JP6979592B2 - 力率改善コンバータ - Google Patents
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Description
以下、第1の実施形態に係る力率改善コンバータについて、図面を参照しながら説明する。
図9は、第2の実施形態に係る力率改善コンバータの回路構成図である。また、図10は、第2の実施形態に係る力率改善コンバータの動作波形図である。また、図11Aは、第2の実施形態に係る力率改善コンバータの、正位相時における電流経路を示す図であり、図11Bは、第2の実施形態に係る力率改善コンバータの、負位相時における電流経路を示す図である。図9において、図1に示した第1の実施形態に係る力率改善コンバータと同じ構成要素のものについては同じ番号を付与し、その説明を省略する。第2の実施形態の力率改善コンバータが図1の第1の実施形態の力率改善コンバータの構成と異なるのは、制御回路の構成であり、第1の実施形態の制御回路5と区別するように、本実施形態では、制御回路5Aとした。
図12は、第3の実施形態に係る力率改善コンバータの回路構成図である。図12において、図1に示した第1の実施形態、および、図9に示した第2の実施形態に係る力率改善コンバータと同じ構成要素のものについては同じ番号を付与し、その説明を省略する。本実施形態に係る力率改善コンバータが、第1および第2の実施形態に係る力率改善コンバータの構成と異なるのは、制御回路の構成であり、両者と区別するように、本実施形態では制御回路5Bとした。制御回路5Bが、第2の実施形態に係る力率改善コンバータの制御回路5Aと異なるのは、以下の点である。すなわち、制御回路5Bでは、第1の駆動信号d1および第2の駆動信号d2が、それぞれ第1の基準駆動信号dr1および第2の基準駆動信号dr2に等しくなるように、第1の基準電圧源502、第2の基準電圧源506、比較器503および507、OR回路504および508、ならびに、AND回路505および509が取り除かれている。その代わりに、制御回路5Bでは、第1の基準駆動信号dr1で第1の高電位側スイッチ回路31をオンオフ駆動し、第2の基準駆動信号dr2で第1の低電位側スイッチ回路32をオンオフ駆動する構成としている。
以上、本発明に係る力率改善コンバータについて、実施の形態1〜3に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を上記実施の形態1〜3に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
2、702 インダクタ
3 ブリッジ回路
3A 第1入力端子
3B 第2入力端子
4、704 出力コンデンサ
5、5A 制御回路
31 第1の高電位側スイッチ回路
32 第1の低電位側スイッチ回路
33 第2の高電位側スイッチ回路
34 第2の低電位側スイッチ回路
50 駆動信号生成回路
51、52、53、54 抵抗
100、200 基板
101、204 第1の窒化物半導体層
102、205 第2の窒化物半導体層
111、211 ゲート電極
112、212 ソース電極
113、213 ドレイン電極
201、202 窒化物半導体層
203 リセス部
500、503、507、511、513 比較器
501 反転器
502 第1の基準電圧源
504、508 OR回路
505、509 AND回路
506 第2の基準電圧源
510 第3の基準電圧源
512 第4の基準電圧源
731、733 高電位側スイッチ回路
732、734 低電位側スイッチ回路
741 高電位側ダイオード
742 低電位側ダイオード
d1 第1の駆動信号
d2 第2の駆動信号
d3 第3の駆動信号
d4 第4の駆動信号
dr1 第1の基準駆動信号
dr2 第2の基準駆動信号
PG、VO 出力端子
VA 第1電源端子(電圧)
VB 第2電源端子(電圧)
Vi 入力交流電圧
Via、Vib 検出電圧
Vr1 第1の基準電圧
Vr2 第2の基準電圧
Claims (13)
- 第1電源端子および第2電源端子から入力交流電圧を供給する入力交流電源に直列に接続されるインダクタと、
制御端子への駆動信号に応じて双方向導通となるオン状態と単方向導通となるオフ状態とを有する4つのスイッチ回路からなるブリッジ回路と、
出力コンデンサと、
前記4つのスイッチ回路をそれぞれオンオフ制御する制御回路と、を備え、
前記ブリッジ回路は、
第1入力端子で接続された第1の高電位側スイッチ回路と第1の低電位側スイッチ回路とが直列接続された回路である第1直列回路と、
第2入力端子で接続された第2の高電位側スイッチ回路と第2の低電位側スイッチ回路とが直列接続された回路である第2直列回路と、を有し、
前記第1電源端子が前記第1入力端子に接続される、または、前記第2電源端子が前記第2入力端子に接続されるように、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に前記インダクタと前記入力交流電源との直列回路が接続され、
前記第1直列回路と前記第2直列回路と前記出力コンデンサとが並列に接続され、
前記出力コンデンサの電圧が出力直流電圧として出力され、
前記制御回路は、
前記第1電源端子が前記第2電源端子より高電位となる前記入力交流電圧の正位相時には、前記第2の高電位側スイッチ回路をオフ状態とし、前記第2の低電位側スイッチ回路をオン状態とし、前記第1の低電位側スイッチ回路を主スイッチとしてオンオフ駆動し、さらに、前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値より高い場合には、前記第1の高電位側スイッチ回路を従スイッチとして前記第1の低電位側スイッチ回路と交互にオンオフ駆動し、前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値以下の場合には、従スイッチである前記第1の高電位側スイッチ回路はオフ状態とし、
前記第2電源端子が前記第1電源端子より高電位となる前記入力交流電圧の負位相時には、前記第2の高電位側スイッチ回路をオン状態とし、前記第2の低電位側スイッチ回路をオフ状態とし、前記第1の高電位側スイッチ回路を主スイッチとしてオンオフ駆動し、さらに前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値より高い場合には、前記第1の低電位側スイッチ回路を従スイッチとして前記第1の高電位側スイッチ回路と交互にオンオフ駆動し、前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値以下の場合には、従スイッチである前記第2の低電位側スイッチ回路はオフ状態とし、
前記第1の所定値は、前記正位相時の前記第1の低電位側スイッチ回路または前記負位相時の前記第1の高電位側スイッチ回路である主スイッチの1スイッチング周期に占めるオン時間の割合である時比率の最大値である最大時比率(δ max )、および、出力直流電圧(Vo)により、((1−δ max )×Vo)に設定される、
力率改善コンバータ。 - 前記第1の高電位側スイッチ回路および前記第1の低電位側スイッチ回路は、制御端子、第1端子および第2端子を有するトランジスタであり、
前記オン状態は、前記第1端子に対する前記制御端子の電圧が第1の閾値以上の場合、前記第1端子と前記第2端子とが双方向導通状態となる状態であり、
前記オフ状態は、前記制御端子の電圧が前記第1の閾値より低く、且つ前記第2端子に対する前記制御端子の電圧が第2の閾値以上の場合、前記第1端子から前記第2端子へ単方向導通する状態である、
請求項1に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第1の高電位側スイッチ回路および前記第1の低電位側スイッチ回路のそれぞれは、
基板の上に形成された第1の窒化物半導体層、および前記第1の窒化物半導体層の上に形成された前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層を含む半導体層積層体と、
前記半導体層積層体の上に形成された前記制御端子と、
前記半導体層積層体の上であって前記制御端子の両側方にそれぞれ形成された前記第1端子および前記第2端子と、を備える、
請求項2に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第1の窒化物半導体層は、InXGa(1−X)N(0≦X≦1)であり、
前記第2の窒化物半導体層は、AlYInZGa(1−Y−Z)N(0≦Y≦1、0≦Z≦1)である、
請求項3に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第1の高電位側スイッチ回路および前記第1の低電位側スイッチ回路のそれぞれは、
前記第1端子と前記第2端子との間にダイオード動作をする寄生素子を有しない、
請求項3に記載の力率改善コンバータ。 - 第1電源端子および第2電源端子から入力交流電圧を供給する入力交流電源に直列に接続されるインダクタと、
制御端子への駆動信号に応じて双方向導通となるオン状態と単方向導通となるオフ状態とを有する4つのスイッチ回路からなるブリッジ回路と、
出力コンデンサと、
前記4つのスイッチ回路をそれぞれオンオフ制御する制御回路と、を備え、
前記ブリッジ回路は、
第1入力端子で接続された第1の高電位側スイッチ回路と第1の低電位側スイッチ回路とが直列接続された回路である第1直列回路と、
第2入力端子で接続された第2の高電位側スイッチ回路と第2の低電位側スイッチ回路とが直列接続された回路である第2直列回路と、を有し、
前記第1電源端子が前記第1入力端子に接続される、または、前記第2電源端子が前記第2入力端子に接続されるように、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に前記インダクタと前記入力交流電源との直列回路が接続され、
前記第1直列回路と前記第2直列回路と前記出力コンデンサとが並列に接続され、
前記出力コンデンサの電圧が出力直流電圧として出力され、
前記制御回路は、
前記第1電源端子が前記第2電源端子より高電位となる前記入力交流電圧の正位相時には、前記第2の高電位側スイッチ回路をオフ状態とし、前記第2の低電位側スイッチ回路をオン状態とし、前記第1の低電位側スイッチ回路を主スイッチとしてオンオフ駆動し、さらに、前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値より高い場合には、前記第1の高電位側スイッチ回路を従スイッチとして前記第1の低電位側スイッチ回路と交互にオンオフ駆動し、前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値以下の場合には、従スイッチである前記第1の高電位側スイッチ回路はオフ状態とし、
前記第2電源端子が前記第1電源端子より高電位となる前記入力交流電圧の負位相時には、前記第2の高電位側スイッチ回路をオン状態とし、前記第2の低電位側スイッチ回路をオフ状態とし、前記第1の高電位側スイッチ回路を主スイッチとしてオンオフ駆動し、さらに前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値より高い場合には、前記第1の低電位側スイッチ回路を従スイッチとして前記第1の高電位側スイッチ回路と交互にオンオフ駆動し、前記入力交流電圧の絶対値が第1の所定値以下の場合には、従スイッチである前記第2の低電位側スイッチ回路はオフ状態とし、
前記入力交流電圧の絶対値が第2の所定値以下の場合には、前記第2の高電位側スイッチ回路および前記第2の低電位側スイッチ回路の両方をオフ状態とする、
力率改善コンバータ。 - 前記第2の所定値は、前記第1の所定値に等しく設定される、
請求項6に記載の力率改善コンバータ。 - 第1電源端子および第2電源端子から入力交流電圧を供給する入力交流電源に直列に接続されるインダクタと、
制御端子への駆動信号に応じて双方向導通となるオン状態と単方向導通となるオフ状態とを有する4つのスイッチ回路からなるブリッジ回路と、
出力コンデンサと、
前記4つのスイッチ回路をそれぞれオンオフ制御する制御回路と、を備え、
前記ブリッジ回路は、
第1入力端子で接続された第1の高電位側スイッチ回路と第1の低電位側スイッチ回路とが直列接続された回路である第1直列回路と、
第2入力端子で接続された第2の高電位側スイッチ回路と第2の低電位側スイッチ回路とが直列接続された回路である第2直列回路と、を有し、
前記第1電源端子が前記第1入力端子に接続される、または、前記第2電源端子が前記第2入力端子に接続されるように、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に前記インダクタと前記入力交流電源との直列回路が接続され、
前記第1直列回路と前記第2直列回路と前記出力コンデンサとが並列に接続され、
前記出力コンデンサの電圧が出力直流電圧として出力され、
前記制御回路は、
前記第1電源端子が前記第2電源端子より高電位となる前記入力交流電圧の正位相時には、前記第1の低電位側スイッチ回路を主スイッチとし、前記第1の高電位側スイッチ回路を従スイッチとして交互にオンオフ駆動し、前記入力交流電圧の絶対値が第2の所定値より高い場合には、前記第2の高電位側スイッチ回路をオフして前記第2の低電位側スイッチ回路をオンし、前記入力交流電圧の絶対値が第2の所定値以下の場合には、前記第2の高電位側スイッチ回路および前記第2の低電位側スイッチ回路の両方をオフ状態とし、
前記第2電源端子が前記第1電源端子より高電位となる前記入力交流電圧の負位相時には、前記第1の高電位側スイッチ回路を主スイッチとし、前記第1の低電位側スイッチ回路を従スイッチとして交互にオンオフ駆動し、前記入力交流電圧の絶対値が第2の所定値より高い場合には、前記第2の高電位側スイッチ回路をオンして前記第2の低電位側スイッチ回路をオフし、前記入力交流電圧の絶対値が第2の所定値以下の場合には、前記第2の高電位側スイッチ回路および前記第2の低電位側スイッチ回路の両方をオフ状態とする、
力率改善コンバータ。 - 前記第2の所定値は、前記正位相時の前記第1の低電位側スイッチ回路または前記負位相時の前記第1の高電位側スイッチ回路である主スイッチの1スイッチング周期に占めるオン時間の割合である時比率(δ)の最大値である最大時比率(δmax)、および、出力直流電圧(Vo)により、((1−δmax)×Vo)に設定される、
請求項8に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第2の高電位側スイッチ回路および前記第2の低電位側スイッチ回路は、
制御端子、第1端子および第2端子を有するトランジスタであり、
前記オン状態は、前記第1端子に対する前記制御端子の電圧が第1の閾値以上の場合、前記第1端子と前記第2端子とが双方向導通状態となる状態であり、
前記オフ状態は、前記第1端子に対する前記制御端子の電圧が前記第1の閾値未満であり、かつ、前記第2端子に対する前記制御端子の電圧が第2の閾値以上の場合、前記第1端子から前記第2端子へ単方向導通する状態である、
請求項8に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第2の高電位側スイッチ回路および前記第2の低電位側スイッチ回路のそれぞれは、
基板の上に形成された第1の窒化物半導体層、および前記第1の窒化物半導体層の上に形成された前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層を含む半導体層積層体と、
前記半導体層積層体の上に形成された前記制御端子と、
前記半導体層積層体の上であって前記制御端子の両側にそれぞれ形成された前記第1端子および前記第2端子と、を備える
請求項10に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第1の窒化物半導体層は、InXGa(1−X)N(0≦X≦1)であり、
前記第2の窒化物半導体層は、AlYInZGa(1−Y−Z)N(0≦Y≦1、0≦Z≦1)である、
請求項11に記載の力率改善コンバータ。 - 前記第2の高電位側スイッチ回路および前記第2の低電位側スイッチ回路のそれぞれは、
前記第1端子と前記第2端子との間にダイオード動作をする寄生素子を有しない、
請求項11に記載の力率改善コンバータ。
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