JP6952294B2 - 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ - Google Patents
光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6952294B2 JP6952294B2 JP2020566149A JP2020566149A JP6952294B2 JP 6952294 B2 JP6952294 B2 JP 6952294B2 JP 2020566149 A JP2020566149 A JP 2020566149A JP 2020566149 A JP2020566149 A JP 2020566149A JP 6952294 B2 JP6952294 B2 JP 6952294B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- wavelength
- intermediate layer
- light
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003491 array Methods 0.000 title description 2
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 claims description 79
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 56
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical group Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007476 Maximum Likelihood Methods 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000001574 biopsy Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009509 drug development Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000575 pesticide Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2823—Imaging spectrometer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/286—Interference filters comprising deposited thin solid films having four or fewer layers, e.g. for achieving a colour effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J2003/1213—Filters in general, e.g. dichroic, band
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J2003/1278—Mask with spectral selection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
- G01J2003/2806—Array and filter array
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2823—Imaging spectrometer
- G01J2003/2826—Multispectral imaging, e.g. filter imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/135—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Description
第1の項目に係る光検出装置は、2次元に配列された複数のフィルタを含むフィルタアレイと、複数の光検出素子を含むイメージセンサとを備える。前記複数のフィルタは、第1フィルタおよび第2フィルタを含む。前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々は、第1反射層、第2反射層、および前記第1反射層と前記第2反射層との間の中間層を含み、かつ互いに次数の異なる複数の共振モードを有する共振構造を有する。前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される少なくとも1つは、前記第2フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される前記少なくとも1つと異なる。前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の透過スペクトルが、ある波長域に含まれる複数の波長の各々において透過率の極大値を有し、前記複数の波長は前記複数の共振モードにそれぞれ対応する。前記複数の光検出素子の各々は、前記複数のフィルタの1つを透過した光を受ける位置に配置され、且つ前記波長域の光に感度を有する。
第1の項目に係る光検出装置において、前記波長域が400nm以上700nm以下であってもよい。
第2の項目に係る光検出装置において、前記透過スペクトルが、前記波長域に含まれる4つ以上の波長の各々において透過率の極大値を有していてもよい。
第2の項目に係る光検出装置において、前記透過スペクトルが、前記波長域に含まれる6つ以上の波長の各々において透過率の極大値を有していてもよい。
第1の項目に係る光検出装置において、前記第1フィルタまたは前記第2フィルタにおける前記中間層の厚さをLとし、前記中間層の波長700nmの光に対する屈折率をn1とし、前記中間層の波長400nmの光に対する屈折率をn2とし、mを1以上の整数とするとき、
第1の項目に係る光検出装置において、前記第1フィルタまたは前記第2フィルタにおける前記中間層の厚さをLとし、前記中間層の波長700nmの光に対する屈折率をn1とし、前記中間層の波長400nmの光に対する屈折率をn2とし、mを1以上の整数とするとき、
第1の項目に係る光検出装置において、前記第1フィルタまたは前記第2フィルタにおける前記中間層の厚さをLとし、前記中間層の波長700nmの光に対する屈折率をn1とし、前記中間層の波長400nmの光に対する屈折率をn2とし、mを1以上の整数とするとき、
第1から第7の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記第1フィルタの前記中間層の厚さをLとし、前記第2フィルタの前記中間層の厚さをL+ΔLとし、前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および前記第2フィルタの前記中間層の屈折率をnとし、前記フィルタアレイに入射する光の最大入射角をθiとするとき、
第1から第9の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記第1反射層および前記第2反射層からなる群から選択される少なくとも1つが、誘電体多層膜および金属膜からなる群から選択される少なくとも1つを含んでいてもよい。
第1から第10の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記中間層は、シリコン、シリコン窒化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、およびタンタル酸化物からなる群から選択される少なくとも1つを含んでいてもよい。
第1から第11の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記中間層は、前記第1フィルタおよび前記第2フィルタに跨り連続的に設けられていてもよい。
第1から第12の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記第1反射層および前記第2反射層からなる群から選択される少なくとも1つが、前記第1フィルタおよび前記第2フィルタに跨り連続的に設けられていてもよい。
第1から第13の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記複数のフィルタの少なくとも1つが透明であってもよい。
第1から第14の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記フィルタアレイは前記イメージセンサと接触していてもよい。
第1から第14の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記フィルタアレイは前記イメージセンサと分離していてもよい。
第1から第16の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記フィルタアレイが、前記第1フィルタの表面と前記第2フィルタの表面との間の段差を平坦化するための透明層をさらに含んでいてもよい。
第1から第17の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記複数のフィルタの各々が、前記共振構造を有していてもよい。
第1から第18の項目のいずれかに係る光検出装置は、前記第1フィルタ上に配置される第1マイクロレンズ、および前記第2フィルタ上に配置される第2マイクロレンズをさらに備えていてもよい。
第1から第19の項目のいずれかに係る光検出装置において、前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の前記透過スペクトルは、前記透過率の前記極大値と、前記極大値から波長が短くなる方向および波長が長くなる方向にそれぞれ延びる部分とを含むピークを有し、前記第1フィルタの前記透過スペクトルにおける前記ピークと、前記第2フィルタの前記透過スペクトルにおける前記ピークとは、少なくとも部分的に重なっていてもよい。
第21の項目に係る光検出システムは、第1から第20の項目のいずれかに係るの光検出装置と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記複数の光検出素子からの信号に基づいて、前記複数の波長の情報を含む画像データを生成する。
第21の項目に係る光検出システムにおいて、前記画像データが、前記複数の波長ごとに分光された複数の画像を表すデータを含んでいてもよい。
第22の項目に係る光検出システムにおいて、前記複数の画像の数をNとし、前記複数の光検出素子の数をMとしたとき、前記複数の画像の各々に含まれる画素の数が、M/Nよりも大きくてもよい。
第23の項目に係る光検出システムにおいて、前記画素の数が、前記複数の光検出素子の数と等しくてもよい。
第25の項目に係るフィルタアレイは、2次元に配列された複数のフィルタを備える。前記複数のフィルタは、第1フィルタおよび第2フィルタを含む。前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々が、第1反射層、第2反射層、および前記第1反射層と前記第2反射層との間の中間層を含み、かつ互いに次数の異なる複数の共振モードを有する共振構造を有する。前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される少なくとも1つは、前記第2フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される前記少なくとも1つと異なる。前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の透過スペクトルが、ある波長域に含まれる複数の波長の各々において透過率の極大値を有し、前記複数の波長は前記複数の共振モードにそれぞれ対応する。
<光検出システム>
最初に、本実施形態における光検出システムを説明する。
以下に、本実施形態におけるフィルタアレイ100Cを説明する。フィルタアレイ100Cは、撮像対象の波長域に含まれる複数の波長域ごとの画像を生成する分光システムにおいて用いられる。本明細書において、撮像対象の波長域を、「対象波長域」と称することがある。フィルタアレイ100Cは、対象物から入射する光の光路に配置され、入射光の強度を波長ごとに変調して出力する。フィルタアレイすなわち符号化素子によるこの過程を、本明細書では「符号化」と称する。
次に、図1に示す信号処理回路200により、画像120、およびフィルタアレイ100Cの波長ごとの透過率の空間分布特性に基づいて多波長の分離画像220を再構成する方法を説明する。ここで多波長とは、例えば通常のカラーカメラで取得されるRGBの3色の波長域よりも多くの波長域を意味する。この波長域の数は、例えば4から100程度の数であり得る。この波長域の数を、「分光帯域数」と称することがある。用途によっては、分光帯域数は100を超えていてもよい。
次に、フィルタアレイ100Cのより具体的な構造の例を説明する。
27 透明層
28a 第1反射層
28b 第2反射層
40 光学系
60 イメージセンサ
60a 光検出素子
70 対象物
100 フィルタ
100C フィルタアレイ
120 画像
200 信号処理回路
220 分離画像
300 光検出装置
400 光検出システム
Claims (29)
- 2次元に配列された複数のフィルタを含むフィルタアレイであって、
前記複数のフィルタは、第1フィルタおよび第2フィルタを含み、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々が、第1反射層、第2反射層、および前記第1反射層と前記第2反射層との間の中間層を含み、かつ互いに次数の異なる複数の共振モードを有する共振構造を有し、
前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される少なくとも1つは、前記第2フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される前記少なくとも1つと異なり、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の透過スペクトルが、ある波長域に含まれる複数の波長の各々において透過率の極大値を有し、
前記複数の波長は前記複数の共振モードにそれぞれ対応する、フィルタアレイと、
複数の光検出素子を含むイメージセンサと、
を備え、
前記複数の光検出素子の各々が、前記複数のフィルタの少なくとも1つを透過した透過光を受ける位置に配置され、且つ前記透過光に含まれる前記複数の波長の光を検出する、
光検出装置。 - 前記波長域は400nm以上700nm以下である、
請求項1に記載の光検出装置。 - 前記透過スペクトルは、前記波長域に含まれる4つ以上の波長の各々において透過率の極大値を有する、
請求項2に記載の光検出装置。 - 前記透過スペクトルは、前記波長域に含まれる6つ以上の波長の各々において透過率の極大値を有する、
請求項2に記載の光検出装置。 - 前記第1反射層および前記第2反射層からなる群から選択される少なくとも1つは、誘電体多層膜および金属薄膜からなる群から選択される少なくとも1つを含む、
請求項1から9のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記中間層は、Si、Si3N4、TiO2、Nb2O5、およびTa2O5からなる群から選択される少なくとも1つから形成される、
請求項1から10のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記中間層は、前記第1フィルタおよび前記第2フィルタに跨り連続的に設けられる、
請求項1から11のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記第1反射層および前記第2反射層からなる群から選択される少なくとも1つは、前記第1フィルタおよび前記第2フィルタに跨り連続的に設けられる、
請求項1から12のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記複数のフィルタの少なくとも1つは透明である、
請求項1から13のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記フィルタアレイと前記イメージセンサとは接触している、
請求項1から14のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記フィルタアレイと前記イメージセンサとは分離している、
請求項1から14のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記フィルタアレイは、前記第1フィルタの表面と前記第2フィルタの表面との間の段差を平坦化するための透明層をさらに含む、
請求項1から16のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記複数のフィルタの各々が、前記共振構造を有する、
請求項1から17のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記第1フィルタ上に配置される第1マイクロレンズ、および前記第2フィルタ上に配置される第2マイクロレンズをさらに備える、
請求項1から18のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の前記透過スペクトルは、前記透過率の前記極大値と、前記極大値から波長が短くなる方向および波長が長くなる方向にそれぞれ延びる部分とを含むピークを有し、
前記第1フィルタの前記透過スペクトルにおける前記ピークと、前記第2フィルタの前記透過スペクトルにおける前記ピークとは、少なくとも部分的に重なる、
請求項1から19のいずれかに記載の光検出装置。 - 前記イメージセンサに対向する前記第1フィルタの表面と前記第2フィルタの表面との間に、段差を有する、請求項1から20のいずれかに記載の光検出装置。
- 請求項1から21のいずれかに記載の光検出装置と、
信号処理回路と、を備え、
前記信号処理回路は、前記複数の光検出素子の各々が検出した前記複数の波長の光に基づいて、前記波長域に含まれる波長の情報を含む画像データを生成する、
光検出システム。 - 前記画像データは、前記波長域に含まれる2つ以上の波長の各々に対応する複数の画像を表すデータを含む、
請求項22に記載の光検出システム。 - 前記複数の画像の数をNとし、前記複数の光検出素子の数をMとしたとき、前記複数の画像の各々に含まれる画素の数は、M/Nよりも大きい、
請求項23に記載の光検出システム。 - 前記画素の数は、前記複数の光検出素子の数と等しい、
請求項24に記載の光検出システム。 - 2次元に配列された複数のフィルタを備え、
前記複数のフィルタは、第1フィルタおよび第2フィルタを含み、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々が、第1反射層、第2反射層、および前記第1反射層と前記第2反射層との間の中間層を含み、かつ互いに次数の異なる複数の共振モードを有する共振構造を有し、
前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される少なくとも1つは、前記第2フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される前記少なくとも1つと異なり、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の透過スペクトルが、ある波長域に含まれる複数の波長の各々において透過率の極大値を有し、
前記複数の波長は前記複数の共振モードにそれぞれ対応し、
前記波長域は400nm以上700nm以下であり、
前記透過スペクトルは、前記波長域に含まれる4つ以上の波長の各々において透過率の極大値を有する、
フィルタアレイ。 - 前記透過スペクトルは、前記波長域に含まれる6つ以上の波長の各々において透過率の極大値を有する、請求項26に記載のフィルタアレイ。
- 2次元に配列された複数のフィルタを備え、
前記複数のフィルタは、第1フィルタおよび第2フィルタを含み、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々が、第1反射層、第2反射層、および前記第1反射層と前記第2反射層との間の中間層を含み、かつ互いに次数の異なる複数の共振モードを有する共振構造を有し、
前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される少なくとも1つは、前記第2フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される前記少なくとも1つと異なり、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の透過スペクトルが、ある波長域に含まれる複数の波長の各々において透過率の極大値を有し、
前記複数の波長は前記複数の共振モードにそれぞれ対応し、
前記第1フィルタまたは前記第2フィルタにおける前記中間層の厚さをLとし、
前記中間層の波長700nmの光に対する屈折率をn 1 とし、
前記中間層の波長400nmの光に対する屈折率をn 2 とし、
mを1以上の整数とするとき、
フィルタアレイ。 - 2次元に配列された複数のフィルタを備え、
前記複数のフィルタは、第1フィルタおよび第2フィルタを含み、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々が、第1反射層、第2反射層、および前記第1反射層と前記第2反射層との間の中間層を含み、かつ互いに次数の異なる複数の共振モードを有する共振構造を有し、
前記第1フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される少なくとも1つは、前記第2フィルタの前記中間層の屈折率および厚さからなる群から選択される前記少なくとも1つと異なり、
前記第1フィルタおよび前記第2フィルタの各々の透過スペクトルが、ある波長域に含まれる複数の波長の各々において透過率の極大値を有し、
前記複数の波長は前記複数の共振モードにそれぞれ対応し、
前記第1フィルタまたは前記第2フィルタにおける前記中間層の厚さをLとし、
前記中間層の波長700nmの光に対する屈折率をn 1 とし、
前記中間層の波長400nmの光に対する屈折率をn 2 とし、
mを1以上の整数とするとき、
フィルタアレイ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021149291A JP7257644B2 (ja) | 2019-01-16 | 2021-09-14 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
JP2023046242A JP2023082047A (ja) | 2019-01-16 | 2023-03-23 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019005567 | 2019-01-16 | ||
JP2019005567 | 2019-01-16 | ||
JP2019134641 | 2019-07-22 | ||
JP2019134641 | 2019-07-22 | ||
PCT/JP2019/048470 WO2020149055A1 (ja) | 2019-01-16 | 2019-12-11 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021149291A Division JP7257644B2 (ja) | 2019-01-16 | 2021-09-14 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020149055A1 JPWO2020149055A1 (ja) | 2021-10-07 |
JP6952294B2 true JP6952294B2 (ja) | 2021-10-20 |
Family
ID=71613774
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020566149A Active JP6952294B2 (ja) | 2019-01-16 | 2019-12-11 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
JP2021149291A Active JP7257644B2 (ja) | 2019-01-16 | 2021-09-14 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
JP2023046242A Pending JP2023082047A (ja) | 2019-01-16 | 2023-03-23 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021149291A Active JP7257644B2 (ja) | 2019-01-16 | 2021-09-14 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
JP2023046242A Pending JP2023082047A (ja) | 2019-01-16 | 2023-03-23 | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US12074184B2 (ja) |
EP (1) | EP3913340A4 (ja) |
JP (3) | JP6952294B2 (ja) |
CN (2) | CN118784999A (ja) |
WO (1) | WO2020149055A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106331442B (zh) * | 2015-07-02 | 2021-01-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JPWO2020080045A1 (ja) * | 2018-10-15 | 2021-09-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 物体認識方法、車両制御方法、情報表示方法、および物体認識装置 |
JP7566574B2 (ja) * | 2020-10-20 | 2024-10-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、移動体、半導体基板 |
WO2022091769A1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置、構造体の製造方法、および光検出装置の製造方法 |
CN116404014A (zh) * | 2022-01-04 | 2023-07-07 | 三星电子株式会社 | 图像传感器和包括图像传感器的电子装置 |
JP2023100359A (ja) | 2022-01-06 | 2023-07-19 | 株式会社細川洋行 | 包装袋用積層体、包装袋、スパウト付き包装袋及び内容物入りスパウト付き包装袋 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005013369A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Aloka Co Ltd | 穿刺用術中探触子 |
JP3770326B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 分析装置 |
TW200524150A (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state imaging device, process for fabricating solid state imaging device and camera employing same |
CN1306288C (zh) | 2005-04-27 | 2007-03-21 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 具有平整谐振腔层的滤光片列阵 |
DE102006039071B4 (de) * | 2006-08-09 | 2012-04-19 | Universität Kassel | Optisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung |
CN104316987A (zh) * | 2006-08-09 | 2015-01-28 | 光学解决方案纳米光子学有限责任公司 | 光学滤波器及其生产方法以及用于检查电磁辐射的装置 |
JP5440110B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-03-12 | 株式会社リコー | 分光特性取得装置、分光特性取得方法、画像評価装置、及び画像形成装置 |
RU2012101436A (ru) * | 2009-06-17 | 2013-07-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Интерференционные фильтры с высоким пропусканием и широким диапазоном подавления для мини-спектрометра |
EP2507599A1 (en) | 2009-11-30 | 2012-10-10 | Imec | Integrated circuit for spectral imaging system |
US20120298867A1 (en) * | 2009-12-09 | 2012-11-29 | Panasonic Corporation | Infrared frame detector |
JP2012019113A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
IN2014CN03172A (ja) | 2011-11-04 | 2015-07-03 | Imec | |
JP6194673B2 (ja) | 2013-07-29 | 2017-09-13 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュール及び電子機器 |
WO2016012980A1 (en) | 2014-07-24 | 2016-01-28 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Compact multifunctional system for imaging spectroscopy |
WO2016056396A1 (ja) | 2014-10-06 | 2016-04-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
CN109163805B (zh) | 2014-11-19 | 2022-03-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 分光系统 |
JP6478579B2 (ja) | 2014-11-20 | 2019-03-06 | キヤノン株式会社 | 撮像ユニット、撮像装置、及び画像処理システム |
WO2017000069A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Spectral Devices Inc. | Flexible pixelated fabry-perot filter |
EP3112828B1 (en) | 2015-06-30 | 2022-10-05 | IMEC vzw | Integrated circuit and method for manufacturing integrated circuit |
EP3182079B1 (en) * | 2015-12-14 | 2023-08-23 | ams AG | Optical sensing device and method for manufacturing an optical sensing device |
JP2017168822A (ja) | 2016-02-12 | 2017-09-21 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | センサデバイスの製造方法 |
WO2022091769A1 (ja) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光検出装置、構造体の製造方法、および光検出装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-12-11 JP JP2020566149A patent/JP6952294B2/ja active Active
- 2019-12-11 WO PCT/JP2019/048470 patent/WO2020149055A1/ja unknown
- 2019-12-11 CN CN202410824204.0A patent/CN118784999A/zh active Pending
- 2019-12-11 EP EP19910550.3A patent/EP3913340A4/en active Pending
- 2019-12-11 CN CN201980081721.0A patent/CN113167649B/zh active Active
-
2021
- 2021-06-16 US US17/349,718 patent/US12074184B2/en active Active
- 2021-09-14 JP JP2021149291A patent/JP7257644B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-23 JP JP2023046242A patent/JP2023082047A/ja active Pending
-
2024
- 2024-06-11 US US18/740,259 patent/US20240332326A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240332326A1 (en) | 2024-10-03 |
JPWO2020149055A1 (ja) | 2021-10-07 |
US20210313359A1 (en) | 2021-10-07 |
US12074184B2 (en) | 2024-08-27 |
CN113167649B (zh) | 2024-07-12 |
JP2022000968A (ja) | 2022-01-04 |
EP3913340A4 (en) | 2022-03-02 |
JP7257644B2 (ja) | 2023-04-14 |
JP2023082047A (ja) | 2023-06-13 |
WO2020149055A1 (ja) | 2020-07-23 |
CN113167649A (zh) | 2021-07-23 |
CN118784999A (zh) | 2024-10-15 |
EP3913340A1 (en) | 2021-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6952294B2 (ja) | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ | |
JP6945195B2 (ja) | 光学フィルタ、光検出装置、および光検出システム | |
JP7012275B2 (ja) | 光検出装置、光検出システム、およびフィルタアレイ | |
WO2021085014A1 (ja) | フィルタアレイおよび光検出システム | |
JP6952283B1 (ja) | 光学フィルタアレイ、光検出装置、および光検出システム | |
JP7142251B2 (ja) | フィルタアレイおよび光検出システム | |
WO2021241122A1 (ja) | フィルタアレイおよび光検出システム | |
WO2021235151A1 (ja) | フィルタアレイおよび光検出システム | |
CN118836980A (en) | Light detection device and light detection system | |
JP2021110869A (ja) | 光学フィルタ、および光検出装置 | |
WO2023286613A1 (ja) | フィルタアレイ、光検出装置、および光検出システム | |
CN118251898A (zh) | 在生成分光图像的系统中使用的装置及滤光器阵列、生成分光图像的系统以及滤光器阵列的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210527 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210527 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210914 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6952294 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |