JP6956184B2 - センサ素子 - Google Patents
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Description
図1は、本開示の一実施形態に係るセンサ素子1の概略構成を示す上面図である。図2は、図1に示すA−A線に沿ったセンサ素子1の断面図である。図3は、図1に示すB−B線に沿ったセンサ素子1の断面図である。
次に、本実施形態に係るセンサ素子1の製造工程の一例について説明する。以下では、本実施形態に係る第1基板10の製造工程について、図5及び図6を参照して説明する。また、本実施形態に係る第2基板20の製造工程について、図7及び図8を参照して説明する。
まず、第1基板10の製造に用いる基板を準備する。図5に、第1基板10の製造に用いる基板10Xを示す。基板10Xは、Si(100)基板である。次に、図5に示すように、基板10X上に、例えばフォトリソグラフィによって、マスクパターン100を形成する。
まず、第2基板20の製造に用いる基板を準備する。図7に、第2基板20の製造に用いる基板20Xを示す。基板20Xは、n型Si(100)基板である。次に、図7に示すように、基板20Xの上面に、基板20Xの上面に形成する配線等のためのマスクパターン101を形成する。一方、基板20Xの下面には、凹部21のためのマスクパターン102を形成する。マスクパターン101,102は、例えば、両面露光方式のフォトリソグラフィによって形成されてもよい。
10 第1基板
11 凸部
12 基部
13 ヒータ(加熱機構)
14A,14B 熱伝導部
20 第2基板
21 凹部
22 薄肉部
23A,23B,23C,23D 厚肉部
24A,24B 貫通部
25,25A 空間部
30,31 膜部材
40,41 ピエゾ抵抗素子
50,51 配線
100,101,102 マスクパターン
Claims (4)
- 凸部を有する第1基板と、
内部に前記凸部が配置された凹部を有する第2基板と、
前記第2基板に配置されたピエゾ抵抗素子と、を備え、
前記凹部は、前記凹部の底面に薄肉部と、前記凹部の内側面に内面が傾斜している厚肉部とを有し、
前記凸部は、前記凹部の内部を狭めるように前記凹部の底面に向けて突出した状態であり、
前記凸部の上に加熱機構又は熱伝導部が位置する、センサ素子。 - 請求項1に記載のセンサ素子であって、
前記第2基板は、前記薄肉部の上面及び下面に開口した貫通部をさらに有する、センサ素子。 - 請求項1又は2に記載のセンサ素子であって、
前記薄肉部の上面又は下面の少なくとも一方に配置され、特定物質に反応して形状が変化する膜部材をさらに備える、センサ素子。 - 請求項1から3の何れか一項に記載のセンサ素子であって、
前記凸部の高さは、前記凹部の深さよりも小さい、センサ素子。
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