JP6965658B2 - 近接センサ - Google Patents
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Description
好ましくは、制御演算部は、検出コイルの両端に生じる電圧波形に基づいて、検出コイルのコンダクタンスの大きさに相当する値を算出する。
まず、本実施の形態に係る近接センサ1の構成について説明する。本実施の形態に係る近接センサ1は、検出体Wの有無または位置を検出結果として出力する。検出体Wとしては、金属などの導電性の物体が想定される。
次に、近接センサ1を構成する処理回路20の構成例について説明する。図3は、本実施の形態に係る近接センサ1を構成する処理回路20の構成例を示すブロック図である。
次に、本実施の形態に係る近接センサ1の動作原理について説明する。
次に、本実施の形態に係る近接センサ1における検出処理および温度補償について説明する。
なお、温度補償処理は、上述の数式に限らず、任意の数式を採用できる。また、特性パラメータ42についても、1次元の定数に限らず、複数次元の定数を採用してもよい。さらに、内部温度センサ38により検出された温度を反映して補償量を算出してもよい。
次に、本実施の形態に係る近接センサ1に格納される特性パラメータ42を決定するためのシステム構成および処理手順などについて説明する。このような処理は、近接センサ1の製造工程の一部として実施されてもよい。
図7は、本実施の形態に係る近接センサ1の特性パラメータを決定する方法を説明するための模式図である。図7を参照して、近接センサ1の製造システム100は、1または複数の近接センサ1の特性パラメータを決定する。
次に、本実施の形態に係る近接センサ1に格納される特性パラメータ42を決定および設定するための処理手順について説明する。
次に、本実施の形態に係る近接センサ1に格納される特性パラメータ42を決定するための処理について説明する。
すなわち、対象の近接センサ1から取得された筐体内温度と検出値(例えば、距離出力DISTそのもの、または、距離出力DISTの変動量)との複数の組合せを用いて、上述の(2)式をフィッティングすることで、変数A2,A1,A0を決定でき、それぞれ決定された変数A2,A1,A0により算出される係数kを特性パラメータ42として決定できる。
次に、本実施の形態に係る近接センサ1に格納される特性パラメータ42を決定するために収集される収集データ228の一例について説明する。
本実施の形態に係る近接センサ1は、個々に固有の特性パラメータ42を用いて、デジタル処理により温度補正を実施することで、より安定化したセンシング性能を提供する。従来の近接センサにおいては、固定のパラメータを用いて一律に温度補正が行なわれており、製造工程や部品特性のバラツキ(特に、検出特性の温度変化のバラツキ)により、検出コイル16に生じるコンダクタンスの大きさに変化を生じさせ、これによって、製品状態において出力される検出距離に変動を引き起こしていた。このような検出距離の変動は、検出可能範囲の長距離化を妨げるものとなっていた。
Claims (3)
- 検出体の有無または距離を検出結果として出力する近接センサであって、
筐体と、
検出コイルおよびキャパシタを含む検出部と、
前記検出部を励振する発振回路と、
前記検出部に生じる信号変化を検出し、検出した信号変化を示すデジタル信号を出力するアナログ/デジタル変換回路と、
前記筐体内の温度を検出する温度検出部と、
前記近接センサに固有の特性パラメータが予め格納された記憶部と、
前記アナログ/デジタル変換回路からのデジタル信号を処理することで、前記検出体までの距離を示す信号を算出するとともに、当該算出した信号を前記記憶部に格納されている前記特性パラメータを用いて補償した上で、前記検出結果として出力する制御演算部と、
前記温度検出部により検出された温度を示す信号を外部出力するとともに、前記記憶部に書込まれる前記特性パラメータを受付けるインターフェイス部とを備え、
前記温度検出部は、前記制御演算部と同一基板上に配置される第1の温度センサと、前記第1の温度センサに比較してより前記検出部に近い位置に配置される第2の温度センサとを含む、近接センサ。 - 前記記憶部は、再書込可能な不揮発性記憶装置からなり、前記インターフェイス部により受付けられた特性パラメータが書込まれる、請求項1に記載の近接センサ。
- 前記制御演算部は、前記検出コイルの両端に生じる電圧波形に基づいて、前記検出コイルのコンダクタンスの大きさに相当する値を算出する、請求項1または2に記載の近接センサ。
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