JP2021150498A - 回路構成体 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品の接続端子とバスバーとを電気的に簡単に接続することを可能にする技術を提供する。【解決手段】回路構成体は、第１バスバーと、第１バスバー上に位置し、貫通孔を有する配線基板と、第１バスバーから貫通孔内に突出する導電性の突起部と、配線基板上に位置する第１接続端子を有する第１電子部品とを備える。第１接続端子は、貫通孔内の突起部と電気的に接続されている。【選択図】図４

Description

本開示は、回路構成体に関する。

特許文献１には、電子部品が搭載された放熱基板が開示されている。

特開平９−３２１３９５号公報

電子部品の接続端子の長さは短くなる傾向になる。このため、電子部品の接続端子をバスバーに電気的に接続することが困難となっている。電子部品のパッケージがリードレス型である場合、この問題はさらに顕著になる。

そこで、電子部品の接続端子とバスバーとを電気的に簡単に接続することを可能にする技術を提供することを目的とする。

本開示の回路構成体は、第１バスバーと、前記第１バスバー上に位置し、貫通孔を有する配線基板と、前記第１バスバーから前記貫通孔内に突出する導電性の突起部と、第１接続端子を有する第１電子部品とを備え、前記第１接続端子は、前記貫通孔内の前記突起部と電気的に接続されている。

本開示によれば、電子部品の接続端子とバスバーとを電気的に簡単に接続することができる。

図１は回路構成体の一例を示す概略斜視図である。 図２は回路構成体の一例を示す概略平面図である。 図３は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図４は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図５は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図６は回路構成体の一部の構成の一例を示す概略斜視図である。 図７は電子部品の一例を示す概略平面図である。 図８は配線基板の一例を示す概略斜視図である。 図９は回路構成体の一部の構成の一例を示す概略斜視図である。 図１０は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図１１は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図１２は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図１３は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図１４は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図１５は電気接続箱の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図１６は電気接続箱の一例を示す概略斜視図である。 図１７は回路構成体の一例を示す概略斜視図である。 図１８は回路構成体の一例を示す概略平面図である。 図１９は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図２０は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図２１は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図２２は回路構成体の一部の構成の一例を示す概略斜視図である。 図２３は回路構成体の一部の構成の一例を示す概略斜視図である。 図２４は回路構成体の一部の構成の一例を示す概略斜視図である。 図２５は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図２６は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略斜視図である。 図２７は電気接続箱の一例を示す概略斜視図である。 図２８は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。 図２９は回路構成体の断面構造の一例を示す概略図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。

本開示の回路構成体は、次の通りである。

（１）第１バスバーと、前記第１バスバー上に位置し、貫通孔を有する配線基板と、前記第１バスバーから前記貫通孔内に突出する導電性の突起部と、第１接続端子を有する第１電子部品とを備え、前記第１接続端子は、前記貫通孔内の前記突起部と電気的に接続されている。本開示によると、導電性の突起部が、第１バスバーから配線基板の貫通孔内に突出している。このため、配線基板上の第１接続端子を、貫通孔内の突起部に電気的に接続することによって、第１接続端子を第１バスバーと電気的に簡単に接続することができる。

（２）前記突起部は前記第１バスバーの一部で構成されていてもよい。この場合、第１接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗を低減することができる。

（３）前記第１接続端子は前記突起部に接合されていてもよい。この場合、第１接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗を低減することができる。

（４）前記配線基板は、前記第１接続端子が接合された第１ランドと、前記第１ランドから拡張され、前記貫通孔の周囲に位置する導電性の拡張領域とを有し、前記貫通孔内の前記突起部の上面と前記拡張領域とに接合された導電片をさらに備えてもよい。この場合、第１接続端子が接合された第１ランドから拡張されて貫通孔の周囲に位置する拡張領域と、当該貫通孔内の突起部の上面とに接合された導電片が設けられている。この導電片によって、第１接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗を低減することができる。また、第１電子部品で発生した熱を導電片によって第１バスバーに伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。

（５）前記拡張領域は前記貫通孔の周囲を取り囲み、前記導電片は前記貫通孔の開口縁を覆っていてもよい。この場合、拡張領域及び突起部と導電片との接合面積を大きくすることができる。その結果、接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗をさらに低減することができる。

（６）前記配線基板上に位置する第２接続端子を有する第２電子部品をさらに備え、前記配線基板は、前記第２接続端子が接合された第２ランドをさらに有し、前記拡張領域は、前記第１ランド及び第２ランドから拡張され、前記貫通孔の周囲に位置してもよい。この場合、導電片が接合された拡張領域は、第１電子部品の第１接続端子が接合された第１ランドと、第２電子部品の第２接続端子が接合された第２ランドの両方から拡張されて、貫通孔の周囲に位置することから、拡張領域を第１電子部品及び第２電子部品で共用することができる。これにより、第１接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗と、第２接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗とを簡単な構成で低減することができる。

（７）第２バスバーをさらに備え、前記第１電子部品は、前記配線基板及び前記第２バスバーに跨って設けられ、前記配線基板は、前記第１バスバーの上面において、前記第２バスバーの上面よりも低い領域上に位置していてもよい。この場合、配線基板は、第１バスバーの上面において、第２バスバーの上面よりも低い領域上に位置することから、配線基板と第２バスバーとの段差を小さくすることができる。よって、第１電子部品を、配線基板と第２バスバーに跨って設けやすくなる。

（８）前記第１バスバーはクラッド材で構成されていてもよい。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の回路構成体の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されず、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内におけるすべての変更が含まれることが意図される。

［実施形態１］
＜回路構成体の概略説明＞
図１は本実施形態に係る回路構成体１Ａを示す概略斜視図である。回路構成体１Ａは、例えば、電気接続箱９００（後述の図１６参照）に組み込まれる。電気接続箱９００は、例えば、自動車において、バッテリと各種電装部品との間の電力供給路に設けられる。

図１に示されるように、回路構成体１Ａは、入力側バスバー２（単にバスバー２ともいう）と、出力側バスバー３（単にバスバー３ともいう）と、入力側バスバー２と出力側バスバー３とを電気絶縁するための絶縁部材４とを備える。回路構成体１Ａは、さらに、配線基板５と、複数の電子部品６と、電子部品７と、コネクタ８と、複数の導電片９とを備える。

バスバー２及び３は導電部材である。各電子部品６は例えばスイッチング素子である。具体的には、各電子部品６は例えばＭＯＥＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。ＭＯＳＦＥＴは、半導体スイッチング素子の一種である。電子部品７は例えばダイオードである。具体的には、電子部品７は例えばツェナーダイオードである。以後、電子部品６をＭＯＳＦＥＴ６と呼ぶことがある。また、電子部品７をツェナーダイオード７と呼ぶことがある。電子部品６はＭＯＳＦＥＴ以外のスイッチング素子であってもよい。また、電子部品６は、スイッチング素子以外の電子部品であってもよい。電子部品７はツェナーダイオード以外のダイオードであってもよい。また、電子部品７はダイオード以外の電子部品であってもよい。

複数のＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。また、複数のＭＯＳＦＥＴ６のソース端子は、例えば互いに電気的に接続されている。ツェナーダイオード７は、ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子とソース端子との間に過電圧が印加されることを防止するための電子部品である。ツェナーダイオード７のカソード端子は、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子に電気的に接続されている。ツェナーダイオード７のアノード端子は、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ６のソース端子に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子は入力側バスバー２に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ６のソース端子は出力側バスバー３に電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子、ソース端子及びゲート端子のそれぞれは接続端子ともいえる。同様に、ツェナーダイオード７のカソード端子及びアノード端子のそれぞれは接続端子ともいえる。本例では、回路構成体１Ａは４個のＭＯＳＦＥＴ６を備えているが、回路構成体１Ａが備えるＭＯＳＦＥＴ６の数はこの限りではない。

バスバー２は、例えば、板状の金属部材である。バスバー２は、例えば、本体部２０と当該本体部２０から突出する入力端子部２１とを備える。本体部２０と入力端子部２１は、同一平面上に位置する。本体部２０は、例えば、略Ｌ字型の板状部分である。本体部２０は、第１部分２０１と、当該第１部分２０１とＬ字状を成す第２部分２０２とを備える。弟１部分２０１及び第２部分２０２のそれぞれは、例えば長方形の板状部分である。第１部分２０１には、各ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子が電気的に接続されている。第２部分２０２には、ツェナーダイオード７のカソード端子が電気的に接続されている。入力端子部２１は、板状部分であって、弟２部分２０２の長手方向の一端から突出している。入力端子部２１は、その厚み方向に貫通する貫通孔２１０を有する。入力端子部２１には、例えば、バッテリから延びる配線部材が、貫通孔２１０が利用されて接続される。例えば、配線部材が備える接続端子の貫通孔と、入力端子部２１の貫通孔２１０とにボルトが通された後に、当該ボルトにナットが取り付けられることによって、入力端子部２１に配線部材の接続端子がボルト止めされる。入力端子部２１には、配線部材を通じてバッテリの出力電圧が与えられる。入力端子部２１に与えられたバッテリの出力電圧は、本体部２０を通じて各ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子に与えられる。

バスバー３は、例えば、板状の金属部材である。バスバー２及び３は同一平面上に位置する。バスバー３は、本体部３０と当該本体部３０から突出する出力端子部３１とを備える。本体部３０と出力端子部３１は、同一平面上に位置する。本体部３０は、例えば長方形の板状部分である。本体部３０上には配線基板５が設けられている。本体部３０は、本体部２０の第１部分２０１及び第２部分２０２と隣り合うように、本体部２０と同一平面上に位置する。本体部３０の長手方向は、第１部分２０１の長手方向と平行となっている。本体部３０には、各ＭＯＳＦＥＴ６のソース端子とツェナーダイオード７のアノード端子とが電気的に接続されている。

出力端子部３１は板状部分であって、本体部３０の短手方向の一端から突出している。出力端子部３１は、入力端子部２１と隣り合うように同一平面上に位置する。出力端子部３１は、その厚み方向に貫通する貫通孔３１０を有する。出力端子部３１には、例えば、電装部品から延びる配線部材が、入力端子部２１と同様に、貫通孔３１０が利用されて接続される。出力端子部３１には、ＭＯＳＦＥＴ６のソース端子から出力される電圧が与えられる。出力端子部３１に与えられた電圧は、配線部材を通じて電装部品に対して例えば電源として与えられる。

絶縁部材４は、バスバー２及び３を電気絶縁しつつ、当該バスバー２及び３を保持する。絶縁部材４は、例えば絶縁性樹脂で構成されている。具体的には、絶縁部材４は、例えば、ＰＰＳ（Poly Phenylene Sulfide Resin）で構成されている。絶縁部材４は、例えば、バスバー２及び３と一体成形されている。絶縁部材４は、例えばインサート成形によって、バスバー２及び３と一体成形されている。絶縁部材４は、枠状の絶縁部分４１と、当該絶縁部分４１と繋がるＬ字状の絶縁部分４２とを備える。枠状の絶縁部分４１は、本体部２０及び３０の周囲を取り囲むように本体部２０及び３０に取り付けられている。Ｌ字状の絶縁部分４２は、Ｌ字状の本体部２０と本体部３０の間に位置する。絶縁部分４２は、本体部２０の第１部分２０１と本体部３０の間に位置するとともに、本体部２０の第２部分２０２と本体部３０の間に位置する。バスバー２及び３は、絶縁部分４２によって電気絶縁されている。

配線基板５は、例えば、長方形の板状部材である。配線基板５は、バスバー３の本体部３０上に設けられている。配線基板５は、例えば、絶縁基板５０と、当該絶縁基板５０に設けられた導電層５１とを有する。絶縁基板５０は、例えば、セラミック基板であってもよいし、樹脂を含む基板であってもよい。後者の場合、絶縁基板５０は、ガラスエポキシ基板であってもよいし、樹脂を含む他の基板であってもよい。絶縁基板５０の厚さは、例えば、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定されてもよい。導電層５１は、銅で構成されてもよいし、他の金属で構成されてもよい。導電層５１は、例えば、絶縁基板５０の上面上に設けられている。配線基板５は、その上面に導電層５１を有する。配線基板５は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。配線基板５は、上面だけではなく、下面に導電層を有してもよいし、内層に導電層を有してもよい。各ＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子は、配線基板５の導電層５１に電気的に接続されている。本例では、配線基板５はリジッド基板であるが、シート状のフレキシブル基板であってもよいし、リジッド基板とフレキシブル基板が一体化された複合基板であってもよい。

コネクタ８は、配線基板５の上面上に設けられている。コネクタ８には、複数のＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子が、配線基板５の導電層５１を通じて電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ６は、コネクタ８を通じて外部からスイッチング制御される。

複数の導電片９は、複数のＭＯＳＦＥＴ６にそれぞれ対応して設けられている。各導電片９は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ６のソース端子とバスバー３との間の電気抵抗を低減するために設けられている。導電片９は、例えば、銅で構成されてもよいし、他の金属で構成されてもよい。前者の場合、導電片９は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ：Japanese Industrial Standards）で定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。また、導電片９は銅合金で構成されてもよい。

＜回路構成体の詳細説明＞
図２は回路構成体１Ａを示す概略平面図である。図３は、図２に示される矢視Ａ−Ａの断面構造を示す概略図である。図４は、図２に示される矢視Ｂ−Ｂの断面構造を示す概略図である。図５は、図２に示される矢視Ｃ−Ｃの断面構造を示す概略図である。図６は、回路構成体１Ａが備えるバスバー２、バスバー３、絶縁部材４及び配線基板５の一例を示す概略斜視図である。図６では、バスバー３から引き離された配線基板５が示されている。

＜バスバーの構成例＞
バスバー２は、例えばクラッド材で構成されている。クラッド材はクラッドメタルとも呼ばれる。本例では、バスバー２は、例えば２層で構成されている。図３〜５に示されるように、バスバー２は、下面側の金属層２５０（下層金属層２５０ともいう）と、上面側の金属層２６０（上層金属層２６０ともいう）とを備える。金属層２５０及び２６０は、バスバー２の厚み方向において積層されている。金属層２５０及び２６０は、例えば、組立圧延法、鋳込圧延法、爆発圧着法、肉盛溶接法あるいは拡散溶接法などで、互いに接合されている。金属層２５０と金属層２６０の境界面は、例えば拡散接合されている。

バスバー２は、例えば、銅とアルミニウムのクラッド材で構成されている。本例では、下層金属層２５０は、例えばアルミニウム層であって、上層金属層２６０は、例えば銅層である。下層金属層２５０は、例えば純アルミニウムで構成される。この純アルミニウムは、例えば、ＪＩＳで定められるＡ１０５０の純アルミニウムが採用される。上層金属層２６０は、例えば無酸素銅で構成されている。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。

金属層２５０の線膨張係数は、例えば、金属層２６０の線膨張係数より、絶縁部材４の線膨張係数に近くなっている。本例では、ＰＰＳで構成された絶縁部材４の線膨張係数は、例えば４０ｐｐｍ／℃である。純アルミニウムで構成された金属層２５０の線膨張係数は、例えば２４ｐｐｍ／℃である。無酸素銅で構成された金属層２６０の線膨張係数は、例えば１７ｐｐｍ／℃である。線膨張係数は熱膨張係数と呼ばれることがある。また、上層金属層２６０の導電率は、下層金属層２５０の導電率よりも大きい。

バスバー２の上面及び下面のそれぞれは、例えば平坦となっている。つまり、上層金属層２６０の上面と下層金属層２５０の下面のそれぞれは、例えば平坦となっている。金属層２５０の厚みは、例えば、金属層２６０の厚みよりも大きく設定されている。例えば、金属層２５０の厚みは３ｍｍに設定され、金属層２６０の厚みは２ｍｍに設定されてもよい。

バスバー３は、バスバー２と同様に、例えばクラッド材で構成されている。本例では、バスバー３は、例えば２層で構成されている。図３〜５に示されるように、バスバー３は、下面側の金属層３５０（下層金属層３５０ともいう）と、上面側の金属層３６０（上層金属層３６０ともいう）とを備える。金属層３５０及び３６０は、例えば、組立圧延法、鋳込圧延法、爆発圧着法、肉盛溶接法あるいは拡散溶接法などで、互いに接合されている。金属層３５０と金属層３６０の境界面は、例えば拡散接合されている。

バスバー３は、例えば、銅とアルミニウムのクラッド材で構成されている。本例では、下層金属層３５０は、例えばアルミニウム層であって、上層金属層３６０は、例えば銅層である。下層金属層３５０は、例えば純アルミニウムで構成される。この純アルミニウムは、例えば、ＪＩＳで定められるＡ１０５０の純アルミニウムが採用される。上層金属層３６０は、例えば無酸素銅で構成されている。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。

金属層３５０の線膨張係数は、例えば、金属層３６０の線膨張係数より、絶縁部材４の線膨張係数に近くなっている。本例では、純アルミニウムで構成された金属層３５０の線膨張係数は、例えば２４ｐｐｍ／℃である。無酸素銅で構成された金属層３６０の線膨張係数は、例えば１７ｐｐｍ／℃である。また、上層金属層３６０の導電率は、下層金属層３５０の導電率よりも大きい。

バスバー３の下面は、例えば平坦となっている。つまり、下層金属層３５０の下面は、例えば平坦となっている。バスバー３の下面は、例えば、バスバー２の下面と同一平面上に位置する。一方で、バスバー３の上面は、図６に示されるように、他の領域よりも１段低くなった領域３０１を有している。この領域３０１は、配線基板５が載置される基板載置領域３０１となっている。例えば、本体部３０の上面の一部が、基板載置領域３０１を構成している。

本例では、上層金属層３６０の上面が部分的に低くなっており、その低くなっている領域が基板載置領域３０１を構成している。つまり、上層金属層３６０の上面に基板載置領域３０１が設けられている。基板載置領域３０１は、例えば、バスバー２の上面よりも低くなっている。バスバー３の上面のうち、基板載置領域３０１以外の領域は、例えば、バスバー２の上面と同一平面上に位置している。

基板載置領域３０１には、複数の導電性の突起部３０２が設けられている。複数の突起部３０２は、例えば、バスバー３の一部で構成されている。具体的には、複数の突起部３０２は、例えば、金属層３６０の一部で構成されている。各突起部３０２は、バスバー３と一体成形されていると言える。また、各突起部３０２は、金属層３６０と一体成形されていると言える。本例では、突起部３０２は、金属層３６０の一部であることから、例えば銅で構成されている。

各突起部３０２は、例えば円板状を成している。基板載置領域３０１に配線基板５が載置される場合には、複数の突起部３０２は、配線基板５に設けられた後述の複数の貫通孔５２にそれぞれ挿入される。

複数の突起部３０２には、例えば、４個のＭＯＳＦＥＴ６にそれぞれ対応する４個の突起部３０２ａが含まれる。また、複数の突起部３０２には、ツェナーダイオード７に対応する２個の突起部３０２ｂが含まれる。複数の突起部３０２ａは、本体部３０の長手方向に沿って並んでいる。複数の突起部３０２ａは、本体部３０の短手方向の両端部のうち、バスバー２の第１部分２０１側の端部に設けられている。複数の突起部３０２ａは、バスバー２の第１部分２０１に沿って並んでいる。２個の突起部３０２ｂは、本体部３０の短手方向に沿って並んでいる。２個の突起部３０２ｂは、本体部３０の長手方向の両端部のうち、バスバー２の第２部分２０２側の端部に設けられている。複数の突起部３０２ａのうち、最も第２部分２０２側の突起部３０２ａは、２個の突起部３０２ｂと本体部３０の短手方向に沿って並んでいる。突起部３０２ａ及び３０２ｂの役割については後で詳細に説明する。

金属層３５０の厚みは、例えば、金属層３６０の厚みよりも大きく設定されている。例えば、金属層３５０の厚みは３ｍｍに設定されてもよい。また、金属層３６０における、上面に基板載置領域３０１が存在しない部分の厚みは２ｍｍに設定されてもよい。

＜ＭＯＳＦＥＴの構成例＞
図７は、ＭＯＳＦＥＴ６の裏面の一例を示す概略平面図である。ここでは、説明の便宜上、図７の右側及び左側をそれぞれＭＯＳＦＥＴ６の右側及び左側とし、図７の上下方向をＭＯＳＦＥＴ６の上下方向として、ＭＯＳＦＥＴ６の構成を説明する。

ＭＯＳＦＥＴ６は、例えば表面実装部品である。図７に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ６は、半導体素子等が収容されたパッケージ６０を備える。パッケージ６０は、例えば、リードレス型のパッケージある。パッケージ６０は、本体部６５と、ゲート端子６１と、複数のソース端子６２と、ドレイン端子６３とを備える。ゲート端子６１と、複数のソース端子６２と、ドレイン端子６３は、本体部６５の裏面に設けられている。

本体部６５は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂で構成されている。複数のソース端子６２は、本体部６５の内部で互いに電気的に接続されている。ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は、例えば金属で構成されている。ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。また、ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は銅合金で構成されてもよい。ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は、例えば平板状を成している。

本体部６５の裏面の右側端部では、ゲート端子６１及び複数のソース端子６２が上下方向に沿って一列に並べられている。ゲート端子６１及び複数のソース端子６２は、本体部６５の裏面の右側端から少し外側に突出している。ドレイン端子６３の左側端は凹凸状となっており、当該左側端に上下方向に並ぶ複数の凸部６３ａが設けられている。複数の凸部６３ａは、本体部６５の裏面の左側端から少し外側に突出している。

なお、パッケージ６０の形状は上記の例に限られない。例えば、ドレイン端子６３の形状は、図７の形状以外であってもよい。また、パッケージ６０が備えるソース端子６２の数は３個以外であってもよい。また、パッケージ６０はリード型のパッケージであってもよい。

＜ツェナーダイオードの構成例＞
図２及び５を用いてツェナーダイオード７の構成について説明する。ここでは、説明の便宜上、図２の左側及び右側をそれぞれツェナーダイオード７の上側及び下側とし、図２の上下方向をツェナーダイオード７の左右方向として、ツェナーダイオード７の構成を説明する。

図２及び５に示されるように、ツェナーダイオード７は、半導体素子等が収容されたパッケージ７０を備える。パッケージ７０は、例えば、リード型のパッケージある。パッケージ７０は、本体部７５と、カソード端子７１と、アノード端子７２及び７３とを備える。

本体部７５は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂で構成されている。カソード端子７１とアノード端子７２及び７３は、例えば金属で構成されている。カソード端子７１とアノード端子７２及び７３は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。また、カソード端子７１とアノード端子７２及び７３は銅合金で構成されてもよい。カソード端子７１は、例えば平板状を成している。アノード端子７２及び７３は、例えば、リード端子であって、細長い板状部が２箇所で折れ曲げられた形状を有している。

カソード端子７１は、本体部７５の裏面に設けられている。カソード端子７１の上側端部は、本体部７５の裏面の上側端から少し突出している。アノード端子７２及び７３は、本体部７５の下側端面から外側に延びており、左右方向に並んでいる。アノード端子７２及び７３の先端部は、配線基板５上に載置されている。

なお、パッケージ７０の形状は上記の例に限られない。例えば、カソード端子７１とアノード端子７２及び７３の少なくとも一つの形状は、図２及び５の形状以外であってもよい。また、パッケージ７０はリードレス型のパッケージであってもよい。

＜配線基板の構成例＞
図８は配線基板５の一例を示す概略斜視図である。図６及び８等に示されるように、配線基板５は、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔５２を備える。複数の貫通孔５２は、例えば、４個のＭＯＳＦＥＴ６にそれぞれ対応する４個の貫通孔５２ａと、ツェナーダイオード７に対応する２個の貫通孔５２ｂとを含む。４個の貫通孔５２ａは、配線基板５の長手方向に沿って並ぶように、配線基板５の短手方向の一方端部に設けられている。２個の貫通孔５２ｂは、配線基板５の短手方向に沿って並ぶように、配線基板５の長手方向の一方端部に設けられている。複数の貫通孔５２ａのうち、最も端の一方の貫通孔５２ａは、２個の貫通孔５２ｂと配線基板５の短手方向に沿って並んでいる。貫通孔５２ａの近くには、それに対応するＭＯＳＦＥＴ６が配置される。２個の貫通孔５２ｂの近くにはツェナーダイオード７が配置される。

配線基板５の導電層５１は、図６及び８等に示されるように、複数のＭＯＳＦＥＴ６にそれぞれ対応する複数の導電領域５３を含む。また、導電層５１は、コネクタ８に対応する導電領域５４と、配線領域５５とを含む。なお、図３〜５では、導電層５１の図示は省略されている。

導電領域５３は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１が接合されるランド５３１を有する。導電領域５３は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ６の３個のソース端子６２がそれぞれ接合される３個のランド５３２を有する。端子等が接合されるランドは、パッドとも呼ばれる。

各導電領域５３は、複数のランド５３２から拡張された拡張領域５３３を有する。ＭＯＳＦＥＴ６に対応する導電領域５３に含まれる拡張領域５３３は、当該ＭＯＳＦＥＴ６に対応する貫通孔５２ａの周囲に位置する。拡張領域５３３は、貫通孔５２ａの開口縁（詳細には配線基板５の上面側の開口縁）を取り囲むように設けられている。貫通孔５２ａは拡張領域５３３に設けられているとも言える。各ランド５３２は、拡張領域５３３から突出する凸部であるとも言える。

本例では、貫通孔５２ａは、例えば、その内周面に導電領域が形成されたスルーホールである。一方で、貫通孔５２ｂは、例えば、スルーホールではなく、その内周面に導電領域が形成されていない。貫通孔５２ａの内周面の導電領域は、例えば、金属で構成されている。貫通孔５２ａの内周面の導電領域は、導電層５１と同じ材料で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。貫通孔５２ａの内周面の導電領域は、当該貫通孔５２ａの周囲の拡張領域５３３と繋がっている。なお、貫通孔５２ａの内周面には導電領域が形成されていなくてもよい。また、貫通孔５２ｂは、その内周面に導電領域が形成されたスルーホールであってもよい。

コネクタ８に対応する導電領域５４は、例えば、４個のランド５４１と、２個のランド５４２とを備える。２個のランド５４２は、コネクタ８を配線基板５に固定するためのランドである。コネクタ８の裏面には、固定用の２個の金属領域が設けられている。当該２個の金属領域は、２個のランド５４２に対して、例えばはんだでそれぞれ接合される。はんだは、すずを主成分としている。また、コネクタ８は、複数のＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１にそれぞれ電気的に接続される４個の接続端子８１を備える（図２参照）。各接続端子８１は、例えば金属で構成されている。複数のランド５４１に対して、コネクタ８の複数の接続端子８１が、例えば、はんだでそれぞれ接合される。

配線領域５５は、例えば、４個のＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１にそれぞれ電気的に接続される４個の配線５５１を備える。複数の配線５５１の一端は、複数のＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１が接合される複数のランド５３１にそれぞれ繋がっている。複数の配線５５１の他端は、コネクタ８の複数の接続端子８１が接合される複数のランド５４１にそれぞれ繋がっている。ゲート端子６１は、配線５５１を通じて、コネクタ８の接続端子８１に電気的に接続されている。

以上のような構成を有する配線基板５は、バスバー３の上面の基板載置領域３０１上に載置される。基板載置領域３０１の外形は、配線基板５の外形とほぼ同じ形状となっている。図９は、バスバー３の基板載置領域３０１上に配線基板５が載置された様子の一例を示す図である。

配線基板５が基板載置領域３０１上に載置されるとき、バスバー３の複数の突起部３０２ａが、配線基板５の複数の貫通孔５２ａにそれぞれ挿入されるとともに、バスバー３の複数の突起部３０２ｂが、配線基板５の複数の貫通孔５２ｂにそれぞれ挿入される。配線基板５が基板載置領域３０１上に載置された状態では、突起部３０２ａはバスバー３から貫通孔５２ａ内に突出し、突起部３０２ｂはバスバー３から貫通孔５２ｂ内に突出する。突起部３０２の直径は、貫通孔５２の直径よりも若干小さく設定されている。突起部３０２は貫通孔５２に嵌合するとも言える。

基板載置領域３０１上の配線基板５は、バスバー３上だけではなく、バスバー２とバスバー３の間に位置するＬ字状の絶縁部分４２上にも位置する。絶縁部分４２のうち、基板載置領域３０１の周囲に位置する周囲部分４２ａ（図６参照）の上端面は、図４及び５に示されるように、例えば、下層金属層２５０及び３５０の上面と面一となっている。周囲部分４２ａは、上層金属層２６０と上層金属層３６０の間には位置しない。配線基板５は、基板載置領域３０１上に位置するとともに、基板載置領域３０１の周囲に位置する周囲部分４２ａの上方に当該周囲部分４２ａの上端面から隙間を隔てて位置する。当該隙間には、例えば粘着テープなどの絶縁部材が設けられてもよい。配線基板５は、バスバー２の第１部分２０１及び第２部分２０２のそれぞれに隣接する。基板載置領域３０１に載置された配線基板５の絶縁基板５０の上面は、バスバー２の上面と、バスバー３の上面における基板載置領域３０１以外の領域と面一となっている。なお、絶縁基板５０上の導電層５１の上面が、バスバー２の上面と、バスバー３の上面における基板載置領域３０１以外の領域と同一平面上に位置してもよい。

配線基板５は、例えば、接合材によって基板載置領域３０１に固定される。接合材としては、例えば両面粘着テープが採用される。接合材としては、他の部材が採用されてもよい。また、配線基板５は、基板載置領域３０１に置かれるだけで固定されなくてもよい。

貫通孔５２内の突起部３０２の上面は、例えば、配線基板５の絶縁基板５０上の導電層５１の上面と同一平面上に位置する。この場合、貫通孔５２ａ内の突起部３０２ａの上面は、当該貫通孔５２ａの周囲の拡張領域５３３の上面と面一になる。なお、突起部３０２の上面は、絶縁基板５０の上面と同一平面上に位置してもよい。

＜導電片について＞
複数の導電片９は、配線基板５の上面から露出する複数の突起部３０２ａにそれぞれ接合されている。また、複数の導電片９は、配線基板５の複数の拡張領域５３３にそれぞれ接合されている。導電片９は、配線基板５の貫通孔５２ａ内の突起部３０２ａの上面と、当該貫通孔５２ａの周縁部とを覆うように配線基板５上に設けられている。導電片９は貫通孔５２ａの開口縁（詳細には配線基板５の上面側の開口縁）を覆っている。導電片９の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されてもよい。

導電片９は、貫通孔５２ａ内の突起部３０２ａの上面と、当該貫通孔５２ａの周囲の拡張領域５３３とに対して、導電性接合材１１５で接合されている（図４参照）。導電性接合材１１５としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１１５は、導電片９の裏面を突起部３０２ａ及び拡張領域５３３の上面に接合し、導電片９の端面を拡張領域５３３の上面に接合する。導電性接合材１１５は、突起部３０２ａ及び拡張領域５３３と導電片９との間に位置する部分を含む。

なお、導電性接合材１１５は、貫通孔５２ａ内に入り込んでもよい。この場合、スルーホールである貫通孔５２ａの内周面の導電領域と、当該貫通孔５２ａ内の突起部３０２ａとが導電性接合材１１５で接合されてもよい。

＜電子部品の実装例＞
各ＭＯＳＦＥＴ６は、バスバー２と、バスバー３上の配線基板５との両方に跨って実装されている。例えば、ＭＯＳＦＥＴ６は、バスバー２の第１部分２０１と、配線基板５の短手方向における、導電領域５３が形成された端部とに跨って実装されている。言い換えれば、ＭＯＳＦＥＴ６は、バスバー２の第１部分２０１と、配線基板５における、当該第１部分２０１に隣接する部分とに跨って実装されている。図６に示されるように、バスバー２の第１部分２０１とバスバー３との間には絶縁部分４２（詳細には周囲部分４２ａ）が位置する。ＭＯＳＦＥＴ６は、絶縁部分４２を跨ぐようにバスバー２及び３の上に設けられている。

ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３は、バスバー２の第１部分２０１の上面に対して、導電性接合材１０３（図２〜４参照）で接合されている。導電性接合材１０３としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１０３は、ドレイン端子６３の裏面及び端面と第１部分２０１とを接合する。導電性接合材１０３は、ドレイン端子６３と第１部分２０１との間に位置する部分を含む。バスバー２の入力端子部２１に与えられる電圧は、当該バスバー２に接合されたドレイン端子６３に与えられる。

ＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１は、当該ＭＯＳＦＥＴ６に対応する導電領域５３のランド５３１に対して、導電性接合材１０１（図３参照）で接合されている。導電性接合材１０１としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１０１は、例えば、ゲート端子６１の裏面及び端面とランド５３１とを接合する。導電性接合材１０１は、ゲート端子６１とランド５３１との間に位置する部分を含む。ゲート端子６１は、ランド５３１と、当該ランド５３１に繋がる配線５５１と、当該配線５５１に繋がるランド５４１とを通じて、コネクタ８の接続端子８１に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ６は、コネクタ８を通じて外部からスイッチング制御される。

ＭＯＳＦＥＴ６の複数のソース端子６２は、当該ＭＯＳＦＥＴ６に対応する導電領域５３の複数のランド５３２に対して、それぞれ導電性接合材１０２（図４参照）で接合されている。導電性接合材１０２としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１０２は、例えば、ソース端子６２の裏面及び端面とランド５３２とを接合する。導電性接合材１０２は、ソース端子６２とランド５３２との間に位置する部分を含む。ソース端子６２は、ランド５３２と、当該ランド５３２に繋がる拡張領域５３３と、当該拡張領域５３３に接合された導電片９と、当該導電片９が接合された導電性の突起部３０２ａとを通じて、出力側バスバー３に電気的に接続されている。導電片９は、ソース端子６２と突起部３０２ａとを電気的に接続する中継端子として機能する。ソース端子６２の出力電圧は、バスバー３の出力端子部３１から外部に出力される。

ツェナーダイオード７は、ＭＯＳＦＥＴ６と同様に、バスバー２と、バスバー３上の配線基板５との両方に跨って実装されている。例えば、ツェナーダイオード７は、バスバー２の第２部分２０２と、配線基板５の長手方向における、貫通孔５２ｂが形成された端部とに跨って実装されている。言い換えれば、ツェナーダイオード７は、バスバー２の第２部分２０２と、配線基板５における、当該第２部分２０２に隣接する部分とに跨って実装されている。バスバー２の第２部分２０２とバスバー３との間には絶縁部分４２（詳細には周囲部分４２ａ）が位置する。ツェナーダイオード７は、絶縁部分４２を跨ぐようにバスバー２及び３の上に設けられている。

ツェナーダイオード７のカソード端子７１は、バスバー２の第２部分２０２の上面に対して、導電性接合材１１１（図５参照）で接合される。導電性接合材１１１としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１１１は、カソード端子７１の裏面及び端面と第２部分２０２とを接合する。導電性接合材１１１は、カソード端子７１と第２部分２０２との間に位置する部分を含む。カソード端子７１は、バスバー２を通じてＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３と電気的に接続されている。

ツェナーダイオード７のアノード端子７２は、配線基板５の一方の貫通孔５２ｂ内の一方の突起部３０２ｂに接合されている。ツェナーダイオード７のアノード端子７３は、配線基板５の他方の貫通孔５２ｂ内の他方の突起部３０２ｂに接合されている。本例では、突起部３０２ｂは、バスバー３の一部で構成されていることから、アノード端子７２及び７３は、バスバー３の上面に接合されていると言える。

アノード端子７２は、一方の突起部３０２ｂの上面に対して導電性接合材で接合されている。導電性接合材としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材は、アノード端子７２の先端部の裏面及び端面と一方の突起部３０２ｂとを電気的に接合する。導電性接合材は、アノード端子７２の先端部と一方の突起部３０２ｂとの間に位置する部分を含む。アノード端子７２は、一方の突起部３０２ｂ及びバスバー３を通じて、ＭＯＳＦＥＴ６のソース端子６２に電気的に接続されている。

アノード端子７３は、他方の突起部３０２ｂの上面に対して導電性接合材１１２（図５参照）で接合されている。導電性接合材１１２としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１１２は、アノード端子７３の先端部の裏面及び端面と他方の突起部３０２ｂとを接合する。導電性接合材１１２は、アノード端子７３の先端部と他方の突起部３０２ｂとの間に位置する部分を含む。

＜回路構成体の製造方法の一例＞
以上のような構成を備える回路構成体１Ａが製造される場合には、まず、バスバー２及び３を作製するための２個のクラッド材１０が準備される。クラッド材１０は、図１０に示されるように、互いに積層された金属層１０ａ及び１０ｂを備える。金属層１０ａは例えばアルミニウム層であって、金属層１０ｂは例えば銅層である。アルミニウム板及び銅板が、例えば圧延及び熱処理にて拡散接合されることによって、クラッド材１０が作製される。金属層１０ａが、バスバー２の金属層２５０あるいはバスバー３の金属層３５０となる。金属層１０ｂが、バスバー２の金属層２６０あるいはバスバー３の金属層３６０となる。

次に、準備された２個のクラッド材１０の一方のクラッド材１０が、例えば、冷間圧造あるいは切削加工されて所定の形状に成形される。そして、成形された一方のクラッド材１０に貫通孔２１０が設けられる。これにより、バスバー２が完成する。

また、他方のクラッド材１０が、例えば、冷間圧造あるいは切削加工されて所定の形状に成形される。そして、成形された他方のクラッド材１０に貫通孔３１０が設けられる。次に、他方のクラッド材１０の表面に複数の突起部３０２が設けられる。これにより、図１１に示されるバスバー３が完成する。

次に、図１２に示されるように、インサート成形用金型内にバスバー２及び３が配置される。図１２では、インサート成形用金型の図示が省略されている。そして、ＰＰＳ等の耐熱性に優れた熱可塑性樹脂が射出成形機からインサート成形用金型に射出されて、バスバー２及び３と樹脂とが一体成形される。これにより、図１３に示されるように、バスバー２及び３と絶縁部材４とが一体成形された一体成形品が得られる。

次に、作製された一体成形品が備えるバスバー３の基板載置領域３０１に対して配線基板５が両面粘着テープ等の接合材によって固定される。これにより、上述の図９に示される構造が得られる。

次に、図１４に示されるように、バスバー２、バスバー３及び配線基板５の上面の所定領域にはんだペースト１１が塗布される。図１４では、はんだペースト１１が斜線で示されている。そして、はんだペースト１１が塗布された領域に対して、複数のＭＯＳＦＥＴ６、ツェナーダイオード７、コネクタ８及び複数の導電片９がリフロー方式ではんだ付けされる。これにより、上述の図１及び２等に示される回路構成体１Ａが完成する。

その後、図１５に示されるように、回路構成体１Ａに対して、各ＭＯＳＦＥＴ６を制御する制御基板９１０が取り付けられる。制御基板９１０は、例えば、マイクロコンピュータ及びコネクタ９１１及び９１２等を備える。コネクタ９１２は、回路構成体１Ａのコネクタ８に接続される。制御基板９１０は、コネクタ９１２と、それに接続されるコネクタ８とを通じて、各ＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１と電気的に接続される。これにより、制御基板９１０は各ＭＯＳＦＥＴ６をスイッチング制御することができる。コネクタ９１１には、外部装置から延びる配線部材が接続される。制御基板９１０は、外部装置からの指示に応じて、各ＭＯＳＦＥＴ６をスイッチング制御する。

次に、図１６に示されるように、バスバー２及び３の裏面に対して、放熱シート等の熱伝導部材を介してヒートシンク９２０が取り付けられる。これにより、回路構成体１Ａで発生する熱がヒートシンク９２０から外部に放出される。そして、バスバー２及び３に対して、配線基板５、複数のＭＯＳＦＥＴ６、ツェナーダイオード７、コネクタ８及び複数の導電片９を覆うケース９３０が取り付けられる。これにより、電気接続箱９００が完成する。

以上のように、本例では、バスバー２がクラッド材で構成されていることから、ＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３をバスバー２に接合し易くするともに、バスバー２全体の線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。

例えば、上記の例のように、上層金属層２６０が銅層で構成され、下層金属層２５０がアルミニウム層で構成される場合を考える。この場合、ドレイン端子６３が接合される部分ははんだ付けし易い銅で構成されていることから、ドレイン端子６３をバスバー２に接合し易くなる。また、下層金属層２５０は、絶縁部材４の線膨張係数に比較的近い線膨張係数を有するアルミニウム層で構成されていることから、バスバー２全体の線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。

これに対して、本例とは異なり、バスバー２が銅（例えば無酸素銅）だけで構成されている場合を考える。この場合、ドレイン端子６３はバスバー２にはんだ付けし易いものの、バスバー２の線膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃）は、絶縁部材４の線膨張係数（例えば４０ｐｐｍ／℃）と大きく異なる。ＭＯＳＦＥＴ６は、絶縁部材４の絶縁部分４２を跨ぐようにバスバー２及び３の上に設けられていることから、バスバー２の線膨張係数が絶縁部材４の線膨張係数と異なる場合、周囲温度の変化に応じて、ドレイン端子６３とバスバー２の接合部分に熱応力が発生する可能性がある。これにより、当該接合部分にクラックが発生し、当該接合部分の信頼性が低下し得る。

また、バスバー２がアルミニウム(例えば純アルミニウム）だけで構成されている場合を考える。この場合、バスバー２が銅だけで構成されている場合と比較して、バスバー２の線膨張係数（例えば２４ｐｐｍ／℃）は、絶縁部材４の線膨張係数に近くなる。したがって、バスバー２が銅だけで構成されている場合と比べて、ドレイン端子６３とバスバー２の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。しかしながら、アルミニウムから成るバスバー２に対しては、ドレイン端子６３をはんだ付けしにくいことから、バスバー２に対してドレイン端子６３を接合しにくくなる。その結果、ドレイン端子６３とバスバー２を適切に接合することができず、ドレイン端子６３とバスバー２の接合部分の信頼性が低下し得る。

本例では、バスバー２がクラッド材で構成されていることから、上記の例のように、バスバー２のうちＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子２が接合される部分の材料として、接合が容易な材料を用いることができる。そのため、ドレイン端子２をバスバー２に接合し易くすることができる。一方で、接合が容易な材料の線膨張係数と絶縁部材４の線膨張係数の差が大きい場合がある。この場合においても、バスバー２を構成する他の部分の材料として、その線膨張係数が絶縁部材４の線膨張係数に近いものを選択することによって、バスバー２全体の線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。これにより、ドレイン端子６３をバスバー２に接合し易くするともに、ドレイン端子６３とバスバー２の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。また、ＭＯＳＦＥＴ６で発熱した熱を直接バスバー２に伝えることができるため、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。同様に、カソード端子７１をバスバー２に接合し易くするともに、カソード端子７１とバスバー２の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。

また、本例では、バスバー３がクラッド材で構成されていることから、ツェナーダイオード７のアノード端子７２及び７３をバスバー３（詳細には突起部３０２ｂ）に接合し易くするともに、バスバー３全体の線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。これにより、アノード端子７２及び７３をバスバー３に接合し易くするともに、アノード端子７２及び７３とバスバー３の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。

また、本例では、バスバー２は、金属層２５０と、それに積層された金属層２６０とを備えることから、クラッド材から成るバスバー２を、金属層２５０及び２６０を積層することによって簡単に作製することができる。また、金属層２６０として金属層２５０よりもドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合が容易な金属層を用いた場合には、金属層２６０に対するドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合を容易にしつつ、バスバー２全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。同様に、クラッド材から成るバスバー３を金属層３５０及び３６０を積層することによって簡単に作製することができる。また、金属層３６０として金属層３５０よりもアノード端子７２及び７３との接合が容易な金属層を用いた場合には、金属層３６０に対するアノード端子７２及び７３の接合を容易にしつつ、バスバー３全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。

また、本例に係るバスバー２では、金属層２５０はアルミニウム層であって、金属層２６０は銅層であることから、クラッド材から成るバスバー２をアルミニウム及び銅を用いて簡単に作製することができる。また、銅の方がアルミニウムよりもドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合が容易である一方、アルミニウムは銅よりも線膨張係数が絶縁部材４に近い。したがって、金属層２６０に対するドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合を容易にしつつ、バスバー２全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。同様に、クラッド材から成るバスバー３をアルミニウム及び銅を用いて簡単に作製することができる。また、銅の方がアルミニウムよりもアノード端子７２及び７３との接合が容易である一方、アルミニウムは銅よりも線膨張係数が絶縁部材４に近い。したがって、金属層３６０に対するアノード端子７２及び７３の接合を容易にしつつ、バスバー３全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。

また、本例では、金属層２５０の線膨張係数は、金属層２６０の線膨張係数よりも、絶縁部材４の線膨張係数に近いことから、金属層２５０としては、ドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合性を考慮することなく、線膨張係数が絶縁部材４の線膨張係数に近い金属層を採用することができる。同様に、金属層３５０の線膨張係数は、金属層３６０の線膨張係数よりも、絶縁部材４の線膨張係数に近いことから、金属層３５０としては、アノード端子７２及び７３との接合性を考慮することなく、線膨張係数が絶縁部材４の線膨張係数に近い金属層を採用することができる。

また、本例では、絶縁部材４の絶縁部分４２の上端面は、絶縁部材４の線膨張係数に近い線膨張係数を有する下層金属層２５０の上面と面一である（例えば図４参照）。これにより、上層金属層２６０は、周囲温度の変化による絶縁部分４２の変形の影響を受けにくくなる。その結果、上層金属層２６０とドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。したがって、金属層２６０として、絶縁部材４との線膨張係数の差が大きな金属層を用いることができる。

また、本例では、絶縁部分４２の上端面は、絶縁部材４の線膨張係数に近い線膨張係数を有する下層金属層３５０の上面と面一である（例えば図５参照）。これにより、上層金属層３６０は、周囲温度の変化による絶縁部分４２の変形の影響を受けにくくなる。その結果、上層金属層３６０とアノード端子７２及び７３の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。したがって、金属層３６０として、絶縁部材４との線膨張係数の差が大きな金属層を用いることができる。

また、本例では、絶縁部分４２の上端面は下層金属層２５０及び下層金属層３５０の上面と面一であり、下層金属層２５０及び下層金属層３５０は同一種類の金属、例えばアルミニウムによって構成されている。このため、絶縁部材４を挟んで下層金属層２５０及び下層金属層３５０の双方の上面に沿う方向（図３〜図５の左右方向）の熱応力の分布に対称性が生じて、双方に生ずる熱応力が打ち消しあう。その結果、上層金属層２６０とドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合部分（例えば、図３、図５参照）に熱応力が発生しにくくなり、当該各接合部分の信頼性が向上する。同様に、上層金属層３６０上の配線基板５と、ゲート端子６１及びソース端子６２との接合部分（例えば、図３、図４参照）に熱応力が発生しにくくなり、当該各接合部分の信頼性が向上する。同様に、上層金属層３６０とアノード端子７２及び７３の接合部分（例えば、図５参照）に熱応力が発生しにくくなり、当該各接合部分の信頼性が向上する。

また、本例のように、絶縁部材４の線膨張係数に近い線膨張係数を有する下層金属層２５０の厚みを上層金属層２６０の厚みよりも大きくすることによって、バスバー２全体の線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数にさらに近づけることができる。その結果、ドレイン端子６３とバスバー２の接合部分に熱応力がさらに発生しにくくなり、当該接合部分の信頼性がさらに向上する。同様に、下層金属層３５０の厚みを上層金属層３６０の厚みよりも大きくすることによって、バスバー３全体の線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数にさらに近づけることができる。その結果、アノード端子７２及び７３とバスバー３の接合部分の信頼性がさらに向上する。

また、本例では、バスバー２、バスバー３及び絶縁部材４が一体成形されていることから、バスバー２、バスバー３及び絶縁部材４を一体化するための部材が不要となる。これにより、回路構成体１Ａの構成を簡素化することができる。

また、本例では、導電性の突起部３０２ａが、バスバー３から配線基板５の貫通孔５２ａ内に突出している。このため、配線基板５上のソース端子６２を、貫通孔５２ａ内の突起部３０２ａに電気的に接続することによって、ソース端子６２をバスバー３と電気的に簡単に接続することができる。

また、本例では、導電性の突起部３０２ｂが、バスバー３から配線基板５の貫通孔５２ｂ内に突出している。このため、配線基板５上のアノード端子７２及び７３を、貫通孔５２ｂ内の突起部３０２ｂに電気的に接続することによって、アノード端子７２及び７３をバスバー３と電気的に簡単に接続することができる。

また、本例では、突起部３０２はバスバー３の一部で構成されていることから、ソース端子６２とバスバー３との間の電気抵抗を低減することができるとともに、アノード端子７２及び７３とバスバー３との間の電気抵抗を低減することができる。

また、本例では、図２及び図５等に示されるように、アノード端子７２及び７３は突起部３０２ｂに接合されていることから、アノード端子７２及び７３とバスバー３との間の電気抵抗を低減することができる。

また、本例では、ソース端子６２が接合されたランド５３２から拡張されて貫通孔５２ａの周囲に位置する拡張領域５３３と、当該貫通孔５２ａ内の突起部３０２ａの上面とに接合された導電片９が設けられている。この導電片９によって、ソース端子６２とバスバー３との間の電気抵抗を低減することができる。また、ＭＯＳＦＥＴ６で発生した熱を導電片９によってバスバー３に伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。

また、本例では、拡張領域５３３が貫通孔５２ａの周囲を取り囲み、導電片９が貫通孔５２ａの開口縁を覆っている。これにより、拡張領域５３３及び突起部３０２ａと導電片９との接合面積を大きくすることができる。その結果、ソース端子６２とバスバー３との間の電気抵抗をさらに低減することができる。

また、本例では、配線基板５は、バスバー３の上面において、バスバー２の上面よりも低い基板載置領域３０１上に位置することから、配線基板５とバスバー２との段差を小さくすることができる。よって、ＭＯＳＦＥＴ６及びツェナーダイオード７を、配線基板５とバスバー２に跨って設けやすくなる。

また、本例では、ＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１及びソース端子６２は、配線基板５上で絶縁されていることから、ゲート端子６１及びソース端子６２の間隔が小さくなったとしても、ゲート端子６１及びソース端子６２を適切に絶縁することができる。よって、パッケージ６０として、端子間隔が狭い狭ピッチのパッケージを採用することができる。

なお、配線基板５の線膨張係数は、上層金属層２６０及び３６０の線膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃）よりも絶縁部材４の線膨張係数（例えば４０ｐｐｍ／℃）に近くてもよい。例えば、配線基板５の線膨張係数は１８ｐｐｍ／℃以上であってもよい。また、配線基板５の線膨張係数は、下層金属層２５０及び３５０の線膨張係数（例えば２４ｐｐｍ／℃）よりも絶縁部材４の線膨張係数（例えば４０ｐｐｍ／℃）に近くてもよい。例えば、配線基板５の線膨張係数は２５ｐｐｍ／℃以上であってもよい。これにより、配線基板５と、ゲート端子６１及びソース端子６２との接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。

また、バスバー２の入力端子部２１に、バッテリから延びる配線部材の接続端子を接続する場合には、配線部材の接続端子を上層金属層２６０に接触させてもよい。上層金属層２６０の導電率は、下層金属層２５０の導電率よりも大きい。配線部材の接続端子を上層金属層２６０に接触させることによって、入力端子部２１とバッテリとの間の電気抵抗を低減することができる。

また、バスバー３の出力端子部３１に、電装部品から延びる配線部材の接続端子を接続する場合には、配線部材の接続端子を上層金属層３６０に接触させてもよい。上層金属層３６０の導電率は、下層金属層３５０の導電率よりも大きい。配線部材の接続端子を上層金属層３６０に接触させることによって、出力端子部３１と電装部品との間の電気抵抗を低減することができる。

［実施形態２］
図１７は本実施形態に係る回路構成体１Ｂの一例を示す概略斜視図である。図１８は回路構成体１Ｂの一例を示す概略平面図である。図１９は、図１８の矢視Ｄ−Ｄの断面構造の一例を示す概略図である。図２０は、図１８の矢視Ｅ−Ｅの断面構図の一例を示す概略図である。図２１は、図１８の矢視Ｆ−Ｆの断面構図の一例を示す概略図である。図２２は、回路構成体１Ｂが備える入力側バスバー１２、出力側バスバー１３及び中継バスバー１６の一例を示す概略斜視図である。以下では、回路構成体１Ｂの構造について、上述の回路構成体１Ａとの相違点を中心に説明する。

＜回路構成体の概略説明＞
回路構成体１Ｂは、入力側バスバー１２（単にバスバー１２ともいう）と、出力側バスバー１３（単にバスバー１３ともいう）と、中継バスバー１６（単にバスバー１６ともいう）と、配線基板１５とを備える。バスバー１２，１３，１６は導電部材である。回路構成体１Ｂは、さらに、上述のＭＯＳＦＥＴ６、ツェナーダイオード７、コネクタ８及び導電片９を備える。本例では、回路構成体１Ｂは、例えば、８個のＭＯＳＦＥＴ６と、２個のツェナーダイオード７と、２個のコネクタ８と、４個の導電片９とを備える。なお、回路構成体１Ｂが備えるＭＯＳＦＥＴ６、ツェナーダイオード７、コネクタ８及び導電片９の数はこの限りではない。

８個のＭＯＳＦＥＴ６のうちの４個のＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３と、２個のツェナーダイオード７の一方のツェナーダイオード７のカソード端子７１は、入力側バスバー１２に電気的に接続されている。これにより、４個のＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３と、一方のツェナーダイオード７のカソード端子７１とが互いに電気的に接続されている。

８個のＭＯＳＦＥＴ６のうちの残りの４個のＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３と、２個のツェナーダイオード７の他方のツェナーダイオード７のカソード端子７１は、出力側バスバー１３に電気的に接続されている。これにより、残りの４個のＭＯＳＦＥＴ６のドレイン端子６３と、他方のツェナーダイオード７のカソード端子７１とが互いに電気的に接続されている。

８個のＭＯＳＦＥＴ６の各ソース端子６２と、２個のツェナーダイオード７のアノード端子７２及び７３は、中継バスバー１６に電気的に接続されている。これにより、８個のＭＯＳＦＥＴ６の各ソース端子６２と、２個のツェナーダイオード７のアノード端子７２及び７３は、互いに電気的に接続されている。

以後、バスバー１２に電気的に接続されたドレイン端子６３を備えるＭＯＳＦＥＴ６をＭＯＳＦＥＴ６ａと呼ぶことがある。また、バスバー１３に電気的に接続されたドレイン端子６３を備えるＭＯＳＦＥＴ６をＭＯＳＦＥＴ６ｂと呼ぶことがある。また、バスバー１２に電気的に接続されたカソード端子７１を備えるツェナーダイオード７をツェナーダイオード７ａと呼ぶことがある。また、バスバー１３に電気的に接続されたカソード端子７１を備えるツェナーダイオード７をツェナーダイオード７ｂと呼ぶことがある。

入力側バスバー１２は、上述の回路構成体１Ａのバスバー２の形状を変更したものである。バスバー１２は、例えば一方向に長い板状金属部材である。バスバー１２の上面及び下面は例えば平坦である。バスバー１２は、例えば、本体部１２０及び入力端子部１２１を備える。本体部１２０は、例えば、長方形の板状部分である。本体部１２０には、ＭＯＳＦＥＴ６ａのドレイン端子６３と、ツェナーダイオード７ａのカソード端子７１が電気的に接続されている。入力端子部１２１は、本体部１２０の長手方向の一端から突出する。入力端子部１２１は、その厚み方向に貫通する貫通孔１２１０を有する。入力端子部１２１には、例えば、バッテリから延びる配線部材が、貫通孔１２１０が利用されて接続される。入力端子部１２１には、配線部材を通じてバッテリの出力電圧が与えられる。入力端子部１２１に与えられたバッテリの出力電圧は、本体部１２０を通じて各ＭＯＳＦＥＴ６ａのドレイン端子に与えられる。

出力側バスバー１３は、回路構成体１Ａのバスバー３の形状を変更したものである。バスバー１３は、バスバー１２と同様に、一方向に長い板状金属部材である。バスバー１３は、バスバー１２をその長手方向を対称軸として反転させた形状を有する。バスバー１３は、例えば、本体部１３０及び出力端子部１３１を備える。本体部１３０は、例えば、長方形の板状部分である。本体部１３０には、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのドレイン端子６３と、ツェナーダイオード７ｂのカソード端子７１が電気的に接続されている。出力端子部１３１は、本体部１３０の長手方向の一端から突出する。出力端子部１３１は、その厚み方向に貫通する貫通孔１３１０を有する。出力端子部１３１には、例えば、電装部品から延びる配線部材が、貫通孔１３１０が利用されて接続される。出力端子部１３１には、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのドレイン端子から出力される電圧が与えられる。出力端子部１３１に与えられた電圧は、配線部材を通じて電装部品に対して例えば電源として与えられる。

図２２に示されるように、中継バスバー１６は、例えば、長方形の板状金属部材である。バスバー１２，１３，１６は、例えば同一平面上に位置する。バスバー１２及び１３は、それらの長手方向が互いに平行となるように隙間を空けて対向配置されている。バスバー１６は、その長手方向が、バスバー１２及び１３の長手方向と平行となるように、バスバー１２及び１３の間に位置する。バスバー１６は、バスバー１２の本体部１２０とバスバー１３の本体部１３０との間に位置する。バスバー１６には、８個のＭＯＳＦＥＴ６のソース端子６２と２個のツェナーダイオード７のアノード端子７２及び７３とが電気的に接続されている。

絶縁部材１４は、回路構成体１Ａの絶縁部材４の形状を変更したものである。絶縁部材１４は、バスバー１２，１３，１６を互いに電気的に絶縁しつつ、当該バスバー１２，１３，１６を保持する。絶縁部材１４は、例えば、バスバー１２，１３，１６と一体成形されている。絶縁部材１４は、例えばインサート成形によって、バスバー１２，１３，１６と一体成形されている。

図２３は、バスバー１２，１３，１６及び絶縁部材１４が一体成形された一体成型品と配線基板１５の一例を示す概略斜視図である。図２３には、バスバー１６に搭載される配線基板１５が、バスバー１６から引き離されて示されている。

図１７，２３等に示されるように、絶縁部材１４は、例えば、枠状の絶縁部分１４１を備える。枠状の絶縁部分１４１は、本体部１２０と、本体部１３０と、それらの間のバスバー１３の周囲を取り囲んでいる。絶縁部材１４は、絶縁部分１４１以外にも、バスバー１２及び１６の間に位置する絶縁部分１４２と、バスバー１３及び１６の間に位置する絶縁部分１４３とを備える。バスバー１２及び１６は、絶縁部分１４２によって電気絶縁されている。バスバー１３及び１６は、絶縁部分１４３によって電気絶縁されている。

配線基板１５は、回路構成体１Ａの配線基板５の形状を変更したものである。配線基板１５は、バスバー１６上に設けられている。配線基板１５は、配線基板５と同様に、例えば、絶縁基板５０と、当該絶縁基板５０に設けられた導電層５１とを有する。

２個のコネクタ８は、配線基板５上に設けられている。２個のコネクタ８は、複数のＭＯＳＦＥＴ６ａのゲート端子６１が、配線基板５の導電層５１を通じて電気的に接続されているコネクタ８ａと、複数のＭＯＳＦＥＴ６ｂのゲート端子６１が導電層５１を通じて電気的に接続されているコネクタ８ｂとを備える。各ＭＯＳＦＥＴ６ａは、コネクタ８ａを通じて外部からスイッチング制御される。各ＭＯＳＦＥＴ６ｂは、コネクタ８ｂを通じて外部からスイッチング制御される。

本例では、１個のＭＯＳＦＥＴ６ａと１個のＭＯＳＦＥＴ６ｂとが互いに対向するように配置されている。そして、互いに対向配置されたＭＯＳＦＥＴ６ａ及び６ｂがＦＥＴ対を構成している。回路構成体１Ｂは、４個のＦＥＴ対を備えている。４個の導電片９は、４個のＦＥＴ対にそれぞれ対応して設けられている。各導電片９は、それに対応するＦＥＴ対を構成するＭＯＳＦＥＴ６ａ及び６ｂのソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗を低減するために設けられている。

＜回路構成体の詳細説明＞
＜バスバーの構成例＞
バスバー１２，１３のそれぞれは、例えばクラッド材で構成されている。バスバー１２は、バスバー２と同様に、下層金属層２５０と上層金属層２６０を備える。バスバー１３は、バスバー３と同様に、下層金属層３５０と上層金属層３６０を備える。本例においても、金属層２５０の厚みは、例えば、金属層２６０の厚みよりも大きく設定されている。例えば、金属層２５０の厚みは３ｍｍに設定され、金属層２６０の厚みは２ｍｍに設定されてもよい。また、金属層３５０の厚みは、例えば、金属層３６０の厚みよりも大きく設定されている。例えば、金属層３５０の厚みは３ｍｍに設定され、金属層３６０の厚みは２ｍｍに設定されてもよい。

バスバー１６は、バスバー１２及び１３と同様に、例えばクラッド材で構成されている。本例では、バスバー１６は、例えば２層で構成されている。図１９〜２２に示されるように、バスバー１６は、下面側の金属層６５０（下層金属層６５０ともいう）と、上面側の金属層６６０（上層金属層６６０ともいう）とを備える。金属層６５０及び６６０は、例えば、組立圧延法、鋳込圧延法、爆発圧着法、肉盛溶接法あるいは拡散溶接法などで、互いに接合されている。金属層６５０と金属層６６０の境界面は、例えば拡散接合されている。

バスバー１６は、例えば、銅とアルミニウムのクラッド材で構成されている。本例では、下層金属層６５０は、例えばアルミニウム層であって、上層金属層６６０は、例えば銅層である。下層金属層６５０は、例えば純アルミニウムで構成される。この純アルミニウムは、例えば、ＪＩＳで定められるＡ１０５０の純アルミニウムが採用される。上層金属層６６０は、例えば無酸素銅で構成されている。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。

金属層６５０の線膨張係数は、例えば、金属層６６０の線膨張係数より、絶縁部材１４の線膨張係数に近くなっている。本例では、純アルミニウムで構成された金属層６５０の線膨張係数は、例えば２４ｐｐｍ／℃である。無酸素銅で構成された金属層６６０の線膨張係数は、例えば１７ｐｐｍ／℃である。

バスバー１６の上面は、全体的に、バスバー１２及び１３の上面よりも少し低くなっている。バスバー１６の上面は、バスバー１２及び１３の上面よりも、例えば、配線基板１５の厚みの分だけ低くなっている。バスバー１６の上面の外形は、配線基板１５の外形とほぼ同一である。

バスバー１６の上面には、複数の導電性の突起部１６０が設けられている。複数の突起部１６０は、例えば、バスバー１６の一部で構成されている。具体的には、複数の突起部１６０は、例えば、上層金属層６６０の一部で構成されている。本例では、突起部１６０は、上層金属層６６０の一部であることから、例えば銅で構成されている。

複数の突起部１６０は、バスバー１６の長手方向に沿って一列に並んでいる。各突起部１６０は、例えば円板状を成している。バスバー１６上に配線基板１５が載置される場合には、複数の突起部１６０は、配線基板１５に設けられた後述の複数の貫通孔１５２にそれぞれ挿入される。

複数の突起部１６０には、４個のＦＥＴ対にそれぞれ対応する４個の突起部１６０ｃが含まれる。また、複数の突起部１６０には、ツェナーダイオード７ａに対応する２個の突起部１６０ａが含まれる。また、複数の突起部１６０には、ツェナーダイオード７ｂに対応する２個の突起部１６０ｂが含まれる。２個の突起部１６０ａは、複数の突起部１６０が成す列の一方端に設けられ、２個の突起部１６０ｂは、当該列の他方端に設けられている、４個の突起部１６０ｃは、２個の突起部１６０ａと、２個の突起部１６０ｂとの間に位置する。

金属層６５０の厚みは、例えば、金属層６６０の厚みよりも大きく設定されている。例えば、金属層６５０の厚みは３ｍｍに設定され、金属層６６０における、突起部１６０が存在する部分の厚みは２ｍｍに設定されてもよい。金属層６６０の導電率は、金属層６５０の導電率よりも大きい。

＜配線基板の構成例＞
図２３等に示されるように、配線基板１５は、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔１５２を備えている。複数の貫通孔１５２は、配線基板１５の長手方向に沿って一列に並んでいる。複数の貫通孔１５２は、４個のＦＥＴ対にそれぞれ対応する複数の貫通孔１５２ｃを含む。また、複数の貫通孔１５２は、ツェナーダイオード７ａに対応する２個の貫通孔１５２ａと、ツェナーダイオード７ｂに対応する２個の貫通孔１５２ｂとを含む。２個の貫通孔１５２ａは、複数の貫通孔１５２が構成する列の一方端に位置し、２個の貫通孔１５２ｂは、当該列の他方端に位置する。４個の貫通孔１５２ｃは、２個の貫通孔１５２ａと、２個の貫通孔１５２ｂとの間に位置する。

貫通孔１５２ｃの近くには、それに対応するＦＥＴ対が配置される。２個の貫通孔１５２ａの近くにはツェナーダイオード７ａが配置される。２個の貫通孔１５２ｂの近くにはツェナーダイオード７ｂが配置される。

配線基板１５の導電層５１は、４個のＦＥＴ対にそれぞれ対応する４個の導電領域１５５を含む。また、配線基板１５の導電層５１は、コネクタ８ａ及び８ｂにそれぞれ対応する２個の上述の導電領域５４を含む。以後、コネクタ８ａに対応する導電領域５４を導電領域５４ａと呼び、コネクタ８ｂに対応する導電領域５４を導電領域５４ｂと呼ぶことがある。なお、図１９〜２１では、導電層５１の図示が省略されている。

導電領域１５５は、それに対応するＦＥＴ対を構成するＭＯＳＦＥＴ６ａ及び６ｂのゲート端子６１がそれぞれ接合されるランド１５６ａ及び１５６ｂを有する。また、導電領域１５５は、それに対応するＦＥＴ対が備えるＭＯＳＦＥＴ６ａの複数のソース端子６２がそれぞれ接合される複数のランド１５７ａを含む。また、導電領域１５５は、それに対応するＦＥＴ対が備えるＭＯＳＦＥＴ６ｂの複数のソース端子６２がそれぞれ接合される複数のランド１５７ｂを含む。また、導電領域１５５は、複数のランド１５７ａ及び複数のランド１５７ｂから拡張された拡張領域１５８を含む。複数のランド１５７ａと、複数のランド１５７ｂとは、拡張領域１５８によって接続されていると言える。

ＦＥＴ対に対応する導電領域１５５に含まれる拡張領域１５８は、当該ＦＥＴ対に対応する貫通孔１５２ｃの周囲に位置する。拡張領域１５８は、貫通孔１５２ｃを取り囲むように設けられている。貫通孔１５２ｃは拡張領域１５８に設けられているとも言える。ランド１５７ａ及び１５７ｂは、拡張領域１５８から突出する凸部であるとも言える。

本例では、貫通孔１５２ｃは、例えば、その内周面に導電領域が形成されたスルーホールである。一方で、貫通孔１５２ａ及び１５２ｂは、例えば、スルーホールではなく、その内周面に導電領域が形成されていない。貫通孔１５２ｃの内周面の導電領域は、例えば、金属で構成されている。貫通孔１５２ｃの内周面の導電領域は、導電層５１と同じ材料で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。貫通孔１５２ｃの内周面の導電領域は、当該貫通孔１５２ｃの周囲の拡張領域１５８と繋がっている。なお、貫通孔１５２ｃの内周面には導電領域が形成されてなくてもよい。また、貫通孔１５２ａ及び１５２ｂは、その内周面に導電領域が形成されたスルーホールであってもよい。

導電領域５４ａ及び５４ｂは、複数の貫通孔１５２の外側に位置する。導電領域５４ａ及び５４ｂは、配線基板１５の長手方向の両端部にそれぞれ位置する。導電領域５４ａが備える２個のランド５４２は、コネクタ８ａの裏面の固定用の２個の金属領域に、例えばはんだでそれぞれ接合されている。導電領域５４ａが備える４個のランド５４１は、コネクタ８ａが備える４個の接続端子８１に、例えばはんだでそれぞれ接合されている。導電領域５４ｂが備える２個のランド５４２は、コネクタ８ｂの裏面の２個の金属領域に、例えばはんだでそれぞれ接合されている。導電領域５４ｂが備える４個のランド５４１は、コネクタ８ｂが備える４個の接続端子８１に、例えばはんだでそれぞれ接合されている。

配線基板１５の導電層５１には、配線領域も含まれる。配線領域には、複数のＭＯＳＦＥＴ６ａのゲート端子６１にそれぞれ電気的に接続される複数の第１配線を備える。複数の第１配線の一端は、複数のＭＯＳＦＥＴ６ａのゲート端子６１が接合される複数のランド１５６ａにそれぞれ繋がっている。複数の第１配線の他端は、コネクタ８ａの複数の接続端子８１が接合される複数のランド５４１にそれぞれ繋がっている。ＭＯＳＦＥＴ６ａのゲート端子６１は、第１配線を通じて、コネクタ８ａの接続端子８１に電気的に接続されている。また、配線領域には、複数のＭＯＳＦＥＴ６ｂのゲート端子６１にそれぞれ電気的に接続される複数の第２配線を備える。複数の第２配線の一端は、複数のランド１５６ｂにそれぞれ繋がっている。複数の第２配線の他端は、コネクタ８ｂの複数の接続端子８１が接合される複数のランド５４１にそれぞれ繋がっている。ＭＯＳＦＥＴ６ｂのゲート端子６１は、第２配線を通じて、コネクタ８ｂの接続端子８１に電気的に接続されている。

以上のような構成を有する配線基板１５は、バスバー１６の上面上に載置される。図２４は、バスバー１６上に配線基板１５が載置された様子の一例を示す図である。

配線基板１５がバスバー１６上に載置されるとき、複数の突起部１６０ｃが複数の貫通孔１５２ｃにそれぞれ挿入され、複数の突起部１６０ａが複数の貫通孔１５２ａにそれぞれ挿入され、複数の突起部１６０ｂが複数の貫通孔１５２ｂにそれぞれ挿入される。突起部１６０の直径は、貫通孔１５２の直径よりも若干小さく設定されている。

配線基板１５は、バスバー１６上だけではなく、バスバー１２及び１６の間に位置する絶縁部分１４２上と、バスバー１３及び１６の間に位置する絶縁部分１４３上にも位置する。配線基板１５は、バスバー１２の本体部１２０及びバスバー１３の本体部１３０に隣接している。絶縁部分１４２及び１４３の上端面は、図１９〜２１に示されるように、例えば、下層金属層２５０，３５０，６５０の上面と面一となっている。バスバー１６上の配線基板１５の絶縁基板５０の上面は、バスバー１２及び１３の上面と面一となっている。なお、絶縁基板５０上の導電層５１の上面が、バスバー１２及び１３の上面と同一平面上に位置してもよい。

配線基板１５は、例えば、接合材によってバスバー１６に固定される。接合材としては、例えば両面粘着テープが採用される。接合材としては、他の部材が採用されてもよい。また、配線基板１５は、バスバー１６に置かれるだけで固定されなくてもよい。

貫通孔１５２内の突起部１６０の上面は、例えば、配線基板１５の絶縁基板５０上の導電層５１の上面と同一平面上に位置する。この場合、貫通孔１５２ｃ内の突起部１６０ｃの上面は、当該貫通孔１５２ｃの周囲の拡張領域１５８の上面と面一になる。なお、突起部１６０の上面は、配線基板１５の絶縁基板５０の上面と同一平面上に位置してもよい。

＜導電片について＞
複数の導電片９は、配線基板１５の上面から露出する複数の突起部１６０ｃにそれぞれ接合されている。また、複数の導電片９は、配線基板１５の複数の拡張領域１５８にそれぞれ接合されている。導電片９は、配線基板１５の貫通孔１５２ｃ内の突起部１６０ｃの上面と、当該貫通孔１５２ｃの周縁部とを覆うように配線基板１５上に設けられている。導電片９は貫通孔１５２ｃの開口縁（詳細には配線基板１５の上面側の開口縁）を覆っている。導電片９は、貫通孔１５２ｃ内の突起部１６０ｃの上面と、当該貫通孔１５２ｃの周囲の拡張領域１５８とに対して、上述の導電性接合材１１５で接合されている（図２０参照）。導電性接合材１１５は、突起部１６０ｃ及び拡張領域１５８と導電片９との間に位置する部分を含む。

なお、導電性接合材１１５は、貫通孔１５２ｃ内に入り込んでもよい。この場合、スルーホールである貫通孔１５２ｃの内周面の導電領域と、当該貫通孔１５２ｃ内の突起部１６０ｃとが導電性接合材１１５で接合されてもよい。

＜電子部品の実装例＞
各ＭＯＳＦＥＴ６ａは、バスバー１２と、バスバー１６上の配線基板１５との両方に跨って実装されている。図１９及び２０に示されるように、バスバー１２とバスバー１６との間には絶縁部分１４２が位置する。ＭＯＳＦＥＴ６ａは、絶縁部分１４２を跨ぐようにバスバー１２及び１６の上に設けられている。

各ＭＯＳＦＥＴ６ｂは、バスバー１３と、バスバー１６上の配線基板１５との両方に跨って実装されている。図１９及び２０に示されるように、バスバー１３とバスバー１６との間には絶縁部分１４３が位置する。ＭＯＳＦＥＴ６ｂは、絶縁部分１４３を跨ぐようにバスバー１３及び１６の上に設けられている。

ＭＯＳＦＥＴ６ａのドレイン端子６３は、バスバー１２の上面に対して、上記と同様に導電性接合材１０３で接合されている。バスバー１２の入力端子部１２１に与えられる電圧は、バスバー１２に接合された、ＭＯＳＦＥＴ６ａのドレイン端子６３に与えられる。

ＭＯＳＦＥＴ６ｂのドレイン端子６３は、バスバー１３の上面に対して、上記と同様に導電性接合材１０３で接合されている。ＭＯＳＦＥＴ６ｂのドレイン端子６３の出力電圧は、バスバー１３の出力端子部１３１から外部に出力される。

ＦＥＴ対を構成するＭＯＳＦＥＴ６ａ及び６ｂのゲート端子６１は、当該ＦＥＴ対に対応する導電領域１５５に含まれるランド１５６ａ及び１５６ｂに対して、上記と同様に導電性接合材１０１でそれぞれ接合されている。ＭＯＳＦＥＴ６ａのゲート端子６１は、ランド１５６ａと、導電層５１に含まれる配線領域と、ランド５４１を通じて、コネクタ８ａの接続端子８１に電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ６ｂのゲート端子６１は、ランド１５６ｂと、導電層５１に含まれる配線領域と、ランド５４１を通じて、コネクタ８ｂの接続端子８１に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ６ａは、コネクタ８ａを通じて外部からスイッチング制御される。各ＭＯＳＦＥＴ６ｂは、コネクタ８ｂを通じて外部からスイッチング制御される。

ＦＥＴ対の一方のＭＯＳＦＥＴ６ａの複数のソース端子６２は、当該ＦＥＴ対に対応する導電領域１５５に含まれる複数のランド１５７ａに対して、上記と同様に導電性接合材１０２でそれぞれ接合されている。ＦＥＴ対の他方のＭＯＳＦＥＴ６ｂの複数のソース端子６２は、当該ＦＥＴ対に対応する導電領域１５５に含まれる複数のランド１５７ｂに対して、導電性接合材１０２でそれぞれ接合されている。ＭＯＳＦＥＴ６ａのソース端子６２は、ランド１５７ａと、当該ランド１５７ａに繋がる拡張領域１５８と、当該拡張領域１５８に接合された導電片９と、当該導電片９が接合された導電性の突起部１６０ｃとを通じて、出力側バスバー１３に電気的に接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのソース端子６２は、ランド１５７ｂと、当該ランド１５７ｂに繋がる拡張領域１５８と、当該拡張領域１５８に接合された導電片９と、当該導電片９が接合された導電性の突起部１６０ｃとを通じて、出力側バスバー１３に電気的に接続されている。導電片９は、ソース端子６２と突起部１６０ｃとを電気的に接続する中継端子として機能する。

ツェナーダイオード７ａは、ＭＯＳＦＥＴ６ａと同様に、バスバー１２と、バスバー１６上の配線基板１５との両方に跨って実装されている。バスバー１２とバスバー１６との間には絶縁部分１４２が位置する。図２１に示されるように、ツェナーダイオード７ａは、絶縁部分１４２を跨ぐようにバスバー１２及び１６の上に設けられている。

ツェナーダイオード７ｂは、ＭＯＳＦＥＴ６ｂと同様に、バスバー１３と、バスバー１６上の配線基板１５との両方に跨って実装されている。バスバー１３とバスバー１６との間には絶縁部分１４３が位置する。ツェナーダイオード７ｂは、絶縁部分１４３を跨ぐようにバスバー１３及び１６の上に設けられている。

ツェナーダイオード７ａのカソード端子７１は、バスバー１２の上面に対して、上記と同様に導電性接合材１１１で接合されている。ＭＯＳＦＥＴ６ａのカソード端子７１は、バスバー１２を通じてＭＯＳＦＥＴ６ａのドレイン端子６３と電気的に接続されている。

ツェナーダイオード７ｂのカソード端子７１は、バスバー１３の上面に対して、上記と同様に導電性接合材１１１で接合されている。ＭＯＳＦＥＴ６ｂのカソード端子７１は、バスバー１３を通じてＭＯＳＦＥＴ６ｂのドレイン端子６３と電気的に接続されている。

ツェナーダイオード７ａのアノード端子７２は、配線基板１５が備える２個の貫通孔１５２ａのうちの一方の貫通孔１５２ａ内の突起部１６０ａに対して、上記と同様にして接合されている。ツェナーダイオード７ａのアノード端子７３は、２個の貫通孔１５２ａのうちの他方の貫通孔１５２ａ内の突起部１６０ａに対して、上記と同様にして導電性接合材１１２で接合されている。ツェナーダイオード７ａのアノード端子７２は、突起部１６０ａ及びバスバー１６を通じて、ＭＯＳＦＥＴ６ａのソース端子６２に電気的に接続されている。

ツェナーダイオード７ｂのアノード端子７２は、配線基板１５が備える２個の貫通孔１５２ｂのうちの一方の貫通孔１５２ｂ内の突起部１６０ｂに対して、上記と同様にして接合されている。ツェナーダイオード７ｂのアノード端子７３は、２個の貫通孔１５２ｂのうちの他方の貫通孔１５２ｂ内の突起部１６０ｂに対して、上記と同様にして導電性接合材１１２で接合されている。ツェナーダイオード７ｂのアノード端子７２は、突起部１６０ｂ及びバスバー１６を通じて、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのソース端子６２に電気的に接続されている。

本例では、突起部１６０ａ及び１６０ｂは、バスバー１６の一部で構成されていることから、アノード端子７２及び７３は、バスバー１６の上面に接合されていると言える。

＜回路構成体の製造方法の一例＞
以上のような構成を備える回路構成体１Ｂを製造する場合には、まず、バスバー１２，１３，１６を作製するための３個の上述のクラッド材１０（図１０参照）が準備される。

次に、３個のクラッド材１０に対して冷間圧造あるいは切削加工等が行われて、図２５に示されるように、バスバー１２，１３，１６が作製される。

次に、インサート成形用金型内にバスバー１２，１３，１６が配置される。そして、ＰＰＳ等の耐熱性に優れた熱可塑性樹脂が射出成形機からインサート成形用金型に射出されて、バスバー１２，１３，１６と樹脂とが一体成形される。これにより、バスバー１２，１３，１６と絶縁部材１４とが一体成形された一体成形品が得られる。

次に、作製された一体成形品が備えるバスバー１６の上面に対して配線基板１５が両面粘着テープ等の接合材によって固定される。これにより、上述の図２４に示される構造が得られる。

次に、図２６に示されるように、バスバー１２、バスバー１３、バスバー１６及び配線基板１５の上面の所定領域にはんだペースト６１１が塗布される。図２６では、はんだペースト６１１が斜線で示されている。そして、はんだペースト６１１が塗布された領域に対して、複数のＭＯＳＦＥＴ６、複数のツェナーダイオード７、複数のコネクタ８及び複数の導電片９がリフロー方式ではんだ付けされる。これにより、上述の図１７及び１８等に示される回路構成体１Ｂが完成する。

その後、図２７に示されるように、バスバー１２，１３及び１６の裏面に対して、放熱シート等の熱伝導部材を介してヒートシンク９７０が取り付けられる。そして、バスバー１２及び１３に対して、配線基板１５、複数のＭＯＳＦＥＴ６、複数のツェナーダイオード７、複数のコネクタ８及び複数の導電片９を覆うケース９８０が取り付けられる。これにより、電気接続箱９９０が完成する。

以上のように、本例では、バスバー１２及び１３がクラッド材で構成されていることから、ドレイン端子６３をバスバー１２及び１３に接合し易くするともに、バスバー１２及び１３全体の線膨張係数を絶縁部材１４の線膨張係数に近づけることができる。これにより、ドレイン端子６３をバスバー１２及び１３に接合し易くするともに、ドレイン端子６３とバスバー１２及び１３の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。また、ＭＯＳＦＥＴ６で発熱した熱を直接バスバー１２及び１３に伝えることができるため、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。同様に、カソード端子７１をバスバー１２及び１３に接合し易くするともに、カソード端子７１とバスバー１２及び１３の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。

また、本例では、バスバー１６がクラッド材で構成されていることから、ツェナーダイオード７のアノード端子７２及び７３をバスバー１６（詳細には突起部１６０ａ及び１６０ｂ）に接合し易くするともに、バスバー１６全体の線膨張係数を絶縁部材１４の線膨張係数に近づけることができる。これにより、アノード端子７２及び７３をバスバー１６に接合し易くするともに、アノード端子７２及び７３とバスバー１６の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。

また、本例では、上述のバスバー２及び３と同様に、クラッド材から成るバスバー１２，１３，１６を、複数の金属層を積層することによって簡単に作製することができる。また、金属層２６０として金属層２５０よりもドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合が容易な金属層を用いた場合には、金属層２６０に対するドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合を容易にしつつ、バスバー１２全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。また、金属層３６０として金属層３５０よりもドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合が容易な金属層を用いた場合には、金属層３６０に対するドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合を容易にしつつ、バスバー１３全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。

また、本例では、バスバー２及び３と同様に、クラッド材から成るバスバー１２，１３，１６を、アルミニウム及び銅を用いて簡単に作製することができる。また、銅の方がアルミニウムよりもドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合が容易である一方、アルミニウムは銅よりも線膨張係数が絶縁部材４に近い。したがって、金属層２６０に対するドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合を容易にしつつ、バスバー１２全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。また、金属層３６０に対するドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合を容易にしつつ、バスバー１３全体としての線膨張係数を絶縁部材４の線膨張係数に近づけることができる。

また、本例に係るバスバー１２では、金属層２５０の線膨張係数は、金属層２６０の線膨張係数よりも、絶縁部材４の線膨張係数に近いことから、金属層２５０としては、ドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合性を考慮することなく、線膨張係数が絶縁部材４の線膨張係数に近い金属層を採用することができる。同様に、金属層３５０としては、ドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合性を考慮することなく、線膨張係数が絶縁部材４の線膨張係数に近い金属層を採用することができる。

また、本例では、絶縁部材１４の絶縁部分１４２の上端面は、絶縁部材１４の線膨張係数に近い線膨張係数を有する下層金属層２５０の上面と面一である（例えば図１９参照）。これにより、バスバー１２の上層金属層２６０は、周囲温度の変化による絶縁部分１４２の変形の影響を受けにくくなる。その結果、バスバー１２の上層金属層２６０とドレイン端子６３及びカソード端子７１との接合部分に熱応力が発生しにくくなる。したがって、金属層２６０として、絶縁部材４との線膨張係数の差が大きな金属層を用いることができる。

また、本例では、絶縁部材１４の絶縁部分１４３の上端面は、絶縁部材１４の線膨張係数に近い線膨張係数を有する下層金属層３５０の上面と面一である（例えば図１９参照）。これにより、バスバー１３の上層金属層３６０は、周囲温度の変化による絶縁部分１４３の変形の影響を受けにくくなる。その結果、上層金属層３６０とアノード端子７２及び７３の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。したがって、金属層３６０として、絶縁部材４との線膨張係数の差が大きな金属層を用いることができる。

また、本例では、絶縁部分１４２及び絶縁部分１４３の上端面は、下層金属層２５０、下層金属層６５０及び下層金属層３５０の上面と面一であり、下層金属層２５０、下層金属層６５０及び下層金属層３５０は同一種類の金属、例えば、アルミニウムによって構成されている。このため、絶縁部材１４を挟んで下層金属層２５０及び下層金属層６５０の双方の上面に沿う方向（図１９〜図２１の左右方向）の熱応力の分布に対称性が生じて、双方に生ずる熱応力が打ち消しあう。同様に、絶縁部材１４を挟んで下層金属層６５０及び下層金属層３５０の双方の上面に沿う方向（図１９〜図２１の左右方向）の熱応力の分布に対称性が生じて、双方に生ずる熱応力が打ち消しあう。これらの結果、上層金属層２６０とドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合部分（例えば、図１９〜図２１参照）に熱応力が発生しにくくなり、当該各接合部分の信頼性が向上する。同様に、上層金属層６６０上の配線基板１５と、ゲート端子６１及びソース端子６２との接合部分（例えば、図１９、図２０参照）に熱応力が発生しにくくなり、当該各接合部分の信頼性が向上する。同様に、上層金属層６６０とアノード端子７２及び７３の接合部分（例えば、図２１参照）に熱応力が発生しにくくなり、当該各接合部分の信頼性が向上する。

また、本例では、バスバー１２、バスバー１３、バスバー１６及び絶縁部材１４が一体成形されていることから、バスバー１２、バスバー１３、バスバー１６及び絶縁部材１４を一体化するための部材は不要となる。このため、回路構成体１Ｂの構成を簡素化することができる。

また、本例では、導電性の突起部１６０が、バスバー１６から配線基板１５の貫通孔１５２内に突出している。このため、配線基板１５上のソース端子６２を、貫通孔１５２ｃ内の突起部１６０ｃに電気的に接続することによって、ソース端子６２をバスバー１６と電気的に簡単に接続することができる。また、配線基板１５上のアノード端子７２及び７３を、貫通孔１５２内の突起部１６０に電気的に接続することによって、アノード端子７２及び７３をバスバー１６と電気的に簡単に接続することができる。

また、本例では、突起部１６０はバスバー１６の一部で構成されていることから、ソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗を低減することができるとともに、アノード端子７２及び７３とバスバー１６との間の電気抵抗を低減することができる。

また、本例では、アノード端子７２及び７３は突起部１６０に接合されていることから、アノード端子７２及び７３とバスバー１６との間の電気抵抗を低減することができる。

また、本例では、ＭＯＳＦＥＴ６ａのソース端子６２が接合されたランド１５７ａから拡張されて貫通孔１５２ｃの周囲に位置する拡張領域１５８と、当該貫通孔１５２ｃ内の突起部１６０ｃの上面とに接合された導電片９が設けられている。このような導電片９によって、ＭＯＳＦＥＴ６ａのソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗を低減することができる。また、ＭＯＳＦＥＴ６ａで発生した熱を導電片９によってバスバー１６に伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。同様に、導電片９によって、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗を低減することができる。また、ＭＯＳＦＥＴ６ｂで発生した熱を導電片９によってバスバー１６に伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。

また、本例では、拡張領域１５８が貫通孔１５２ｃの周囲を取り囲み、導電片９が貫通孔１５２ｃの開口縁を覆っている。これにより、拡張領域１５８及び突起部１６０ｃと導電片９との接合面積を大きくすることができる。その結果、ソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗をさらに低減することができる。

また、本例では、配線基板１５は、バスバー１６の上面において、バスバー１２及び１３の上面よりも低い領域上に位置することから、配線基板１５とバスバー１２及び１３との段差を小さくすることができる。よって、ＭＯＳＦＥＴ６ａ及びツェナーダイオード７ａを、配線基板１５とバスバー１２に跨って設けやすくなる。また、ＭＯＳＦＥＴ６ｂ及びツェナーダイオード７ｂを、配線基板１５とバスバー１３に跨って設けやすくなる。本例では、バスバー１６の上面の全領域が、バスバー１６の上面において、バスバー１２及び１３の上面よりも低い領域となっている。

また、本例では、導電片９が接合される拡張領域１５８は、ＭＯＳＦＥＴ６ａのソース端子６２が接合されるランド１５７ａと、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのソース端子６２が接合されるランド１５７ｂの両方から拡張されて、貫通孔１５２ｃの周囲に位置することから、拡張領域１５８をＭＯＳＦＥＴ６ａ及び６ｂで共用することができる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ６ａのソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗と、ＭＯＳＦＥＴ６ｂのソース端子６２とバスバー１６との間の電気抵抗とを簡単な構成で低減することができる。

なお、配線基板１５の線膨張係数は、上層金属層２６０，３６０，６６０の線膨張係数（例えば１７ｐｐｍ／℃）よりも絶縁部材１４の線膨張係数（例えば４０ｐｐｍ／℃）に近くもよい。例えば、配線基板１５の線膨張係数は１８ｐｐｍ／℃以上であってもよい。また、配線基板１５の線膨張係数は、下層金属層２５０，３５０，６５０の線膨張係数（例えば２４ｐｐｍ／℃）よりも絶縁部材１４の線膨張係数に近くてもよい。例えば、配線基板１５の線膨張係数は２５ｐｐｍ／℃以上であってもよい。これにより、配線基板１５とソース端子６２との接合部分に熱応力が発生しにくくなる。その結果、当該接合部分の信頼性が向上する。

また、バッテリから延びる配線部材の接続端子を、バスバー１２の入力端子部１２１の上層金属層２６０に接触させてもよい。上層金属層２６０の導電率は下層金属層２５０の導電率よりも大きいことから、入力端子部２１とバッテリとの間の電気抵抗を低減することができる。また、電装部品から延びる配線部材の接続端子を、バスバー１３の出力端子部１３１の上層金属層３６０に接触させてもよい。上層金属層３６０の導電率は下層金属層３５０の導電率よりも大きいことから、出力端子部３１と電装部品との間の電気抵抗を低減することができる。

＜回路構成体の他の例＞
回路構成体１Ａ及び１Ｂの構造は上記の例に限られない。例えば、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一つは、３層以上の金属層から成るクラッド材で構成されてもよい。この場合、最上層の金属層は、電子部品の接続端子がはんだ等で接合されやすい材料で構成されてもよい。例えば、最上層の金属層は銅層であってもよい。

また、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一つは、金属層の端面と金属層の端面とが接合されたクラッド材で構成されてもよい。例えば、アルミニウム層と銅層とが積層されるのではなく、アルミニウム層の端面と銅層の端面とが拡散接合されたクラッド材が、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一つに採用されてもよい。この場合、銅層に対してＭＯＳＦＥＴ６等の電子部品の接続端子が接合されてもよい。また、３個以上の金属層が同一平面上に一方向に並べられ、隣接する２個の金属層の端面同士が接合されたクラッド材が、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一つに採用されてもよい。

また、突起部３０２は、バスバー３の一部で構成されるのではなく、バスバー３と別体で構成されてもよい。この場合、突起部３０２は、はんだ等の導電性接合材でバスバー３の上面に接合されてもよい。同様に、突起部１６０は、バスバー１６の一部で構成されるのではなく、バスバー１６と別体で構成されてもよい。この場合、突起部１６０は、はんだ等の導電性接合材でバスバー１６の上面に接合されてもよい。

また、回路構成体１Ａは配線基板５を備えなくてもよい。この場合、例えば、絶縁部材４によってバスバー２及び３と電気絶縁された別のバスバーが設けられてもよい。そして、ＭＯＳＦＥＴ６のソース端子６２がバスバー３に接合され、ＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１が別のバスバーに接合されてもよい。

同様に、回路構成体１Ｂは配線基板１５を備えなくてもよい。この場合、例えば、絶縁部材１４によってバスバー１２，１３，１６と電気的に絶縁された別のバスバーが設けられてもよい。そして、ＭＯＳＦＥＴ６のソース端子６２がバスバー１６に接合され、ＭＯＳＦＥＴ６のゲート端子６１が別のバスバーに接合されてもよい。

また、回路構成体１Ａは導電片９を備えなくてもよい。この場合、貫通孔５２内の突起部３０２と、当該貫通孔５２の周囲の拡張領域５３３とがはんだ等で接合されてもよい。同様に、回路構成体１Ｂは導電片９を備えなくてもよい。この場合、貫通孔１５２内の突起部１６０と、当該貫通孔１５２の周囲の拡張領域１５８とがはんだ等で接合されてもよい。

また、回路構成体１Ａでは、図２８に示されるように、絶縁部分４２に含まれる周囲部分４２ａの上端面は、下層金属層２５０及び３５０の上面よりも下側に位置してもよい。この場合であっても、上層金属層２６０は、周囲温度の変化による絶縁部分４２の変形の影響を受けにくくなる。その結果、上層金属層２６０とドレイン端子６３及びカソード端子７１の接合部分に熱応力が発生しにくくなる。

同様に、回路構成体１Ｂでは、図２９に示されるように、絶縁部分１４２の上端面は、下層金属層２５０，３５０，６５０の上面よりも下側に位置してもよい。また、絶縁部分１４３の上端面は、下層金属層２５０，３５０，６５０の上面よりも下側に位置してもよい。

また、上記の例では、バスバー３の本体部３０は、突起部３０２以外の部分に上層金属層３６０を備えているが、突起部３０２以外の部分に上層金属層３６０を備えなくてもよい。つまり、本体部３０では、下層金属層３５０上に複数の突起部３０２だけが設けられてもよい。この場合には、配線基板５は、本体部３０の下層金属層３５０上に固定される。同様に、バスバー１６では、下層金属層６５０上に複数の突起部１６０だけが設けられてもよい。

また、上層金属層２６０，３６０，６６０は、銅以外の、はんだ等でドレイン端子６３等を接合し易い金属材料で構成されてもよい。また、下層金属層２５０，３５０，６５０は、アルミニウム以外の、絶縁部材４の線膨張係数に近い線膨張係数を有する金属材料で構成されてもよい。また、上層金属層２６０，３６０，６６０に対して端子等をはんだ接合しやすくするため、配線部材と入力端子部２１及び１２１との接触抵抗を低減するため、及び配線部材と出力端子部３１及び１３１との接触抵抗を低減するために、上層金属層２６０，３６０，６６０は、その表面に、ニッケルめっきなどの金属めっきを有してもよい。この場合、上層金属層６０，３６０，６６０は、金属めっきが表面に施された銅層であってもよい。

また、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一部の複数のバスバーは、互いに異なるクラッド材で構成されてもよい。また、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一つは、クラッド材でなくてもよい。例えば、バスバー２，３，１２，１３，１６の少なくとも一つは、銅のみで構成されてもよいし、他の種類の金属のみで構成されてもよい。

以上のように、回路構成体は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

１Ａ，１Ｂ 回路構成体
２，１２ 入力側バスバー
３，１３ 出力側バスバー
４，１４ 絶縁部材
５ 配線基板
６，７ 電子部品
７ａ，７ｂ ツェナーダイオード
８，８ａ，８ｂ，９１１，９１２ コネクタ
９ 導電片
１０ クラッド材
１０ａ，１０ｂ，２５０，２６０，３５０，３６０，６５０，６６０ 金属層
１１ はんだペースト
１５ 配線基板
１６ 中継バスバー
２０，３０，６５，７５，１２０，１３０ 本体部
２１，１２１ 入力端子部
３１，１３１ 出力端子部
４１，４２，１４１，１４２，１４３ 絶縁部分
４２ａ 周囲部分
５０ 絶縁基板
５１ 導電層
５２，５２ａ，５２ｂ，３１０，１２１０，１３１０ 貫通孔
５３，５４，５４ａ，５４ｂ，１５５ 導電領域
５５ 配線領域
６０，７０ パッケージ
６１ ゲート端子
６２ ソース端子
６３ ドレイン端子
６３ａ 凸部
７１ カソード端子
７２，７３ アノード端子
８１ 接続端子
１０１，１０２，１０３，１１１，１１２，１１５ 導電性接合材
１５２，１５２ａ，１５２ｂ，１５２ｃ，２１０ 貫通孔
１５６ａ，１５６ｂ，１５７ａ，１５７ｂ，５３１，５３２，５４１，５４２ ランド
１５８，５３３ 拡張領域
１６０，１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，３０２，３０２ａ，３０２ｂ 突起部
２０１ 第１部分
２０２ 第２部分
３０１ 基板載置領域
５５１ 配線
６１１ はんだペースト
９００，９９０ 電気接続箱
９１０ 制御基板
９２０，９７０ ヒートシンク
９３０，９８０ ケース

Claims (8)

1. 第１バスバーと、
   前記第１バスバー上に位置し、貫通孔を有する配線基板と、
   前記第１バスバーから前記貫通孔内に突出する導電性の突起部と、
   第１接続端子を有する第１電子部品と
   を備え、
   前記第１接続端子は、前記貫通孔内の前記突起部と電気的に接続されている、回路構成体。
2. 請求項１に記載の回路構成体であって、
   前記突起部は前記第１バスバーの一部で構成されている、回路構成体。
3. 請求項１又は請求項２に記載の回路構成体であって、
   前記第１接続端子は前記突起部に接合されている、回路構成体。
4. 請求項１又は請求項２に記載の回路構成体であって、
   前記配線基板は、
   前記第１接続端子が接合された第１ランドと、
   前記第１ランドから拡張され、前記貫通孔の周囲に位置する導電性の拡張領域と
   を有し、
   前記貫通孔内の前記突起部の上面と前記拡張領域とに接合された導電片をさらに備える、回路構成体。
5. 請求項４に記載の回路構成体であって、
   前記拡張領域は前記貫通孔の周囲を取り囲み、
   前記導電片は前記貫通孔の開口縁を覆う、回路構成体。
6. 請求項４又は請求項５に記載の回路構成体であって、
   前記配線基板上に位置する第２接続端子を有する第２電子部品をさらに備え、
   前記配線基板は、前記第２接続端子が接合された第２ランドをさらに有し、
   前記拡張領域は、前記第１ランド及び第２ランドから拡張され、前記貫通孔の周囲に位置する、回路構成体。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の回路構成体であって、
   第２バスバーをさらに備え、
   前記第１電子部品は、前記配線基板及び前記第２バスバーに跨って設けられ、
   前記配線基板は、前記第１バスバーの上面において、前記第２バスバーの上面よりも低い領域上に位置する、回路構成体。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の回路構成体であって、
   前記第１バスバーはクラッド材で構成されている、回路構成体。

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