JP6938760B2 - 測定容器、測定システム及び測定方法 - Google Patents

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Description

本発明は、液体の不純物イオン測定のための測定容器、それを用いた測定システム及び測定方法に関する。
高純度有機EL素子の製造プロセス及び有機半導体素子の製造プロセス等で用いられる液体には、不純物イオンを含まない高純度の液体が求められている。このような高純度の液体は、例えば溶媒又は溶液として使用されることが想定されている。
不純物イオンを測定するための測定方法として、例えば、米国特許出願公開第2012/0175604号明細書では、例えば飛行時間(TOF)を用いた測定方法が開示されている。
米国特許出願公開第2012/0175604号明細書において開示されている測定方法では、電極のみでサンドイッチされた有機物質に対して電荷が注入され、このときの過渡電流がTOFを用いて測定される。このとき、過渡電流は、測定対象の有機物質の電子伝導による電流と、不純物イオンのイオン電導による電流とを含む。したがって、米国特許出願公開第2012/0175604号明細書において開示されている測定方法では、特に極微量の不純物イオンを測定することが困難である。
本発明は、前記の事情に鑑みてなされたものであり、極微量の不純物イオンであっても測定できる液体の不純物イオン測定のための測定容器、それを用いた測定システム及び測定方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様の測定容器は、液体の不純物イオン測定のための測定容器であって、第1の平板電極と、前記第1の平板電極に形成された第1の絶縁膜と、前記液体が封入される空間を形成するように、前記第1の絶縁膜から離れて配置された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の平板電極と向き合うように配置された第2の平板電極と、前記液体を前記空間に注入するための注入口を有し、前記空間を封止するように構成されたシール材とを具備する。
本発明の第2の態様の測定システムは、液体の不純物イオン測定のための測定容器であって、第1の平板電極と、前記第1の平板電極に形成された第1の絶縁膜と、前記液体が封入される空間を形成するように、前記第1の絶縁膜から離れて配置された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の平板電極と向き合うように配置された第2の平板電極と、前記液体を前記空間に注入するための注入口を有し、前記空間を封止するように構成されたシール材とを具備する測定容器の前記第1の平板電極と前記第2の平板電極との間に三角波電圧信号を印加する電圧信号発生器と、前記三角波電圧信号の印加に伴って前記液体を流れる電流信号を検出する検出回路とを有する。
本発明の第3の態様の測定方法は、液体の不純物イオン測定のための測定容器であって、第1の平板電極と、前記第1の平板電極に形成された第1の絶縁膜と、前記液体が封入される空間を形成するように、前記第1の絶縁膜から離れて配置された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の平板電極と向き合うように配置された第2の平板電極と、前記液体を前記空間に注入するための注入口を有し、前記空間を封止するように構成されたシール材とを具備する測定容器の前記空間に前記液体が封入された状態で前記第1の平板電極と前記第2の平板電極との間に三角波電圧信号を印加することと、前記三角波電圧信号の印加に伴って前記液体を流れる電流信号を検出することとを具備する。
図1Aは、実施形態の測定容器の正面図である。 図1Bは、測定対象の液体が注入された状態の実施形態の測定容器の断面図である。 図2は、測定容器を用いた液体の不純物イオン測定のための測定システムの構成を示すブロック図である。 図3は、測定装置の電気回路の概要を示す図である。 図4は、実施形態の測定システムによる液体の不純物イオン測定方法について示したフローチャートである。 図5は、解析の処理を示すフローチャートである。 図6は、解析の処理について説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1Aは、実施形態の測定容器の正面図である。図1Bは、測定対象の液体が注入された状態の実施形態の測定容器の断面図である。
図1Aに示すように、実施形態の測定容器1は、第1の基板2と、第2の基板3と、スペーサが混入されたシール材8とで内部に空間を有する容器を形成している。シール材8には、測定対象の液体の注入口8aが2つ形成されている。注入口8aは、測定容器1の内部に測定対象の液体が注入された後で必要に応じて塞がれる。注入口8aは、例えば、液体の蒸発や、雰囲気中の物質の溶解による汚染等が大きく影響しない場合又はそれらが影響しないほどの短時間での測定の場合には塞がれる必要はない。第1の基板2及び第2の基板3は、例えばガラス基板である。しかしながら、第1の基板2及び第2の基板3は、ガラス基板に限定されるものではない。
第1の基板2における測定容器1の内側を向く面には、第1の電極4が形成されている。第2の基板3における測定容器1の内側を向く面には、第2の電極5が形成されている。第1の電極4は、例えば、測定容器1の内部に形成される空間の下側を覆うように形成された平板電極である。第1の電極4の一部は、測定容器1の内部から引き出されて測定容器1の外部に露出している。また、第2の電極5は、例えば、測定容器1の内部に形成される空間の上側を覆うように形成された平板電極である。第2の電極5の一部も、測定容器1の内部から引き出されて測定容器1の外部に露出している。
第1の電極4及び第2の電極5は、例えば酸化インジウムスズ(ITO)電極である。第1の電極4及び第2の電極5は、測定対象の液体9に対して反応性のない導電性物質で形成されていればITO電極でなくてもよい。例えば、第1の電極4及び第2の電極5は、アルミニウム(Al)電極であってもよい。
実施形態の測定容器1では、第1の電極4における測定容器1の内側を向く面には、第1の絶縁膜6が形成されている。また、実施形態の測定容器1では、第2の電極5における測定容器1の内側を向く面には、第2の絶縁膜7が形成されている。第1の絶縁膜6は、測定容器1の内部に形成される空間の下側を覆うように形成された絶縁膜である。また、第2の絶縁膜7は、測定容器1の内部に形成される空間の上側を覆うように形成された絶縁膜である。
ここで、第1の絶縁膜6及び第2の絶縁膜7は、測定対象の液体9に対して少なくとも100倍の抵抗率を有している。このために、第1の絶縁膜6及び第2の絶縁膜7は、高抵抗の絶縁性物質で形成され得る。有機物であれば、第1の絶縁膜6及び第2の絶縁膜7に用いられる絶縁性物質は、例えばポリイミドである。無機物であれば、第1の絶縁膜6及び第2の絶縁膜7に用いられる絶縁性物質は、例えば二酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(SiN)である。また、測定対象の液体9に対して十分に高い抵抗率を実現するため、第1の絶縁膜6及び第2の絶縁膜7は、薄く形成されていてもよい。
シール材8は、測定容器1の内部から測定対象の液体が漏れ出さないように封止する。前述したように、シール材8には、2つの注入口8aが形成されている。例えば、液体9で満たされた容器の中に注入口8aが浸されると、毛細管現象によって液体9が測定容器1の内部に形成される空間に注入される。また、シール材8には、ビーズ等のスペーサが混入されている。このスペーサにより、シール材8は、第1の絶縁膜6と第2の絶縁膜7とのギャップを所定の値に維持する。なお、第1の絶縁膜6と第2の絶縁膜7とのギャップは、測定容器毎に異なっていてもよい。液体9に応じた異なる複数のギャップを有する測定容器1があることで、種々の液体9を走行する不純物イオンの移動を測定することができる。また、例では、測定容器1へは毛細管現象を利用して液体が注入されるがこれに限るものではない。毛細管現象が利用されない場合、注入口8aは1つでもよい。また、注入口8aは3つ以上でもよい。
測定対象の液体9は、図1Bに示すように、第1の絶縁膜6と、第2の絶縁膜7と、シール材8とによって形成される空間内に封入される。つまり、実施形態では、液体9は、第1の絶縁膜6と第2の絶縁膜7とによってサンドイッチされた上で、第1の電極4と第2の電極5とによってもサンドイッチされる。なお、測定対象の液体9は、不純物イオンを含み得る各種の液体である。
ここで、測定容器1は、必ずしも第1の基板2及び第2の基板3を有している必要はない。ただし、第1の基板2及び第2の基板3の上に第1の電極4及び第2の電極5が形成されていることにより、容器の取り扱いが容易となる。
図2は、測定容器1を用いた液体の不純物イオン測定のための測定システムの構成を示すブロック図である。ここで、以下の説明においては、液体9が注入された状態の測定容器1をサンプルセル10と記す。図2に示すように、測定システムは、測定装置20と、制御装置30とを有する。ここで、測定装置20と制御装置30とは、互いに通信できるように接続されている。この通信は、有線で行われても、無線で行われてもよい。
測定装置20は、サンプルセル10に三角波電圧信号を印加する。また、測定装置20は、サンプルセル10に三角波電圧信号を印加することによってサンプルセル10の液体9に流れる電流を検出する。図2に示すように、測定装置20は、電圧信号発生器21と、ローパスフィルタ22と、電圧アンプ23と、電流アンプ24と、A/Dコンバータ25と、電圧信号メモリ26とを有する。また、図3は、測定装置20の電気回路の概要を示す。
電圧信号発生器21は、三角波発生回路を有する。ここで、電圧信号発生器21は、制御装置30からの設定に基づいて三角波電圧信号の掃引周波数を変化させるように構成されている。また、電圧信号発生器21は、制御装置30からの設定に基づいて三角波電圧の電圧範囲を変化させるように構成されている。三角波電圧信号の電圧範囲は、例えば三角波電圧信号のピーク電圧値である。
ローパスフィルタ22は、電圧信号発生器21で発生した三角波電圧信号における高周波ノイズを除去するためのフィルタである。
電圧アンプ23は、ローパスフィルタ22を通過した三角波電圧信号を測定に適するレベルまで増幅し、増幅後の三角波電圧信号をサンプルセル10の例えば第1の電極4に印加する。図3で示すように、サンプルセル10の印加電圧が測定される。なお、サンプルセル10の印加電圧として、電圧信号発生器21で発生した電圧からの推定値が使用されてもよい。
検出回路としての電流アンプ24は、三角波電圧信号を印加することによってサンプルセル10の液体9に流れる電流を増幅しつつ電圧に変換する。図3で示すように、サンプルセル10の出力電流として、電流アンプ24で変換された電圧が測定される。ここで、図3に示すように、電流アンプ24は、例えば、−端子がサンプルセル10の例えば第2の電極5に接続され、+端子が接地された演算増幅器AMPと、演算増幅器AMPの−端子と出力端との間に接続された抵抗Rとによって構成された電流−電圧変換回路を有している。ここで、電流アンプ24は、制御装置30からの設定に基づいてゲインを変えるように構成されている。
A/Dコンバータ25は、電流アンプ24からアナログ信号として出力される電圧をデジタル信号に変換する。
電圧信号メモリ26は、A/Dコンバータ25から出力されるデジタル電圧値を記憶する。電圧信号メモリ26は、例えば測定装置20に内蔵されるメモリである。電圧信号メモリ26は、測定装置20に対して着脱できるメモリであってもよい。
制御装置30は、例えばパーソナルコンピュータ(PC)である。制御装置30には、液体の不純物イオン測定のためのプログラムがインストールされている。制御装置30は、液体の不純物イオン測定のためのプログラムに従って、測定装置20における測定のための各種の制御を行う。また、制御装置30は、液体の不純物イオン測定のためのプログラムに従って、液体の不純物イオン測定に関わる各種の解析を行う。制御装置30は、必ずしもはPCである必要はない。制御装置30は、液体の不純物イオン測定のための専用の装置であってもよい。制御装置30は測定装置20と一体化した形であってもよい。
以下、測定容器1を用いた液体の不純物イオン測定のための測定システムの動作を説明する。図4は、実施形態の測定システムによる液体の不純物イオン測定方法について示したフローチャートである。図4のフローチャートの処理は、制御装置30によって制御される。
ステップS1において、制御装置30は、測定装置20における測定条件とサンプルセル10の情報とをそれぞれ設定する。測定装置20における測定条件は、三角波電圧信号の掃引周波数を含む。また、測定装置20における測定条件は、三角波電圧信号の電圧範囲を含む。また、測定装置20における測定条件は、電流アンプ24のゲインを含む。掃引周波数、三角波電圧信号の電圧範囲、電流アンプ24のゲインが適宜に調整されることで測定精度の向上が図られたり、測定時間の短縮が図られたりする。また、サンプルセル10の情報は、液体9の名称、第1の電極4及び第2の電極5の電極面積の値、サンプルセル10のギャップの値といった情報を含む。
ステップS2において、制御装置30は、測定装置20に対し、サンプルセル10への三角波電圧信号の印加を指示する。これを受けて、測定装置20の電圧信号発生器21は、制御装置30によって設定された掃引周波数及び電圧範囲の三角波電圧信号の印加を行う。
ステップS3において、制御装置30は、測定装置20の電圧信号メモリ26に蓄積されるデジタル電圧値を取得する。前述したように、このデジタル電圧値は、サンプルセル10を流れる電流の値に対応している。
ここで、実施形態では、測定容器1に液体9が注入されると、液体9は、第1の絶縁膜6と第2の絶縁膜7とによってサンドイッチされた上で、第1の電極4と第2の電極5とによってもサンドイッチされた状態になる。液体9と第1の電極4との間に第1の絶縁膜6が介在しており、かつ、液体9と第2の電極5との間に第2の絶縁膜7が介在していることにより、第2の電極5を流れる電流は、液体の電子伝導による電流と不純物イオンのイオン電導による電流とをトータルしたものではなく、不純物イオンのイオン電導による電流だけになる。このため、第2の電極5を流れる電流を電流アンプ24によって増幅すれば、極微量のイオン電導であっても測定することができる。
ここで、図4の説明に戻る。ステップS4において、制御装置30は、測定を終了するか否かを判定する。例えば、所定の時間の三角波電圧信号の印加が完了したとき又はユーザが測定の終了を指示したときには測定を終了すると判定される。ステップS4において、測定を終了しないと判定されたときには、処理はステップS2に戻る。この場合、測定が継続される。ステップS4において、測定を終了すると判定されたときには、処理はステップS5に移行する。
ステップS5において、制御装置30は、取得した情報を用いて解析を行う。解析の終了後、制御装置30は、図4の処理を終了させる。以下、解析の処理を説明する。図5は、解析の処理を示すフローチャートである。なお、図4の測定の完了時に図6に示すような測定データDATAが得られる。図6の横軸は、サンプルセル10への印加電圧、すなわち三角波電圧信号の電圧値を示す。図6の縦軸は、サンプルセル10からの出力電流を示す。液体9に不純物イオンがあるとき、図6に示すように、測定データDATAは電流のピークを含む。
ステップS11において、制御装置30は、測定データDATAの傾斜を表す線形回帰直線を求める。例えば、制御装置30は、測定データDATAの傾斜にフィットする線分Aを求める。続いて、制御装置30は、線分Aを延長した線形回帰直線Bを求める。
ステップS12において、制御装置30は、線形回帰直線Bから液体9の抵抗及び抵抗率を求める。液体9の抵抗は、線形回帰直線の傾きの逆数である。抵抗率は、抵抗と電極面積との積をギャップで割ることで得られる。また、制御装置30は、線形回帰直線Bの切片と三角波電圧信号の掃引周波数から液体9のキャパシタンスを求める。誘電率は、キャパシタンスとギャップの積を電極面積と真空誘電率の積で割ることで得られる。また、制御装置30は、不純物イオンの電荷量を求める。不純物イオンの電荷量は、測定データDATAと線形回帰直線Bとの差分の領域Cの面積である。また、制御装置30は、不純物イオンの電荷量、ピーク電流に対応した電圧から求まる電界と、ピーク電流が発生した時間とから不純物イオンの移動度を求める。これらの各種の解析の後、制御装置30は、図5の処理を終了させる。図6では、第1及び第2象限の測定データDATAみの解析例が示されているが、第3及び第4象限の測定データDATAについても必要に応じて同様の解析が行われてよい。
以上説明したように、実施形態では、測定容器は、絶縁膜によって測定対象の液体をサンドイッチした上で、さらに電極によって測定対象の液体をサンドイッチするように液体を封入する。このため、実施形態では、極微量のイオン電導であっても測定することができる。また、実施形態では、無機化合物のイオン電導と有機化合物のイオン電導の両方を測定することができる。
また、実施形態では、電極は、液体との反応性のない導電性物質によって作られている。実施形態では、容器の電極と液体との間には絶縁膜が介在されている。しかしながら、絶縁膜は薄いので、ナノレベルでは電極と液体とは接触している可能性がある。電極が液体との反応性のない導電性物質によって作られていることで、仮に電極と液体とが接触していたとしても電極が劣化等することがない。
さらに、絶縁膜間のギャップを測定容器毎に異ならせることで、種々の液体を走行する不純物イオンの移動を測定及び検証をすることができる。
以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。

Claims (11)

  1. 液体の不純物イオン測定のための測定容器であって、
    第1の平板電極と、
    前記第1の平板電極に形成された第1の絶縁膜と、
    前記液体が封入される空間を形成するように、前記第1の絶縁膜から離れて配置された第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の平板電極と向き合うように配置された第2の平板電極と、
    前記液体を前記空間に注入するための注入口を有し、前記空間を封止するように構成されたシール材と、
    を具備する測定容器。
  2. 前記第1の平板電極は、第1の基板に形成され、
    前記第2の平板電極は、前記第1の基板と向き合うように配置された第2の基板に形成される請求項1に記載の測定容器。
  3. 前記注入口は、毛細管現象によって前記液体を前記空間に注入するための少なくとも2つの注入口を有する請求項1又は2に記載の測定容器
  4. 液体の不純物イオン測定のための測定容器であって、第1の平板電極と、前記第1の平板電極に形成された第1の絶縁膜と、前記液体が封入される空間を形成するように、前記第1の絶縁膜から離れて配置された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の平板電極と向き合うように配置された第2の平板電極と、前記液体を前記空間に注入するための注入口を有し、前記空間を封止するように構成されたシール材とを具備する測定容器の前記第1の平板電極と前記第2の平板電極との間に三角波電圧信号を印加する電圧信号発生器と、
    前記三角波電圧信号の印加に伴って前記液体を流れる電流信号を検出する検出回路と、
    を有する液体の不純物イオン測定のための測定システム。
  5. 前記第1の平板電極は、第1の基板に形成され、
    前記第2の平板電極は、前記第1の基板と向き合うように配置された第2の基板に形成される請求項に記載の測定システム。
  6. 前記三角波電圧信号と前記電流信号とに基づいて前記液体の不純物イオンを測定する制御装置をさらに有する請求項に記載の測定システム。
  7. 前記制御装置は、前記三角波電圧信号の変化に対する前記電流信号の変化の傾斜を表す線形回帰直線の傾きに基づいて前記液体の抵抗及び抵抗率のうち少なくとも1つを算出する請求項6に記載の測定システム。
  8. 前記制御装置は、前記線形回帰直線の切片と前記三角波電圧信号の掃引周波数から前記液体のキャパシタンス及び誘電率のうち少なくとも1つを算出する請求項7に記載の測定システム。
  9. 前記制御装置は、前記電流信号と前記線形回帰直線との差分の領域の面積に基づいて前記液体の不純物イオンの電荷量及び移動度のうち少なくとも1つを算出する請求項7又は8に記載の測定システム
  10. 液体の不純物イオン測定のための測定容器であって、第1の平板電極と、前記第1の平板電極に形成された第1の絶縁膜と、前記液体が封入される空間を形成するように、前記第1の絶縁膜から離れて配置された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜が形成され、前記第1の平板電極と向き合うように配置された第2の平板電極と、前記液体を前記空間に注入するための注入口を有し、前記空間を封止するように構成されたシール材とを具備する測定容器の前記空間に前記液体が封入された状態で前記第1の平板電極と前記第2の平板電極との間に三角波電圧信号を印加することと、
    前記三角波電圧信号の印加に伴って前記液体を流れる電流信号を検出することと、
    を具備する液体の不純物イオン測定のための測定方法。
  11. 前記三角波電圧信号と前記電流信号とに基づいて前記液体の不純物イオンを測定することをさらに具備する請求項10に記載の測定方法。
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