KR102503492B1 - 측정 용기, 측정 시스템 및 측정 방법 - Google Patents

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Abstract

액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 장치(1)는, 제 1 전극(4)과, 제 1 전극(4)에 형성된 제 1 절연막(6)과, 액체(9)가 봉입되는 공간을 형성하도록, 제 1 절연막(6)으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막(7)과, 제 2 절연막(7)이 형성되고, 제 1 전극(4)과 마주보도록 배치된 제 2 전극(5)과, 액체(9)를 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 공간을 봉지하도록 구성된 시일재(8)를 구비한다.

Description

측정 용기, 측정 시스템 및 측정 방법
본 발명은, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기, 그것을 이용한 측정 시스템 및 측정 방법에 관한 것이다.
고순도 유기 EL 소자의 제조 프로세스 및 유기 반도체 소자의 제조 프로세스 등에서 이용되는 액체에는, 불순물 이온을 포함하지 않는 고순도의 액체가 요구되고 있다. 이와 같은 고순도의 액체는, 예를 들면 용매 또는 용액으로서 사용되는 것이 상정되고 있다.
불순물 이온을 측정하기 위한 측정 방법으로서, 예를 들면, 미국 특허 출원 공개 제2012/0175604호 명세서에서는, 예를 들면 비행 시간(TOF)을 이용한 측정 방법이 개시되어 있다.
미국 특허 출원 공개 제2012/0175604호 명세서에 있어서 개시되어 있는 측정 방법에서는, 전극만으로 샌드위치된 유기 물질에 대해서 전하가 주입되고, 이때의 과도 전류가 TOF를 이용해서 측정된다. 이때, 과도 전류는, 측정 대상의 유기 물질의 전자 전도에 의한 전류와, 불순물 이온의 이온 전도에 의한 전류를 포함한다. 따라서, 미국 특허 출원 공개 제2012/0175604호 명세서에 있어서 개시되어 있는 측정 방법에서는, 특히 극미량의 불순물 이온을 측정하는 것이 곤란하다.
본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 극미량의 불순물 이온이더라도 측정할 수 있는 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기, 그것을 이용한 측정 시스템 및 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제 1 태양의 측정 용기는, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기로서, 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 형성된 제 1 절연막과, 상기 액체가 봉입되는 공간을 형성하도록, 상기 제 1 절연막으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막이 형성되고, 상기 제 1 전극과 마주보도록 배치된 제 2 전극과, 상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 상기 공간을 봉지하도록 구성된 시일재를 구비한다.
본 발명의 제 2 태양의 측정 시스템은, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기로서, 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 형성된 제 1 절연막과, 상기 액체가 봉입되는 공간을 형성하도록, 상기 제 1 절연막으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막이 형성되고, 상기 제 1 전극과 마주보도록 배치된 제 2 전극과, 상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 상기 공간을 봉지하도록 구성된 시일재를 구비하는 측정 용기와, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 사이에 삼각파 전압 신호를 인가하는 전압 신호 발생기와, 상기 삼각파 전압 신호의 인가에 수반해서 상기 액체를 흐르는 전류 신호를 검출하는 검출 회로를 갖는다.
본 발명의 제 3 태양의 측정 방법은, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기로서, 제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 형성된 제 1 절연막과, 상기 액체가 봉입되는 공간을 형성하도록, 상기 제 1 절연막으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막이 형성되고, 상기 제 1 전극과 마주보도록 배치된 제 2 전극과, 상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 상기 공간을 봉지하도록 구성된 시일재를 구비하는 측정 용기의 상기 공간에 상기 액체가 봉입된 상태에서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극의 사이에 삼각파 전압 신호를 인가하는 것과, 상기 삼각파 전압 신호의 인가에 수반해서 상기 액체를 흐르는 전류 신호를 검출하는 것을 구비한다.
도 1a는, 실시형태의 측정 용기의 정면도이다.
도 1b는, 측정 대상의 액체가 주입된 상태의 실시형태의 측정 용기의 단면도이다.
도 2는, 측정 용기를 이용한 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 시스템의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 3은, 측정 장치의 전기 회로의 개요를 나타내는 도면이다.
도 4는, 실시형태의 측정 시스템에 의한 액체의 불순물 이온 측정 방법에 대해서 나타낸 플로 차트이다.
도 5는, 해석의 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 6은, 해석의 처리에 대해서 설명하기 위한 도면이다.
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 실시형태를 설명한다. 도 1a는, 실시형태의 측정 용기의 정면도이다. 도 1b는, 측정 대상의 액체가 주입된 상태의 실시형태의 측정 용기의 단면도이다.
도 1a에 나타내는 바와 같이, 실시형태의 측정 용기(1)는, 제 1 기판(2)과, 제 2 기판(3)과, 스페이서가 혼입된 시일재(8)로 내부에 공간을 갖는 용기를 형성하고 있다. 시일재(8)에는, 측정 대상의 액체의 주입구(8a)가 2개 형성되어 있다. 주입구(8a)는, 측정 용기(1)의 내부에 측정 대상의 액체가 주입된 후에 필요에 따라서 막힌다. 주입구(8a)는, 예를 들면, 액체의 증발이나, 분위기 중의 물질의 용해에 의한 오염 등이 크게 영향을 주지 않는 경우 또는 그것들이 영향을 주지 않을 만큼의 단시간에서의 측정의 경우에는 막힐 필요는 없다. 제 1 기판(2) 및 제 2 기판(3)은, 예를 들면 유리 기판이다. 그러나, 제 1 기판(2) 및 제 2 기판(3)은, 유리 기판으로 한정되는 것은 아니다.
제 1 기판(2)에 있어서의 측정 용기(1)의 내측을 향하는 면에는, 제 1 전극(4)이 형성되어 있다. 제 2 기판(3)에 있어서의 측정 용기(1)의 내측을 향하는 면에는, 제 2 전극(5)이 형성되어 있다. 제 1 전극(4)은, 예를 들면, 측정 용기(1)의 내부에 형성되는 공간의 하측을 덮도록 형성된 평판 전극이다. 제 1 전극(4)의 일부는, 측정 용기(1)의 내부로부터 인출되어서 측정 용기(1)의 외부에 노출되어 있다. 또, 제 2 전극(5)은, 예를 들면, 측정 용기(1)의 내부에 형성되는 공간의 상측을 덮도록 형성된 평판 전극이다. 제 2 전극(5)의 일부도, 측정 용기(1)의 내부로부터 인출되어서 측정 용기(1)의 외부에 노출되어 있다.
제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)은, 예를 들면 산화 인듐 주석(ITO) 전극이다. 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)은, 측정 대상의 액체(9)에 대해서 반응성이 없는 도전성 물질로 형성되어 있으면 ITO 전극이 아니어도 된다. 예를 들면, 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)은, 알루미늄(Al) 전극이어도 된다.
실시형태의 측정 용기(1)에서는, 제 1 전극(4)에 있어서의 측정 용기(1)의 내측을 향하는 면에는, 제 1 절연막(6)이 형성되어 있다. 또, 실시형태의 측정 용기(1)에서는, 제 2 전극(5)에 있어서의 측정 용기(1)의 내측을 향하는 면에는, 제 2 절연막(7)이 형성되어 있다. 제 1 절연막(6)은, 측정 용기(1)의 내부에 형성되는 공간의 하측을 덮도록 형성된 절연막이다. 또, 제 2 절연막(7)은, 측정 용기(1)의 내부에 형성되는 공간의 상측을 덮도록 형성된 절연막이다.
여기에서, 제 1 절연막(6) 및 제 2 절연막(7)은, 측정 대상의 액체(9)에 대해서 적어도 100배의 저항률을 갖고 있다. 이 때문에, 제 1 절연막(6) 및 제 2 절연막(7)은, 고저항의 절연성 물질로 형성될 수 있다. 유기물이면, 제 1 절연막(6) 및 제 2 절연막(7)에 이용되는 절연성 물질은, 예를 들면 폴리이미드이다. 무기물이면, 제 1 절연막(6) 및 제 2 절연막(7)에 이용되는 절연성 물질은, 예를 들면 이산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx)이다. 또, 측정 대상의 액체(9)에 대해서 충분히 높은 저항률을 실현하기 때문에, 제 1 절연막(6) 및 제 2 절연막(7)은, 얇게 형성되어 있어도 된다.
시일재(8)는, 측정 용기(1)의 내부로부터 측정 대상의 액체가 누출되지 않도록 봉지한다. 전술한 바와 같이, 시일재(8)에는, 2개의 주입구(8a)가 형성되어 있다. 예를 들면, 액체(9)로 채워진 용기 내에 주입구(8a)가 침지되면, 모세관 현상에 의해서 액체(9)가 측정 용기(1)의 내부에 형성되는 공간에 주입된다. 또, 시일재(8)에는, 비즈 등의 스페이서가 혼입되어 있다. 이 스페이서에 의해, 시일재(8)는, 제 1 절연막(6)과 제 2 절연막(7)의 갭을 소정의 값으로 유지한다. 한편, 제 1 절연막(6)과 제 2 절연막(7)의 갭은, 측정 용기마다 상이해도 된다. 액체(9)에 따른 상이한 복수의 갭을 갖는 측정 용기(1)가 있음으로써, 여러 가지의 액체(9)를 주행하는 불순물 이온의 이동을 측정할 수 있다. 또, 예에서는, 측정 용기(1)로는 모세관 현상을 이용해서 액체가 주입되지만 이에 한정하는 것은 아니다. 모세관 현상이 이용되지 않는 경우, 주입구(8a)는 1개여도 된다. 또, 주입구(8a)는 3개 이상이어도 된다.
측정 대상의 액체(9)는, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 제 1 절연막(6)과, 제 2 절연막(7)과, 시일재(8)에 의해서 형성되는 공간 내에 봉입된다. 즉, 실시형태에서는, 액체(9)는, 제 1 절연막(6)과 제 2 절연막(7)에 의해서 샌드위치된 뒤에, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)에 의해서도 샌드위치된다. 한편, 측정 대상의 액체(9)는, 불순물 이온을 포함할 수 있는 각종의 액체이다.
여기에서, 측정 용기(1)는, 반드시 제 1 기판(2) 및 제 2 기판(3)을 갖고 있을 필요는 없다. 단, 제 1 기판(2) 및 제 2 기판(3) 위에 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)이 형성되어 있는 것에 의해, 용기의 취급이 용이해진다.
도 2는, 측정 용기(1)를 이용한 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 시스템의 구성을 나타내는 블럭도이다. 여기에서, 이하의 설명에 있어서는, 액체(9)가 주입된 상태의 측정 용기(1)를 샘플 셀(10)이라고 기재한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 측정 시스템은, 측정 장치(20)와, 제어 장치(30)를 갖는다. 여기에서, 측정 장치(20)와 제어 장치(30)는, 서로 통신할 수 있도록 접속되어 있다. 이 통신은, 유선으로 행해져도, 무선으로 행해져도 된다.
측정 장치(20)는, 샘플 셀(10)에 삼각파 전압 신호를 인가한다. 또, 측정 장치(20)는, 샘플 셀(10)에 삼각파 전압 신호를 인가하는 것에 의해서 샘플 셀(10)의 액체(9)에 흐르는 전류를 검출한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 측정 장치(20)는, 전압 신호 발생기(21)와, 로우 패스 필터(22)와, 전압 앰프(23)와, 전류 앰프(24)와, A/D 컨버터(25)와, 전압 신호 메모리(26)를 갖는다. 또, 도 3은, 측정 장치(20)의 전기 회로의 개요를 나타낸다.
전압 신호 발생기(21)는, 삼각파 발생 회로를 갖는다. 여기에서, 전압 신호 발생기(21)는, 제어 장치(30)로부터의 설정에 기초해서 삼각파 전압 신호의 소인(掃引, sweep) 주파수를 변화시키도록 구성되어 있다. 또, 전압 신호 발생기(21)는, 제어 장치(30)로부터의 설정에 기초해서 삼각파 전압의 전압 범위를 변화시키도록 구성되어 있다. 삼각파 전압 신호의 전압 범위는, 예를 들면 삼각파 전압 신호의 피크 전압값이다.
로우 패스 필터(22)는, 전압 신호 발생기(21)에서 발생한 삼각파 전압 신호에 있어서의 고주파 노이즈를 제거하기 위한 필터이다.
전압 앰프(23)는, 로우 패스 필터(22)를 통과한 삼각파 전압 신호를 측정에 적합한 레벨까지 증폭하고, 증폭 후의 삼각파 전압 신호를 샘플 셀(10)의 예를 들면 제 1 전극(4)에 인가한다. 도 3에서 나타내는 바와 같이, 샘플 셀(10)의 인가 전압이 측정된다. 한편, 샘플 셀(10)의 인가 전압으로서, 전압 신호 발생기(21)에서 발생한 전압으로부터의 추정값이 사용되어도 된다.
검출 회로로서의 전류 앰프(24)는, 삼각파 전압 신호를 인가하는 것에 의해서 샘플 셀(10)의 액체(9)에 흐르는 전류를 증폭하면서 전압으로 변환한다. 도 3에서 나타내는 바와 같이, 샘플 셀(10)의 출력 전류로서, 전류 앰프(24)에서 변환된 전압이 측정된다. 여기에서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 전류 앰프(24)는, 예를 들면, - 단자가 샘플 셀(10)의 예를 들면 제 2 전극(5)에 접속되고, + 단자가 접지된 연산 증폭기 AMP와, 연산 증폭기 AMP의 - 단자와 출력단의 사이에 접속된 저항 R에 의해서 구성된 전류-전압 변환 회로를 갖고 있다. 여기에서, 전류 앰프(24)는, 제어 장치(30)로부터의 설정에 기초해서 게인을 변경하도록 구성되어 있다.
A/D 컨버터(25)는, 전류 앰프(24)로부터 아날로그 신호로서 출력되는 전압을 디지탈 신호로 변환한다.
전압 신호 메모리(26)는, A/D 컨버터(25)로부터 출력되는 디지털 전압값을 기억한다. 전압 신호 메모리(26)는, 예를 들면 측정 장치(20)에 내장되는 메모리이다. 전압 신호 메모리(26)는, 측정 장치(20)에 대해서 착탈할 수 있는 메모리여도 된다.
제어 장치(30)는, 예를 들면 퍼스널 컴퓨터(PC)이다. 제어 장치(30)에는, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 프로그램이 인스톨되어 있다. 제어 장치(30)는, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 프로그램에 따라서, 측정 장치(20)에 있어서의 측정을 위한 각종의 제어를 행한다. 또, 제어 장치(30)는, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 프로그램에 따라서, 액체의 불순물 이온 측정에 관련된 각종의 해석을 행한다. 제어 장치(30)는, 반드시는 PC일 필요는 없다. 제어 장치(30)는, 액체의 불순물 이온 측정을 위한 전용의 장치여도 된다. 제어 장치(30)는 측정 장치(20)와 일체화한 형태여도 된다.
이하, 측정 용기(1)를 이용한 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 시스템의 동작을 설명한다. 도 4는, 실시형태의 측정 시스템에 의한 액체의 불순물 이온 측정 방법에 대해서 나타낸 플로 차트이다. 도 4의 플로 차트의 처리는, 제어 장치(30)에 의해서 제어된다.
스텝 S1에 있어서, 제어 장치(30)는, 측정 장치(20)에 있어서의 측정 조건과 샘플 셀(10)의 정보를 각각 설정한다. 측정 장치(20)에 있어서의 측정 조건은, 삼각파 전압 신호의 소인 주파수를 포함한다. 또, 측정 장치(20)에 있어서의 측정 조건은, 삼각파 전압 신호의 전압 범위를 포함한다. 또, 측정 장치(20)에 있어서의 측정 조건은, 전류 앰프(24)의 게인을 포함한다. 소인 주파수, 삼각파 전압 신호의 전압 범위, 전류 앰프(24)의 게인이 적절히 조정됨으로써, 측정 정밀도의 향상이 도모되거나, 측정 시간의 단축이 도모되거나 한다. 또, 샘플 셀(10)의 정보는, 액체(9)의 명칭, 제 1 전극(4) 및 제 2 전극(5)의 전극 면적의 값, 샘플 셀(10)의 갭의 값과 같은 정보를 포함한다.
스텝 S2에 있어서, 제어 장치(30)는, 측정 장치(20)에 대하여, 샘플 셀(10)에의 삼각파 전압 신호의 인가를 지시한다. 이를 받아, 측정 장치(20)의 전압 신호 발생기(21)는, 제어 장치(30)에 의해서 설정된 소인 주파수 및 전압 범위의 삼각파 전압 신호의 인가를 행한다.
스텝 S3에 있어서, 제어 장치(30)는, 측정 장치(20)의 전압 신호 메모리(26)에 축적되는 디지털 전압값을 취득한다. 전술한 바와 같이, 이 디지털 전압값은, 샘플 셀(10)을 흐르는 전류의 값에 대응하고 있다.
여기에서, 실시형태에서는, 측정 용기(1)에 액체(9)가 주입되면, 액체(9)는, 제 1 절연막(6)과 제 2 절연막(7)에 의해서 샌드위치된 뒤에, 제 1 전극(4)과 제 2 전극(5)에 의해서도 샌드위치된 상태가 된다. 액체(9)와 제 1 전극(4)의 사이에 제 1 절연막(6)이 개재되어 있고, 또한, 액체(9)와 제 2 전극(5)의 사이에 제 2 절연막(7)이 개재되어 있는 것에 의해, 제 2 전극(5)을 흐르는 전류는, 액체의 전자 전도에 의한 전류와 불순물 이온의 이온 전도에 의한 전류를 합계한 것은 아니고, 불순물 이온의 이온 전도에 의한 전류만으로 된다. 이 때문에, 제 2 전극(5)을 흐르는 전류를 전류 앰프(24)에 의해서 증폭하면, 극미량의 이온 전도이더라도 측정할 수 있다.
여기에서, 도 4의 설명으로 되돌아간다. 스텝 S4에 있어서, 제어 장치(30)는, 측정을 종료하는지 여부를 판정한다. 예를 들면, 소정의 시간의 삼각파 전압 신호의 인가가 완료되었을 때 또는 유저가 측정의 종료를 지시했을 때에는 측정을 종료한다고 판정된다. 스텝 S4에 있어서, 측정을 종료하지 않는다고 판정되었을 때에는, 처리는 스텝 S2로 되돌아간다. 이 경우, 측정이 계속된다. 스텝 S4에 있어서, 측정을 종료한다고 판정되었을 때에는, 처리는 스텝 S5로 이행한다.
스텝 S5에 있어서, 제어 장치(30)는, 취득한 정보를 이용해서 해석을 행한다. 해석의 종료 후, 제어 장치(30)는, 도 4의 처리를 종료시킨다. 이하, 해석의 처리를 설명한다. 도 5는, 해석의 처리를 나타내는 플로 차트이다. 한편, 도 4의 측정의 완료 시에 도 6에 나타내는 바와 같은 측정 데이터 DATA가 얻어진다. 도 6의 가로축은, 샘플 셀(10)에의 인가 전압, 즉 삼각파 전압 신호의 전압값을 나타낸다. 도 6의 세로축은, 샘플 셀(10)로부터의 출력 전류를 나타낸다. 액체(9)에 불순물 이온이 있을 때, 도 6에 나타내는 바와 같이, 측정 데이터 DATA는 전류의 피크를 포함한다.
스텝 S11에 있어서, 제어 장치(30)는, 측정 데이터 DATA의 경사를 나타내는 선형 회귀 직선을 구한다. 예를 들면, 제어 장치(30)는, 측정 데이터 DATA의 경사에 피팅되는 선분 A를 구한다. 계속해서, 제어 장치(30)는, 선분 A를 연장한 선형 회귀 직선 B를 구한다.
스텝 S12에 있어서, 제어 장치(30)는, 선형 회귀 직선 B로부터 액체(9)의 저항 및 저항률을 구한다. 액체(9)의 저항은, 선형 회귀 직선의 기울기의 역수이다. 저항률은, 저항과 전극 면적의 곱을 갭으로 나눔으로써 얻어진다. 또, 제어 장치(30)는, 선형 회귀 직선 B의 절편과 삼각파 전압 신호의 소인 주파수로부터 액체(9)의 캐패시턴스를 구한다. 유전율은, 캐패시턴스와 갭의 곱을 전극 면적과 진공 유전율의 곱으로 나눔으로써 얻어진다. 또, 제어 장치(30)는, 불순물 이온의 전하량을 구한다. 불순물 이온의 전하량은, 측정 데이터 DATA와 선형 회귀 직선 B의 차분의 영역 C의 면적이다. 또, 제어 장치(30)는, 불순물 이온의 전하량, 피크 전류에 대응한 전압으로부터 구해지는 전계와, 피크 전류가 발생한 시간으로부터 불순물 이온의 이동도를 구한다. 이들의 각종의 해석 후, 제어 장치(30)는, 도 5의 처리를 종료시킨다. 도 6에서는, 제 1 및 제 2 상한(象限; quadrant)의 측정 데이터 DATA만의 해석예가 나타나 있지만, 제 3 및 제 4 상한의 측정 데이터 DATA에 대해서도 필요에 따라서 마찬가지의 해석이 행해져도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시형태에서는, 측정 용기는, 절연막에 의해서 측정 대상의 액체를 샌드위치한 뒤에, 또한 전극에 의해서 측정 대상의 액체를 샌드위치하도록 액체를 봉입한다. 이 때문에, 실시형태에서는, 극미량의 이온 전도이더라도 측정할 수 있다. 또, 실시형태에서는, 무기 화합물의 이온 전도와 유기 화합물의 이온 전도의 양쪽을 측정할 수 있다.
또, 실시형태에서는, 전극은, 액체와의 반응성이 없는 도전성 물질에 의해서 만들어져 있다. 실시형태에서는, 용기의 전극과 액체의 사이에는 절연막이 개재되어 있다. 그러나, 절연막은 얇으므로, 나노 레벨에서는 전극과 액체는 접촉하고 있을 가능성이 있다. 전극이 액체와의 반응성이 없는 도전성 물질에 의해서 만들어져 있음으로써, 만일 전극과 액체가 접촉하고 있었다고 하더라도 전극이 열화되는 등의 경우가 없다.
또한, 절연막간의 갭을 측정 용기마다 상이하게 함으로써, 여러 가지의 액체를 주행하는 불순물 이온의 이동을 측정 및 검증을 할 수 있다.
이상 실시형태에 기초해서 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시형태로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지의 범위 내에서 여러 가지의 변형이나 응용이 가능한 것은 물론이다.

Claims (13)

  1. 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기로서,
    제 1 평판 전극과,
    상기 제 1 평판 전극에 형성된 제 1 절연막과,
    상기 액체가 봉입되는 공간을 형성하도록, 상기 제 1 절연막으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막과,
    상기 제 2 절연막이 형성되고, 상기 제 1 평판 전극과 마주보도록 배치된 제 2 평판 전극과,
    상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 상기 공간을 봉지하도록 구성된 시일재
    를 구비하는 측정 용기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 평판 전극은, 제 1 기판에 형성되고,
    상기 제 2 평판 전극은, 상기 제 1 기판과 마주보도록 배치된 제 2 기판에 형성되는
    측정 용기.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 주입구는 모세관 현상에 의해 상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 적어도 2개의 주입구를 가지는
    측정 용기.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기로서, 제 1 평판 전극과, 상기 제 1 평판 전극에 형성된 제 1 절연막과, 상기 액체가 봉입되는 공간을 형성하도록, 상기 제 1 절연막으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막이 형성되고, 상기 제 1 평판 전극과 마주보도록 배치된 제 2 평판 전극과, 상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 상기 공간을 봉지하도록 구성된 시일재를 구비하는 측정 용기의 상기 제 1 평판 전극과 상기 제 2 평판 전극의 사이에 삼각파 전압 신호를 인가하는 전압 신호 발생기와,
    상기 삼각파 전압 신호의 인가에 수반해서 상기 액체를 흐르는 전류 신호를 검출하는 검출 회로
    를 갖는 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 평판 전극은, 제 1 기판에 형성되고,
    상기 제 2 평판 전극은, 상기 제 1 기판과 마주보도록 배치된 제 2 기판에 형성되는
    측정 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 삼각파 전압 신호와 상기 전류 신호에 기초해서 상기 액체의 불순물 이온을 측정하는 제어 장치를 더 갖는
    측정 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 삼각파 전압 신호의 변화에 대한 상기 전류 신호의 변화의 경사를 나타내는 선형 회귀 직선의 기울기에 기초하여, 상기 액체의 저항 및 저항률 중 적어도 하나를 산출하는
    측정 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제어 장치는 상기 선형 회귀 직선의 절편과 상기 삼각파 전압 신호의 소인 주파수로부터 상기 액체의 캐패시턴스 및 유전율 중 적어도 하나를 산출하는
    측정 시스템.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제어 장치는 상기 전류 신호와 상기 선형 회귀 직선과의 차분의 영역 면적에 기초하여 상기 액체의 불순물 이온의 전하량 및 이동도 중 적어도 하나를 산출하는
    측정 시스템.
  12. 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 용기로서, 제 1 평판 전극과, 상기 제 1 평판 전극에 형성된 제 1 절연막과, 상기 액체가 봉입되는 공간을 형성하도록, 상기 제 1 절연막으로부터 떨어져서 배치된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막이 형성되고, 상기 제 1 평판 전극과 마주보도록 배치된 제 2 평판 전극과, 상기 액체를 상기 공간에 주입하기 위한 주입구를 갖고, 상기 공간을 봉지하도록 구성된 시일재를 구비하는 측정 용기의 상기 공간에 상기 액체가 봉입된 상태에서 상기 제 1 평판 전극과 상기 제 2 평판 전극의 사이에 삼각파 전압 신호를 인가하는 것과,
    상기 삼각파 전압 신호의 인가에 수반해서 상기 액체를 흐르는 전류 신호를 검출하는 것
    을 구비하는 액체의 불순물 이온 측정을 위한 측정 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 삼각파 전압 신호와 상기 전류 신호에 기초해서 상기 액체의 불순물 이온을 측정하는 것을 더 구비하는 측정 방법.
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