JP6989557B2 - レーザ装置 - Google Patents
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Description
図4は、第1実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図であり、LDモジュールの冷却に関連する部分であるLDモジュール/冷却板アセンブリについては、模式的な構造を示した平面図で表している。
レーザ装置6Aは、LDモジュール/冷却板アセンブリ5の冷却板2の表面に、複数のレーザダイオードモジュール(LDモジュール)1を備えている。複数のLDモジュール1は、冷却板2と熱的に接続して配列されている。駆動電流は、複数のLDモジュール1に直列に供給される。
図9は、第2実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図である。第1実施形態の図4と同様に、LDモジュール1の冷却に関連する部分であるLDモジュール/冷却板アセンブリ5については、模式的な構造を示した平面図で表している。図4と同様に、冷却板2内の冷却液流路3は破線で表している。また、各機能ブロック等間を接続している太い実線の矢印は、通信における信号の出力方向や駆動電流の供給方向等を示しているが、図が煩雑になることを避けるために、レーザ電源8から複数のLDモジュール1への駆動電流の供給を表す矢印は、レーザ電源8から一番端のLDモジュール1までの矢印だけを示し、LDモジュール1間の配線を示す線等の図示を省略している。また、LDモジュール1以降のレーザ光学部品は、各LDモジュール1からレーザ光を取り出すための各LDモジュール1の光ファイバも含めて図示を省略している。
ステップS205では、算出回路21が、2つの温度センサ19a,19bの出力データである温度の時系列データを読み取り、それと同期して、第1加速係数で実効的累積駆動時間を算出する場合は、光出力の時系列データを読み取る(ステップS206)。光出力の時系列データは、制御回路11からの光出力指令を直接読み込んでもよいし、実際のレーザ出力を出力光検出器(図示せず)で計測した結果を用いてもよい。
図12は、第3実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図である。第1実施形態の図4や第2実施形態の図9と同様に、LDモジュール1の冷却に関連する部分であるLDモジュール/冷却板アセンブリ5については、模式的な構造を示した平面図で表している。また、図4や図9と同様に、冷却板2内の冷却液流路3は破線で表しており、各機能ブロック等間を接続している太い実線の矢印は、通信における信号の出力方向や駆動電流の供給方向等を示しているが、図が煩雑なることを避けるために、レーザ電源8から複数のLDモジュール1への駆動電流の供給を表す矢印は、レーザ電源8から一番端のLDモジュール1までの矢印だけを示し、LDモジュール1間の配線を示す線等は省略している。また、LDモジュール1以降のレーザ光学部品は、各LDモジュール1からレーザ光を取り出すための各LDモジュール1の光ファイバも含めて省略している。
図13は、第4実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図である。第2実施形態の図9と同様に、LDモジュール1の冷却に関連する部分であるLDモジュール/冷却板アセンブリ5については、模式的な構造を示した平面図で表している。図9と同様に、冷却板2内の冷却液流路3は破線で表しており、各機能ブロック等間を接続している太い実線の矢印は、通信における信号の出力方向や駆動電流の供給方向等を示しているが、図が煩雑なることを避けるために、レーザ電源8から複数のLDモジュール1への駆動電流の供給を表す矢印は、レーザ電源8から一番端のLDモジュール1までの矢印だけを示し、LDモジュール1間の配線を示す線等は省略している。また、LDモジュール1以降のレーザ光学部品は、各LDモジュール1からレーザ光を取出すための各LDモジュール1の光ファイバも含めて省略している。
従って、
温度加速係数=exp(−Ea/kBTj)/exp(−Ea/kBTjs)
=exp{(1/Tjs−1/Tj)・Ea/kB}
ここで、Tjはpn接合部の温度であり、Tjsは標準駆動条件で熱的平衡に達するまで長時間駆動した時のpn接合部の温度である。
光出力加速係数=(Po/Pos)m
電流加速係数={(Id−Ith)/(Ids−Ith)}n
ここで、PosはLDモジュール1を標準駆動条件で駆動した時の光出力、すなわち標準光出力であり、IdsはLDモジュール1を標準駆動条件で駆動した時の駆動電流、すなわち標準駆動電流であり、IthはLDの閾値電流である。mとnは定数である。
光出力加速係数=(Po/Pos)^(m+atec)
電流加速係数={(Id−Ith)/(Ids−Ith)}^(n+btec)
ここで、tecは実効的累積駆動時間であり、aとbは係数(定数)である。
図15は、第5実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図である。第3実施形態の図12と類似しており、図12と同様に、LDモジュール1の冷却に関連する部分であるLDモジュール/冷却板アセンブリ5については、模式的な構造を示した平面図で表している。また、図12と同様に、冷却板2内の冷却液流路3は破線で表しており、各機能ブロック等間を接続している太い実線の矢印は、通信における信号の出力方向や駆動電流の供給方向等を示しているが、図が煩雑なることを避けるために、レーザ電源8から複数のLDモジュール1への駆動電流の供給を表す矢印は、レーザ電源8から一番端のLDモジュール1までの矢印だけを示し、LDモジュール1間の配線を示す線等は省略している。また、LDモジュール1以降のレーザ光学部品は、各LDモジュール1からレーザ光を取出すための各LDモジュール1の光ファイバも含めて省略している。
図17は、第6実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図である。他の実施形態のレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図と同様に、LDモジュール1の冷却に関連する部分であるLDモジュール/冷却板アセンブリ5については、模式的な構造を示した平面図で表している。また、冷却板2内の冷却液流路3は破線で表しており、各機能ブロック等間を接続している太い実線の矢印は、通信における信号の出力方向や駆動電流の供給方向等を示しているが、図が煩雑なることを避けるために、レーザ電源8から複数のLDモジュール1への駆動電流の供給を表す矢印は、レーザ電源8から一番端のLDモジュール1,1までの矢印だけを示し、LDモジュール1間の配線を示す線等は省略している。また、LDモジュール1以降のレーザ光学部品は、各LDモジュール1からレーザ光を取出すための各LDモジュール1の光ファイバも含めて省略している。
図18は、第7実施形態に係るレーザ装置の概念的な構成を示すブロック図である。レーザ装置6については、以上説明したレーザ装置6のうち、第3記録部29を備えたレーザ装置6E又は6Fのどちらかを使用することができる。各レーザ装置6において、制御回路11以外の機能ブロック等の図示は省略している。冷却液供給装置の図示も省略している。本実施形態のレーザ装置6は、制御回路11が、ネットワーク200を経由して、実効的累積駆動時間と、実光出力あるいは実駆動電流の実効的累積駆動時間依存性と、劣化速度の少なくともいずれか一つをクラウドサーバー201あるいはフォグサーバー202に出力する。
2 冷却板
3 冷却液流路
4 冷却液配管
5 LDモジュール/冷却板アセンブリ
6、6A〜6F レーザ装置
7 冷却液供給装置
8 レーザ電源
9a〜9d、23a,23b、27 切換弁
10 時機判定装置
11 制御回路
16 時機判定回路
20 第1記録部
21 算出回路
22 第2記録部
24 第1LDモジュール
25 第2LDモジュール
26 第3LDモジュール
28 温度変換回路
29 第3記録部
30 表示装置
100 LDモジュールグループ
200 ネットワーク
201 クラウドサーバー
202 フォグサーバー
Claims (14)
- 内部に形成された冷却液流路に冷却液供給装置から供給される冷却液を流すことによって冷却される冷却板の表面に、駆動電流が直列に供給される複数のレーザダイオードモジュールが、前記冷却板と熱的に接続して配列されたレーザダイオードモジュール/冷却板アセンブリを備えたレーザ装置であって、
前記複数のレーザダイオードモジュールに前記駆動電流を供給するレーザ電源と、
前記冷却液流路に接続する冷却液配管に設けられ、前記冷却液流路を流れる前記冷却液の流れの方向を切り換える切換弁と、
前記複数のレーザダイオードモジュールを構成するレーザダイオードモジュールの発熱部における発熱によって、温度が変動する前記レーザダイオードモジュール/冷却板アセンブリの中のいずれか少なくとも一つの温度変動部位の温度の時系列データを参照して、前記冷却液流路を流れる前記冷却液の流れの方向を切り換える時機を判定する時機判定装置と、
前記レーザ電源に対して駆動電流出力指令を出力すると共に、前記時機判定装置の判定結果を参照して、前記冷却液流路を流れる前記冷却液の流れの方向を切り換えるために、前記切換弁に対して弁切換指令を出力する制御回路と、を備え、
前記時機判定装置は、
前記レーザダイオードモジュールが標準駆動条件で駆動された場合の寿命消費速度を基準として、前記レーザダイオードモジュールが標準駆動条件とは異なった駆動条件で駆動された場合の寿命消費速度の比率を表す寿命消費の加速係数において、前記レーザダイオードモジュールの光出力と前記温度変動部位の温度に依存する前記加速係数である第1加速係数のデータと、前記レーザダイオードモジュールの駆動電流と前記温度変動部位の温度に依存する加速係数である第2加速係数のデータとの少なくとも一方の加速係数のデータを記録した第1記録部と、
前記温度変動部位の温度の時系列データに加えて、前記レーザダイオードモジュールの光出力の時系列データと前記レーザダイオードモジュールの駆動電流の時系列データの少なくとも一方の時系列データを参照して、前記第1記録部から読み出した加速係数を、前記レーザダイオードモジュールの駆動を開始した最初の時点から最新の時点までの時間積分を行うことによって実効的累積駆動時間を算出する算出回路と、
前記複数のレーザダイオードモジュールのうちの少なくとも一つのレーザダイオードモジュールについて算出した前記実効的累積駆動時間を記録する第2記録部と、を備え、
前記時機判定装置が、前記第2記録部に記録された前記実効的累積駆動時間に基づいて、前記冷却液の流れの方向を切り換える時機を判定する、レーザ装置。 - 前記温度変動部位の少なくとも一つが前記複数のレーザダイオードモジュールのうちの少なくとも一つのレーザダイオードモジュールの発熱部であるレーザダイオードのpn接合部であり、前記温度の時系列データの少なくとも一つが前記レーザダイオードのpn接合部の温度の時系列データであり、
前記第1記録部に記録されている前記第1加速係数のデータと前記第2加速係数のデータとのうち、少なくとも一方の加速係数のデータは、それぞれ、前記レーザダイオードモジュールの標準光出力に対する光出力による加速係数である光出力加速係数のデータと前記レーザダイオードモジュールの発熱部の温度による加速係数である温度加速係数のデータ、前記レーザダイオードモジュールの標準駆動電流に対する駆動電流による加速係数である電流加速係数のデータと前記レーザダイオードモジュールの発熱部の温度による加速係数である前記温度加速係数のデータ、として記録されており、
前記算出回路が、前記複数のレーザダイオードモジュールのうちの少なくとも1つのレーザダイオードモジュールについて、前記レーザダイオードモジュールの駆動を開始した最初の時点から最新の時点までの、前記光出力加速係数と前記温度加速係数との積、あるいは、前記電流加速係数と前記温度加速係数との積を時間積分することによって、前記実効的累積駆動時間を算出する、請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記第1記録部に記録されている、前記温度加速係数のデータと、前記光出力加速係数のデータと、前記電流加速係数のデータとのうち、少なくとも一つの加速係数のデータは、加速係数を直接表す数値データではなく、加速係数を算出するための数式の形式で記録されている、請求項2に記載のレーザ装置。
- 前記光出力加速係数のデータと前記電流加速係数のデータとの少なくとも一方の加速係数データが、前記実効的累積駆動時間に依存するデータとして、前記第1記録部に記録されている、請求項3に記載のレーザ装置。
- 前記実効的累積駆動時間に依存する前記光出力加速係数データあるいは前記電流加速係数データが、それぞれ、レーザダイオードモジュールの全寿命のうちの所定の一時期だけ、前記標準駆動条件に含まれる標準光出力とは異なる一定の光出力で駆動することによって、あるいは、レーザダイオードモジュールの全寿命のうちの所定の一時期だけ、前記標準駆動条件に含まれる標準駆動電流とは異なる一定の駆動電流で駆動することによって、前記実効的累積駆動時間に依存する前記光出力加速係数あるいは前記電流加速係数を導出する加速係数導出装置あるいは加速係数導出方法で求められた光出力加速係数データあるいは電流加速係数データである、請求項4に記載のレーザ装置。
- 前記時機判定装置が、前記複数のレーザダイオードモジュールのうちの第1レーザダイオードモジュールの前記実効的累積駆動時間である第1実効的累積駆動時間と、前記複数のレーザダイオードモジュールのうちの前記第1レーザダイオードモジュールとは異なる第2レーザダイオードモジュールの前記実効的累積駆動時間である第2実効的累積駆動時間との時間差である第1時間差が第1設定時間を超えた時点を、前記冷却液の流れの方向を切り換える時機と判定する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記第1設定時間が、前記第1実効的累積駆動時間、前記第2実効的累積駆動時間および前記第1実効的累積駆動時間と前記第2実効的累積駆動時間との和のいずれかを第1変数とする第1関数であり、前記第1関数は、前記第1変数が正の範囲で、広義単調減少関数であると共に、最小値を正の第1定数とする関数である、請求項6に記載のレーザ装置。
- 前記時機判定装置が、前記複数のレーザダイオードモジュールのうち、前記冷却液の流れの方向が切替わっても、前記駆動電流が同じ場合、レーザダイオードモジュールの発熱部あるいは前記発熱部に熱的に接続したレーザダイオードモジュールの所定位置の温度の変化が最も小さいレーザダイオードモジュールを第3レーザダイオードモジュールとして、前記第3レーザダイオードモジュールの最新の前記実効的累積駆動時間である第3実効的累積駆動時間と、最後に前記冷却液の流れの方向を切換えた時点における前記第3レーザダイオードモジュールの前記実効的累積駆動時間との時間差である第2時間差が第2設定時間を超える時点を、前記冷却液の流れの方向を切り換える時機と判定する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記第2設定時間が、前記第3実効的累積駆動時間を第2変数とする第2関数であり、前記第2関数は、前記第2変数が正の範囲で、広義単調減少関数であると共に、最小値を正の第2定数とする関数である、請求項8に記載のレーザ装置。
- 前記制御回路からの指令により、前記複数のレーザダイオードモジュールを発光源又は励起光源とするレーザ発振器の光出力特性を所定の駆動条件で、所定のスケジュールに沿って測定し、前記光出力特性の測定結果の履歴を、前記第1記録部に記録されている前記実効的累積駆動時間に関連付けて記録する第3記録部を備え、
前記第3記録部に記録されている前記実効的累積駆動時間に関連付けた前記光出力特性の測定結果を使用して、前記制御回路が、前記光出力特性から導出される所定の駆動電流で出力される光出力である実光出力又は所定の光出力を得るために必要な駆動電流である実駆動電流について、前記実光出力又は前記実駆動電流の実効的累積駆動時間依存性と、ある光出力特性測定時点とその前の光出力特性測定時点との両時点間における前記実光出力又は実駆動電流の劣化幅又は劣化率と、前記劣化幅を前記両時点間の前記実効的累積駆動時間の差で除した劣化速度との、少なくともいずれか一つを出力可能である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のレーザ装置。 - 前記駆動電流が直列に供給される複数のレーザダイオードモジュールからなるレーザダイオードモジュールグループが複数存在し、各レーザダイオードモジュールグループに対して、独立に前記駆動電流を供給可能なレーザ装置であって、
前記制御回路が、所定の光出力指令を出力するために、前記レーザ電源に対して前記各レーザダイオードモジュールグループに対する駆動電流出力指令を出力するにあたって、前記複数のレーザダイオードモジュールグループのうち、相対的に前記実効的累積駆動時間の短いレーザダイオードモジュールグループあるいは相対的に前記劣化速度が小さいレーザダイオードモジュールグループに対して、優先的に前記駆動電流を割振るように、前記駆動電流出力指令を出力する、請求項10に記載のレーザ装置。 - 前記制御回路が、ネットワークを経由して、前記実効的累積駆動時間と、前記実光出力あるいは前記実駆動電流の前記実効的累積駆動時間依存性と、前記劣化速度との少なくともいずれか一つをクラウドサーバーあるいはフォグサーバーに出力する、請求項10又は11に記載のレーザ装置。
- 前記切換弁が、前記冷却液供給装置から供給される冷却液を前記冷却液流路に流入させるための3本の冷却液配管が接続された流入側の1個の三方弁と、前記冷却液流路から流出した冷却液を流出させるための3本の冷却液配管が接続された流出側の1個の三方弁との2個で1組の三方弁で構成されている、請求項1〜12のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記切換弁が、4本の冷却液配管が接続された1つの四方弁であり、前記四方弁の少なくとも主要部分は弗化樹脂製であり、前記四方弁により、前記冷却液流路を流れる前記冷却液の流れの方向を切り換える、請求項1〜12のいずれか1項に記載のレーザ装置。
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---|---|---|---|---|
JPH07260285A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Nippondenso Co Ltd | 吸着式冷凍装置 |
JP3854433B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2006-12-06 | シーケーディ株式会社 | 真空比例開閉弁 |
JP4109042B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-06-25 | 株式会社不二工機 | 三方切換弁 |
JP2004128062A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュールの冷却装置 |
US6845110B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-01-18 | Honeywell International Inc. | Vapor cycle system (VCS) with thermal reservoirs for reducing requisite VCS power and size with intermittent heat loads |
JP4222193B2 (ja) * | 2003-11-26 | 2009-02-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US20070104233A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-05-10 | Jan Vetrovec | Thermal management system for high energy laser |
JP5916581B2 (ja) | 2012-10-12 | 2016-05-11 | 株式会社神戸製鋼所 | Pvd処理方法及びpvd処理装置 |
WO2015030706A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | Parker-Hannifin Corporation | High cycle and speed valve |
JP2016054279A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | カナレ電気株式会社 | 半導体レーザ |
US9917413B2 (en) * | 2016-02-11 | 2018-03-13 | Coherent, Inc. | Cooling apparatus for diode-laser bars |
JP2017212851A (ja) | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 株式会社デンソー | 冷却装置 |
JP6374447B2 (ja) * | 2016-07-08 | 2018-08-15 | ファナック株式会社 | 温度を含む駆動条件を考慮した実効的駆動時間と残存寿命が算出可能なレーザ装置 |
US11025034B2 (en) * | 2016-08-31 | 2021-06-01 | Nlight, Inc. | Laser cooling system |
JP6636996B2 (ja) | 2017-07-11 | 2020-01-29 | ファナック株式会社 | Ldモジュール冷却装置及びレーザ装置 |
JP2019031200A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | トヨタ自動車株式会社 | 車両の冷却装置 |
-
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