JP6920401B2 - ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ - Google Patents

ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ Download PDF

Info

Publication number
JP6920401B2
JP6920401B2 JP2019210394A JP2019210394A JP6920401B2 JP 6920401 B2 JP6920401 B2 JP 6920401B2 JP 2019210394 A JP2019210394 A JP 2019210394A JP 2019210394 A JP2019210394 A JP 2019210394A JP 6920401 B2 JP6920401 B2 JP 6920401B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
digital
microwave
signal
frequency
outputs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019210394A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020053396A (ja
Inventor
小林 理
理 小林
秀郎 菅井
秀郎 菅井
スナム パク,
スナム パク,
カーティク ラーマスワーミ,
カーティク ラーマスワーミ,
ドミトリー ルボミルスキー,
ドミトリー ルボミルスキー,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2020053396A publication Critical patent/JP2020053396A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6920401B2 publication Critical patent/JP6920401B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32211Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222Antennas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32302Plural frequencies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32311Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本出願は、Satoru Kobayashiらによる「PLASMA REACTOR HAVING DIGITAL CONTROL OVER ROTATION FREQUENCY OF A MICROWAVE FIELD」という名称の2015年3月23日に出願された米国仮特許出願第62/136,737号、及び、Satoru Kobayashiらによる「PLASMA REACTOR HAVING DIGITAL CONTROL OVER ROTATION FREQUENCY OF A MICROWAVE FIELD WITH DIRECT UP-CONVERSION」という名称の2015年4月28に出願された米国仮特許出願番号第62/153,688号の利益を主張する、Satoru Kobayashiらによる「PLASMA REACTOR HAVING DIGITAL CONTROL OVER ROTATION FREQUENCY OF A MICROWAVE FIELD WITH DIRECT UP-CONVERSION」という名称の2015年12月18日に出願された米国特許出願番号第14/974,376号の優先権を主張する。
本出願は、マイクロ波プラズマ源を使用して半導体ウエハなどの加工対象物を処理するためのプラズマリアクタに関する。
マイクロ波プラズマ源によって生成されるプラズマは、低いシース電圧と反応性ガスの高い解離という特徴を有する。マイクロ波プラズマ処理の多くの用途では、従来、円形のウエハを処理するための均一なプラズマを作るために、円形で放射状の導波管が使用されてきた。しかし、その結果としてのプラズマは、しばしば、マイクロ波アプリケータの不均一なフィールド分布のおかげで、及び、部分的に表面波励振のおかげで、半径方向と方位角方向の一方又は両方において、不均一なイオン密度分布を有する。
プラズマの均一性を改良するために、TE111モードの高度に均一なフィールドが、処理領域に隣接した円筒形状キャビティ内で回転する、マイクロ波アプリケータを採用することが提案されてきた。このことは、90度の一時的な位相差を有する2つの空間的に直交した方向からのマイクロ波を導入することによってなされる。円形キャビティ内での完全な円形回転を励起するために、円筒形状キャビティ内の電磁波の位相及び振幅が、2つの直交する位置においてモニタされる。測定された位相及び振幅は、完全な円形回転を確実にするために、デュアル出力デジタルマイクロ波生成器にフィードバックされる。マイクロ波アプリケーションのこのシステムでは、波フィールドが、キャビティの内側で円形回転され、それによって、特に、方位角方向において、かなり均一なプラズマの分布が期待される。
このアプローチは、低いチャンバ圧、例えば、200mTorr未満の圧力におけるプラズマに対して上手く働く。高い圧力(例えば、1Torrを超える圧力)では、何処で最初の点火が生じるかに応じて、プラズマがしばしば局所化される。この状況では、マイクロ波フィールドの回転が完全に円形であり得るとしても、局所化されたプラズマは、回転するフィールドに従うことができない。何故ならば、マイクロ波の周波数に応じて、回転周期が極端に短いからである。回転周期は、約0.5ns(例えば、1/2.45GHz)のオーダーにあり得る。それは、(1msを超え得る)全体的なプラズマ反応時間よりもかなり短い。2.45GHzにおけるフィールド回転に従うために、高い圧力(例えば、1Torr)下にあるプラズマの不能からくる機能障害なしに、プラズマ内の均一性を高める方法を提供することが望ましい。
プラズマリアクタは、加工対象物処理チャンバを覆う円筒形状マイクロ波キャビティと、円筒形状マイクロ波キャビティの側壁内にある角度で間隔を空けられた第1と第2の接続開口と、マイクロ波周波数を有し、且つ、第1と第2の接続開口のうちのそれぞれものに接続されたマイクロ波出力を有する一対のマイクロ波コントローラを備えた、マイクロ波源とを備える。マイクロコントローラの各々は、(a)低速回転周波数に対応する周波数を有する第1と第2のデジタル変調信号の源、(b)中間周波数を有する第1のデジタルキャリア信号の源、(c)各々が一対の入力を有する一対の乗算器を備えた乗算器ステージであって、それぞれ、第1のデジタル変調信号、第2のデジタル変調信号、及び第1のデジタルキャリア信号を受信するように接続され、それぞれの出力in1とin2を有する、乗算器ステージ、(d)それぞれの出力in1とin2を受信するように接続され、前記出力in1とin2に対応するアナログ出力を有する、デジタルアナログコンバータ、並びに(e)アナログ出力に接続された入力を有するアップコンバータであって、マイクロ波出力を備えた、アップコンバータを備える。
一実施形態では、一対の乗算器のうちの第1のものが、第1のデジタル変調信号とデジタルキャリア信号を受信するように接続され、出力in1を含む第1の乗算器出力を有し、一方、一対の乗算器のうちの第2のものが、第2のデジタル変調信号とデジタルキャリア信号を受信するように接続され、出力in2を含む第2の乗算器出力を有する。
別の一実施形態では、リアクタが、中間周波数の第2のデジタルキャリア信号の源を更に備え、第1のデジタルキャリア信号の源が、出力in1に接続され、一対の乗算器のうちの第1のものが、第1のデジタル変調信号と第1のデジタルキャリア信号を受信するように接続され、一対の乗算器のうちの第2のものが、第2のデジタル変調信号と第2のデジタルキャリア信号を受信するように接続され、乗算器出力in2を含む第2の乗算器出力を有し、乗算器ステージは、第1と第2の乗算器の出力を受信するように接続された加算器であって、出力in2を含む出力を有する、加算器を更に備える。
一実施形態では、第1と第2の振幅変調信号が、それぞれ、コサイン形の構成要素Iとサイン形の構成要素Qを含む。
一実施形態では、第1と第2の振幅変調信号の源が、コサイン形の構成要素Iの連続的なサンプルを含む第1のRAM(ランダムアクセスメモリ)、サイン形の構成要素Qの連続的なサンプルを含む第2のRAM、及び低速回転周波数に同期したIとQの連続的なサンプルに向けられたロークロックポインタ(low clock pointer)を備える。
一実施形態では、デジタルキャリア信号の源が、デジタルキャリア信号の連続的なサンプルを含む第3のRAM、及び中間周波数に同期したデジタルキャリア信号の連続的なサンプルに向けられたロークロックポインタを備える。
一実施形態では、アップコンバータが、マイクロ波周波数と等しい出力周波数を有する。
一実施形態では、乗算器の各々が、その入力における信号の積を生成する。
一実施形態において、プラズマリアクタは、ユーザが低速回転周波数を指定することを可能にするためのユーザインターフェースを更に備える。一実施形態において、ユーザインターフェースは、ユーザがマイクロ波信号出力の間の位相差を指定することを更に可能にする。
一実施形態によれば、ある角度によってオフセットされた一対のマイクロ波注入ポートを有し、且つ、制御された低速回転周波数を有する、キャビティ内の回転するマイクロ波フィールドを生成するための方法が提供される。該方法は、マイクロ波フィールドの周波数より下の中間周波数の第1と第2のデジタルキャリアであって、互いの余関数である、第1と第2のデジタルキャリアを生成すること、低速回転周波数に対応する低速周波数の第1と第2のデジタル変調信号であって、コサイン形とサイン形の構成要素に対応する、第1と第2のデジタル変調信号のうちの少なくとも一方を生成すること、マイクロ波フィールドの周波数より下の中間周波数の第1と第2のデジタルキャリアであって、互いの余関数である、第1と第2のデジタルキャリアを生成すること、少なくとも第2のデジタル変調信号を第1と第2のデジタルキャリアのうちの少なくとも一方と混合し、一対のデジタル出力in1とin2のうちの少なくとも1つを生成すること、並びにデジタル出力をマイクロ波周波数にアップ変換(up-convert)して、一対のオフセットされたマイクロ波信号を生成すること、及び一対のオフセットされたマイクロ波信号を一対のマイクロ波注入ポートに適用することを含む。
一実施形態では、該方法が、第1と第2のデジタル変調信号を第1と第2のデジタルキャリアのうちのそれぞれのものと混合して、一対のデジタル出力in1とin2のうちのそれぞれのものを生成することを更に含む。
一実施形態では、該方法が、第1のデジタルキャリア信号を出力in1として生成すること、第1と第2のデジタルキャリアを第1と第2のデジタル変調信号のうちのそれぞれのものと混合すること、及び対応する積を加えて出力in2を生成することを更に含む。
ダイレクトアップコンバージョンを採用する更なる態様によれば、プラズマリアクタは、加工対象物処理チャンバを覆う円筒形状マイクロ波キャビティと、円筒形状マイクロ波キャビティの側壁内にある角度で間隔を空けられた第1と第2の接続開口と、マイクロ波周波数を有し、且つ、第1と第2の接続開口のうちのそれぞれものに接続されたマイクロ波出力を備えた、マイクロ波源とを備える。マイクロ波源は、低速回転周波数に対応する周波数を有するデジタル変調信号の位相内(in-phase)構成要素1‐Aと直角位相(quadrature)構成要素1-Bの源、位相内と直角位相の構成要素1‐Aと1‐Bを受信するように接続され、対応するアナログ出力in1とin2を有する、デジタルアナログコンバータ、及びアップコンバータを備え、アップコンバータは、(a)アナログ出力in1とマイクロ波周波数の位相内構成要素とのそれぞれの入力、及びマイクロ波出力のうちの第1のものに対応する第1の積出力を備えた、第1のコンビナ機能、並びに(b)アナログ出力in2とマイクロ波周波数の位相内構成要素とのそれぞれの入力、及び第2の積出力を備えた、第2のコンビナ機能を備える。
一実施形態では、第2の積出力が、マイクロ波出力のうちの第2のものに接続されている。
異なる一実施形態では、マイクロ波源が、一定信号Aの源を更に備え、アップコンバータが、一定信号Aを受信するように接続された1つの入力、マイクロ波周波数の直角位相構成要素を受信するように接続された別の1つの入力、及び第3の積出力を有する、第3のコンビナ機能、並びにそれぞれ第2と第3の積出力に接続された入力、及び、マイクロ波出力のうちの第2のものに接続された合計出力を有する、加算器機能を更に備える。
一実施形態では、デジタル変調信号の位相内構成要素の源が、デジタル変調信号と一定信号Aの合計を生成する。
一実施形態では、位相内と直角位相の構成要素が、それぞれ、コサイン形の構成要素Iとサイン形の構成要素Qを含む。一実施形態では、デジタル変調信号の位相内構成要素の源が、コサイン形の構成要素Iの連続的なサンプルを含む第1のRAMを備え、デジタル変調信号の直角位相構成要素の源が、サイン形の構成要素Qの連続的なサンプルを含む第2のRAMを備え、及び、ロークロックポインタが、低速回転周波数に同期したIとQの連続的なサンプルに向けられている。
一実施形態では、アップコンバータが、マイクロ波周波数と等しい出力周波数を有する。
一実施形態では、各コンビナ機能が、その入力における信号の積を生成するように適合されている。
一実施形態では、角度が90度である。
一実施形態において、プラズマリアクタは、ユーザが低速回転周波数を指定することを可能にするためのユーザインターフェースを更に備える。一実施形態において、ユーザインターフェースは、ユーザがそれぞれのマイクロ波出力の間の位相差を指定することを更に可能にする。
更なる一態様によれば、プラズマリアクタでは、円筒形状マイクロ波キャビティが加工対象物処理チャンバを覆い、円筒形状マイクロ波キャビティの壁内の第1と第2の接続開口が、ある角度によって間隔を空けられている。マイクロ波源は、マイクロ波周波数を有し、第1と第2の接続開口のうちのそれぞれのものに接続されたそれぞれのマイクロ波出力を備え、マイクロ波源は、低速回転周波数に対応する周波数を有するデジタル変調信号の位相内構成要素2‐Aと直角位相構成要素2‐Bの源、位相内と直角位相の構成要素2‐Aと2‐Bを受信するように接続され、且つ、対応するアナログ出力2‐linと2‐Qinを有する、デジタルアナログコンバータ、及びアップコンバータを更に備え、アップコンバータは、(a)一定信号Aとマイクロ波周波数の位相内構成要素との積に対応し、マイクロ波出力の第1のものに接続された、第1のコンビナ出力、(b)アナログ出力2‐linとマイクロ波周波数の位相内構成要素との積に対応する第2のコンビナ出力、(c)アナログ出力2‐Qinとマイクロ波周波数の直角位相構成要素との積に対応する第3のコンビナ出力、及び第2と第3のコンビナ出力とマイクロ波出力の第2のものに接続された合計出力とを含む入力を有する加算器を備える。
一実施形態では、位相内と直角位相の構成要素が、それぞれ、コサイン形の構成要素Iとサイン形の構成要素Qを含む。一実施形態では、デジタル変調信号の位相内構成要素の源が、コサイン形の構成要素Iの連続的なサンプルを含む第1のRAMを備え、デジタル変調信号の直角位相構成要素の源が、サイン形の構成要素Qの連続的なサンプルを含む第2のRAMを備え、及び、ロークロックポインタが、低速回転周波数に同期したIとQの連続的なサンプルに向けられる。
ある角度によってオフセットされた一対のマイクロ波注入ポートを有するキャビティ内のマイクロ波周波数の回転しているマイクロ波フィールドを生成する方法は、低速回転周波数に対応する周波数の変調信号の位相内と直角位相の構成要素のうちの少なくとも一方を生成すること、マイクロ波周波数の位相構成要素又は直角位相構成要素のうちの少なくとも一方を用いて、変調信号の位相内構成要素と直角位相構成要素の組み合わせを生成すること及びその組み合わせから一対の出力信号の生成すること、並びに一対の出力信号を一対のマイクロ波注入ポートに適用することを含む。
一実施形態では、組み合わせを生成することが、変調信号の位相内構成要素とマイクロ波周波数の位相内構成要素との第1の積、及び変調信号の直角位相構成要素とマイクロ波周波数の直角位相構成要素との第2の積を生成することを含む。
一実施形態では、該方法が、以下のうちの1つを更に含む。すなわち、(a)第1と第2の積を加算して一対の出力信号のうちの一方を生成すること、又は(b)第1と第2の積を一対の出力信号として提供することである。
一実施形態では、前述の方法が、該方法を実行するようにプログラムされたコンピュータによって実行される。
本発明の例示的な実施形態が得られる方式が細部にわたり理解できるように、上で簡潔に要約された、本発明のより具体的な説明が、添付の図面に示されている本発明の実施形態を参照することによって得られよう。本発明をあいまいにしないために、本明細書では、特定の良く知られたプロセスが説明されないことに留意されたい。
一実施形態で採用されるリアクタの正面図である。 図1Aに対応した平面図である。 点火用電極を含む、図1Bの実施形態の変形例を描く。 一実施形態による、システムのブロック図である。 図2のシステム内の単一の処理構成要素のブロック図である。 図3のシステムの一部分のブロック図である。 図5A〜図5Hは、円形キャビティに接続された2つのマイクロ波信号の間のユーザが選択した位相角Φの種々の値に対するマイクロ波フィールド挙動を描く。 第2の実施形態による、図3のシステムの一部分のブロック図である。 第3の実施形態による、図3のシステムの一部分のブロック図である。 ダイレクトデジタルアップコンバージョンを使用して、回転しているマイクロ波フィールドを生成するためのシステムのブロック図である。 図8のシステム内で採用されているDDUP IC’sに共通している機能性の簡略化されたブロック図である。 振幅変調のために構成された図8のシステムのFPGAのブロック図である。 位相変調のために構成された図8のシステムのFPGAのブロック図である。 同時発生的な低速及び高速回転モードのために構成された図8のシステムのFPGAのブロック図である。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると、想定されている。しかしながら、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
プラズマがマイクロ波フィールドの高速回転に従うことができない、高いチャンバ圧力でのプラズマ均一性の問題を解決するために、以下で説明される実施形態は、マイクロ波キャビティ励起の新しいモードを提供する。第1のモードは、振幅変調によって励起される低速回転モードである。第2のモードは、位相変調によって励起される低速パルスモードである。これらのモードでは、変調周波数が、通常0.1〜1000Hzで、任意に低くなり、それは1ms〜10sの回転周期に対応する。そのような低い回転周波数では、高いチャンバ圧力下での局所的なプラズマが、回転に従うことができ、したがって、プラズマイオン密度の均一な分布が可能である。
図1Aは、壁111によって取り囲まれた処理チャンバ110を含み、真空圧力下でのガスと加工対象物114を支持するための加工対象物支持体112とを含む、プラズマリアクタ100の簡略化された側面図である。処理チャンバ110を覆う円筒形状キャビティ120は、側壁121a、天井121b、及び図1Bで示されるスロット124を有する床122によって取り囲まれている。壁121aと111は、用途に応じて、金属構造体によって接続され得る。誘電体プレート130が、床122の下の真空密封を提供する。誘電体プレート130は、好ましくは、マイクロ波放射線に対して透明な材料から形成されている。図1Cは、床122が開口部810を有し、補助点火用電極820が、(図示せぬ)真空密封を有する開口部810内に配置されている、一実施形態を描いている。補助点火用電極820は、100Hz〜10MHzの範囲内のRF周波数のRF源830によって駆動される。RF源830は、(図示せぬ)インピーダンス整合を含み得る。床122及び/又は処理チャンバ110の壁111は、補助点火用電極820に対するグランドプレーン(ground plane)として機能し得る。代替的に、補助点火用電極は、更なる開口部及び真空密封を提供することによって、壁111に配置され得る。電極820とグランドプレーンは、開口部810によってのみ分離される。要約すると、グランドプレーン(すなわち、床122及び/又はキャビティ110の壁111)と共に補助点火用電極820は、容量的に結合されたRF点火回路を形成し、最終的にマイクロ波電力によって持続されるプラズマの点火を助ける。
図2は、円筒形状キャビティ120の中へのデュアルマイクロ波注入のシステムを示している。2つの同一なマイクロ波モジュールSet‐1とSet‐2が、空間的に直交した位置、PとQにおいて円筒形状キャビティ120に接続されている。モジュールSet‐1とSet‐2の反対側の端部は、デュアルデジタル位相及び振幅生成器340に接続されている。デュアルデジタル位相及び振幅生成器340は、マイクロ波シード信号RF1outとRF2outを、それぞれ、モジュールSet‐1とSet‐2に供給する。各モジュールSet‐1とSet‐2では、インピーダンス整合のために、シード信号が、増幅器350によって増幅され、サーキュレーター352とチューナー354、通常は、3‐スタブチューナーに送信される。同軸送信線356が、増幅器350の出力からチューナー354へ、マイクロ波電力を導く。この実施例では、同軸から導波管への変圧器(coaxial-to-waveguide transformer)358が、チューナー354と円筒形状キャビティ120の接続開口360との間に挿入されている。しかし、接続開口の代わりにポール又はループアンテナが採用されるならば、変圧器358は必要とされない。疑似負荷362が、増幅器350を保護するために反射した電力がダンプされ得る、サーキュレーター352の1つのポートに接続されている。マイクロ波は、各モジュールSet‐1とSet‐2の接続開口360を通して、円筒形状キャビティ120の中へ導入され、円筒形状キャビティ120内のTE111モードを励起する。図2では、θが方位角座標を示し、θ=0はポイントPにあり、θ=π/2はQにある。φは、マイクロ波シード信号RF1outに対するマイクロ波シード信号RF2outの一時的な位相角差を示す。
振幅変調による低速回転のモード
TE111モードは、デュアルデジタル位相及び振幅生成器340の所与の角周波数ωにおける円筒形状キャビティ120の半径と高さの適正な選択によって提供され得る。マイクロ波が、この状態でPにおける接続開口を通して注入されたときに、時計回りと反時計回りに回転する波が、同時に等しい可能性で起動される。位置(r、θ、z)におけるTE111モードの軸方向磁場構成要素のHzが、以下のように第1種のベッセル関数Jを使用して書かれ得る。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、Aは振幅であり、βはキャビティの高さによって決定された軸波数(axial wave number)であり、及び、κは、κ=(ω/c)−βによって規定された径波数(radial wave number)である。r及びzの固定された位置を考慮すると、数式(1)は、以下のように正規化された形態で書き直され得る。すなわち、
Figure 0006920401
同じやり方で、位置Qにおける接続開口から起動された波が、位相遅延φを用いて以下のように書かれ得る。すなわち、
Figure 0006920401
キャリア周波数ωの位相内注入(φ=0)の場合に、PとQからの同時のデュアル注入が、結果としてのフィールドを生成する。すなわち、
Figure 0006920401
低速回転に対して、振幅aとbは、低い角周波数Ω(<<ω)において、以下のように変調される。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、γは、変調における位相差である。その後、数式(4)は、以下のように要約される。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、振幅Aと位相Ψは、以下によって与えられる。すなわち、
Figure 0006920401
γ=π/2(正の直角位相)の特別な場合では、より単純な関係が適用される。すなわち、
Figure 0006920401
γ=−π/2(負の直角位相)の場合では、数式(7)、(8)、及び(9)が、同様な関係に要約される。すなわち、
Figure 0006920401
数式(10)と(11)は、それぞれ、低い変調周波数Ωにおける時計回りと反時計回りのフィールドの回転を表している。
上述したことは、軸方向磁場構成要素Hzによって提供される。しかし、電場のみならず磁場の全ての他の構成要素は、Hzで共に回転する。
数式10(又は数式11)によって表される時計回りの回転波を励起するために、PとQから起動される波は、それぞれ、キャリア角周波数ωとγ=π/2(又は−π/2)とを有する数式5と数式6に比例する形態を有するべきである。すなわち、
Figure 0006920401
及び
Figure 0006920401
円筒形状キャビティ120の内側の波フィールドは、角周波数Ωで、数式(13)内の符号に応じた方向(時計回り又は反時計回り)に回転する。Ωに対する初期位相φ及びωに対する初期位相φを導入して、数式(12)と(13)は、より一般的な形態で以下のように表され得る。すなわち、
Figure 0006920401
及び
Figure 0006920401
ここで、φ及びφは、任意の初期位相である。一般性を失うことなしに、φは、この説明のリマインダーにおいて0に設定され、以下の簡略化を提供する。すなわち、
Figure 0006920401
従来のアナログ振幅変調器は、数式(14)及び(15)によって表される入力信号を生成することができる。しかし、そのようなアナログ変調器では、回転周波数fΩa=Ω/2πを変更することが難しい。本明細書の実施形態は、この問題を解決するために、異なるランダムアクセスメモリ(RAM)を使用するフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)などのデジタルコントローラを採用して、所望の波形を生成する。しかし、デジタルコントローラ内で数式(14)と(15)を実施するために、sinΩtとcos(ωt+φ)との間のタイムスケール差が、注意深く考慮されるべきである。さもなければ、望ましくない大量のRAMが、cosΩtとsinΩtの項を実施するために必要とされ得る。
デュアルデジタル位相及び振幅生成器340は、モジュールSet‐1とSet‐2に提供される、マイクロ波信号RF1outとRF2outを生成する。一実施形態による、振幅生成器340の内部構造が、図3のブロック図によって描かれている。図3の以下の説明は、数式(14)と(15)に言及しているが、簡略化のために、プラス符号に対応する数式(15)のヴァージョンのみが考慮される。システム制御クロックfsysとアップコンバージョン周波数fmixRefが、PLL(位相ロックループ)モジュール600内で生成される。数式(14)と(15)に関するφ、B、fΩのユーザが選んだ値が、ユーザインターフェースを介して入力される。ユーザインターフェースは、コンピュータ又はPC602として実装され得る。ここで、Bはaに比例する。それらのデータは、fsysによって駆動されるFPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)へ転送される。FPGA604は、以下で説明されるやり方において、2つのデジタル信号、すななち、中間周波数のin1とin2を生成する。デジタル信号in1とin2は、個別にDAC(デジタルアナログコンバータ)608へ転送される。DAC608は、デジタル信号in1とin2を、それぞれ、BcosΩt・cos(ωift+φ)とBsinΩt・cos(ωift+φ)によって規定されたアナログIF(中間周波数)信号へ変換する。中間角周波数は、ωif=2πfifである。2つのアナログIF信号BcosΩt・cos(ωift+φ)とBsinΩt・cos(ωift+φ)は、アップコンバージョン周波数fmixRefを使用して、アップコンバータ612によって、マイクロ波角周波数ω=2πfへアップ変換され、数式(14)と(15)の出力信号を生成する。これらの出力信号は、図3でRFout1とRFout2としてラベルが付けられ、それぞれのモジュールSet‐1とSet‐2を通して、図2の円筒形状キャビティ120の位置PとQにおけるそれぞれの接続開口360に接続される。
図4は、FPGA604の一実施形態のブロック図である。RAM610は、システム制御クロックfsysを使用して、第1のデジタルIFキャリアcos(2π・nsys/Nsys+φ)を生成する。ここで、Nsys=2は、キャリア波係数(carrier wave modulus)であり、nsysは、キャリア波のカウント(count of the carrier wave)である。nの値は、ユーザによって選択され、通常、nは5から7の範囲内にあり得る。
マイクロ波フィールドの低速回転のために必要な振幅変調波は、所望の低い回転の周波数に対応する周波数flclk(=NlclkΩ)の低いクロックを使用して、RAM620と622によって生成される。一実施形態では、flclk=NlclkΩである。通常、Nlclk=2である。整数mは、任意である。1つの典型的な選択は、Nsys=2=Nlclkである。
RAM620は、低速波カウントnlclkと低速波係数Nlclkを有する、以下のような、コサイン形(位相内)の構成要素Iを生成する。すなわち、
Figure 0006920401
低速波カウントnlclkは、Iの連続的なサンプルを記憶するRAM620内の連続的な位置に対するアドレスポインタとして機能する。
RAM622は、低いクロックカウントnlclkと低いクロック係数Nlclkに従う、以下のような、サイン形(直角位相)の構成要素Qを生成する。すなわち、
Figure 0006920401
低いクロックカウントnlclkは、Qの連続的なサンプルを記憶するRAM622内の連続的な位置に対するアドレスポインタとして機能する。
デジタル乗算器630は、コサイン形の構成要素Iを、RAM610からのデジタルIFキャリアと組み合わせて、デジタル信号in1を生成する。デジタル乗算器640は、サイン形の構成要素Qを、RAM610からのデジタルIFキャリアと組み合わせて、デジタル信号in2を生成する。
図3を参照して上述されたように、DAC608は、デジタル信号in1とin2を、それぞれ、BcosΩt・cos(ωift+φ)とBsinΩt・cos(ωift+φ)によって規定されたアナログIF(中間周波数)信号へ変換する。図3を参照して上述されたように、アナログIF信号は、アップコンバータ606によって、対応するマイクロ波信号RF1outとRF2outへアップ変換されるマイクロ波信号RF1outとRF2outは、図2の円筒形状キャビティ120に接続される。
位相変調による低速回転と振動のモード
数式(2)と(3)において一定の振幅a=bの場合を考慮すると、結果としてのフィールドは、以下のようになる。すなわち、
Figure 0006920401
φ=±π/2の特別な場合では、数式(16)が、以下のように要約される。すなわち、
Figure 0006920401
数式(17)は、マイクロ波周波数ωにおける円形時計回り/反時計回りの回転を意味する。この場合に、PとQで注入されたマイクロ波は、それぞれ、数式(12)と(13)における接続効果を考慮することによって以下のように表わされる。すなわち、
Figure 0006920401
及び
Figure 0006920401
任意の位相φの場合には、数式(16)が、以下のように簡略化される。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、
Figure 0006920401
及び
Figure 0006920401
線形位相変調が、以下の数式を導入することによって、数式(18)〜(20)の中へ導入され得る。すなわち、
Figure 0006920401
そのような場合に、φは、時間にわたり傾斜を付けられ、数式(19)において表された振幅Cは、図5Aから図5Hで描かれたφの連続的な値に対する、極座標でのマイクロ波フィールドの種々の分布を示している。図5Aから図5Hまで、φが時間にわたり傾斜を付けられるに従って、結果としてのマイクロ波フィールド分布は、回転と振動との間で連続的に交互に繰り返すことが見られる。
Ωの回転周波数における振動と低速回転は、以下の信号によって、図2の位置PとQにおいてマイクロ波の入力を注入することによって得られる。すなわち、
Figure 0006920401
及び
Figure 0006920401
この場合に、キャビティ内の波は、周波数Ωを有する振動と回転を交互に繰り返し、パルスモードをもたらす。
従来のアナログ位相変調は、数式(22)を実施する。しかし、Ωの選択肢は限られている。数式(22)と(23)のデジタル実現では、ωとΩの間のタイムスケール差が、考慮されるべきである。数式(22)と(23)の信号を生成するために、図3のFPGA604は、図6で描かれている内部構造を有し、それは、図4の構造の変形例である。図6では、RAM610、602、及び622が、図4を参照して上述されたやり方で機能する。図6のRAM623は、定数aを提供する。図6の実施形態における更なるRAM612は、システム制御クロックfsysを使用して、第2のデジタルIFキャリアを生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、Nsys=2は、キャリア波係数であり、nsysは、キャリア波のカウントである。
RAM602と622は、cosΩtとsinΩtの数式23によって表された線形変調を生成する信号を記憶し、Ωは、所望の低速回転/振動周波数である。それぞれの変調信号は、互いに余関数である。何故ならば、それらは対応するサインとコサインの項を含んでいるからである。
RAM610の出力は、デジタル信号in1として使用される。デジタル乗算器660は、RAM610と620の出力を共に掛け合わせる。デジタル乗算器662は、RAM612と622の出力を共に掛け合わせる。加算器664は、デジタル乗算器600、662、及び663の積を共に加えて、結果としての合計をデジタル信号in2として提供する。したがって、デジタル信号in1とin2は、デジタルアナログコンバータ608によって、対応するアナログ信号に変換される。対応するアナログ信号は、図4を参照して上述されたやり方で処理され、マイクロ波信号RFout1とRFout2を生成する。
3つのモードの重ね合わせ
これまで、3つのモードが説明されてきた。すなわち、(a)キャリア周波数としての角周波数ωを有する高速回転のモード(数式(17‐2)と数式(17‐3)参照)、(b)角周波数Ω(Ω<<ω)を有する低速回転のモード(数式(14)と数式(15)参照)、及び(c)Ω<<ωである角周波数Ωを有する低速パルスモード(数式(22)と(23)参照)である。例えば、数式(14)と(15)の振幅変調では、定数μに対して振幅を(1+μsinΩt)として変形することができ、位相変調項-Ωtを加えて、以下の組の数式を生成する。すなわち、
Figure 0006920401
この種類のデュアル注入は、上で言及された3つの回転モードを含む。モード(a)と(b)を組み合わせたときに、図6のFPGAは、図7で示される構造に変形される。
ダイレクトデジタルアップコンバージョン
図8から図11は、中間周波数からのアップコンバージョンの代わりに、ダイレクトデジタルアップコンバージョン(DDUP)を採用する実施形態を示している。図8から図11の実施形態では、中間周波数に対するコンバージョンが必要でない。ここで説明されるのは、ダイレクトデジタルアップコンバージョンを使用して、図2の円筒形状キャビティ120に供給される、マイクロ波信号RFout1とRFout2を如何にして生成するかということである。図8のFPGA604は、そこからマイクロ波フィールド信号RFout1とRFout2が生成されるところの、より低い周波数デジタル信号を合成するように適合されている。図8の実施形態では、FPGA604が、各より低い周波数振幅変調信号の位相内デジタル構成要素と直角位相デジタル構成要素を生成することができる。各振幅変調信号は、マイクロ波フィールド信号RFout1とRFout2のうちの対応する1つの前身(precursor)である。
図8では、デジタルアナログコンバータ(DAC)608が、低い周波数デジタル信号をアナログ信号に変換する。DAC608は、それぞれ、デジタル入力1-A、1-B、2-A、及び2-Bと、アナログ出力1-Iin、1-Qin、2-Iin、及び2-Qinとを有する。デジタル入力1-A、1-B、2-A、及び2-Bにおけるデジタル信号は、それぞれ、対応するアナログ出力1-Iin、1-Qin、2-Iin、及び2-Qinに変換される。
RFout1に対応するデジタル位相内構成要素は、デジタル入力1-Aに対応し、一方、RFout1に対応するデジタル直角位相構成要素は、デジタル入力1-Bに対応する。同様に、RFout2に対応するデジタル位相内構成要素は、デジタル入力2-Aに対応し、一方、RFout2に対応するデジタル直角位相構成要素は、デジタル入力2-Bに対応する。
2つのDDUP集積回路(DDUP IC)が、採用され、低い周波数振幅変調信号を、マイクロ波キャリア周波数ωに、直接的にアップ変換する。DDUPIC607-1は、アナログ出力1-Iinを、マイクロ波周波数ωの位相内構成要素と組み合わせて、第1の積を生成する。DDUPIC607-1は、更に、アナログ出力1-Qinを、マイクロ波周波数ωの直角位相構成要素と組み合わせて、第2の積を生成する。DDUPIC607-1は、第1と第2の積を加えて、マイクロ波信号RF1outを生成する。
DDUP IC607-2は、アナログ出力2-Iinを、マイクロ波周波数ωの位相内構成要素と組み合わせて、第3の積を生成する。DDUP IC607-2は、アナログ出力2-Qinを、マイクロ波周波数ωの直角位相構成要素と組み合わせて、第4の積を生成する。DDUPIC607-2は、第3と第4の積を加えて、マイクロ波信号RF2outを生成する。各DDUP ICのこの機能性は、図8Aで示され、典型的なDDUPIC(例えば、DDUPIC607-1)を、位相内アナログ信号をマイクロ波周波数の位相内構成要素と混合するための混合(ミキサー)機能802、直角位相アナログ信号をマイクロ波周波数の直角位相構成要素と混合するための混合機能804、及び混合機能802と804からの2つの積を加えるための加算器806を有するものとして描いている。
図8のFPGA604は、図9で示されるように、DAC608の4つのデジタル入力1-A、1-B、2-A、及び2-Bのうちのそれぞれものに接続された出力を有する、4つのランダムアクセスメモリ(RAM)620、720、622、及び722を含む。図9は、振幅変調によって遅く回転するマイクロ波フィールドを生成するモードを実施するためのFPGA604の一構成を描いている。
図9のモードでは、RAM720が、ゼロコンテンツを有し、それによって、DAC608のデジタル入力1-Bには信号が適用されず、一方、RAM722が、ゼロコンテンツを有し、それによって、DAC608のデジタル入力2-Bには信号が適用されない。図9のモードでは、RAM620が、図4を参照して上述されたやり方で動作し、振幅変調信号のデジタル位相内構成要素を生成する。すなわち、
Figure 0006920401
それは、DAC608のデジタル入力1-Aに適用される。DAC608は、この信号を、アナログ出力1-Iinにおいて、アナログ振幅変調信号BcosΩtに変換する。DDUP IC607-1は、アナログ変調信号BcosΩtを、マイクロ波周波数の位相内構成要素cos(ωt+φ)と混合して、マイクロ波信号RF1outを、以下のものとして生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、Ωはユーザが選択した低速回転の周波数であり、及び、ωはマイクロ波周波数である。
図9のモードでは、RAM622が、図4を参照して上述されたやり方で動作し、振幅変調信号のデジタル直角位相構成要素を生成する。すなわち、
Figure 0006920401
それは、DAC608のデジタル入力2-Aに適用される。DAC608は、この信号を、アナログ出力2-Qinにおいて、アナログ振幅変調信号BsinΩtに変換する。DDUP IC607-2は、アナログ変調信号BsinΩtを、マイクロ波周波数の位相内構成要素cos(ωt+φ)と混合して、マイクロ波信号RF2outを、以下のものとして生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、Ωはユーザが選択した低速回転の周波数であり、及び、ωはマイクロ波周波数である。
図10は、線形位相変調によって遅く回転するマイクロ波フィールドを生成するモードを実施するためのFPGA604の一構成を描いている。図10のモードでは、RAM620が、定数aをDAC608のデジタル入力1-Aに提供し、それは、アナログ出力1-Iinに送信される。RAM720は、ゼロコンテンツであり、それによって、DAC608のデジタル入力1-Bには信号が適用されず、DAC608の対応するアナログ出力1-Qinには信号が存在しない。図10のモードでは、RAM622が、図4を参照して上述されたやり方で動作し、振幅変調信号のデジタル位相内構成要素を生成する。すなわち、
Figure 0006920401
それは、DAC608のデジタル入力2-Aに適用される。DAC608は、この信号を、アナログ出力2-Iinにおいて、アナログ振幅変調信号acosΩtに変換する。RAM722は、振幅変調信号のデジタル直角位相構成要素を生成する。
Figure 0006920401
それは、DAC608のデジタル入力2-Bに適用される。DAC608は、この信号を、アナログ出力2-Qinにおいて、アナログ振幅変調信号asinΩtに変換する。
DDUP IC607-1は、出力1-Iinから受信した定数aを、マイクロ波周波数の位相内構成要素cos(ωt+φ)と混合して、マイクロ波信号RF1outを、以下のものとして生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、ωはマイクロ波周波数である。
DDUP IC607-2は、アナログ変調信号acosΩtを、マイクロ波周波数の位相内構成要素cos(ωt+φ)と混合して、以下の第1の積信号を生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、Ωはユーザが選択した低速回転の周波数であり、及び、ωはマイクロ波周波数である。
DDUP IC607-2は、(アナログ出力2-Qinにおいて存在する)アナログ変調信号asinΩtを、マイクロ波周波数の直角位相構成要素sin(ωt+φ)と混合して、以下の第2の積信号を生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、Ωはユーザが選択した低速回転の周波数であり、及び、ωはマイクロ波周波数である。
DDUP IC607-2は、第1と第2の積を加えて、マイクロ波出力信号RF2outを以下のものとして生成する。すなわち、
Figure 0006920401
図11は、それぞれ、周波数ωとΩにおけるマイクロ波フィールドの高速及び低速回転を生成するモードを実施するためのFPGA604の一構成を描いている。図11のモードでは、RAM620が、定数Aと振幅変調信号のデジタル位相内構成要素との合計を提供する。すなわち、
Figure 0006920401
それは、DAC608のデジタル入力1-Aに適用される。DAC608は、この信号を、アナログ出力1-Iinにおいて、アナログ振幅変調信号A+BcosΩtに変換する。RAM720は、ゼロコンテンツであり、それによって、DAC608のデジタル入力1-Bには信号が適用されず、DAC608の対応するアナログ出力1-Qinには信号が存在しない。
図11のモードでは、RAM622は、振幅変調信号のデジタル直角位相構成要素を生成する。
Figure 0006920401
それは、DAC608のデジタル入力2‐Aに適用される。DAC608は、この信号を、アナログ出力2-Iinにおいて、アナログ振幅変調信号BsinΩtに変換する。RAM722は、定数Aを出力する。それは、DAC608のデジタル入力2-Bに適用され、アナログ出力2-Qinに渡される。
DDUP IC607-1は、アナログ出力1-Iinにおけるアナログ変調信号A+BcosΩtを、マイクロ波周波数の位相内構成要素cos(ωt+φ)と混合して、マイクロ波信号RF1outを、以下のものとして生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、Ωはユーザが選択した低速回転の周波数であり、及び、ωはマイクロ波周波数である。
DDUP IC607-2は、アナログ出力2-Iinにおけるアナログ振幅変調信号BsinΩtを、マイクロ波周波数の位相内構成要素cos(ωt+φ)と混合して、第1の積信号αBsinΩtcos(ωt+φ)を生成し、ここで、αはミキシングゲインである。
DDUP IC607-2は、アナログ出力2-Qinにおける定数Aを、マイクロ波周波数の直角位相構成要素sin(ωt+φ)と混合して、第2の積信号αAsin(ωt+φ)を生成し、ここで、αはミキシングゲインである。
DDUP IC607-2は、第1と第2の積を共に加えて、マイクロ波出力信号RF2outを以下のものとして生成する。すなわち、
Figure 0006920401
ここで、αはミキシングゲインであり、Ωはユーザが選択した低速回転の周波数であり、及び、ωはマイクロ波周波数である。
以上の実施形態は、上述した一実施形態の機能を実行するための実行可能な指示命令を記憶し又はアクセスする、コンピュータ(例えば、コンピュータ602)によって実施され得る、指示命令は、ネットワーク若しくはインターネット接続から、ディスクから、又は他の適切な媒体からアクセスされ得る。コンピュータによるアクセスを、機能又は方法を実行するための実行可能な指示命令に提供することによって、コンピュータは、機能又は方法を実行するようにプログラムされ得ると考えられている。
利点
本明細書の実施形態は、プラズマ源のマイクロ波フィールドを回転させることによって、チャンバ圧力の広い範囲にわたり均一な処理結果を提供する。マイクロ波の回転は、デジタルに合成され、それによって、回転周波数が、高いチャンバ圧であってさえもプラズマが回転に従うことを可能にするために所望の低さに設定され得る。
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の更なる実施形態を考案することもでき、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (14)

  1. 加工対象物処理チャンバを覆う円筒形状マイクロ波キャビティであって、前記円筒形状マイクロ波キャビティの側壁内の第1と第2の接続開口がある角度で間隔を空けられている、円筒形状マイクロ波キャビティと、
    システムクロック信号を生成するシステム制御クロックと、
    マイクロ波周波数を有し、且つ、前記第1と第2の接続開口のうちのそれぞれのものに接続されたそれぞれのマイクロ波出力を有するマイクロ波コントローラを備えた、マイクロ波源とを備え、
    前記マイクロ波コントローラが、
    前記システムクロック信号を受信し、前記システムクロック信号から2つのデジタル出力を生成するように構成されたデジタル回路であって、前記2つのデジタル出力のうちの少なくとも1つは、前記マイクロ波周波数より低い第1の中間周波数を有する第1の構成要素と、前記第1の中間周波数より低い第2の低速回転周波数を有する第2の構成要素との組み合わせである、デジタル回路と、
    前記2つのデジタル出力に接続され、前記2つのデジタル出力に対応する2つのアナログ出力を生成する、デジタルアナログコンバータと、
    前記2つのアナログ出力に接続されたアップコンバータであって、前記2つのアナログ出力を前記マイクロ波周波数に変換し、低速回転するマイクロ波フィールドを生成するための前記マイクロ波出力を提供する、アップコンバータを含む、プラズマリアクタ。
  2. 前記デジタル回路が、前記第2の低速回転周波数で第1及び第2のデジタル変調信号を生成し、前記第1の中間周波数で第1のデジタルキャリア信号を生成するように構成される、請求項1に記載のリアクタ。
  3. 前記デジタル回路が、前記第1のデジタル変調信号で前記第1のデジタルキャリア信号を乗算し、前記2つのデジタル出力のうちの第1のものを生成する、第1の乗算器を含む、請求項2に記載のリアクタ。
  4. 前記デジタル回路が、前記第のデジタル変調信号で第のデジタルキャリア信号を乗算し、前記2つのデジタル出力のうちの第2のものを生成する、第2の乗算器を含む、請求項3に記載のリアクタ。
  5. 前記デジタル回路が、前記第1の中間周波数で第2のデジタルキャリア信号を生成するように構成される、請求項2に記載のリアクタ。
  6. 前記第1のデジタルキャリア信号は、前記2つのデジタル出力のうちの第1のものを提供する、請求項に記載のリアクタ。
  7. 前記デジタル回路が、
    前記第1のデジタル変調信号で前記第1のデジタルキャリア信号を乗算する、第1の乗算器と、
    前記第2のデジタル変調信号で前記第2のデジタルキャリア信号を乗算する、第2の乗算器と、
    前記第1の乗算器の出力と前記第2の乗算器の出力とを加算し、前記2つのデジタル出力のうちの第2のものを提供する、加算器と
    を含む、請求項6に記載のリアクタ。
  8. 前記第1と第2のデジタル変調信号が、それぞれ、コサイン形の構成要素Iとサイン形の構成要素Qを含む、請求項2に記載のリアクタ。
  9. 前記デジタル回路が、
    前記コサイン形の構成要素Iの連続的なサンプルを含む第1のRAM、前記サイン形の構成要素Qの連続的なサンプルを含む第2のRAM、及び前記第2の低速回転周波数に同期した前記IとQの連続的なサンプルに向けられた第1のクロックカウントを含む、請求項に記載のリアクタ。
  10. 前記デジタル回路が、
    前記第1のデジタルキャリア信号の連続的なサンプルを含む第3のRAM、及び前記第1の中間周波数に同期した前記デジタルキャリア信号の連続的なサンプルに向けられた第2のクロックカウントを備える、請求項に記載のリアクタ。
  11. 前記角度が90度である、請求項1に記載のリアクタ。
  12. ユーザが前記第2の低速回転周波数を指定することを可能にするためのユーザインターフェースを更に備える、請求項1に記載のリアクタ。
  13. 前記システム制御クロックが、前記システムクロック信号を生成する位相ロックループモジュールを含む、請求項1に記載のリアクタ。
  14. 前記位相ロックループが、アップコンバージョン周波数でアップコンバージョン信号を生成するように構成され、
    前記アップコンバータが、前記アップコンバージョン信号を受信する、請求項13に記載のリアクタ。
JP2019210394A 2015-03-23 2019-11-21 ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ Active JP6920401B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562136737P 2015-03-23 2015-03-23
US62/136,737 2015-03-23
US201562153688P 2015-04-28 2015-04-28
US62/153,688 2015-04-28
US14/974,376 2015-12-18
US14/974,376 US10153133B2 (en) 2015-03-23 2015-12-18 Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
JP2017550111A JP6622321B2 (ja) 2015-03-23 2016-03-03 ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017550111A Division JP6622321B2 (ja) 2015-03-23 2016-03-03 ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020053396A JP2020053396A (ja) 2020-04-02
JP6920401B2 true JP6920401B2 (ja) 2021-08-18

Family

ID=56975745

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017550111A Active JP6622321B2 (ja) 2015-03-23 2016-03-03 ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ
JP2019210394A Active JP6920401B2 (ja) 2015-03-23 2019-11-21 ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017550111A Active JP6622321B2 (ja) 2015-03-23 2016-03-03 ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10153133B2 (ja)
JP (2) JP6622321B2 (ja)
KR (1) KR102520868B1 (ja)
CN (2) CN107533946B (ja)
TW (2) TWI729450B (ja)
WO (1) WO2016153757A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10153133B2 (en) * 2015-03-23 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10340124B2 (en) * 2015-10-29 2019-07-02 Applied Materials, Inc. Generalized cylindrical cavity system for microwave rotation and impedance shifting by irises in a power-supplying waveguide
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10431429B2 (en) * 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
TWI800505B (zh) * 2017-04-24 2023-05-01 美商應用材料股份有限公司 對電漿反應器的電極施加功率
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11222769B2 (en) 2017-05-26 2022-01-11 Applied Materials, Inc. Monopole antenna array source with gas supply or grid filter for semiconductor process equipment
US11355317B2 (en) 2017-12-14 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for dynamical control of radial uniformity in microwave chambers
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11476092B2 (en) * 2019-05-31 2022-10-18 Mks Instruments, Inc. System and method of power generation with phase linked solid-state generator modules
US11348783B2 (en) 2019-09-05 2022-05-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for dynamical control of radial uniformity with two-story microwave cavities
US11963287B2 (en) 2020-09-24 2024-04-16 6K Inc. Systems, devices, and methods for starting plasma
AU2021371051A1 (en) 2020-10-30 2023-03-30 6K Inc. Systems and methods for synthesis of spheroidized metal powders
US20230411123A1 (en) * 2022-06-09 2023-12-21 6K Inc. Plasma apparatus and methods for processing feed material utilizing an upstream swirl module and composite gas flows

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4630566A (en) * 1984-08-16 1986-12-23 Board Of Trustees Operating Michigan State University Microwave or UHF plasma improved apparatus
KR920014373A (ko) * 1990-12-03 1992-07-30 제임스 조렙 드롱 Vhf/uhf 공진 안테나 공급원을 사용하는 플라즈마 반응기 및 플라즈마를 발생시키는 방법
US5230740A (en) * 1991-12-17 1993-07-27 Crystallume Apparatus for controlling plasma size and position in plasma-activated chemical vapor deposition processes comprising rotating dielectric
US5292370A (en) * 1992-08-14 1994-03-08 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing
GB2311194B (en) * 1996-03-12 2000-05-31 Nokia Mobile Phones Ltd Transmitting and receiving radio signals
JPH11260807A (ja) * 1997-12-17 1999-09-24 Toshiba Corp プラズマ処理終点検出方法及びその装置又は異常放電検出方法及びその装置並びに半導体製造方法
US6741944B1 (en) * 1999-07-20 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Electron density measurement and plasma process control system using a microwave oscillator locked to an open resonator containing the plasma
WO2001006402A1 (en) * 1999-07-20 2001-01-25 Tokyo Electron Limited Electron density measurement and plasma process control system using a microwave oscillator locked to an open resonator containing the plasma
JP2001110595A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Ryoda Sato アークプラズマ発生方法並びに物質処理方法及び装置
US6494955B1 (en) 2000-02-15 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US7037813B2 (en) * 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
AU2003234476A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-11 Dana Corporation Plasma-assisted nitrogen surface-treatment
US6703080B2 (en) * 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
US6908846B2 (en) * 2002-10-24 2005-06-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for detecting endpoint during plasma etching of thin films
TWI350046B (en) 2003-08-18 2011-10-01 Mks Instr Inc System and method for controlling the operation of a power supply
US7405521B2 (en) * 2003-08-22 2008-07-29 Lam Research Corporation Multiple frequency plasma processor method and apparatus
US20060021980A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Lee Sang H System and method for controlling a power distribution within a microwave cavity
US7602127B2 (en) 2005-04-18 2009-10-13 Mks Instruments, Inc. Phase and frequency control of a radio frequency generator from an external source
US7477711B2 (en) * 2005-05-19 2009-01-13 Mks Instruments, Inc. Synchronous undersampling for high-frequency voltage and current measurements
JP4576291B2 (ja) * 2005-06-06 2010-11-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
GB0516695D0 (en) 2005-08-15 2005-09-21 Boc Group Plc Microwave plasma reactor
US20110233049A1 (en) 2007-08-30 2011-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sputtering system
GB0902784D0 (en) * 2009-02-19 2009-04-08 Gasplas As Plasma reactor
US20110097487A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold including bonded plates
WO2011125470A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2012023163A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
WO2012121289A1 (ja) * 2011-03-08 2012-09-13 東京エレクトロン株式会社 表面波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ源、およびそれに用いるマイクロ波導入機構
US9621286B2 (en) * 2011-06-29 2017-04-11 Tektronix, Inc. Apparatus for generation of corrected vector wideband RF signals
US8766719B2 (en) 2011-10-17 2014-07-01 Mediatek Inc. Digitally-controlled power amplifier with bandpass filtering/transient waveform control and related digitally-controlled power amplifier cell
US20130284369A1 (en) 2012-04-26 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Two-phase operation of plasma chamber by phase locked loop
US9161428B2 (en) 2012-04-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor
DE102012013418A1 (de) * 2012-07-02 2014-01-02 Sitec Automation Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines skalierbaren linearen Plasmas
CN103543349B (zh) * 2012-07-16 2016-08-31 核工业西南物理研究院 基于vco调制的宽带多波束微波源相关反射测量系统
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
JP2014049667A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びこれを備えた基板処理装置
JP6002556B2 (ja) * 2012-11-27 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9312106B2 (en) 2013-03-13 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Digital phase controller for two-phase operation of a plasma reactor
TWM480414U (zh) * 2014-01-29 2014-06-21 xue-yan Yang 米型紙公仔
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US10153133B2 (en) * 2015-03-23 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having digital control over rotation frequency of a microwave field with direct up-conversion
US20170133202A1 (en) 2015-11-09 2017-05-11 Lam Research Corporation Computer addressable plasma density modification for etch and deposition processes

Also Published As

Publication number Publication date
CN107533946B (zh) 2020-04-03
US10153133B2 (en) 2018-12-11
JP6622321B2 (ja) 2019-12-18
KR20170131520A (ko) 2017-11-29
JP2018510475A (ja) 2018-04-12
TW202011448A (zh) 2020-03-16
CN111403255B (zh) 2023-03-28
KR102520868B1 (ko) 2023-04-13
JP2020053396A (ja) 2020-04-02
US10453655B2 (en) 2019-10-22
CN107533946A (zh) 2018-01-02
TW201705186A (zh) 2017-02-01
US20190108981A1 (en) 2019-04-11
US20160284519A1 (en) 2016-09-29
TWI671783B (zh) 2019-09-11
CN111403255A (zh) 2020-07-10
TWI729450B (zh) 2021-06-01
WO2016153757A1 (en) 2016-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6920401B2 (ja) ダイレクトアップコンバージョンを用いてマイクロ波フィールドの回転周波数をデジタル制御するプラズマリアクタ
US5057185A (en) Triode plasma reactor with phase modulated plasma control
US7981306B2 (en) Supplying RF power to a plasma process
JP4523118B2 (ja) プラズマ処理装置
US20110192349A1 (en) Phase-Modulated RF Power for Plasma Chamber Electrode
CN110556282B (zh) 用于通过功率供应波导中的光圈的微波旋转和阻抗偏移的通用圆柱形空腔系统
JP2012109080A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20170126810A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN104124130A (zh) 频率和相位的多射频功率源控制
JPH0736493B2 (ja) ミクサの出力信号の擾乱信号成分を低減する方法とこの方法を実行するために形成されたミクサ
Ristè et al. Microwave techniques for quantum computers: State-of-the-art control systems for quantum processors
Hasegawa et al. Microwave plasma generation by the fast rotation and slow pulsation of resonant fields in a cylindrical cavity
JP3269853B2 (ja) プラズマ処理装置
US11355317B2 (en) Methods and apparatus for dynamical control of radial uniformity in microwave chambers
JPH0689879A (ja) プラズマ処理装置
JP2011061384A (ja) 直交変調器、および送信装置
RU2212739C1 (ru) Способ получения круговой поляризованной электромагнитной волны и устройство для его осуществления
Hsieh et al. Nonlinear dynamics of electrons interacting with oblique whistler mode waves in the magnetosphere
JPH03143453A (ja) ハイパーサーミア装置
JPH06104650A (ja) 周波数変換器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191220

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210622

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210726

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6920401

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150