JP6991950B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
パワーモジュール1は、図1及び図2に示すように、絶縁基板2と、電極3と、複数のパワー半導体チップ4と、銀焼結材接合層5と、囲撓部材6(金属部材)と、絶縁基板2、電極3、複数のパワー半導体チップ4、銀焼結材接合層5及び囲撓部材6を収容する不図示のケーシングとを備えている。
続いて、上記第1実施形態の変形例を第2実施形態として図3を参照して説明する。なお、以下の説明において、第1実施形態と同一の構成については符号を同一とし、説明を省略する。
上記第1実施形態の変形例を第3実施形態として図4を参照して説明する。なお、以下の説明において、第1実施形態と同一の構成については符号を同一とし、説明を省略する。
2……絶縁基板
3……電極
4……パワー半導体チップ
5……銀焼結材接合層
6……囲撓部材
6A……囲撓部材
6B……金属部材
Claims (3)
- パワー半導体と、前記パワー半導体と接続される銅電極と、前記銅電極と前記パワー半導体とを接合する銀焼結材とを備えるパワーモジュールであって、
前記銅電極上において前記銀焼結材の周囲に配置される金属部材を備え、
前記金属部材は、亜鉛により構成される
ことを特徴とするパワーモジュール。 - 前記金属部材は、前記銀焼結材に接触して設けられることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール。
- 前記金属部材は、前記銀焼結材の全周を囲うように配置されることを特徴とする請求項1または2記載のパワーモジュール。
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JP2015082581A (ja) | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
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- 2018-09-26 JP JP2018179882A patent/JP6991950B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013229457A (ja) | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015053414A (ja) | 2013-09-09 | 2015-03-19 | Dowaメタルテック株式会社 | 電子部品搭載基板およびその製造方法 |
US20160211195A1 (en) | 2013-09-09 | 2016-07-21 | Dowa Metaltech Co., Ltd. | Electronic part mounting substrate and method for producing same |
JP2015082581A (ja) | 2013-10-23 | 2015-04-27 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
JP2018098219A (ja) | 2015-03-18 | 2018-06-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法。 |
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