CN113913740A - 一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明为一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法，使用本技术方案整个过程不需加高温及在不损伤胶膜的前提下镀膜，使用Si靶、TiC靶及Ag靶进行杀菌膜层镀制，胶膜的主要成分包含大量的C原子，和镀膜內的Si原子具有良好的结合力，加之Ag靶溅射，使具有杀菌效果的Ag均匀分布在胶膜中，形成具有杀菌效果的杀菌膜，另外在镀膜过程中胶膜匀速前进，使溅射过程成膜更为均匀，胶膜经过不同靶材，产生复合镀膜，并且能够避免局部温度过高损伤胶膜。该杀菌胶膜健康、环保，制作较为方便，既保留原胶膜的各种特性、外型、又起到了杀菌的功效，对使用者的使用具有高的防护性及安全性。

Description

一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法
技术领域
本发明涉及胶膜材料真空镀膜的技术领域，尤其是一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法。
背景技术
随着社会的发展，工业的稳定的发展，生产技术更趋完善，生产水平进一步提高，特别是高新技术获得了广泛的应用，应用领域更为宽广。随着经济全球化、市场国际化，材料技术的开发与进步，人们的物质生活水平越来越高，对材料的性能要求也越来越高，而胶膜作为一种常用的生活材料，其应用非常广泛，特别在医疗防疫、生活用品、饮食或包装领域，其往往作为一次性材料用于制成防护服、手套、保护膜、保鲜膜等防护物品，作用非常大，但是传统的胶膜除了用途广，在功能上往往很单一，比如它并不具有防菌功能，制成的物品并没具备杀菌的功能，对使用者的使用防护性差，安全性低。
发明内容
本发明的主要目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法解决因传统的胶膜功能单一，不卫生环保，防护性差，安全性低的问题。
为实现上述目的，按照本发明提供的技术方案是：所述杀菌胶膜，包括胶膜主体，所述胶膜主体表面镀设有杀菌层，所述杀菌层包括结合膜层、载体层、第一杀菌膜层及第二杀菌膜层。
作为本发明进一步的方案，所述胶膜主体1的结构材料包括：PET、TPU、EVA、PU、PP、PVC、PE、PO、ABS、PC、POM、PA、TPE及硅胶。
作为本发明进一步的方案，所述杀菌层完全地覆盖所述胶膜主体的外表面。
作为本发明进一步的方案，所述杀菌层完全地覆盖所述胶膜主体的内表面。
作为本发明进一步的方案，所述结合膜层包括由Si制成的膜层。
作为本发明进一步的方案，所述载体层包括由Si和TiC制成的膜层。
作为本发明进一步的方案，所述第一杀菌膜层包括由Si、TiC和Ag制成的膜层。
作为本发明进一步的方案，所述第二杀菌膜层包括由Si、TiC、Ag和Ag制成的膜层。
本发明还提供一种杀菌胶膜卷绕镀制方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至30-40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待5-10分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
综上所述，使用上述技术方案在胶膜上进行杀菌膜的镀制，整个过程不需加化学处理，在不损伤胶膜的表面前提下镀膜，使用Si靶、Ti靶及Ag靶进行杀菌膜层镀制，胶膜的主要成分包含大量的C原子，和镀膜內的Si原子具有良好的结合力，加之Ag靶溅射，使具有杀菌效果的银均匀分布在胶膜中，形成具有杀菌效果的杀菌膜，另外在镀膜过程中胶膜匀速前进，使溅射过程成膜更为均匀，胶膜经过不同靶材，产生复合镀膜，并且能够避免局部温度过高损伤胶膜，而Si既可以补偿TiC的镀膜缺陷，增加TiC的硬度，并减低疏孔性，亲油性及导电率，降低指纹效应，该杀菌胶膜健康、环保，达到制作较为方便，既保留原胶膜的各种特性、外型、又起到了杀菌的功效，对使用者的使用具有高的防护性及安全性的有益效果。
附图说明
图1为本发明一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法之杀菌胶膜的剖面示意图；
图2为本发明一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法之杀菌层的剖面示意图；
图例中元件说明：1-胶膜主体；2-杀菌层；21-结合膜层；22-载体层；23-第一杀菌膜层；24-第二杀菌膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种杀菌胶膜，包括胶膜主体1，所述胶膜主体1表面镀设有杀菌层2，所述杀菌层2包括结合膜层21、载体层22、第一杀菌膜层23及第二杀菌膜层24。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述胶膜主体1的结构材料包括：PET、TPU、EVA、PU、PP、PVC、PE、PO、ABS、PC、POM、PA、TPE及硅胶。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述杀菌层2完全地覆盖所述胶膜主体1的外表面。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述杀菌层2完全地覆盖所述胶膜主体1的内表面。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述结合膜层21包括由Si制成的膜层。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述载体层22包括由Si和TiC制成的膜层。由于TiC具有疏孔性，表面的自由能很强，具有很强的吸油性，生产的薄膜有强烈的指纹效应，而Si既可以补偿TiC的镀膜缺陷，增加TiC的硬度，并减低疏孔性，亲油性及导电率，降低指纹效应，且有利于将后续镀膜中的纳米Ag粒子锁定在镀膜上。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述第一杀菌膜层23包括由Si、TiC和Ag制成的膜层。Si、和TiC将Ag离子锁定在杀菌层2上。
优选的，上述的一种杀菌胶膜，所述第二杀菌膜层24包括由Si、TiC、Ag和Ag制成的膜层。
本发明还提供一种杀菌胶膜卷绕镀制方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至30-40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待5-10分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
实施例1
一种杀菌胶膜卷绕镀制方法包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至30V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待5分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
实施例2
一种杀菌胶膜卷绕镀制方法包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至35V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待8分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
实施例3
一种杀菌胶膜卷绕镀制方法包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待10分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
实施例4
一种杀菌胶膜卷绕镀制方法包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至30V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待10分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
实施例5
一种杀菌胶膜卷绕镀制方法包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待5分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
实施例6
对实施例1-5所得杀菌膜的胶膜的膜层结合力进行实验数据测量，结果如下表所示：
实施例 1 2 3 4 5
结合力(N) 60.5 62 63.5 65 67
由实验结果可知，使用本技术方案得到的胶膜表面的杀菌膜的膜层结合力均大于60N，则说明膜层结合力较优，能满足普通胶膜产品需求。
实施例7
实施例1-5的胶膜均为相同材质的胶膜，取普通常用与实施例1-5相同材质的胶膜为对比组，合计六组样品在相同使用环境下分别测量5小时和10小时后表面的菌落数，结果如下表所示：
实验样 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 对比组
5小时(个/cm2) 9 11 14 10 7 45
10小时(个/cm2) 4 5 6 4 3 56
24小时(个/cm2) 0 0 0 0 0 72
由实验结果可知，使用本技术方案的具有杀菌膜的胶膜和普通胶膜相比，其防菌效果显著，具有很高的实际使用价值。
以上详细说明针对本发明之一可行实施例之具体说明，惟实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明技艺精神所为之等效实施或变更，均应包含于本案之专利范围中。

Claims (9)

1.一种杀菌胶膜，其特征在于：包括胶膜主体(1)，所述胶膜主体(1)表面镀设有杀菌层(2)，所述杀菌层(2)包括结合膜层(21)、载体层(22)、第一杀菌膜层(23)及第二杀菌膜层(24)。
2.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述胶膜主体1的结构材料包括：PET、TPU、EVA、PU、PP、PVC、PE、PO、ABS、PC、POM、PA、TPE及硅胶。
3.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述杀菌层(2)完全地覆盖所述胶膜主体(1)的外表面。
4.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述杀菌层(2)完全地覆盖所述胶膜主体(1)的内表面。
5.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述结合膜层(21)包括由Si制成的膜层。
6.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述载体层(22)包括由Si和TiC制成的膜层。
7.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述第一杀菌膜层(23)包括由Si、TiC和Ag制成的膜层。
8.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述第二杀菌膜层(24)包括由Si、TiC、Ag和Ag制成的膜层。
9.一种杀菌胶膜卷绕镀制方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；
(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；
(3)结合膜层镀制：开启电源调至30-40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；
(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；
(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待5-10分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。
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