JP6937729B2 - 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
<半導体装置の構成>
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の断面模式図である。図2は、図1の半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図3は、図1の半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。図4は、図2に示した素子側端子の拡大模式図である。図5は、図3に示したケース側端子の拡大模式図である。
図6は、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図6を参照しながら、図1〜図5に示した半導体装置の製造方法を説明する。
本開示に係る半導体装置50は、半導体素子1と、ケース2と、ケース側端子4とを備える。半導体素子1は、素子側端子3を有する。ケース2は、半導体素子1を内部に保持し、側壁2aを有する。ケース側端子4は、上記ケース2に接続される。素子側端子3およびケース側端子4は、側壁2aと半導体素子1との間の領域に位置するとともに互いに接続される。素子側端子3においてケース側端子4と接触する第1部分3aは側壁2aに沿って延びる。第1部分3aは凸部3dを含む。ケース側端子4において素子側端子3と接触する第2部分4aは側壁2aに沿って延びる。第2部分4aは、凸部3dと接触する凹部4dを含む。凸部3dは、側壁2aに面する頂面3hと、頂面3hと連なる第1端面3fと、頂面3hと連なる第2端面3gとを含む。凹部4dは、凸部3dの頂面3hに面する底面4hと、底面4hと連なり凸部3dの第1端面3fと接する第1側面4fと、底面4hと連なり凸部3dの第2端面3gと接する第2側面4gとを含む。側壁2a側から見て、第1端面3fおよび第1側面4fは第1方向に傾斜するように延在し、第2端面3gおよび第2側面4gは、第1方向と逆方向である第2方向に傾斜するように延在する。
<半導体装置の構成>
図12は、実施の形態2に係る半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図13は、実施の形態2に係る半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。なお、図12および図13は図2および図3に対応する。
上記半導体装置50において、素子側端子3は第1端子31と第2端子32とを含む。ケース側端子4は第3端子41と第4端子42とを含む。凸部3dは第1端子31と第2端子32とに形成される。凹部4dは第3端子41と第4端子42とに形成される。第1端子31の凸部3dは第3端子41の凹部4dと接触する。第2端子32の凸部3dは第4端子42の凹部4dと接触する。第1端子31の凸部3dは、第1端面3fおよび第2端面3gを含む。第2端子32の凸部3dは第1端面3fおよび第2端面3gを含む。第3端子41の凹部4dは第1側面4fおよび第2側面4gを含む。第4端子42の凹部4dは第1側面4fおよび第2側面4gを含む。
<半導体装置の構成>
図14は、実施の形態3に係る半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図15は、実施の形態3に係る半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。図16は、図14に示した素子側端子の拡大模式図である。図17は、図15に示したケース側端子の拡大模式図である。なお図14〜図17は、それぞれ図2〜図5に対応する。
上記半導体装置50において、側壁2a側から見て、凸部3dの第1端面3fおよび第2端面は逆V字状に配置され、凹部4dの第1側面4fおよび第2側面4gは逆V字状に配置されている。この場合、凹部4dに凸部3dをはめ込むことにより、凹部4dの逆V字状の第1側面4fおよび第2側面4gの接続部の位置と、凸部3dの第1端面3fと第2端面3gとの接続部の位置が重なるようにケース側端子4と素子側端子3とが位置決めされる。そのため、上記接続部の位置をそれぞれケース側端子4および素子側端子3の幅方向の中央に位置するようにしておけば、ケース側端子4と素子側端子3との幅方向中央部が重なるようにケース側端子4と素子側端子3とを位置決めできる。さらに、図1〜図5に示した半導体装置とは凸部3dと凹部4dとの接続領域の形状が上下逆向きになっているため、鉛直方向におけるケース側端子4に対する素子側端子3の位置ずれの発生をより抑制できる。
<半導体装置の構成>
図18は、実施の形態4に係る半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図19は、実施の形態4に係る半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。なお、図18および図19は、図14および図15に対応する。
この場合、図14〜図17に示した半導体装置と同様の効果を得られるとともに、図12および図13に示した半導体装置と同様に、素子側端子3およびケース側端子4の位置決めのための凸部3dと凹部4dとの接続部を複数個所に形成できる。このため、当該凹部4dと凸部3dとの接続部が1カ所である場合のように当該1カ所の接続部に応力が集中し、当該接続部を構成する素子側端子3およびケース側端子4が破損するといった可能性を小さくできる。
<半導体装置の構成>
図20は、実施の形態5に係る半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図21は、実施の形態5に係る半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。図22は、図20に示した素子側端子の拡大模式図である。図23は、図21に示したケース側端子の拡大模式図である。なお、図20〜図23は図2〜図5に対応する。
上記半導体装置50において、素子側端子3は第1端子31と第2端子32とを含む。ケース側端子4は第3端子41と第4端子42とを含む。凸部3dは第1端子31と第2端子32とに形成される。凹部4dは第3端子41と第4端子42とに形成される。第1端子31の凸部3dは第3端子41の凹部4dと接触する。第2端子32の凸部3dは第4端子42の凹部4dと接触する。第1端子31の凸部3dは第1端面3fを含む。第2端子32の凸部3dは第2端面3gを含む。第3端子41の凹部4dは第1側面4fを含む。第4端子42の凹部4dは第2側面4gを含む。
<半導体装置の構成>
図24は、実施の形態6に係る半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図25は、実施の形態6に係る半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。図26は、図24に示した素子側端子の拡大模式図である。図27は、図25に示したケース側端子の拡大模式図である。なお、図24〜図27は図20〜図23にそれぞれ対応する。
上記のような構成とすることで、基本的に図20〜図23に示した半導体装置と同様の効果を得ることができる。
<半導体装置の構成>
図28は、実施の形態7に係る半導体装置におけるケース側端子を示す断面模式図である。図29は、図28に示したケース側端子の断面模式図である。なお、図28は半導体装置におけるケース2の一部のみを示している。図29は図28の線分XXIX−XXIXにおける断面を含む斜視模式図である。
上記半導体装置において、ケース側端子4は、第2部分4aに連なりケース2と接続される接続部4bを含む。接続部4bは、ケース2において接続部4bが接続された領域の表面に沿った断面において屈曲部45を含む。
<半導体装置の構成>
図30は、実施の形態8に係る半導体装置における素子側端子を示す模式図である。図31は、実施の形態8に係る半導体装置におけるケース側端子を示す模式図である。なお、図30および図31は図12および図13に対応する。
このように、凸部3dの第1端面3fおよび第2端面3gと、凹部4dの第1側面4fおよび第2側面4gとを、それぞれ側壁2a側から見て曲線状形成しても、図12および図13に示した半導体装置と同様の効果を得ることができる。
本実施の形態は、上述した実施の形態1〜実施の形態8に係る半導体装置を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態9として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (7)
- 素子側端子を有する半導体素子と、
前記半導体素子を内部に保持し、側壁を有するケースと、
前記ケースに接続されたケース側端子とを備え、
前記素子側端子および前記ケース側端子は、前記側壁と前記半導体素子との間の領域に位置するとともに互いに接続され、
前記素子側端子において前記ケース側端子と接触する第1部分は前記側壁に沿って延びるとともに、凸部を含み、
前記ケース側端子において前記素子側端子と接触する第2部分は前記側壁に沿って延びるとともに、前記凸部と接触する凹部を含み、
前記凸部は、前記側壁に面する頂面と、前記頂面と連なる第1端面と、前記頂面と連なる第2端面とを含み、
前記凹部は、前記凸部の前記頂面に面する底面と、前記底面と連なり前記凸部の前記第1端面と接する第1側面と、前記底面と連なり前記凸部の前記第2端面と接する第2側面とを含み、
前記側壁側から見て、前記第1端面および前記第1側面は第1方向に傾斜するように延在し、前記第2端面および前記第2側面は、前記第1方向と逆方向である第2方向に傾斜するように延在する、半導体装置。 - 前記側壁側から見て、前記凸部の前記第1端面および前記第2端面はV字状に配置され、前記凹部の前記第1側面および前記第2側面はV字状に配置されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記側壁側から見て、前記凸部の前記第1端面および前記第2端面は逆V字状に配置され、前記凹部の前記第1側面および前記第2側面は逆V字状に配置されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記素子側端子は第1端子と第2端子とを含み、
前記ケース側端子は第3端子と第4端子とを含み、
前記凸部は前記第1端子と前記第2端子とに形成され、
前記凹部は前記第3端子と前記第4端子とに形成され、
前記第1端子の前記凸部は前記第3端子の前記凹部と接触し、
前記第2端子の前記凸部は前記第4端子の前記凹部と接触し、
前記第1端子の前記凸部は前記第1端面を含み、
前記第2端子の前記凸部は前記第2端面を含み、
前記第3端子の前記凹部は前記第1側面を含み、
前記第4端子の前記凹部は前記第2側面を含む、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ケース側端子は、前記第2部分に連なり前記ケースと接続される接続部を含み、
前記接続部は、前記ケースにおいて前記接続部が接続された領域の表面に沿った断面において屈曲部を含む、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 素子側端子を有する半導体素子と、側壁を有するケースとを準備する工程を備え、
前記ケースには、ケース側端子が接続され、
前記素子側端子は、前記ケース側端子と接触するべき第1部分を含み、
前記第1部分は凸部を含み、
前記ケース側端子は、前記側壁に面するとともに前記側壁に沿って延びる第2部分を含み、
前記第2部分は前記凸部と接触するべき凹部を含み、
前記凸部は、前記側壁に面する頂面と、前記頂面と連なる第1端面と、前記頂面と連なる第2端面とを含み、
前記凹部は、前記凸部の前記頂面に面する底面と、前記底面と連なり前記凸部の前記第1端面と接するべき第1側面と、前記底面と連なり前記凸部の前記第2端面と接するべき第2側面とを含み、さらに、
前記凹部に前記凸部を接触させた状態で、前記ケースの内部に前記半導体素子を配置する工程を備え、
前記半導体素子を配置する工程では、前記側壁側から見て、前記第1端面および前記第1側面は第1方向に傾斜するように延在し、前記第2端面および前記第2側面は、前記第1方向と逆方向である第2方向に傾斜するように延在し、さらに、
前記凹部に前記凸部を接触させた状態で、前記第1部分と前記第2部分とを固定する工程を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、
を備えた電力変換装置。
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US6294255B1 (en) * | 1998-06-29 | 2001-09-25 | Yazaki Corporation | Method of and structure for fixing a flexible electrical conductor |
US6395983B1 (en) * | 1999-05-18 | 2002-05-28 | Pulse Engineering, Inc. | Electronic packaging device and method |
JP2001102141A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | テスト用ソケット、その製造方法、テスト用ソケットを用いたテスト方法、及び被テスト部材 |
DE10002703B4 (de) * | 2000-01-22 | 2006-12-07 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung mittels Laserstrahlung |
JP3850739B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2006-11-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
ITMI20020789A1 (it) * | 2002-04-12 | 2003-10-13 | Abb Service Srl | Elemento di connessione di un conduttore flessibile e metodo per connettere un conduttore flessibile ad un terminale di collegamento |
US7214881B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-05-08 | Delphi Technologies, Inc. | High temperature electrical connection |
US7425135B2 (en) * | 2004-04-30 | 2008-09-16 | Finisar Corporation | Flex circuit assembly |
JP2009200416A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2011103367A (ja) | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2011143457A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Tyco Electronics Japan Kk | レーザ溶接構造 |
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JP2013539919A (ja) * | 2010-10-13 | 2013-10-28 | アーベーベー・リサーチ・リミテッド | 半導体モジュールおよび半導体モジュールを製造する方法 |
JP2013033901A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014160717A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Toshiba Corp | 電力変換装置および半導体装置 |
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