JP6962143B2 - 電圧検出処理装置、画像形成装置、電圧検出処理方法、及びプログラム - Google Patents

Description

本発明は、電圧検出処理装置、画像形成装置、電圧検出処理方法、及びプログラムに関する。

電子写真方式の画像形成装置に用いられる定着ヒータには、例えば、外部電源から交流電力を供給可能なハロゲンヒータが用いられる。ハロゲンヒータは、低温時ほど抵抗が低いという抵抗特性を有しており、その抵抗特性に起因して、通電開始時に突入電流が発生して、外部電源に電圧低下を発生させる。この際、画像形成装置の外部電源と同一の配電線を介して接続されている蛍光灯にちらつきが発生するという問題があった。
このような蛍光灯に発生するちらつきを防止するには、交流電圧の半波の一部位相において、外部電源と定着ヒータを接続するトライアックのＯＮ時間を制御するという位相制御技術が利用されている。
しかし、配線系統のインピーダンスが大きなユーザ先の場合は、蛍光灯のちらつきを抑えることができない場合があった。
この対策として、定着ヒータのＯＮ時とＯＦＦ時の電圧変動から、同一の外部電源に接続されている蛍光灯のちらつきを防止することに特化した制御に切替る制御が知られている。
特許文献１には、ちらつきを抑制することを目的として、定着ヒータに全波通電した場合と非通電の場合との電圧変動率に応じて、位相制御開始から全波通電までの移行時間を変更し、ちらつきを抑制する技術が開示されている。

従来、ちらつき検出処理にあっては、外部電源の電圧変動の大きさのみを判定することで、ちらつきを検出していた。
ところで、外部電源の電圧変動が、８．８〜１０Ｈｚの周波数で発生すると、人間の目はちらつきとして敏感に感じる。すなわち、電圧変動の時間的長さでちらつきの感じ方が変わる。
しかしながら、従来のちらつき検出処理にあっては、電圧変動の時間的長さ（周波数）に対して判定していなかった。
特許文献１にあっても、外部電源の電圧変動の大きさのみでちらつき検出処理を行うので、電圧変動の時間的長さに対して、精度良く判定することができなかった。
本発明の一実施形態は、上記に鑑みてなされたもので、その目的は、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うことにある。

上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、交流電源から定着装置に予め設定された通電パターンで制御する半波制御を用いて供給される交流電圧が低下することに起因して発生するちらつきを、ちらつき検出処理により検出する電圧検出処理装置であって、前記交流電圧の半波毎の実効値を算出する実効値算出手段と、前記実効値算出手段により算出された交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率を算出する電圧変動率算出手段と、前記Ｎの値に応じて、前記ちらつき検出処理の基準になる前記電圧変動率の閾値を予め記憶する閾値記憶手段と、前記電圧変動率算出手段により算出された連続した特定数の半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率が、当該特定数に応じて前記閾値記憶手段から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定するちらつき検出処理手段と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うことができる。

本発明の一実施形態に係る画像形成装置の概略的な機構構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る定着装置とその電源系の構成を示すブロック図である。 本発明の一実施形態に係る電圧検出処理部の機能構成を示す機能ブロック図である。 特許文献１に用いる閾値と、本実施形態に用いる閾値について説明するための図である。 半波が連続した半波数に対する閾値の一例について説明するための表で示す図である。 本発明の一実施形態に係る電圧検出処理部が行う電圧検出処理のメインフローを示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理部によるちらつき検出処理のサブルーチンを示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理［１］のフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理［２］のフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理［３］のフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理［４］のフローチャートである。 本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理［５］のフローチャートである。 （ａ）〜（ｅ）は、ちらつき検出処理［１］［２］について説明するための図である。 ちらつき検出処理のタイミングについて説明するタイミングチャートである。 従来のヒータ点灯制御の概要について説明するタイミングチャートである。 ちらつきに特化した制御の概要について説明するタイミングチャートである。

以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
本発明は、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うために、以下の構成を有する。
すなわち、本発明の電圧検出処理装置は、交流電源から定着装置に予め設定された通電パターンで制御する半波制御を用いて供給される交流電圧が低下することに起因して発生するちらつきを、ちらつき検出処理により検出する電圧検出処理装置であって、交流電圧の半波毎の実効値を算出する実効値算出手段と、実効値算出手段により算出された交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率を算出する電圧変動率算出手段と、Ｎの値に応じて、ちらつき検出処理の基準になる電圧変動率の閾値を予め記憶する閾値記憶手段と、電圧変動率算出手段により算出された連続した特定数の半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶手段から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定するちらつき検出処理手段と、を備えることを特徴とする。
以上の構成を備えることにより、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うことができる。
上記記載の本発明の特徴について、以下の図面を用いて詳細に解説する。 但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
上記の本発明の特徴に関して、以下、図面を用いて詳細に説明する。

＜画像形成装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る画像形成装置の概略的な機構構成を示す断面図である。
図１に示す画像形成装置１は、デジタル複合機から構成され、複写機能、プリンタ機能、及びファクシミリ機能等を有している。
操作部のアプリケーション切り替えキーにより、複写機能、プリンタ機能、及びファクシミリ機能を順次に切り替えて選択することが可能となっており、複写機能の選択時には複写モードとなり、プリンタ機能の選択時にはプリンタモードとなり、ファクシミリモードの選択時にはファクシミリモードとなる。
図１を参照して、画像形成装置１での画像形成の流れについて複写モードを一例にあげて簡単に説明する。
複写モードでは、原稿束が自動原稿送り装置（ＡＤＦ）２により、順に画像読み取り装置３に給送され、画像読み取り装置により、画像情報が読み取られる。そしてその読み取られた画像情報は、画像処理手段を介して書き込みユニット４により光情報に変換され、感光体ドラム５は、帯電器により一様に帯電された後に書き込みユニット４からの光情報で露光されて静電潜像が形成される。
この感光体ドラム５上の静電潜像は、現像装置６により現像されてトナー像となる。このトナー像は、搬送ベルト７により転写紙に転写され、転写紙は、定着装置８によりトナー像が定着され、排出される。

＜定着装置とその制御系のハードウェア構成＞
図２は、本発明の一実施形態に係る定着装置８とその電源系の構成を示すブロック図である。
図２に示すように、定着装置８は定着ヒータ８ａを有し、定着ヒータ８ａへ電力を供給する電源としては交流電源２０を用いることができる。交流電源２０は、定着装置８、電圧検出処理部２２（モジュール）、ゼロクロス検出部２４に供給される。
定着装置８に設けられた定着ヒータ８ａに接続されている電源ライン２６には、電磁リレー２８、トライアック３０（ＴＲＣ）が直列に介在して設けられている。
トライアック３０は、交流電源２０から供給される交流電力を、定着ヒータ制御部３２からの制御信号によってＯＮ／ＯＦＦ制御され、定着ヒータ８ａを点灯／消灯させる。
なお、電磁リレー２８は、画像形成装置１の筐体に設けたドアの開閉に応動するスイッチによって定着ヒータ８ａへの電源ラインを断続する、即ち、ドアを開くと定着ヒータ８ａへの電源供給を切断するという動作を行う。

また、入力電圧を検出するための電圧検出処理部２２を設ける。電圧検出処理部２２は、ＡＤＣ（analog to digital converter）２２ａ、ＣＰＵ（central processing unit）２２ｂ、ＲＯＭ（read only memory）２２ｃ、ＲＡＭ（random access memory）２２ｄ、を備えている。
Ａ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）２２ａは、交流電源２０から入力した交流電圧信号（アナログ電気信号）をデジタルデータ値に変換し、交流電圧値（デジタルデータ値）をＣＰＵ２２ｂへ出力する。
ＣＰＵ２２ｂは、ＲＯＭ２２ｃに予め記憶されるプログラムに従い、ＲＡＭ２２ｄをワークメモリとして用いて、画像形成装置１の全体の動作を制御する。
ＲＯＭ２２ｃは、読み出し専用の不揮発性記憶媒体であり、ファームウェア、及び各種データ、閾値データテーブル（図５）が格納されている。
ＲＡＭ２２ｄは、情報の高速な読み書きが可能な揮発性の記憶媒体であり、ワークメモリとして利用可能である。
電圧検出処理部２２は、配電線が有するインピーダンスＲによって変動した後の電圧実効値を半波ごとに演算し、閾値と比較して、ちらつき検出処理を実行する。

＜電圧検出処理部＞
図３は、本発明の一実施形態に係る電圧検出処理部２２の機能構成を示す機能ブロック図である。
ＣＰＵ２２ｂは、ＲＯＭ２２ｃからファームウェアを読み出して起動し、ファームウェア管理下において、ＲＯＭ２２ｃからアプリケーションソフトウエアのプログラム（処理モジュール）を読み出し、各種処理を実行することで、図３に示す各部を実現する。
電圧検出処理部２２は、実効値算出部４０、電圧変動率算出部４２、ちらつき検出処理部４４、ワークメモリ部４６、閾値記憶部４８を備えている。
実効値算出部４０は、入力された外部電源の交流電圧の瞬時値を積算することにより、１半波毎の実効値を算出する。
電圧変動率算出部４２は、実効値算出部４０により算出された１半波毎の実効値に基づいて、電圧変動率を算出する。
このように、実効値算出部４０によれば、交流電圧の瞬時値を積算することにより半波毎の実効値を算出することができる。
ちらつき検出処理部４４は、電圧変動率算出部４２により算出された連続した特定数の半波の電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶部４８から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定する。
ワークメモリ部４６は、ちらつき検出処理部４４がちらつき検出処理を行う際にワークメモリエリアとしてメモリＩ〜Ｖが利用される。
閾値記憶部４８は、外部電源の交流電圧のＮ個連続した半波数Ｎの値に応じて、ちらつき検出処理の基準になる電圧変動率の閾値Ｖｎを予め記憶する。
定着ヒータ制御部３２は、ちらつき検出処理部４４がちらつきを検出した場合に、ちらつきに特化した位相制御に切替える。

＜特許文献１に用いる閾値と、本実施形態に用いる閾値＞
図４は、特許文献１に用いる閾値と、本実施形態に用いる閾値について説明するための図である。
図４に示すように、特許文献１に用いる閾値は、半波数に依存せずに一定に保たれているため、一定の閾値に対する電圧変動率の大きさの大小比較のみで、ちらつきの有無を判断していた。
これに対して、本実施形態に用いる閾値は、変動電圧の長さを表す半波数に応じて閾値が変化するように設定されている。例えば、半波数が１である場合の閾値よりも、半波数が２である場合の閾値の方が小さく設定されている。
従って、半波数が１である場合、蛍光灯のちらつきに対する耐性が強い、１半波の電圧変動が発生しても、特許文献１では、ちらつきに特化した制御に切り替わる場合がある。
また、半波数が２である場合、蛍光灯のちらつきに対する耐性が弱い、２半波の電圧変動が発生した場合、ちらつきに特化した制御に切替えることができない場合がある。

＜半波数に対する閾値＞
図５は、半波が連続した半波数に対する閾値の一例について説明するための表で示す図である。
図５には、半波数欄、電圧変動の周波数欄（外部電源５０Ｈｚ）、電圧変動率の閾値欄が設けられ、半波数（１〜７，・・・）に対応した電圧変動の周波数、電圧変動率の閾値がそれぞれ閾値テーブルとして閾値記憶部４８に記憶されている。
１半波の電圧変動に比べて、２半波の電圧変動である場合の方が、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数範囲である８．８〜１０Ｈｚに近い電圧変動なので、蛍光灯のちらつきに対する耐性が弱い。
従って、ちらつき検出の電圧変動率の閾値は、８．８〜１０Ｈｚ付近の５〜６半波に近いほど、低く設定している。
電圧変動率の閾値は、２半波、３半波、４半波の場合の方が低く設定している。
なお、電圧変動率は、基準となる半波の電圧実効値から現在半波の電圧実効値を減算した値を、基準となる半波の電圧実効値で除算した値に１００を乗算した値であり、次の式（１）で求める。
｛（基準となる半波の電圧実効値―現在半波の電圧実効値）／基準となる半波の電圧実効値｝×１００ 式（１）
なお、電圧変動率が正の場合は、基準となる半波の電圧実効値から電圧が降下したことになり、電圧変動率が負の場合は、基準となる半波の電圧実効値から電圧が上昇したことになる。
このように、連続した半波の数Ｎの値が特定数に向かって大きくなるほど閾値が小さくなるように設定されていることで、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができる。

＜電圧検出処理＞
図６は、本発明の一実施形態に係る電圧検出処理部２２が行う電圧検出処理のメインフローを示すフローチャートである。
はじめに、ステップＳ１では、初期化処理として、ちらつき検出処理に用いる全てのちらつき検出フラグ、半波電圧変動検出フラグ、メモリＩ〜Ｖをリセット（０）する。
ステップＳ５では、ゼロクロスポイントまで待機し、ゼロクロスポイントに到達した場合にステップＳ１０に進み、実効値算出部４０は、１半波の交流電圧の実効値を算出する。
ステップＳ１５では、電圧変動率算出部４２は、実効値算出部４０により算出された１半波毎の実効値に基づいて、電圧変動率を算出する。
このように、交流電圧の半波毎の実効値の差に基づいて、電圧変動率を算出することができる。 また、交流電圧の瞬時値を積算することにより半波毎の実効値を算出することができる。
次に、ステップＳ２０では、ちらつき検出処理部４４は、ちらつき検出処理のサブルーチン（図７）をコールして、サブルーチンの処理に移行する。 サブルーチンでは、半波の交流電圧の実効値を用いて、ちらつき検出処理を行い、ちらつきが検出された場合は、ちらつき検出フラグを１とする。
ステップＳ２５では、ちらつきが検出された場合（ちらつき検出フラグ＝１の場合）は、ステップＳ３０に進み、ちらつきに特化した制御に切替える。 一方、ちらつきが検出されない場合（Ｓ２５、Ｎｏ）は、ステップＳ５に戻り、再度半波ごとの実効値を算出するために、ゼロクロスポイントまで待機に戻る。
このように、ちらつきが発生したこととして判定された場合に、電力の位相制御動作に移行して、定着ヒータ８ａに電力を断続して供給することで、ちらつきの発生を抑制することができる。

＜ちらつき検出処理のサブルーチン＞
図７は、本発明の一実施形態に係るちらつき検出処理部４４によるちらつき検出処理のサブルーチンを示すフローチャートである。
ちらつき検出処理のサブルーチンは、さらに７つのサブルーチンとして、ちらつき検出処理［１］〜［５］の各サブルーチンＳ１００〜Ｓ５００により構成されている。

＜ちらつき検出処理［１］〜［５］の概要説明＞
図８〜図１２は、それぞれ、ちらつき検出処理［１］〜［５］のフローチャートである。
図８〜図１２は、ちらつき検出処理の一例として、１〜５半波までの電圧変動において、ちらつきを検出する際の動作を示している。
図８〜図１２に示すステップに記載されたＶ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５は、ちらつき検出処理部４４が閾値記憶部４８から取得した、それぞれ１半波〜５半波に対する電圧変動率の閾値を示している。
また、２〜５半波電圧変動検出フラグは、ちらつき検出処理部４４が２半波〜５半波の電圧変動率の閾値を超える電圧降下があった場合は−１とし、電圧降下が連続した場合はさらに−１を加えることを意味する。
一方、ちらつき検出処理部４４は、２半波〜５半波の電圧変動率の閾値を超える電圧上昇があった場合は＋１とし、電圧上昇が連続した場合はさらに＋１を加えることを意味する。
すなわち、２〜５半波電圧変動検出フラグは、連続して発生した電圧変動をカウントした値である。
また、ワークメモリ部４６には、ワークメモリエリアにメモリＩ〜Ｖが設けられ、ちらつき検出処理の各ステップによりそれぞれ電圧値が保存される。

＜ちらつき検出処理［１］＞
図１３（ａ）〜（ｅ）は、ちらつき検出処理［１］［２］について説明するための図である。
図１３（ａ）（ｂ）を参照して、ちらつき検出処理部４４による、図８に示すちらつき検出処理［１］について説明する。
始めに、ちらつき検出処理［１］では、算出された半波の実効値（以下、電圧値という）から、予め設定された１半波の電圧変動率の閾値（Ｖ１）以上の電圧変動率が発生したか否かを確認する。
ステップＳ１０５では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ１％以上か否かを判定することで、閾値＋Ｖ１％以上の電圧変動があるかを確認する。
例えば、図１３（ａ）を参照して、電圧値が１００Ｖから半波後に９０Ｖに電圧降下すると、１半波において１０Ｖ下降することを表す。
ステップＳ１０５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ１以上である場合（Ｙｅｓ）、電圧降下によるちらつきが発生したこととして、ステップＳ１１５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。
一方、ステップＳ１０５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ１未満の場合（Ｎｏ）、電圧降下は発生していないこととして、ステップＳ１１０に進む。

ステップＳ１１０では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ１％以下か否かを判定することで、閾値−Ｖ１％以下の電圧変動があるかを確認する。
例えば、図１３（ｂ）を参照して、電圧値が１００Ｖから半波後に１１０Ｖに電圧上昇すると、１半波において１０Ｖ上昇することを表す。
ステップＳ１１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ１％以下の場合（Ｙｅｓ）、ステップＳ１１５に進み、電圧上昇が発生したこととして、ちらつき検出フラグを＋１とする。
一方、ステップＳ１１０において、電圧降下が発生していない場合（Ｎｏ）、復帰する。

＜ちらつき検出処理［２］＞
図１３（ｃ）（ｄ）（ｅ）を参照して、ちらつき検出処理部４４による、図９に示すちらつき検出処理［２］について説明する。
ちらつき検出処理［２］では、予め設定された２半波の電圧変動率の閾値（Ｖ２）以上の電圧変動率が発生したか否かを確認する。
ステップＳ２０５では、２半波電圧変動検出フラグ＝０か否かを判定することで、２半波電圧変動検出フラグが０になっているか否かを確認する。
ステップＳ２０５において、２半波電圧変動検出フラグ＝０のとき、すなわち、直前に閾値Ｖ２％以上の電圧変動がない場合（Ｙｅｓ）は、ステップＳ２１０に進む。
ステップＳ２０５において、２半波電圧変動検出フラグ＝０以外の場合（Ｎｏ）、すなわち、直前に閾値±Ｖ２％以上の電圧変動があった場合は、ステップＳ２２０に進む。

ステップＳ２１０では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ２％以上か否かを判定することで、閾値＋Ｖ２％以上の電圧降下があるか否かを確認する。
ステップＳ２１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ２％以上の場合（Ｙｅｓ）、電圧降下が発生したこととして、ステップＳ２５５に進み、２半波電圧変動検出フラグに−１を加え、ステップＳ２６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＩに保存する。
例えば、図１３（ｃ）を参照して、閾値＋Ｖ２％以上の電圧降下がある場合、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＩに保存する。
ステップＳ２１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ２％未満の場合（Ｎｏ）、電圧降下はないこととして、ステップＳ２１５に進む。

ステップＳ２１５では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ２以下か否かを判定することで、閾値−Ｖ２％以下の電圧変動があるか否かを確認する。
ステップＳ２１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ２％以下の場合（Ｙｅｓ）、電圧上昇が発生したこととして、ステップＳ２６０に進み、２半波電圧変動検出フラグに＋１を加え、ステップＳ２６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＩに保存する。
ステップＳ２１５において、閾値−Ｖ２％以下ではない場合（Ｎｏ）、電圧上昇はないこととして、復帰する。

ステップＳ２２０では、２半波電圧変動検出フラグ＝−１か否かを判定することで、２半波電圧変動検出フラグが−１（直前に1半波での電圧降下があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ２２０において、２半波電圧変動検出フラグが−１の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波での電圧降下があった場合、ステップＳ２２５に進む。
ステップＳ２２０において、２半波電圧変動検出フラグが−１ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ２３０に進む。

ステップＳ２２５では、メモリＩＩの電圧値との差が閾値Ｖ２％以上か否かを判定することで、２半波連続で電圧が降下するか否かを確認する。
ステップＳ２２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ２％以上の場合（Ｙｅｓ）、２半波連続で電圧が降下したこととして、ステップＳ２７０に進み、２半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
例えば、図１３（ｄ）を参照して、メモリＩＩの電圧値との差が閾値Ｖ２％以上である場合、２半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ２２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ２％未満の場合（Ｎｏ）、２半波連続の電圧降下は発生しなかったこととして、ステップＳ２７５に進み、２半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ２０５に戻る。

ステップＳ２３０では、２半波電圧変動検出フラグ＝＋１か否かを判定することで、２半波電圧変動検出フラグが＋１（直前に1半波での電圧上昇があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ２３０において、２半波電圧変動検出フラグが＋１の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波での電圧上昇があった場合、ステップＳ２３５に進む。
ステップＳ２３０において、２半波電圧変動検出フラグが＋１ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ２４０に進む。

ステップＳ２３５では、メモリＩＩの電圧値との差が閾値−Ｖ２％以下か否かを判定することで、２半波連続で電圧が上昇するか否かを確認する。
ステップＳ２３５において、メモリＩＩの電圧値との差が閾値−Ｖ２％以下の場合（Ｙｅｓ）、２半波連続で電圧が上昇したこととして、ステップＳ２８０に進み、２半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ２３５において、メモリＩＩの電圧値との差が閾値−Ｖ２％以下ではない場合（Ｎｏ）、２半波連続の電圧上昇は発生しなかったこととして、ステップＳ２７５に進み、２半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ２０５に戻る。

ステップＳ２４０では、２半波電圧変動検出フラグ＝−２か否かを判定することで、２半波電圧変動検出フラグが−２、すなわち、直前に２連続の電圧降下があった場合か否かを確認する。
ステップＳ２４０において、２半波電圧変動検出フラグ＝−２の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に２連続の電圧降下があった場合は、ステップＳ２４５に進む。
ステップＳ２４０において、２半波電圧変動検出フラグ＝−２ではない場合（Ｎｏ）、２半波電圧変動検出フラグが＋２とみなし、ステップＳ２５０に進む。

ステップＳ２４５では、現在の検出値から１半波前の電圧を減算した値が、メモリＩＩの電圧値に閾値Ｖ２％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［検出値−１半波前の電圧］≧［メモリＩＩ×Ｖ２％］ 式（２）
か否かを判定することで、２半波連続で、閾値Ｖ２の電圧降下が発生してから、メモリＩＩの電圧値を基準とした閾値Ｖ２％以上の上昇が発生するか否かを確認する。
ステップＳ２４５において、式（２）が成立する場合（Ｙｅｓ）、２半波連続の電圧降下による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ２８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらにステップＳ２９０に進み、２半波電圧変動検出フラグの値とメモリＩＩの電圧値をリセットする。
例えば、図１３（ｅ）を参照して、２半波連続で、閾値Ｖ２の電圧降下が発生してから、メモリＩＩの電圧値を基準とした閾値Ｖ２％以上の上昇が発生する場合、ちらつき検出フラグを＋１とする。
一方、ステップＳ２４５において、式（２）が成立しない場合（Ｎｏ）、２半波連続の電圧降下によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ２７５に進み、２半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ２０５に戻る。

ステップＳ２５０では、１半波前の電圧から現在の検出値を減算した値が、メモリＩＩＩの電圧値に閾値Ｖ２％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［１半波前の電圧−検出値］≧［メモリＩＩＩ×Ｖ２％］ 式（３）
か否かを判定することで、２半波連続で、閾値Ｖ２の電圧上昇が発生してから、メモリＩＩＩの電圧値を基準とした閾値Ｖ２％以上の降下が発生するか否かを確認する。
ステップＳ２５０において、式（３）が成立する場合（Ｙｅｓ）、２半波連続の電圧上昇による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ２８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらに、ステップＳ２９０に進み、２半波電圧変動検出フラグとメモリＩＩの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ２５０において、式（３）が成立しない場合（Ｎｏ）、２半波連続の電圧上昇によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ２７５に進み、２半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ２０５に戻る。

＜ちらつき検出処理［３］＞
図１０を参照して、ちらつき検出処理部４４による、ちらつき検出処理［３］について説明する。
ちらつき検出処理［３］では、予め設定された２半波の電圧変動率の閾値（Ｖ２）以上の電圧変動率が発生したか否かを確認する。
ステップＳ３０５では、３半波電圧変動検出フラグ＝０か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが０になっているか否かを確認する。
ステップＳ３０５において、３半波電圧変動検出フラグ＝０のとき、すなわち、直前に閾値Ｖ３％以上の電圧変動がない場合（Ｙｅｓ）は、ステップＳ３１０に進む。
ステップＳ３０５において、３半波電圧変動検出フラグ＝０以外の場合（Ｎｏ）、すなわち、直前に閾値±Ｖ３％以上の電圧変動があった場合は、ステップＳ３２０に進む。

ステップＳ３１０では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ３％以上か否かを判定することで、閾値＋Ｖ３％以上の電圧降下があるか否かを確認する。
ステップＳ３１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ３％以上の場合（Ｙｅｓ）、電圧降下が発生したこととして、ステップＳ３５５に進み、３半波電圧変動検出フラグに−１を加え、ステップＳ３６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＩＩに保存する。
ステップＳ３１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ３％未満の場合（Ｎｏ）、電圧降下はないこととして、ステップＳ３１５に進む。

ステップＳ３１５では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ３以下か否かを判定することで、閾値−Ｖ３％以下の電圧変動があるか否かを確認する。
ステップＳ３１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ３％以下の場合（Ｙｅｓ）、電圧上昇が発生したこととして、ステップＳ３６０に進み、３半波電圧変動検出フラグに＋１を加え、ステップＳ３６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＩＩに保存する。
ステップＳ３１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ３％以下ではない場合（Ｎｏ）、電圧上昇はないこととして、復帰する。

ステップＳ３２０では、３半波電圧変動検出フラグ＝（−１ｏｒ−２）か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが（−１ｏｒ−２）（直前に1半波で又は２半波の電圧降下があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ３２０において、３半波電圧変動検出フラグが（−１ｏｒ−２）の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波又は２半波の電圧降下があった場合、ステップＳ３２５に進む。
ステップＳ３２０において、３半波電圧変動検出フラグが（−１ｏｒ−２）ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ３３０に進む。

ステップＳ３２５では、メモリＩＩＩの電圧値との差が閾値Ｖ３％以上か否かを判定することで、３半波連続で電圧が降下するか否かを確認する。
ステップＳ３２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ３％以上の場合（Ｙｅｓ）、３半波連続で電圧が降下したこととして、ステップＳ３７０に進み、３半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ３２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ３％未満の場合（Ｎｏ）、３半波連続の電圧降下は発生しなかったこととして、ステップＳ３７５に進み、３半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ３０５に戻る。

ステップＳ３３０では、３半波電圧変動検出フラグ＝（＋１ｏｒ＋２）か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが（＋１ｏｒ＋２）（直前に1半波又は２半波の電圧上昇があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ３３０において、３半波電圧変動検出フラグが（＋１ｏｒ＋２）の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波又は２半波の電圧上昇があった場合、ステップＳ３３５に進む。
ステップＳ３３０において、３半波電圧変動検出フラグが（＋１ｏｒ＋２）ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ３４０に進む。

ステップＳ３３５では、メモリＩＩＩの電圧値との差が閾値−Ｖ３％以下か否かを判定することで、３半波連続で電圧が上昇するか否かを確認する。
ステップＳ３３５において、メモリＩＩＩの電圧値との差が閾値−Ｖ３％以下の場合（Ｙｅｓ）、３半波連続で電圧が上昇したこととして、ステップＳ３８０に進み、２半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ３３５において、メモリＩＩＩの電圧値との差が閾値−Ｖ３％以下ではない場合（Ｎｏ）、３半波連続の電圧上昇は発生しなかったこととして、ステップＳ３７５に進み、３半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ３０５に戻る。

ステップＳ３４０では、３半波電圧変動検出フラグ＝−３か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが−３、すなわち、直前に３連続の電圧降下があった場合か否かを確認する。
ステップＳ３４０において、３半波電圧変動検出フラグ＝−３の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に３連続の電圧降下があった場合は、ステップＳ３４５に進む。
ステップＳ３４０において、３半波電圧変動検出フラグ＝−３ではない場合（Ｎｏ）、３半波電圧変動検出フラグが＋３とみなし、ステップＳ３５０に進む。

ステップＳ３４５では、現在の検出値から１半波前の電圧を減算した値が、メモリＩＩＩの電圧値に閾値Ｖ３％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［検出値−１半波前の電圧］≧［メモリＩＩＩ×Ｖ３％］ 式（４）
か否かを判定することで、３半波連続で、閾値Ｖ３の電圧降下が発生してから、メモリＩＩＩの電圧値を基準とした閾値Ｖ３％以上の上昇が発生するか否かを確認する。
ステップＳ３４５において、式（４）が成立する場合（Ｙｅｓ）、３半波連続の電圧降下による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ３８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらにステップＳ３９０に進み、３半波電圧変動検出フラグの値とメモリＩＩＩの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ３４５において、式（４）が成立しない場合（Ｎｏ）、３半波連続の電圧降下によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ３７５に進み、３半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ３０５に戻る。

ステップＳ３５０では、１半波前の電圧から現在の検出値を減算した値が、メモリＩＩの電圧値に閾値Ｖ３％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［１半波前の電圧−検出値］≧［メモリＩＩＩ×Ｖ３％］ 式（５）
か否かを判定することで、３半波連続で、閾値Ｖ３の電圧上昇が発生してから、メモリＩＩＩの電圧値を基準とした閾値Ｖ３％以上の降下が発生するか否かを確認する。
ステップＳ３５０において、式（５）が成立する場合（Ｙｅｓ）、３半波連続の電圧上昇による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ３８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらに、ステップＳ３９０に進み、３半波電圧変動検出フラグとメモリＩＩの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ３５０において、式（５）が成立しない場合（Ｎｏ）、３半波連続の電圧上昇によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ３７５に進み、３半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ３０５に戻る。

＜ちらつき検出処理［４］＞
図１１を参照して、ちらつき検出処理部４４による、ちらつき検出処理［４］について説明する。
ちらつき検出処理［４］では、予め設定された４半波の電圧変動率の閾値（Ｖ４）以上の電圧変動率が発生したか否かを確認する。
ステップＳ４０５では、４半波電圧変動検出フラグ＝０か否かを判定することで、４半波電圧変動検出フラグが０になっているか否かを確認する。
ステップＳ４０５において、４半波電圧変動検出フラグ＝０のとき、すなわち、直前に閾値Ｖ４％以上の電圧変動がない場合（Ｙｅｓ）は、ステップＳ４１０に進む。
ステップＳ４０５において、４半波電圧変動検出フラグ＝０以外の場合（Ｎｏ）、すなわち、直前に閾値±Ｖ４％以上の電圧変動があった場合は、ステップＳ４２０に進む。

ステップＳ４１０では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ４％以上か否かを判定することで、閾値＋Ｖ４％以上の電圧降下があるか否かを確認する。
ステップＳ４１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ４％以上の場合（Ｙｅｓ）、電圧降下が発生したこととして、ステップＳ４５５に進み、４半波電圧変動検出フラグに−１を加え、ステップＳ４６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＶに保存する。
ステップＳ４１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ４％未満の場合（Ｎｏ）、電圧降下はないこととして、ステップＳ４１５に進む。

ステップＳ４１５では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ４以下か否かを判定することで、閾値−Ｖ４％以下の電圧変動があるか否かを確認する。
ステップＳ４１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ４％以下の場合（Ｙｅｓ）、電圧上昇が発生したこととして、ステップＳ４６０に進み、４半波電圧変動検出フラグに＋１を加え、ステップＳ４６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＩＶに保存する。
ステップＳ４１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ４％以下ではない場合（Ｎｏ）、電圧上昇はないこととして、復帰する。

ステップＳ４２０では、４半波電圧変動検出フラグ＝−１〜−３か否かを判定することで、４半波電圧変動検出フラグが−１〜−３（直前に1半波〜３半波の電圧降下があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ４２０において、４半波電圧変動検出フラグが−１〜−３の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波〜３半波の電圧降下があった場合、ステップＳ４２５に進む。
ステップＳ４２０において、４半波電圧変動検出フラグが−１〜−３ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ４３０に進む。

ステップＳ４２５では、メモリＩＶの電圧値との差が閾値Ｖ４％以上か否かを判定することで、４半波連続で電圧が降下するか否かを確認する。
ステップＳ４２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ４％以上の場合（Ｙｅｓ）、４半波連続で電圧が降下したこととして、ステップＳ４７０に進み、４半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ４２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ４％未満の場合（Ｎｏ）、４半波連続の電圧降下は発生しなかったこととして、ステップＳ４７５に進み、４半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ４０５に戻る。

ステップＳ４３０では、３半波電圧変動検出フラグ＝＋１〜＋３か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが＋１〜＋３（直前に1半波〜３半波の電圧上昇があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ４３０において、３半波電圧変動検出フラグが＋１〜＋３の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波〜３半波の電圧上昇があった場合、ステップＳ４３５に進む。
ステップＳ４３０において、３半波電圧変動検出フラグが＋１〜＋３ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ４４０に進む。

ステップＳ４３５では、メモリＩＶの電圧値との差が閾値−Ｖ４％以下か否かを判定することで、４半波連続で電圧が上昇するか否かを確認する。
ステップＳ４３５において、メモリＩＶの電圧値との差が閾値−Ｖ４％以下の場合（Ｙｅｓ）、４半波連続で電圧が上昇したこととして、ステップＳ４８０に進み、４半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ４３５において、メモリＩＶの電圧値との差が閾値−Ｖ４％以下ではない場合（Ｎｏ）、４半波連続の電圧上昇は発生しなかったこととして、ステップＳ４７５に進み、４半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ４０５に戻る。

ステップＳ４４０では、３半波電圧変動検出フラグ＝−４か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが−４、すなわち、直前に４連続の電圧降下があった場合か否かを確認する。
ステップＳ４４０において、３半波電圧変動検出フラグ＝−４の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に４連続の電圧降下があった場合は、ステップＳ４４５に進む。
ステップＳ４４０において、３半波電圧変動検出フラグ＝−４ではない場合（Ｎｏ）、３半波電圧変動検出フラグが＋４とみなし、ステップＳ４５０に進む。

ステップＳ４４５では、現在の検出値から１半波前の電圧を減算した値が、メモリＩＶの電圧値に閾値Ｖ４％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［検出値−１半波前の電圧］≧［メモリＩＶ×Ｖ４％］ 式（６）
か否かを判定することで、４半波連続で、閾値Ｖ４の電圧降下が発生してから、メモリＩＶの電圧値を基準とした閾値Ｖ４％以上の上昇が発生するか否かを確認する。
ステップＳ４４５において、式（６）が成立する場合（Ｙｅｓ）、４半波連続の電圧降下による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ４８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらにステップＳ４９０に進み、４半波電圧変動検出フラグの値とメモリＩＶの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ４４５において、式（６）が成立しない場合（Ｎｏ）、４半波連続の電圧降下によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ４７５に進み、４半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ４０５に戻る。

ステップＳ４５０では、１半波前の電圧から現在の検出値を減算した値が、メモリＩＶの電圧値に閾値Ｖ４％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［１半波前の電圧−検出値］≧［メモリＩＶ×Ｖ４％］ 式（７）
か否かを判定することで、４半波連続で、閾値Ｖ４の電圧上昇が発生してから、メモリＩＶの電圧値を基準とした閾値Ｖ４％以上の降下が発生するか否かを確認する。
ステップＳ４５０において、式（７）が成立する場合（Ｙｅｓ）、４半波連続の電圧上昇による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ４８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらに、ステップＳ４９０に進み、４半波電圧変動検出フラグとメモリＩＶの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ４５０において、式（７）が成立しない場合（Ｎｏ）、４半波連続の電圧上昇によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ４７５に進み、４半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ４０５に戻る。

＜ちらつき検出処理［５］＞
図１２を参照して、ちらつき検出処理部４４による、ちらつき検出処理［５］について説明する。
ちらつき検出処理［５］では、予め設定された５半波の電圧変動率の閾値（Ｖ５）以上の電圧変動率が発生したか否かを確認する。
ステップＳ５０５では、５半波電圧変動検出フラグ＝０か否かを判定することで、５半波電圧変動検出フラグが０になっているか否かを確認する。
ステップＳ５０５において、５半波電圧変動検出フラグ＝０のとき、すなわち、直前に閾値Ｖ５％以上の電圧変動がない場合（Ｙｅｓ）は、ステップＳ５１０に進む。
ステップＳ５０５において、５半波電圧変動検出フラグ＝０以外の場合（Ｎｏ）、すなわち、直前に閾値±Ｖ５％以上の電圧変動があった場合は、ステップＳ５２０に進む。

ステップＳ５１０では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ５％以上か否かを判定することで、閾値＋Ｖ５％以上の電圧降下があるか否かを確認する。
ステップＳ５１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ５％以上の場合（Ｙｅｓ）、電圧降下が発生したこととして、ステップＳ５５５に進み、５半波電圧変動検出フラグに−１を加え、ステップＳ５６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＶに保存する。
ステップＳ５１０において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値＋Ｖ５％未満の場合（Ｎｏ）、電圧降下はないこととして、ステップＳ５１５に進む。

ステップＳ５１５では、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ５以下か否かを判定することで、閾値−Ｖ５％以下の電圧変動があるか否かを確認する。
ステップＳ５１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ５％以下の場合（Ｙｅｓ）、電圧上昇が発生したこととして、ステップＳ５６０に進み、２半波電圧変動検出フラグに＋１を加え、ステップＳ５６５に進み、１半波前に得られた電圧値をメモリＶに保存する。
ステップＳ５１５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値−Ｖ５％以下ではない場合（Ｎｏ）、電圧上昇はないこととして、復帰する。

ステップＳ５２０では、５半波電圧変動検出フラグ＝（−１〜−５）か否かを判定することで、５半波電圧変動検出フラグが（−１〜−５）（直前に1半波〜５半波の電圧降下があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ５２０において、５半波電圧変動検出フラグが（−１〜−５）の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波〜５半波の電圧降下があった場合、ステップＳ５２５に進む。
ステップＳ５２０において、５半波電圧変動検出フラグが（−１〜−５）ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ５３０に進む。

ステップＳ５２５では、メモリＶの電圧値との差が閾値Ｖ５％以上か否かを判定することで、５半波連続で電圧が降下するか否かを確認する。
ステップＳ５２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ５％以上の場合（Ｙｅｓ）、５半波連続で電圧が降下したこととして、ステップＳ５７０に進み、５半波電圧変動検出フラグに−１を加える。
ステップＳ５２５において、現在の電圧値と１半波前の電圧値との差（電圧変動率）が閾値Ｖ５％未満の場合（Ｎｏ）、５半波連続の電圧降下は発生しなかったこととして、ステップＳ５７５に進み、５半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ５０５に戻る。

ステップＳ５３０では、３半波電圧変動検出フラグ＝＋１〜＋４か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが＋１〜＋４（直前に1半波の電圧上昇があった場合）か否かを確認する。
ステップＳ５３０において、３半波電圧変動検出フラグが＋１〜＋４の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に1半波〜４半波の電圧上昇があった場合、ステップＳ５３５に進む。
ステップＳ５３０において、３半波電圧変動検出フラグが＋１〜＋４ではない場合（Ｎｏ）、ステップＳ５４０に進む。

ステップＳ５３５では、メモリＶの電圧値との差が閾値−Ｖ５％以下か否かを判定することで、５半波連続で電圧が上昇するか否かを確認する。
ステップＳ５３５において、メモリＶの電圧値との差が閾値−Ｖ５％以下の場合（Ｙｅｓ）、５半波連続で電圧が上昇したこととして、ステップＳ５８０に進み、５半波電圧変動検出フラグに＋１を加える。
ステップＳ５３５において、メモリＶの電圧値との差が閾値−Ｖ５％以下ではない場合（Ｎｏ）、５半波連続の電圧上昇は発生しなかったこととして、ステップＳ５７５に進み、５半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ５０５に戻る。

ステップＳ５４０では、３半波電圧変動検出フラグ＝−５か否かを判定することで、３半波電圧変動検出フラグが−５、すなわち、直前に５連続の電圧降下があった場合か否かを確認する。
ステップＳ５４０において、３半波電圧変動検出フラグ＝−５の場合（Ｙｅｓ）、すなわち、直前に５連続の電圧降下があった場合は、ステップＳ５４５に進む。
ステップＳ５４０において、３半波電圧変動検出フラグ＝−５ではない場合（Ｎｏ）、５半波電圧変動検出フラグが＋２とみなし、ステップＳ５５０に進む。

ステップＳ５４５では、現在の検出値から１半波前の電圧を減算した値が、メモリＶの電圧値に閾値Ｖ５％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［検出値−１半波前の電圧］≧［メモリＶ×Ｖ５％］ 式（８）
か否かを判定することで、２半波連続で、閾値Ｖ２の電圧降下が発生してから、メモリＶの電圧値を基準とした閾値Ｖ５％以上の上昇が発生するか否かを確認する。
ステップＳ５４５において、式（８）が成立する場合（Ｙｅｓ）、２半波連続の電圧降下による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ５８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらにステップＳ５９０に進み、５半波電圧変動検出フラグの値とメモリＩＩＩの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ５４５において、式（８）が成立しない場合（Ｎｏ）、５半波連続の電圧降下によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ５７５に進み、５半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ５０５に戻る。

ステップＳ５５０では、１半波前の電圧から現在の検出値を減算した値が、メモリＶの電圧値に閾値Ｖ５％を乗算した値以上か否か、すなわち、
［１半波前の電圧−検出値］≧［メモリＶ×Ｖ５％］ 式（９）
か否かを判定することで、５半波連続で、閾値Ｖ５の電圧上昇が発生してから、メモリＶの電圧値を基準とした閾値Ｖ５％以上の降下が発生するか否かを確認する。
ステップＳ５５０において、式（９）が成立する場合（Ｙｅｓ）、５半波連続の電圧上昇による、ちらつきが発生したこととして、ステップＳ５８５に進み、ちらつき検出フラグを＋１とする。さらに、ステップＳ５９０に進み、５半波電圧変動検出フラグとメモリＶの電圧値をリセットする。
一方、ステップＳ５５０において、式（９）が成立しない場合（Ｎｏ）、５半波連続の電圧上昇によるちらつきは発生しないこととして、ステップＳ５７５に進み、５半波電圧変動検出フラグをリセットし、ステップＳ５０５に戻る。
ステップＳ５９５では、１波前の電圧実効率をメモリＩに保存する。
このように、交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動率を算出しておき、連続した特定数の半波の電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶部４８から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定することで、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うことができる。

＜ちらつき検出処理のタイミング＞
図１４は、ちらつき検出処理部４４による、ちらつき検出処理のタイミングについて説明するタイミングチャートである。
図１４は、ちらつき検出実施のタイミングを示している。一例として、外部電源５０Ｈｚ時に、５半波連続して、５半波電圧変動率閾値Ｖ５を超過した場合を取り上げている。
外部電源のゼロクロスのタイミングにおいて、１０ｍｓ毎に、図６に示すステップＳ２０において、１半波の電圧実効値を算出し、その実効値の変動率に基づいて、ちらつき検出処理を実行する。
図１４に示す５半波電圧変動率閾値Ｖ５に対して、５半波連続で電圧変動率が超過した場合に、時刻９０ｍｓにおいて、ちらつきが発生したこととして判定する。
そして、ちらつきが発生したことを、定着ヒータ８ａを制御する定着ヒータ制御部３２のＣＰＵ３２ａに通知する。定着ヒータ制御部３２のＣＰＵ３２ａでは、ちらつきに特化した制御に切替えを実行する。
このように、交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動率を算出しておき、連続した特定数の半波の電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶部４８から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定することで、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うことができる。
また、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数である８．８〜１０Ｈｚを考慮して特定数を表すＮの値と閾値との関連付けが設定されていることで、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数でのちらつきを検出することができる。

＜従来のヒータ点灯制御による制御周期＞
図１５は、従来のヒータ点灯制御（半波制御）の概要について説明するタイミングチャートである。
図１５は通常のヒータ点灯制御の一例についてタイミングチャートで示しており、特に、図１５に示す塗りつぶした領域がハロゲンヒータの点灯に相当する部分である。
近年、ヒータ点灯のある制御周期（図１５では２０半波）に対し、予め設定された全点灯または全消灯が割り当てられた通電パターンで制御する半波制御が用いられる。
半波制御では、要求されるヒータ電力に対する点灯パターンを予め設定しておき、その電力に対する点灯パターンで定着ヒータを点灯させる。
半波制御は、短い制御周期で要求されるヒータ電力を供給できるため、定着性に優れていることが特徴である。
半波制御の実施前後には、ちらつきを抑制する目的で、ソフトスタート／ソフトストップを実施することがあるが、半波制御は、全点灯と全消灯が繰り返されるので、一般的にちらつきに不利になる。

＜ちらつきに特化した制御周期＞
図１６は、定着ヒータ制御部３２による、ちらつきに特化した制御の概要について説明するタイミングチャートである。
図１６は、ちらつきに特化した制御の一例について説明している。塗りつぶした領域がハロゲンヒータの点灯に相当する部分である。
ちらつきに特化した制御の一例としては、あるヒータ制御の周期内において、全波点灯前にちらつきを抑制する目的でソフトスタート期間を設け、全波点灯後にソフトストップ期間を設けた、ソフトスタート／ソフトストップと全波点灯を組み合わせた制御があげられる。
定着ヒータ制御部３２により実行されるソフトスタートでは、図２に示すトライアック３０を定着ヒータ制御部３２から出力された制御信号によって交流電圧の半波長の一部期間のみ定着ヒータ８ａをＯＮし、ＯＮ時間を徐々に長くすることで、定着ヒータ８ａの突入電流を抑制し、ちらつき発生の原因となる電圧変動を低下できる。

また、定着ヒータ制御部３２により実行されるソフトストップでは、定着ヒータ制御部３２から出力された制御信号のＯＮ時間を徐々に短くすることで、全波点灯から非点灯に移行する際の電圧変動を抑制できる。
定着ヒータ制御部３２により実行される制御では、図１６に示す全波点灯時間を調整することで、要求されるヒータ電力に対する電力を供給する。
図１６に示すように、制御周期内において、ソフトスタート、及びソフトストップを実施するので、制御周期を長くとる必要があり、定着装置８における定着性に不利がある。しかしながら、従来のような半波毎の制御と異なり、全点灯と全消灯が繰り返されることがないので、本実施形態による制御を用いれば、８．８〜１０Ｈｚの周波数で発生する人間の目に敏感に感じるちらつきを抑制することができる。
このように、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数である８．８〜１０Ｈｚを考慮して特定数を表すＮの値と閾値との関連付けが設定されていることで、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数でのちらつきを検出することができる。
また、ちらつきが発生したこととして判定された場合に、電力の位相制御動作に移行して、定着ヒータ８ａに電力を断続して供給することで、ちらつきの発生を抑制することができる。

＜本実施形態の態様例の作用、効果のまとめ＞
＜第１態様＞
本態様の電圧検出処理部２２は、交流電源２０から定着装置８に予め設定された通電パターンで制御する半波制御を用いて供給される交流電圧が低下することに起因して発生するちらつきを、ちらつき検出処理により検出する電圧検出処理部２２であって、交流電圧の半波毎の実効値を算出する実効値算出部４０と、実効値算出部４０により算出された交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率を算出する電圧変動率算出部４２と、Ｎの値に応じて、ちらつき検出処理の基準になる電圧変動率の閾値Ｖｎを予め記憶する閾値記憶部４８と、電圧変動率算出部４２により算出された連続した特定数の半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶部４８から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定するちらつき検出処理部４４と、を備えることを特徴とする。
本態様によれば、交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動率を算出しておき、連続した特定数の半波の電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶部４８から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定することで、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができ、精度良くちらつき検出処理を行うことができる。

＜第２態様＞
本態様の電圧変動率算出部４２は、交流電圧の半波毎の実効値の差に基づいて、電圧変動率を算出することを特徴とする。
本態様によれば、交流電圧の半波毎の実効値の差に基づいて、電圧変動率を算出することができる。

＜第３態様＞
本態様の実効値算出部４０は、交流電圧の瞬時値を積算することにより半波毎の実効値を算出することを特徴とする。
本態様によれば、交流電圧の瞬時値を積算することにより半波毎の実効値を算出することができる。

＜第４態様＞
本態様の閾値記憶部４８は、Ｎの値が特定数に向かって大きくなるほど閾値が小さくなるように設定されていることを特徴とする。
本態様によれば、Ｎの値が特定数に向かって大きくなるほど閾値が小さくなるように設定されていることで、交流電源の電圧変動の時間的長さに対して判定することができる。

＜第５態様＞
本態様の閾値記憶部４８は、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数である８．８〜１０Ｈｚを考慮して特定数を表すＮの値と閾値との関連付けが設定されていることを特徴とする。
本態様によれば、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数である８．８〜１０Ｈｚを考慮して特定数を表すＮの値と閾値との関連付けが設定されていることで、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数でのちらつきを検出することができる。

＜第６態様＞
本態様の画像形成装置１は、第１態様乃至第５態様の何れか一項に記載の電圧検出処理部２２と、ちらつきが発生したこととして判定された場合に、電力の位相制御動作に移行するように制御する定着ヒータ制御部３２と、位相制御動作により交流電源２０から電力を断続して供給される定着ヒータ８ａと、を備えることを特徴とする。
本態様によれば、ちらつきが発生したこととして判定された場合に、電力の位相制御動作に移行して、定着ヒータ８ａに電力を断続して供給することで、ちらつきの発生を抑制することができる。

＜第７態様＞
本態様の電圧検出処理方法は、交流電源２０から定着装置８に予め設定された通電パターンで制御する半波制御を用いて供給される交流電圧が低下することに起因して発生するちらつきを、ちらつき検出処理により検出する電圧検出処理部２２による電圧検出処理方法であって、交流電圧の半波毎の実効値を算出する実効値算出ステップ（Ｓ１０）と、実効値算出ステップにより算出された交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率を算出する電圧変動率算出ステップ（Ｓ１５）と、Ｎの値に応じて、ちらつき検出処理の基準になる電圧変動率の閾値を予め閾値記憶部４８に記憶するステップと、電圧変動率算出ステップにより算出された連続した特定数の半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率が、当該特定数に応じて閾値記憶部４８から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定するちらつき検出処理ステップ（Ｓ２０）と、を実行することを特徴とする。
第７態様の作用、及び効果は第１態様と同様であるので、その説明を省略する。

＜第８態様＞
本態様のプログラムは、第７態様記載の位相制御方法における各ステップをプロセッサに実行させることを特徴とする。
本態様によれば、各ステップをプロセッサに実行させることができる。

１…画像形成装置、８…定着装置、８ａ…定着ヒータ、２０…交流電源、２２…電圧検出処理部、２２ｂ…ＣＰＵ、２２ｃ…ＲＯＭ、２２ｄ…ＲＡＭ、２４…ゼロクロス検出部、３０…トライアック、３２…定着ヒータ制御部、３２ａ…ＣＰＵ、４０…実効値算出部、４２…電圧変動率算出部、４４…検出処理部、４６…メモリ部

特開２００９−１９３０１７公報

Claims (8)

1. 交流電源から定着装置に予め設定された通電パターンで制御する半波制御を用いて供給される交流電圧が低下することに起因して発生するちらつきを、ちらつき検出処理により検出する電圧検出処理装置であって、
   前記交流電圧の半波毎の実効値を算出する実効値算出手段と、
   前記実効値算出手段により算出された交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率を算出する電圧変動率算出手段と、
   前記Ｎの値に応じて、前記ちらつき検出処理の基準になる前記電圧変動率の閾値を予め記憶する閾値記憶手段と、
   前記電圧変動率算出手段により算出された連続した特定数の半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率が、当該特定数に応じて前記閾値記憶手段から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定するちらつき検出処理手段と、
   を備えることを特徴とする電圧検出処理装置。
2. 前記電圧変動率算出手段は、前記交流電圧の半波毎の実効値の差に基づいて、電圧変動率を算出すること
   を特徴とする請求項１記載の電圧検出処理装置。
3. 前記実効値算出手段は、前記交流電圧の瞬時値を積算することにより半波毎の実効値を算出すること
   を特徴とする請求項１記載の電圧検出処理装置。
4. 前記閾値記憶手段は、前記Ｎの値が前記特定数に向かって大きくなるほど前記閾値が小さくなるように設定されていること
   を特徴とする請求項１記載の電圧検出処理装置。
5. 前記閾値記憶手段は、人間の目にちらつきとして敏感に感じる周波数である８．８〜１０Ｈｚを考慮して前記特定数を表すＮの値と前記閾値との関連付けが設定されていること
   を特徴とする請求項１又は４記載の電圧検出処理装置。
6. 請求項１乃至５の何れか一項記載の電圧検出処理装置と、
   ちらつきが発生したこととして判定された場合に、電力の位相制御動作に移行するように制御する制御手段と、
   前記位相制御動作により交流電源から電力を断続して供給される定着ヒータと、
   を備えることを特徴とする画像形成装置。
7. 交流電源から定着装置に予め設定された通電パターンで制御する半波制御を用いて供給される交流電圧が低下することに起因して発生するちらつきを、ちらつき検出処理により検出する電圧検出処理装置による電圧検出処理方法であって、
   前記交流電圧の半波毎の実効値を算出する実効値算出ステップと、
   前記実効値算出ステップにより算出された交流電圧の半波毎の実効値に基づいて、Ｎ個連続した半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率を算出する電圧変動率算出ステップと、
   前記Ｎの値に応じて、前記ちらつき検出処理の基準になる前記電圧変動率の閾値を予め閾値記憶手段に記憶するステップと、
   前記電圧変動率算出ステップにより算出された連続した特定数の半波の電圧変動の時間的長さに対する電圧変動率が、当該特定数に応じて前記閾値記憶手段から取得した閾値を超えた場合に、ちらつきが発生したこととして判定するちらつき検出処理ステップと、
   を実行することを特徴とする電圧検出処理方法。
8. 請求項７記載の電圧検出処理方法における各ステップをプロセッサに実行させること
   を特徴とするプログラム。

Images