JP6929021B2 - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents
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特許文献1に記載の方法は、化学気相成長法により被形成体上にシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜を、酸素、オゾン、水及びヘリウムを導入したプラズマガスへ被曝させる工程と、を含むことを特徴とする方法である。換言すれば、特許文献1に記載の方法は、シリコン酸化膜を形成した後に、プラズマガスに被曝させることでシリコン酸化膜の表面を改質し、この改質層で吸湿を抑制することで経時変化を抑制する方法である。
すなわち、前記課題を解決するため、本発明は、チャンバ内に配置された載置台に基板を載置し、前記チャンバに設けられたガス導入部から該チャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ成膜処理を実行することで、前記基板上にシリコン酸化膜を成膜する、シリコン酸化膜の製造方法であって、前記チャンバ内に導入する処理ガスに、流量が80sccm以上である水素ガスが含まれ、前記ガス導入部に周波数が20kHz〜100MHzで、大きさが1〜1000Wの第1高周波電力を印加すると共に、前記載置台に周波数が10kHz〜27MHzで前記第1高周波電力の周波数よりも低く、大きさが1〜1000Wである第2高周波電力を印加して、フッ化水素(蒸気)又はバッファードフッ酸によるエッチングを施した場合に、厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動率が30%以下であるシリコン酸化膜を製造することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法を提供する。ただし、前記変動率は、前記シリコン酸化膜の厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動幅をエッチングレートの平均値で除算した値を意味する。
しかしながら、本発明によれば、載置台にも第2高周波電力を印加する。例えば、第2高周波電力の周波数が第1高周波電力の周波数よりも低い場合には、正のイオンが周波数の低い第2高周波電力を印加することによる載置台の電位の切り替わりに追従し、載置台が負の電位になったときに載置台に向けて移動することになる。また、第2高周波電力の周波数が第1高周波電力の周波数以上であったとしても、電子は載置台に向けて移動し蓄積されることでセルフバイアス電圧が生じるため、このセルフバイアス電圧によっても正のイオンが載置台に向けて移動すると考えられる。
そして、載置台に向けて移動し、基板に到達した正のイオンが成膜されると同時に、成膜された膜に正のイオンが衝突することで膜が押圧されると考えられる。本発明では、ガス導入部に第1高周波電力を印加するのみならず、基板に近い載置台に第2高周波電力を印加するため、成膜された膜への正のイオンの衝突エネルギーが大きくなり、成膜と同時に膜が押圧され易いと考えられる。このように、成膜及び膜の押圧が、成膜中に同時に生じることで、厚み方向全体に亘って緻密なシリコン酸化膜が形成されることになると考えられる。
また、本発明によれば、処理ガスに水素ガスが含まれることで、成膜中のシリコンのダングリングボンドが水素イオンによって終端されて疎水性を有することになる。前述のように、本発明では、第2高周波電力を印加するため、水素イオンの衝突エネルギーが大きくなり、水素イオンによる終端が促進されると考えられる。なお、処理ガスに含まれる水素ガスの供給は、第1高周波電力及び第2高周波電力の印加期間の全期間において行うことが好ましい。これにより、シリコン酸化膜の厚み方向全体に亘ってシリコンのダングリングボンドが水素イオンによって終端されることになり、厚み方向全体に亘る疎水性を確保可能である。
以上により、経時変化が抑制されると共に、エッチング量の制御が容易なシリコン酸化膜を製造可能である。具体的には、フッ化水素(蒸気)又はバッファードフッ酸によるエッチングを施した場合に、厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動率が30%以下であるシリコン酸化膜を製造することが可能である。
図1は、本実施形態に係るシリコン酸化膜の製造方法に用いるプラズマ処理装置の概略構成を示す一部断面図である。
図1に示すように、本実施形態のプラズマ処理装置100は、チャンバ1と、チャンバ1の上部に設けられたガス導入部2と、チャンバ1内においてガス導入部2の下方に配置された載置台3とを備えている。また、本実施形態のプラズマ処理装置100は、第1高周波電源4と、第2高周波電源5と、ヒーター6a、6bと、ガスボンベ7a、7b、7cと、ガス流量調整器8a、8b、8cと、シール材9a、9bとを備えている。
なお、本実施形態では、処理ガスとして、一酸化二窒素ガス、無機シランガス及び水素ガスを用いることを例示したが、本発明はこれに限るものではなく、一酸化二窒素ガス及び無機シランガスの組み合わせに代えて、酸素(O2)ガス及びTEOS(オルトケイ酸テトラエチル、Si(OC2H5)4)を用いることも可能である。
なお、基板Wの材質は特に限定されてないものの、代表的な材質はシリコンである。また、その他の材質としては、石英ガラス及びホウケイ酸ガラスに代表される耐熱ガラス、シリコンカーバイド(SiC)、各種セラミックス、ガリウム砒素(GaAs)、サファイアを例示できる。
まず、チャンバ1内を真空排気し、ヒーター6a、6bによって、チャンバ1内及び載置台2を200〜300℃程度に加熱する。これにより、載置台2に載置された基板Wも200〜300℃程度に加熱される。次に、各ガスボンベ7a〜7cから所定流量の処理ガスをガス導入部2に供給し、チャンバ1内が所定圧力となるように、排気流量を調整する。
また、第1高周波電源4からの第1高周波電力の印加と同時に、第2高周波電源5から載置台3に第2高周波電力を印加する。本実施形態では、好ましい方法として、第2高周波電力の周波数が、第1高周波電力の周波数よりも低くされている。第2高周波電力は、周波数が10kHz〜27MHzで、大きさが1〜1000Wであることが好ましい。より好ましくは、第2高周波電力は、周波数が100kHz〜2MHzとされ、大きさが1〜500Wとされる。
図2(a)に示すように、本試験において、シリコン酸化膜10における「引張応力」とは、基板W上にシリコン酸化膜10が成膜された状態で、シリコン酸化膜10が収縮する向き(図2(a)に示す矢符10aの向き)に生じる内部応力を意味する。この引張応力により、基板Wの材質等によって程度の差はあるものの、基板Wが図2(a)に示す矢符W1の向きに湾曲するように変形することになる。本試験では、この引張応力の応力値を正の値としている。
一方、図2(b)に示すように、本試験において、シリコン酸化膜10における「圧縮応力」とは、基板W上にシリコン酸化膜10が成膜された状態で、シリコン酸化膜10が膨張する向き(図2(b)に示す矢符10bの向き)に生じる内部応力を意味する。この圧縮応力により、基板Wの材質等によって程度の差はあるものの、基板Wが図2(b)に示す矢符W2の方向に湾曲するように変形することになる。本試験では、この圧縮応力の応力値を負の値としている。
試験1は、参考例に係る製造方法によって製造したシリコン酸化膜10の内部応力の経時変化を評価した試験である。
試験1では、基板Wとして3インチのシリコンウェハを用い、ヒーター6a、6bによって、チャンバ1内及び載置台3を200℃に加熱した。次に、ガスボンベ7aから1000sccmの一酸化二窒素ガスを供給し、ガスボンベ7bから80sccmの無機シランガスを供給した(ガスボンベ7cに収容されている水素ガスは供給しなかった)。そして、チャンバ1内の圧力が120Paとなるように、排気流量を調整した。次に、第1高周波電源4からガス導入部2に、周波数が13.56MHzで大きさが300Wの第1高周波電力を印加し、第2高周波電源5から載置台3に、周波数が380kHzで大きさが0W、25W、50W、100W、200Wの第2高周波電力を印加して、30秒間のプラズマ成膜処理を施すことで、基板W上にシリコン酸化膜10を成膜した。最後に、シリコン酸化膜10が成膜された基板Wを大気中に放置し、内部応力の経時変化を評価した。内部応力は、シリコン酸化膜10の成膜直後、0.5時間後及び15時間後のタイミングで測定した。なお、内部応力は、基板Wの反り(曲率半径)の変化量を測定して応力値に換算することを測定原理とする薄膜応力測定装置(東朋テクノロジー社製、型式「FLX-2320-S」)を用いて測定した。
図3に示すように、第2高周波電力を印加しない場合(第2高周波電力の大きさが0W)に比べて、第2高周波電力を印加する場合(第2高周波電力の大きさが25W〜200W)によれば、内部応力の経時変化が抑制されることが分かった。具体的には、第2高周波電力を印加しない場合、シリコン酸化膜10の成膜直後から15時間後までの内部応力値の変動幅が101MPaであったのに対し、第2高周波電力の大きさが例えば25Wの場合には、シリコン酸化膜10の成膜直後から15時間後までの内部応力値の変動幅が77MPaに低減した。特に、第2高周波電力を大きくすればするほど、内部応力の経時変化の抑制効果が高くなった(内部応力値の変動幅が低減した)。ただし、第2高周波電力が大きすぎると、内部応力の絶対値も大きくなってしまう。図3に示す例では、第2高周波電力の大きさが200Wの場合、シリコン酸化膜10の成膜直後から15時間後までの内部応力値の変動幅が2MPaに低減したものの、内部応力(圧縮応力)の絶対値は約250MPaになっているため、内部応力の小さなシリコン酸化膜10を所望する場合には問題となる。したがい、たとえ内部応力の経時変化の抑制効果が高くても、過度に第2高周波電力を大きくすることはできない。これを解決するには、本実施形態に係る製造方法(試験2)のように、処理ガスとして水素ガスを供給することが有効である。
試験2は、本実施形態に係る製造方法によって製造したシリコン酸化膜10の内部応力の経時変化を評価した試験である。
試験2では、基板Wとして3インチのシリコンウェハを用い、ヒーター6a、6bによって、チャンバ1内及び載置台3を200℃に加熱した。次に、ガスボンベ7aから1000sccmの一酸化二窒素ガスを供給し、ガスボンベ7bから80sccmの無機シランガスを供給し、さらにガスボンベ7cから80sccm、450sccmの水素ガスを供給した。そして、チャンバ1内の圧力が120Paとなるように、排気流量を調整した。次に、第1高周波電源4からガス導入部2に、周波数が13.56MHzで大きさが300Wの第1高周波電力を印加し、第2高周波電源5から載置台3に、周波数が380kHzで大きさが50Wの第2高周波電力を印加して、30秒間のプラズマ成膜処理を施すことで、基板W上にシリコン酸化膜10を成膜した。最後に、シリコン酸化膜10が成膜された基板Wを大気中に放置し、内部応力の経時変化を評価した。内部応力は、シリコン酸化膜10の成膜直後、0.5時間後、5時間後及び24時間後のタイミングで測定した。なお、内部応力は、試験1と同じ装置を用いて測定した。
図4に示すように、試験1の水素ガスを供給しない場合(水素ガスの流量が0sccm)に比べて、水素ガスを供給することにより、第2高周波電力を過度に大きくしなくても(第2高周波の大きさが50Wであっても)、内部応力の経時変化が抑制されることが分かった。具体的には、水素ガスを供給しない場合、シリコン酸化膜10の成膜直後から5時間後までの内部応力値の変動幅が45MPaであったのに対し、水素ガスの流量が80sccmの場合には、シリコン酸化膜10の成膜直後から24時間後までの内部応力値の変動幅が39MPaに低減した。水素ガスの流量が450sccmの場合には、シリコン酸化膜10の成膜直後から24時間後までの内部応力値の変動幅が12MPaに低減した。また、第2高周波電力を過度に大きくする場合と異なり、内部応力の絶対値も大きくならず、図4に示す例では100MPa以下であることが分かった。
試験3は、試験2において450sccmの水素ガスを供給して成膜したシリコン酸化膜10のエッチングレートを評価した試験である。
試験3では、シリコン酸化膜10にフッ化水素(蒸気)によるエッチングを施した。具体的には、チャンバ1内に、175sccmのフッ化水素(HF)ガス、900sccmの窒素(N2)ガス及び265sccmのエタノール(C2H5OH)を供給し、チャンバ1内の圧力が10kPaとなるように排気流量を調整して、エッチングを施した。エッチングレートは、大日本スクリーン社製の膜厚測定装置(型式「ラムダエースVM−1200」)を用いて、エッチング前後の膜厚を測定することによって評価した。
図5に示すように、本実施形態に係る製造方法によって製造したシリコン酸化膜10は、比較例と異なり、エッチングレートの変動率が30%以下である13.6%となり、大幅に低下することを確認できた。なお、図5に示す結果は、厳密にはシリコン酸化膜10の厚み方向全体をエッチングした結果ではない(図5に示すエッチング時間6分では厚み方向全体がエッチングされず、基板W上にシリコン酸化膜10がわずかに残存した)ものの、基板Wが露出するまでエッチングを施す又はシリコン酸化膜10を超えて基板Wにエッチングを施す場合であっても、シリコン酸化膜10の厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動率が30%以下であることを確認できた。
2・・・ガス導入部
3・・・載置台
4・・・第1高周波電源
5・・・第2高周波電源
6a、6b・・・ヒーター
7a、7b、7c・・・ガスボンベ
8a、8b、8c・・・ガス流量調整器
10・・・シリコン酸化膜
W・・・基板
Claims (2)
- チャンバ内に配置された載置台に基板を載置し、前記チャンバに設けられたガス導入部から該チャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ成膜処理を実行することで、前記基板上にシリコン酸化膜を成膜する、シリコン酸化膜の製造方法であって、
前記チャンバ内に導入する処理ガスに、流量が80sccm以上である水素ガスが含まれ、
前記ガス導入部に周波数が20kHz〜100MHzで、大きさが1〜1000Wの第1高周波電力を印加すると共に、前記載置台に周波数が10kHz〜27MHzで前記第1高周波電力の周波数よりも低く、大きさが1〜1000Wである第2高周波電力を印加して、フッ化水素(蒸気)又はバッファードフッ酸によるエッチングを施した場合に、厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動率が30%以下であるシリコン酸化膜を製造することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。
ただし、前記変動率は、前記シリコン酸化膜の厚み方向全体に亘るエッチングレートの変動幅をエッチングレートの平均値で除算した値を意味する。 - 前記チャンバ内に導入する処理ガスに一酸化二窒素ガス及び無機シランガスが含まれることを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸化膜の製造方法。
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