JP6940326B2 - リセット回路、基準電圧生成回路 - Google Patents
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Description
差動増幅回路と、電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の出力に応じた電流が流れる第1のダイオードと、電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の前記出力に応じた電流が流れる、第2のダイオード及び第1の抵抗と、前記差動増幅回路の前記出力に応じた基準電圧を出力する出力端子と、を有し、前記差動増幅回路の一方の入力は、前記第1のダイオードのアノードと接続され、前記差動増幅回路の他方の入力は、直列接続された前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの高電位側端と接続され、前記差動増幅回路は、テール電流源と、電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される第1の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの前記高電位側端と接続される第1の入力トランジスタと、電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される、前記第1の負荷トランジスタとカレントミラーを構成する第2の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1のダイオードのアノードと接続される第2の入力トランジスタと、を有し、前記第2の負荷トランジスタと前記第2の入力トランジスタとの間の電圧が前記出力として出力されるバンドギャップリファレンス回路のリセット回路であって、
電源とグランドとの間に順方向で接続される第3のダイオードと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、ゲートが前記第3のダイオードのアノードと接続される第1のトランジスタ、及び、第2のトランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、前記第2のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第3のトランジスタ、及び、第3の負荷トランジスタと、
前記第3のトランジスタと前記第3の負荷トランジスタとの間の電圧をリセット信号として出力するリセット信号端子と、を備え、
前記第2のダイオードは、前記第1のダイオードを複数個並列したものであり、
前記第3のダイオードの順方向バイアス電圧は、前記第1のダイオードの順方向バイアス電圧以上であり、
前記第1の負荷トランジスタのゲート−ソース間電圧は、前記第1のトランジスタのゲート−ソース間電圧以上である、ものである。
電源と前記第3のダイオードのアノードとの間に接続される第4の負荷トランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと直列に接続される第5の負荷トランジスタと、を備え、
前記第3〜第5の負荷トランジスタのゲートには、同一の電圧が印加される、ものである。
前記バンドギャップリファレンス回路は、
電源と前記第1のダイオードとの間に接続される第6の負荷トランジスタと、
電源と前記第2のダイオード及び前記第1の抵抗との間に接続される第7の負荷トランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される第8の負荷トランジスタ及び第2の抵抗と、
前記出力端子は、前記第8の負荷トランジスタと前記第2の抵抗との間の電圧を前記基準電圧として出力し、
前記第6〜第8の負荷トランジスタのゲートは、前記差動増幅回路の前記出力と接続される、ものである。
電源とグランドとの間に接続される、第9の負荷トランジスタ、及び、ゲートにバイアス生成回路から出力されるバイアス電圧が印加される第5のトランジスタを備え、
前記テール電流源は、ゲートに前記バイアス電圧が印加される第4のトランジスタで構成され、
前記第3〜第5及び第9の負荷トランジスタのゲートは、前記第9の負荷トランジスタと前記第5のトランジスタとの間に接続される、ものである。
バンドギャップリファレンス回路と、
前記バンドギャップリファレンス回路が出力する基準電圧に応じたリセット信号を出力するリセット回路と、を備え、
前記バンドギャップリファレンス回路は、
差動増幅回路と、
電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の出力に応じた電流が流れる第1のダイオードと、
電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の前記出力に応じた電流が流れる、第2のダイオード及び第1の抵抗と、
前記差動増幅回路の前記出力に応じた前記基準電圧を出力する出力端子と、を備え、
前記差動増幅回路の一方の入力は、前記第1のダイオードのアノードと接続され、
前記差動増幅回路の他方の入力は、直列接続された前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの高電位側端と接続され、
前記差動増幅回路は、
テール電流源と、
電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される第1の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの前記高電位側端と接続される第1の入力トランジスタと、
電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される、前記第1の負荷トランジスタとカレントミラーを構成する第2の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1のダイオードのアノードと接続される第2の入力トランジスタと、を備え、
前記第2の負荷トランジスタと前記第2の入力トランジスタとの間の電圧が前記出力として出力され、
前記リセット回路は、
電源とグランドとの間に順方向で接続される第3のダイオードと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、ゲートが前記第3のダイオードのアノードと接続される第1のトランジスタ、及び、第2のトランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、前記第2のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第3のトランジスタ、及び、第3の負荷トランジスタと、
前記第3のトランジスタと前記第3の負荷トランジスタとの間の電圧をリセット信号として出力するリセット信号端子と、を備え、
前記第2のダイオードは、前記第1のダイオードを複数個並列したものであり、前記第3のダイオードの順方向バイアス電圧は、前記第1のダイオードの順方向バイアス電圧以上であり、
前記第1の負荷トランジスタのゲート−ソース間電圧は、前記第1のトランジスタのゲート−ソース間電圧以上である、ものである。
前記リセット回路は、
電源と前記第3のダイオードのアノードとの間に接続される第4の負荷トランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと直列に接続される第5の負荷トランジスタと、を備え、
前記第3〜第5の負荷トランジスタのゲートには、同一の電圧が印加される、ものである。
前記バンドギャップリファレンス回路は、
電源と前記第1のダイオードとの間に接続される第6の負荷トランジスタと、
電源と前記第2のダイオード及び前記第1の抵抗との間に接続される第7の負荷トランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される第8の負荷トランジスタ及び第2の抵抗と、
前記出力端子は、前記第8の負荷トランジスタと前記第2の抵抗との間の電圧を前記基準電圧として出力し、
前記第6〜第8の負荷トランジスタのゲートは、前記差動増幅回路の前記出力と接続される、ものである。
バイアス電圧を印加するバイアス生成回路を更に備え、
前記テール電流源は、ゲートに前記バイアス電圧が印加される第4のトランジスタで構成され、
前記リセット回路は、電源とグランドとの間に接続される、第9の負荷トランジスタ、及び、ゲートに前記バイアス電圧が印加される第5のトランジスタを備え、
前記第3〜第5及び第9の負荷トランジスタのゲートは、前記第9の負荷トランジスタと前記第5のトランジスタとの間に接続される、ものである。
実施の形態1にかかる基準電圧生成回路について説明する。図1は、実施の形態1にかかる基準電圧生成回路100の概略構成を示す図である。基準電圧生成回路100は、バイアス生成回路1、バンドギャップリファレンス回路2及びリセット回路3を有する。
VDD>Vds1+Vds2+Vtp1 [1]
Vds1=Vd2+Vr1−Vtn1 [2]
また、抵抗R2の両端の電圧Vr1とダイオードD2の順方向のバイアス電圧Vd2との和は、差動増幅回路20のフィードバックにより、ダイオードD1の順方向のバイアス電圧Vd1と等しくなるため、以下の式[3]が成立する。
Vd1=Vd2+Vr1 [3]
式[1]に式[2]及び式[3]を代入すると、以下の式[4]が得られる。式[4]では、差動増幅回路20が動作するための電源電圧の閾値をVDD1としている。
VDD>Vd1−Vtn1+Vds2+Vtp1=VDD1 [4]
VDD>Vd3+Vtp2+Vds3=VDD2 [5]
ここで、Vd3=Vd1となるようにダイオードD3を設計し、Vtp2=Vtp1となるようにPMOSトランジスタMP35を設計した場合、VDD2>VDD1となるための条件は、式[4]及び[5]より、以下の式[6]で示される。
Vtn1−Vds2+Vds3>0 [6]
Vtn1>0 [7]
NMOSトランジスタMN21のゲート−ソース間電圧Vtn1はNMOSトランジスタMN21のソース−ドレイン間電流で変化するが、NMOSトランジスタMN21がエンハンスメントトランジスタであれば、NMOSトランジスタMN21のゲート−ソース間電圧Vtn1は正の電圧となる。よって、式[7]の条件が満たされるので、リセット信号RSTBが反転したとき(HIGHになったとき)には、バンドギャップリファレンス回路2の差動増幅回路20が働いていることになる。
(Vd3−Vd1)+(Vtp2−Vtp1)+Vtn1−Vds2+Vds3>0
[8]
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、バンドギャップリファレンス回路は、上述の構成に限定されるものではない。すなわち、正の温度特性を有する信号と負の温度特性を有する信号を入力とする差動増幅回路を含み、かつ、差動増幅回路の出力電圧又は差動増幅回路の出力電圧に応じた電圧を基準電圧として出力する限りにおいて、他の構成のバンドギャップリファレンス回路を適用することが可能である。
1 バイアス生成回路
2 バンドギャップリファレンス回路
3 リセット回路
4 電圧検出回路
5 比較器
6 AND回路
10 電流源
20 差動増幅回路
D1〜D3 ダイオード
GND グランド
MN11、MN21〜MN23、MN31〜MN33 NMOSトランジスタ
MP21〜MP25、MP31〜MP35 PMOSトランジスタ
R1〜R4 抵抗
RSTB リセット信号
TA 出力端子
TB リセット信号端子
VB バイアス電圧
VD 出力電圧
VDD 電源電圧
VREF 基準電圧
Claims (8)
- 差動増幅回路と、電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の出力に応じた電流が流れる第1のダイオードと、電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の前記出力に応じた電流が流れる、第2のダイオード及び第1の抵抗と、前記差動増幅回路の前記出力に応じた基準電圧を出力する出力端子と、を有し、前記差動増幅回路の一方の入力は、前記第1のダイオードのアノードと接続され、前記差動増幅回路の他方の入力は、直列接続された前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの高電位側端と接続され、前記差動増幅回路は、テール電流源と、電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される第1の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの前記高電位側端と接続される第1の入力トランジスタと、電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される、前記第1の負荷トランジスタとカレントミラーを構成する第2の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1のダイオードのアノードと接続される第2の入力トランジスタと、を有し、前記第2の負荷トランジスタと前記第2の入力トランジスタとの間の電圧が前記出力として出力されるバンドギャップリファレンス回路のリセット回路であって、
電源とグランドとの間に順方向で接続される第3のダイオードと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、ゲートが前記第3のダイオードのアノードと接続される第1のトランジスタ、及び、第2のトランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、前記第2のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第3のトランジスタ、及び、第3の負荷トランジスタと、
前記第3のトランジスタと前記第3の負荷トランジスタとの間の電圧をリセット信号として出力するリセット信号端子と、を備え、
前記第2のダイオードは、前記第1のダイオードを複数個並列したものであり、
前記第3のダイオードの順方向バイアス電圧は、前記第1のダイオードの順方向バイアス電圧以上であり、
前記第1の負荷トランジスタのゲート−ソース間電圧は、前記第1のトランジスタのゲート−ソース間電圧以上である、
リセット回路。 - 電源と前記第3のダイオードのアノードとの間に接続される第4の負荷トランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと直列に接続される第5の負荷トランジスタと、を備え、
前記第3〜第5の負荷トランジスタのゲートには、同一の電圧が印加される、
請求項1に記載のリセット回路。 - 前記バンドギャップリファレンス回路は、
電源と前記第1のダイオードとの間に接続される第6の負荷トランジスタと、
電源と前記第2のダイオード及び前記第1の抵抗との間に接続される第7の負荷トランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される第8の負荷トランジスタ及び第2の抵抗と、
前記出力端子は、前記第8の負荷トランジスタと前記第2の抵抗との間の電圧を前記基準電圧として出力し、
前記第6〜第8の負荷トランジスタのゲートは、前記差動増幅回路の前記出力と接続される、
請求項2に記載のリセット回路。 - 電源とグランドとの間に接続される、第9の負荷トランジスタ、及び、ゲートにバイアス生成回路から出力されるバイアス電圧が印加される第5のトランジスタを備え、
前記テール電流源は、ゲートに前記バイアス電圧が印加される第4のトランジスタで構成され、
前記第3〜第5及び第9の負荷トランジスタのゲートは、前記第9の負荷トランジスタと前記第5のトランジスタとの間に接続される、
請求項3に記載のリセット回路。 - バンドギャップリファレンス回路と、
前記バンドギャップリファレンス回路が出力する基準電圧に応じたリセット信号を出力するリセット回路と、を備え、
前記バンドギャップリファレンス回路は、
差動増幅回路と、
電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の出力に応じた電流が流れる第1のダイオードと、
電源とグランドとの間に順方向で接続され、前記差動増幅回路の前記出力に応じた電流が流れる、第2のダイオード及び第1の抵抗と、
前記差動増幅回路の前記出力に応じた前記基準電圧を出力する出力端子と、を備え、
前記差動増幅回路の一方の入力は、前記第1のダイオードのアノードと接続され、
前記差動増幅回路の他方の入力は、直列接続された前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの高電位側端と接続され、
前記差動増幅回路は、
テール電流源と、
電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される第1の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1の抵抗及び前記第2のダイオードの前記高電位側端と接続される第1の入力トランジスタと、
電源とグランドとの間で前記テール電流源と直列に接続される、前記第1の負荷トランジスタとカレントミラーを構成する第2の負荷トランジスタ、及び、ゲートが前記第1のダイオードのアノードと接続される第2の入力トランジスタと、を備え、
前記第2の負荷トランジスタと前記第2の入力トランジスタとの間の電圧が前記出力として出力され、
前記リセット回路は、
電源とグランドとの間に順方向で接続される第3のダイオードと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、ゲートが前記第3のダイオードのアノードと接続される第1のトランジスタ、及び、第2のトランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される、前記第2のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第3のトランジスタ、及び、第3の負荷トランジスタと、
前記第3のトランジスタと前記第3の負荷トランジスタとの間の電圧をリセット信号として出力するリセット信号端子と、を備え、
前記第2のダイオードは、前記第1のダイオードを複数個並列したものであり、
前記第3のダイオードの順方向バイアス電圧は、前記第1のダイオードの順方向バイアス電圧以上であり、
前記第1の負荷トランジスタのゲート−ソース間電圧は、前記第1のトランジスタのゲート−ソース間電圧以上である、
基準電圧生成回路。 - 前記リセット回路は、
電源と前記第3のダイオードのアノードとの間に接続される第4の負荷トランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと直列に接続される第5の負荷トランジスタと、を備え、
前記第3〜第5の負荷トランジスタのゲートには、同一の電圧が印加される、
請求項5に記載の基準電圧生成回路。 - 前記バンドギャップリファレンス回路は、
電源と前記第1のダイオードとの間に接続される第6の負荷トランジスタと、
電源と前記第2のダイオード及び前記第1の抵抗との間に接続される第7の負荷トランジスタと、
電源とグランドとの間に直列に接続される第8の負荷トランジスタ及び第2の抵抗と、
前記出力端子は、前記第8の負荷トランジスタと前記第2の抵抗との間の電圧を前記基準電圧として出力し、
前記第6〜第8の負荷トランジスタのゲートは、前記差動増幅回路の前記出力と接続される、
請求項6に記載の基準電圧生成回路。 - バイアス電圧を印加するバイアス生成回路を更に備え、
前記テール電流源は、ゲートに前記バイアス電圧が印加される第4のトランジスタで構成され、
前記リセット回路は、電源とグランドとの間に接続される、第9の負荷トランジスタ、及び、ゲートに前記バイアス電圧が印加される第5のトランジスタを備え、
前記第3〜第5及び第9の負荷トランジスタのゲートは、前記第9の負荷トランジスタと前記第5のトランジスタとの間に接続される、
請求項7に記載の基準電圧生成回路。
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