JP6920239B2 - プラスチック上においてｐｖｄ抗菌フィルムを製造する方法 - Google Patents
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- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 57
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 44
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 34
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 27
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 5
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 3
- 230000002354 daily effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0682—Silicides
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
- C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
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Description
本発明は、ＰＶＤ製造技術分野に関し、特に、プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法に関する。
プラスチック製品は、加工しやすく、ライフサイクルが長い等の特性により生活において幅広く使用され、また、日常生活中によく接触されているものであって、家庭用品、子供玩具、交通用具上の手すり、コンピュータ製品、携帯電話等は生活中でよく見られる物であるが、これらプラスチック製品には大量の細菌が避けられなく、さらにある実験により人々が毎日使用している携帯電話は便器上の細菌より多いことが証明されているため、使用されているプラスチック製品を保護できる効果的な抗菌方法が望まれてきた。
ＰＶＤフィルムは、高硬度、低い摩擦係数、優れた耐摩耗性及び化学的安定性等の利点を持つため、益々人気を得ている。ナノシルバーは、有効であることが科学的に証明された制菌材質であり、現在人々がすでにナノシルバーを含有するＰＶＤフィルムで抗菌を開始しているが、ＰＶＤフィルムはめっき過程中に通常加熱する必要があるが、プラスチック製品が引火点の低い特性を有するため、ＰＶＤフィルムを直接プラスチック製品上にめっきすることは難となっている。
そこで、本発明は、上記の技術的課題について、プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法を提供することを目的とする。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
プラスチック工作物を洗浄すると共に低温で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対しバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５−１．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３０〜４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％〜３０％であり、アルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３〜１Ｐａに達させ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートして工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を下げ、アセチレンガスを吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させる抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５〜１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック工作物を洗浄すると共に低温で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対しバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５−１．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３０〜４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％〜３０％であり、アルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３〜１Ｐａに達させ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートして工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を下げ、アセチレンガスを吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させる抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５〜１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
一実施例において、前記前処理ステップ（１）内の工作物洗浄は、プラスチック洗浄剤或いは超音波洗浄のうちのいずれか一種であり、乾燥温度が６０℃を超えない。
一実施例において、前記真空処理ステップ（２）内の金属ハンガーラックに−２００〜−３００Ｖのバイアス電圧を印加する。
一実施例において、前記ベースフィルムのめっきステップ（３）内のアルゴンガス流量は、１００〜２５０ｓｃｃｍで、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２〜１０分である。
一実施例において、前記抗菌フィルムのめっきステップ（４）内のアルゴンガス流量を４０〜８０ｓｃｃｍに下げ、アセチレンガス流量は１５０〜２５０ｓｃｃｍであり、アセチレンガス吹き込み時間が１〜５分である。
一実施例において、前記抗菌フィルムのめっきステップ（４）内の銀ターゲットのターゲット電流は、０．５〜１Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が１〜４分である。
上記をまとめると、上記技術的解決策を使用してプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムのめっきを行い、全体過程に加熱の必要がなくなり、プラスチック工作物を傷つけない前提下でフィルムをめっきすることができ、チタンターゲット及びシリコンターゲットを使用してベースフィルムのめっきを行い、プラスチックの主要成分は大量の炭素原子を含み、ケイ素原子と強い結合力を有するため、チタンターゲット及びシリコンターゲットを使用してベースフィルムのめっきを行うと、膜層と工作物の結合力を増加でき、ベースフィルムのめっきが完了した後、銀ターゲットを加えてスパッタし、抗菌効果を有するシルバーをケイ化チタン膜層内に均一に分布させ、抗菌効果を有する抗菌フィルムを形成する。またフィルムめっき過程中、工作物をハンガーラック上に掛け、工作物が自転しながら公転し、スパッタ過程の成膜を均一させ、かつ局所温度が高すぎて工作物を傷つけることを避けることができる。
以下、本発明の目的、技術的解決策及び利点をより一層明確させるため、実施例を組み合わせて本発明について詳細な説明を行う。ここで記述する具体的実施例は、僅か本発明の技術的解決策をより理解するために用いられ、本発明を限定するものではないことを理解すべきである。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
プラスチック工作物を洗浄すると共に低温で乾燥させる前処理ステップ（１）と、前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対しバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５−１．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、電源に接続して３０〜４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％〜３０％であり、アルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３〜１Ｐａに達させ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートして工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を下げ、アセチレンガスを吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させる抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５〜１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、を含む。フィルムめっきの全過程中、真空炉内は加熱せず、かつ真空炉の水冷システムの動作が正常で、全過程の温度を６０℃以下に制御でき、プラスチック工作物を傷つけない状態下でフィルムめっきを完了できる。また、工作物をハンガーラック上に置いて回転し、ハンガーラックが真空炉上に回転し、工作物がフィルムめっき過程中、同時に自転及び公転を行うため、工作物のフィルムめっき過程中における膜層が均一し、かつ局所のフィルムめっき過程においてターゲット材スパッタ昇温が多すぎて工作物を傷つけることを避けることができる。排気により、残留したアセチレン中の炭素イオンを除去し、炭素イオンがＰＶＤ膜層に付着してＰＶＤ膜層の色に影響することを防止する。
プラスチック工作物を洗浄すると共に低温で乾燥させる前処理ステップ（１）と、前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対しバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５−１．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、電源に接続して３０〜４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％〜３０％であり、アルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３〜１Ｐａに達させ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートして工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を下げ、アセチレンガスを吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させる抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５〜１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、を含む。フィルムめっきの全過程中、真空炉内は加熱せず、かつ真空炉の水冷システムの動作が正常で、全過程の温度を６０℃以下に制御でき、プラスチック工作物を傷つけない状態下でフィルムめっきを完了できる。また、工作物をハンガーラック上に置いて回転し、ハンガーラックが真空炉上に回転し、工作物がフィルムめっき過程中、同時に自転及び公転を行うため、工作物のフィルムめっき過程中における膜層が均一し、かつ局所のフィルムめっき過程においてターゲット材スパッタ昇温が多すぎて工作物を傷つけることを避けることができる。排気により、残留したアセチレン中の炭素イオンを除去し、炭素イオンがＰＶＤ膜層に付着してＰＶＤ膜層の色に影響することを防止する。
一実施例において、前記前処理ステップ（１）内の工作物洗浄は、プラスチック洗浄剤或いは超音波洗浄のうちのいずれか一種であり、乾燥温度が６０℃を超えない。工作物洗浄は様々な方法があり、フィルムめっき前に工作物に清潔で乾燥した表面を保持させ、ターゲット材の工作物表面における付着力をアップし、膜層の結合力を高めることで、ＰＶＤめっき膜の品質を向上させることに有利となる。
一実施例において、前記真空処理ステップ（２）内の金属ハンガーラックに−２００〜−３００Ｖのバイアス電圧を印加する。
一実施例において、前記ベースフィルムのめっきステップ（３）内のアルゴンガス流量は、１００〜２５０ｓｃｃｍであり、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２〜１０分である。電気めっき時間によりベースフィルムの厚さを制御でき、電気めっき時間が短い場合、透明な黄色めっき膜が生じることがあり、時間を延長して膜層が厚くなると、膜層が暗褐色になり、かつ透明度が下がることがある。具体的製品のフィルムめっき要求によってフィルムめっき時間の制御を行う。
一実施例において、前記抗菌フィルムのめっきステップ（４）内のアルゴンガス流量を４０〜８０ｓｃｃｍに下げ、アセチレンガス流量は１５０〜２５０ｓｃｃｍであり、アセチレンガス吹き込み時間が１〜５分である。
一実施例において、前記抗菌フィルムのめっきステップ（４）内の銀ターゲットのターゲット電流は、０．５〜１Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が１〜４分である。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
プラスチック用の洗浄剤によりプラスチック工作物を洗浄すると共に５０℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２００Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％であり、流量が１００ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を４０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が１５０ｓｃｃｍのアセチレンガスを１分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．５Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が１分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック用の洗浄剤によりプラスチック工作物を洗浄すると共に５０℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２００Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％であり、流量が１００ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を４０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が１５０ｓｃｃｍのアセチレンガスを１分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．５Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が１分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
プラスチック用の洗浄剤により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５２℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２５０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で１．３ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３２Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２５％で、流量が１７０ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．７Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が４分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を５０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が２００ｓｃｃｍのアセチレンガスを２分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．６Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が２分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を６分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック用の洗浄剤により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５２℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２５０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で１．３ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３２Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２５％で、流量が１７０ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．７Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が４分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を５０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が２００ｓｃｃｍのアセチレンガスを２分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．６Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が２分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を６分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
超音波により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５４℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２２０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で１．０ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３４Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２７％であり、流量が２００ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．５Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が６分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を６０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が１８０ｓｃｃｍのアセチレンガスを３分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．７Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が３分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を７分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
超音波により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５４℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２２０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で１．０ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３４Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２７％であり、流量が２００ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．５Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が６分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を６０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が１８０ｓｃｃｍのアセチレンガスを３分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．７Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が３分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を７分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
超音波により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５６℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２８０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．８ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３７Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２３％であり、流量が２３０ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．６Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が８分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を７０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が２３０ｓｃｃｍのアセチレンガスを４分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．８Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が４分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を８分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
超音波により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５６℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−２８０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．８ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３７Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２３％であり、流量が２３０ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を０．６Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が８分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を７０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が２３０ｓｃｃｍのアセチレンガスを４分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が０．８Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が４分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を８分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
超音波により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５８℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−３００Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で１．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが３０％であり、流量が２５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を１Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２〜１０分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を８０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が２５０ｓｃｃｍのアセチレンガスを５分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が１Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が４分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
超音波により、プラスチック工作物を洗浄すると共に５８℃条件下で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対し−３００Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内で１．５ｘ１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが３０％であり、流量が２５０ｓｃｃｍのアルゴンガスを吹き込んで真空度を１Ｐａに達せさせ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートし、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２〜１０分であり、工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を８０ｓｃｃｍにまで下げ、流量が２５０ｓｃｃｍのアセチレンガスを５分間吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させ、銀ターゲットのターゲット電流が１Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が４分である抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含む。
実施例１〜実施例５で得られたＰＶＤ抗菌フィルムめっきのプラスチック工作物の膜層の結合力について実験データを測定した。結果を下表に示す。
実施例１〜実施例５のプラスチック工作物は、いずれも同じ材質のドア取手で、一般的なプラスチック製ドア取手と実施例１〜実施例５の同じ材質のプラスチック製ドア取手を比較組とし、計６組のサンプルは同じ使用環境下で６時間及び１２時間経過後表面の落下細菌数を測定した。結果を下表に示す。
なお、本発明では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当業者であれば、本発明の原理を脱しない前提下で各種の改良及び変形を行うことができ、従ってそれら改良及び変形も本発明の保護範囲に含まれる。
Claims (6)
- プラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法であって、
プラスチック工作物を洗浄すると共に低温で乾燥させる前処理ステップ（１）と、
前処理後の工作物をハンガーラックに掛けると共に真空炉内に入れ、金属ハンガーラックに対しバイアス電圧を印加し、真空炉内で０．５−１．５×１０−３Ｐａまで真空引きし、回転盤を起動して工作物をハンガーラック上で回転させ、同時にハンガーラックを真空炉内で回転させる真空処理ステップ（２）と、
電源に接続して３０〜４０Ｖまで調整し、デューティーサイクルが２０％〜３０％であり、アルゴンガスを吹き込んで真空度を０．３〜１Ｐａに達させ、チタンターゲット及びシリコンターゲットをスタートして工作物の表面にＴｉＳｉ２膜層を形成させるベースフィルムのめっきステップ（３）と、
チタンターゲット及びシリコンターゲットを保持し、アルゴンガス流量を下げ、アセチレンガスを吹き込み、次に銀ターゲットをスタートして、工作物の表面にＴｉＳｉ２／Ａｇ抗菌フィルムを形成させる抗菌フィルムのめっきステップ（４）と、
まずチタンターゲット及びシリコンターゲットをストップしてから銀ターゲットをストップし、そして全てのガスを遮断し、排気を５〜１０分強化し、真空炉内に残留した炭素イオンを除去して真空炉を大気圧まで通気し、工作物を取り出してフィルムめっきを完了させるフィルムめっき完了ステップ（５）と、
を含むことを特徴とするプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法。 - 前記前処理ステップ（１）内の工作物洗浄は、プラスチック洗浄剤或いは超音波洗浄のうちのいずれか一種であり、乾燥温度が６０℃を超えないことを特徴とする請求項１に記載のプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法。
- 前記真空処理ステップ（２）内の金属ハンガーラックに−２００〜−３００Ｖのバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載のプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法。
- 前記ベースフィルムのめっきステップ（３）内のアルゴンガス流量は、１００〜２５０ｓｃｃｍであり、ターゲット電流が１０Ａであり、電気めっき時間が２〜１０分であることを特徴とする請求項１に記載のプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法。
- 前記抗菌フィルムのめっきステップ（４）内のアルゴンガス流量を４０〜８０ｓｃｃｍに下げ、アセチレンガス流量は１５０〜２５０ｓｃｃｍであり、アセチレンガス吹き込み時間が１〜５分であることを特徴とする請求項１に記載のプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法。
- 前記抗菌フィルムのめっきステップ（４）内の銀ターゲットのターゲット電流は、０．５〜１Ａであり、銀ターゲットスパッタリング時間が１〜４分であることを特徴とする請求項１に記載のプラスチック上においてＰＶＤ抗菌フィルムを製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710779538.0A CN107653441B (zh) | 2017-09-01 | 2017-09-01 | 一种在塑胶上生产pvd防菌膜的方法 |
| CN201710779538.0 | 2017-09-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019044258A JP2019044258A (ja) | 2019-03-22 |
| JP6920239B2 true JP6920239B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=61129152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018055744A Active JP6920239B2 (ja) | 2017-09-01 | 2018-03-23 | プラスチック上においてｐｖｄ抗菌フィルムを製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190071765A1 (ja) |
| JP (1) | JP6920239B2 (ja) |
| KR (1) | KR102361232B1 (ja) |
| CN (1) | CN107653441B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110184572B (zh) * | 2019-06-11 | 2021-07-09 | 麦世枝 | 一种在玻璃上制备杀菌膜的方法 |
| CN110760804A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-02-07 | 麦世枝 | 一种在硅胶上制备防菌复合膜的方法 |
| CN111364003A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-07-03 | 麦福枝 | 一种在塑胶上生产具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法 |
| CN111441019A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-07-24 | 麦福枝 | 一种在玻璃、陶瓷上制备具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法 |
| CN111321371A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-06-23 | 麦福枝 | 一种在硅胶上生产具有氮化硅结合层杀菌膜的制造方法 |
| CN111636198A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-08 | 麦福枝 | 一种在纤维布上制备杀菌膜的方法 |
| CN111748781B (zh) * | 2020-06-18 | 2022-08-16 | 九牧厨卫股份有限公司 | 一种复合抗菌靶材及其制备方法和应用 |
| KR20220049451A (ko) | 2020-10-14 | 2022-04-21 | 이계영 | 자동차용 pvd항균내장재 |
| CN113802099A (zh) * | 2021-08-06 | 2021-12-17 | 浙江上方电子装备有限公司 | 可降解餐具及其制备方法 |
| CN113913740A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-11 | 陈水和 | 一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法 |
| CN115161597B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-07-14 | 深圳市一诺真空科技有限公司 | 一种基材抗菌制备工艺、抗菌基材及镀膜设备 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000119846A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-25 | Nikon Corp | 薄膜の製造方法 |
| JP2002071902A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | 光吸収性反射防止体 |
| JP2002345602A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-03 | Supatta Kk | 布 団 |
| GB2452190B (en) * | 2006-05-17 | 2011-12-28 | G & H Technologies Llc | Wear resistant depositied coating, method of coating deposition and applications therefor |
| EP2088131A4 (en) * | 2006-10-16 | 2010-07-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ANTIBACTERIAL SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| CN101705468A (zh) * | 2009-10-14 | 2010-05-12 | 哈尔滨工业大学 | 缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法 |
| CN102230163B (zh) * | 2009-10-16 | 2013-07-31 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜装置 |
| CN101717920A (zh) * | 2009-12-29 | 2010-06-02 | 浙江大学 | 利用磁控溅射法制备复合银钛氧化物抗菌薄膜的方法 |
| CN102108484B (zh) * | 2011-01-18 | 2012-07-04 | 厦门建霖工业有限公司 | 一种双层抗菌镀层的制备方法 |
| TWI468538B (zh) * | 2011-10-14 | 2015-01-11 | Chenming Mold Ind Corp | 屏蔽層製造方法 |
| JP6637748B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2020-01-29 | 中部電力株式会社 | 遮熱膜 |
| CN107236924B (zh) * | 2016-03-28 | 2021-08-17 | 精工爱普生株式会社 | 钟表用外装部件以及钟表 |
| CN105861988B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-04-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种高硬度抗菌TiSiN/Ag纳米复合功能涂层及其制备方法和应用 |
-
2017
- 2017-09-01 CN CN201710779538.0A patent/CN107653441B/zh active Active
- 2017-12-26 US US15/854,524 patent/US20190071765A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-03-23 JP JP2018055744A patent/JP6920239B2/ja active Active
- 2018-04-03 KR KR1020180038677A patent/KR102361232B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190025490A (ko) | 2019-03-11 |
| US20190071765A1 (en) | 2019-03-07 |
| CN107653441A (zh) | 2018-02-02 |
| KR102361232B1 (ko) | 2022-02-09 |
| CN107653441B (zh) | 2019-05-24 |
| JP2019044258A (ja) | 2019-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200630 |
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| A977 | Report on retrieval |
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