JP5916581B2 - Pvd処理方法及びpvd処理装置 - Google Patents
Pvd処理方法及びpvd処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5916581B2 JP5916581B2 JP2012226766A JP2012226766A JP5916581B2 JP 5916581 B2 JP5916581 B2 JP 5916581B2 JP 2012226766 A JP2012226766 A JP 2012226766A JP 2012226766 A JP2012226766 A JP 2012226766A JP 5916581 B2 JP5916581 B2 JP 5916581B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cooling
- ring electrode
- anode
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
Description
上述した特許文献1のPVD処理装置でも、ターゲットの内部を空洞としておいて、この空洞からなる冷却流路に冷却水を流通させれば、ターゲットの冷却作用が期待できることが開示されている(例えば、特許文献1の図6など)。
例えば、冷却流路の入側に近い部分では、冷却水の温度が低い故に冷却能が高く、電極の温度が局部的に低くなって放電が促進される。その一方で、冷却流路の出側に近い部分では、冷却水の温度が高くなるため冷却能が下がり、電極の温度が高温となって放電が少なく、結果的にターゲットに偏消耗が起きてしまう。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、ターゲットの偏消耗を確実に抑制しつつPVD処理を行うことができるPVD処理方法及びPVD処理装置を提供することを目的とする。
即ち、本発明のPVD処理方法は、内部が真空とされた真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられた陽極及び陰極と、を備え、陽極と陰極との間にアーク放電を生起して陰極とされた電極を蒸発させることでPVD処理を行うに際しては、前記陽極とされた電極及び陰極とされた電極のうち少なくとも一方に、冷却媒体を流通させて電極を冷却する冷却流路を設けておき、前記電極に設けられた冷却流路における冷却媒体の流通方向を、一方側から他方側又は他方側から一方側へ交互に切り替えつつ、前記電極を冷却して、PVD処理を行うことを特徴とする。
なお、前記PVD処理をバッチ処理にて行うに際しては、各バッチ処理ごとに、前記冷却流路における冷却媒体の流通方向を交互に切り替え、前記電極を冷却するとよい。
なお、前記陰極とされた電極の使用寿命を複数の期間に分割し、分割された期間ごとに、前記冷却流路における冷却媒体の流通方向を交互に切り替えるとよい。
また、本発明に係るPVD処理方法の最も好ましい形態は、内部が真空とされた真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられた陽極及び陰極と、を備え、陽極と陰極との間にアーク放電を生起して陰極とされた電極を蒸発させることでPVD処理を行うに際しては、前記陽極とされた電極に、前記陰極の上端から径外側に距離をあけて配備された上部リング電極と、前記陰極の下端から径外側に距離をあけて配備された下部リング電極と、前記上部リング電極と下部リング電極とを上下に連結する複数のロッド電極と、を備えたものを用い、前記陽極とされた電極に、前記上部リング電極の内部に環状に形成された中空部と下部リング電極の内部に環状に形成された中空部とを、複数のロッド電極の軸心に沿ってそれぞれ形成された中空部により連通する冷却流路を設けておき、前記陽極とされた電極に設けられた冷却流路における冷却媒体の流通方向を、一方側から他方側又は他方側から一方側へ交互に切り替えつつ、前記陽極とされた電極を冷却して、PVD処理を行うことを特徴とする。
さらに、本発明に係るPVD処理装置の最も好ましい形態は、内部が真空とされた真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられた陽極及び陰極と、を備え、陽極と陰極との間にアーク放電を生起して陰極とされた電極を蒸発させることでPVD処理を行うPVD処理装置であって、前記陽極とされた電極は、前記陰極の上端から径外側に距離をあけて配備された上部リング電極と、前記陰極の下端から径外側に距離をあけて配備された下部リング電極と、前記上部リング電極と下部リング電極とを上下に連結する複数のロッド電極と、を備えており、前記陽極とされた電極を冷却する冷却機構が設けられており、前記冷却機構は、前記陽極とされた電極に冷却媒体を流通させて電極を冷却する冷却流路と、前記冷却流路における冷却媒体の流通方向を交互に切り替える流通方向切替部と、を備えていて、前記陽極とされた電極には、前記上部リング電極の内部に環状に形成された中空部と下部リング電極の内部に環状に形成された中空部とを、複数のロッド電極の軸心に沿ってそれぞれ形成された中空部により連通する冷却流路が設けられており、前記陽極とさ
れた電極を冷却して、PVD処理を行う構成とされていることを特徴とする。
本発明のPVD処理装置1は、PVD(Physical Vapor Deposition)法を利用して、ワークWの表面に成膜を行う装置である。PVD法は、成膜しようとする物質をアークを用いて蒸発させたりイオンを衝突させて弾き飛ばしたりするといった物理的手段により、ワークW上に成膜しようとする物質を堆積させて皮膜を成膜する方法である。
このリング電極3はアーク電源5のプラス極に接続され陽極、言い換えればアノードとなっており、またターゲット4はアーク電源5のマイナス極に電気的に接続され陰極、言い換えればカソードとなっており、両極間にアーク放電を発生可能な電位差を与えられるようになっている。また、リング電極3の外側にはワークWが配備されており、上述したアーク放電で蒸発したターゲット4の成膜物質をワークWの表面に成膜できるようになっている。
例えば、参考として示す図5においては、陽極とされた電極103は、上部リング電極106及び下部リング電極107に対してまずその内部を周方向に複数の区画に仕切っておき、それぞれ仕切られた区画に対して隣り合う2本のロッド電極108を接続するようにして構成されている。そして、複数に仕切られたられた区画の一つに冷却水を供給すると、供給された冷却水は、ロッド電極(A)、下部リング電極、ロッド電極(B)、上部リング電極、ロッド電極(C)、下部リング電極、ロッド電極(D)、上部リング電極、ロッド電極(E)、下部リング電極、ロッド電極(F)、上部リング電極、ロッド電極(G)、下部リング電極(H)という順番で蛇行しながら電極内を流れ、冷却水を用いて陽極とされた電極103を冷却することが可能になる。
例えば、上述した図5の冷却流路を採用した場合、冷却流路の入側では、冷却水の温度が低いが故に冷却能が高く、ロッド電極(A)やロッド電極(B)などの温度が局部的に低くなって、放電が促進される。その一方で、冷却流路の出側では、冷却水の温度が高くなるため冷却能が下がり、ロッド電極(G)やロッド電極(H)などの温度が高温となって放電が少なくなる。結果的に、ターゲット104のうち、ロッド電極(A)やロッド電極(B)に近い部分だけが大きく凹んだような偏消耗が起きてしまうという問題が発生する。
さらに、冷却流路11は、電極の一方側から他方側に向かって冷却水を流通させて電極の冷却を行う第1冷却流路12と、電極の他方側から一方側に向かって冷却水を流通させて電極の冷却を行う第2冷却流路13と有する。
なお、冷却水の流通方向の切り替え、言い換えれば、第1冷却流路12と第2冷却流路13との切り換えは、流通方向切替部24にて行われる。
図3に示すように、ターゲット4を冷却する第1実施形態の冷却機構は、ターゲット4の上部へ繋がる上部配管14と、ターゲット4の下部から延びる下部配管15とを有する。上部配管14及び下部配管15は、ターゲット4内の中空部4aに連通している。また、冷却機構は、冷却水の供給部(図示しない)から延びる供給配管16を備えると共に、冷却水の排水部(図示しない)へ延びる排水配管17を有している。
以上述べた、上部配管14、下部配管15、供給配管16、排水配管17により、冷却流路11が構成されており、この冷却流路11には第1の切替弁18〜第3の切替弁20、すなわち流通方向切替部24が設けられている。
具体的には、第1の切替弁18、第2の切替弁19を操作し、供給配管16から供給される冷却水が上部配管14に流れるようにする。上部配管14を介しターゲット4に供給された冷却水はターゲット4内の中空部4aを流下し、下部配管15へと流れ出す。その際、第3の切替弁20を切り替えておき、下部配管15の冷却水を排水配管17へと導くようにする。
一方、第1の切替弁18、第3の切替弁20を切り替え、供給配管16から供給される冷却水が下部配管15に流れるようにする。下部配管15を介してターゲット4に供給された冷却水はターゲット4内の中空部4aを流上し、上部配管14へと流れ出す。その際、第2の切替弁19を切り替えておき、上部配管14の冷却水を排水配管17へと導くようにする。
上述した第1冷却流路12を連続して用いてターゲット4を冷却する場合は冷却水の入側に近い冷却流路11の上端側が下端側より効果的に冷却され、第2冷却流路13を連続して用いてターゲット4を冷却する場合は冷却流路11の下端側が上端側より効果的に冷却される。
例えば、PVD処理をバッチ処理にて行う場合には、バッチごとに、第1冷却流路12と第2冷却流路13を切り替えて使用し、リング電極3又はターゲット4における冷却水の流通方向を交互に反対とするとよい。例として、奇数回目のバッチ処理では第1冷却流路12を使い、偶数回目のバッチ処理では第2冷却流路13を使用するように、第1の切替弁18〜第3の切替弁20を操作するとよい。
例えば、アークイオンプレーティング法ではターゲット4からのドロップレット(溶融粒子)の放出が不可避であるが、ターゲット4の温度上昇により、その数や大きさが急激に増大することが知られている。しかしながら、第1実施形態の技術によれば、ターゲット4を均一に冷却することによりドロップレットの増大を防ぐことができる。また、アークイオンプレーティング法、スパッタリング法いずれでも、ターゲット4に温度ムラがあると不均一に変形して温度ムラを増長したり、脆い材料を使用した場合などは割れが生じることもあるが、第1実施形態の技術を用い、ターゲット4を均一に冷却することで、斯かる不都合を防止することができる。
[第2実施形態]
次に、図4を用いて第2実施形態のPVD処理装置1を説明する。
また、上部リング電極6の下側には周方向に等しい間隔を空けて複数のロッド電極8が接続されていて、円環状の冷却流路11の冷却水を複数のロッド電極8(分岐流路)のそれぞれに分配したり、複数のロッド電極8のそれぞれに分配されていた冷却水を円環状の冷却流路11に集積したりする構造になっている。
その上で、第1実施形態と略同様に、第1の切替弁18〜第3の切替弁20、すなわち流通方向切替部24を切り替えることで、例えば、冷却水が第1冷却流路12を流通する際には、上部リング電極6内の冷却水を複数のロッド電極8(分岐流路)のそれぞれに分配して流通させて、下部リング電極7で再び集積するように流下させることができ、リング電極3を確実に冷却可能となる。逆に、第1の切替弁18〜第3の切替弁20を切り替えて、冷却水が第2冷却流路13を流通するようにすると、下部リング電極7内の冷却水を複数のロッド電極8(分岐流路)のそれぞれに分配して流通させて、上部リング電極6で再び集積するように流上させ、リング電極3を確実に冷却可能となる。
なお、下部リング電極7の下側に設けられた下部接続管23に関し、この下部接続管23が設けられた位置は、上部リング電極6の上部接続管22の位置に対して、リングの中心を挟んで反対側となっている。つまり、上述したリング電極3は、冷却流路11の配置が上下方向・左右方向において対称な配置となっており、上部リング電極6から下部リング電極7に冷却水を流通させる第1冷却流路12を用いた場合の流れと、下部リング電極7から上部リング電極6に冷却水を流通させる第2冷却流路13を用いた場合の流れとが互いにほぼ等しくなるようになっている。すなわち、リング電極3に形成された冷却流路11の配置を上下方向・左右方向で対称な配置とすることで、冷却流路11内での冷却水の流量を均一化することが可能となる。
以上述べた、第2実施形態の技術を用いることで、リング電極3自体の損耗防止を行いつつターゲット4を間接的に冷却することができ、ターゲット4の偏消耗を確実に抑制しつつPVD処理を行うことができるようになる。
2 真空チャンバ
3 リング電極
4 ターゲット
4a ターゲットの中空部
5 アーク電源
6 上部リング電極
7 下部リング電極
8 ロッド電極
11 冷却流路
12 第1冷却流路
13 第2冷却流路
14 上部配管
15 下部配管
16 供給配管
17 排水配管
18 第1の切替弁
19 第2の切替弁
20 第3の切替弁
21 第4の切替弁
22 上部接続管
23 下部接続管
24 流通方向切替部
103 参考例の電極(陽極)
104 参考例の電極(陰極)
106 参考例の上部リング電極
107 参考例の下部リング電極
108 参考例のロッド電極
Claims (5)
- 内部が真空とされた真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられた陽極及び陰極と、を備え、陽極と陰極との間にアーク放電を生起して陰極とされた電極を蒸発させることでPVD処理を行うに際しては、
前記陽極とされた電極に、前記陰極の上端から径外側に距離をあけて配備された上部リング電極と、前記陰極の下端から径外側に距離をあけて配備された下部リング電極と、前記上部リング電極と下部リング電極とを上下に連結する複数のロッド電極と、を備えたものを用い、
前記陽極とされた電極に、前記上部リング電極の内部に環状に形成された中空部と下部リング電極の内部に環状に形成された中空部とを、複数のロッド電極の軸心に沿ってそれぞれ形成された中空部により連通する冷却流路を設けておき、
前記陽極とされた電極に設けられた冷却流路における冷却媒体の流通方向を、一方側から他方側又は他方側から一方側へ交互に切り替えつつ、前記陽極とされた電極を冷却して、PVD処理を行うことを特徴とするPVD処理方法。 - 前記冷却しようとする電極内で冷却流路を複数の分岐流路に分けておき、
前記冷却媒体を、複数の分岐流路のそれぞれに分配して流通させつつ冷却を行うことを特徴とする請求項1に記載のPVD処理方法。 - 前記PVD処理をバッチ処理にて行うに際しては、
各バッチ処理ごとに、前記冷却流路における冷却媒体の流通方向を交互に切り替え、前記電極を冷却することを特徴とする請求項1または2に記載のPVD処理方法。 - 前記陰極とされた電極の使用寿命を複数の期間に分割し、
分割された期間ごとに、前記冷却流路における冷却媒体の流通方向を交互に切り替えることを特徴とする請求項1または2に記載のPVD処理方法。 - 内部が真空とされた真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられた陽極及び陰極と、を備え、陽極と陰極との間にアーク放電を生起して陰極とされた電極を蒸発させることでPVD処理を行うPVD処理装置であって、
前記陽極とされた電極は、前記陰極の上端から径外側に距離をあけて配備された上部リング電極と、前記陰極の下端から径外側に距離をあけて配備された下部リング電極と、前記上部リング電極と下部リング電極とを上下に連結する複数のロッド電極と、を備えており、
前記陽極とされた電極を冷却する冷却機構が設けられており、
前記冷却機構は、前記陽極とされた電極に冷却媒体を流通させて電極を冷却する冷却流路と、前記冷却流路における冷却媒体の流通方向を交互に切り替える流通方向切替部と、を備えていて、
前記陽極とされた電極には、前記上部リング電極の内部に環状に形成された中空部と下部リング電極の内部に環状に形成された中空部とを、複数のロッド電極の軸心に沿ってそれぞれ形成された中空部により連通する冷却流路が設けられており、
前記陽極とされた電極を冷却して、PVD処理を行う構成とされている
ことを特徴とするPVD処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226766A JP5916581B2 (ja) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | Pvd処理方法及びpvd処理装置 |
PCT/JP2013/005287 WO2014057608A1 (ja) | 2012-10-12 | 2013-09-06 | Pvd処理方法及びpvd処理装置 |
BR112015007783A BR112015007783A2 (pt) | 2012-10-12 | 2013-09-06 | método de tratamento de pvd e dispositivo de tratamento de pvd |
CN201380053125.4A CN104685096A (zh) | 2012-10-12 | 2013-09-06 | 物理蒸镀处理方法和物理蒸镀处理装置 |
KR1020157008993A KR101697448B1 (ko) | 2012-10-12 | 2013-09-06 | Pvd 처리 방법 및 pvd 처리 장치 |
EP13844848.5A EP2907890A4 (en) | 2012-10-12 | 2013-09-06 | PVD TREATMENT PROCESS AND PVD TREATMENT DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226766A JP5916581B2 (ja) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | Pvd処理方法及びpvd処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014077185A JP2014077185A (ja) | 2014-05-01 |
JP5916581B2 true JP5916581B2 (ja) | 2016-05-11 |
Family
ID=50477092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012226766A Active JP5916581B2 (ja) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | Pvd処理方法及びpvd処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2907890A4 (ja) |
JP (1) | JP5916581B2 (ja) |
KR (1) | KR101697448B1 (ja) |
CN (1) | CN104685096A (ja) |
BR (1) | BR112015007783A2 (ja) |
WO (1) | WO2014057608A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ306541B6 (cs) * | 2015-11-27 | 2017-03-01 | Shm, S. R. O. | Cylindrická katoda pro nanášení vrstev metodou PVD |
JP6989557B2 (ja) | 2019-04-15 | 2022-01-05 | ファナック株式会社 | レーザ装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5580366U (ja) * | 1979-08-27 | 1980-06-03 | ||
JP2836876B2 (ja) * | 1988-08-25 | 1998-12-14 | ハウザー インダストリーズ ビーブイ | 物理的な蒸着の二重被覆を行う装置および方法 |
JPH04301078A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Fujitsu Ltd | 成膜室の冷却方法および冷却装置 |
WO1994021839A1 (en) * | 1993-03-15 | 1994-09-29 | Kabushiki Kaisha Kobeseikosho | Apparatus and system for arc ion plating |
JP3195492B2 (ja) * | 1993-03-15 | 2001-08-06 | 株式会社神戸製鋼所 | アークイオンプレーティング装置及びアークイオンプレーティングシステム |
TW200710243A (en) * | 2005-05-02 | 2007-03-16 | Honeywell Int Inc | Target assemblies, targets, backing plates, and methods of target cooling |
US7560011B2 (en) * | 2005-10-24 | 2009-07-14 | Guardian Industries Corp. | Sputtering target and method/apparatus for cooling the target |
CN102108489A (zh) * | 2009-12-25 | 2011-06-29 | 甘国工 | 真空镀膜磁控溅射磁流体密封旋转靶 |
CN101812667B (zh) * | 2010-04-19 | 2012-05-30 | 中国南玻集团股份有限公司 | 磁控溅射镀膜阴极装置 |
KR20150021251A (ko) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | (주)에스엔텍 | 플라즈마 화학기상 장치 |
-
2012
- 2012-10-12 JP JP2012226766A patent/JP5916581B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-06 KR KR1020157008993A patent/KR101697448B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-06 EP EP13844848.5A patent/EP2907890A4/en not_active Withdrawn
- 2013-09-06 WO PCT/JP2013/005287 patent/WO2014057608A1/ja active Application Filing
- 2013-09-06 CN CN201380053125.4A patent/CN104685096A/zh active Pending
- 2013-09-06 BR BR112015007783A patent/BR112015007783A2/pt not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101697448B1 (ko) | 2017-01-17 |
EP2907890A1 (en) | 2015-08-19 |
JP2014077185A (ja) | 2014-05-01 |
EP2907890A4 (en) | 2016-07-13 |
CN104685096A (zh) | 2015-06-03 |
KR20150053800A (ko) | 2015-05-18 |
BR112015007783A2 (pt) | 2017-07-04 |
WO2014057608A1 (ja) | 2014-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11158491B2 (en) | Target assembly for safe and economic evaporation of brittle materials | |
US8261693B2 (en) | Arc ion plating apparatus | |
KR101027879B1 (ko) | 아크 이온 플레이팅 방법 및 이것에 사용되는 타겟 | |
KR100559285B1 (ko) | 캐소우드아크증착장치 | |
US20080138529A1 (en) | Method and apparatus for cathodic arc ion plasma deposition | |
KR20210006534A (ko) | 후면측 냉각 그루브들을 갖는 스퍼터링 타겟 | |
JP5916581B2 (ja) | Pvd処理方法及びpvd処理装置 | |
JP6076112B2 (ja) | イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法 | |
JPH11140630A (ja) | カソードアーク気相堆積装置 | |
KR20130061030A (ko) | 다수의 타깃과 자석을 갖는 증착 챔버가 구비된 pvd 장치 및 방법 | |
US5744017A (en) | Vacuum arc deposition apparatus | |
KR20140099898A (ko) | Hipims 층 형성 방법 | |
CN102465260A (zh) | 腔室组件及应用该腔室组件的半导体处理设备 | |
TW202003887A (zh) | 電鍍設備及電鍍方法 | |
JP5950866B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
KR100530545B1 (ko) | 캐소우드아크증착장치 | |
KR20150048142A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
KR101385590B1 (ko) | 스퍼터 장치 | |
JP5644676B2 (ja) | アークイオンプレーティング装置および成膜方法 | |
JP2017020056A (ja) | 合金窒化物膜形成装置および合金窒化物膜形成方法 | |
WO2024048261A1 (ja) | イオンボンバードメント装置及びイオンボンバードメント処理方法 | |
KR20170005347A (ko) | 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 | |
JP6909645B2 (ja) | スパッタリングターゲット、および、車両用灯具の製造方法 | |
US20090255808A1 (en) | Target for efficient use of precious deposition material | |
JP4873718B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160405 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5916581 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |