JP2004128062A - レーザモジュールの冷却装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数のレーザモジュールが並列に配列されたレーザモジュールの冷却装置において、複数のレーザモジュール間において均一に温度調整する。
【解決手段】下面に複数のレーザモジュール11がマルチモード光ファイバ12の出射端が並列に一列に並ぶように配置されたCuからなる均熱板13と、均熱板13に接して設けられた、内部にレーザモジュール11の並び方向に延びる水冷管16と水冷管16の両側に沿って薄板形状のヒートパイプ15とが設けられたCuからなる構造体14とからなるものものとする。
【選択図】 図1
【解決手段】下面に複数のレーザモジュール11がマルチモード光ファイバ12の出射端が並列に一列に並ぶように配置されたCuからなる均熱板13と、均熱板13に接して設けられた、内部にレーザモジュール11の並び方向に延びる水冷管16と水冷管16の両側に沿って薄板形状のヒートパイプ15とが設けられたCuからなる構造体14とからなるものものとする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザモジュールの冷却装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の冷却装置として、ペルチェ素子を用いた冷却装置が広く使用されている(例えば、特許文献1参照)。ペルチェ素子による冷却方式は、高精度の温調を実現することができるが、ペルチェ素子は高価であり、しかも温調制御回路が必要となり、装置の高コスト化を招く。例えばレーザモジュールが複数並列に設置されたモジュールの場合、ペルチェ素子には大容量のものがないため複数のペルチェ素子が必要となる。このため、さらにレーザモジュールの製造コストがかかるという問題がある。また、ペルチェ素子は半導体素子で作製されるため強度が低いという問題もある。さらに、ペルチェ素子を用いると、ペルチェ素子自体の発熱により、全体としてレーザモジュールの発熱の3倍程度の発熱があり、それに対応する放熱能力が必要となる。例えば、1つの光出力が100mWのGaN系半導体レーザ素子を7チップ備えたモジュールを200個有するレーザ装置の場合、発熱量は、半導体レーザ素子の電気−光変換効率を15%とすると、7×100×200×(1/0.15−1)=793Wにもなる。この場合、ペルチェ素子を使用したとすると、モジュールにはその3倍の2.4kWもの熱が発生し、冷却には大きな水冷機構が必要となりコストの上昇を招く。
【0003】
一方、水冷による1台のレーザ装置の冷却方式が提案されている(例えば、特許文献2参照)。水冷方式では、ペルチェ素子による方式に比べ、低コストでかつ構造的に経時で強度が低下することがない。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−55710号公報
【0005】
【特許文献2】
特開平5−13842号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、例えば100〜200個の複数のレーザモジュールが並列に複数列配置されてなるレーザ装置を、レーザモジュールの並び方向に延びる水冷管によって同時に水冷温調する場合、水冷管の上流部と下流部で水温差が発生し、モジュールの温度差が発生するという問題がある。特に、GaN系半導体レーザ素子は、電気−光変換効率が15〜20%と低いため、発熱量が大きくなるため、高精度な温調が難しくなるという問題がある。
【0007】
本発明は上記事情に鑑みて、複数のレーザモジュールが並列に配置されてなるレーザモジュールを、複数のレーザモジュールにおいて均一な温度に調節することが可能なレーザモジュールの冷却装置を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のレーザモジュールの冷却装置は、表面上に複数のレーザモジュールが並列して設置される均熱板と、該均熱板の内部若しくは該均熱板に近接してレーザモジュールの配列方向に延びる冷却管と、該冷却管の長手方向に沿って延びるヒートパイプとからなることを特徴とするものである。
【0009】
ヒートパイプは、冷却管の長手方向の両側に配置されていてもよい。
【0010】
また、ヒートパイプが薄板形状であり、表面とほぼ垂直な角度を成して配置されていることが望ましい。
【0011】
また、レーザモジュールは、複数の半導体レーザ素子と、1本のマルチモード光ファイバと、複数の半導体レーザ素子から出射される複数のレーザビームをマルチモード光ファイバに合波する集光光学系とからなるものであってもよい。
【0012】
また、複数のレーザモジュールは、1つのパッケージ内に収容されていてもよい。
【0013】
【発明の効果】
本発明のレーザモジュールの冷却装置によれば、表面上に複数のレーザモジュールが並列して設置される均熱板と、該均熱板の内部若しくは該均熱板に近接してレーザモジュールの配列方向に延びる冷却管と、該冷却管の長手方向に沿って延びるヒートパイプとからなることにより、結果的に複数のレーザモジュールの温度を均一にすることができる。これにより、複数のレーザモジュールから出射されるレーザビームの出力を均一にすることができ、高い信頼性を得ることができる。
【0014】
具体的には、ヒートパイプは、内部の作動液が、吸熱部すなわちレーザモジュール近傍で熱せられて気化し、その気体が放熱部すなわちレーザモジュールから離れた領域で凝縮することによってレーザモジュールの熱を効率良く輸送する。さらに、ヒートパイプは、レーザモジュールの配列方向に延びている構造であり、内部の気化した作動液の圧力を均一化しようと働くため、作動液が配列方向にも行き来することができるので、ヒートパイプ内部のレーザモジュール配列方向に生じた温度勾配の高い方から低い方へ熱が輸送されることとなり、複数のレーザモジュールを均一な温度に調整することができる。
【0015】
また、ヒートパイプが、冷却管の長手方向の両側に配置された場合は、さらに熱輸送効率を上げることができる。
【0016】
また、ヒートパイプが薄板形状であり、表面とほぼ垂直な角度を成して配置された場合は、放熱部がレーザモジュールより、さらに遠い領域に位置することとなるので、効率良く熱を輸送することができる。
【0017】
また、レーザモジュールが、複数の半導体レーザ素子と、1本のマルチモード光ファイバと、複数の半導体レーザ素子から出射される複数のレーザビームをマルチモード光ファイバに合波する集光光学系とからなるものである場合、半導体レーザ素子の発熱量が高くモジュール全体としても発熱量が高いため、本発明を適用することは効果的である。
【0018】
また、複数のレーザモジュールを、1つのパッケージ内に収容した場合、製造コストの削減およびメンテナンスにかかるコストあるいは時間等の削減に効果的である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【0020】
本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置について説明する。図1に、その冷却装置の概略斜視図および側面図を示す。図2に、各要素の詳細な寸法を付した断面図を示す。
【0021】
本実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置は、図1(a)に示すように、下面に複数のレーザモジュール11がマルチモード光ファイバ12の出射端が並列に一列に並ぶように配置されたCuからなる均熱板13と、均熱板13に接して設けられた、内部にレーザモジュール11の並び方向に延びる水冷管16と水冷管16の両側に沿って薄板形状のヒートパイプ15とを有するCuからなる構造体14とからなるものである。
【0022】
ヒートパイプ15の内部には、作動液として純水が減圧下で封止されている。
【0023】
また、水冷管16には、図1(b)に示すように、構造体14の外部の水冷管18と連結し、図示しない冷却水循環装置により、一定温度に保たれた冷却水17が図の矢印方向に流動している。
【0024】
図2は冷却水17の流れ方向に垂直な断面である。図2に示すように、ヒートパイプ15は、幅(a)が2mm、縦方向長さ(b)が30mmの薄板形状であり、厚さ(h)が45mmの構造体14の内部であって、3mmの距離(c)で均熱板13に近接する位置に、レーザモジュール11のパッケージ(レーザ出射方向の総長さ80mm(k))の側壁から側壁まで(長さ50mm(j))に対応する領域に、各ヒートパイプ15の中心から中心までの距離(g)が23mmとなるように設けられている。
【0025】
また、水冷管16は、断面形状が直径(d)15mmの真円であり、ヒートパイプ15の縦側面および均熱板13に対し、それぞれ3mmの距離(e)、(f)で近接するように設けられている。よって、ヒートパイプ15および水冷管16は、均熱板13の厚さ(i)が6mmであるので、レーザモジュール11の底面に9mm(3mm+6mm)の距離で近接している。なお、上記ヒートパイプ、水冷管等のサイズは、図2に示す値に限られるものではなく、適宜調整することが望ましい。
【0026】
また、ヒートパイプ断面は、薄板形状に限定する必要は無く、円形あるいは楕円形でもよい。円形とする場合、その直径は、水冷管の直径以上とすることが望ましい。
【0027】
本実施の形態による冷却装置の冷却機構について説明する。
【0028】
ヒートパイプ15は、内部の作動液である水が、吸熱部すなわちレーザモジュール11近傍で熱せられて気化し、その気体が放熱部すなわちレーザモジュール11から離れた領域で凝縮することによってレーザモジュールの熱を効率良く輸送する。さらに、ヒートパイプ15は、レーザモジュールの配列方向、すなわち水冷管の流路方向にも延びている構造であり、作動液が流路方向にも行き来することができるため、レーザモジュールを均一に冷却することが可能となる。詳しくは、水冷管16の水は流れ方向に沿って熱を吸収するため、流路下流側の温度が上昇する。このため、ヒートパイプの放熱部における冷却能力は、水温が低い水冷管の下流側より上流側の方が高くなる。しかし、ヒートパイプは水冷管の流路方向にも延びており、ヒートパイプ15の吸熱部であって水冷管16の下流側の気体は、ヒートパイプ15の放熱部であって水冷管16の上流側へ移動しようとすることにより、ヒートパイプ内部の蒸気圧が均一化する。この結果、水冷管16によって生じる温度勾配をヒートパイプ15により均一化することができ、均熱板を均一に冷却することが可能となる。
【0029】
本実施の形態では、発熱源すなわちレーザモジュールがヒートパイプの下部に位置するものであるが、ヒートパイプの上部にレーザモジュールが配置された形態、すなわち、本実施の形態の冷却装置とレーザモジュールを逆転させた形態としてもよい。本実施の形態は、レーザモジュール11を均熱板13の下方に配置し、上方にヒートパイプ15を配置することにより、吸熱部で気化した作動液は放熱部へ移動し易く、放熱部で凝固した作動液は毛細管現象に加え重力により還流が促進されるので、レーザモジュールをヒートパイプの上方に配置した形態より高い冷却効率を得ることができる。
【0030】
本実施の形態によるレーザモジュール11は、図3に示すように、ヒートブロック上に配列固定された一例として7個のチップ状態の横マルチモードGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6およびLD7と、各GaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6およびLD7に対してそれぞれ設けられたコリメータレンズ31,32,33,34,35,36および37と、1つの集光レンズ43と、1本のマルチモード光ファイバ30とから構成されている。
【0031】
GaN系半導体レーザLD1〜LD7は、発振波長が例えば全て共通の405nmであり、電気−光変換効率が15%であり、光出力が30mWである。これらのGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6およびLD7から発散光状態で出射したレーザビームB1,B2,B3,B4,B5,B6およびB7は、それぞれコリメータレンズ31,32,33,34,35,36および37によって平行光化される。
【0032】
平行光とされたレーザビームB1〜B7は、集光レンズ43によって集光され、マルチモード光ファイバ12のコアの入射端面上で収束する。本例ではコリメータレンズ31〜37および集光レンズ43によって集光光学系が構成され、それとマルチモード光ファイバ12とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ43によって上述のように集光されたレーザビームB1〜B7がこのマルチモード光ファイバ12のコアに入射してそこを伝搬し、1本のレーザビームBに合波されてマルチモード光ファイバ12から出射する。なおマルチモード光ファイバ12としては、ステップインデックス型のもの、グレーデッドインデックス型のもの、およびそれらの複合型のものが全て適用可能である。
【0033】
レーザモジュールを構成する光学要素は、上方が開口した箱状のパッケージ40内に収容され、このパッケージ40の上記開口がパッケージ蓋41によって閉じられることにより、該パッケージ40およびパッケージ蓋41が形成する閉空間内に密閉保持される。
【0034】
パッケージ40の底面にはベース板42が固定され、このベース板42の上面に前記ヒートブロック20が取り付けられ、そしてこのヒートブロック20にコリメータレンズ31〜37を保持するコリメータレンズホルダ45が固定されている。さらにベース板42の上面には、集光レンズ43を保持する集光レンズホルダ45と、マルチモード光ファイバ12の入射端部を保持するファイバホルダ46が固定されている。またGaN系半導体レーザLD1〜LD7に駆動電流を供給する配線類47は、パッケージ40の横壁面に形成された開口を通してパッケージ外に引き出されている。
【0035】
なお、図おいては、図の煩雑化を避けるために、GaN系半導体レーザLD1〜LD7のうち1つのGaN系半導体レーザLD1およびLD7にのみ番号を付し、同様にコリメータレンズ31〜37のうちコリメータレンズ31および37にのみ番号を付してある。
【0036】
本実施の形態におけるヒートパイプ15および水冷管16は、Cuからなる構造体に加工により容易に設けることができる。
【0037】
本実施の形態において、レーザモジュール1個の発熱量は、1.2W{=30mW×7×(1/0.15−1)}であので、例えば、レーザモジュールを200個設けた場合、モジュール全体の発熱量は、2.4kWにもなる。ペルチェ素子を用いた場合、さらにその3倍程度の発熱量となり、大規模な水冷機構が必要となるが、本発明によれば、小型化された高効率な冷却機構とすることができる。
【0038】
次に、第2の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置について説明する。図4にその冷却装置の斜視図を示す。
【0039】
本実施の形態による冷却装置は、ヒートパイプ15と水冷管16とが、均熱板23の内部に設けられている点で、上記第1の実施の形態による冷却装置と異なるものであり、同様の形態についての詳細な説明は省略する。
【0040】
本実施の形態は、厚さ45mmの均熱板23の内部に、ヒートパイプ15(2mm×長さ30mm)と水冷管16(直径15mm)とがレーザモジュール11に3mmの距離で近接して設けられている。その他ヒートパイプ間の距離、ヒートパイプ15から均熱板23までの距離、水冷管16から均熱板までの距離、およびヒートパイプ15と水冷管16との距離は、図2に示す数値と同じである。
【0041】
本実施の形態は、上記第1の実施の形態と比較して、ヒートパイプ15と水冷管16が、さらにレーザモジュールに近接した構造となっているので、レーザモジュールを効率良く冷却することができ、高い信頼性を得ることができる。
【0042】
次に、第3の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置について説明する。図5にその冷却装置の斜視図を示す。
【0043】
本実施の形態による冷却装置は、上記第2の実施の形態と同様、ヒートパイプ16と水冷管15とが均熱板23の内部に設けられており、さらに、レーザモジュール11が均熱板23の下部に2列にわたって配置されているものである。ヒートパイプ15と水冷管16とは、レーザモジュール11の列の上部に対応する領域に設けられており、列間にはヒートパイプ15および水冷管16が設けられていないが、列間にも設けられていてもよい。また、均熱板全体にも設けられていてもよい。
【0044】
また、本実施の形態には、レーザモジュールが2列に亘って配列されたものについて説明したが、3列あるいはそれ以上の列で配列されていてもよい。3列以上に亘って配列する場合、マルチモード光ファイバはパッケージからの引き出し口から曲率半径約5cmでレーザモジュールの上方に引き出すか、あるいは列間で配列方向に束ねて引き出すことが望ましい。
【0045】
上記すべての実施の形態による冷却装置において、ヒートパイプは均熱板の表面に対して垂直な方向に設けているが、垂直に限らず該表面に対して角度を有していてもよい。
【0046】
また、ヒートパイプの作動液として純水を用いたが、メタノール、エタノール、およびアセトン等の炭化水素系、あるいはHCFCおよびHFC等の代替フロン系のうち、反応性が低く、安全性の高い物質を用いることができる。また、作動温度、構造体あるいは均熱板の材質との適合性を考慮して選択することが望ましい。
【0047】
また、水冷管は、レーザモジュールの熱をより効率良く吸収するためにはレーザモジュールに近い程良い。また、壁面抵抗を考慮して真円形状としたが、ヒートパイプの縦方向と同方向に長い楕円形あるいは長円であってもよい。楕円形あるいは長円とすることによりヒートパイプと近接している領域を広くすることができるので、よりヒートパイプの熱輸送能力を高めることができる。また、水による冷却管を用いて説明したが、内部を空気が流動する空冷管としてもよい。
【0048】
また、ヒートパイプは構造体あるいは均熱板の内部に設けたが、ヒートパイプを構造体あるいは均熱板から連続して外部に引き出した構造とし、放熱フィン等に連結させてもよい。
【0049】
従来の一般の水冷管のみの冷却装置の場合、水の流路方向に熱勾配が形成され、下流側では上流側に対し水冷管の温度が上昇してしまい、複数のレーザモジュールの温度を均一に保つことができなかったが、本発明により、レーザモジュール間での温度勾配を解消して均一にレーザモジュールを温度調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す斜視図および側面図
【図2】本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す断面図
【図3】本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの構成を示す平面図および側面図
【図4】本発明の第2の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す斜視図
【図5】本発明の第3の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す斜視図
【符号の説明】
11 レーザモジュール
12 マルチモード光ファイバ
13,23 均熱板
14 構造体
15 ヒートパイプ
16,18 水冷管
17 冷却水
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザモジュールの冷却装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の冷却装置として、ペルチェ素子を用いた冷却装置が広く使用されている(例えば、特許文献1参照)。ペルチェ素子による冷却方式は、高精度の温調を実現することができるが、ペルチェ素子は高価であり、しかも温調制御回路が必要となり、装置の高コスト化を招く。例えばレーザモジュールが複数並列に設置されたモジュールの場合、ペルチェ素子には大容量のものがないため複数のペルチェ素子が必要となる。このため、さらにレーザモジュールの製造コストがかかるという問題がある。また、ペルチェ素子は半導体素子で作製されるため強度が低いという問題もある。さらに、ペルチェ素子を用いると、ペルチェ素子自体の発熱により、全体としてレーザモジュールの発熱の3倍程度の発熱があり、それに対応する放熱能力が必要となる。例えば、1つの光出力が100mWのGaN系半導体レーザ素子を7チップ備えたモジュールを200個有するレーザ装置の場合、発熱量は、半導体レーザ素子の電気−光変換効率を15%とすると、7×100×200×(1/0.15−1)=793Wにもなる。この場合、ペルチェ素子を使用したとすると、モジュールにはその3倍の2.4kWもの熱が発生し、冷却には大きな水冷機構が必要となりコストの上昇を招く。
【0003】
一方、水冷による1台のレーザ装置の冷却方式が提案されている(例えば、特許文献2参照)。水冷方式では、ペルチェ素子による方式に比べ、低コストでかつ構造的に経時で強度が低下することがない。
【0004】
【特許文献1】
特開平5−55710号公報
【0005】
【特許文献2】
特開平5−13842号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、例えば100〜200個の複数のレーザモジュールが並列に複数列配置されてなるレーザ装置を、レーザモジュールの並び方向に延びる水冷管によって同時に水冷温調する場合、水冷管の上流部と下流部で水温差が発生し、モジュールの温度差が発生するという問題がある。特に、GaN系半導体レーザ素子は、電気−光変換効率が15〜20%と低いため、発熱量が大きくなるため、高精度な温調が難しくなるという問題がある。
【0007】
本発明は上記事情に鑑みて、複数のレーザモジュールが並列に配置されてなるレーザモジュールを、複数のレーザモジュールにおいて均一な温度に調節することが可能なレーザモジュールの冷却装置を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のレーザモジュールの冷却装置は、表面上に複数のレーザモジュールが並列して設置される均熱板と、該均熱板の内部若しくは該均熱板に近接してレーザモジュールの配列方向に延びる冷却管と、該冷却管の長手方向に沿って延びるヒートパイプとからなることを特徴とするものである。
【0009】
ヒートパイプは、冷却管の長手方向の両側に配置されていてもよい。
【0010】
また、ヒートパイプが薄板形状であり、表面とほぼ垂直な角度を成して配置されていることが望ましい。
【0011】
また、レーザモジュールは、複数の半導体レーザ素子と、1本のマルチモード光ファイバと、複数の半導体レーザ素子から出射される複数のレーザビームをマルチモード光ファイバに合波する集光光学系とからなるものであってもよい。
【0012】
また、複数のレーザモジュールは、1つのパッケージ内に収容されていてもよい。
【0013】
【発明の効果】
本発明のレーザモジュールの冷却装置によれば、表面上に複数のレーザモジュールが並列して設置される均熱板と、該均熱板の内部若しくは該均熱板に近接してレーザモジュールの配列方向に延びる冷却管と、該冷却管の長手方向に沿って延びるヒートパイプとからなることにより、結果的に複数のレーザモジュールの温度を均一にすることができる。これにより、複数のレーザモジュールから出射されるレーザビームの出力を均一にすることができ、高い信頼性を得ることができる。
【0014】
具体的には、ヒートパイプは、内部の作動液が、吸熱部すなわちレーザモジュール近傍で熱せられて気化し、その気体が放熱部すなわちレーザモジュールから離れた領域で凝縮することによってレーザモジュールの熱を効率良く輸送する。さらに、ヒートパイプは、レーザモジュールの配列方向に延びている構造であり、内部の気化した作動液の圧力を均一化しようと働くため、作動液が配列方向にも行き来することができるので、ヒートパイプ内部のレーザモジュール配列方向に生じた温度勾配の高い方から低い方へ熱が輸送されることとなり、複数のレーザモジュールを均一な温度に調整することができる。
【0015】
また、ヒートパイプが、冷却管の長手方向の両側に配置された場合は、さらに熱輸送効率を上げることができる。
【0016】
また、ヒートパイプが薄板形状であり、表面とほぼ垂直な角度を成して配置された場合は、放熱部がレーザモジュールより、さらに遠い領域に位置することとなるので、効率良く熱を輸送することができる。
【0017】
また、レーザモジュールが、複数の半導体レーザ素子と、1本のマルチモード光ファイバと、複数の半導体レーザ素子から出射される複数のレーザビームをマルチモード光ファイバに合波する集光光学系とからなるものである場合、半導体レーザ素子の発熱量が高くモジュール全体としても発熱量が高いため、本発明を適用することは効果的である。
【0018】
また、複数のレーザモジュールを、1つのパッケージ内に収容した場合、製造コストの削減およびメンテナンスにかかるコストあるいは時間等の削減に効果的である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【0020】
本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置について説明する。図1に、その冷却装置の概略斜視図および側面図を示す。図2に、各要素の詳細な寸法を付した断面図を示す。
【0021】
本実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置は、図1(a)に示すように、下面に複数のレーザモジュール11がマルチモード光ファイバ12の出射端が並列に一列に並ぶように配置されたCuからなる均熱板13と、均熱板13に接して設けられた、内部にレーザモジュール11の並び方向に延びる水冷管16と水冷管16の両側に沿って薄板形状のヒートパイプ15とを有するCuからなる構造体14とからなるものである。
【0022】
ヒートパイプ15の内部には、作動液として純水が減圧下で封止されている。
【0023】
また、水冷管16には、図1(b)に示すように、構造体14の外部の水冷管18と連結し、図示しない冷却水循環装置により、一定温度に保たれた冷却水17が図の矢印方向に流動している。
【0024】
図2は冷却水17の流れ方向に垂直な断面である。図2に示すように、ヒートパイプ15は、幅(a)が2mm、縦方向長さ(b)が30mmの薄板形状であり、厚さ(h)が45mmの構造体14の内部であって、3mmの距離(c)で均熱板13に近接する位置に、レーザモジュール11のパッケージ(レーザ出射方向の総長さ80mm(k))の側壁から側壁まで(長さ50mm(j))に対応する領域に、各ヒートパイプ15の中心から中心までの距離(g)が23mmとなるように設けられている。
【0025】
また、水冷管16は、断面形状が直径(d)15mmの真円であり、ヒートパイプ15の縦側面および均熱板13に対し、それぞれ3mmの距離(e)、(f)で近接するように設けられている。よって、ヒートパイプ15および水冷管16は、均熱板13の厚さ(i)が6mmであるので、レーザモジュール11の底面に9mm(3mm+6mm)の距離で近接している。なお、上記ヒートパイプ、水冷管等のサイズは、図2に示す値に限られるものではなく、適宜調整することが望ましい。
【0026】
また、ヒートパイプ断面は、薄板形状に限定する必要は無く、円形あるいは楕円形でもよい。円形とする場合、その直径は、水冷管の直径以上とすることが望ましい。
【0027】
本実施の形態による冷却装置の冷却機構について説明する。
【0028】
ヒートパイプ15は、内部の作動液である水が、吸熱部すなわちレーザモジュール11近傍で熱せられて気化し、その気体が放熱部すなわちレーザモジュール11から離れた領域で凝縮することによってレーザモジュールの熱を効率良く輸送する。さらに、ヒートパイプ15は、レーザモジュールの配列方向、すなわち水冷管の流路方向にも延びている構造であり、作動液が流路方向にも行き来することができるため、レーザモジュールを均一に冷却することが可能となる。詳しくは、水冷管16の水は流れ方向に沿って熱を吸収するため、流路下流側の温度が上昇する。このため、ヒートパイプの放熱部における冷却能力は、水温が低い水冷管の下流側より上流側の方が高くなる。しかし、ヒートパイプは水冷管の流路方向にも延びており、ヒートパイプ15の吸熱部であって水冷管16の下流側の気体は、ヒートパイプ15の放熱部であって水冷管16の上流側へ移動しようとすることにより、ヒートパイプ内部の蒸気圧が均一化する。この結果、水冷管16によって生じる温度勾配をヒートパイプ15により均一化することができ、均熱板を均一に冷却することが可能となる。
【0029】
本実施の形態では、発熱源すなわちレーザモジュールがヒートパイプの下部に位置するものであるが、ヒートパイプの上部にレーザモジュールが配置された形態、すなわち、本実施の形態の冷却装置とレーザモジュールを逆転させた形態としてもよい。本実施の形態は、レーザモジュール11を均熱板13の下方に配置し、上方にヒートパイプ15を配置することにより、吸熱部で気化した作動液は放熱部へ移動し易く、放熱部で凝固した作動液は毛細管現象に加え重力により還流が促進されるので、レーザモジュールをヒートパイプの上方に配置した形態より高い冷却効率を得ることができる。
【0030】
本実施の形態によるレーザモジュール11は、図3に示すように、ヒートブロック上に配列固定された一例として7個のチップ状態の横マルチモードGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6およびLD7と、各GaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6およびLD7に対してそれぞれ設けられたコリメータレンズ31,32,33,34,35,36および37と、1つの集光レンズ43と、1本のマルチモード光ファイバ30とから構成されている。
【0031】
GaN系半導体レーザLD1〜LD7は、発振波長が例えば全て共通の405nmであり、電気−光変換効率が15%であり、光出力が30mWである。これらのGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6およびLD7から発散光状態で出射したレーザビームB1,B2,B3,B4,B5,B6およびB7は、それぞれコリメータレンズ31,32,33,34,35,36および37によって平行光化される。
【0032】
平行光とされたレーザビームB1〜B7は、集光レンズ43によって集光され、マルチモード光ファイバ12のコアの入射端面上で収束する。本例ではコリメータレンズ31〜37および集光レンズ43によって集光光学系が構成され、それとマルチモード光ファイバ12とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ43によって上述のように集光されたレーザビームB1〜B7がこのマルチモード光ファイバ12のコアに入射してそこを伝搬し、1本のレーザビームBに合波されてマルチモード光ファイバ12から出射する。なおマルチモード光ファイバ12としては、ステップインデックス型のもの、グレーデッドインデックス型のもの、およびそれらの複合型のものが全て適用可能である。
【0033】
レーザモジュールを構成する光学要素は、上方が開口した箱状のパッケージ40内に収容され、このパッケージ40の上記開口がパッケージ蓋41によって閉じられることにより、該パッケージ40およびパッケージ蓋41が形成する閉空間内に密閉保持される。
【0034】
パッケージ40の底面にはベース板42が固定され、このベース板42の上面に前記ヒートブロック20が取り付けられ、そしてこのヒートブロック20にコリメータレンズ31〜37を保持するコリメータレンズホルダ45が固定されている。さらにベース板42の上面には、集光レンズ43を保持する集光レンズホルダ45と、マルチモード光ファイバ12の入射端部を保持するファイバホルダ46が固定されている。またGaN系半導体レーザLD1〜LD7に駆動電流を供給する配線類47は、パッケージ40の横壁面に形成された開口を通してパッケージ外に引き出されている。
【0035】
なお、図おいては、図の煩雑化を避けるために、GaN系半導体レーザLD1〜LD7のうち1つのGaN系半導体レーザLD1およびLD7にのみ番号を付し、同様にコリメータレンズ31〜37のうちコリメータレンズ31および37にのみ番号を付してある。
【0036】
本実施の形態におけるヒートパイプ15および水冷管16は、Cuからなる構造体に加工により容易に設けることができる。
【0037】
本実施の形態において、レーザモジュール1個の発熱量は、1.2W{=30mW×7×(1/0.15−1)}であので、例えば、レーザモジュールを200個設けた場合、モジュール全体の発熱量は、2.4kWにもなる。ペルチェ素子を用いた場合、さらにその3倍程度の発熱量となり、大規模な水冷機構が必要となるが、本発明によれば、小型化された高効率な冷却機構とすることができる。
【0038】
次に、第2の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置について説明する。図4にその冷却装置の斜視図を示す。
【0039】
本実施の形態による冷却装置は、ヒートパイプ15と水冷管16とが、均熱板23の内部に設けられている点で、上記第1の実施の形態による冷却装置と異なるものであり、同様の形態についての詳細な説明は省略する。
【0040】
本実施の形態は、厚さ45mmの均熱板23の内部に、ヒートパイプ15(2mm×長さ30mm)と水冷管16(直径15mm)とがレーザモジュール11に3mmの距離で近接して設けられている。その他ヒートパイプ間の距離、ヒートパイプ15から均熱板23までの距離、水冷管16から均熱板までの距離、およびヒートパイプ15と水冷管16との距離は、図2に示す数値と同じである。
【0041】
本実施の形態は、上記第1の実施の形態と比較して、ヒートパイプ15と水冷管16が、さらにレーザモジュールに近接した構造となっているので、レーザモジュールを効率良く冷却することができ、高い信頼性を得ることができる。
【0042】
次に、第3の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置について説明する。図5にその冷却装置の斜視図を示す。
【0043】
本実施の形態による冷却装置は、上記第2の実施の形態と同様、ヒートパイプ16と水冷管15とが均熱板23の内部に設けられており、さらに、レーザモジュール11が均熱板23の下部に2列にわたって配置されているものである。ヒートパイプ15と水冷管16とは、レーザモジュール11の列の上部に対応する領域に設けられており、列間にはヒートパイプ15および水冷管16が設けられていないが、列間にも設けられていてもよい。また、均熱板全体にも設けられていてもよい。
【0044】
また、本実施の形態には、レーザモジュールが2列に亘って配列されたものについて説明したが、3列あるいはそれ以上の列で配列されていてもよい。3列以上に亘って配列する場合、マルチモード光ファイバはパッケージからの引き出し口から曲率半径約5cmでレーザモジュールの上方に引き出すか、あるいは列間で配列方向に束ねて引き出すことが望ましい。
【0045】
上記すべての実施の形態による冷却装置において、ヒートパイプは均熱板の表面に対して垂直な方向に設けているが、垂直に限らず該表面に対して角度を有していてもよい。
【0046】
また、ヒートパイプの作動液として純水を用いたが、メタノール、エタノール、およびアセトン等の炭化水素系、あるいはHCFCおよびHFC等の代替フロン系のうち、反応性が低く、安全性の高い物質を用いることができる。また、作動温度、構造体あるいは均熱板の材質との適合性を考慮して選択することが望ましい。
【0047】
また、水冷管は、レーザモジュールの熱をより効率良く吸収するためにはレーザモジュールに近い程良い。また、壁面抵抗を考慮して真円形状としたが、ヒートパイプの縦方向と同方向に長い楕円形あるいは長円であってもよい。楕円形あるいは長円とすることによりヒートパイプと近接している領域を広くすることができるので、よりヒートパイプの熱輸送能力を高めることができる。また、水による冷却管を用いて説明したが、内部を空気が流動する空冷管としてもよい。
【0048】
また、ヒートパイプは構造体あるいは均熱板の内部に設けたが、ヒートパイプを構造体あるいは均熱板から連続して外部に引き出した構造とし、放熱フィン等に連結させてもよい。
【0049】
従来の一般の水冷管のみの冷却装置の場合、水の流路方向に熱勾配が形成され、下流側では上流側に対し水冷管の温度が上昇してしまい、複数のレーザモジュールの温度を均一に保つことができなかったが、本発明により、レーザモジュール間での温度勾配を解消して均一にレーザモジュールを温度調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す斜視図および側面図
【図2】本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す断面図
【図3】本発明の第1の実施の形態によるレーザモジュールの構成を示す平面図および側面図
【図4】本発明の第2の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す斜視図
【図5】本発明の第3の実施の形態によるレーザモジュールの冷却装置を示す斜視図
【符号の説明】
11 レーザモジュール
12 マルチモード光ファイバ
13,23 均熱板
14 構造体
15 ヒートパイプ
16,18 水冷管
17 冷却水
Claims (5)
- 表面上に複数のレーザモジュールが並列して設置される均熱板と、該均熱板の内部若しくは該均熱板に近接して前記レーザモジュールの配列方向に延びる冷却管と、該冷却管の長手方向に沿って延びるヒートパイプとからなることを特徴とするレーザモジュールの冷却装置。
- 前記ヒートパイプが、前記冷却管の長手方向の両側に配置されていることを特徴とする請求項1記載のレーザモジュールの冷却装置。
- 前記ヒートパイプが薄板形状であり、前記表面とほぼ垂直な角度を成して配置されていることを特徴とする請求項1または2記載のレーザモジュールの冷却装置。
- 前記レーザモジュールが、複数の半導体レーザ素子と、1本のマルチモード光ファイバと、前記複数の半導体レーザ素子から出射される複数のレーザビームを前記マルチモード光ファイバに合波する集光光学系とからなるものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載のレーザモジュールの冷却装置。
- 前記複数のレーザモジュールが、1つのパッケージ内に収容されていることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載のレーザモジュールの冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=32280188
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JP2020177945A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-29 | ファナック株式会社 | レーザ装置 |
-
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- 2002-09-30 JP JP2002287359A patent/JP2004128062A/ja not_active Withdrawn
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