシ化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（３１ｂ）におけるエポキシ化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（３１ｂ）におけるエポキシ化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３２ｂ）において、上記ジアルキル銅リチウムは、化合物（３１ｂ）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（３２ｂ）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（３２ｂ）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（３２ｂ）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（３２ｂ）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３３ｂ）において、化合物（３２ｂ）を酸化する方法としては、例えば、（ａ）ジョーンズ試薬（ＣｒＯ３／Ｈ２ＳＯ４）を用いる方法（ジョーンズ酸化）、（ｂ）デス・マーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）を用いる方法（デス・マーチン酸化）、（ｃ）クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）を用いる方法、（ｄ）ＮｉＣｌ２等のニッケル化合物の存在下に漂白剤（ＮａＯＣｌの約５～６％水溶液）を作用させる方法、（ｅ）Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］３等のアルミニウム触媒の存在下にアルデヒド、ケトン等の水素受容体を作用させる方法（オッペナウアー酸化）が挙げられる。
工程（３３ｂ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、ケトン、アルコール、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル等が挙げられる。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なかでも、メタノール、エタノールが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（３３ｂ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３３ｂ）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３３ｂ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３４ｂ）における硫酸エステル化は、化合物（３３ｂ）と硫酸化試薬とを反応させることにより実施でき、工程（１３ｂ）における硫酸エステル化と同様の条件が採用できる。
界面活性剤（ｂ）は、また、下記式：
Ｒ１１ｂ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｂ ２）ｎ－（ＯＲ３ｂ）ｐ－（ＣＲ４ｂ ２）ｑ－Ｌ－ＯＨ
（式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（１０ｂ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000082
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ、ｐ及びｑは、上記のとおり。）で示される化合物（４１ｂ）を得る工程（４１ｂ）、及び、
化合物（４１ｂ）を硫酸エステル化して、下記式：
Figure 0006993591000083
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ～Ｒ４ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｂは、上記のとおり。）で示される化合物（４２ｂ）を得る工程（４２ｂ）を含む製造方法により製造できる。
工程（４１ｂ）における酸化は、水及びパラジウム化合物の存在下で、化合物（１０ｂ）に酸化剤を作用させることにより実施できる。
上記酸化剤としては、塩化銅、酢酸銅、シアン化銅、トリフルオロメタンチオール銅等の一価又は二価の銅塩、塩化鉄、酢酸鉄、シアン化鉄、トリフルオロメタンチオール鉄、ヘキサシアノ鉄等の鉄塩、１，４－ベンゾキノン、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン、テトラクロロ－１，２－ベンゾキノン、テトラクロロ－１，４－ベンゾキノン等のベンゾキノン類、Ｈ２Ｏ２、ＭｎＯ２、ＫＭｎＯ４、ＲｕＯ４、ｍ－クロロ過安息香酸、酸素等が挙げられる。なかでも、銅塩、鉄塩、ベンゾキノン類が好ましく、塩化銅、塩化鉄、１，４－ベンゾキノンがより好ましい。
上記酸化剤は、化合物（１０ｂ）１モルに対して、０．００１～１０モルの量で使用できる。
上記水は、化合物（１０ｂ）１モルに対して、０．５～１０００モルの量で使用できる。
上記パラジウム化合物としては、二塩化パラジウムが挙げられる。上記パラジウム化合物の量は、触媒量であってよく、化合物（１０ｂ）１モルに対して、０．０００１～１．０モルの量で使用できる。
工程（４１ｂ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、エステル、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコール、カルボン酸類、エーテル、ハロゲン化炭化水素、含窒素極性有機化合物、ニトリル、ジメチルスルホキシド、スルホランが挙げられる。
上記エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１－メトキシ－２－アセトキシプロパン）等が挙げられ、なかでも、酢酸エチルが好ましい。
上記脂肪族炭化水素としては、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ミネラルスピリット等が挙げられ、なかでも、シクロヘキサン、ヘプタンが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記カルボン酸類としては、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。なかでも、酢酸が好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（４１ｂ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（４１ｂ）における酸化の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０．１～５．０ＭＰａがより好ましい。
工程（４１ｂ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（４２ｂ）における硫酸エステル化は、化合物（４１ｂ）と硫酸化試薬とを反応させることにより実施でき、工程（１３ｂ）における硫酸エステル化と同様の条件が採用できる。
界面活性剤（ｂ）は、また、下記式：
Ｒ１１ｂ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｂ ２）ｎ－ＯＨ
（式中、Ｒ２ｂ、Ｒ１１ｂ及びｎは、上記のとおり。）で示される化合物（５０）とハロゲン化剤とを反応させて、下記式：
Ｒ１１ｂ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｂ ２）ｎ－Ｚ５１ｂ
（式中、Ｒ２ｂ、Ｒ１１ｂ及びｎは、上記のとおり。Ｚ５１ｂは、ハロゲン原子である。）で示される化合物（５１）を得る工程（５１）、
化合物（５１）と、ＨＯ－Ｒ３ｂ－Ｌ－ＯＨ（Ｌ、Ｒ３ｂは、上記のとおり。）で示されるアルキレングリコールとを反応させて、下記式：
Ｒ１１ｂ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｂ ２）ｎ－Ｏ－Ｒ３ｂ－Ｌ－ＯＨ
（式中、Ｌ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ１１ｂ及びｎは、上記のとおり。）で示される化合物（５２）を得る工程（５２）、
化合物（５２）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000084
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ１１ｂ及びｎは、上記のとおり。）で示される化合物（５３）を得る工程（５３）、及び、
化合物（５３）を硫酸エステル化して、下記式：
Figure 0006993591000085
 （式中、Ｌ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ１１ｂ、ｎ及びＸｂは、上記のとおり。）で示される化合物（５４）を得る工程（５４）を含む製造方法により製造できる。
Ｚ５１ｂとしては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩが好ましく、Ｂｒがより好ましい。
工程（５１）で使用するハロゲン化剤としては、Ｎ－ブロモスクシンイミド、Ｎ－クロロスクシンイミド等が挙げられる。
上記ハロゲン化剤は、化合物（５０）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（５１）の反応は、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類の存在下に実施できる。
上記ホスフィン類は、化合物（５０）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（５１）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（５１）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（５１）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（５１）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（５２）において、上記アルキレングリコールは、化合物（５１）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（５２）の反応は、塩基の存在下に実施できる。上記塩基としては、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。
上記塩基は、化合物（５１）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（５２）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、含窒素極性有機化合物、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（５２）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（５２）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（５２）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（５３）における酸化は、水及びパラジウム化合物の存在下で、化合物（５２）に酸化剤を作用させることにより実施でき、工程（４１）における酸化と同様の条件が採用できる。
工程（５４）における硫酸エステル化は、化合物（５３）と硫酸化試薬とを反応させることにより実施でき、工程（１３）における硫酸エステル化と同様の条件が採用できる。
上述したいずれの製造方法においても、各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。また、得られる化合物が－ＯＳＯ３Ｈで示される基を有する場合は（すなわちＸｂがＨである場合は）、炭酸ナトリウム、アンモニア等のアルカリと接触させることにより、－ＯＳＯ３Ｈを硫酸塩基に変換できる。
界面活性剤（ｂ）の製造方法のなかでも、上記工程（４１ｂ）及び（４２ｂ）を含む製造方法が好ましい。
界面活性剤（ｃ）について説明する。
式（ｃ）中、Ｒ１ｃは、炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３以上の環状のアルキル基である。
上記アルキル基は、炭素数が３以上の場合、２つの炭素原子間にカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を含んでもよい。また、上記アルキル基は、炭素数が２以上の場合、上記アルキル基の末端に上記カルボニル基を含むこともできる。すなわち、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－で示されるアセチル基等のアシル基も、上記アルキル基に含まれる。
また、上記アルキル基は、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含むこともできるし、環を形成することもできる。上記複素環としては、不飽和複素環が好ましく、含酸素不飽和複素環がより好ましく、例えば、フラン環等が挙げられる。Ｒ１ｃにおいて、２価の複素環が２つの炭素原子間に挿入されていてもよいし、２価の複素環が末端に位置して－Ｃ（＝Ｏ）－と結合してもよいし、１価の複素環が上記アルキル基の末端に位置してもよい。
なお、本明細書において、上記アルキル基の「炭素数」には、カルボニル基を構成する炭素原子の数及び上記複素環を構成する炭素原子の数も含めるものとする。例えば、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ２－で示される基は炭素数が３であり、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ２Ｈ４－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ２Ｈ４－で示される基は炭素数が７であり、ＣＨ３－Ｃ（＝Ｏ）－で示される基は炭素数が２である。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０１ｃ（式中、Ｒ１０１ｃはアルキル基）で示される基が挙げられる。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
式（ｃ）中、Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、独立に、単結合又は２価の連結基である。
Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、独立に、単結合又は炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基又は炭素数３以上の環状のアルキレン基であることが好ましい。
Ｒ２ｃ及びＲ３ｃを構成する上記アルキレン基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０２ｃ（式中、Ｒ１０２ｃはアルキル基）で示される基が挙げられる。
上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキレン基であることが好ましい。
Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、炭素数が合計で５以上である。合計の炭素数としては、７以上が好ましく、９以上がより好ましく、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましく、１５以下が更に好ましい。
Ｒ１ｃ、Ｒ２ｃ及びＲ３ｃは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。
式（ｃ）中、式中、Ａｃは、－ＣＯＯＸｃ又は－ＳＯ３Ｘｃ（Ｘｃは、Ｈ、金属原子、ＮＲ４ｃ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ４ｃはＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。）である。Ｒ４ｃとしては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）等が挙げられ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉが好ましい。
Ｘｃとしては、Ｈ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）又はＮＲ４ｃ ４が好ましく、水に溶解しやすいことから、Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ又はＮＨ４がより好ましく、水に更に溶解しやすいことから、Ｎａ、Ｋ又はＮＨ４が更に好ましく、Ｎａ又はＮＨ４が特に好ましく、除去が容易であることから、ＮＨ４が最も好ましい。ＸｃがＮＨ４であると、上記界面活性剤の水性媒体への溶解性が優れるとともに、ＰＴＦＥ中又は最終製品中に金属成分が残留しにくい。
Ｒ１ｃとしては、カルボニル基を含まない炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、カルボニル基を含まない炭素数３～８の環状のアルキル基、１～１０個のカルボニル基を含む炭素数２～４５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、カルボニル基を含む炭素数３～４５の環状のアルキル基、又は、炭素数が３～４５の１価又は２価の複素環を含むアルキル基が好ましい。
また、Ｒ１ｃとしては、下記式：
Figure 0006993591000086
 （式中、ｎ１１ｃは０～１０の整数であり、Ｒ１１ｃは炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～５の環状のアルキル基であり、Ｒ１２ｃは炭素数０～３のアルキレン基である。ｎ１１ｃが２～１０の整数である場合、Ｒ１２ｃは各々同じであっても異なっていてもよい。）で示される基がより好ましい。
ｎ１１ｃとしては、０～５の整数が好ましく、０～３の整数がより好ましく、１～３の整数が更に好ましい。
Ｒ１１ｃとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ１１ｃとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０３ｃ（式中、Ｒ１０３ｃはアルキル基）で示される基が挙げられる。
Ｒ１１ｃとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
Ｒ１２ｃは炭素数０～３のアルキレン基である。上記炭素数は１～３が好ましい。
Ｒ１２ｃとしての上記アルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状であってよい。
Ｒ１２ｃとしての上記アルキレン基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。Ｒ１２ｃとしては、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）又はプロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）がより好ましい。
Ｒ１２ｃとしての上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子が官能基により置換されていてもよく、例えば、ヒドロキシ基（－ＯＨ）又はエステル結合を含む１価の有機基により置換されていてもよいが、如何なる官能基によっても置換されていないことが好ましい。
上記エステル結合を含む１価の有機基としては、式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ１０４ｃ（式中、Ｒ１０４ｃはアルキル基）で示される基が挙げられる。
Ｒ１２ｃとしての上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキレン基であることが好ましい。
Ｒ２ｃ及びＲ３ｃとしては、独立に、カルボニル基を含まない炭素数１以上のアルキレン基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～３のアルキレン基がより好ましく、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）又はプロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）が更に好ましい。
上記界面活性剤（ｃ）としては、次の界面活性剤が例示できる。各式中、Ａｃは上述のとおりである。
Figure 0006993591000087
Figure 0006993591000088
Figure 0006993591000089
Figure 0006993591000090
Figure 0006993591000091
Figure 0006993591000092
Figure 0006993591000093
Figure 0006993591000094
界面活性剤（ｃ）は、新規化合物であり、例えば、次に例示する製造方法により製造することができる。
界面活性剤（ｃ）は、式：
Figure 0006993591000095
 （式中、Ｒ３ｃは上述のとおり、Ｅｃは脱離基である。）で示される化合物（１０ｃ）と、リチウム、及び、式：Ｒ２０１ｃ ３Ｓｉ－Ｃｌ（式中、Ｒ２０１ｃは、独立に、アルキル基又はアリール基である。）で示されるクロロシラン化合物とを反応させて、式：
Figure 0006993591000096
 （式中、Ｒ３ｃ、Ｒ２０１ｃ及びＥｃは上述のとおりである。）で示される化合物（１１ｃ）を得る工程（１１ｃ）、
化合物（１１ｃ）と、式：
Figure 0006993591000097
 （式中、Ｒ１ｃは上述のとおり、Ｒ２１ｃは単結合又は２価の連結基である。）で示されるオレフィンとを反応させて、式：
Figure 0006993591000098
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ２１ｃ、Ｒ３ｃ及びＥｃは上述のとおりである。）で示される化合物（１２ｃ）を得る工程（１２ｃ）、
化合物（１２ｃ）が有する脱離基を脱離させて、式：
Figure 0006993591000099
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ２１ｃ及びＲ３ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（１３ｃ）を得る工程（１３ｃ）、及び、
化合物（１３ｃ）を酸化させて、式：
Figure 0006993591000100
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ２１ｃ及びＲ３ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（１４ｃ）を得る工程（１４ｃ）、
を含む製造方法により、好適に製造できる。
Ｒ１ｃにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
工程（１１ｃ）では、リチウム及び上記クロロシラン化合物を予め反応させて、シロキシリチウム化合物を得た後、上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ｃ）とを反応させて、化合物（１１ｃ）を得ることが好ましい。
Ｅｃは脱離基を表す。上記脱離基としては、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、ベンジル（Ｂｎ）基等が挙げられる。
Ｒ２１ｃとしては、単結合又は炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
上記クロロシラン化合物としては、例えば、
Figure 0006993591000101
 が挙げられる。
工程（１１ｃ）におけるいずれの反応も、溶媒中で実施することができる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１１ｃ）におけるリチウム及び上記クロロシラン化合物の反応の温度としては、－７８～１００℃が好ましく、１０～４０℃がより好ましい。
工程（１１ｃ）における上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ｃ）との反応の温度としては、－１００～０℃が好ましく、－８０～－５０℃がより好ましい。
工程（１１ｃ）におけるリチウム及び上記クロロシラン化合物の反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１１ｃ）における上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ｃ）との反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１１ｃ）におけるリチウム及び上記クロロシラン化合物の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、６～１０時間がより好ましい。
工程（１１ｃ）における上記シロキシリチウム化合物と化合物（１０ｃ）との反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、１～２時間がより好ましい。
工程（１２ｃ）において、化合物（１１ｃ）と上記オレフィンとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（１１ｃ）１モルに対して、上記オレフィンが１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（１２ｃ）における反応は、チアゾリウム塩及び塩基の存在下、溶媒中で実施できる。
上記チアゾリウム塩としては、３－エチル－５－（２－ヒドロキシエチル）－４－メチルチアゾリウムブロミド、３－ベンジル－５－（２－ヒドロキシエチル）－４－メチルチアゾリウムクロリド等が挙げられる。
上記塩基としては、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、トリエチルアミン等が挙げられる。
上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、アルコール又はエーテルが更に好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１２ｃ）における反応の温度としては、４０～６０℃が好ましく、５０～５５℃がより好ましい。
工程（１２ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１２ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、６～１０時間がより好ましい。
工程（１３ｃ）における脱離基の脱離反応は、フッ化物イオンや酸を使用することにより、実施できる。脱離基を脱離させる方法としては、例えば、フッ酸を用いる方法、ピリジン・ｎＨＦやトリエチルアミン・ｎＨＦのようなフッ化水素のアミン錯体を用いる方法、フッ化セシウム、フッ化カリウム、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）、フッ化アンモニウムのような無機塩を用いる方法、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）のような有機塩を用いる方法が挙げられる。
工程（１３ｃ）における脱離基の脱離反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（１３ｃ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（１３ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（１３ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（１４ｃ）における酸化は、亜塩素酸ナトリウムの存在下に、溶媒中で実施できる。
上記溶媒としては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール、１－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール等のアルコール及び水が使用できる。緩衝液として、リン酸水素二ナトリウム溶液を使用してもよい。
化合物（１４ｃ）をアルカリと接触させて、－ＣＯＯＨを塩型に変換してもよい。上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア等が挙げられ、アンモニアの水溶液を使用することが好ましい。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ｃ）は、また、式：
Figure 0006993591000102
 （式中、Ｒ３ｃは上述のとおり、Ｒ２２ｃは１価の有機基、Ｅｃは脱離基である。）で示されるケトンと、式：
Figure 0006993591000103
 （式中、Ｒ１ｃは上述のとおり、Ｒ２３ｃは１価の有機基である。）で示されるカルボン酸エステルとを反応させて、式：
Figure 0006993591000104
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ３ｃ及びＥｃは上述のとおり、Ｒ２４ｃは単結合又は２価の連結基である。）で示される化合物（２１ｃ）を得る工程（２１ｃ）、
化合物（２１ｃ）が有する脱離基を脱離させて、式：
Figure 0006993591000105
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ２４ｃ及びＲ３ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（２２ｃ）を得る工程（２２ｃ）、及び、
化合物（２２ｃ）を酸化させて、式：
Figure 0006993591000106
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ２４ｃ及びＲ３ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（２３ｃ）を得る工程（２３ｃ）、
を含む製造方法により、好適に製造できる。
Ｒ１ｃにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
Ｅｃは脱離基を表す。上記脱離基としては、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、ベンジル（Ｂｎ）基等が挙げられる。
Ｒ２２ｃとしては、炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ２３ｃとしては、炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ２４ｃとしては、炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基（－ＣＨ２－）がより好ましい。
工程（２１ｃ）における反応は、塩基の存在下、溶媒中で実施できる。
上記塩基としては、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等が挙げられる。
上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、アルコール、エーテルが更に好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（２１ｃ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０がより好ましい。
工程（２１ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（２１ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（２２ｃ）における脱離基の脱離反応は、フッ化物イオンや酸を使用することにより、実施できる。脱離基の脱離させる方法としては、例えば、フッ酸を用いる方法、ピリジン・ｎＨＦやトリエチルアミン・ｎＨＦのようなフッ化水素のアミン錯体を用いる方法、フッ化セシウム、フッ化カリウム、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）、フッ化アンモニウムのような無機塩を用いる方法、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）のような有機塩を用いる方法が挙げられる。
工程（２２ｃ）における脱離基の脱離反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（２２ｃ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（２２ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（２２ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（２３ｃ）における酸化は、亜塩素酸ナトリウムの存在下に、溶媒中で実施できる。
上記溶媒としては、アルコール及び水が使用できる。緩衝液として、リン酸水素二ナトリウム溶液を使用してもよい。
化合物（２３ｃ）をアルカリと接触させて、－ＣＯＯＨを塩型に変換してもよい。上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア等が挙げられ、アンモニアの水溶液を使用することが好ましい。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ｃ）は、また、式：Ｙｃ－Ｒ３ｃ－ＣＨ２－ＯＥｃ
（式中、Ｒ３ｃは上述のとおり、Ｙｃはハロゲン原子、Ｅｃは脱離基である。）で示されるハロゲン化アルキルと、式：
Figure 0006993591000107
 （式中、Ｒ１ｃは上述のとおりである。）で示されるリチウムアセチリドとを反応させて、式：
Figure 0006993591000108
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ３ｃ及びＥｃは上述のとおりである。）で示される化合物（３１ｃ）を得る工程（３１ｃ）、
化合物（３１ｃ）を酸化して、式
Figure 0006993591000109
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ３ｃ及びＥｃは上述のとおりである。）で示される化合物（３２ｃ）を得る工程（３２ｃ）、
化合物（３２ｃ）が有する脱離基を脱離させて、式：
Figure 0006993591000110
 （式中、Ｒ１ｃ及びＲ３ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（３３ｃ）を得る工程（３３ｃ）、及び、
化合物（３３ｃ）を酸化させて、式：
Figure 0006993591000111
 （式中、Ｒ１ｃ及びＲ３ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（３４ｃ）を得る工程（３４ｃ）、
を含む製造方法により、好適に製造できる。
Ｒ１ｃにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
Ｅｃは脱離基を表す。上記脱離基としては、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基、トリエチルシリル（ＴＥＳ）基、トリイソプロピルシリル（ＴＩＰＳ）基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル（ＴＢＤＰＳ）基、ベンジル（Ｂｎ）基等が挙げられる。
工程（３１ｃ）において、上記ハロゲン化アルキルと上記リチウムアセチリドとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記ハロゲン化アルキル１モルに対して、上記リチウムアセチリドが１～２モルであることが好ましく、１～１．２モルがより好ましい。
工程（３１ｃ）における反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、ヘキサンが好ましい。
工程（３１ｃ）における反応の温度としては、－１００～－４０℃が好ましく、－８０～－５０℃がより好ましい。
工程（３１ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３１ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、６～１０時間がより好ましい。
工程（３２ｃ）における酸化は、［（Ｃｎ＊）ＲｕＩＩＩ（ＣＦ３ＣＯ２）３］・Ｈ２Ｏ（式中、Ｃｎ＊は１，４，７－トリメチルー１，４，７－トリアザビシクロノナンを表す）を、（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６及びトリフルオロ酢酸で処理した後、過塩素酸ナトリウムを添加することにより生じる錯体を使用して、ニトリル系溶媒中で実施できる。
酸化終了後に、アルカリにより中和し、エーテル等の有機溶媒を使用して化合物（３２ｃ）を抽出してもよい。
工程（３２ｃ）における反応の温度としては、３０～１００℃が好ましく、４０～９０℃がより好ましい。
工程（３２ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３２ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（３３ｃ）における脱離基の脱離反応は、フッ化物イオンや酸を使用することにより、実施できる。脱離基の脱離させる方法としては、例えば、フッ酸を用いる方法、ピリジン・ｎＨＦやトリエチルアミン・ｎＨＦのようなフッ化水素のアミン錯体を用いる方法、フッ化セシウム、フッ化カリウム、ホウフッ化リチウム（ＬｉＢＦ４）、フッ化アンモニウムのような無機塩を用いる方法、テトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）のような有機塩を用いる方法が挙げられる。
工程（３３ｃ）における脱離基の脱離反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましく、エーテルが更に好ましい。
上記エーテルとしては、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、モノグライム（エチレングリコールジメチルエーテル）、ジグライム（ジエチレングリコールジメチルエーテル）、トリグライム（トリエチレングリコールジメチルエーテル）、テトラヒドロフラン、テトラグライム（テトラエチレングリコールジメチルエーテル）、クラウンエーテル（１５－クラウン－５，１８－クラウン－６）等が挙げられ、なかでも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが好ましい。
工程（３３ｃ）における反応の温度としては、０～４０℃が好ましく、０～２０℃がより好ましい。
工程（３３ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（３３ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、３～８時間がより好ましい。
工程（３４ｃ）における酸化は、亜塩素酸ナトリウムの存在下に、溶媒中で実施できる。
上記溶媒としては、アルコール及び水が使用できる。緩衝液として、リン酸水素二ナトリウム溶液を使用してもよい。
化合物（３４ｃ）をアルカリと接触させて、－ＣＯＯＨを塩型に変換してもよい。上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア等が挙げられ、アンモニアの水溶液を使用することが好ましい。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ｃ）は、また、式：
Figure 0006993591000112
 で示されるジビニルケトンと、式：
Figure 0006993591000113
 で示される２－メチルフランとを反応させて、式：
Figure 0006993591000114
 で示される化合物（５１ｃ）を得る工程（５１ｃ）、
化合物（５１ｃ）と式：
Figure 0006993591000115
 で示されるフランとを反応させて、式：
Figure 0006993591000116
 で示される化合物（５２ｃ）を得る工程（５２ｃ）、
化合物（５２ｃ）を酸の存在下で加熱することにより、式：
Figure 0006993591000117
 で示される化合物（５３ｃ）を得る工程（５３ｃ）、及び、
化合物（５３ｃ）を酸化させて、式：
Figure 0006993591000118
 で示される化合物（５４ｃ）を得る工程（５４ｃ）、
を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（５１ｃ）において、ジビニルケトンと２－メチルフランとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、ジビニルケトン１モルに対して、２－メチルフランが０．５～１モルであることが好ましく、０．６～０．９モルがより好ましい。
工程（５１ｃ）における反応は、酸の存在下に実施することが好ましい。上記酸としては、酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン酸等があげられ、なかでも、酢酸が好ましい。
工程（５１ｃ）における上記酸の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、ジビニルケトン１モルに対して、０．１～２モルが好ましく、０．１～１モルがより好ましい。
工程（５１ｃ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、アセトニトリルが好ましい。
工程（５１ｃ）における反応の温度としては、２０～１００℃が好ましく、４０～１００℃がより好ましい。
工程（５１ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（５１ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、４～８時間がより好ましい。
工程（５２ｃ）において、化合物（５１ｃ）とフランとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（５１ｃ）１モルに対してフランが１～２モルであることが好ましく、１～１．１モルがより好ましい。
工程（５２ｃ）における反応は、酸の存在下に実施することが好ましい。上記酸としては、酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、なかでも、酢酸が好ましい。
工程（５２ｃ）における上記酸の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（５１ｃ）１モルに対して、０．１～２モルが好ましく、０．１～１モルがより好ましい。
工程（５２ｃ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水が好ましい。
工程（５２ｃ）における反応の温度としては、２０～１００℃が好ましく、４０～１００℃がより好ましい。
工程（５２ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（５２ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、４～８時間がより好ましい。
工程（５３ｃ）では、化合物（５２ｃ）を酸の存在下で加熱することにより、フラン環を開環させる。
上記酸としては、塩酸、硫酸が好ましい。
工程（５３ｃ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水が好ましい。
工程（５３ｃ）における反応の温度としては、５０～１００℃が好ましく、７０～１００℃がより好ましい。
工程（５３ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（５３ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、１～１２時間がより好ましい。
工程（５４ｃ）における酸化は、亜塩素酸ナトリウムの存在下に、溶媒中で実施できる。
上記溶媒としては、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール及び水が使用できる。緩衝液として、リン酸水素二ナトリウム溶液を使用してもよい。
化合物（５４ｃ）をアルカリと接触させて、－ＣＯＯＨを塩型に変換してもよい。上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア等が挙げられ、アンモニアの水溶液を使用することが好ましい。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ｃ）は、また、式：
Figure 0006993591000119
 （式中、Ｒ１ｃは上述のとおり、Ｒ２１ｃは単結合又は２価の連結基である。）で示されるアルケンと、式：
Figure 0006993591000120
 （式中、Ｙ６１ｃはアルキルエステル基である。）で示されるアルキンとを反応させて、式：
Figure 0006993591000121
 （式中、Ｒ１ｃ、Ｒ２１ｃ及びＹ６１ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（６１ｃ）を得る工程（６１ｃ）、及び、
化合物（６１ｃ）に、アルカリを作用させたのちに酸を作用させて、式：
Figure 0006993591000122
 （式中、Ｒ１ｃ及びＲ２１ｃは上述のとおりである。）で示される化合物（６２ｃ）を得る工程（６２ｃ）、
を含む製造方法により、好適に製造できる。
Ｒ１ｃにフラン環を含む場合は、例えば酸によりフラン環を開環しジカルボニル誘導体に変換してもよい。酸としては酢酸、塩酸、ｐ－トルエンスルホン等があげられ、中でも酢酸が好ましい。
Ｒ２１ｃとしては、単結合又は炭素数１以上の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。
工程（６１ｃ）において、上記アルケンと上記アルキンとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記アルキン１モルに対して、上記アルケンが０．５～２モルであることが好ましく、０．６～１．２モルがより好ましい。
工程（６１ｃ）における反応は、金属触媒存在下に実施することが好ましい。上記金属としては、ルテニウム等があげられる。
工程（６１ｃ）における上記金属触媒の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、上記アルケン１モルに対して、０．０１～０．４モルが好ましく、０．０５～０．１モルがより好ましい。
工程（６１ｃ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、アセトニトリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドが好ましい。
工程（６１ｃ）における反応の温度としては、２０～１６０℃が好ましく、４０～１４０℃がより好ましい。
工程（６１ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（６１ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、４～８時間がより好ましい。
工程（６２ｃ）において、化合物（６１ｃ）と上記アルカリとの反応割合としては、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（６１ｃ）１モルに対して上記アルカリが０．６～２モルであることが好ましく、０．８～１．１モルがより好ましい。
工程（６２ｃ）における上記酸の使用量は、収率の向上及び廃棄物の減少を考慮して、化合物（６１ｃ）１モルに対して、１．０～２０．０モルが好ましく、１．０～１０．０モルがより好ましい。
工程（６２ｃ）における反応は、極性溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水が好ましい。
工程（６２ｃ）における反応の温度としては、０～１００℃が好ましく、２０～１００℃がより好ましい。
工程（６２ｃ）における反応の圧力としては、０．１～５ＭＰａが好ましく、０．１～１ＭＰａがより好ましい。
工程（６２ｃ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、４～８時間がより好ましい。
化合物（６２ｃ）をアルカリと接触させて、－ＣＯＯＨを塩型に変換してもよい。上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア等が挙げられ、アンモニアの水溶液を使用することが好ましい。
各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。
界面活性剤（ｄ）について説明する。
式（ｄ）中、Ｒ１ｄは、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基である。
上記アルキル基は、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含むこともできるし、環を形成することもできる。上記複素環としては、不飽和複素環が好ましく、含酸素不飽和複素環がより好ましく、例えば、フラン環等が挙げられる。Ｒ１ｄにおいて、２価の複素環が２つの炭素原子間に挿入されていてもよいし、２価の複素環が末端に位置して－Ｃ（＝Ｏ）－と結合してもよいし、１価の複素環が上記アルキル基の末端に位置してもよい。
なお、本明細書において、上記アルキル基の「炭素数」には、上記複素環を構成する炭素原子の数も含めるものとする。
Ｒ１ｄとしての上記アルキル基が有してもよい上記置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～１０の環状のアルキル基、ヒドロキシ基が好ましく、メチル基、エチル基が特に好ましい。
Ｒ１ｄとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ１ｄとしては、置換基を有してもよい炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３～１０の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更により好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）が最も好ましい。
式（ｄ）中、Ｒ２ｄ及びＲ４ｄは、独立に、Ｈ又は置換基である。複数個のＲ２ｄ及びＲ４ｄは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｄ及びＲ４ｄとしての上記置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数３～１０の環状のアルキル基、ヒドロキシ基が好ましく、メチル基、エチル基が特に好ましい。
Ｒ２ｄ及びＲ４ｄとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ２ｄ及びＲ４ｄとしての上記アルキル基としては、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましい。
Ｒ２ｄ及びＲ４ｄとしては、独立に、Ｈ又はカルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、Ｈ又は置換基を有さない炭素数１～３の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、Ｈ、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が更により好ましく、Ｈが特に好ましい。
式（ｄ）中、Ｒ３ｄは、置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基である。Ｒ３ｄは、複数個存在する場合、同一でも異なっていてもよい。
上記アルキレン基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
上記アルキレン基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキレン基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
上記アルキレン基としては、置換基を有してもよい炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基又は置換基を有してもよい炭素数３～１０の環状のアルキレン基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基又はカルボニル基を含まない炭素数３～１０の環状のアルキレン基が好ましく、置換基を有さない炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基がより好ましく、メチレン基（－ＣＨ２－）、エチレン基（－Ｃ２Ｈ４－）、イソプロピレン基（－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－）又はプロピレン基（－Ｃ３Ｈ６－）が更に好ましい。
Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄ及びＲ４ｄは、いずれか２つがお互いに結合して、環を形成してもよい。
式（ｄ）中、ｎは、１以上の整数である。ｎとしては、１～４０の整数が好ましく、１～３０の整数がより好ましく、５～２５の整数が更に好ましい。
式（ｄ）中、ｐ及びｑは、独立に、０以上の整数である。ｐとしては、０～１０の整数が好ましく、０又は１がより好ましい。ｑとしては、０～１０の整数が好ましく、０～５の整数がより好ましい。
ｎ、ｐ及びｑは、合計が６以上の整数であることが好ましい。ｎ、ｐ及びｑの合計は８以上の整数であることがより好ましい。ｎ、ｐ及びｑの合計はまた、６０以下の整数であることが好ましく、５０以下の整数であることがより好ましく、４０以下の整数であることが更に好ましい。
式（ｄ）中、Ａｄは、－ＳＯ３Ｘｄ又は－ＣＯＯＸｄ（Ｘｄは、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ｄ ４、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム又は置換基を有していてもよいホスホニウムであり、Ｒ５ｄはＨ又は有機基であり、同一でも異なっていてもよい。）である。Ｒ５ｄとしては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。上記金属原子としては、１、２価の金属原子が挙げられ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）等が挙げられ、Ｎａ、Ｋ又はＬｉが好ましい。Ｘｄは金属原子又はＮＲ５ｄ ４（Ｒ５ｄは上記のとおり）であってよい。
Ｘｄとしては、Ｈ、アルカリ金属（１族）、アルカリ土類金属（２族）又はＮＲ５ｄ ４が好ましく、水に溶解しやすいことから、Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ又はＮＨ４がより好ましく、水に更に溶解しやすいことから、Ｎａ、Ｋ又はＮＨ４が更に好ましく、Ｎａ又はＮＨ４が特に好ましく、除去が容易であることから、ＮＨ４が最も好ましい。ＸｄがＮＨ４であると、上記界面活性剤の水性媒体への溶解性が優れるとともに、ＰＴＦＥ中又は最終製品中に金属成分が残留しにくい。
式（ｄ）中、Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。上記アルキレン基は、炭素数が１～５であることがより好ましい。また、上記Ｒ６ｄは、Ｈ又はメチル基であることがより好ましい。＊は、式中のＡｄに結合する側を指す。
Ｌは単結合であることが好ましい。
上記界面活性剤は、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、ケミカルシフト２．０～５．０ｐｐｍの領域に観測される全ピーク強度の積分値が１０以上であることが好ましい。
上記界面活性剤は、１Ｈ－ＮＭＲスペクトルにおいて、ケミカルシフト２．０～５．０ｐｐｍの領域に観測される全ピーク強度の積分値が上記範囲内にあることが好ましい。この場合、上記界面活性剤は分子中にケトン構造を有することが好ましい。
上記界面活性剤において、上記積分値は、１５以上がより好ましく、９５以下が好ましく、８０以下がより好ましく、７０以下が更に好ましい。
上記積分値は、重水溶媒にて室温下に測定する。重水を４．７９ｐｐｍとする。
上記界面活性剤（ｄ）としては、例えば、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＫ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
（ＣＨ３）３ＣＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
（ＣＨ３）２ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
（ＣＨ２）５ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ２ＣＯＯＫ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＯＯＫ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＯＯＮａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＯＯＨ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＯＯＬｉ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＯＯＮＨ４、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＯＯＮａ、ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＣＯＯＫ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ３）３ＣＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ３）２ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
（ＣＨ２）５ＣＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ（Ｏ）ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ２ＳＯ３Ｎａ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｈ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｋ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｌｉ、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３ＮＨ４、
ＣＨ３Ｃ（Ｏ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２ＳＯ３Ｎａ
等が挙げられる。
界面活性剤（ｄ）は、新規化合物であり、例えば、次に例示する製造方法により製造することができる。
界面活性剤（ｄ）は、下記式：
Figure 0006993591000123
 （式中、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ及びｎは、上記のとおりである。）
で示される化合物（１０ｄ）と、下記式：
Figure 0006993591000124
 （式中、Ｒ３ｄは、上記のとおりである。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－Ｓ（＝Ｏ）２－に結合する側を指す。）で示されるサルトンとを反応させて、下記式：
Figure 0006993591000125
 （式中、Ｒ１ｄ～Ｒ３ｄ、ｎ及びＸｄは、上記のとおりである。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－ＯＳＯ３Ｘｄに結合する側を指す。）
で示される化合物（１１ｄ）を得る工程（１１ｄ）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（１１ｄ）における反応は、塩基の存在下に実施できる。
上記塩基としては、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、トリエチルアミン等が挙げられる。上記塩基は、化合物（１０ｄ）１モルに対して、０．５～２０モルの量で使用できる。
工程（１１ｄ）における反応は、溶媒中で実施できる。
上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、非プロトン性極性溶媒がより好ましい。上記有機溶媒としては、エーテル、芳香族化合物、ニトリル、ハロゲン化炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記芳香族化合物としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
工程（１１ｄ）における反応の温度としては、－７８～１５０℃が好ましく、－２０～１００℃がより好ましい。
工程（１１ｄ）における反応の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（１１ｄ）における反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（ｄ）は、また、下記式：
Figure 0006993591000126
 （式中、Ｒ１ｄ～Ｒ４ｄ、ｎ、ｐ及びｑは上記のとおりである。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－ＣＨ２－ＯＨに結合する側を指す。）
で示される化合物（２０ｄ）を酸化させて、下記式：
Figure 0006993591000127
 （式中、Ｒ１ｄ～Ｒ４ｄ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｄは上記のとおりである。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－ＣＨ２－ＣＯＯＸｄに結合する側を指す。）
で示される化合物（２１ｄ）を得る工程（２１ｄ）を含む製造方法により、好適に製造できる。
工程（２１ｄ）における酸化は、化合物（２０ｄ）にニトロソ化剤を作用させることにより実施できる。
上記ニトロソ化剤としては、亜硝酸ナトリウム、ニトロシル硫酸及び亜硝酸イソアミル等が使用できる。
上記ニトロソ化剤は、化合物（２０ｄ）１モルに対して、０．５～１０モルの量で使用できる。
工程（２１ｄ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、トリフルオロ酢酸、アセトニトリル等が使用できる。
工程（２１ｄ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１００℃がより好ましい。
工程（２１ｄ）における酸化の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（２１ｄ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～２４時間がより好ましい。
化合物（１０ｄ）及び化合物（２０ｄ）は、下記式：
Ｒ１１ｄ－ＣＨ＝ＣＨ－Ｙ１ｄ－ＯＨ
（式中、Ｒ１１ｄは、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。Ｙ１ｄは、－（ＣＲ２ｄ ２）ｎ－又は－（ＣＲ２ｄ ２）ｎ－（ＯＲ３ｄ）ｐ－（ＣＲ４ｄ ２）ｑ－Ｌ－ＣＨ２－（Ｒ２ｄ～Ｒ４ｄ、ｎ、Ｌ、ｐ及びｑは、上記のとおり。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。＊は、式中の－ＣＨ２－に結合する側を指す。）である。）で示される化合物（１００ｄ）をヒドロキシ化して、下記式：
Figure 0006993591000128
 （式中、Ｒ１１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（１０１ｄ）を得る工程（１０１ｄ）、及び、
化合物（１０１ｄ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000129
 （式中、Ｒ１１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（１０２ｄ）を得る工程（１０２ｄ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１１ｄとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ１１ｄとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ１１ｄとしては、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３～９の環状のアルキル基が好ましく、Ｈ、カルボニル基を含まない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～９の環状のアルキル基がより好ましく、Ｈ、又は、置換基を有さない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、Ｈ、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が更により好ましく、Ｈ又はメチル基（－ＣＨ３）が特に好ましく、Ｈが最も好ましい。
工程（１０１ｄ）におけるヒドロキシ化は、例えば、（１ｄ）酸素雰囲気中で化合物（１００ｄ）にフタロシアニン鉄（ＩＩ）（Ｆｅ（Ｐｃ））及び水素化ホウ素ナトリウムを作用させる方法や、（２ｄ）化合物（１００ｄ）にイソピノカンフェイルボラン（ＩｐｃＢＨ２）を作用させた後、得られる中間体（ジアルキルボラン）を酸化する方法により実施できる。
方法（１ｄ）において、フタロシアニン鉄（ＩＩ）の量は、触媒量であってよく、化合物（１００ｄ）１モルに対して、０．００１～１．２モルの量で使用できる。
方法（１ｄ）において、水素化ホウ素ナトリウムは、化合物（１００ｄ）１モルに対して、０．５～２０モルの量で使用できる。
方法（１ｄ）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル、含窒素極性有機化合物等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
方法（１ｄ）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
方法（１ｄ）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
方法（１ｄ）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
方法（２ｄ）において、イソピノカンフェイルボランは、化合物（１００ｄ）１モルに対して、１．０～１０．０モルの量で使用できる。
化合物（１００ｄ）とイソピノカンフェイルボランとの反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
化合物（１００ｄ）とイソピノカンフェイルボランとの反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
化合物（１００ｄ）とイソピノカンフェイルボランとの反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
化合物（１００ｄ）とイソピノカンフェイルボランとの反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
方法（２ｄ）における酸化は、上記中間体に酸化剤を作用させることにより実施できる。上記酸化剤としては、過酸化水素が挙げられる。上記酸化剤は、上記中間体１モルに対して、０．７～１０モルの量で使用できる。
方法（２ｄ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、メタノール、エタノール等が挙げられ、なかでも水が好ましい。
方法（２ｄ）における酸化の温度としては、０～１００℃が好ましく、０～８０℃がより好ましい。
方法（２ｄ）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
方法（２ｄ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（１０２ｄ）において、化合物（１０１ｄ）を酸化する方法としては、例えば、（ａ）ジョーンズ試薬（ＣｒＯ３／Ｈ２ＳＯ４）を用いる方法（ジョーンズ酸化）、（ｄ）デス・マーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）を用いる方法（デス・マーチン酸化）、（ｃ）クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）を用いる方法、（ｄ）ＮｉＣｌ２等のニッケル化合物の存在下に漂白剤（ＮａＯＣｌの約５～６％水溶液）を作用させる方法、（ｅ）Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］３等のアルミニウム触媒の存在下にアルデヒド、ケトン等の水素受容体を作用させる方法（オッペナウアー酸化）が挙げられる。
工程（１０２ｄ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、ケトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル等が挙げられる。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（１０２ｄ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１０２ｄ）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（１０２ｄ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
化合物（１０ｄ）及び化合物（２０ｄ）は、また、下記式：
Figure 0006993591000130
 （式中、Ｒ１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。Ｒ１０１ｄは、有機基である。）で示される化合物（２００ｄ）をオゾン分解して、下記式：
Figure 0006993591000131
 （式中、Ｒ１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（２０１ｄ）を得る工程（２０１ｄ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ１０１ｄとしては、炭素数１～２０のアルキル基が好ましい。２個のＲ１０１ｄは、同一でも異なっていてもよい。
工程（２０１ｄ）におけるオゾン分解は、化合物（２００ｄ）にオゾンを作用させた後、還元剤で後処理することにより実施できる。
オゾンは、酸素ガス中の無声放電によって発生させることができる。
上記後処理に用いる還元剤としては、亜鉛、ジメチルスルフィド、チオウレア、ホスフィン類等が挙げられ、なかでもホスフィン類が好ましい。
工程（２０１ｄ）におけるオゾン分解は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、アルコール、カルボン酸類、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なかでも、メタノール、エタノールが好ましい。
上記カルボン酸類としては、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。なかでも、酢酸が好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（２０１ｄ）におけるオゾン分解の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、０～１５０℃がより好ましい。
工程（２０１ｄ）におけるオゾン分解の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（２０１ｄ）におけるオゾン分解の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
化合物（１０ｄ）及び化合物（２０ｄ）は、また、下記式：
Ｒ２１ｄ－ＣＨ＝ＣＨ－Ｙ１ｄ－ＯＨ
（式中、Ｙ１ｄは、上記のとおり。Ｒ２１ｄは、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。）で示される化合物（３００ｄ）をエポキシ化して、下記式：
Figure 0006993591000132
 （式中、Ｒ２１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（３０１ｄ）を得る工程（３０１ｄ）、
化合物（３０１ｄ）と、Ｒ２２ｄ ２ＣｕＬｉ（Ｒ２２ｄは、置換基を有してもよい炭素数１以上の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は置換基を有してもよい炭素数３以上の環状のアルキル基であり、炭素数が３以上の場合は１価又は２価の複素環を含んでも環を形成していてもよい。）で示されるジアルキル銅リチウムとを反応させて、下記式：
Figure 0006993591000133
 （式中、Ｒ２１ｄ、Ｒ２２ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（３０２ｄ）を得る工程（３０２ｄ）、及び、
化合物（３０２ｄ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000134
 （式中、Ｒ２１ｄ、Ｒ２２ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（３０３ｄ）を得る工程（３０３ｄ）を含む製造方法により製造できる。
Ｒ２１ｄとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ２１ｄとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ２１ｄとしては、Ｈ、置換基を有してもよい炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３～８の環状のアルキル基が好ましく、Ｈ、カルボニル基を含まない炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～８の環状のアルキル基がより好ましく、Ｈ、又は、置換基を有さない炭素数１～８の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、Ｈ又はメチル基（－ＣＨ３）が特に好ましく、Ｈが最も好ましい。
Ｒ２２ｄとしての上記アルキル基は、カルボニル基を含まないことが好ましい。
Ｒ２２ｄとしての上記アルキル基は、炭素原子に結合した水素原子の７５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、５０％以下がハロゲン原子により置換されていてもよく、２５％以下がハロゲン原子により置換されていてもよいが、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子を含まない非ハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
上記アルキル基は、如何なる置換基も有していないことが好ましい。
Ｒ２２ｄとしては、置換基を有してもよい炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有してもよい炭素数３～９の環状のアルキル基が好ましく、カルボニル基を含まない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又はカルボニル基を含まない炭素数３～９の環状のアルキル基がより好ましく、置換基を有さない炭素数１～９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が更に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）又はエチル基（－Ｃ２Ｈ５）が特に好ましく、メチル基（－ＣＨ３）が最も好ましい。
２個のＲ２２ｄは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２１ｄ及びＲ２２ｄは、炭素数が合計で１～７であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが最も好ましい。
工程（３０１ｄ）におけるエポキシ化は、化合物（３００ｄ）にエポキシ化剤を作用させることにより実施できる。
上記エポキシ化剤としては、メタクロロ過安息香酸（ｍ－ＣＰＢＡ）、過安息香酸、過酸化水素、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロペルオキシド等の過酸、ジメチルジオキシラン、メチルトリフルオロメチルジオキシラン等が挙げられ、なかでも過酸が好ましく、メタクロロ過安息香酸がより好ましい。
上記エポキシ化剤は、化合物（３００ｄ）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（３０１ｄ）におけるエポキシ化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、ケトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル、ピリジン、含窒素極性有機化合物、ジメチルスルホキシド等が挙げられ、なかでもジクロロメタンが好ましい。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
工程（３０１ｄ）におけるエポキシ化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（３０１ｄ）におけるエポキシ化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（３０１ｄ）におけるエポキシ化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３０２ｄ）において、上記ジアルキル銅リチウムは、化合物（３０１ｄ）１モルに対して、０．５～１０．０モルの量で使用できる。
工程（３０２ｄ）の反応は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、有機溶媒が好ましく、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素等が挙げられる。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
工程（３０２ｄ）の反応の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－４０～１５０℃がより好ましい。
工程（３０２ｄ）の反応の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、０．１～１．０ＭＰａがより好ましい。
工程（３０２ｄ）の反応の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
工程（３０３ｄ）において、化合物（３０２ｄ）を酸化する方法としては、例えば、（ａ）ジョーンズ試薬（ＣｒＯ３／Ｈ２ＳＯ４）を用いる方法（ジョーンズ酸化）、（ｄ）デス・マーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）を用いる方法（デス・マーチン酸化）、（ｃ）クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）を用いる方法、（ｄ）ＮｉＣｌ２等のニッケル化合物の存在下に漂白剤（ＮａＯＣｌの約５～６％水溶液）を作用させる方法、（ｅ）Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ［ＯＣＨ（ＣＨ３）２］３等のアルミニウム触媒の存在下にアルデヒド、ケトン等の水素受容体を作用させる方法（オッペナウアー酸化）が挙げられる。
工程（３０３ｄ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水及び有機溶媒が好ましく、水、ケトン、アルコール、エーテル、ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水素、ニトリル等が挙げられる。
上記ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられ、なかでも、アセトンが好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。なかでも、メタノール、エタノールが好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（３０３ｄ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３０３ｄ）における酸化の圧力としては、０～５．０ＭＰａが好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
工程（３０３ｄ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、採用する方法に応じて適宜選択することができる。
化合物（１０ｄ）及び化合物（２０ｄ）は、また、下記式：
Ｒ１１ｄ－ＣＨ＝ＣＨ－Ｙ１ｄ－ＯＨ
（式中、Ｒ１１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（１００ｄ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000135
 （式中、Ｒ１１ｄ及びＹ１ｄは、上記のとおり。）で示される化合物（４０１ｄ）を得る工程（４０１ｄ）を含む製造方法により製造できる。
工程（４０１ｄ）における酸化は、水及びパラジウム化合物の存在下で、化合物（１００ｄ）に酸化剤を作用させることにより実施できる。
上記酸化剤としては、塩化銅、酢酸銅、シアン化銅、トリフルオロメタンチオール銅等の一価又は二価の銅塩、塩化鉄、酢酸鉄、シアン化鉄、トリフルオロメタンチオール鉄、ヘキサシアノ鉄等の鉄塩、１，４－ベンゾキノン、２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－１，４－ベンゾキノン、テトラクロロ－１，２－ベンゾキノン、テトラクロロ－１，４－ベンゾキノン等のベンゾキノン類、Ｈ２Ｏ２、ＭｎＯ２、ＫＭｎＯ４、ＲｕＯ４、ｍ－クロロ過安息香酸、酸素等が挙げられる。なかでも、銅塩、鉄塩、ベンゾキノン類が好ましく、塩化銅、塩化鉄、１，４－ベンゾキノンがより好ましい。
上記酸化剤は、化合物（１００ｄ）１モルに対して、０．００１～１０モルの量で使用できる。
上記水は、化合物（１００ｄ）１モルに対して、０．５～１０００モルの量で使用できる。
上記パラジウム化合物としては、二塩化パラジウムが挙げられる。上記パラジウム化合物の量は、触媒量であってよく、化合物（１００ｄ）１モルに対して、０．０００１～１．０モルの量で使用できる。
工程（４０１ｄ）における酸化は、溶媒中で実施できる。上記溶媒としては、水、エステル、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、アルコール、カルボン酸類、エーテル、ハロゲン化炭化水素、含窒素極性有機化合物、ニトリル、ジメチルスルホキシド、スルホランが挙げられる。
上記エステルとしては、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；別名１－メトキシ－２－アセトキシプロパン）等が挙げられ、なかでも、酢酸エチルが好ましい。
上記脂肪族炭化水素としては、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、ミネラルスピリット等が挙げられ、なかでも、シクロヘキサン、ヘプタンが好ましい。
上記芳香族炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられ、なかでも、ベンゼン、トルエンが好ましい。
上記アルコールとしては、メタノール、エタノール、１－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
上記カルボン酸類としては、酢酸、プロピオン酸等が挙げられる。なかでも、酢酸が好ましい。
上記エーテルとしては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジエチルエーテル等が挙げられ、なかでも、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランが好ましい。
上記ハロゲン化炭化水素としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等が挙げられ、なかでも、ジクロロメタン、クロロホルムが好ましい。
上記含窒素極性有機化合物としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドンが好ましい。
上記ニトリルとしては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられ、なかでも、アセトニトリルが好ましい。
工程（４０１ｄ）における酸化の温度としては、－７８～２００℃が好ましく、－２０～１５０℃がより好ましい。
工程（４０１ｄ）における酸化の圧力としては、０～１０ＭＰａが好ましく、０．１～５．０ＭＰａがより好ましい。
工程（４０１ｄ）における酸化の時間としては、０．１～７２時間が好ましく、０．１～４８時間がより好ましい。
界面活性剤（ｄ）は、また、下記式：
Ｒ１１ｄ－ＣＨ＝ＣＨ－（ＣＲ２ｄ ２）ｎ－（ＯＲ３ｄ）ｐ－（ＣＲ４ｄ ２）ｑ－Ｌ－ＣＯＯＸｄ
（式中、Ｒ２ｄ～Ｒ４ｄ、Ｒ１１ｄ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｄは、上記のとおり。Ｌは、単結合、－ＣＯ２－Ｂ－＊、－ＯＣＯ－Ｂ－＊、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－＊、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－＊、又は、－ＣＯ－（但し、－ＣＯ２－Ｂ－、－ＯＣＯ－Ｂ－、－ＣＯＮＲ６ｄ－Ｂ－、－ＮＲ６ｄＣＯ－Ｂ－に含まれるカルボニル基を除く。）であり、Ｂは単結合もしくは置換基を有してもよい炭素数１～１０のアルキレン基であり、Ｒ６ｄは、Ｈ又は置換基を有していてもよい、炭素数１～４のアルキル基である。上記アルキレン基は、炭素数が１～５であることがより好ましい。また、上記Ｒ６ｄは、Ｈ又はメチル基であることがより好ましい。＊は、式中の－ＣＯＯＸｄに結合する側を指す。）で示される化合物（３０ｄ）を酸化して、下記式：
Figure 0006993591000136
 （Ｒ２ｄ～Ｒ４ｄ、Ｌ、Ｒ１１ｄ、ｎ、ｐ、ｑ及びＸｄは、上記のとおり。）で示される化合物（３１ｄ）を得る工程（３１ｄ）を含む製造方法により製造できる。
工程（３１ｄ）における酸化は、水及びパラジウム化合物の存在下で、化合物（３０ｄ）に酸化剤を作用させることにより実施でき、工程（４０１ｄ）における酸化と同様の条件が採用できる。
上述したいずれの製造方法においても、各工程の終了後、溶媒を留去したり、蒸留、精製等を実施したりして、得られる化合物の純度を高めてもよい。また、得られる化合物が－ＳＯ３Ｈ、－ＣＯＯＨ等のＸｄがＨである化合物である場合は、炭酸ナトリウム、アンモニア等のアルカリと接触させることにより、これらの基を塩型に変換できる。
本発明の製造方法においては、上記炭化水素系界面活性剤を２種以上同時に用いてもよい。
本発明は、ＰＴＦＥを含み、下記一般式（３）で示される化合物を実質的に含まないことを特徴とする組成物でもある。
一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
上記ＰＴＦＥとしては、精製ＰＴＦＥ水性分散液の製造方法において記載したホモＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ等のＰＴＦＥが挙げられる。
上記一般式（３）で示される化合物を実質的に含まない組成物、また、後述する一般式（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）、（６’）又は（７）で示される化合物を特定の量で含む組成物は、炭化水素系界面活性剤を用いて重合して得られたＰＴＦＥを、フッ素化処理することにより得られたものであることが好ましい。フッ素化処理の時間、添加量が多いほど、一般式（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）、（６’）又は（７）で示される化合物を低減できる。フッ素化処理は高温で行うことが好ましく、また、フッ素ラジカル源の添加量を多くすることが好ましい。例えば、１００℃超でフッ素化処理することが好ましく、フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、ＰＴＦＥ１００重量部に対して０．５重量部以上であることが好ましい。
本発明の組成物は、一般式（３）で示される化合物を実質的に含まない。
一般式（３）で示される化合物を実質的に含まないとは、例えば、一般式（３）で示される化合物の含有量がＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であればよい。一般式（３）で示される化合物の含有量は、ＰＴＦＥに対して５００ｐｐｂ以下であることが好ましく、１００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
なお、本発明の組成物が水性分散液である場合、後述する方法により一般式（３）で示される化合物の含有量を測定すると定量限界は１０～１００ｐｐｂ程度であるが、濃縮を行うことにより定量限界を下げることができる。濃縮は複数回繰り返して行ってもよい。
本発明の一態様は、水性分散液である組成物であってもよいし、粉末である組成物であってもよい。水性分散液は重合上がりの水性分散液であってもよいし、重合上がりの水性分散液を加工したものであってもよい。例えば、機械的安定性や貯蔵安定性のために非イオン性界面活性剤などを添加したものであってもよい。
水性分散液とは、水性媒体を分散媒とし、上記ＰＴＦＥを分散質とする分散系である。上記水性媒体は、水を含む液体であれば特に限定されず、水に加え、例えば、アルコール、エーテル、ケトン、パラフィンワックス等の有機溶媒を含むものであってもよい。
炭化水素系界面活性剤を用いてＰＴＦＥを製造すると、得られる水性分散液が下記一般式（４）、（４’）、（５）又は（５’）で示される化合物を含む場合がある。本発明の一態様は、下記一般式（４）、（４’）、（５）又は（５’）で示される化合物の含有量が下記の範囲である組成物である。
また、水性分散液には、安定性を高めるために非イオン性界面活性剤を添加してよい。非イオン性界面活性剤としては特に限定されず、従来公知の非イオン性界面活性剤を採用できる。
本発明の一態様は、下記一般式（４）で示される化合物をＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、ＰＴＦＥに対して１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（４）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（４）：（Ｈ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（４’）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（４’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（４’）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（４）で示される化合物及び下記一般式（４’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、一般式（４）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（４’）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（４）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（４）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。一般式（４’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（４’）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
一般式（４）：（Ｈ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（４’）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（５）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５’）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（５’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５）で示される化合物及び下記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、一般式（５）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（５）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（５）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってもよく、１ｐｐｂであってもよい。一般式（５’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（５’）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（６）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（６）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（６）：（Ｈ－（ＣＦ２）１７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（６’）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（６’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（６’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（６）で示される化合物及び下記一般式（６’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、一般式（６）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（６’）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ＰＴＦＥ以上含む組成物である。非イオン性界面活性剤の含有量の上限値は、例えば、４０％／ＰＴＦＥであることが好ましく、３０％／ＰＴＦＥであることがより好ましく、２０％／ＰＴＦＥであることが更に好ましい。一般式（６）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（６）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。一般式（６’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（６’）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
一般式（６）：（Ｈ－（ＣＦ２）１７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（６’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
炭化水素系界面活性剤を使用してＰＴＦＥを製造すると、得られるＰＴＦＥ粉末が、下記一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）又は（６’）で示される化合物を含む場合がある。本発明の組成物が粉末である場合、一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）又は（６’）で示される化合物の含有量が下記の範囲であることが好ましい。
本発明の一態様は、下記一般式（４）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。一般式（４）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（４）：（Ｈ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（４’）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。一般式（４’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（４’）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（４）で示される化合物及び下記一般式（４’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、一般式（４）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（４’）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物である。一般式（４）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（４）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。一般式（４’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（４’）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
一般式（４）：（Ｈ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（４’）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。一般式（５）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５’）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。一般式（５’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（５）で示される化合物及び下記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、一般式（５）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して２５ｐｐｂ以下である組成物である。一般式（５）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（５）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。一般式（５’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（５’）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（６）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。一般式（６）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（６）：（Ｈ－（ＣＦ２）１７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（６’）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物である。一般式（６’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってよい。
一般式（６’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（６）で示される化合物及び下記一般式（６’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、一般式（６）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（６’）で示される化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物である。一般式（６）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（６）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。一般式（６’）で示される化合物の含有量は５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。一般式（６’）で示される化合物の含有量の下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
一般式（６）：（Ｈ－（ＣＦ２）１７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（６’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１８－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
本発明の一態様は、下記一般式（２）で示される化合物のうち、ｎが４である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが５である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが６である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが７である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが８である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが９である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１０である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１１である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１２である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１３である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１４である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１５である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１６である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１７である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１８である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが１９である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｎが２０である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物である。
一般式（２）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｎ－ＳＯ３）ｑＭ２
（式中、ｎは４～２０である。Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
ｎが４～２０である化合物の含有量は、それぞれ、５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。本発明の組成物は、一般式（２）で示される化合物のいずれの含有量が０ｐｐｂであってよい。
本発明の一態様は、下記一般式（１）で示される化合物のうち、ｍが３である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが４である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが５である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが６である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが７である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが８である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが９である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１０である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１１である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１２である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１３である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１４である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１５である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１６である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１７である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１８である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下であり、ｍが１９である化合物の含有量が、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物である。
一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
ｍが３～１９である化合物の含有量は、それぞれ、５００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが特に好ましく、１５ｐｐｂ以下であることが更により好ましく、１０ｐｐｂ以下であることが更により好ましい。下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。本発明の一態様は、上記一般式（１）で示される化合物のいずれかを含む組成物である。
本発明の組成物は、更に、下記一般式（７）で示される化合物を、ＰＴＦＥに対して１０００ｐｐｂ以下含むものであってもよい。
一般式（７）：（Ｆ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
（式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
一般式（７）で示される化合物を含む組成物は、炭化水素系界面活性剤を用いて重合して得られたＰＴＦＥを、フッ素化処理することにより得られる。フッ素処理の温度が高いほど、フッ素化処理の時間が長いほど、また、フッ素ラジカル源の添加量が多いほど、一般式（７）で示される化合物の含有量を低下させることができる。また、フッ素化処理後に、加熱処理等の別工程を実施してもよい。一般式（７）で示される化合物は、フッ素化処理後に、加熱処理等を行うことによって低減することもできる。
一般式（７）で示される化合物の含有量は、ＰＴＦＥに対して５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、２５ｐｐｂ以下であることが更に好ましく、５ｐｐｂ以下であることが更に特に好ましい。下限は特に限定されないが、０ｐｐｂであってよく、０．１ｐｐｂであってよく、１ｐｐｂであってもよい。
上記一般式（７）で示される化合物の含有量の範囲は、上述した一般式（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）及び（６’）で示される化合物について記載した全ての量の範囲と組合せることができる。
本発明の組成物は、ＰＴＦＥに対して、一般式（３）で示される化合物の含有量が１０００ｐｐｂ以下であり、一般式（４）又は（４’）で示される化合物の含有量が１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、一般式（７）で示される化合物が１０００ｐｐｂ以下であってもよい。好ましくは、一般式（３）で示される化合物の含有量が５００ｐｐｂ以下であり、一般式（４）又は（４’）で示される化合物の含有量が５００ｐｐｂ以下であり、かつ、一般式（７）で示される化合物が５００ｐｐｂ以下であり、更に好ましくは、一般式（３）で示される化合物の含有量が１００ｐｐｂ以下であり、一般式（４）又は（４’）で示される化合物の含有量が１００ｐｐｂ以下であり、かつ、一般式（７）で示される化合物が１００ｐｐｂ以下であり、特に好ましくは、一般式（３）で示される化合物の含有量が２５ｐｐｂ以下であり、一般式（４）又は（４’）で示される化合物の含有量が２５ｐｐｂ以下であり、かつ、一般式（７）で示される化合物が２５ｐｐｂ以下である。
本発明の一態様は、粉末である組成物である。本発明の組成物が粉末である場合、上記粉末は、平均粒径が０．５～２０００μｍであることが好ましい。上記平均粒径のより好ましい下限は１μｍであり、より好ましい上限は１０００μｍであり、更に好ましい上限は８００μｍである。
本明細書において、平均粒径は、低分子量ＰＴＦＥである場合、レーザー回折式粒度分布測定装置（日本レーザー社製）を用い、カスケードは使用せず、圧力０．１ＭＰａ、測定時間３秒で粒度分布を測定し、得られた粒度分布積算の５０％に対応する粒径である。
また、高分子量ＰＴＦＥの場合、上記平均粒径は、ＪＩＳ Ｋ６８９１に準拠して測定した値である。
上記粉末は、焼成後の色調Ｌ＊が２５以上であることが好ましく、５０以上であることがより好ましく、７０以上であることが更に好ましく、８０以上であることが特に好ましい。
色調Ｌ＊を測定するためのサンプルは、４．０ｇのＰＴＦＥ粉末を、内径２８．６ｍｍ、厚み約４ｍｍの円盤状ＰＴＦＥ成形体に成形して得られる。
上記粉末の色調Ｌ＊は、ＪＩＳ Ｚ８７８１－４に準拠して、測色色差計（ＣＩＥＬＡＢカラースケール）を用いて測定する。
上記焼成は、３８５℃に加熱した電気炉内で１０分間熱処理することで実施する。
本発明の組成物は、粉末であり、フッ素化処理前後の色調変化率ΔＬ＊が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。
色調変化率ΔＬ＊は、以下の式により定義される。
ΔＬ＊（％）＝（Ｌ＊ｔ－Ｌ＊ｉ）／（Ｌ＊Ｓｔｄ－Ｌ＊ｉ）×１００
Ｌ＊ｉ＝初期の色調であって、フッ素化処理前のＰＴＦＥに係るＣＩＥＬＡＢスケールにおけるＬ＊の計測値。
Ｌ＊ｔ＝処理済の色調であって、フッ素化処理後のＰＴＦＥに係るＣＩＥＬＡＢスケールにおけるＬ＊の計測値。
Ｌ＊Ｓｔｄ＝８７．３
上記フッ素化処理は、１５０℃以上に加熱した反応器内に、フッ素ラジカル源としてフッ素ガス（Ｆ２）を窒素ガスで希釈した混合ガス（フッ素／窒素（容積比）＝２０／８０）を大気圧下で流量約５０ｃｃ／ｍｉｎで４８０分間（８時間）流し続けることで実施する。
上記一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）又は（６’）において、４つのＲ５は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ５としては、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基が好ましく、Ｈ又は炭素数１～４の有機基がより好ましい。
本発明の組成物において、一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）又は（６’）で示される化合物の含有量は、後述する実施例に記載するように、液体クロマトグラフィー質量分析法を用いて測定した値である。
本発明の組成物において、上記ＰＴＦＥは、炭化水素系界面活性剤を用いて重合して得られたものであることが好ましい。重合方法は、上述したＰＴＦＥ水性分散液を得る方法等により行ってよい。
本発明の組成物は、炭化水素系界面活性剤を含んでよく、炭化水素系界面活性剤としては、上述したものが挙げられる。
上記組成物は、上記ＰＴＦＥ、炭化水素系界面活性剤以外にも、顔料や充填剤等の従来公知の添加剤を添加することができる。上記添加剤は、本発明の効果を妨げない範囲で使用すればよい。
本発明の組成物は、カルボニル基を有する炭化水素系界面活性剤を使用する、若しくは、カルボニル基を有する炭化水素系界面活性剤と特定の重合開始剤との組み合わせにより製造することができる。
カルボニル基を有する炭化水素系界面活性剤としては、上述した炭化水素系界面活性剤の中のカルボン酸塩等が挙げられる。
上記特定の重合開始剤としては、水溶性ラジカル重合開始剤、レドックス開始剤等が挙げられる。
水溶性ラジカル重合開始剤としては、公知の水溶性過酸化物であってよく、たとえば、過硫酸、過炭酸などのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩、ｔ－ブチルパーマレエート、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイドなどがあげられ、その使用量は過酸化物に対して０．１～２０倍であってよい。
また、例えば、３０℃以下の低温で重合を実施する場合等では、重合開始剤として、酸化剤と還元剤を組み合わせるレドックス開始剤を用いるのが好ましい。酸化剤としては、過硫酸塩、有機過酸化物、過マンガン酸カリウム、三酢酸マンガン、セリウム硝酸アンモニウム等が挙げられる。還元剤としては、臭素酸塩、ジイミン、シュウ酸等が挙げられる。過硫酸塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムが挙げられる。開始剤の分解速度を上げるため、レドックス開始剤の組み合わせには、銅塩、鉄塩を加えることも好ましい。銅塩としては、硫酸銅（ＩＩ）、鉄塩としては硫酸鉄（ＩＩ）が挙げられる。
上記レドックス開始剤としては、例えば、過マンガン酸カリウム／シュウ酸、三酢酸マンガン／シュウ酸、セリウム硝酸アンモニウム／シュウ酸、臭素酸塩等が挙げられ、過マンガン酸カリウム／シュウ酸が好ましい。レドックス開始剤を用いる場合は、酸化剤又は還元剤のいずれかをあらかじめ重合槽に仕込み、ついでもう一方を連続的又は断続的に加えて重合を開始させてもよい。例えば、過マンガン酸カリウム／シュウ酸を用いる場合、重合槽にシュウ酸を仕込み、そこへ過マンガン酸カリウムを連続的に添加することが好ましい。
また、上述したフッ素化処理を行う場合、カルボニル基を有する炭化水素系界面活性剤と特定の重合開始剤との組み合わせを採用しなくても本発明の組成物を製造することができる。
本発明の組成物は、炭化水素系界面活性剤を用いて重合して得られたＰＴＦＥを乾燥後、フッ素化処理工程を行うことにより得ることができる
特に一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（４’）、（５）、（５’）、（６）又は（６’）で示される化合物の含有量が２５ｐｐｂ以下の組成物は、この方法で得ることができる。
本発明はまた、上記組成物からなる成形体でもある。また、上記成形体は、延伸体であることが好ましい。本発明の成形体及び延伸体は、上述したＰＴＦＥ成形体の製造方法等により製造することができる。上記延伸体としては、例えば、糸、チューブ、テープ、膜（一軸延伸膜、二軸延伸膜）等が挙げられるが、これらに限定されない。
本発明の成形体及び延伸体は、上記組成物からなる。成形体及び延伸体、特に延伸体とする場合、上記組成物は、下記の組成物（ＰＴＦＥ組成物）であることが好ましい。
本発明はまた、上述のＰＴＦＥ組成物からなる押出体に関する。ＰＴＦＥ押出成形体は、ペースト押出によって得られることが好ましい。ペースト押出成形は、ＰＴＦＥ粉体と押出助剤とを混合し、押出成形することが好ましい。ペースト押出成形によって得られる形状は、特に限定されないが、例えば、ロッド、バー（ビード）、テープ、チューブ、電線被覆などが挙げられる。ペースト成形によって得られたＰＴＦＥ成形体は、乾燥させることによって、押出助剤を除去することができる。押出助剤の乾燥は、使用する押出助剤の沸点によって適宜選択でき、１００～２５０℃の温度範囲で行うことができる。
本発明のＰＴＦＥ組成物は、延伸性及び非溶融加工性を有し、延伸体（多孔体）の原料としても有用である。本発明のＰＴＦＥは、延伸することにより優れた延伸体を得ることができる。例えば押出助剤と混合した本発明のＰＴＦＥ組成物の粉末をペースト押出し、必要に応じて圧延を行い、乾燥により押出助剤を除去した後、少なくとも１方向に延伸して延伸体を得ることができる。延伸することにより、本発明のＰＴＦＥ組成物は容易にフィブリル化し、結節と繊維からなる延伸体となる。この延伸体は、高い空孔率を持つ多孔体でもある。
本発明はまた、上述のＰＴＦＥ組成物からなる延伸体に関する。
本発明の延伸体は、上述のＰＴＦＥ組成物をペースト押出し圧延後、未焼成又は半焼成し、少なくとも１方向に延伸して（好ましくは、圧延方向にロール延伸し次いでテンターにより幅方向に延伸して）、製造することができる。延伸条件としては、５～１０００％／秒の速度、５００％以上の延伸倍率が好ましく採用される。延伸することによりＰＴＦＥは容易にフィブリル化し、結節と繊維からなる延伸体となる。延伸体の空孔率は、特に制限されないが、一般的に５０～９９％の範囲が好ましく、７０～９８％の範囲がより好ましい。本発明の延伸体は、ＰＴＦＥ組成物のみを含むものであってもよいし、ＰＴＦＥ組成物と上記の顔料や充填剤を含むものであってもよいが、ＰＴＦＥ組成物のみを含むものであることが好ましい。
本発明の延伸体は、その形状が膜、チューブ、繊維、ロッドであることも好ましい。
本発明の延伸体が膜（延伸膜又は多孔膜）である場合、公知のＰＴＦＥ延伸方法によって延伸することができる。
好ましくは、シート状又は棒状のペースト押出物を押出方向にロール延伸することで、一軸延伸膜を得ることができる。
更に、テンター等により幅方向に延伸して、二軸延伸膜も得ることができる。
延伸前に半焼成処理を行うことも好ましい。
本発明の延伸体は、高い空孔率を持つ多孔体であり、
エアフィルター、薬液フィルター等の各種精密濾過フィルターの濾材、高分子電解質膜の支持材等として好適に利用できる。
また、繊維分野、医療分野、エレクトロケミカル分野、シール材分野、空気濾過分野、換気／内圧調整分野、液濾過分野、一般消費材分野等で使用する製品の素材としても有用である。
以下に、具体的な用途を例示する。
エレクトロケミカル分野
誘電材料プリプレグ、ＥＭＩ遮蔽材料、伝熱材料等。より詳細には、プリント配線基板、電磁遮蔽シールド材、絶縁伝熱材料、絶縁材料等。
シール材分野
ガスケット、パッキン、ポンプダイアフラム、ポンプチューブ、航空機用シール材等。
空気濾過分野
ＵＬＰＡフィルター（半導体製造用）、ＨＥＰＡフィルター（病院・半導体製造用）、円筒カートリッジフィルター（産業用）、バグフィルター（産業用）、耐熱バグフィルタ－（排ガス処理用）、耐熱プリーツフィルター（排ガス処理用）、ＳＩＮＢＲＡＮフィルター（産業用）、触媒フィルター（排ガス処理用）、吸着剤付フィルター（ＨＤＤ組込み）、吸着剤付ベントフィルター（ＨＤＤ組込み用）、ベントフィルター（ＨＤＤ組込み用他）、掃除機用フィルター（掃除機用）、汎用複層フェルト材、ＧＴ用カートリッジフィルター（ＧＴ向け互換品用）、クーリングフィルター（電子機器筐体用）等。
換気／内圧調整分野
凍結乾燥用の容器等の凍結乾燥用材料、電子回路やランプ向けの自動車用換気材料、容器キャップ向け等の容器用途、タブレット端末や携帯電話端末等の小型端末を含む電子機器向け等の保護換気用途、医療用換気用途等。
液濾過分野
半導体液ろ過フィルター（半導体製造用）、親水性ＰＴＦＥフィルター（半導体製造用）、化学薬品向けフィルター（薬液処理用）、純水製造ライン用フィルター（純水製造用）、逆洗型液ろ過フィルター（産業排水処理用）等。
一般消費材分野
衣類、ケーブルガイド（バイク向け可動ワイヤ）、バイク用衣服、キャストライナー（医療サポーター）、掃除機フィルター、バグパイプ（楽器）、ケーブル（ギター用信号ケーブル等）、弦（弦楽器用）等。
繊維分野
ＰＴＦＥ繊維（繊維材料）、ミシン糸（テキスタイル）、織糸（テキスタイル）、ロープ等。
医療分野
体内埋設物（延伸品）、人工血管、カテーテル、一般手術（組織補強材料）、頭頸部製品（硬膜代替）、口内健康（組織再生医療）、整形外科（包帯）等。
つぎに本発明を実験例をあげて説明するが、本発明はかかる実験例のみに限定されるものではない。
実験例の各数値は以下の方法により測定した。
平均一次粒子径（ｎｍ）
ＰＴＦＥ水性分散液を水で固形分含有量が０．１５質量％になるまで希釈し、得られた希釈ラテックスの単位長さに対する５５０ｎｍの投射光の透過率と、透過型電子顕微鏡写真により定方向径を測定して決定した数基準長さ平均粒子径とを測定して、検量線を作成する。この検量線を用いて、各試料の５５０ｎｍの投射光の実測透過率からＰＴＦＥ水性分散液中のＰＴＦＥ粒子の平均一次粒子径を決定した。
ＰＴＦＥ固形分含有量（質量％）
ＰＴＦＥ水性分散液１ｇを、送風乾燥機中で１５０℃、６０分の条件で乾燥し、水性分散液の質量（１ｇ）に対する、加熱残分の質量の割合を百分率で表した値を採用した。
標準比重（ＳＳＧ）
ＡＳＴＭ Ｄ４８９５－８９に準拠して成形されたサンプルを用い、ＡＳＴＭ Ｄ－７９２に準拠した水置換法により測定した。
フッ素を含む特定の化合物の含有量
液体クロマトグラフィー質量分析法を用いて下記条件で測定した。
〔一般式（１）で示される化合物の含有量測定方法〕
粉末からの抽出
粉末１ｇにメタノール１０ｇ（１２．６ｍＬ）を加え、６０分間の超音波処理を行い、一般式（１）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
水性分散液からの抽出
水性分散液の固形分を測定し、ＰＴＦＥ固形分０．５ｇに相当する量の水性分散液を１００ｍＬスクリュー管に秤量した。その後、水性分散液中に含まれている水と合わせ、抽出溶媒が４０ｇ（４３．１４ｍＬ）の水／メタノール＝５０／５０ｖｏｌ％となるように水とメタノールを加えた。その後、凝析するまでよく振とうした。固形分を取り除き、液相を４０００ｒｐｍで１時間遠心分離を行い、一般式（１）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
成形体（押出ビード、延伸ビード）からの抽出
成形体０．１ｇにメタノール１０ｇ（１２．６ｍＬ）を加え、６０分間の超音波処理を行い、一般式（１）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
抽出液に含まれる一般式（１）で示される化合物の含有量測定
抽出液に含まれる一般式（１）で示される化合物の含有量はパーフルオロオクタン酸に換算することにより求めた。
パーフルオロオクタン酸の検量線
１ｎｇ／ｍＬ～１００ｎｇ／ｍＬの濃度既知のパーフルオロオクタン酸のメタノール標準溶液を５水準調製し、液体クロマトグラフ質量分析計（Ｗａｔｅｒｓ， ＬＣ－ＭＳ ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣ／ＴＱＤ）を用いて測定を行った。それぞれのサンプル濃度とピークの積分値から一次近似を用い、下記関係式（１）によりａ、ｂを求めた。
Ａ＝ａ×Ｘ＋ｂ （１）
Ａ：パーフルオロオクタン酸のピーク面積
Ｘ：パーフルオロオクタン酸の濃度（ｎｇ／ｍＬ）
測定機器構成とＬＣ－ＭＳ測定条件
Figure 0006993591000137
ＭＲＭ測定パラメータ
Figure 0006993591000138
抽出液に含まれる炭素数が４以上、２０以下の一般式（１）で示される化合物の含有量
液体クロマトグラフ質量分析計を用い、炭素数が４以上２０以下の一般式（１）で示される化合物を測定した。抽出した液相について、ＭＲＭ法を用いて各炭素数の一般式（１）で示される化合物のピーク面積を求めた。
ＭＲＭ測定パラメータ
Figure 0006993591000139
抽出液中の炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量は下記式（３）を用いて算出した。式（３）のａ、ｂは式（１）より求めた。
ＸＣｍ＝（（ＡＣｍ－ｂ）／ａ）×（（５０×ｍ＋４５）／４１３） （３）
ＸＣｍ：抽出溶液中の炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量（ｎｇ／ｍＬ）
ＡＣｍ：抽出溶液中の炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物のピーク面積
この測定における定量限界は１ｎｇ／ｍＬである。
粉末中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量
粉末中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量は下記式（４）により求めた。
ＹＣｍ＝ＸＣｍ×１２．６ （４）
ＹＣｍ：粉末中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
水性分散液中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量
水性分散液中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量は下記式（５）により求めた。
ＺＣｍ＝ＸＣｍ×８６．３ （５）
ＺＣｍ：水性分散液中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
成形体（押出ビード、延伸ビード）に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量
成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量は下記式（６）により求めた。
ＷＣｍ＝ＸＣｍ×１２６ （６）
ＷＣｍ：成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる炭素数（ｍ＋１）の一般式（１）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
〔一般式（２）で示される化合物の含有量測定方法〕
粉末からの抽出
粉末１ｇにメタノール１０ｇ（１２．６ｍＬ）を加え、６０分間の超音波処理を行い、一般式（２）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
水性分散液からの抽出
水性分散液の固形分を測定し、ＰＴＦＥ固形分０．５ｇに相当する量の水性分散液を１００ｍＬスクリュー管に秤量した。その後、水性分散液中に含まれている水と合わせ、抽出溶媒が４０ｇ（４３．１４ｍＬ）の水／メタノール＝５０／５０ｖｏｌ％となるように水とメタノールを加えた。その後、凝析するまでよく振とうした。固形分を取り除き、液相を４０００ｒｐｍで１時間遠心分離を行い、一般式（２）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
成形体（押出ビード、延伸ビード）からの抽出
成形体０．１ｇにメタノール１０ｇ（１２．６ｍＬ）を加え、６０分間の超音波処理を行い、一般式（２）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
抽出液に含まれる一般式（２）で示される化合物の含有量測定
抽出液に含まれる一般式（２）で示される化合物の含有量はパーフルオロオクタンスルホン酸に換算することにより求めた。
パーフルオロオクタンスルホン酸の検量線
１ｎｇ／ｍＬ～１００ｎｇ／ｍＬの濃度既知のパーフルオロオクタンスルホン酸のメタノール標準溶液を５水準調製し、液体クロマトグラフ質量分析計（Ｗａｔｅｒｓ， ＬＣ－ＭＳ ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣ／ＴＱＤ）を用いて測定を行った。それぞれのサンプル濃度とピークの積分値から一次近似を用い、下記関係式（１）によりａ、ｂを求めた。
Ａ＝ａ×Ｘ＋ｂ （１）
Ａ：パーフルオロオクタンスルホン酸のピーク面積
Ｘ：パーフルオロオクタンスルホン酸の濃度（ｎｇ／ｍＬ）
測定機器構成とＬＣ－ＭＳ測定条件
Figure 0006993591000140
ＭＲＭ測定パラメータ
Figure 0006993591000141
抽出液に含まれる炭素数が４以上、２０以下の一般式（２）で示される化合物の含有量
液体クロマトグラフ質量分析計を用い、炭素数が４以上２０以下の一般式（２）で示される化合物を測定した。抽出した液相について、ＭＲＭ法を用いて各炭素数の一般式（２）で示される化合物のピーク面積を求めた。
ＭＲＭ測定パラメータ
Figure 0006993591000142
抽出液中の炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量は下記式（３）を用いて算出した。式（３）のａ、ｂは式（１）より求めた。
ＸＳｎ＝（（ＡＳｎ－ｂ）／ａ）×（（５０×ｎ＋８１）／４９９） （３）
ＸＳｎ：抽出溶液中の炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量（ｎｇ／ｍＬ）
ＡＳｎ：抽出溶液中の炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物のピーク面積
この測定における定量限界は１ｎｇ／ｍＬである。
粉末中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量
粉末中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量は下記式（４）により求めた。
ＹＳｎ＝ＸＳｎ×１２．６ （４）
ＹＳｎ：粉末中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
水性分散液中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量
水性分散液中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量は下記式（５）により求めた。
ＺＳｎ＝ＸＳｎ×８６．３ （５）
ＺＳｎ：水性分散液中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量
成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量は下記式（６）により求めた。
ＷＳｎ＝ＸＳｎ×１２６ （６）
ＷＳｎ：成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる炭素数ｎの一般式（２）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
〔一般式（７）で示される化合物の含有量測定方法〕
抽出液に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量測定
一般式（７）：（Ｆ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）Ｍ
粉末からの抽出
粉末１ｇにメタノール１０ｇ（１２．６ｍＬ）を加え、６０分間の超音波処理を行い、一般式（７）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
水性分散液からの抽出
水性分散液の固形分を測定し、ＰＴＦＥ固形分０．５ｇに相当する量の水性分散液を１００ｍＬスクリュー管に秤量した。その後、水性分散液中に含まれている水と合わせ、抽出溶媒が４０ｇ（４３．１４ｍＬ）の水／メタノール＝５０／５０ｖｏｌ％となるように水とメタノールを加えた。その後、凝析するまでよく振とうした。固形分を取り除き、液相を４０００ｒｐｍで１時間遠心分離を行い、一般式（７）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
成形体（押出ビード、延伸ビード）からの抽出
成形体０．１ｇにメタノール１０ｇ（１２．６ｍＬ）を加え、６０分間の超音波処理を行い、一般式（７）で示される化合物を含む上澄み液を抽出した。
抽出液に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量測定
抽出液に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量はパーフルオロオクタン酸に換算することにより求めた。
パーフルオロオクタン酸の検量線
１ｎｇ／ｍＬ～１００ｎｇ／ｍＬの濃度既知のパーフルオロオクタン酸のメタノール標準溶液を５水準調製し、液体クロマトグラフ質量分析計（Ｗａｔｅｒｓ， ＬＣ－ＭＳ ＡＣＱＵＩＴＹ ＵＰＬＣ／ＴＱＤ）を用いて測定を行った。それぞれのサンプル濃度とピークの積分値から一次近似を用い、下記関係式（１）によりａ、ｂを求めた。
Ａ＝ａ×Ｘ＋ｂ （１）
Ａ：パーフルオロオクタン酸のピーク面積
Ｘ：パーフルオロオクタン酸の濃度（ｎｇ／ｍＬ）
測定機器構成とＬＣ－ＭＳ測定条件
Figure 0006993591000143
ＭＲＭ測定パラメータ
Figure 0006993591000144
抽出液に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量
液体クロマトグラフ質量分析計を用い、一般式（７）で示される化合物を測定した。抽出した液相について、ＭＲＭ法を用いて一般式（７）で示される化合物のピーク面積を求めた。
ＭＲＭ測定パラメータ
Figure 0006993591000145
抽出液中の一般式（７）で示される化合物の含有量は下記式（３）を用いて算出した。式（３）のａ、ｂは式（１）より求めた。
ＸＰＦＯ＝（ＡＰＦＯ－ｂ）／ａ （３）
ＸＰＦＯ：抽出溶液中の一般式（７）で示される化合物の含有量（ｎｇ／ｍＬ）
ＡＰＦＯ：抽出溶液中の一般式（７）で示される化合物のピーク面積
この測定における定量限界は１ｎｇ／ｍＬである。
粉末中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量
粉末中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量は下記式（４）により求めた。
ＹＰＦＯ＝ＸＰＦＯ×１２．６ （４）
ＹＰＦＯ：粉末中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
水性分散液中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量
水性分散液中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量は下記式（５）により求めた。
ＺＰＦＯ＝ＸＰＦＯ×８６．３ （５）
ＺＰＦＯ：水性分散液中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量
成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量は下記式（６）により求めた。
ＷＰＦＯ＝ＸＰＦＯ×１２６ （６）
ＷＰＦＯ：成形体（押出ビード、延伸ビード）中に含まれる一般式（７）で示される化合物の含有量（ｐｐｂ対ＰＴＦＥ）
ＰＴＦＥ１００重量部に対するフッ素ラジカル源添加量（Ａ）（重量部）は、次式に従い算出した。
Ａ＝（Ｂ／Ｆ）×１００
Ｂ＝Ｃ×Ｄ×Ｅ
Ｃ＝４．０９２×１０－５×Ｇ×Ｈ
Ａ：ＰＴＦＥ１００重量部に対するフッ素ラジカル源添加量（重量部）
Ｂ：全フッ素ラジカル源添加量（ｇ）
Ｃ：混合ガス中のフッ素ラジカル源濃度（ｇ／ｍＬ）
Ｄ：混合ガス流通速度（ｍＬ／ｍｉｎ）
Ｅ：フッ素化処理時間（ｍｉｎ）
Ｆ：サンプル充填量（ｇ）
Ｇ：フッ素ラジカル源の分子量（ｇ／ｍｏｌ）
Ｈ：混合ガス中のフッ素ラジカル源の比率
Ｃの定数〔４．０９２×１０－５〕は、Ｐ（圧力：ａｔｍ）／｛Ｒ（気体定数）×Ｔ（温度：Ｋ）×１０００｝＝１／｛０．０８２×２９８×１０００｝により算出した。
合成例１
１０－ウンデセン－１－オール（１６ｇ）、１，４－ベンゾキノン（１０．２ｇ）、ＤＭＦ（１６０ｍＬ）、水（１６ｍＬ）及びＰｄＣｌ２（０．３４ｇ）の混合物を９０℃で１２時間加熱撹拌した。
その後減圧下に溶媒を留去した。得られた残渣を分液及びカラムクロマトグラフィーで精製し、１１－ヒドロキシウンデカン－２－オン（１５．４ｇ）を得た。
得られた１１－ヒドロキシウンデカン－２－オンのスペクトルデータを以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δｐｐｍ：１．２９－１．４９（ｍ，１４Ｈ）、２．０８（ｓ，３Ｈ）、２．４５（Ｊ＝７．６，ｔ，２Ｈ）、３．５１（Ｊ＝６．５，ｔ，２Ｈ）
１１－ヒドロキシウンデカン－２－オン（１３ｇ）、三酸化硫黄トリエチルアミン錯体（１３．９ｇ）、テトラヒドロフラン（１４０ｍＬ）の混合物を５０℃下１２時間撹拌した。ナトリウムメトキシド（３．８ｇ）／メタノール（１２ｍＬ）溶液を反応液に滴下した。
析出固体を減圧濾過し、酢酸エチルで洗浄し、１０－オキソウンデシル硫酸ナトリウム（１５．５ｇ）（以下、界面活性剤Ａという）を得た。得られた１０－オキソウンデシル硫酸ナトリウムのスペクトルデータを以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δｐｐｍ：１．０８（Ｊ＝６．８，ｍ，１０Ｈ）、１．３２（ｍ，２Ｈ）、１．４５（ｍ，２Ｈ）、１．９８（ｓ，３Ｈ）、２．３３（Ｊ＝７．６，ｔ，２Ｈ）、３．８３（Ｊ＝６．５，ｔ，２Ｈ）
合成例２
内容積６ＬのＳＵＳ製のオートクレーブに３５００ｇの脱イオン脱気水、１００ｇのパラフィンワックス、０．１２２ｇの界面活性剤Ａを加え、反応器を密閉し、系内を窒素で置換を行ない、酸素を取り除いた。反応器を７０℃に昇温し、ＴＦＥを反応器に充填して、反応器を０．７８ＭＰａにする。重合開始剤として過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）０．０７０ｇを仕込んだ。反応圧が０．７８ＭＰａ一定となるようにＴＦＥを仕込む。反応途中に界面活性剤Ａを９回、トータル１．１０ｇ添加した。ＴＦＥを４２５ｇ仕込んだ時に、撹拌を停止し、反応器が大気圧になるまで脱圧を行なう。水性分散液を反応器より取り出し、冷却後、パラフィンワックスを分離し、ＰＴＦＥ水性分散液Ａを得た。
得られたＰＴＦＥ水性分散液Ａ中のＰＴＦＥ固形分含有量は１０．７質量％であった。
得られたＰＴＦＥ水性分散液Ａに含まれるＰＴＦＥ粒子の平均一次粒子径は１７８ｎｍであった。
得られたＰＴＦＥ水性分散液Ａの一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果を下記表１０に示す。
実験例１
合成例２で得られたＰＴＦＥ水性分散液Ａに脱イオン水を加え、比重（２５℃）を１．０８０に調整した。アンカー型撹拌翼と邪魔板を備えた内容量が６Ｌのガラス製凝析槽に、比重調整したＰＴＦＥ水性分散液２．５Ｌを加え、内温が３４℃になるように温度調節した。調節後直ちに硝酸（１０％）１６ｇを添加すると同時に撹拌速度５００ｒｐｍで撹拌を開始した。撹拌開始後、水性分散液がスラリー状態を経て、湿潤ＰＴＦＥ粉末が形成されたことを確認し、更に１分間撹拌を継続した。
続いて、湿潤ＰＴＦＥ粉末を濾別し、湿潤ＰＴＦＥ粉末と脱イオン水２．５Ｌを凝析槽内に仕込み、２５℃に調整して、撹拌速度５００ｒｐｍでポリマー粉末を洗浄する操作を２回繰り返した。洗浄の後、湿潤ＰＴＦＥ粉末を濾別し、１５０℃の熱風循環式乾燥機内に１８時間静置して乾燥させ、ＰＴＦＥ粉末を得た。
得られたＰＴＦＥ粉末のＳＳＧは、２．１７５であった。このことより、得られたＰＴＦＥは、高分子量ＰＴＦＥであることが分かった。
得られたＰＴＦＥ粉末の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果を表１０に示す。
実験例２
実験例１で得たＰＴＦＥ粉末３０ｇを反応器に入れた。１５０℃になるように反応器内を昇温し、１時間窒素置換を行い反応器内の空気を除去した。１５０℃に保持したまま、フッ素ラジカル源としてフッ素ガス（Ｆ２）を窒素ガスで希釈した混合ガス（フッ素／窒素（容積比）＝２０／８０）を流量約５０ｍＬ／ｍｉｎで４８０分間（８時間）流し続けたフッ素ラジカル源添加量（すなわち、フッ素ガスの量）７．５ｇ）。反応終了後、直ちに窒素ガスで系内を１時間置換してフッ素ガスを除去した。澱粉／ヨウ化物試験を行い、指示薬の発色の有無により不活性ガス中にフッ素ガスがないことを確認した。反応容器の温度を室温まで冷却し、得られたＰＴＦＥ粉末の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果は表１０に示す。
実験例３
実験例２において、反応温度を２００℃にする以外は、実験例２と同様の操作を行い、得られたＰＴＦＥ粉末の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果は下記表１０に示す。
Figure 0006993591000146
 ｎが５、７、９、１１、１３、１５、１７及び１９、ｍが４、６、８、１０、１２、１４、１６及び１８のピークについては定量限界以下であった。
定量限界は、水性分散液の場合が８６ｐｐｂであり、粉末の場合が１３ｐｐｂである。
合成例３
１０－オキソウンデカン酸（１．８ｇ）を１．０ＭＫＯＨ水に加えて、水を留去して、１０－オキソウンデカン酸カリウム（２．２ｇ）を得た。
得られた１０－オキソウンデカン酸カリウム（以下、界面活性剤Ｂという）のスペクトルデータを以下に示す。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δｐｐｍ：１．０４（ｍ，８Ｈ）、１．３０－１．３２（ｍ，４Ｈ）、１．８９－２．０１（ｍ，５Ｈ）、２．２７－２．３３（ｔ，Ｊ＝７．６，４Ｈ）
合成例４
内容積１Ｌのガラス製のオートクレーブに５５０ｇの脱イオン脱気水、３０ｇのパラフィンワックス、０．０１４５ｇの界面活性剤Ｂを加えた。反応器を密閉し、系内を窒素で置換を行ない、酸素を取り除いた。反応器を７０℃に昇温し、ＴＦＥを反応器に充填して、
反応器を０．７８ＭＰａにした。重合開始剤として過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）０．１１０ｇを仕込んだ。反応圧力が０．７８ＭＰａ一定となるように、ＴＦＥを仕込んだ。ＴＦＥを５０ｇ仕込んだ時に、撹拌を停止し、反応器が大気圧になるまで脱圧を行なった。水性分散液を反応器より取り出し、冷却後、パラフィンワックスを分離し、ＰＴＦＥ水性分散液Ｂを得た。得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｂに含まれる粒子の平均粒子径は、２１６ｎｍであった。また、得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｂの固形分含有量は、８．２質量％であった。
得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｂの一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果を下記表１１に示す。
実験例４
合成例４で得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｂに脱イオン水を加え、比重（２５℃）を１．０８０に調整した。アンカー型撹拌翼と邪魔板を備えた内容量が６Ｌのガラス製凝析槽に、比重調整したＰＴＦＥ水性分散液２．５Ｌを加え、内温が３４℃になるように温度調節した。調節後直ちに硝酸（１０％）１６ｇを添加すると同時に撹拌速度５００ｒｐｍで撹拌を開始した。撹拌開始後、水性分散液がスラリー状態を経て、湿潤ＰＴＦＥ粉末が形成されたことを確認し、更に１分間撹拌を継続した。
続いて、湿潤ＰＴＦＥ粉末を濾別し、湿潤ＰＴＦＥ粉末と脱イオン水２．５Ｌを凝析槽内に仕込み、２５℃に調整して、撹拌速度５００ｒｐｍでポリマー粉末を洗浄する操作を２回繰り返した。洗浄の後、湿潤ＰＴＦＥ粉末を濾別し、１５０℃の熱風循環式乾燥機内に１８時間静置して乾燥させ、ＰＴＦＥ粉末を得た。
得られたＰＴＦＥ粉末のＳＳＧは、２．２６１であった。このことより、得られたＰＴＦＥは、高分子量ＰＴＦＥであることが分かった。
得られたＰＴＦＥ粉末の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果を下記表１１に示す。
実験例５
実験例４で得られたＰＴＦＥ粉末３０ｇを反応器に入れたこと以外は、実験例３と同条件でフッ素化処理を行い、得られたＰＴＦＥ粉末の一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量を測定した。結果は下記表１１に示す。
Figure 0006993591000147
 ｎが５、７、９、１１、１３、１５、１７及び１９、ｍが４、６、８、１０、１２、１４、１６及び１８のピークについては定量限界以下であった。
定量限界は、水性分散液の場合が８６ｐｐｂであり、粉末の場合が１３ｐｐｂである。
実験例６～２０
表１２～１４に示すように、反応器内の温度、フッ素ラジカル源としてフッ素ガス（Ｆ２）の添加量を変更したこと以外は、実験例２と同じ方法で反応を行った。反応終了後、直ちに窒素ガスで系内を１時間置換してフッ素ガスを除去した。澱粉／ヨウ化物試験を行い、指示薬の発色の有無により不活性ガス中にフッ素ガスがないことを確認した。反応容器の温度を室温まで冷却し、得られたＰＴＦＥ粉末の一般式（１）、（２）及び（７）で示される化合物の含有量を測定した。結果は表１２～１４に示す。
Figure 0006993591000148
Figure 0006993591000149
Figure 0006993591000150
実験例２１
実験例１で得られたＰＴＦＥ粉末を、特開２００２－２０１２１７号公報記載の方法に従い、ペースト押出成形を行い、押出ビードを得た。
すなわち、実験例１で得られたＰＴＦＥ粉末１００ｇを、室温で２時間以上放置した後、押出助剤として潤滑剤（アイソパーＨ、エクソンモービル社製）２１．７ｇを３分間混合してＰＴＦＥ粉末の混合物を得た。
得られたＰＴＦＥ粉末の混合物を、２５℃恒温槽に２時間放置した後に、２５℃にて、リダクションレシオ１００（ＲＲ１００、シリンダー径２５ｍｍ、オリフィスの直径２．５ｍｍ、オリフィスのランド長１．１ｍｍ、導入角３０°）、押出速度５１ｃｍ／分の条件で、ペースト押出成形を行い、潤滑剤を含むＰＴＦＥ押出ビードを得た。
次いで、得られた潤滑剤を含むＰＴＦＥ押出ビードを、２３０℃で３０分間乾燥し、潤滑剤を除去することで、乾燥されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例２２
実験例２１で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビード１０ｇを、フッ素ラジカル源としてフッ素ガス（Ｆ２）を窒素ガスで希釈した混合ガス（フッ素／窒素（容積比）＝２０／８０）を流量約５０ｍＬ／ｍｉｎで１６２分流し続けた以外は、実験例３と同様にしてフッ素化処理を行い、フッ素化処理されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実施例２３
実験例２１で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビードを、特開２００２－２０１２１７号公報記載の方法に従い、延伸することで、ＰＴＦＥ延伸ビードを得た。
すなわち、実験例２１で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビードを適当な長さに切断し、クランプ間が５．１ｃｍとなるよう、各末端を固定し、空気循環炉中３００℃に加熱した。
次いで、クランプを総ストレッチ（延伸長さ）が２４００％になるよう延伸速度１０００％／秒でビードを延伸することで、ＰＴＦＥ延伸ビードを得た。
実験例２４
実験例２３で得られた乾燥後のＰＴＦＥ延伸ビード０．５ｇを、フッ素ラジカル源としてフッ素ガス（Ｆ２）を窒素ガスで希釈した混合ガス（フッ素／窒素（容積比）＝２０／８０）を流量約５０ｍＬ／ｍｉｎで７．２分流し続けた以外は、実験例３と同様にしてフッ素化処理を行い、フッ素化処理されたＰＴＦＥ延伸ビードを得た。
実験例２１で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビード、実験例２２で得られたフッ素化処理されたＰＴＦＥ押出ビード、実験例２３で得られたＰＴＦＥ延伸ビード、及び実験例２４で得られたフッ素化処理されたＰＴＦＥ延伸ビードについて、一般式（１）、（２）及び（７）で示される化合物の含有量を測定した。結果を表１５に示す。
Figure 0006993591000151
 定量限界は、成形体の場合は、１．３×１０２ｐｐｂである。以下も同様である。
実験例２５
実験例３で得られたフッ素化処理されたＰＴＦＥ粉末を、実験例２１と同様にしてペースト押出成形、及び乾燥を行い、乾燥されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例２６
実験例２５で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビード（フッ素化処理された粉末を使用して、ペースト押出成形されたＰＴＦＥ押出ビード）を、実験例２３と同様にして延伸を行い、
ＰＴＦＥ延伸ビードを得た。
実験例２７
実験例２２で得られたフッ素化処理されたＰＴＦＥ押出ビードを、実験例２３と同様にして延伸を行い、ＰＴＦＥ延伸ビードを得た。
実験例２８
実験例１で得られたＰＴＦＥ粉末を、２４０℃の熱風循環式乾燥機内に３時間静置して熱処理を行い、再熱処理されたＰＴＦＥ粉末を得た。
実験例２９
実験例２１で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビードを、２４０℃の熱風循環式乾燥機内に３時間静置して熱処理を行い、再熱処理されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３０
実験例２３で得られたＰＴＦＥ延伸ビードを、２４０℃の熱風循環式乾燥機内に３時間静置して熱処理を行い、再熱処理されたＰＴＦＥ延伸ビードを得た。
実験例３１
湿潤ＰＴＦＥ粉末の乾燥温度を２４０℃に変更した以外は実験例１と同様にして、ＰＴＦＥ粉末を得た。
実験例２５で得られた乾燥されたＰＴＦＥ押出ビード、実験例２６で得られたＰＴＦＥ延伸ビード、実験例２７で得られたＰＴＦＥ延伸ビード、実験例２８で得られた再熱処理されたＰＴＦＥ粉末、実験例２９で得られた再熱処理されたＰＴＦＥ押出ビード、実験例３０で得られた再熱処理されたＰＴＦＥ延伸ビード、及び実験例３１で得られたＰＴＦＥ粉末について、一般式（１）、（２）及び（７）で示される化合物の含有量を測定した。結果を表１６に示す。
Figure 0006993591000152
実験例３２
実験例４で得られたＰＴＦＥ粉末を、実験例２１と同様にしてペースト押出成形、及び乾燥を行い、乾燥されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３３
実験例３２で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビードを、実験例２２と同様にしてフッ素化処理を行い、フッ素化処理されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３４
実験例５で得られたフッ素化処理されたＰＴＦＥ粉末を、実験例２１と同様にしてペースト押出成形、及び乾燥を行い、乾燥されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３５
実験例４で得られたＰＴＦＥ粉末を、２４０℃の熱風循環式乾燥機内に３時間静置して熱処理を行い、再熱処理されたＰＴＦＥ粉末を得た。
実験例３６
実験例３５で得られた再熱処理されたＰＴＦＥ粉末を、実験例２１と同様にしてペースト押出成形、及び乾燥を行い、乾燥されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３７
実験例３２で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビードを、２４０℃の熱風循環式乾燥機内に３時間静置して熱処理を行い、再熱処理されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３８
湿潤ＰＴＦＥ粉末の乾燥温度を２４０℃に変更した以外は実験例４と同様にして、ＰＴＦＥ粉末を得た。
実験例３９
実験例３８で得られたＰＴＦＥ粉末を、実験例２１と同様にしてペースト押出成形及び乾燥を行い、乾燥されたＰＴＦＥ押出ビードを得た。
実験例３２で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビード、実験例３３で得られたフッ素化処理されたＰＴＦＥ押出ビード、実験例３４で得られたＰＴＦＥ押出ビード、実験例３５で得られた再熱処理されたＰＴＦＥ粉末、実験例３６で得られたＰＴＦＥ押出ビード、実験例３７で得られた再熱処理されたＰＴＦＥ押出ビード、実験例３８で得られたＰＴＦＥ粉末及び実験例３９で得られた乾燥後のＰＴＦＥ押出ビードについて、一般式（１）、（２）及び（７）の含有量を測定した。結果を表１７に示す。
Figure 0006993591000153
イオン交換処理による一般式（１）又は（２）で示される化合物の低減
非イオン性界面活性剤を含むＰＴＦＥ水性分散液中のＰＴＦＥ含有量（Ｐ）
試料約１ｇ（Ｘ）を直径５ｃｍのアルミカップにとり、１１０℃、１時間で乾燥し、更に３００℃、１時間乾燥した加熱残分（Ｚ）に基づき、式：Ｐ＝Ｚ／Ｘ×１００（質量％）にて決定した。
非イオン性界面活性剤を含むＰＴＦＥ水性分散液中の、ＰＴＦＥに対する非イオン性界面活性剤の含有量（Ｎ）
試料約１ｇ（Ｘｇ）を直径５ｃｍのアルミカップにとり、１００℃にて１時間で加熱した加熱残分（Ｙｇ）、更に、得られた加熱残分（Ｙｇ）を３００℃にて１時間加熱した加熱残分（Ｚｇ）より、式：Ｎ＝［（Ｙ－Ｚ）／Ｚ］×１００（％／ＰＴＦＥ）から算出した。
合成例５
内容積１Ｌの攪拌機付きガラス製の反応器に、５８８．６ｇの脱イオン水、７０．０ｇの界面活性剤Ａを加え、反応器を密閉し、系内を窒素で置換を行い、酸素を取り除いた。反応器を９０℃に昇温し、窒素で０．４ＭＰａに昇圧する。４１．４ｇの過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）を仕込み、３時間撹拌した。撹拌を停止し、反応器を大気圧になるまで脱圧を行い、冷却を行い、界面活性剤水溶液Ｃを得た。
合成例６
内容積６Ｌの攪拌機付きＳＵＳ製の反応器に、３６００ｇの脱イオン脱気水、１８０ｇのパラフィンワックス、及び０．５４０ｇの界面活性剤Ａを加え、反応器を密閉し、系内を窒素で置換を行い、酸素を取り除いた。反応器を９０℃に昇温し、ＴＦＥを反応器に充填して、反応器を２．７０ＭＰａにする。重合開始剤として０．０３１ｇの過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ）、１．４８８ｇのジコハク酸パーオキサイド（ＤＳＰ）を仕込んだ。反応圧が２．７０ＭＰａ一定となるようにＴＦＥを仕込んだ。ＴＦＥを仕込み始めたと同時に界面活性剤水溶液Ｃを連続的に仕込み始めた。ＴＦＥを１６５０ｇ仕込んだ時に、撹拌を停止し、反応器が大気圧になるまで脱圧を行なった。反応終了までに界面活性剤水溶液Ｃは１３９ｇ仕込んだ。内容物を反応器より取り出して、冷却後、パラフィンワックスを分離し、ＰＴＦＥ水性分散液Ｃを得た。
得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｃの固形分含有量は３１．７質量％であり、平均一次粒子径は、３５７ｎｍであった。
実験例４０ 非イオン性界面活性剤を含むＰＴＦＥ水性分散液の調製例
合成例６で得られたＰＴＦＥ水性分散液に、非イオン性界面活性剤（Ｔ－Ｄｅｔ Ａ１３８、Ｈａｃｒｏｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）をＰＴＦＥに対し１０％に相当する量を加え、樹脂棒で緩やかに分散し、非イオン性界面活性剤を含むＰＴＦＥ水性分散液Ｄを得た。
実験例４１
実験例４０で得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｄ１００ｇを２００ｍＬのビーカーにとり、陰イオン交換樹脂（アンバージェットＩＲＡ４００２ＯＨ、ローム・アンド・ハース社製）を１８ｇ加え、凝集しない程度の強さでスターラーを用いて３０分間撹拌した。３時間静置後、メッシュを用いてイオン交換樹脂を除去し、精製ＰＴＦＥ水性分散液を得た。
実験例４２
実験例４１で得られた精製ＰＴＦＥ水性分散液に更に陰イオン交換樹脂アンバージェットＩＲＡ４００２ＯＨを実験例４１と同じ割合で加え、同様の操作を行い、精製ＰＴＦＥ水性分散液を得た。
実験例４３
実験例４１で得られた精製ＰＴＦＥ水性分散液に対して、非イオン性界面活性剤（Ｔ－Ｄｅｔ Ａ１３８、Ｈａｃｒｏｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ製）が１５％／ＰＴＦＥになるように追加し、４８℃で４時間静置したところ、ＰＴＦＥを実質的に含まない上澄相と濃縮相の２相に分離した。上澄相を除去し、濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）を得た。
実験例４４
実験例４２で得られた精製ＰＴＦＥ水性分散液に対して、実験例４３と同様の操作を行い、濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）を得た。
実験例４５
実験例４３で得られた濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）に非イオン性界面活性剤と水とを加え、ＰＴＦＥ含有量が２５質量％、非イオン性界面活性剤の含有量が１５％／ＰＴＦＥとなるように調整した後、４４℃にて４時間静置したところ、ＰＴＦＥを実質的に含まない上澄相と濃縮相の２相に分離した。上澄相を除去し、濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）を得た。
実験例４６
実験例４４で得られた濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）に実験例４５と同じ操作を行い、濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）を得た。
実験例４７
実験例４０で得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｄにアンモニア水でｐＨを１０となるように調整した他は、実験例４３と同様の操作を行い、濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）を得た。
実験例４８
実験例４７で得られた濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）に実験例４５と同様の操作を行い、濃縮相（精製ＰＴＦＥ水性分散液）を得た。
実験例４０で得られたＰＴＦＥ水性分散液Ｄ、及び実験例４１～４８で得られた精製ＰＴＦＥ水性分散液に対して、非イオン性界面活性剤を含むＰＴＦＥ水性分散液中のＰＴＦＥ含有量（Ｐ）、非イオン性界面活性剤を含むＰＴＦＥ水性分散液中の非イオン性界面活性剤の含有量（Ｎ）、ＰＴＦＥ水性分散液に含まれる一般式（１）及び（２）で示される化合物の含有量について測定を行った。測定結果を表１８に示す。
Figure 0006993591000154

Claims (19)

  1. アニオン性炭化水素系界面活性剤の存在下にテトラフルオロエチレンを水性媒体中で乳化重合する工程を含む製造方法により得られたポリテトラフルオロエチレン水性分散液から下記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とする精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法。
    一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  2. 前記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程は、前記ポリテトラフルオロエチレン水性分散液をイオン交換処理及び／又は濃縮処理する工程を含む請求項１記載の精製ポリテトラフルオロエチレン水性分散液の製造方法。
  3. アニオン性炭化水素系界面活性剤の存在下にテトラフルオロエチレンを水性媒体中で乳化重合する工程を含む製造方法により得られ、非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレン粉末から下記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程を含み、
    前記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程は、前記ポリテトラフルオロエチレン粉末を２００℃以上の温度で熱処理する工程を含むことを特徴とする改質ポリテトラフルオロエチレン粉末の製造方法。
    一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  4. アニオン性炭化水素系界面活性剤の存在下にテトラフルオロエチレンを水性媒体中で乳化重合する工程を含む製造方法により製造され、非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンを用いて成形体を製造する方法であって、
    下記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程を含み、
    前記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程は、２００℃以上の温度で熱処理する工程を含むことを特徴とするポリテトラフルオロエチレン成形体の製造方法。
    一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  5. アニオン性炭化水素系界面活性剤の存在下にテトラフルオロエチレンを水性媒体中で乳化重合する工程を含む製造方法により得られ、非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンに、１００℃超の温度でフッ素ラジカル源を接触させて、下記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程を含むことを特徴とする改質ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
    一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  6. アニオン性炭化水素系界面活性剤の存在下にテトラフルオロエチレンを水性媒体中で乳化重合する工程を含む製造方法により得られ、非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンをフッ素ラジカル源と接触させて、下記一般式（１）で示される化合物を除去又は低減する工程を含み、前記フッ素ラジカル源の添加量は、フッ素原子に換算して、ポリテトラフルオロエチレン１００重量部に対して０．５重量部以上であることを特徴とするポリテトラフルオロエチレンの製造方法。
    一般式（１）：（Ｈ－（ＣＦ２）ｍ－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、ｍは３～１９、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  7. ポリテトラフルオロエチレンを含み、
    下記一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含み、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ポリテトラフルオロエチレン以上含む組成物。
    一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
    （式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
    一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  8. ポリテトラフルオロエチレンを含み、
    下記一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５）で示される化合物及び下記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、
    下記一般式（５）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、かつ、非イオン性界面活性剤を、１％／ポリテトラフルオロエチレン以上含む組成物。
    一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
    （式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
    一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
    一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  9. 水性分散液である、請求項７又は８に記載の組成物。
  10. 非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンを含み、
    下記一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含む組成物。
    一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
    （式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
    一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  11. 非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンを含み、
    下記一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５）で示される化合物及び下記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、
    下記一般式（５）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下である組成物。
    一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
    （式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
    一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
    一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  12. 非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンを含み、
    下記一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下含む組成物。
    一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
    （式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
    一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  13. 非溶融加工性及びフィブリル化性を有するポリテトラフルオロエチレンを含み、
    下記一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、１０００ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５）で示される化合物及び下記一般式（５’）で示される化合物の少なくともいずれかを含み、
    下記一般式（５）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下であり、
    下記一般式（５’）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して２５ｐｐｂ以下である組成物。
    一般式（３）：（Ｈ－（ＣＦ２）８－ＳＯ３）ｑＭ２
    （式中、Ｍ２はＨ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｑは１又は２である。）
    一般式（５）：（Ｈ－（ＣＦ２）１３－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
    一般式（５’）：（Ｈ－（ＣＦ２）１４－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  14. 更に、下記一般式（７）で示される化合物を、ポリテトラフルオロエチレンに対して１０００ｐｐｂ以下含む請求項１０～１３のいずれかに記載の組成物。
    一般式（７）：（Ｆ－（ＣＦ２）７－ＣＯＯ）ｐＭ１
    （式中、Ｍ１は、Ｈ、金属原子、ＮＲ５ ４（Ｒ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｈ又は炭素数１～１０の有機基）、置換基を有していてもよいイミダゾリウム、置換基を有していてもよいピリジニウム、又は、置換基を有していてもよいホスホニウムである。ｐは１又は２である。）
  15. 一般式（３）で示される化合物の含有量が、ポリテトラフルオロエチレンに対して、２５ｐｐｂ以下である請求項７～１４のいずれかに記載の組成物。
  16. ポリテトラフルオロエチレンは、アニオン性炭化水素系界面活性剤を用いて重合して得られたものである請求項７～１５のいずれかに記載の組成物。
  17. 粉末である請求項１０～１６のいずれかに記載の組成物。
  18. 請求項１７記載の組成物からなる成形体。
  19. 延伸体である請求項１８記載の成形体。
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